CN113437052B - 改善微小型led背光或显示均匀性的色转换层及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种改善微小型LED背光或显示均匀性的色转换层及其制备方法。由非均匀发光介质膜、散射粒子膜、其他光学功能膜三个部分紧密复合组成；所述非均匀发光介质膜用于将由微小型LED模组产生的短波长激发光转化为其他波长的光；所述非均匀发光介质膜的整体结构为旋转对称曲面或非旋转对称曲面，所述非均匀发光介质膜由多个单元结构接连形成阵列，所述单元结构与微小型LED形成一对一、一对多或多对一的对应关系；所述散射粒子膜用于散射转换光及使膜层平整化；所述其他光学功能膜用于添加光学性能或起保护作用。本发明能够实现与微小型LED的精确匹配、光能高效转换、均匀出光、高色域显示等，可用于解决微小型LED出光大角度分布均匀性的问题。

Description

改善微小型LED背光或显示均匀性的色转换层及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，具体涉及一种改善微小型LED背光或显示均匀性的色转换层及其制备方法。
背景技术
LED已经存在超过50年，一般显示看板的芯片尺寸为毫米级，直到最近十年才做到微米等级。微小型LED光利用率高，拥有优异的显示性能，在亮度、对比度、清晰度等画质方面和响应速度、寿命、功耗等性能方面均优于LCD和传统LED。微小型LED背光能带来显示效果更好、厚度更薄的升级，当用作液晶面板背光时，有着能够完整保留RGB三原色、实现精细化控制和高显示对比度、更薄的厚度、兼具高亮度和散热均匀的优势。小尺寸化LED芯片将成为未来显示器件的主流趋势。
发光介质材料能够以某种形式吸收能量，将其转化成光辐射，常以彩色滤光片或色转换层的形式，作为彩色化的关键部件应用在显示器中。发光介质材料包括荧光粉、量子点、长余辉发光材料、上转换发光材料等多个种类。目前商用显示器件中常用荧光粉作为彩色像素的主要材料，近年来以量子点作为像素材料或色转换层材料的量子点显示器迅速崛起。纳米半导体量子点以其低功耗、超轻薄、窄带发光、色彩饱和度和发光亮度高以及可溶液加工等特点成为信息显示领域关注的新热点。目前，以光致量子点为色转换层的微小型LED显示面板已经成为以量子点材料作为自主发光面板的两个最前沿的应用之一，这也使微小型LED的色转换膜层应用成为了显示技术的一个重要发展方向和研究热点。
但是，微小型LED背光显示面板尚存一些问题，如单颗LED对应区域内大角度出光不均匀等，有必要提出一种将发光介质材料作为匹配微小型LED的优化膜层，不仅可以发挥微小型LED芯片的显示优势，还可以进一步提升到更高色域、更高效率等，大幅提升背光效果。
专利号为CNCN109979960A的中国专利公开了“基于量子点光转换层的全彩Micro-LED显示器件的制作方法”，该发明提供了可以解决量子点材料直接涂到Micro-LED表面后的光串扰问题、光源阵列和色转换膜层难以分离的问题的一种量子点光转换层的Micro-LED显示器件的制作方法，通过制备凹槽阵列并蒸镀金属层和反射层，再填充红绿量子点，最后压合到Micro-LED阵列上制作全彩Micro-LED显示器件。上述技术方案虽然能得到出红、绿、蓝三色光的Micro-LED显示器件，但仍存在出光不均匀、出光效果不稳定等显示效果方面的问题，因此仍待提出改进的适用于Micro/Mini-LED的发光介质色转换层。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改善微小型LED背光或显示均匀性的色转换层及其制备方法，通过设计具有非均匀光密度特性的色转换层代替传统均匀色转换膜，来实现可用于与微小型LED发光特性相匹配的颜色转换结构。
为实现上述目的，本发明的技术方案是：一种改善微小型LED背光或显示均匀性的色转换层，由非均匀发光介质膜、散射粒子膜、其他光学功能膜三个部分紧密复合组成；
所述非均匀发光介质膜用于将由微小型LED模组产生的短波长激发光转化为其他波长的光；所述非均匀发光介质膜的整体结构为旋转对称曲面或非旋转对称曲面，所述非均匀发光介质膜由多个单元结构接连形成阵列，所述单元结构与微小型LED形成一对一、一对多或多对一的对应关系；
所述散射粒子膜用于散射转换光及使膜层平整化；
所述其他光学功能膜用于添加光学性能或起保护作用。
在本发明一实施例中，所述多个单元结构接连形成的阵列形式包括矩形阵列、圆形分布阵列、同心圆阵列、平面最密堆积、阿基米德螺线阵列中的一种或多种的组合；所述单元结构尺寸为10-5000μm。
在本发明一实施例中，所述单元结构的剖面轮廓包括圆锥型、圆台型、圆锥曲线型、正态型中的一种或多种的组合，单元结构厚度d与微小型LED出射光的方向存在几何或函数关系如下：
(1)若单元结构的剖面轮廓为圆锥型，即直角三角形以一条直角边为轴旋转360°形成的旋转体，d由以下公式定义：
其中，R为单元结构的底面半径，d0为最大厚度，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角，h为光源与膜的间距，d为在θ角度处的膜层厚度。
(2)若单元结构的剖面轮廓为圆台型，即在某水平位置截去圆锥的上半部分，d由以下公式定义：
其中，R为单元结构的下底面半径，r为单元结构的上底面半径，d0为截前圆锥的高，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角，h为光源与膜的间距，d为在θ角度处的膜层厚度。
(3)若单元结构的剖面轮廓为圆锥曲线型，即圆锥曲线沿中心轴旋转360°形成的旋转体，线型包括椭圆、双曲线的一支、抛物线；
椭圆型膜厚分布，d由以下公式定义：
其中，a、b为椭圆方程参数，决定了椭圆曲线的形状，可以是焦点沿横轴分布的椭圆的上半部分(a>b)，也可以是焦点沿纵轴分布的椭圆的上半部分(a<b)，x为入射点与中心入射点之间的距离(横坐标)，Δd表示图形在纵轴方向上平移的距离。特别地，当a＝b且Δd＝0时，平面曲线表现为半圆，膜厚分布为半球型，d还可以由公式d＝r·sinα或d2＝(h·tanθ)2+r2定义，其中，r为球体半径(r＝a＝b)、θ为目标位置相对于光源的方位角度、h为光源与膜的间距，d为在θ角度处的膜层厚度，α为半球出射点与球心的夹角。
双曲线型膜厚分布，d由以下公式定义：
其中，a、b为双曲线方程参数，决定了双曲线的形状，x为入射点与中心入射点之间的距离，d0为中心入射点处膜厚(膜厚最大处)，平面曲线表现为焦点在纵轴双曲线的下支。
抛物线型膜厚分布，d由以下公式定义：
d＝-px2+d0(p＞0)
其中，p为抛物线方程参数，决定了抛物线的形状，x为入射点与中心入射点之间的距离，d0为中心入射点处膜厚(膜厚最大处)。
此外，对于以上圆锥曲线，在(x,d)处有：x＝h·tanθ，其中h为光源与膜的间距，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角。
(4)若单元结构的剖面轮廓为正态型，可以是一维正态分布曲线沿中心轴旋转360°形成的旋转体，也可以是二维正态分布与某一平面包围形成的立体结构。
d由以下公式定义：
其中，x为入射点与中心入射点的距离，σ为膜厚所服从一维正态分布的标准差，μ为膜厚所服从一维正态分布的期望；在(x,d)处有：x＝h·tanθ，其中h为光源与膜的间距，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角。
或，由二维正态分布公式进行定义：
即以下两个一维正态分布分量的联合分布：
其中，x、y为入射点与光源入射中心点的横、纵距离(以入射中心点为原点建立的水平二维平面坐标值)，σ1、σ2分别为膜厚在x、y方向上所服从一维正态分布的标准差，μ1、μ2分别为膜厚在x、y方向上所服从一维正态分布的期望，ρ为x与y的相关系数(结合紧密程度参数)，d为目标位置膜层厚度。此外，在(x,y,d)处有：其中h为光源与膜的间距，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角。
在本发明一实施例中，所述微小型LED模组的LED芯片由尺寸为100-500μm的Mini-LED或尺寸为50μm以下的Micro-LED中的一种或多种组成，并且能够发出高纯度、高亮度蓝光或紫外光；所述微小型LED模组，由多颗LED阵列而成，阵列排布形式包括矩阵阵列、同心圆阵列、平面最密堆积中的一种或多种的组合；所述微小型LED模组与色转换层之间的空隙，可用在390～760nm即可见光范围内具有透光性的有机材料进行填充、沉浸。
在本发明一实施例中，所述非均匀发光介质膜与散射粒子膜的基质材料，选自聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯酸甲酯(PMA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、醋酸丁酸纤维素(CAB)、硅氧烷、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯醇(PVA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、改性聚对苯二甲酸乙二酯(PETG)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)或环烯共聚物(COC)中的一种或多种的组合。
在本发明一实施例中，所述非均匀发光介质膜中的发光介质可采用光致发光材料，包括但不限于无机荧光材料、有机发光材料、自发光体、磷光物体、长余辉发光材料、上转换发光材料，其可以显示红、绿、蓝色或是一种或几种颜色的混合。
在本发明一实施例中，所述散射粒子膜紧密覆着于非均匀发光介质膜上方，通过在膜层基材中均匀分散散射粒子形成，用于转换光的二次散射和使膜层平整化；所述散射粒子是二氧化硅、二氧化钛、二氧化锡、氧化铝、氧化钙、氧化锌、氧化锆、氧化镁、氧化镧、氧化铍中的一种或多种，或是有机材料，如聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸苯乙烯中的一种或多种的组合。
在本发明一实施例中，所述其他光学功能膜包括扩散膜、增透膜、反射膜、滤光膜、棱镜膜、偏振膜、分光膜、位相膜、光学保护膜、冷光膜、疏水膜、阻隔膜、金刚石及类金刚石膜、软X射线多层膜、太阳能选择性吸收膜、光通信用光学膜中的一种或多种的组合；所述其他光学功能膜的膜层折射率在界面上可以发生跃变，但在膜层内是连续的；所述其他光学功能膜的膜层是透明介质，或是吸收介质，并具有光滑表面。
本发明还提供了一种基于上述所述的改善微小型LED背光或显示均匀性的色转换层的制备方法，包括如下步骤：
步骤S1、制作模具：使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)材料，根据所需的非均匀发光介质膜的形貌结构制作具有相应形状的模具；
步骤S2、制备成膜材料：选择第一膜层基质，加入发光介质并在室温下磁力搅拌0.5-6h使发光介质均匀分布在第一膜层基质中，得到发光介质成膜材料；选择第二膜层基质，加入散射粒子并在室温下磁力搅拌0.5-6h使散射粒子均匀分布在第二膜层基质中，得到散射粒子成膜材料；
步骤S3、注模成型发光介质膜：将制备的发光介质成膜材料转移置于PDMS模具侧面，静置1-6h，利用毛细现象使液体充分注入模具中；转移至加热台上，在5-300℃下加热10-60min成型，静置冷却10-40min后进行脱模，再转移至烘箱中在80-300℃下烘干5-30min，得到非均匀发光介质膜；
步骤S4、涂覆成型散射粒子膜：将非均匀发光介质膜置于基板上，置于匀胶机/旋涂机或刮涂机中，将散射粒子成膜材料均匀涂覆在非均匀发光介质膜上方，得到平整化的膜层表面；转移至加热台上，在5-300℃下加热5-40min成型，并转移至烘箱中在80-300℃下烘干5-30min；
步骤S5、复合其他光学功能膜：涂覆一层光学薄膜用粘合剂，或选用带有粘合剂的光学膜片，将其他光学功能膜粘附在散射粒子膜上方，并采用平整压印或刮涂的方式使其紧密贴合；或，根据目标器件尺寸或性能需求，直接将其他光学膜置于散射粒子膜上方；得到色转换层。
步骤S6、将制成的色转换层组合结构从基板上取下，转移至微小型LED模组上方，根据匹配关系与排布方式，进行对位和贴合。
在本发明一实施例中，所述色转换层也可以仅填充散射粒子，即以散射粒子制成具有非均匀厚度分布的散射层，作为散射层使用，此时光源颜色应与显示或背光所需的出光颜色匹配。
相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：本发明所述的非均匀发光介质膜具有多种优势，如能够实现与微小型LED的精确匹配、光能高效转换、均匀出光、高色域显示等，可用于解决微小型LED出光大角度分布均匀性的问题。
附图说明
图1为本发明的微小型LED与非均匀色转换膜匹配凸面结构示意图；
图2为本发明的微小型LED与非均匀色转换膜匹配凹面结构示意图；
图3为本发明的PDMS成膜工艺示意图；
图4为本发明的圆锥型单元结构剖面示意图；
图5为本发明的圆台型单元结构剖面示意图；
图6为本发明的圆锥曲线型单元结构剖面示意图；
图7为本发明的正态型单元结构剖面示意图；
图8为本发明的二维正态分布型单元结构示意图；
图中：1-LED阵列、2-非均匀发光介质膜、3-散射粒子膜、4-其他光学结构、5-填充材质、6-PDMS模具、7-PDMS模具中用以形成膜片的微结构、8-用于注入成膜材料的导管。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的技术方案进行具体说明。
应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。
一种改善微小型LED显示均匀性的量子点色转换层及其制备方法，其中，量子点色转换层由非均匀发光介质膜、散射粒子膜和其他光学膜片组成，可用于匹配由微小型LED阵列模组提供蓝光的背光显示与直接显示。
所述微小型LED光源阵列作为背光或显示模组用于产生短波长激发光，提供能量激发量子点，LED模组与色转换层之间的空隙，可以用在390～760nm即可见光范围内具有透光性的有机材料进行填充、沉浸，如硅胶、树脂、有机玻璃等。
所述量子点色转换层自下而上由非均匀发光介质膜、散射粒子膜、其他光学功能膜复合组成。非均匀量子点色转化膜用于将短波长激发光转化为其他波长的光，散射粒子膜用于散射转换光及使膜层平整化，其他光学功能膜用于添加其他光学性能或起保护作用。
所述非均匀发光介质膜的整体结构可以是旋转对称曲面也可以是非旋转对称曲面，由多个单元结构阵列而成，阵列形式可以是矩形阵列、圆形分布阵列、同心圆阵列、平面最密堆积、阿基米德螺线阵列中的一种或多种的组合；该单元与微小型LED光源形成一对一或一对多的对应关系。其单元结构可以是圆锥型、圆台型、圆锥曲线型、正态型中的一种或多种的组合，但不限于此，其单元结构厚度d与Mini-LED出射光的方向存在一定的几何或函数关系。
所述散射粒子膜中分布有大量散射粒子，可以将通过散射粒子膜的转换光进行二次散射。
所述其他光学膜片的加入可以带来更多光学性能。
如图1与图2所示的微小型LED与量子点色转换层匹配结构示意图，自下而上依次包括1-LED阵列、2-非均匀发光介质膜、3-散射粒子膜、4-其他光学膜片、5-填充材质。
用于形成发光介质膜与散射粒子膜的基质材料，选自聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯酸甲酯(PMA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、醋酸丁酸纤维素(CAB)、硅氧烷、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯醇(PVA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、改性聚对苯二甲酸乙二酯(PETG)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)或环烯共聚物(COC)中的一种或几种。
所述用于颜色转换的发光介质可以采用光致发光材料，包括但不限于无机荧光材料、有机发光材料、自发光体、磷光物体、长余辉发光材料、上转换发光材料，可以是稀土离子发光及稀土荧光材料、电子俘获材料、量子点材料、氧化钇掺杂材料等一种或多种的混合，其可以显示红、绿、蓝色或是一种或几种颜色的混合。若选用量子点，则可以选自II-VI族化合物，也可以选自III-V族化合物，可以是无机化合物，也可以是有机化合物，优选硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点、磷化铟量子点、砷化铟量子点和钙钛矿量子点材料，可用于显示红、绿、蓝色，具有如下特点：
(1)能够发出的光的波长可以从可见光波段延伸到红外波段；
(2)所发光的半高宽(FWHM)低于20nm；
(3)量子效率可达到90％；
(4)与有机传输层混合后可以制作量子点LED。
本发明通过控制包覆选用的量子点不同粒径来实现不同颜色光的激发，如粒径为18-20nm的量子点能够被激发发射红光，粒径为12-14nm的量子点能够被激发发射绿光，粒径为6-8nm的量子点能够被激发发射蓝光。
本发明中用于制作散射粒子膜的散射粒子可以是二氧化硅、二氧化钛、二氧化锡、氧化铝、氧化钙、氧化锌、氧化锆、氧化镁、氧化镧、氧化铍中的一种或多种，或是有机材料，如聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸苯乙烯等中的一种或多种。
色转换层也可以仅填充散射粒子，即以散射粒子制成具有非均匀厚度分布的散射层，作为散射层使用，此时光源颜色应与显示或背光所需的出光颜色匹配。
如图3所示的PDMS成膜工艺示意图，其结构依次为6-PDMS模具、7-PDMS模具中用以形成膜片的微结构、8-用于注入成膜材料的导管。
实施例一
以凸面型为例，如图4所示圆锥型非均匀发光介质膜结构，其剖面为等腰三角形。
2-非均匀发光介质膜厚度d由以下公式定义：
其中，R为单元结构的底面半径，d0为最大厚度，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角，h为光源与膜的间距，d为在θ角度处的膜层厚度。
具体工艺步骤为：
步骤S1：制作模具。使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)材料，根据所需的非均匀发光介质膜形貌结构制作具有相应形状的模具；
步骤S2：制备成膜材料。选择合适的膜层基质A，加入量子点并在室温下磁力搅拌0.5-6h使量子点均匀分布在基质A中，得到发光介质成膜材料；选择合适的基质B，加入散射粒子并在室温下磁力搅拌0.5-6h使散射粒子均匀分布在基质B中，得到散射粒子成膜材料。
步骤S3：注模成型非均匀发光介质膜。将制备的发光介质成膜材料转移置于PDMS模具侧面，静置1-6h，利用毛细现象使液体充分注入模具中；转移至加热台上，在5-300℃下加热10-60min成型，静置冷却10-40min后进行脱模，再转移至烘箱中在80-300℃下烘干5-30min，得到非均匀发光介质膜。
步骤S4：涂覆成型散射粒子膜。将非均匀发光介质膜置于基板上，置于匀胶机(旋涂机)或刮涂机中，将散射粒子成膜材料均匀涂覆在非均匀发光介质膜上方，得到平整化的膜层表面；转移至加热台上，在5-300℃下加热5-40min成型，并转移至烘箱中在80-300℃下烘干5-30min。
步骤S5：复合其他光学功能膜。涂覆一层光学薄膜用粘合剂，或选用带有粘合剂的光学膜片，将其他光学功能膜粘附在散射粒子膜上方，并采用平整压印或刮涂的方式使其紧密贴合；或，根据目标器件尺寸或性能需求，直接将其他光学膜置于散射粒子膜上方。得到色转换层。
步骤S6：将制成的色转换层组合结构从基板上取下，转移至LED模组上方，根据匹配关系与排布方式，进行对位和贴合。
制成的模组如图1所示，由底部的1-LED阵列发出纯净的蓝光，在不同角度上蓝光强度不同，具体服从朗伯余弦分布；各角度强度不同的蓝光穿过5-填充材质，在2-非均匀发光介质膜底部入射，进入非均匀发光介质膜内部，蓝光激发量子点转换为对应于量子点粒径的其他颜色的光，因不同角度的光强和膜厚进行了匹配，加上量子点的散射作用，非均匀发光介质膜上表面出射的光将是亮度和颜色较为均匀的；再经过3-散射粒子层，在其强大的散射作用下，散射粒子层上方将得到亮度、颜色均匀的转换光；在量子点色转换层上加装4-其他光学膜片，进一步实现光效的加强或增加其他光学性能，为显示器提供均匀背光源、单色光源等。
实施例二
以凸面型为例，如图5所示圆台型量子点膜结构，即在某水平位置截去圆锥的上半部分，其剖面为等腰梯形。
2-非均匀发光介质膜厚度d由以下公式定义：
其中，R为单元结构的下底面半径，r为单元结构的上底面半径，d0为截前圆锥的高，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角，h为光源与膜的间距，d为在θ角度处的膜层厚度。
其制作工艺步骤、膜层结构与实施例一相同。
实施例三
以凸面型为例，如图6所示圆锥曲线型子点膜结构，其剖面为椭圆的上半部分或双曲线的一支或抛物线。
2-非均匀发光介质膜满足椭圆型膜厚分布，d由以下公式定义：
其中，a、b为椭圆方程参数，决定了椭圆曲线的形状，可以是焦点沿横轴分布的椭圆的上半部分(a>b)，也可以是焦点沿纵轴分布的椭圆的上半部分(a<b)，x为入射点与中心入射点之间的距离(横坐标)，Δd表示图形在纵轴方向上平移的距离。特别地，当a＝b且Δd＝0时，平面曲线表现为半圆，膜厚分布为半球型，d还可以由公式d＝r·sinα或d2＝(h·tanθ)2+r2定义，其中，r为球体半径(r＝a＝b)、θ为目标位置相对于光源的方位角度、h为光源与膜的间距，d为在θ角度处的膜层厚度，α为半球出射点与球心的夹角。
或，2-非均匀发光介质膜满足双曲线型膜厚分布，d由以下公式定义：
其中，a、b为双曲线方程参数，决定了双曲线的形状，x为入射点与中心入射点之间的距离，d0为中心入射点处膜厚(膜厚最大处)，平面曲线表现为焦点在纵轴双曲线的下支。
或，2-非均匀发光介质膜满足抛物线型膜厚分布，d由以下公式定义：
d＝-px2+d0(p＞0)
其中，p为抛物线方程参数，决定了抛物线的形状，x为入射点与中心入射点之间的距离，d0为中心入射点处膜厚(膜厚最大处)。
此外，对于以上圆锥曲线，在(x,d)处有：x＝h·tanθ，其中h为光源与膜的间距，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角。
其制作工艺步骤、膜层结构与实施例一相同。
实施例四
以凸面型为例，如图7所示正态型发光介质膜结构，即正态分布曲线沿中心轴旋转360°形成的旋转体，其剖面为一维正态分布曲线与x轴围成的图形。d由以下公式定义：
其中，x为入射点与中心入射点的距离，σ为膜厚所服从一维正态分布的标准差，μ为膜厚所服从一维正态分布的期望；在(x,d)处有：x＝h·tanθ，其中h为光源与膜的间距，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角。
或，如图8所示二维正态分布型发光介质膜结构，d由二维正态分布公式进行定义：
即以下两个一维正态分布分量的联合分布：
其中，x、y为入射点与光源入射中心点的横、纵距离(以入射中心点为原点建立的水平二维平面坐标值)，σ1、σ2分别为膜厚在x、y方向上所服从一维正态分布的标准差，μ1、μ2分别为膜厚在x、y方向上所服从一维正态分布的期望，ρ为x与y的相关系数(结合紧密程度参数)，d为目标位置膜层厚度。此外，在(x,y,d)处有：其中h为光源与膜的间距，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角。
其制作工艺步骤、膜层结构与实施例一相同。
实施例五
如图2所示为非均匀色转换膜匹配凹面结构示意图，其剖面结构可以与实施例一至四所述结构基础上翻转或旋转180°而得到，具有相似或相同的膜厚分布属性，但在与LED模组的关系上具有相反匹配方式。且步骤S4应修改为：
步骤S4：涂覆成型散射粒子膜。放置基板于匀胶机(旋涂机)或刮涂机中，将散射粒子成膜材料均匀涂覆在基板上得到平整化的膜层表面；转移至加热台上，在5-300℃下加热5-40min成型。将非均匀发光介质膜置于散射粒子膜上表面，进行贴合，并转移至烘箱中在80-300℃下烘干5-30min。
实施例六
色转换层也可以仅填充散射粒子，即以散射粒子制成具有非均匀厚度分布的散射层，作为散射层使用，此时光源颜色应与显示或背光所需的出光颜色匹配。在制备工艺步骤中，将非均匀发光介质成膜材料替换为散射粒子成膜材料并选用该材料的固化参数进行固化，再进行其他步骤即可。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非是对本发明作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (7)

1.一种改善微小型LED显示均匀性的色转换层，其特征在于，由非均匀发光介质膜、散射粒子膜、其他光学功能膜三个部分紧密复合组成；
所述非均匀发光介质膜用于将由微小型LED模组产生的短波长激发光转化为其他波长的光；所述非均匀发光介质膜的整体结构为旋转对称曲面或非旋转对称曲面，所述非均匀发光介质膜由多个单元结构接连形成阵列，所述单元结构与微小型LED形成一对一、一对多或多对一的对应关系；
所述散射粒子膜用于散射转换光及使膜层平整化；其中，所述散射粒子膜紧密覆着于非均匀发光介质膜上方，通过在膜层基材中均匀分散散射粒子形成，用于转换光的二次散射和使膜层平整化；
所述其他光学功能膜用于添加光学性能或起保护作用；
所述多个单元结构接连形成的阵列形式包括矩形阵列、圆形分布阵列、同心圆阵列、平面最密堆积、阿基米德螺线阵列中的一种或多种的组合；所述单元结构尺寸为10μm-5000μm；
所述单元结构的剖面轮廓包括圆锥型、圆台型、圆锥曲线型、正态型中的一种或多种的组合，单元结构厚度d与微小型LED出射光的方向存在几何或函数关系如下：
(1)若单元结构的剖面轮廓为圆锥型，即直角三角形以一条直角边为轴旋转360°形成的旋转体，厚度d由以下公式定义：
其中，R为单元结构的底面半径，d0为最大厚度，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角，h为光源与非均匀发光介质膜的间距，厚度d为在θ角度处的膜层厚度；
(2)若单元结构的剖面轮廓为圆台型，即在一水平位置截去圆锥的上半部分，厚度d由以下公式定义：
其中，R为单元结构的下底面半径，r为单元结构的上底面半径，d0为截前圆锥的高，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角，h为光源与非均匀发光介质膜的间距，厚度d为在θ角度处的膜层厚度；
(3)若单元结构的剖面轮廓为圆锥曲线型，即圆锥曲线沿中心轴旋转360°形成的旋转体，线型包括椭圆、双曲线的一支、抛物线；
椭圆型膜厚分布，厚度d由以下公式定义：
其中，a、b为椭圆方程参数，决定了椭圆曲线的形状，可以是焦点沿横轴分布的椭圆的上半部分(a>b)，也可以是焦点沿纵轴分布的椭圆的上半部分(a<b)，x为入射点与中心入射点之间的距离，即横坐标，Δd表示图形在纵轴方向上平移的距离；当a＝b且Δd＝0时，平面曲线表现为半圆，膜厚分布为半球型，厚度d由公式d＝r·sinα或d2＝(h·tanθ)2+r2定义，其中，r为球体半径(r＝a＝b)，θ为目标位置相对于光源的方位角度，h为光源与非均匀发光介质膜的间距，d为在θ角度处的膜层厚度，α为半球出射点与球心的夹角；
双曲线型膜厚分布，厚度d由以下公式定义：
其中，a、b为双曲线方程参数，决定了双曲线的形状，x为入射点与中心入射点之间的距离，d0为中心入射点处膜厚，即膜厚最大处，平面曲线表现为焦点在纵轴双曲线的下支；
抛物线型膜厚分布，厚度d由以下公式定义：
d＝-px2+d0(p＞0)
其中，p为抛物线方程参数，决定了抛物线的形状，x为入射点与中心入射点之间的距离，d0为中心入射点处膜厚，即膜厚最大处；
此外，对于以上圆锥曲线，在(x,d)处有：x＝h·tanθ，其中h为光源与非均匀发光介质膜的间距，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角；
(4)若单元结构的剖面轮廓为正态型，可以是一维正态分布曲线沿中心轴旋转360°形成的旋转体，也可以是二维正态分布与某一平面包围形成的立体结构；
厚度d由以下公式定义：
其中，x为入射点与中心入射点的距离，σ为膜厚所服从一维正态分布的标准差，μ为膜厚所服从一维正态分布的期望；在(x,d)处有：x＝h·tanθ，其中h为光源与非均匀发光介质膜的间距，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角；
或，由二维正态分布公式进行定义：
即以下两个一维正态分布分量的联合分布：
其中，x、y为入射点与光源入射中心点的横、纵距离，即以入射中心点为原点建立的水平二维平面坐标值，σ1、σ2分别为膜厚在x、y方向上所服从一维正态分布的标准差，μ1、μ2分别为膜厚在x、y方向上所服从一维正态分布的期望，ρ为x与y的结合紧密程度参数，厚度d为目标位置膜层厚度；此外，在(x,y,d)处有：其中h为光源与非均匀发光介质膜的间距，θ为入射点和光源的连线与竖直方向形成的夹角；
所述微小型LED模组的LED芯片由尺寸为100μm-500μm的Mini-LED或尺寸为50μm以下的Micro-LED中的一种或多种组成，并且能够发出高纯度、高亮度蓝光或紫外光；所述微小型LED模组，由多颗LED阵列而成，阵列排布形式包括矩阵阵列、同心圆阵列、平面最密堆积中的一种或多种的组合；所述微小型LED模组与色转换层之间的空隙，用在390nm～760nm即可见光范围内具有透光性的有机材料进行填充和沉浸。
2.根据权利要求1所述的改善微小型LED显示均匀性的色转换层，其特征在于，所述非均匀发光介质膜与散射粒子膜的基质材料，选自聚乙烯PE、聚丙烯PP、聚萘二甲酸乙二醇酯PEN、聚碳酸酯PC、聚丙烯酸甲酯PMA、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、醋酸丁酸纤维素CAB、硅氧烷、聚氯乙烯PVC、聚乙烯醇PVA、聚对苯二甲酸乙二酯PET、改性聚对苯二甲酸乙二酯PETG、聚二甲基硅氧烷PDMS或环烯共聚物COC中的一种或多种的组合。
3.根据权利要求1所述的改善微小型LED显示均匀性的色转换层，其特征在于，所述非均匀发光介质膜中的发光介质采用光致发光材料，包括无机荧光材料、有机发光材料、自发光体、磷光物体、长余辉发光材料、上转换发光材料，其显示红、绿、蓝色或是一种或几种颜色的混合。
4.根据权利要求1所述的改善微小型LED显示均匀性的色转换层，其特征在于，所述散射粒子是二氧化硅、二氧化钛、二氧化锡、氧化铝、氧化钙、氧化锌、氧化锆、氧化镁、氧化镧、氧化铍中的一种或多种，或是聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸苯乙烯中的一种或多种的组合。
5.根据权利要求1所述的改善微小型LED显示均匀性的色转换层，其特征在于，所述其他光学功能膜包括扩散膜、增透膜、反射膜、滤光膜、棱镜膜、偏振膜、分光膜、位相膜、光学保护膜、冷光膜、疏水膜、阻隔膜、金刚石及类金刚石膜、软X射线多层膜、太阳能选择性吸收膜中的一种或多种的组合；所述其他光学功能膜的膜层折射率在界面上发生跃变，但在膜层内是连续的；所述其他光学功能膜的膜层是透明介质或是吸收介质，并具有光滑表面。
6.一种基于权利要求1至5任一所述的改善微小型LED显示均匀性的色转换层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、制作模具：使用聚二甲基硅氧烷PDMS材料，根据所需的非均匀发光介质膜的形貌结构制作具有相应形状的模具；
步骤S2、制备成膜材料：选择第一膜层基质，加入发光介质并在室温下磁力搅拌0.5-6h使发光介质均匀分布在第一膜层基质中，得到发光介质成膜材料；选择第二膜层基质，加入散射粒子并在室温下磁力搅拌0.5h-6h使散射粒子均匀分布在第二膜层基质中，得到散射粒子成膜材料；
步骤S3、注模成型发光介质膜：将制备的发光介质成膜材料转移置于聚二甲基硅氧烷PDMS模具侧面，静置1h-6h，利用毛细现象使液体充分注入模具中；转移至加热台上，在5℃-300℃下加热10min-60min成型，静置冷却10min-40min后进行脱模，再转移至烘箱中在80℃-300℃下烘干5min-30min，得到非均匀发光介质膜；
步骤S4、涂覆成型散射粒子膜：将非均匀发光介质膜置于基板上，置于匀胶机/旋涂机或刮涂机中，将散射粒子成膜材料均匀涂覆在非均匀发光介质膜上方，得到平整化的膜层表面；转移至加热台上，在5℃-300℃下加热5min-40min成型，并转移至烘箱中在80℃-300℃下烘干5min-30min；
步骤S5、复合其他光学功能膜：涂覆一层光学薄膜用粘合剂，或选用带有粘合剂的光学膜片，将其他光学功能膜粘附在散射粒子膜上方，并采用平整压印或刮涂的方式使其紧密贴合；或根据目标器件尺寸或性能需求，直接将其他光学膜置于散射粒子膜上方；得到色转换层；
步骤S6、将制成的色转换层组合结构从基板上取下，转移至微小型LED模组上方，根据匹配关系与排布方式，进行对位和贴合。
7.根据权利要求6所述的改善微小型LED显示均匀性的色转换层的制备方法，其特征在于，所述色转换层也可以仅填充散射粒子，即以散射粒子制成具有非均匀厚度分布的散射层，作为散射层使用，此时光源颜色应与显示或背光所需的出光颜色匹配。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116259699A (zh) * 2021-12-09 2023-06-13 厦门市芯颖显示科技有限公司 一种显示装置及显示器
WO2023216744A1 (zh) * 2022-05-09 2023-11-16 海信视像科技股份有限公司 一种显示装置
CN115411023B (zh) * 2022-08-22 2023-09-19 深圳市未林森科技有限公司 一种误差小的cob光源颜色均匀控制工艺方法

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102368496A (zh) * 2011-09-16 2012-03-07 大连路明发光科技股份有限公司 一种光转换模块
CN104576876A (zh) * 2013-10-28 2015-04-29 四川新力光源股份有限公司 一体型圆锥cob封装led光源及其制备方法
JP2016062804A (ja) * 2014-09-19 2016-04-25 凸版印刷株式会社 波長変換シートを用いた照明装置、および表示装置
KR20160087281A (ko) * 2015-01-13 2016-07-21 주식회사 엘지화학 색 변환 필름 및 이의 제조방법
JP2017138558A (ja) * 2016-02-05 2017-08-10 大日本印刷株式会社 画像表示装置
WO2017201982A1 (zh) * 2016-05-24 2017-11-30 武汉保丽量彩科技有限公司 一种用于增广色域的复合光学材料及其制备方法与应用
JP2018006562A (ja) * 2016-06-30 2018-01-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びバックライト光源
WO2018103392A1 (zh) * 2016-12-06 2018-06-14 青岛海信电器股份有限公司 一种量子点显示面板、背光模组及液晶显示装置
CN109256456A (zh) * 2018-09-19 2019-01-22 福州大学 一种实现Micro-LED显示出光效率提升和窜扰降低的微结构及其制造方法
CN109471298A (zh) * 2018-10-18 2019-03-15 广东普加福光电科技有限公司 一种基于量子点的微型led液晶显示背光结构及其制备方法
CN111326562A (zh) * 2020-03-05 2020-06-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点显示面板及其制备方法
TWI712165B (zh) * 2019-08-06 2020-12-01 國立臺灣大學 微發光二極體陣列與其製法
CN112164323A (zh) * 2020-08-28 2021-01-01 福州大学 一种利用双凹扩散单元结构混光的μLED背光源及其制造方法
CN112234078A (zh) * 2019-06-30 2021-01-15 成都辰显光电有限公司 色彩转换组件及显示装置
CN212934651U (zh) * 2020-09-07 2021-04-09 东莞市中麒光电技术有限公司 一种量子点led显示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201427893A (zh) * 2013-01-07 2014-07-16 群康科技(深圳)有限公司 圖案化色轉換膜及應用其之顯示裝置
KR101686736B1 (ko) * 2015-04-17 2016-12-14 엘지전자 주식회사 양자점-고분자 복합체의 제조 방법, 양자점-고분자 복합체, 이를 포함하는 광 변환 필름, 백라이트 유닛 및 표시장치
TWI827639B (zh) * 2018-08-09 2024-01-01 美商凱特伊夫公司 具有光耦合及轉換層的發光二極體與形成像素之方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102368496A (zh) * 2011-09-16 2012-03-07 大连路明发光科技股份有限公司 一种光转换模块
CN104576876A (zh) * 2013-10-28 2015-04-29 四川新力光源股份有限公司 一体型圆锥cob封装led光源及其制备方法
JP2016062804A (ja) * 2014-09-19 2016-04-25 凸版印刷株式会社 波長変換シートを用いた照明装置、および表示装置
KR20160087281A (ko) * 2015-01-13 2016-07-21 주식회사 엘지화학 색 변환 필름 및 이의 제조방법
JP2017138558A (ja) * 2016-02-05 2017-08-10 大日本印刷株式会社 画像表示装置
WO2017201982A1 (zh) * 2016-05-24 2017-11-30 武汉保丽量彩科技有限公司 一种用于增广色域的复合光学材料及其制备方法与应用
JP2018006562A (ja) * 2016-06-30 2018-01-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びバックライト光源
WO2018103392A1 (zh) * 2016-12-06 2018-06-14 青岛海信电器股份有限公司 一种量子点显示面板、背光模组及液晶显示装置
CN109256456A (zh) * 2018-09-19 2019-01-22 福州大学 一种实现Micro-LED显示出光效率提升和窜扰降低的微结构及其制造方法
CN109471298A (zh) * 2018-10-18 2019-03-15 广东普加福光电科技有限公司 一种基于量子点的微型led液晶显示背光结构及其制备方法
CN112234078A (zh) * 2019-06-30 2021-01-15 成都辰显光电有限公司 色彩转换组件及显示装置
TWI712165B (zh) * 2019-08-06 2020-12-01 國立臺灣大學 微發光二極體陣列與其製法
CN111326562A (zh) * 2020-03-05 2020-06-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点显示面板及其制备方法
CN112164323A (zh) * 2020-08-28 2021-01-01 福州大学 一种利用双凹扩散单元结构混光的μLED背光源及其制造方法
CN212934651U (zh) * 2020-09-07 2021-04-09 东莞市中麒光电技术有限公司 一种量子点led显示装置

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Muhammad Usmana,⁎ , Abdur-Rehman Anwara , Kiran Sabab , Munaza Munsifa , Piotr Perlinb.Reduction in efficiency droop/decline of green GaN-based light-emitting diodes by employing heterostructure cap layer.Materials Science & Engineering B.2020,1-7. *
PVP掺杂-ZrO_2溶胶-凝胶工艺制备多层激光高反射膜的研究;梁丽萍;张磊;徐耀;章斌;吴东;孙予罕;蒋晓东;魏晓峰;李志宏;吴忠华;;物理学报(11);全文 *
基于发光二极管配光曲线设计自由曲面透镜;冯奇斌;李亚妮;李其功;吕国强;光学精密工程;24(8);全文 *

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