CN111326537A - MiniLED背光结构及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种MiniLED背光结构及显示装置。MiniLED背光结构包括：一阵列基板；一分布式布拉格反射镜层，所述分布式布拉格反射镜层设置在所述阵列基板上，所述分布式布拉格反射镜层包括多个第一反射膜层以及多个第二反射膜层交替叠设形成，所述第一反射膜层的折射率大于所述第二反射膜层的折射率；所述分布式布拉格反射镜层开设有多个贯穿至所述阵列基板的安装孔；多个LED发光单元，所述多个LED发光单元设置于所述阵列基板上并位于所述安装孔中。本申请可以提高LED出射到基板的光反射率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种MiniLED背光结构及显示装置。
背景技术
LED，全称Light Emitting Diode，由于其色域广，低功耗，稳定等优点被认为是下一代显示技术的有力代表。为了达到显示的目的，LED尺寸必须很小才能达到高分辨率的要求。目前而言，MicroLED由于存在巨量转移困难等问题尚不能大量量产。MiniLED应运而生，将MiniLED作为背光并通过阵列驱动实现动态的区域调光，也称为Local Dimmy技术，从而实现LCD屏的高对比度，极大提升画质。MiniLED背光具有亮度高，低功耗等优点，为了提高LED的光利用率，需要将从LED出射的光以及Panel反射回来的光重新反射到LCD中。目前实现反射的功能主要是贴反射膜在LED基板上，然而反射膜的成本较高，而且无法在面板厂完成，需要委外代工，周转时间长。
因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种MiniLED背光结构及显示装置，利用面板厂常规的化学气相沉积工艺完成反射膜的制作，大大降低了成本和产品生产周期，提高LED出射到面板的光反射率。
第一方面，本申请实施例提供了一种MiniLED背光结构，包括：
一阵列基板；
一分布式布拉格反射镜层，其包括多个第一反射膜层以及多个第二反射膜层交替叠设形成，所述第一反射膜层的折射率大于所述第二反射膜层的折射率；所述分布式布拉格反射镜层开设有多个贯穿至所述阵列基板的安装孔；
多个LED发光单元，所述多个LED发光单元设置于所述阵列基板上并位于所述安装孔中。
可选地，在本申请实施例所述的MiniLED背光结构中，所述第一反射膜层的折射率的范围为1.7-2.2。
可选地，在本申请实施例所述的MiniLED背光结构中，所述第二反射膜层的折射率的范围为1.35-1.55。
可选地，在本申请实施例所述的MiniLED背光结构中，所述第一反射膜层的材料为SiNx或Al2O3。
可选地，在本申请实施例所述的MiniLED背光结构中，所述第一反射膜层的折射率为1.96。
可选地，在本申请实施例所述的MiniLED背光结构中，所述第二反射膜层的材料为SiO2或MgF2。
可选地，在本申请实施例所述的MiniLED背光结构中，所述第二反射膜层的折射率为1.47。
可选地，在本申请实施例所述的MiniLED背光结构中，所述第一反射膜层以及所述第二反射膜层的层数相等且均大于9，且与所述阵列基板最近的一层为第一反射膜层。
可选地，在本申请实施例所述的MiniLED背光结构中，所述第一反射膜层以及所述第二反射膜层的层数均为16，每4层第一反射膜层以及第二反射膜层分别设置红、绿、蓝中心波长干涉增强的膜厚，实现反射白光。
第二方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一所述的MiniLED背光结构。
由上可知，本申请实施例通过采用分布式布拉格反射镜层，其包括多个第一反射膜层以及多个第二反射膜层交替叠设形成，所述第一反射膜层的折射率大于所述第二反射膜层的折射率，从而可以提高LED出射到基板的光反射率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例提供的MiniLED背光结构的制作方法的流程图；
图2为本申请实施例提供的MiniLED背光结构的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的MiniLED背光结构的另一种结构示意图；
图4为本申请实施例提供的MiniLED背光结构的分布式布拉格反射镜层的反射率的曲线图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
图1为本申请实施例提供的一种MiniLED背光结构的制作方法的流程图。该MiniLED背光结构的制作方包括以下步骤：
S101、提供一阵列基板。
S102、在所述阵列基板上设置分布式布拉格反射镜层，其包括多个第一反射膜层以及多个第二反射膜层交替叠设形成，所述第一反射膜层的折射率大于所述第二反射膜层的折射率；所述分布式布拉格反射镜层开设有多个贯穿至所述阵列基板的安装孔。
S103、在所述阵列基板上设置多个LED发光单元，所述多个LED发光单元位于所述安装孔中，每一所述安装孔对应安装一个所述LED发光单元。
下面结合附图2，对该方法的各个步骤进行详细说明。
在该步骤S101中，该阵列基板10与传统的阵列基板类似，可以采用相同的制作方法进行制作，该阵列基板10包括栅极金属层、第一绝缘层、源极\漏极金属层、第二绝缘层。
在该步骤S102中，第一反射膜层21以及第二膜层22可由磁控溅射或者化学气相沉积法沉积，本例采用等离子体增强气相沉积法(PECVD)交替沉积第一反射膜层21以及第二膜层22。
在一些实施例中，第一反射膜层21的折射率的范围为1.7-2.2。第二反射膜层22的折射率的范围为1.35-1.55。该第一反射膜层21的材料为SiNx或Al2O3。优选地，该第一反射膜层21的折射率为1.96。
在一些实施例中，第二反射膜层22的材料为SiO2或MgF2。第二反射膜层22的折射率为1.47。
在一些实施例中，该第一反射膜层21以及所述第二反射膜层22的层数相等且均大于9，且与所述阵列基板10最近的一层为第一反射膜层21。
如图3所示，该第一反射膜层以及所述第二反射膜层的层数均为16，每4层第一反射膜层21以及第二反射膜层22分别设置红、绿、蓝中心波长干涉增强的膜厚，实现反射白光。其中，第一个4周期设置第一反射膜层21的膜厚为50-65nm，优选57nm；第二反射膜层22的膜厚为70-85nm，优选77nm。第二个4周期设置第一反射膜层21的膜厚为60-80nm，优选71nm，第二反射膜层22的膜厚的膜厚为85-105nm，优选94nm。第三个4周期设置第一反射膜层21的膜厚为75-95nm，优选85nm，第二反射膜层22的膜厚为105-120nm，优选102nm；第四个4周期设置第一反射膜层21的膜厚为90-105nm，优选98nm，第二反射膜层22的膜厚为120-140nm，优选130nm。
本实施例制作出的MiniLED背光结构的分布式布拉格反射镜层的反射率如图4所示，由图可见，在整个可见光范围内反射率较高，接近90％。通过光刻蚀刻制程露出LEDBonding区域，蚀刻可通过干法蚀刻进行，然后将LED发光单元转移至阵列基板，即可完成MiniLED背光结构的制作。
由上可知，本申请实施例通过采用分布式布拉格反射镜层，其包括多个第一反射膜层以及多个第二反射膜层交替叠设形成，所述第一反射膜层的折射率大于所述第二反射膜层的折射率，从而可以提高LED出射到基板的光反射率。
请继续参照图2-图3，本申请实施例还提供了一种MiniLED背光结构，包括：一阵列基板10、一分布式布拉格反射镜层20以及多个LED发光单元。
其中，该阵列基板10与传统的阵列基板类似，可以采用相同的制作方法进行制作，该阵列基板10包括栅极金属层、第一绝缘层、源极\漏极金属层、第二绝缘层。
第一反射膜层21以及第二膜层22可由磁控溅射或者化学气相沉积法沉积，本例采用等离子体增强气相沉积法(PECVD)交替沉积第一反射膜层21以及第二膜层22。
在一些实施例中，第一反射膜层21的折射率的范围为1.7-2.2。第二反射膜层22的折射率的范围为1.35-1.55。该第一反射膜层21的材料为SiNx或Al2O3。优选地，该第一反射膜层21的折射率为1.96。
在一些实施例中，第二反射膜层22的材料为SiO2或MgF2。第二反射膜层22的折射率为1.47。
在一些实施例中，该第一反射膜层21以及所述第二反射膜层22的层数相等且均大于9，且与所述阵列基板10最近的一层为第一反射膜层21。
如图3所示，该第一反射膜层以及所述第二反射膜层的层数均为16，每4层第一反射膜层21以及第二反射膜层22分别设置红、绿、蓝中心波长干涉增强的膜厚，实现反射白光。其中，第一个4周期设置第一反射膜层21的膜厚为50-65nm，优选57nm；第二反射膜层22的膜厚为70-85nm，优选77nm。第二个4周期设置第一反射膜层21的膜厚为60-80nm，优选71nm，第二反射膜层22的膜厚的膜厚为85-105nm，优选94nm。第三个4周期设置第一反射膜层21的膜厚为75-95nm，优选85nm，第二反射膜层22的膜厚为105-120nm，优选102nm；第四个4周期设置第一反射膜层21的膜厚为90-105nm，优选98nm，第二反射膜层22的膜厚为120-140nm，优选130nm。
本实施例制作出的MiniLED背光结构的分布式布拉格反射镜层的反射率如图4所示，由图可见，在整个可见光范围内反射率较高，接近90％。通过光刻蚀刻制程露出LEDBonding区域，蚀刻可通过干法蚀刻进行，然后将LED发光单元转移至阵列基板，即可完成MiniLED背光结构的制作。
本申请实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意实施例中的MiniLED背光结构。
由上可知，本申请实施例通过采用分布式布拉格反射镜层，其包括多个第一反射膜层以及多个第二反射膜层交替叠设形成，所述第一反射膜层的折射率大于所述第二反射膜层的折射率，从而可以提高LED出射到基板的光反射率。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种MiniLED背光结构，其特征在于，包括：
一阵列基板；
一分布式布拉格反射镜层，所述分布式布拉格反射镜层设置在所述阵列基板上，所述分布式布拉格反射镜层包括多个第一反射膜层以及多个第二反射膜层交替叠设形成，所述第一反射膜层的折射率大于所述第二反射膜层的折射率；所述分布式布拉格反射镜层开设有多个贯穿至所述阵列基板的安装孔；
多个LED发光单元，所述多个LED发光单元设置于所述阵列基板上并位于所述安装孔中。
2.根据权利要求1所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第一反射膜层的折射率的范围为1.7-2.2。
3.根据权利要求1所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第二反射膜层的折射率的范围为1.35-1.55。
4.根据权利要求1所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第一反射膜层的材料为SiNx或Al2O3。
5.根据权利要求4所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第一反射膜层的折射率为1.96。
6.根据权利要求1所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第二反射膜层的材料为SiO2或MgF2。
7.根据权利要求6所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第二反射膜层的折射率为1.47。
8.根据权利要求1所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第一反射膜层以及所述第二反射膜层的层数相等且均大于9，且与所述阵列基板最近的一层为第一反射膜层。
9.根据权利要求8所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第一反射膜层以及所述第二反射膜层的层数均为16，每4层第一反射膜层以及第二反射膜层分别设置红、绿、蓝中心波长干涉增强的膜厚，实现反射白光。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的MiniLED背光结构。
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