CN111312313A - 一种电荷泵电压快切的电路 - Google Patents

Abstract

本发明一种电荷泵电压快切的电路，本发明涉及非易失存储器领域，所述电路包括：电荷泵模块、控制开关信号模块以及放电模块，所述电荷泵模块分别与所述控制开关信号模块以及所述放电模块连接，所述控制开关信号模块分别与所述电荷泵模块以及所述放电模块连接，用于控制所述放电模块的放电电流大小，所述放电模块分别与所述电荷泵模块以及所述控制开关信号模块连接，用于对所述电荷泵模块进行放电。本发明提供的电荷泵电压快切的电路，在对非易失存储器进行切换操作时，由高电压降低为低电压时，控制两种不同的放电电流工作，使得高电压直接放电到低电压，此电路结构简单，且放电电流可以根据需要进行调整，极大的提高了非易失存储器的工作效率。

Description

一种电荷泵电压快切的电路

技术领域

本发明涉及非易失存储器领域，特别是一种电荷泵电压快切的电路。

背景技术

目前非易失存储器内基本由电荷泵为非易失存储器提供满足操作需要的工作电压，电荷泵为开关电容式电压变换器，是一种利用所谓的“快速”或“泵送”电容，而非电感或变压器来储能的直流变换器，能使输入的电源电压升高或降低，也可以用于产生负电压，其内部的MOS开关阵列以一定的方式控制快速电容器的充电和放电，从而使输入电压以一定因数(1/2,2或3)倍增或降低，从而得到所需要的输出电压。

现有技术中，对非易失存储器进行各种操作时，所需要的电压值是不同的，即电荷泵输出的电压值是在所需目标高电压与所需目标低电压之间切换的，并且这个切换很频繁，一般由所需目标高电压到所需目标低电压的切换步骤是：当电荷泵输出的电压高压为所需目标高电压时，先放电到电源电压，再由电源电压充电到所需目标低电压，这个过程会浪费大量的时间。

现有的非易失存储器的电荷泵电压快切电路如说明书附图中的图1，其工作原理是：电荷泵12输出电压VOUT通过电阻分压得到VFB，VFB与基准电压VREF比较，电压比较器10产生EN信号控制时钟电路11是否产生时钟触发信号给电荷泵12，若VOUT高于所需电压值时，EN为低电平，电荷泵12不工作，若VOUT低于所需电压值时，EN为高电平，电荷泵12开始工作，在进行电压切换时，当输出VOUT高于所需电压值时，需要从高电压切换到低电压，此时EN为低电平，电荷泵12不工作，通过电阻串将输出慢慢往下放电，直到输出低于目标电压值时电荷泵12重新工作。通常为了保证电荷泵***的输出效率和功耗，放电电阻阻值很大，漏电流很小，对于容性输出负载较大的电荷泵***放电能力弱，当电荷泵12的输出电压值VOUT从高电平切换到低电平时，如果仅仅通过放电电阻漏电，需要很长时间，并且一般情况需要先将高电平放电到电源或地，再重新打到所需较低的电压值，但是重新打起来的过程仍然需要较多时间。参照图2示出了现有技术电路工作时的波形图，其中VDD为电源电压，V1为所需目标低电压，V2为所需目标高电压，图中黑色实线为现有技术电路的VOUT波形，VOUT波形由所需目标高电平V2先放电到电源VDD，再重新打到所需目标低电压V1的值，其操作需要较长时间，严重影响非易失存储器的工作效率。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种电荷泵电压快切的电路，解决了现有技术中电荷泵切换电压需要先放电到电源电压的问题。

本发明实施例提供了一种电荷泵电压快切的电路，所述电路应用于非易失存储器，所述电路包括：

电荷泵模块、控制开关信号模块以及放电模块；

所述电荷泵模块分别与所述控制开关信号模块以及所述放电模块连接，用于为非易失存储器的各种操作提供电压；

所述控制开关信号模块分别与所述电荷泵模块以及所述放电模块连接，用于根据工作使能信号、降压使能信号以及所述电荷泵模块中电压比较器的输出信号，控制所述放电模块的放电电流大小，所述工作使能信号以及所述降压使能信号由所述非易失存储器的控制模块发出；

所述放电模块分别与所述电荷泵模块以及所述控制开关信号模块连接，用于对所述电荷泵模块进行放电，使得所述电荷泵模块提供的电压由目标高电压降低至目标低电压，所述目标高电压为所述非易失存储器当前操作时所需的电压，所述目标低电压为所述非易失存储器下一次操作时所需的电压。

可选地，所述电荷泵模块包括：电压比较器、时钟电路、电荷泵以及比较电压电路；

所述电压比较器包括参考电压连接端、比较电压连接端和输出端；

所述参考电压连接端连接参考电压，所述比较电压连接端连接所述比较电压电路，所述电压比较器输出端分别与所述控制开关信号模块以及所述时钟电路连接，用于为所述控制开关信号模块提供放电使能信号，以及为所述时钟电路提供触发信号，所述放电使能信号用于所述控制开关信号模块产生控制所述放电模块的信号；

所述时钟电路输出端连接所述电荷泵输入端，用于为所述电荷泵提供时钟信号；

所述电荷泵输出端分别与所述比较电压电路以及所述放电模块连接，用于为非易失存储器的各种操作提供电压；

所述比较电压电路与所述电压比较器的比较电压连接端连接，用于为所述电压比较器提供比较电压。

可选地，所述电荷泵电压快切的电路应用于非易失存储器中，所述非易失存储器还包括控制模块；

所述控制模块与所述控制开关信号模块连接，所述控制模块用于，向所述控制开关信号模块发送工作使能信号以及降压使能信号，所述工作使能信号以及所述降压使能信号，用于所述控制开关信号模块产生控制所述放电模块的信号。

可选地，所述放电模块包括：镜像电流模块、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管以及第四NMOS管；

所述镜像电流模块分别与所述第三NMOS管栅极以及第四NMOS管栅极连接，用于为所述放电模块提供放电电流值的标准值，所述标准值为所述镜像电流模块中镜像电流的大小；

所述第一NMOS管栅极与所述控制开关信号模块连接，所述第一NMOS管漏极与所述电荷泵模块输出端连接，所述第一NMOS管源极与所述第三NMOS管漏极连接，用于当所述第一NMOS管导通时，产生第一放电电流；

所述第二NMOS管栅极与所述控制开关信号模块连接，所述第二NMOS管漏极与所述电荷泵模块输出端连接，所述第二NMOS管源极与所述第四NMOS管漏极连接，用于当所述第二NMOS管导通时，产生第二放电电流；

所述第三NMOS管栅极与所述镜像电流模块连接，所述第三NMOS管漏极与所述第一NMOS管源极连接，所述第三NMOS管源极接地，用于使得第一放电电流，以所述标准值的倍乘电流进行放电；

所述第四NMOS管栅极与所述镜像电流模块连接，所述第四NMOS管漏极与所述第二NMOS管源极连接，所述第四NMOS管源极接地，用于使得第二放电电流，以所述标准值的倍乘电流进行放电。

可选地，所述控制开关信号模块包括：第一与非门、第二与非门、第一反相器、第二反相器、第三反相器以及第四反相器；

所述第一与非门的两个输入信号分别为所述工作使能信号以及所述降压使能信号，所述第三反相器的输入端信号为所述放电使能信号；

所述第一与非门的输出端与所述第一反相器输入端连接；

所述第一反相器的输出端分别与所述第二与非门中一个输入端、所述第二反相器输入端以及所述第一NMOS管栅极连接；

所述第二反相器的输出端与所述镜像电流模块连接；

所述第三反相器的输出端与所述第二与非门中另一个输入端连接；

所述第二与非门的输出端与所述第四反相器连接；

所述第四反相器的输出端与所述第二NMOS管栅极连接。

可选地，所述比较电压电路包括：多个串联电阻；

所述多个串联电阻中的第一电阻的一端与所述电荷泵输出端连接，第一电阻的另一端分别与所述电压比较器的比较电压连接端，以及第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端与所述多个串联电阻中，除第一、第二电阻以外的任意电阻的一端连接。

可选地，当所述工作使能信号、所述降压使能信号以及所述放电使能信号为高电平时，所述第一NMOS管导通；

当所述工作使能信号和所述降压使能信号为高电平，所述放电使能信号为低电平时，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管同时导通。

可选地，所述第一放电电流小于所述第二放电电流。

与现有技术相比，本发明提供的一种电荷泵电压快切的电路，在对非易失存储器进行切换操作时，当下一次操作所需电压小于当前操作所需电压时，即由目标高电压降低为目标低电压时，控制开关信号模块根据工作使能信号、降压使能信号以及放电使能信号，控制放电模块以第一放电电流与第二放电电流之和来进行放电，使得目标高电压直接放电到目标低电压，此电路结构简单，且放电电流可以根据需要进行调整，极大的提高了非易失存储器的工作效率。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1是现有电荷泵电路图；

图2是现有电荷泵输出电压波形图；

图3是本发明一种电荷泵快切电路的模块示意图；

图4是本发明一种电荷泵快切的电路图；

图5是本发明一种电荷泵快切电路输出电压的波形图；

图6是本发明电荷泵快切电路其中一种状态发生时输出电压的波形图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，并不用于限定本发明。

参照图3，示出了电荷泵电压快切电路的模块示意图，具体可以包括：

电荷泵模块20、控制开关信号模块30以及放电模块40。

电荷泵模块20分别与控制开关信号模块30以及放电模块40连接，用于为非易失存储器的各种操作提供电压，控制开关信号模块30分别与电荷泵模块20以及放电模块40连接，用于根据工作使能信号、降压使能信号以及电荷泵模块20中电压比较器的输出信号，控制放电模块40的放电电流大小，放电模块40分别与电荷泵模块20以及控制开关信号模块30连接，用于对电荷泵模块20进行放电，使得电荷泵模块20提供的电压由目标高电压降低至目标低电压，其中目标高电压为非易失存储器当前操作时所需的电压，目标低电压为非易失存储器下一次操作时所需的电压，需要说明的是，若非易失存储器下一次操作时所需的电压高于当前操作所需的电压，则放电模块40不工作，由电荷泵模块20进行重复打压，直到达到下一次操作所需的电压。

可选地，参照图4，本发明电路中电荷泵模块20包括：电压比较器201、时钟电路202、电荷泵203以及比较电压电路204。

电压比较器201包括参考电压连接端、比较电压连接端和输出端，参考电压连接端连接参考电压VREF，比较电压连接端连接，电压比较器201输出端分别与时钟电路202输入端以及控制开关信号模块30输入端连接，用于为时钟电路202以及控制开关信号模块70提供触发信号，当参考电压VREF大于比较电压时，电压比较器201输出高电平信号，当参考电压VREF小于比较电压时，电压比较器201输出低电平信号。

时钟电路202输出端连接电荷泵203输入端，用于为电荷泵203提供时钟信号。

电荷泵203分别与比较电压电路204以及控制开关信号模块30连接，电荷泵203可以根据时钟电路202的时钟信号，输出电压，电荷泵203的输出端即为电荷泵模块20输出端。

比较电压电路204包括两个串联电阻，两个串联电阻中的第一电阻的一端，与电荷泵203输出端连接，另一端分别与电压比较器201的比较电压连接端，以及第二电阻连接，第二电阻的另一端接地，比较电压电路204用于提供比较电压给电压比较器201，还用于在电荷泵203停止工作时，输出电压VOUT快速放电。

可选地，参照图4，电荷泵电压快切的电路应用于存储器中，存储器还包括控制模块50，控制模块50与控制开关信号模块30连接，控制模块50用于，向控制开关信号模块30发送工作使能信号以及降压使能信号，工作使能信号以及降压使能信号，用于控制开关信号模块30产生控制放电模块40的信号。

可选地，参照图4，本发明电路中放电模块40包括：第一NMOS管401、第二NMOS管402、第三NMOS管403、第四NMOS管404以及镜像电流模块405。

第一NMOS管401漏极分别与电荷泵203以及第二NMOS管402漏极连接，第一NMOS管401栅极与控制开关信号模块30连接，第一NMOS管401源极与第三NMOS管403漏极连接，第一NMOS管401用于在导通时，与第三NMOS管403共同作用产生第一放电电流。

第二NMOS管402栅极与控制开关信号模块30连接，第二NMOS管402漏极与电荷泵203连接，第二NMOS管402源极与第四NMOS管404漏极连接，用于当第二NMOS管402导通时，与第四NMOS管404共同作用产生第二放电电流。

第三NMOS管403栅极与镜像电流模块405连接，第三NMOS管403漏极与第一NMOS管401源极连接，第三NMOS管403源极接地，用于当第三NMOS管403导通时，使得第一放电电流，以镜像电流模块405中镜像电流的倍乘电流进行放电。

第四NMOS管404栅极与镜像电流模块405连接，第四NMOS管404漏极与第二NMOS管402源极连接，第四NMOS管404源极接地，用于当第四NMOS管404导通时，使得第二放电电流，以镜像电流模块405中镜像电流的倍乘电流进行放电。

镜像电流模块405包括：PMOS管4051以及第五NMOS管4052，PMOS管4051源极连接电流镜电路产生的镜像电流，PMOS管4501栅极与控制开关信号模块30连接，PMOS管4051漏极分别与第五NMOS管4052漏极以及第五NMOS管4052栅极连接，PMOS管4051用于在导通时，为第一放电电流以及第二放电电流提供电流大小的标准值，该标准值为镜像电流的大小。

第五NMOS管4052漏极分别与PMOS管4051漏极以及第五NMOS管栅极连接，第五NMOS管4052栅极分别与第三NMOS管403以及第四NMOS管404连接，第五NMOS管4052源极接地，第五NMOS管4052用于，与第三NMOS管403以及第四NMOS管404共同作用，产生第一放电电流以及第二放电电流。

根据镜像电流原理，第三NMOS管403可以低倍放电，即2倍以内的基准偏置电流大小进行放电，第四NMOS管404可以高倍放电，即8倍以内的基准偏置电流大小进行放电。需要说明的是，上述数据是经过仿真实验得出的适用于一般情况下的放电电流，并不代表所有非易失存储器的标准，本发明实施例对此不做具体限定。

可选地，参照图4，本发明电路中控制开关信号模块30包括：第一与非门nand1、第二与非门nand2、第一反相器inv1、第二反相器inv2、第三反相器inv3以及第四反相器inv4。

第一与非门nand1的两个输入信号分别为工作使能信号PUMP_EN以及降压使能信号DISC_EN，第三反相器inv3的输入端信号为放电使能信号EN，放电使能信号EN为电压比较器201输出，第一与非门nand1的输出端与第一反相器inv1输入端连接，第一反相器inv1的输出端分别与第二与非门nand2中一个输入端、第二反相器inv2输入端以及第一NMOS管401栅极连接，第二反相器inv2的输出端与PMOS管4051栅极连接，第三反相器inv3的输出端与第二与非门nand2中另一个输入端连接，第二与非门nand2的输出端与第四反相器inv4连接，第四反相器inv4的输出端与第二NMOS管402栅极连接。

当工作使能信号PUMP_EN、降压使能信号DISC_EN以及放电使能信号EN为高电平时，第一NMOS管401导通，此时以第一电流放电，其中工作使能信号PUMP_EN为电荷泵203的控制信号，一般在需要整个电荷泵***工作时，就会被置为高电平，在整个电荷泵***工作时，工作使能信号PUMP_EN都为高电平，降压使能信号DISC_EN为当输出电压VOUT由目标高电压值往目标低电压值降时，控制器发出的使能信号，放电使能信号EN为电压比较器201的输出信号，当EN为0时，表示VOUT电压高于所需电压值，放电模块40会用第一电流加上第二电流放电，当EN为1时，表示VOUT低于所需电压值，此时电荷泵203会开始工作，同时放电模块40会以第一放电电流放电，这样电荷泵203输出的电压的电压纹波会更小。

另外此电路还有一个优点，在采用大电流放电时，还没有放电到所需的低电压时，如果由于一些因素导致电压比较器201的输出EN误翻转时，也即大电流放电还没将目标高电压放电到目标低电压时，EN便跳为高电平，电荷泵203就开始工作，小的放电电流的存在能保证电荷泵203电压不会过高。

当工作使能信号PUMP_EN和降压使能信号DISC_EN为高电平，放电使能信号EN为低电平时，第一NMOS管401和第二NMOS管402同时导通，此时第一电流和第二电流同时进行放电。上述实施例中的控制开关信号模块30同样也可由其他电气元件构成的电路组成，本发明实施例不对其加以限制，任何可以实现上述功能的电路皆落入本发明的保护范围内。

综上所述，对比图4与现有技术电路图1，本发明电路的工作原理是：在非易失存储器进行工作时，输出VOUT通过电阻分压得到VFB，VFB与基准电压VREF比较，电压比较器201产生EN信号控制时钟电路202是否产生时钟触发信号给电荷泵203，若VOUT高于所需电压值时，EN为低电平，电荷泵12不工作，若VOUT低于所需电压值时，EN为高电平，电荷泵12开始工作，当输出VOUT高于所需电压值时，需要从目标高电压切换到目标低电压，此时降压使能信号DISC_EN、工作使能信号PUMP_EN为高电平，EN为低电平，电荷泵203不工作，放电模块40开始工作，PMOS管4051、第一NMOS管401和第二NMOS管402同时导通，此时放电模块40以第一放电电流与第二放电电流之和的电流大小进行放电。当输出VOUT低于所需电压值时，降压使能信号DISC_EN和工作使能信号PUMP_EN以及EN都为高电平，此时电荷泵203开始工作，PMOS管4051以及第一NMOS管401导通，第二NMOS管402关断，第一放电电流工作，第二放电电流不工作，第一放电电流保证了VOUT的电压不会过高，并且电压纹波较小。参照图5示出了本发明电路工作时的波形图，其中VDD为电源电压，V1为所需目标低电压，V2为所需目标高电压，图中黑色实线为现有技术电路的VOUT波形，虚线部分为本发明电路的VOUT波形，结合上述电路工作原理，当电荷泵203的操作电压达到所需目标高电平V2后，若下一次操作的所需目标电压为低电平V1，此时工作使能信号PUMP_EN和降压使能信号DISC_EN为高电平，放电使能信号EN为低电平，放电模块40开始工作，PMOS管4051、第一NMOS管401和第二NMOS管402同时导通，放电模块40以第一放电电流与第二放电电流之和的电流大小同时对目标高电压V2进行放电，当输出VOUT达到所需目标低电压值时，降压使能信号DISC_EN和工作使能信号PUMP_EN以及EN都为高电平，此时电荷泵203开始工作，PMOS管4051以及第一NMOS管401导通，第二NMOS管402关断，第一放电电流工作，第二放电电流不工作，第一放电电流保证了VOUT的电压达到所需低电压V1并且电压纹波较小。上述过程使得高电压V2直接放电到所需低电压V1，节省了操作时间。参照图6，示出了本发明电路在电压比较器201输出信号EN出现误翻时的波形图，假设由于一些因素导致电压比较器201的输出EN误翻转，由图可以直观的看出，在使能信号DISC_EN为高电平期间(t1-t4)，假设t2时刻电压比较器201输出EN信号误翻为高电平，t3时刻跳为低电平，黑色实线表示没有第一电流放电通路时的波形：t1-t2期间，对输出快速放电；t2-t3期间，EN为高，电荷泵203开始正常工作，其输出VOUT会被充电到较高电平，等到t3时刻EN跳为低电平，重新对输出快速放电，但在t4之前无法将VOUT放到所需目标低电压值V1，这会影响非易失存储器操作的准确性。虚线所示为第一放电电流放电通路一直存在的波形：在t2-t3期间，电荷泵203将VOUT电压值往上打，同时第一放电电流对VOUT放电，因此VOUT电压值不会打得太高，EN跳低时第一放电电流与第二放电电流将VOUT放电到所需目标低电压V1电压值，非易失存储器正常进行操作，保证了操作的正确性且同时节省了操作时间。

通过上述实施例，本发明使得用户在使用非易失存储器时，非易失存储器在进行切换操作时，由所需目标高电压降低为所需目标低电压的过程中，控制两种不同的放电电流工作，使得所需目标高电压直接放电到所需目标低电压，此电路结构简单，且放电电流可以根据需要进行调整，极大的提高了非易失存储器的工作效率。

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种电荷泵电压快切的电路，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种电荷泵电压快切的电路，其特征在于，所述电路应用于非易失存储器，所述电路包括：

电荷泵模块、控制开关信号模块以及放电模块；

所述电荷泵模块分别与所述控制开关信号模块以及所述放电模块连接，用于为非易失存储器的各种操作提供电压；

所述控制开关信号模块分别与所述电荷泵模块以及所述放电模块连接，用于根据工作使能信号、降压使能信号以及所述电荷泵模块中电压比较器的输出信号，控制所述放电模块的放电电流大小，所述工作使能信号以及所述降压使能信号由所述非易失存储器的控制模块发出；

所述放电模块分别与所述电荷泵模块以及所述控制开关信号模块连接，用于对所述电荷泵模块进行放电，使得所述电荷泵模块提供的电压由目标高电压降低至目标低电压，所述目标高电压为所述非易失存储器当前操作时所需的电压，所述目标低电压为所述非易失存储器下一次操作时所需的电压。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电荷泵模块包括：电压比较器、时钟电路、电荷泵以及比较电压电路；

所述电压比较器包括参考电压连接端、比较电压连接端和输出端；

所述参考电压连接端连接参考电压，所述比较电压连接端连接所述比较电压电路，所述电压比较器输出端分别与所述控制开关信号模块以及所述时钟电路连接，用于为所述控制开关信号模块提供放电使能信号，以及为所述时钟电路提供触发信号，所述放电使能信号用于所述控制开关信号模块产生控制所述放电模块的信号；

所述时钟电路输出端连接所述电荷泵输入端，用于为所述电荷泵提供时钟信号；

所述电荷泵输出端分别与所述比较电压电路以及所述放电模块连接，用于为非易失存储器的各种操作提供电压；

所述比较电压电路与所述电压比较器的比较电压连接端连接，用于为所述电压比较器提供比较电压。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电荷泵电压快切的电路应用于非易失存储器中，所述非易失存储器还包括控制模块；

所述控制模块与所述控制开关信号模块连接，所述控制模块用于，向所述控制开关信号模块发送工作使能信号以及降压使能信号，所述工作使能信号以及所述降压使能信号，用于所述控制开关信号模块产生控制所述放电模块的信号。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述放电模块包括：镜像电流模块、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管以及第四NMOS管；

所述镜像电流模块分别与所述第三NMOS管栅极以及第四NMOS管栅极连接，用于为所述放电模块提供放电电流值的标准值，所述标准值为所述镜像电流模块中镜像电流的大小；

所述第一NMOS管栅极与所述控制开关信号模块连接，所述第一NMOS管漏极与所述电荷泵模块输出端连接，所述第一NMOS管源极与所述第三NMOS管漏极连接，用于当所述第一NMOS管导通时，产生第一放电电流；

所述第二NMOS管栅极与所述控制开关信号模块连接，所述第二NMOS管漏极与所述电荷泵模块输出端连接，所述第二NMOS管源极与所述第四NMOS管漏极连接，用于当所述第二NMOS管导通时，产生第二放电电流；

所述第三NMOS管栅极与所述镜像电流模块连接，所述第三NMOS管漏极与所述第一NMOS管源极连接，所述第三NMOS管源极接地，用于使得第一放电电流，以所述标准值的倍乘电流进行放电；

所述第四NMOS管栅极与所述镜像电流模块连接，所述第四NMOS管漏极与所述第二NMOS管源极连接，所述第四NMOS管源极接地，用于使得第二放电电流，以所述标准值的倍乘电流进行放电。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述控制开关信号模块包括：第一与非门、第二与非门、第一反相器、第二反相器、第三反相器以及第四反相器；

所述第一与非门的两个输入信号分别为所述工作使能信号以及所述降压使能信号，所述第三反相器的输入端信号为所述放电使能信号；

所述第一与非门的输出端与所述第一反相器输入端连接；

所述第一反相器的输出端分别与所述第二与非门中一个输入端、所述第二反相器输入端以及所述第一NMOS管栅极连接；

所述第二反相器的输出端与所述镜像电流模块连接；

所述第三反相器的输出端与所述第二与非门中另一个输入端连接；

所述第二与非门的输出端与所述第四反相器连接；

所述第四反相器的输出端与所述第二NMOS管栅极连接。

6.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述比较电压电路包括：多个串联电阻；

所述多个串联电阻中的第一电阻的一端与所述电荷泵输出端连接，第一电阻的另一端分别与所述电压比较器的比较电压连接端，以及第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端与所述多个串联电阻中，除第一、第二电阻以外的任意电阻的一端连接。

7.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，当所述工作使能信号、所述降压使能信号以及所述放电使能信号为高电平时，所述第一NMOS管导通；

当所述工作使能信号和所述降压使能信号为高电平，所述放电使能信号为低电平时，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管同时导通。

8.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第一放电电流小于所述第二放电电流。

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