CN111308807A - 液晶显示面板 - Google Patents

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张琪
曹武
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Abstract

本申请公开了一种液晶显示面板，包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板上的每一所述像素单元包括薄膜晶体管层和位于薄膜晶体管层上的像素电极，像素电极包括第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极与第二像素电极之间的具有一间隔区，以降低第一像素电极的边缘区域与共通电极之间的电场以及第二像素电极的边缘区域与共通电极之间的电场对间隔区处的液晶的影响，防止间隔区处的液晶在电场的作用下产生较大角度的倾倒导致间隔区处产生暗纹。

Description

液晶显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示面板。
背景技术
MVA(Multi Vertical Alignment)液晶显示面板凭借高对比和广视角的优势得到了广泛的应用。液晶显示面板一般包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，阵列基板和彩膜基板之间设置液晶层；阵列基板上设置有像素电极，彩膜基板上设置共通电极，利用像素电极与共通电极之间的电场驱动液晶旋转。阵列基板上的每一像素单元一般包括透光区和非透光区，透光区用于设置像素电极，非透光区为连接线等用于实现信号传输的金属走线的排布区域。
在MVA液晶显示面板中，透光区包括主区和次区，并且主区和次区均位于非透光区的同一侧；位于主区的主像素电极与位于次区的次像素电极间隔设置。
然而，由于主像素电极的电压与次像素电极的电压不同，导致主像素电极与共通电极之间的电场和次像素电极与共通电极之间的电场不同，主像素电极与次像素电极之间的间隔区处的液晶在压差的作用下会产生较大角度的倾倒，导致间隔区处产生暗纹，影响液晶显示面板的穿透率。
发明内容
本申请实施例提供一种液晶显示面板，以解决现有的液晶显示面板中，主像素电极与次像素电极之间的间隔区处的液晶在电场的作用下会产生较大角度的倾倒，导致间隔区处产生暗纹的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括：
阵列基板，所述阵列基板包括第一基板以及阵列分布于所述第一基板上的多个像素单元；
彩膜基板，所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置，所述彩膜基板包括第二基板以及设置于所述第二基板上且与所述像素单元相对设置的共通电极；
液晶层，所述液晶层设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间；
其中，每一所述像素单元包括薄膜晶体管层和位于所述薄膜晶体管层上的像素电极；所述像素电极包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极与所述第二像素电极之间具有一间隔区。
在一些实施例中，所述薄膜晶体管层包括第一电场屏蔽线，所述第一电场屏蔽线在所述像素电极上的正投影位于所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的间隔区处，输入所述第一电场屏蔽线的电压与输入所述共通电极的电压相同。
在一些实施例中，所述第二像素电极沿所述第一像素电极的外边界设置。
在一些实施例中，相邻两行所述像素单元之间设置有走线区，所述第二像素电极与所述走线区之间形成一围合区，所述第一像素电极位于所述围合区中。
在一些实施例中，所述第二像素电极包括主体部分和与所述主体部分连接的延伸部分，所述主体部分与所述第一像素电极沿所述像素单元的列方向排布，所述延伸部分与所述第一像素电极沿所述像素单元的行方向排布。
在一些实施例中，所述第一电场屏蔽线包括沿所述像素单元的行方向设置的第一屏蔽线，所述第一屏蔽线在所述像素电极上的正投影位于所述第一像素电极与所述主体部分之间。
在一些实施例中，所述第一屏蔽线上设置有沿所述像素单元的列方向延伸的加强线，多条所述加强线沿所述像素单元的行方向隔排布。
在一些实施例中，所述第一电场屏蔽线包括沿所述像素单元的列方向设置的第二屏蔽线，所述第二屏蔽线在所述像素电极上的正投影位于所述第一像素电极与所述延伸部分之间。
在一些实施例中，所述薄膜晶体管层包括沿所述像素单元的列方向设置的第二电场屏蔽线，所述第二电场屏蔽线沿所述第二像素电极的外边界设置，输入所述第二电场屏蔽线的电压与输入所述共通电极的电压相同。
在一些实施例中，所述薄膜晶体管层包括设置于所述第一基板的上方的第一金属层，所述第一电场屏蔽线与所述第一金属层同层设置。
本发明申请的有益效果为：通过增大第一像素电极与第二像素电极之间的间距，并通过在第一像素电极与第二像素电极之间的间隔区处设置第一电场屏蔽线，并且第一电场屏蔽线的电压与共通电极的电压相同，以降低第一像素电极的边缘区域与共通电极之间的电场以及第二像素电极的边缘区域与共通电极之间的电场对间隔区处的液晶的影响，此时间隔区由于没有压差，间隔区处的液晶不会发生倾倒，对间隔区处的液晶有一个束缚作用，避免间隔区处的液晶在电场的作用下产生较大角度的倾倒导致间隔区处产生暗纹。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请一实施方式中液晶显示面板的结构示意图；
图2为本申请一实施方式中像素单元的排布示意图；
图3为本申请一实施方式中阵列基板的层结构示意图；
图4为本申请第一种实施方式中像素单元的结构示意图；
图5和图6为本申请一实施方式中加强线在第一屏蔽线上的排布示意图；
图7为本申请另一实施方式中加强线在第一屏蔽线上的排布示意图；
图8和图9为本申请第二种实施方式中像素单元的结构示意图；
图10为本申请第三种实施方式中像素单元的结构示意图；
图11为本申请第一种实施方式中相邻两列像素单元的排布示意图；
图12为本申请第二种实施方式中相邻两列像素单元的排布示意图；
图13为本申请第三种实施方式中相邻两列像素单元的排布示意图；
图14为本申请第四种实施方式中相邻两列像素单元的排布示意图；
图15为本申请第五种实施方式中相邻两列像素单元的排布示意图。
附图标记：
10、阵列基板；11、第一基板；12、像素单元；13、薄膜晶体管层；131、有源层；132、栅极绝缘层；133a、栅极；133b、扫描线；134、第一绝缘层；135a、源漏极；135b、数据线；136、第二绝缘层；137a、第一屏蔽线；137b、加强线；137c、第二屏蔽线；138、第二电场屏蔽线；14、像素电极；141、第一像素电极；142、第二像素电极；142a、主体部分；142b、延伸部分；20、彩膜基板；21、第二基板；22、共通电极；30、液晶层；40、框胶；50、走线区；60、围合区；70、间隔区；81、第一连接线；82、第二连接线；83、第三连接线。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明针对现有的液晶显示面板中，主像素电极与次像素电极之间的间隔区处的液晶在电场的作用下会产生较大角度的倾倒，导致间隔区处产生暗纹的技术问题。本申请可以解决上述问题。
一种液晶显示面板，如图1和图2所示，所述液晶显示面板包括阵列基板10、彩膜基板20和液晶层30，所述彩膜基板20与所述阵列基板10相对设置，所述液晶层30设置于所述阵列基板10与所述彩膜基板20之间；所述阵列基板10与所述彩膜基板20之间设置有框胶40，所述框胶40与所述阵列基板10和所述彩膜基板20之间形成用于容纳液晶层30的容纳腔。
具体的，所述阵列基板10包括第一基板11以及阵列分布于所述第一基板11上的多个像素单元12，每一所述像素单元12包括薄膜晶体管层13和位于所述薄膜晶体管层13上的像素电极14；所述彩膜基板20包括第二基板21以及设置于所述第二基板21上且与所述像素单元12相对设置的共通电极22，通过所述像素电极14与共通电极22之间的压差形成的电场驱动液晶层30中的液晶旋转。
具体的，如图2和图3所示，在一实施方式中，所述薄膜晶体管层13包括设置于所述第一基板11上的有源层131、覆盖所述有源层131的栅极绝缘层132、设置于所述栅极绝缘层132上的第一金属层、覆盖所述第一金属层的第一绝缘层134、设置于所述第一绝缘层134上的第二金属层、覆盖所述第二金属层的第二绝缘层136。
具体的，所述第一金属层包括栅极133a和扫描线133b，所述第二金属层包括源漏极135a和数据线135b，所述像素电极14设置于所述第二绝缘层136上，并且所述像素电极14通过过孔与所述源漏极135a接触并电连接。
具体的，所述数据线135b沿所述像素单元12的列方向设置且多条所述数据线135b沿所述像素单元12的行方向间隔排布，所述扫描线133b沿所述像素单元12的行方向设置且多条所述扫描线133b沿所述像素单元12的列方向间隔排布，相邻两条所述数据线135b和相邻两条所述扫描线133b之间交叉限定的区域为设置一个所述像素单元12的像素区。
在一实施方式中，一条所述扫描线133b与一行所述像素单元12对应并电性连接，以为所述像素单元12提供扫描信号；一条所述数据线135b与一列所述像素单元12对应并电连接，以为所述像素单元12提供数据信号。
具体的，如图4所示，相邻两行所述像素单元12之间设置有走线区50，所述走线区50用于传输信号的信号走线的排布，如扫描线133b。
具体的，所述像素电极14包括第一像素电极141与第二像素电极142，所述第一像素电极141和所述第二像素电极142均位于所述走线区50的同一侧。
通过将第一像素电极141和所述第二像素电极142设置于走线区50的同一侧，利用走线区50为相邻两行像素单元12提供足够的间距，减小甚至消除相邻两行像素单元12之间的压差，防止在压差的影响下导致相邻两行像素单元12的交界处的液晶倾倒，避免相邻两行像素单元12的交界处产生暗纹。
进一步的，所述第二像素电极142沿所述第一像素电极141的外边界设置，所述第二像素电极142与所述走线区50之间形成一围合区60，所述第一像素电极141位于所述围合区60中。
需要说明的是，利用第二像素电极142沿所述第一像素电极141的外边界设置，从而形成包围或半包围第一像素电极141的结构，进一步减小甚至隔绝相邻上下两行像素单元12之间的压差，避免相邻两行像素单元12的交界处产生暗纹，同时可以减小相邻两行像素单元12之间的走线区50的宽度，增大像素开口率。
具体的，所述第一像素电极141与所述第二像素电极142之间具有一间隔区70。
其中，所述第一像素电极141与所述第二像素电极142之间的间距大于7微米，所述第一像素电极141与所述第二像素电极142之间的间距可以为9～10微米，以降低第一像素电极141的边缘区域与共通电极22之间的电场以及第二像素电极142的边缘区域与共通电极22之间的电场对间隔区70处的液晶的影响，防止间隔区70处的液晶在电场的作用下产生较大角度的倾倒导致间隔区70处产生暗纹。
具体的，所述薄膜晶体管层13包括第一电场屏蔽线，所述第一电场屏蔽线在所述像素电极14上的正投影位于所述第一像素电极141与所述第二像素电极142之间的间隔区70处，输入所述第一电场屏蔽线的电压与输入所述共通电极22的电压相同，输入至所述第一像素电极141的电压与输入至所述第二像素电极142的电压相异。
需要说明的是，通过在第一像素电极141与第二像素电极142之间的间隔区70处设置第一电场屏蔽线，并且第一电场屏蔽线的电压与共通电极22的电压相同，可以屏蔽第一像素电极141的边缘区域与共通电极22以及第二像素电极142的边缘区域与共通电极22在间隔区70处的电场，此时间隔区70由于没有压差，间隔区70处的液晶不会发生倾倒，对间隔区70处的液晶有一个束缚作用，避免间隔区70处的液晶在电场的作用下产生较大角度的倾倒导致间隔区70处产生暗纹。
具体的，所述第二像素电极142包括主体部分142a和与所述主体部分142a连接的延伸部分142b，所述主体部分142a与所述第一像素电极141沿所述像素单元12的列方向排布，所述延伸部分142b与所述第一像素电极141沿所述像素单元12的行方向排布。
在一实施方式中，所述延伸部分142b设置有两个且分别位于所述第一像素电极141的两侧。
在第一种实施方式中，所述第一电场屏蔽线包括沿所述像素单元12的行方向设置的第一屏蔽线137a。所述第一屏蔽线137a在所述像素电极14上的正投影位于所述第一像素电极141与所述主体部分142a之间，以避免位于第一像素电极141与主体部分142a之间的间隔区70处的液晶在压差的作用下产生较大角度的倾倒。
其中，所述第一屏蔽线137a的线宽可以为0.2～5微米，实际实施中，所述第一屏蔽线137a的线宽也可以为1～3微米。
需要说明的是，实际实施中，所述第一屏蔽线137a的整体形状可以为直线状、曲线状或波形状。
具体的，如图5至图7所示，所述第一屏蔽线137a上设置有沿所述像素单元12的列方向延伸的加强线137b，多条所述加强线137b沿所述像素单元12的行方向隔排布。
需要说明的是，第一屏蔽线137a比较细长，通过在第一屏蔽线137a的预设位置处设置多根加强线137b，可以提升第一屏蔽线137a的预设位置处的线宽，防止第一屏蔽线137a断裂，预设位置可以为第一屏蔽线137a上易受外力或易断裂的部分。
需要说明的是，所有加强线137b的线宽可以均相同，也可以根据加强线137b设置的实际位置调整加强线137b的线宽。
具体的，所述加强线137b的长度大于3微米，相邻两条所述加强线137b之间的间距大于或等于2个所述像素单元12沿所述行方向的长度，相邻两条所述加强线137b之间的间距小于或等于10个所述像素单元12沿所述行方向的长度，即一个所述像素单元12沿行方向的长度为a，则相邻两条所述加强线137b之间的间距大于或等于a的2倍，并且相邻两条所述加强线137b之间的间距小于或等于a的10倍。
在一实施方式中，如图5和图6所示，所述加强线137b均设置于所述第一屏蔽线137a的同一侧。
其中，如图5所示，所有所述加强线137b均位于所述第一屏蔽线137a靠近所述第一像素电极141的一侧，相邻两条所述加强线137b之间的间距大于或等于5个所述像素单元12沿所述行方向的长度，相邻两条所述加强线137b之间的间距小于或等于10个所述像素单元12沿所述行方向的长度。
如图6所示，所有所述加强线137b均位于所述第一屏蔽线137a远离所述第一像素电极141的一侧，相邻两条所述加强线137b之间的间距大于或等于2个所述像素单元12沿所述行方向的长度，相邻两条所述加强线137b之间的间距小于或等于10个所述像素单元12沿所述行方向的长度。
在另一实施方式中，如图7所示，所述加强线137b设置于所述第一屏蔽线137a的背向两侧上，即所述第一屏蔽线137a的背向两侧上均设置有加强线137b。
进一步的，分别位于所述第一屏蔽线137a的背向两侧上的所述加强线137b交错排布，相邻两条所述加强线137b之间的间距大于或等于5个所述像素单元12沿所述行方向的长度，相邻两条所述加强线137b之间的间距小于或等于10个所述像素单元12沿所述行方向的长度。
如图8和图9所示，在第二种实施方式中，所述第一电场屏蔽线包括沿所述像素单元12的列方向设置的第二屏蔽线137c，所述第二屏蔽线137c在所述像素电极14上的正投影位于所述第一像素电极141与所述延伸部分142b之间。
在一实施方式中，所述第二屏蔽线137c可以仅设置有一条，所述第二屏蔽线137c设置在所述第一像素电极141与任一所述延伸部分142b之间；所述第二屏蔽线137c还可以设置有两条，两条所述第二屏蔽线137c分别位于所述第一像素电极141与两个延伸部分142b之间。
其中，所述第二屏蔽线137c的长度可以小于所述第一像素电极141沿列方向的长度(如图8)，所述第二屏蔽线137c的长度也可以大于或等于所述第一像素电极141沿列方向的长度(如图9)。
需要说明的是，实际实施中，所述第二屏蔽线137c的整体形状可以为直线状、曲线状或波形状。
如图10所示，在第三种实施方式中，所述薄膜晶体管层13还包括沿所述像素单元12的列方向设置的第二电场屏蔽线138，所述第二电场屏蔽线138沿所述第二像素电极142的外边界设置，输入所述第二电场屏蔽线138的电压与输入所述共通电极22的电压相同，以防止相邻两列像素单元12之间的区域处的液晶在压差的作用下产生较大角度的倾倒导致产生暗纹。
需要说明的是，图10中仅示意了所述第二电场屏蔽线138仅设置在所述主体部分142a的外边界，实际实施中，所述第二电场屏蔽线138也可以设置在所述延伸部分142b的外边界处，所述第二电场屏蔽线138还可以同时设置在所述主体部分142a的外边界处和所述延伸部分142b的外边界处。
如图11所示，相邻两列所述像素单元12中的两条所述第一屏蔽线137a可以通过第一连接线81电连接，第一连接线81可以与第一屏蔽线137a同层设置且一体成型，第一连接线81还可以与第一屏蔽线137a位于不同层别且采用不同材料形成，以避免对其他走线的排布造成阻碍。
其中，所述第一连接线81的整体形状可以为直线状、曲线状或波形状。
如图12所示，相邻两列所述像素单元12中的两条所述第二屏蔽线137c可以通过第二连接线82电连接，第二连接线82可以与第二屏蔽线137c同层设置且一体成型，第二连接线82还可以与第二屏蔽线137c位于不同层别且采用不同材料形成。
其中，所述第二连接线82的整体形状可以为直线状、曲线状或波形状。
如图13所示，相邻两列所述像素单元12之间的两条所述第二电场屏蔽线138可以通过第三连接线83电连接，第三连接线83可以与第二电场屏蔽线138同层设置且一体成型，第三连接线83还可以与第二电场屏蔽线138位于不同层别且采用不同材料形成。
其中，所述第三连接线83的整体形状可以为直线状、曲线状或波形状。
需要说明的是，图11至图13中仅示意了仅设置第一屏蔽线137a、第二屏蔽线137c或第二电场屏蔽线138的情况。
具体的，如图14所示，还可以同时设置第一屏蔽线137a和第二屏蔽线137c，第一屏蔽线137a可以与第二屏蔽线137c相间隔，以防止减少像素开口率；第一屏蔽线137a也可以与第二屏蔽线137c相连接，以起到更好的屏蔽作用。
如图15所示，还可以同时设置第一屏蔽线137a、第二屏蔽线137c以及第二电场屏蔽线138。
其中，所述第一连接线81、第二连接线82和第三连接线83可以均同层设置，第一连接线81、第二连接线82和第三连接线83也可以均位于不同层别，还可以设置为第一连接线81、第二连接线82和第三连接线83中仅有两者同层设置。
需要说明的是，实际实施中，还可以仅同时设置第一屏蔽线137a和第二电场屏蔽线138；也可以同时设置第二屏蔽线137c和第二电场屏蔽线138。
在一实施方式中，所述第一电场屏蔽线和第二电场屏蔽线138可以与所述第一金属层同层设置。
在一实施方式中，所述第一像素电极141为主像素电极，所述第二像素电极142为亚像素电极。
需要说明的是，亚像素电极沿主像素电极的外边界设置，可以减少数据线135b与主像素电极之间的垂直串扰，无需在数据线135b与主像素电极之间设置金属屏蔽层，增大像素开口率。
本发明的有益效果为：通过增大第一像素电极141与第二像素电极142之间的间距，并通过在第一像素电极141与第二像素电极142之间的间隔区70处设置第一电场屏蔽线，并且第一电场屏蔽线的电压与共通电极22的电压相同，以降低第一像素电极141的边缘区域与共通电极22之间的电场以及第二像素电极142的边缘区域与共通电极22之间的电场对间隔区70处的液晶的影响，此时间隔区70由于没有压差，间隔区70处的液晶不会发生倾倒，对间隔区70处的液晶有一个束缚作用，避免间隔区处的液晶在电场的作用下产生较大角度的倾倒导致间隔区处产生暗纹。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括：
阵列基板，所述阵列基板包括第一基板以及阵列分布于所述第一基板上的多个像素单元；
彩膜基板，所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置，所述彩膜基板包括第二基板以及设置于所述第二基板上且与所述像素单元相对设置的共通电极；
液晶层，所述液晶层设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间；
其中，每一所述像素单元包括薄膜晶体管层和位于所述薄膜晶体管层上的像素电极；所述像素电极包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极与所述第二像素电极之间具有一间隔区。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括第一电场屏蔽线，所述第一电场屏蔽线在所述像素电极上的正投影位于所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的间隔区处，输入所述第一电场屏蔽线的电压与输入所述共通电极的电压相同。
3.根据权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二像素电极沿所述第一像素电极的外边界设置。
4.根据权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于，相邻两行所述像素单元之间设置有走线区，所述第二像素电极与所述走线区之间形成一围合区，所述第一像素电极位于所述围合区中。
5.根据权利要求4所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二像素电极包括主体部分和与所述主体部分连接的延伸部分，所述主体部分与所述第一像素电极沿所述像素单元的列方向排布，所述延伸部分与所述第一像素电极沿所述像素单元的行方向排布。
6.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一电场屏蔽线包括沿所述像素单元的行方向设置的第一屏蔽线，所述第一屏蔽线在所述像素电极上的正投影位于所述第一像素电极与所述主体部分之间。
7.根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一屏蔽线上设置有沿所述像素单元的列方向延伸的加强线，多条所述加强线沿所述像素单元的行方向隔排布。
8.根据权利要求5或6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一电场屏蔽线包括沿所述像素单元的列方向设置的第二屏蔽线，所述第二屏蔽线在所述像素电极上的正投影位于所述第一像素电极与所述延伸部分之间。
9.根据权利要求1或2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括沿所述像素单元的列方向设置的第二电场屏蔽线，所述第二电场屏蔽线沿所述第二像素电极的外边界设置，输入所述第二电场屏蔽线的电压与输入所述共通电极的电压相同。
10.根据权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括设置于所述第一基板的上方的第一金属层，所述第一电场屏蔽线与所述第一金属层同层设置。
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