CN111261671B - 透明显示装置 - Google Patents

透明显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111261671B
CN111261671B CN201911149905.4A CN201911149905A CN111261671B CN 111261671 B CN111261671 B CN 111261671B CN 201911149905 A CN201911149905 A CN 201911149905A CN 111261671 B CN111261671 B CN 111261671B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
area
transparent
pixel
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911149905.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111261671A (zh
Inventor
白钦日
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN111261671A publication Critical patent/CN111261671A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111261671B publication Critical patent/CN111261671B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/206—Organic displays, e.g. OLED
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0465—Improved aperture ratio, e.g. by size reduction of the pixel circuit, e.g. for improving the pixel density or the maximum displayable luminance or brightness
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/861—Repairing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种透明显示装置包括：包括发光区域和第一透明区域的基板；位于基板上并且包括发光区域和第一透明区域的第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域；位于基板上的第一堤部；由第一堤部围绕并且对应于第一像素区域的第一开口；由第一堤部围绕并且对应于第二像素区域的第二开口；由第一堤部围绕并且对应于第三像素区域的第三开口；与第一开口、第二开口和第三开口中的至少一个交叠并且与第一堤部交叠的多个第二堤部；和位于基板上的第一开口、第二开口和第三开口中的发光二极管。

Description

透明显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年12月3日提交的韩国专利申请No.10-2018-0153734的优先权和权益，为了所有目的，通过引用将该专利申请的全部内容并入本申请中，如同在此完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种透明显示装置，更具体地，涉及一种具有发光区域和透明区域的透明显示装置。
背景技术
电致发光显示装置可以是平板显示装置。与液晶显示装置相比，电致发光显示装置因自发光而具有宽视角并且因不需要背光单元而外形薄、重量轻且功耗低。此外，电致发光显示装置通过直流(DC)低电压进行驱动并且具有快速的响应速度。电致发光显示装置因其部件是固体，所以还耐外部冲击并且可在较宽的温度范围内使用。电致发光显示装置还可以以低成本制造。
近来，使用电致发光显示装置的透明显示装置已被广泛开发。透明显示装置是其中可看到屏幕后方的背景的显示装置。因此，可一起显示图像信息和周围的环境。为了显示各种颜色的图像，使用电致发光显示装置的透明显示装置包括多个像素，每个像素具有红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，并且在红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中分别形成红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管。红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素分别具有红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，并且红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层具有不同的特性。因此，红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管具有不同的寿命和效率。这降低了使用电致发光显示装置的透明显示装置的寿命。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的透明显示装置。
本发明的一个目的是提供一种通过优化发光二极管的寿命来解决寿命降低的问题的透明显示装置。
在下面的描述中将阐述本发明的附加特征和优点，这些特征和优点的一部分通过该描述将是显而易见的，或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点并且根据本发明的意图，如在此具体化和宽泛描述的，提供了一种透明显示装置，包括：包括发光区域和第一透明区域的基板；位于所述基板上并且包括所述发光区域和所述第一透明区域的第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域；位于所述基板上的第一堤部；由所述第一堤部围绕并且对应于所述第一像素区域的第一开口；由所述第一堤部围绕并且对应于所述第二像素区域的第二开口；由所述第一堤部围绕并且对应于所述第三像素区域的第三开口；与所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口中的至少一个交叠并且与所述第一堤部交叠的多个第二堤部；和位于所述基板上的第一开口、所述第二开口和所述第三开口中的发光二极管。
应当理解，前面的总体描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的，旨在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
被包括用来对本发明提供进一步理解并且并入本申请中组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1图解了根据本发明第一示例性实施方式的透明显示装置的一个像素；
图2图解了根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置；
图3图解了根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置的堤部；
图4是图解根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置的一个像素区域的示意性电路图；
图5是图解根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置的剖面图；
图6是图解根据本发明第二示例性实施方式的另一示例的透明显示装置的剖面图；
图7图解了根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置；
图8图解了根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置的堤部；
图9是图解根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置的剖面图；
图10图解了根据本发明第四示例性实施方式的透明显示装置；
图11图解了根据本发明第四示例性实施方式的透明显示装置的堤部；
图12图解了根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置；
图13图解了根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置的堤部；
图14是图解根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置的第一像素区域的示意性剖面图。
具体实施方式
现在将详细参考附图中示出的本发明的示例性实施方式进行描述。
图1图解了根据本发明第一示例性实施方式的透明显示装置的一个像素。在图1中，根据本发明第一示例性实施方式的透明显示装置的像素包括第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3，并且第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3顺序地布置在第一方向上。然而，第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的布置顺序不限于此。第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的每一个可包括可布置在第二方向上的发光区域EA和透明区域TA。
在第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的每一个的发光区域EA中可设置发光二极管(未示出)。第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的发光区域EA可发射不同颜色的光。例如，第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的发光区域EA可分别发射红色光、绿色光和蓝色光。此外，在第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的每一个的透明区域TA中可设置透射光的至少一个透明层(未示出)。或者，在第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的每一个的透明区域TA中可不形成层。
第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的发光区域EA可具有不同的面积。例如，第二子像素P2的发光区域EA的面积可大于第一子像素P1的发光区域EA的面积并且小于第三子像素P3的发光区域EA的面积。例如，第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的发光区域EA的面积比可以是1:1.5:2。可基于设置在各个发光区域EA中的发光二极管的寿命确定第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的发光区域EA的面积比，该面积比是可改变的。
第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的发光区域EA可沿第一方向具有不同的宽度w1、w2和w3并且可沿第二方向具有相同的长度l1。例如，第二子像素P2的发光区域EA的宽度w2可大于第一子像素P1的发光区域EA的宽度w1并且小于第三子像素P3的发光区域EA的宽度w3。第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的发光区域EA的宽度w1、w2和w3可具有1:1.5:2的比率。
第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的透明区域TA也可具有不同的面积。第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的透明区域TA可沿第一方向具有不同的宽度w1、w2和w3并且可沿第二方向具有相同的长度l2。第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的透明区域TA的长度l2可与第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的发光区域EA的长度l1相同，使得在第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的每一个中，透明区域TA的面积可与发光区域EA的面积相同。因此，第二子像素P2的透明区域TA的面积可大于第一子像素P1的透明区域TA的面积并且小于第三子像素P3的透明区域TA的面积。或者，在第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的每一个中，透明区域TA的面积可与发光区域EA的面积不同。
在根据本发明第一示例性实施方式的透明显示装置中，第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的面积可彼此不同。第二子像素P2的面积可大于第一子像素P1的面积并且小于第三子像素P3的面积。如上所述，在根据本发明第一示例性实施方式的透明显示装置中，第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的每一个包括发光区域EA和透明区域TA。这样，在通过发光区域EA显示图像信息的同时可通过透明区域TA一起显示周围的环境信息，比如背景。
在根据本发明第一示例性实施方式的透明显示装置中，第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的发光区域EA的面积可彼此不同。这样，可根据各发光材料的特性优化第一子像素P1、第二子像素P2和第二子像素P3的发光二极管的寿命。因此，可解决由于发光二极管的寿命差异而导致透明显示装置具有降低的寿命的问题。
在根据本发明第一示例性实施方式的透明显示装置中，发光区域EA的发光二极管可包括发光层。随着显示装置的尺寸和分辨率增加，可使用对于大尺寸和高分辨率的显示装置有利的溶液工艺。溶液工艺中使用的设备具有不同的可实施分辨率，并且根据具有最小值的第一子像素P1中的发光区域EA的宽度w1确定设备的分辨率。然而，根据本发明第一示例性实施方式的透明显示装置的第一子像素P1中的发光区域EA的宽度w1比常规透明显示装置的子像素中的发光区域的宽度小得多。因此，需要具有比现有设备更高分辨率的设备，这可增加制造成本。
图2图解了根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置。图2图解了一个像素。在图2中，根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置包括在基板(未示出基板)上在第一方向上延伸的栅极线GL、以及在第二方向上延伸的第一数据线DL1、第二数据线DL2和第三数据线DL3。栅极线GL以及第一数据线DL1、第二数据线DL2和第三数据线DL3彼此交叉，由此限定第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可顺序地布置在第一方向上。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3分别对应于第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且第一子像素、第二子像素和第三子像素组成一个像素。然而，像素可进一步包括一个或多个子像素。在栅极线GL与第一数据线DL1、第二数据线DL2和第三数据线DL3之间设置有至少一个绝缘层。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个包括布置在第二方向上的发光区域EA和透明区域TA。
在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个的发光区域EA中可设置发光二极管(未示出)。此外，在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个的发光区域EA中可设置至少一个薄膜晶体管和至少一个电容器。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可发射不同颜色的光。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可分别发射红色光、绿色光和蓝色光。此外，在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个的透明区域TA中可设置透射光的至少一个透明层(未示出)。或者，在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个的透明区域TA中可不形成层。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可具有不同的面积。例如，第二像素区域P2的发光区域EA的面积可大于第一像素区域P1的发光区域EA的面积并且小于第三像素区域P3的发光区域EA的面积。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的面积比可以是1:1.5:2。可基于设置在各个发光区域EA中的发光二极管的寿命确定第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的面积比，该面积比是可改变的。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可沿第一方向具有相同的宽度，即，w1＝w2＝w3，并且可沿第二方向具有不同的长度l11、l21和l31。例如，第二像素区域P2的发光区域EA的长度l21可大于第一像素区域P1的发光区域EA的长度l11并且小于第三像素区域P3的发光区域EA的长度l31。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的长度l11、l21和l31可具有1:1.5:2的比率。第一像素区域P1的发光区域EA的长度l11可等于或大于第一像素区域P1的发光区域EA的宽度w1。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的透明区域TA也可具有不同的面积。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的透明区域TA可沿第一方向具有相同的宽度，即，w1＝w2＝w3。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的透明区域TA的宽度w1、w2和w3可与第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的宽度w1、w2和w3相同。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的透明区域TA可沿第二方向具有不同的长度l12、l22和l32。第二像素区域P2的透明区域TA的长度l22可小于第一像素区域P1的透明区域TA的长度l12并且大于第三像素区域P3的透明区域TA的长度l32。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的透明区域TA的长度l12、l22和l32可具有2:1.5:1的比率。因此，第二像素区域P2的透明区域TA的面积可小于第一像素区域P1的透明区域TA的面积并且大于第三像素区域P3的透明区域TA的面积。
第二像素区域P2的透明区域TA的长度l22可与第二像素区域P2的发光区域EA的长度l21相同，第一像素区域P1的透明区域TA的长度l12可大于第一像素区域P1的发光区域EA的长度l11。第三像素区域P3的透明区域TA的长度l32可小于第三像素区域P3的发光区域EA的长度l31。
在根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置中，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可具有相同的面积。如上所述，在根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置中，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个包括发光区域EA和透明区域TA。这样，在通过发光区域EA显示图像信息的同时可通过透明区域TA一起显示周围的环境信息，比如背景。
另外，在根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置中，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的面积可彼此不同。这样，可根据各发光材料的特性优化第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光二极管的寿命。因此，可解决由于发光二极管的寿命差异而导致透明显示装置具有降低的寿命的问题。
此外，在根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置中，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的宽度w1、w2和w3可相同，并且第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的长度l11、l21和l31可等于或大于发光区域EA的宽度w1、w2和w3。因此，利用本发明的特征，可通过溶液工艺形成发光二极管的发光层，并且可降低制造成本。可通过堤部实现根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置的像素构造。
图3图解了根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置的堤部。在图3中，堤部BA大致形成在基板(未示出)的整个表面上。堤部BA具有分别与第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA对应的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3。第二开口OP2可大于第一开口OP1并且小于第三开口OP3。尽管图中未示出，但与第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的每一个对应设置包括第一电极、发光层和第二电极的发光二极管。发光二极管通过第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的每一个发射光。
尽管在图3中第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3被示出为具有包括带角度的角部的四边形形状，但第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的形状不限于此。或者，第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可具有包括圆化角部的四边形形状，或者可具有圆形形状、椭圆形形状或四边形形状以外的其他多边形形状。根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置的第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可具有不同的面积，并且透明区域TA大致具有相同的结构。
图4是图解根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置的一个像素区域的示意性电路图。在图4中，根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置包括彼此交叉以限定像素区域P的栅极线GL和数据线DL。每个像素区域P包括发光区域EA和透明区域TA。此外，在每个像素区域P的发光区域EA中形成开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T2、存储电容器Cst和发光二极管De。
例如，开关薄膜晶体管T1的栅极电极连接至栅极线GL，并且开关薄膜晶体管T1的源极电极连接至数据线DL。驱动薄膜晶体管T2的栅极电极连接至开关薄膜晶体管T1的漏极电极，并且驱动薄膜晶体管T2的源极电极连接至高电压源VDD。发光二极管De的阳极连接至驱动薄膜晶体管T2的漏极电极，并且发光二极管De的阴极连接至低电源电压VSS。存储电容器Cst连接至驱动薄膜晶体管T2的栅极电极和漏极电极。
在透明显示装置的图像显示操作中，当开关薄膜晶体管T1通过经由栅极线GL施加的栅极信号导通时，来自数据线DL的数据信号通过开关薄膜晶体管T1施加至驱动薄膜晶体管T2的栅极电极和存储电容器Cst的电极。当驱动薄膜晶体管T2通过数据信号导通时，流过发光二极管De的电流得到控制，由此显示图像。由于通过驱动薄膜晶体管T2从高电压源VDD提供的电流，发光二极管De发光。
流过发光二极管De的电流量与数据信号的大小成比例，并且发光二极管De发射的光的强度与流过发光二极管De的电流量成比例。因而，像素区域P根据数据信号的大小显示出不同的灰度级，结果，透明显示装置通过发光区域EA显示图像。此外，当开关薄膜晶体管T1截止时，存储电容器Cst将对应于数据信号的电荷保持一帧。因此，即使开关薄膜晶体管T1截止，存储电容器Cst仍使流过发光二极管De的电流量恒定并且将发光二极管De显示的灰度级一直保持到下一帧。
除了开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T2和存储电容器Cst以外，在像素区域P的发光区域EA中还可添加一个或多个晶体管和/或电容器。在包括发光二极管De的透明显示装置中，数据信号施加至驱动薄膜晶体管T2的栅极电极，使得驱动薄膜晶体管T2在发光二极管De发光并显示灰度级的相对较长的时间保持导通状态。由于长时间施加数据信号，驱动薄膜晶体管T2可劣化。因此，驱动薄膜晶体管T2的迁移率和/或阈值电压Vth可发生变化；对于相同数据信号来说，像素区域P的发光区域EA可显示不同的灰度级。这可导致不均匀的亮度并降低图像质量。为了补偿驱动薄膜晶体管T2的迁移率和/或阈值电压的变化，可在像素区域P的发光区域EA中进一步添加用于感测电压变化的至少一个感测薄膜晶体管和/或电容器。感测薄膜晶体管和/或电容器可连接至用于施加基准电压并输出感测电压的基准线。
图5是图解根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置的剖面图，其显示了一个像素区域。在图5中，在基板100上限定包括发光区域EA和透明区域TA的像素区域P。基板100可以是玻璃基板或塑料基板。例如，可使用聚酰亚胺作为塑料基板。缓冲层110形成在基板100上。缓冲层110大致设置在基板100的整个表面上。缓冲层110可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机材料形成，并且可以是单层或多层。
图案化的半导体层122在缓冲层110上形成于发光区域EA中。半导体层122可由氧化物半导体层形成，并且可在半导体层122下方进一步形成遮光图案(未示出)。遮光图案可阻挡入射到半导体层122上的光，可防止半导体层122由于光而劣化。或者，半导体层122可由多晶硅形成，并且可利用杂质掺杂半导体层122的两端。
绝缘材料的栅极绝缘层130基本上在基板100的整个表面上方形成在半导体层122上。栅极绝缘层130可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。当半导体层122由氧化物半导体材料制成时，栅极绝缘层130可由硅氧化物(SiO2)形成。或者，当半导体层122由多晶硅制成时，栅极绝缘层130可由硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)形成。诸如金属之类的导电材料的栅极电极132与半导体层122的中央对应地形成在栅极绝缘层130上。此外，可在栅极绝缘层130上形成栅极线(未示出)和第一电容器电极(未示出)。栅极线在第一方向上延伸。第一电容器电极设置在发光区域EA中并且连接至栅极电极132。
在根据本发明的第二示例性实施方式中，栅极绝缘层130形成在基板100的整个表面上方。然而，栅极绝缘层130可被图案化为具有与栅极电极132相同的形状。由绝缘材料制成的层间绝缘层140基本上在基板100的整个表面上方形成在栅极电极132上。层间绝缘层140可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。或者，层间绝缘层140可由诸如光学丙烯酸或苯并环丁烯之类的有机绝缘材料形成。
层间绝缘层140具有暴露半导体层122的两端的顶表面的第一接触孔140a和第二接触孔140b。第一接触孔140a和第二接触孔140b设置在栅极电极132的两侧并且与栅极电极132分隔开。第一接触孔140a和第二接触孔140b还形成在栅极绝缘层130中。或者，当栅极绝缘层130被图案化为具有与栅极电极132相同的形状时，第一接触孔140a和第二接触孔140b仅形成在层间绝缘层140中。
诸如金属之类的导电材料的源极电极142和漏极电极144形成在层间绝缘层140上。此外，可在层间绝缘层140上进一步形成数据线(未示出)、电源线(未示出)和第二电容器电极(未示出)。源极电极142和漏极电极144彼此分隔开且使得栅极电极132位于源极电极142与漏极电极144之间，并且源极电极142和漏极电极144分别通过第一接触孔140a和第二接触孔140b与半导体层122的两端接触。尽管图中未示出，但数据线在第二方向上延伸并且与栅极线交叉，由此限定像素区域P。用于提供高电压的电源线与数据线分隔开。第二电容器电极设置在发光区域EA中并且连接至漏极电极144。第二电容器电极与第一电容器电极交叠，由此构成将它们之间的层间绝缘层140作为电介质的存储电容器。
半导体层122、栅极电极132、源极电极142和漏极电极144形成薄膜晶体管T。薄膜晶体管T具有栅极电极132与源极电极142和漏极电极144相对于半导体层122位于同一侧的共面结构。或者，薄膜晶体管可具有栅极电极与源极电极和漏极电极相对于半导体层位于不同侧的反向交错结构。就是说，栅极电极可设置在半导体层下方，源极电极和漏极电极可设置在半导体层上方。半导体层可由氧化物半导体或非晶硅形成。
薄膜晶体管T对应于驱动薄膜晶体管，可在基板100上与像素区域P的发光区域EA对应地进一步形成具有与驱动薄膜晶体管T相同结构的开关薄膜晶体管(未示出)。驱动薄膜晶体管T的栅极电极132可连接至开关薄膜晶体管的漏极电极(未示出)，并且驱动薄膜晶体管T的源极电极142连接至电源线。此外，开关薄膜晶体管的栅极电极(未示出)和源极电极(未示出)可分别连接至栅极线和数据线。可在基板100上与像素区域P的发光区域EA对应地进一步形成具有与驱动薄膜晶体管T相同结构的感测薄膜晶体管。
绝缘材料的钝化层150基本上在基板100的整个表面上方形成在源极电极142和漏极电极144上。钝化层150可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料、或者诸如光学丙烯酸或苯并环丁烯之类的有机绝缘材料形成。钝化层150可具有平坦的顶表面。钝化层150具有暴露漏极电极144的漏极接触孔150a。漏极接触孔150a可与第二接触孔140b分隔开。或者，漏极接触孔150a可设置在第二接触孔140b正上方。当钝化层150由有机绝缘材料形成时，可在钝化层150下方进一步形成无机绝缘材料的绝缘层。
第一电极160形成在钝化层150上并且由具有相对较高功函数的导电材料形成。第一电极160设置在像素区域P的发光区域EA中并且通过漏极接触孔150a与漏极电极144接触。第一电极160不形成在透明区域TA中。例如，第一电极160可由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(ZIO)之类的透明导电材料形成。
根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置是设置在发光区域EA中的发光二极管De的光朝向与基板100相反的方向输出的顶部发光型。因此，第一电极160可在透明导电材料下方进一步包括由具有相对较高反射率的金属材料形成的反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可由铝-钯-铜(APC)合金或银(Ag)形成。第一电极160可具有ITO/APC/ITO或ITO/Ag/ITO的三层结构。
绝缘材料的堤部164形成在第一电极160上。堤部164可由具有疏水性的有机绝缘材料形成。堤部164具有与发光区域EA对应的暴露第一电极160的开口164a并且覆盖第一电极160的边缘。堤部164在图5中被示出为具有单层结构。但是堤部也可具有多层结构。例如，可在第一电极160与具有疏水性的第二堤部之间进一步形成具有亲水性的第一堤部，并且第一堤部可具有比第二堤部宽的宽度。第一堤部可覆盖第一电极160的边缘，并且第二堤部不与第一电极160交叠。
发光层170形成在通过堤部164的开口164a暴露的第一电极160上。发光层170可包括顺序地位于第一电极160上方的第一电荷辅助层172、发光材料层174和第二电荷辅助层176。发光材料层174可由红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中任意之一形成。发光材料可以是诸如磷光化合物或荧光化合物之类的有机发光材料，或者可以是诸如量子点之类的无机发光材料。
第一电荷辅助层172可以是空穴辅助层，并且空穴辅助层172可包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个。此外，第二电荷辅助层176可以是电子辅助层，并且电子辅助层176可包括电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)中的至少一个。或者，第一电荷辅助层172可以是电子辅助层，并且第二电荷辅助层176可以是空穴辅助层。
可通过溶液工艺形成空穴辅助层172和发光材料层174。因而，可简化工艺并且可提供具有大尺寸和高分辨率的显示装置。可使用旋转涂覆方法、喷墨印刷方法或丝网印刷方法作为溶液工艺，但本发明不限于此。当干燥溶液时，与堤部164相邻的区域中的溶剂的干燥速度不同于其他区域中的干燥速度。因此，与堤部164相邻的区域中的空穴辅助层172和发光材料层174的高度随着越靠近堤部164而升高。空穴辅助层172和发光材料层174设置在像素区域P的发光区域EA中而不设置在透明区域TA中。
或者，可通过真空蒸镀工艺形成电子辅助层176。电子辅助层176可基本形成在基板100的整个表面上方并且可设置在像素区域P的发光区域EA和透明区域TA二者中。在其他示例性实施方式中，可在透明区域TA中去除电子辅助层176。或者，可通过溶液工艺形成电子辅助层176，电子辅助层176可设置在像素区域P的发光区域EA中而不设置在透明区域TA中。
具有相对较低功函数的导电材料的第二电极180基本上在基板100的整个表面上方形成在发光层170上。第二电极180可由铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)或其合金形成。第二电极180具有相对较薄的厚度，使得来自发光层170的光可透过第二电极180。或者，第二电极180可由诸如氧化铟镓(IGO)之类的透明导电材料形成。
第一电极160、发光层170和第二电极180构成发光二极管De。第一电极160可用作阳极，并且第二电极180可用作阴极。如上所述，根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置可以是来自发光二极管De的发光层170的光朝向与基板100相反的方向输出，就是说，通过第二电极180输出到外部的顶部发光型。顶部发光型显示装置可比相同尺寸的底部发光型显示装置具有更宽的发光区域，以提高亮度并降低功耗。
每个像素区域P的发光二极管De可具有用来实现与发射的光的波长对应的微腔效应的元件厚度，由此增加光效率。保护层和/或封装层(未示出)基本上可在基板100的整个表面上方形成在第二电极180上，以阻挡从外部进入的湿气或氧气，由此保护发光二极管De。在根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置中，像素区域P包括发光区域EA和透明区域TA，使得在通过发光区域EA显示图像信息的同时可通过透明区域TA一起显示周围的环境信息，比如背景。
图6是图解根据本发明第二示例性实施方式的另一示例的透明显示装置的剖面图。图6的透明显示装置具有与图5的透明显示装置相同的结构，不同之处在于堤部结构。相同的部分将由相同的参考标记指代，并将省略对相同部分的描述。
如图6中所示，在根据本发明第二示例性实施方式的另一示例中，在对应于透明区域TA的区域中堤部164被去除，由此具有透射孔164b。因此，与透明区域TA对应的钝化层150的顶表面可通过透射孔164b被暴露，并且电子辅助层176可与钝化层150的暴露的顶表面接触。在根据本发明第二示例性实施方式的另一示例中，因为在透明区域TA中不设置堤部164，所以与图5中所示的示例性实施方式相比，透明显示装置的透射率可增加。
在根据本发明第二示例性实施方式的透明显示装置中，诸如喷墨设备之类的溶液工艺设备沿第一方向来回扫描，由此形成发光层。图2的透明显示装置中的第一像素区域P1的发光区域EA的长度l11小于根据图1的第一示例性实施方式的透明显示装置中的第一像素区域P1的发光区域EA的长度l1。结果，与第一示例性实施方式的喷嘴数量相比，与图2的第一像素区域P1的发光区域EA的长度l11对应的喷嘴数量减少。因此，扫描所需的工艺时间可增加。
图7图解了根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置。图7图解了一个像素。在图7中，根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置可包括在第一方向上延伸的栅极线(未示出)和在第二方向上延伸的数据线(未示出)。栅极线和数据线彼此交叉，由此限定第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3。栅极线和数据线可配置成与图2中所示的第二示例性实施方式中的栅极线和数据线大致相同。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可顺序地布置在第一方向上。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3分别对应于第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且第一子像素、第二子像素和第三子像素组成一个像素。然而，像素可进一步包括一个或多个子像素。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个包括布置在第二方向上的发光区域EA和透明区域TA。透明区域TA包括第一透明区域TA1和第二透明区域TA2。第一透明区域TA1和第二透明区域TA2具有不同的透射率。第二透明区域TA2分为第一部分和第二部分。第二透明区域TA2的第一部分可设置在发光区域EA与第一透明区域TA1之间。发光区域EA可设置在第二透明区域TA2的第一部分和第二部分之间。第二透明区域TA2的透射率可高于第一透明区域TA1的透射率。或者，第一透明区域TA1的透射率可高于第二透明区域TA2的透射率。
在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个的发光区域EA中设置发光二极管(未示出)。在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个的发光区域EA中设置至少一个薄膜晶体管和至少一个电容器。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可发射不同颜色的光。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可分别发射红色光、绿色光和蓝色光。
此外，在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的每一个中可设置透射光的至少一个透明层(未示出)。设置在第一透明区域TA1和第二透明区域TA2中的层的类型和/或数量可不同。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可具有不同的面积。例如，第二像素区域P2的发光区域EA的面积可大于第一像素区域P1的发光区域EA的面积并且小于第三像素区域P3的发光区域EA的面积。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的面积比可以是1:1.5:2。可基于设置在各个发光区域EA中的发光二极管的寿命确定第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的面积比，该面积比是可改变的。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可沿第一方向具有相同的宽度并且可沿第二方向具有不同的长度。例如，第二像素区域P2的发光区域EA的长度可大于第一像素区域P1的发光区域EA的长度并且小于第三像素区域P3的发光区域EA的长度。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的长度可具有1:1.5:2的比率。第一像素区域P1的发光区域EA的长度可等于或大于第一像素区域P1的发光区域EA的宽度。
此外，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的第一透明区域TA1也可具有不同的面积。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的第一透明区域TA1可沿第一方向具有相同的宽度并且可沿第二方向具有不同的长度。第二像素区域P2的第一透明区域TA1的长度可小于第一像素区域P1的第一透明区域TA1的长度并且大于第三像素区域P3的第一透明区域TA1的长度。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的第二透明区域TA2可具有相同的面积。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个中的第二透明区域TA2的第一部分和第二部分可具有相同的面积或不同的面积。在每个像素区域中，第二透明区域TA2的总面积可以是第一像素区域P1的发光区域EA的面积的1/2倍至1倍。因此，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可具有不同的第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的总面积。第二像素区域P2中的第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的总面积可小于第一像素区域P1中的第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的总面积并且大于第三像素区域P3中的第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的总面积。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的总面积可具有2:1.5:1的比率。
第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的总面积可等于第二像素区域P2中的发光区域EA的面积。第一像素区域P1中的第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的总面积可大于发光区域EA的面积。第三像素区域P3中的第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的总面积可小于发光区域EA的面积。
在根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置中，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可具有相同的面积。如上所述，在根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置中，第一像素区域P1、
第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个包括发光区域EA以及第一透明区域TA1和第二透明区域TA2。这样，在通过发光区域EA显示图像信息的同时可通过第一透明区域TA1和第二透明区域TA2一起显示周围的环境信息，比如背景。
在根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置中，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的面积彼此不同。这样，可根据各发光材料的特性优化第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光二极管的寿命。因此，可解决由于发光二极管的寿命差异而导致透明显示装置具有降低的寿命的问题。
在根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置中，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的宽度相同，并且发光区域EA的长度等于或大于发光区域EA的宽度。因此，利用本发明的特征，可通过溶液工艺形成发光二极管的发光层，并且可防止制造成本增加。
在根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置中，通过溶液工艺在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA中以及在第二透明区域TA2中形成发光层。这样，用于形成发光层的相应喷嘴的数量可增加。因此，可减少扫描步骤的数量，并且可减少扫描所需的处理时间。可通过堤部实现根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置的像素构造，如随后的附图中所示。
图8图解了根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置的堤部。在图8中，第一堤部BA1大致形成在基板(未示出)的整个表面上，并且第一堤部BA1具有分别位于第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3中的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3。第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3各自对应于各个像素区域P1、P2和P3的发光区域EA和第二透明区域TA2。第二开口OP2大于第一开口OP1并且小于第三开口OP3。
此外，在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个中与发光区域EA和第二透明区域TA2之间的边界对应地形成第二堤部BA2。形成在第二像素区域P2中的第二堤部BA2可连接至形成在第一像素区域P1和第三像素区域P3的至少一个中的第二堤部BA2。第二堤部BA2与下方的层之间的接触面积增加，使得可降低第二堤部BA2脱落的风险。或者，第二堤部BA2可对于各个像素区域P1、P2和P3来说是分离的。
在一些示例性实施方式中，第二堤部BA2可与第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中的至少一个交叠，和/或可与第一堤部BA1交叠。第二堤部BA2可在第一像素区域PA1中彼此分离第一距离，在第二像素区域PA2中彼此分离第二距离，并且在第三像素区域PA3中彼此分离第三距离，第一距离、第二距离和第三距离彼此不同。第三距离可大于第二距离，并且第二距离可大于第一距离。
在第二堤部BA2与第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中的至少一个交叠，和/或与第一堤部BA1交叠的示例性实施方式中，第二堤部BA2中的与第一像素区域P1和第二像素区域P2之间的第一堤部BA1交叠的部分可彼此分离第一距离。第二堤部BA2中的与第二像素区域P2和第三像素区域P3之间的第一堤部BA1交叠的部分可彼此分离与第一距离不同的第二距离。第二距离可大于第一距离。在一些实施方式中，第二堤部BA2中的与第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3之间的第一堤部BA1交叠的部分可具有不同的尺寸、长度和/或宽度。
尽管图中未示出，但与第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个的发光区域EA对应地设置包括第一电极、发光层和第二电极的发光二极管。发光二极管通过第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的每一个发射光。尽管第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3被示出为具有包括带角度的角部的四边形形状，但第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的形状不限于此。或者，第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可具有包括圆化角部的四边形形状，或者可具有圆形形状、椭圆形形状或四边形形状以外的其他多边形形状。
根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置的第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3在发光区域EA的面积方面具有差异，并且大致具有相同的基本结构。每个像素区域P1、P2和P3的发光区域EA的电路构造可具有与图4相同的结构。将参照图9更详细地描述每个像素区域P1、P2和P3的剖面结构。
图9是图解根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置的剖面图。图9显示了一个像素区域。在图9中，在基板200上限定有包括发光区域EA以及透明区域TA1和TA2的像素区域P。透明区域TA1和TA2包括第一透明区域TA1和第二透明区域TA2，并且第二透明区域TA2包括第一部分和第二部分。第二透明区域TA2的第一部分设置在发光区域EA与第一透明区域TA1之间，并且发光区域EA设置在第二透明区域TA2的第一部分和第二部分之间。
基板200可以是玻璃基板或塑料基板。例如，可使用聚酰亚胺作为塑料基板。缓冲层210形成在基板200上。缓冲层210基本上设置在基板200的整个表面上。缓冲层210可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机材料形成，并且可以是单层或多层。
图案化的半导体层222在缓冲层210上形成于发光区域EA中。半导体层222可由氧化物半导体层形成，并且在这种情况下，可在半导体层222下方进一步形成遮光图案(未示出)。遮光图案阻挡入射到半导体层222上的光，防止半导体层222由于光而劣化。或者，半导体层222可由多晶硅形成，并且可利用杂质掺杂半导体层222的两端。
绝缘材料的栅极绝缘层230基本上在基板200的整个表面上方形成在半导体层222上。栅极绝缘层230可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。当半导体层222由氧化物半导体材料制成时，栅极绝缘层230可优选由硅氧化物(SiO2)形成。或者，当半导体层222由多晶硅制成时，栅极绝缘层230可由硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)形成。
诸如金属之类的导电材料的栅极电极232与半导体层222的中央对应地形成在栅极绝缘层230上。此外，可在栅极绝缘层230上形成栅极线(未示出)和第一电容器电极(未示出)。栅极线在第一方向上延伸。第一电容器电极设置在发光区域EA中并且连接至栅极电极232。
在根据本发明的第三示例性实施方式中，栅极绝缘层230形成在基板200的整个表面上方。然而，栅极绝缘层230可被图案化为具有与栅极电极232相同的形状。由绝缘材料制成的层间绝缘层240基本上在基板200的整个表面上方形成在栅极电极232上。层间绝缘层240可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。或者，层间绝缘层240可由诸如光学丙烯酸或苯并环丁烯之类的有机绝缘材料形成。
层间绝缘层240具有暴露半导体层222的两端的顶表面的第一接触孔240a和第二接触孔240b。第一接触孔240a和第二接触孔240b设置在栅极电极232的两侧并且与栅极电极232分隔开。第一接触孔240a和第二接触孔240b还形成在栅极绝缘层230中。或者，当栅极绝缘层230被图案化为具有与栅极电极232相同的形状时，第一接触孔240a和第二接触孔240b仅形成在层间绝缘层240中。
诸如金属之类的导电材料的源极电极242和漏极电极244形成在层间绝缘层240上。此外，可在层间绝缘层240上进一步形成数据线(未示出)、电源线(未示出)和第二电容器电极(未示出)。源极电极242和漏极电极244彼此分隔开并使得栅极电极232位于源极电极242与漏极电极244之间，并且源极电极242和漏极电极244分别通过第一接触孔240a和第二接触孔240b与半导体层222的两端接触。尽管图中未示出，但数据线在第二方向上延伸并且与栅极线交叉，由此限定像素区域P。用于提供高电压的电源线与数据线分隔开。第二电容器电极设置在发光区域EA中并且连接至漏极电极244。第二电容器电极与第一电容器电极交叠，由此构成将它们之间的层间绝缘层240作为电介质的存储电容器。
半导体层222、栅极电极232、源极电极242和漏极电极244形成薄膜晶体管T。薄膜晶体管T具有栅极电极232与源极电极242和漏极电极244相对于半导体层222位于同一侧的共面结构。或者，薄膜晶体管可具有栅极电极与源极电极和漏极电极相对于半导体层位于不同侧的反向交错结构。就是说，栅极电极设置在半导体层下方，源极电极和漏极电极设置在半导体层上方。在这种情况下，半导体层可由氧化物半导体或非晶硅形成。
薄膜晶体管T对应于驱动薄膜晶体管。在基板200上与像素区域P的发光区域EA对应地进一步形成具有与驱动薄膜晶体管T相同结构的开关薄膜晶体管(未示出)。驱动薄膜晶体管T的栅极电极232可连接至开关薄膜晶体管的漏极电极(未示出)，并且驱动薄膜晶体管T的源极电极242可连接至电源线。开关薄膜晶体管的栅极电极(未示出)和源极电极(未示出)可分别连接至栅极线和数据线。可在基板200上与像素区域P的发光区域EA对应地进一步形成具有与驱动薄膜晶体管T相同结构的感测薄膜晶体管。
绝缘材料的钝化层250基本上在基板200的整个表面上方形成在源极电极242和漏极电极244上。钝化层250可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料、或者诸如光学丙烯酸或苯并环丁烯之类的有机绝缘材料形成。钝化层250可具有平坦的顶表面。钝化层250具有暴露漏极电极244的漏极接触孔250a。漏极接触孔250a可与第二接触孔240b分隔开。或者，漏极接触孔250a可设置在第二接触孔240b正上方。当钝化层250由有机绝缘材料形成时，可在钝化层250下方进一步形成无机绝缘材料的绝缘层。
第一电极260形成在钝化层250上并且由具有相对较高功函数的导电材料形成。第一电极260设置在像素区域P的发光区域EA中并且通过漏极接触孔250a与漏极电极244接触。第一电极260不形成在第一透明区域TA1和第二透明区域TA2中。例如，第一电极260可由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(ZIO)之类的透明导电材料形成。
根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置是设置在发光区域EA中的发光二极管De的光朝向与基板200相反的方向输出的顶部发光型。因此，第一电极260可在透明导电材料下方进一步包括由具有相对较高反射率的金属材料形成的反射电极或反射层。例如，反射电极或反射层可由铝-钯-铜(APC)合金或银(Ag)形成。第一电极260可具有ITO/APC/ITO或ITO/Ag/ITO的三层结构。
绝缘材料的下堤部262形成在第一电极260和钝化层250上。下堤部262对应于发光区域EA与第二透明区域TA2之间的边界，覆盖第一电极260的相对边缘并且暴露与发光区域EA对应的第一电极260。下堤部262可由具有亲水性的材料，例如，诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。或者，下堤部262可由聚酰亚胺形成。
此外，在钝化层250上形成绝缘材料的上堤部264。上堤部264的厚度(或高度)比下堤部262的厚度(或高度)大。上堤部264可由具有疏水性的有机绝缘材料形成。上堤部264具有与发光区域EA和第二透明区域TA2对应的暴露第一电极260和下堤部262的开口264a。钝化层250的与第二透明区域TA2对应的顶表面通过开口264a被暴露。上堤部264可具有与第一透明区域TA1对应的透射孔(未示出)。在这种情况下，钝化层250的与第一透明区域TA1对应的顶表面可通过透射孔被暴露。
发光层270形成在通过上堤部264的开口264a暴露的第一电极260、下堤部262和钝化层250上。发光层270可包括顺序地位于第一电极260上方的第一电荷辅助层272、发光材料层274和第二电荷辅助层276。发光材料层274可由红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中任意之一形成。发光材料可以是诸如磷光化合物或荧光化合物之类的有机发光材料，或者可以是诸如量子点之类的无机发光材料。
第一电荷辅助层272可以是空穴辅助层，并且空穴辅助层272可包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个。此外，第二电荷辅助层276可以是电子辅助层，并且电子辅助层276可包括电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)中的至少一个。或者，第一电荷辅助层272可以是电子辅助层，并且第二电荷辅助层276可以是空穴辅助层。
可通过溶液工艺形成空穴辅助层272和发光材料层274。因而，可简化工艺并且可提供具有大尺寸和高分辨率的显示装置。可使用旋转涂覆方法、喷墨印刷方法或丝网印刷方法作为溶液工艺。当干燥溶液时，与上堤部264相邻的区域中的溶剂的干燥速度不同于其他区域中的干燥速度。因此，与上堤部264相邻的区域中的空穴辅助层272和发光材料层274的高度随着越靠近上堤部264而升高。空穴辅助层272和发光材料层274设置在像素区域P的发光区域EA和第二透明区域TA2中而不设置在第一透明区域TA1中。
另一方面，可通过真空蒸镀工艺形成电子辅助层276。电子辅助层276可基本上形成在基板200的整个表面上方并且可设置在像素区域P的发光区域EA、第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的全部中。然而，可在第一透明区域TA1中去除电子辅助层276。或者，可通过溶液工艺形成电子辅助层276。在这种情况下，电子辅助层276可设置在像素区域P的发光区域EA和第二透明区域TA2中而不设置在第一透明区域TA1中。
具有相对较低功函数的导电材料的第二电极280基本上在基板200的整个表面上方形成在发光层270上。第二电极280可由铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)或其合金形成。第二电极280具有相对较薄的厚度，使得来自发光层270的光可透过第二电极280。或者，第二电极280可由诸如氧化铟镓(IGO)之类的透明导电材料形成。第二电极260的位于第一透明区域TA1上的部分可高于第二电极260的位于发光区域EA上的部分。
第一电极260、发光层270和第二电极280构成发光二极管De。第一电极260可用作阳极，并且第二电极280可用作阴极。如上所述，根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置可以是来自发光二极管De的发光层270的光朝向与基板200相反的方向输出，就是说，通过第二电极280输出到外部的顶部发光型。顶部发光型显示装置可比相同尺寸的底部发光型显示装置具有更宽的发光区域，从而可提高亮度并可降低功耗。
每个像素区域P的发光二极管De可具有用来实现与发射的光的波长对应的微腔效应的元件厚度，由此增加光效率。保护层和/或封装层(未示出)可基本上在基板200的整个表面上方形成在第二电极280上，以阻挡从外部进入的湿气或氧气，由此保护发光二极管De。在根据本发明第三示例性实施方式的透明显示装置中，像素区域P包括发光区域EA、第一透明区域TA1和第二透明区域TA2。这样，在通过发光区域EA显示图像信息的同时可通过第一透明区域TA1和第二透明区域TA2一起显示周围的环境信息，比如背景。
第二透明区域TA2设置在发光区域EA的两侧，并且空穴辅助层272和发光材料层274通过溶液工艺形成在发光区域EA中以及第二透明区域TA2中。这样，用于形成各层的相应喷嘴的数量可增加。因此，可减少扫描步骤的数量，并且可减少扫描所需的处理时间。
因为形成在第二透明区域TA2中的空穴辅助层272和发光材料层274是透明的，所以与根据第二示例性实施方式的仅包括透明区域TA的透明显示装置相比，根据第三示例性实施方式的包括第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的透明显示装置的透射率没有明显降低。
图10图解了根据本发明第四示例性实施方式的透明显示装置。在图10中，根据本发明第四示例性实施方式的透明显示装置包括在第一方向上延伸的栅极线(未示出)和在第二方向上延伸的数据线(未示出)。栅极线和数据线彼此交叉，由此限定第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3。栅极线和数据线可配置成与图2的第二示例性实施方式中的栅极线和数据线相同。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可顺序地布置在第一方向上。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3分别对应于第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且第一子像素、第二子像素和第三子像素组成一个像素。然而，像素可进一步包括一个或多个子像素。第一像素区域P1具有与第二像素区域P2和第三像素区域P3不同的构造。例如，第一像素区域P1包括布置在第二方向上的发光区域EA以及透明区域TA1和TA2。透明区域TA1和TA2包括第一透明区域TA1和第二透明区域TA2，并且第一透明区域TA1和第二透明区域TA2具有不同的透射率。此外，第二透明区域TA2分为第一部分和第二部分。第二透明区域TA2的第一部分可设置在发光区域EA与第一透明区域TA1之间，并且发光区域EA可设置在第二透明区域TA2的第一部分和第二部分之间。
此外，第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个包括布置在第二方向上的发光区域EA和透明区域，即，第一透明区域TA1。第二透明区域TA2的透射率可高于第一透明区域TA1的透射率。或者，第一透明区域TA1的透射率可高于第二透明区域TA2的透射率。在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个的发光区域EA中设置发光二极管(未示出)。此外，在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个的发光区域EA中设置至少一个薄膜晶体管和至少一个电容器。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA发射不同颜色的光。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可分别发射红色光、绿色光和蓝色光。此外，在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的第一透明区域TA1以及第一像素区域P1的第二透明区域TA2的每一个中可设置透射光的至少一个透明层(未示出)。设置在第一透明区域TA1和第二透明区域TA2中的层的类型和/或数量可彼此不同。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA具有不同的面积。例如，第二像素区域P2的发光区域EA的面积可大于第一像素区域P1的发光区域EA的面积并且小于第三像素区域P3的发光区域EA的面积。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的面积比可以是1:1.5:2。可基于设置在各个发光区域EA中的发光二极管的寿命确定第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的面积比，该面积比是可改变的。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可沿第一方向具有相同的宽度并且可沿第二方向具有不同的长度。例如，第二像素区域P2的发光区域EA的长度可大于第一像素区域P1的发光区域EA的长度并且小于第三像素区域P3的发光区域EA的长度。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的长度可具有1:1.5:2的比率。第一像素区域P1的发光区域EA的长度可等于或大于第一像素区域P1的发光区域EA的宽度。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的透明区域TA也可具有不同的总面积。透明区域的总面积是指各个像素区域P1、P2和P3中的第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的面积之和。例如，第二像素区域P2的透明区域的总面积，即，第二像素区域P2的第一透明区域TA1的面积小于第一像素区域P1的透明区域的面积，即，小于第一像素区域P1的第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的面积之和。此外，第二像素区域P2的透明区域的总面积大于第三像素区域P3的透明区域的总面积，即，大于第三像素区域P3的第一透明区域TA1的面积。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的透明区域的总面积可具有2:1.5:1的比率。
此外，第二像素区域P2的第一透明区域TA1的面积可等于第二像素区域P2的发光区域EA的面积。第一像素区域P1的第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的总面积可大于第一像素区域P1的发光区域EA的面积。第三像素区域P3的第一透明区域TA1的面积可小于第三像素区域P3的发光区域EA的面积。第一像素区域P1的发光区域EA和第二透明区域TA2的面积之和可等于第二像素区域P2的发光区域EA的面积。因此，第一像素区域P1的第一透明区域TA1的面积可等于第二像素区域P2的第一透明区域TA1的面积。
第一像素区域P1的第二透明区域TA2的总面积可小于第一像素区域P1的第一透明区域TA1的面积并且可小于或等于第一像素区域P1的发光区域EA的面积。第一像素区域P1的第二透明区域TA2的总面积可以是第一像素区域P1的发光区域EA的面积的1/2倍至1倍。
在根据本发明第四示例性实施方式的透明显示装置中，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可具有相同的面积。如上所述，在根据本发明第四示例性实施方式的透明显示装置中，仅在包括具有最短长度的发光区域EA的第一像素区域P1中设置第二透明区域TA2。这样，用于形成第一像素区域P1的发光层的相应喷嘴的数量可增加。因此，可减少扫描步骤的数量，并且可减少扫描所需的处理时间。在根据本发明第四示例性实施方式的透明显示装置中，当第二透明区域TA2的透射率低于第一透明区域TA1的透射率时，显示装置的透射率可增加，因为与第三示例性实施方式相比，形成在一个像素中的第二透明区域TA2的面积可减小。
在根据本发明的第四示例性实施方式中，仅第一像素区域P1可包括第二透明区域TA2。然而，可选地，第一像素区域P1和第二像素区域P2的每一个可包括发光区域EA、第一透明区域TA1和第二透明区域TA2，并且第三像素区域P3可包括发光区域EA和第一透明区域TA1。可通过堤部实现根据本发明第四示例性实施方式的透明显示装置的像素构造，如随后的附图中所示。
图11图解了根据本发明第四示例性实施方式的透明显示装置的堤部。在图11中，第一堤部BA1基本形成在基板(未示出)的整个表面上，并且第一堤部BA1具有分别位于第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3中的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3。第一开口OP1对应于第一像素区域P1的发光区域EA和第二透明区域TA2，第二开口OP2对应于第二像素区域P2的发光区域EA，并且第三开口OP3对应于第三像素区域P3的发光区域EA。第一开口OP1和第二开口OP2具有相同的尺寸并且小于第三开口OP3。或者，第一开口OP1可大于第二开口OP2并且小于第三开口OP3。
此外，与第一像素区域P1的发光区域EA和第二透明区域TA2之间的边界对应地形成第二堤部BA2。第二堤部BA2可配置成岛形状。尽管图11中未示出，但与第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个的发光区域EA对应地设置包括第一电极、发光层和第二电极的发光二极管。发光二极管通过第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的每一个发射光。
尽管第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3被示出为具有包括带角度的角部的四边形形状，但第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的形状不限于此。或者，第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可具有包括圆化角部的四边形形状，或者可具有圆形形状、椭圆形形状或四边形形状以外的其他多边形形状。
在根据本发明第四示例性实施方式的透明显示装置中，第一像素区域P1具有与根据第三示例性实施方式的透明显示装置的像素区域相同的结构。此外，第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个具有与根据第二示例性实施方式的透明显示装置的像素区域相同的结构。就是说，在根据本发明第四示例性实施方式的透明显示装置中，第一像素区域P1具有图9的剖面结构，并且第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个具有图5的剖面结构。此外，每个像素区域P1、P2和P3的发光区域EA可具有与图4相同的结构。
图12图解了根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置，并且显示了一个像素。在图12中，根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置包括在第一方向上延伸的栅极线(未示出)和在第二方向上延伸的数据线(未示出)。栅极线和数据线彼此交叉，由此限定第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3。栅极线和数据线可配置成与图2的第二示例性实施方式中的栅极线和数据线相同。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可顺序地布置在第一方向上。然而，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的布置顺序不限于此。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3分别对应于第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且第一子像素、第二子像素和第三子像素组成一个像素。然而，像素可进一步包括一个或多个子像素。
第一像素区域P1具有与第二像素区域P2和第三像素区域P3不同的构造。例如，第一像素区域P1包括布置在第二方向上的发光区域EA以及透明区域TA1和TA2。透明区域TA1和TA2包括第一透明区域TA1和第二透明区域TA2，并且第一透明区域TA1和第二透明区域TA2具有不同的透射率。第二透明区域TA2可设置在发光区域EA与第一透明区域TA1之间。
此外，第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个可包括布置在第二方向上的发光区域EA和透明区域，即，第一透明区域TA1。第二透明区域TA2的透射率可高于第一透明区域TA1的透射率。或者，第一透明区域TA1的透射率可高于第二透明区域TA2的透射率。
在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个的发光区域EA中设置发光二极管(图12中未示出)。此外，在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个的发光区域EA中设置至少一个薄膜晶体管和至少一个电容器。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可发射不同颜色的光。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可分别发射红色光、绿色光和蓝色光。此外，在第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的第一透明区域TA1以及第一像素区域P1的第二透明区域TA2的每一个中可设置透射光的至少一个透明层(未示出)。设置在第一透明区域TA1和第二透明区域TA2中的层的类型和/或数量可彼此不同。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可具有不同的面积。例如，第二像素区域P2的发光区域EA的面积可大于第一像素区域P1的发光区域EA的面积并且小于第三像素区域P3的发光区域EA的面积。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的面积比可以是1:1.5:2。可基于设置在各个发光区域EA中的发光二极管的寿命确定第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的面积比，该面积比是可改变的。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA可沿第一方向具有相同的宽度并且可沿第二方向具有不同的长度。例如，第二像素区域P2的发光区域EA的长度可大于第一像素区域P1的发光区域EA的长度并且小于第三像素区域P3的发光区域EA的长度。第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的发光区域EA的长度可具有1:1.5:2的比率。第一像素区域P1的发光区域EA的长度可等于或大于第一像素区域P1的发光区域EA的宽度。
第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的透明区域也可具有不同的总面积。透明区域的总面积是指每个像素区域P1、P2和P3中的第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的面积之和。例如，第二像素区域P2的透明区域的总面积，即，第二像素区域P2的第一透明区域TA1的面积小于第一像素区域P1的透明区域的面积，即，小于第一像素区域P1的第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的面积之和。第二像素区域P2的透明区域的总面积可大于第三像素区域P3的透明区域的总面积，即，大于第三像素区域P3的第一透明区域TA1的面积。例如，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的透明区域的总面积可具有2:1.5:1的比率。
此外，第二像素区域P2的第一透明区域TA1的面积可等于第二像素区域P2的发光区域EA的面积。第一像素区域P1的第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的总面积可大于第一像素区域P1的发光区域EA的面积。第三像素区域P3的第一透明区域TA1的面积可小于第三像素区域P3的发光区域EA的面积。
第一像素区域P1的发光区域EA和第二透明区域TA2的面积之和可等于第二像素区域P2的发光区域EA的面积。因此，第一像素区域P1的第一透明区域TA1的面积可等于第二像素区域P2的第一透明区域TA1的面积。第一像素区域P1的第二透明区域TA2的面积可小于第一像素区域P1的第一透明区域TA1的面积并且可小于或等于第一像素区域P1的发光区域EA的面积。第一像素区域P1的第二透明区域TA2的面积可以是第一像素区域P1的发光区域EA的面积的1/2倍至1倍。
在根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置中，第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3可具有相同的面积。如上所述，在根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置中，仅在包括具有最短长度的发光区域EA的第一像素区域P1中设置第二透明区域TA2。这样，用于形成第一像素区域的发光层的相应喷嘴的数量可增加。因此，可减少扫描步骤的数量，并且可减少扫描所需的处理时间。
在根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置中，当第二透明区域TA2的透射率低于第一透明区域TA1的透射率时，显示装置的透射率可增加。这是因为与第三示例性实施方式相比，形成在一个像素中的第二透明区域TA2的面积可减小。在根据本发明的第五示例性实施方式中，描述了仅第一像素区域P1可包括第二透明区域TA2。或者，第一像素区域P1和第二像素区域P2的每一个可包括发光区域EA、第一透明区域TA1和第二透明区域TA2，并且第三像素区域P3可包括发光区域EA和第一透明区域TA1。可通过堤部实现根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置的像素构造，如随后的附图中所示。
图13图解了根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置的堤部。在图13中，第一堤部BA1可基本形成在基板(未示出)的整个表面上，并且第一堤部BA1具有分别位于第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3中的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3。第一开口OP1对应于第一像素区域P1的发光区域EA和第二透明区域TA2，第二开口OP2对应于第二像素区域P2的发光区域EA，并且第三开口OP3对应于第三像素区域P3的发光区域EA。第一开口OP1和第二开口OP2可具有相同的尺寸并且小于第三开口OP3。或者，第一开口OP1可大于第二开口OP2并且小于第三开口OP3。
此外，与第一像素区域P1的发光区域EA和第二透明区域TA2之间的边界对应地形成第二堤部BA2。第二堤部BA2可配置成岛形状。尽管图13中未示出，但与第一像素区域P1、第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个的发光区域EA对应地设置包括第一电极、发光层和第二电极的发光二极管。发光二极管通过第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的每一个发射光。
尽管第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3被示出为具有包括带角度的角部的四边形形状，但第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的形状不限于此。或者，第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可具有包括圆化角部的四边形形状，或者可具有圆形形状、椭圆形形状或四边形形状以外的其他多边形形状。
将参照图14更详细地描述根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置的第一像素区域P1的剖面结构。
图14是图解根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置的第一像素区域的剖面图，除堤部和发光二极管之外，该剖面图具有与第三示例性实施方式相同的结构。将由相似的参考标记指代与第三示例性实施方式相同的部分，并将省略或缩短对相同部分的描述。在图14中，在基板400上限定有包括发光区域EA以及透明区域TA1和TA2的像素区域P。透明区域TA1和TA2包括第一透明区域TA1和第二透明区域TA2，并且第二透明区域TA2设置在发光区域EA与第一透明区域TA1之间。
缓冲层410形成在基板400上。缓冲层410基本设置在基板400的整个表面上。图案化的半导体层422在缓冲层410上形成于发光区域EA中。绝缘材料的栅极绝缘层430基本商在基板400的整个表面上方形成在半导体层422上。
诸如金属之类的导电材料的栅极电极432与半导体层422的中央对应地形成在栅极绝缘层430上。此外，可在栅极绝缘层430上形成栅极线(未示出)和第一电容器电极(未示出)。由绝缘材料制成的层间绝缘层440基本上在基板400的整个表面上方形成在栅极电极432上。层间绝缘层440具有暴露半导体层422的两端的顶表面的第一接触孔440a和第二接触孔440b。第一接触孔440a和第二接触孔440b设置在栅极电极432的两侧并且与栅极电极432分隔开。
诸如金属之类的导电材料的源极电极442和漏极电极444形成在层间绝缘层440上。此外，可在层间绝缘层440上进一步形成数据线(未示出)、电源线(未示出)和第二电容器电极(未示出)。源极电极442和漏极电极444彼此分隔开并使得栅极电极432位于源极电极442与漏极电极444之间，并且源极电极442和漏极电极444分别通过第一接触孔440a和第二接触孔440b与半导体层422的两端接触。半导体层422、栅极电极432、源极电极442和漏极电极444形成薄膜晶体管T。薄膜晶体管T具有共面结构。或者，薄膜晶体管可具有反向交错结构，并且半导体层可由氧化物半导体或非晶硅形成。
绝缘材料的钝化层450基本上在基板400的整个表面上方形成在源极电极442和漏极电极444上。钝化层450可具有平坦的顶表面，并且具有暴露漏极电极444的漏极接触孔450a。第一电极460形成在钝化层450上并且由具有相对较高功函数的导电材料形成。第一电极460设置在像素区域P的发光区域EA中并且通过漏极接触孔450a与漏极电极444接触。第一电极460不形成在第一透明区域TA1和第二透明区域TA2中。
绝缘材料的下堤部462形成在第一电极460和钝化层450上。下堤部462对应于发光区域EA与第二透明区域TA2之间的边界并且覆盖第一电极460的边缘。下堤部462可由具有亲水性的材料，例如，诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料形成。或者，下堤部462可由聚酰亚胺形成。
在钝化层450上形成绝缘材料的上堤部464。上堤部464的厚度比下堤部462的厚度厚。上堤部464可由具有疏水性的有机绝缘材料形成。上堤部464具有与发光区域EA和第二透明区域TA2对应的暴露第一电极460和下堤部462的开口464a。上堤部464与第一电极460的一端分隔开并且覆盖第一电极460的相对端。钝化层450的与第二透明区域TA2对应的顶表面可通过开口464a被暴露。上堤部464可具有与第一透明区域TA1对应的透射孔(未示出)。在这种情况下，钝化层450的与第一透明区域TA1对应的顶表面可通过透射孔被暴露。
发光层470形成在通过上堤部464的开口464a暴露的第一电极460、下堤部462和钝化层450上。发光层470可包括顺序地位于第一电极460上方的第一电荷辅助层472、发光材料层474和第二电荷辅助层476。发光材料层474可由红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中任意之一形成。发光材料可以是诸如磷光化合物或荧光化合物之类的有机发光材料，或者可以是诸如量子点之类的无机发光材料。
第一电荷辅助层472可以是空穴辅助层，并且空穴辅助层472可包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个。此外，第二电荷辅助层476可以是电子辅助层，并且电子辅助层476可包括电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)中的至少一个。或者，第一电荷辅助层472可以是电子辅助层，并且第二电荷辅助层476可以是空穴辅助层。
可通过溶液工艺形成空穴辅助层472和发光材料层474。当干燥溶液时，与上堤部464相邻的区域中的溶剂的干燥速度不同于其他区域中的干燥速度。因此，与上堤部464相邻的区域中的空穴辅助层472和发光材料层474的高度可随着越靠近上堤部464而升高。空穴辅助层472和发光材料层474设置在像素区域P的发光区域EA和第二透明区域TA2中而不设置在第一透明区域TA1中。
可通过真空蒸镀工艺形成电子辅助层476。电子辅助层476可基本形成在基板400的整个表面上方并且可设置在像素区域P的发光区域EA、第一透明区域TA1和第二透明区域TA2的全部中。然而，可在第一透明区域TA1中去除电子辅助层476。或者，可通过溶液工艺形成电子辅助层476。电子辅助层476可设置在像素区域P的发光区域EA和第二透明区域TA2中而不设置在第一透明区域TA1中。
具有相对较低功函数的导电材料的第二电极480基本上在基板400的整个表面上方形成在发光层470上。第二电极480可由铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)或其合金形成。第二电极480可具有相对较薄的厚度，使得来自发光层470的光可透过第二电极480。或者，第二电极480可由诸如氧化铟镓(IGO)之类的透明导电材料形成。第一电极460、发光层470和第二电极480构成发光二极管De。第一电极460可用作阳极，并且第二电极480可用作阴极。保护层和/或封装层(未示出)可基本上在基板400的整个表面上方形成在第二电极480上，以阻挡从外部进入的湿气或氧气，由此保护发光二极管De。
在根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置中，图13的第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个具有与根据第二示例性实施方式的透明显示装置的像素区域相同的结构。就是说，在根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置中，第二像素区域P2和第三像素区域P3的每一个具有图5的剖面结构。此外，在根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置中，图13的每个像素区域P1、P2和P3的发光区域EA可具有与图4相同的结构。如上所述，在根据本发明第五示例性实施方式的透明显示装置中，第二透明区域TA2可仅设置在第一像素区域P1的发光区域EA和第一透明区域TA1之间。
在上述示例性实施方式中，尽管一个像素的第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的透明区域被描述为彼此分离，但第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的透明区域可彼此连接，使得可基本上在一个像素中设置一个透明区域。透明区域可具有分别与第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域对应的不同的尺寸。在本发明中，第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的每一个可包括发光区域和透明区域，使得在通过发光区域显示图像信息的同时可通过透明区域一起显示周围的环境信息，比如背景。
此外，第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的发光区域的面积被制成为彼此不同，可优化第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的发光二极管的寿命，由此增加透明显示装置的寿命。此外，第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的发光区域的宽度相同，并且第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的发光区域的长度等于或大于发光区域的宽度。因此，利用本发明的特征，可通过溶液工艺形成发光二极管的发光层，并且可降低制造成本。
此外，第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域的透明区域中的至少一个包括具有不同透射率的第一透明区域和第二透明区域。可通过溶液工艺在发光区域中以及在第二透明区域中形成发光层。这样，用于形成发光层的相应喷嘴的数量可增加。因此，可减少扫描步骤的数量，并且可减少扫描所需的处理时间。
在不背离示例性实施方式的精神或范围的情况下，可在本发明的透明显示装置中进行各种修改和变化，这对于所属领域技术人员来说将是显而易见的。因而，本发明旨在涵盖落入所附权利要求书的范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。

Claims (23)

1.一种透明显示装置，包括：
包括发光区域和第一透明区域的基板；
位于所述基板上并且包括所述发光区域和所述第一透明区域的第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域；
位于所述基板上的第一堤部；
由所述第一堤部围绕并且对应于所述第一像素区域的第一开口；
由所述第一堤部围绕并且对应于所述第二像素区域的第二开口；
由所述第一堤部围绕并且对应于所述第三像素区域的第三开口；
与所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口中的至少一个交叠并且与所述第一堤部交叠的多个第二堤部；和
位于所述基板上的所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口中的发光二极管。
2.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第三像素区域的发光区域具有不同的面积尺寸，并且所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第三像素区域的第一透明区域具有不同的面积尺寸。
3.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中所述第二像素区域的发光区域大于所述第一像素区域的发光区域并且小于所述第三像素区域的发光区域，并且其中所述第二像素区域的第一透明区域小于所述第一像素区域的第一透明区域并且大于所述第三像素区域的第一透明区域。
4.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中所述发光二极管包括第一电极、发光层和第二电极。
5.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中所述第一堤部具有与所述第一透明区域对应的透射孔。
6.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中所述第一堤部具有疏水性，并且所述多个第二堤部具有亲水性。
7.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口包括第二透明区域和所述发光区域。
8.根据权利要求4所述的透明显示装置，其中所述第二电极位于所述发光区域和所述第一透明区域上。
9.根据权利要求8所述的透明显示装置，其中所述第二电极的位于所述第一透明区域上的部分高于所述第二电极的位于所述发光区域上的部分。
10.根据权利要求7所述的透明显示装置，其中所述多个第二堤部对应于所述第一像素区域的发光区域和第二透明区域之间的边界。
11.根据权利要求7所述的透明显示装置，其中所述第一像素区域的第一透明区域大于所述第一像素区域的第二透明区域，并且所述第一像素区域的第二透明区域位于所述第一像素区域的发光区域与所述第一像素区域的第一透明区域之间。
12.根据权利要求7所述的透明显示装置，其中所述发光二极管位于所述发光区域和所述第二透明区域中。
13.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中所述多个第二堤部中的相应第二堤部在所述第一像素区域中彼此分离第一距离，在所述第二像素区域中彼此分离第二距离，并且在所述第三像素区域中彼此分离第三距离。
14.根据权利要求13所述的透明显示装置，其中所述第一距离、所述第二距离和所述第三距离彼此不同。
15.根据权利要求14所述的透明显示装置，其中所述第三距离大于所述第二距离，并且所述第二距离大于所述第一距离。
16.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中所述多个第二堤部包括与所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第三像素区域之间的第一堤部交叠的部分。
17.根据权利要求16所述的透明显示装置，其中所述第二堤部中的与所述第一像素区域和所述第二像素区域之间的第一堤部交叠的部分彼此分离第一距离，并且所述第二堤部中的与所述第二像素区域和所述第三像素区域之间的第一堤部交叠的部分彼此分离与所述第一距离不同的第二距离。
18.根据权利要求17所述的透明显示装置，其中所述第二距离大于所述第一距离。
19.根据权利要求16所述的透明显示装置，其中所述第二堤部中的与所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第三像素区域之间的第一堤部交叠的部分具有不同的尺寸。
20.根据权利要求19所述的透明显示装置，其中所述第二堤部中的与所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第三像素区域之间的第一堤部交叠的部分在第一方向上具有不同的长度。
21.根据权利要求20所述的透明显示装置，其中所述第二堤部中的与所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第三像素区域之间的第一堤部交叠的部分在第二方向上具有相同的宽度。
22.根据权利要求1所述的透明显示装置，其中所述第一堤部具有第一高度，并且所述多个第二堤部具有与所述第一堤部不同的第二高度。
23.根据权利要求22所述的透明显示装置，其中所述多个第二堤部的所述第二高度小于所述第一堤部的第一高度。
CN201911149905.4A 2018-12-03 2019-11-21 透明显示装置 Active CN111261671B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180153734A KR102664157B1 (ko) 2018-12-03 2018-12-03 투명표시장치
KR10-2018-0153734 2018-12-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111261671A CN111261671A (zh) 2020-06-09
CN111261671B true CN111261671B (zh) 2023-06-23

Family

ID=70681435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911149905.4A Active CN111261671B (zh) 2018-12-03 2019-11-21 透明显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11063097B2 (zh)
KR (1) KR102664157B1 (zh)
CN (1) CN111261671B (zh)
DE (1) DE102019130733A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11289463B2 (en) * 2018-07-20 2022-03-29 PlayNitride Inc. Display panel
KR20200072928A (ko) * 2018-12-13 2020-06-23 엘지디스플레이 주식회사 부분 투명 표시장치
KR102613734B1 (ko) * 2018-12-24 2023-12-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20200119946A (ko) * 2019-04-10 2020-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20220352481A1 (en) * 2019-10-08 2022-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US11985841B2 (en) 2020-12-07 2024-05-14 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104425554A (zh) * 2013-08-21 2015-03-18 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示设备
CN107665904A (zh) * 2016-07-29 2018-02-06 乐金显示有限公司 电致发光显示装置
CN107819019A (zh) * 2017-11-02 2018-03-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5795804A (en) * 1996-03-07 1998-08-18 United Microelectronics Corporation Method of fabricating a stack/trench capacitor for a dynamic random access memory (DRAM)
US7235856B1 (en) * 1997-12-18 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Trench isolation for semiconductor devices
US7402467B1 (en) * 1999-03-26 2008-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6596598B1 (en) * 2000-02-23 2003-07-22 Advanced Micro Devices, Inc. T-shaped gate device and method for making
JP4831885B2 (ja) * 2001-04-27 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7244549B2 (en) * 2001-08-24 2007-07-17 Jsr Corporation Pattern forming method and bilayer film
TWI317365B (en) * 2002-07-31 2009-11-21 Jsr Corp Acenaphthylene derivative, polymer, and antireflection film-forming composition
US7303855B2 (en) * 2003-10-03 2007-12-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoresist undercoat-forming material and patterning process
KR100938065B1 (ko) * 2005-03-11 2010-01-21 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포토레지스트 하층막 형성 재료 및 패턴 형성 방법
US20060276024A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Jian Wang Process for forming an electronic device including workpieces and a conductive member therebetween
US7510922B2 (en) * 2006-01-26 2009-03-31 Freescale Semiconductor, Inc. Spacer T-gate structure for CoSi2 extendibility
US7598539B2 (en) * 2007-06-01 2009-10-06 Infineon Technologies Ag Heterojunction bipolar transistor and method for making same
JP4977561B2 (ja) * 2007-09-05 2012-07-18 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
KR101084240B1 (ko) 2009-12-21 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US8436404B2 (en) * 2009-12-30 2013-05-07 Intel Corporation Self-aligned contacts
KR101084189B1 (ko) * 2010-01-21 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101954981B1 (ko) * 2010-09-24 2019-03-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20120035039A (ko) * 2010-10-04 2012-04-13 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20120119430A (ko) * 2011-04-21 2012-10-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR20120124224A (ko) * 2011-05-03 2012-11-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101864332B1 (ko) 2011-12-21 2018-07-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자
KR101829890B1 (ko) * 2011-12-23 2018-02-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101472806B1 (ko) * 2012-01-30 2014-12-15 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 터치 패널을 포함하는 표시 장치
KR102050434B1 (ko) * 2012-10-31 2019-11-29 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
US8928090B2 (en) * 2012-10-31 2015-01-06 International Business Machines Corporation Self-aligned contact structure for replacement metal gate
KR102020805B1 (ko) * 2012-12-28 2019-09-11 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102035496B1 (ko) * 2012-12-31 2019-10-23 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US9691882B2 (en) * 2013-03-14 2017-06-27 International Business Machines Corporation Carbon-doped cap for a raised active semiconductor region
KR20150004652A (ko) * 2013-07-03 2015-01-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 이를 이용하는 영상 표시 방법
KR20150019989A (ko) * 2013-08-12 2015-02-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR102211965B1 (ko) * 2013-10-18 2021-02-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9412656B2 (en) * 2014-02-14 2016-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Reverse tone self-aligned contact
US9627612B2 (en) * 2014-02-27 2017-04-18 International Business Machines Corporation Metal nitride keyhole or spacer phase change memory cell structures
US9299608B2 (en) * 2014-05-19 2016-03-29 Globalfoundries Inc. T-shaped contacts for semiconductor device
KR102184784B1 (ko) * 2014-06-30 2020-11-30 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치
US9716160B2 (en) * 2014-08-01 2017-07-25 International Business Machines Corporation Extended contact area using undercut silicide extensions
KR102151475B1 (ko) * 2014-09-04 2020-09-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시패널 및 그 제조방법
US10347702B2 (en) * 2014-10-22 2019-07-09 Lg Display Co., Ltd. Flexible thin film transistor substrate and flexible organic light emitting display device
JP6474232B2 (ja) * 2014-11-05 2019-02-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102235578B1 (ko) * 2014-11-19 2021-04-02 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101661039B1 (ko) * 2014-12-30 2016-10-11 엘지디스플레이 주식회사 인-셀 방식 터치 센서를 구비한 초고 해상도 평판 표시장치
US9276013B1 (en) * 2015-01-21 2016-03-01 International Business Machines Corporation Integrated formation of Si and SiGe fins
KR102397400B1 (ko) * 2015-04-28 2022-05-13 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치 및 투명표시패널
KR102475504B1 (ko) * 2015-08-20 2022-12-09 엘지디스플레이 주식회사 투명표시패널 및 이를 포함하는 투명표시장치
KR102536628B1 (ko) * 2015-08-24 2023-05-26 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치
KR102448611B1 (ko) * 2015-10-30 2022-09-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10672708B2 (en) * 2015-11-30 2020-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Standard-cell layout structure with horn power and smart metal cut
TWI692872B (zh) * 2016-01-05 2020-05-01 聯華電子股份有限公司 半導體元件及其形成方法
KR102465377B1 (ko) * 2016-02-12 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10276662B2 (en) * 2016-05-31 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of forming contact trench
KR102007435B1 (ko) * 2016-08-02 2019-08-06 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시모듈 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR101818480B1 (ko) * 2016-10-31 2018-01-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180061777A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
KR20180076006A (ko) * 2016-12-27 2018-07-05 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US10026824B1 (en) * 2017-01-18 2018-07-17 Globalfoundries Inc. Air-gap gate sidewall spacer and method
KR102607697B1 (ko) * 2017-02-07 2023-11-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US10134866B2 (en) * 2017-03-15 2018-11-20 International Business Machines Corporation Field effect transistor air-gap spacers with an etch-stop layer
US10636910B2 (en) * 2017-05-30 2020-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device structure and method of forming the same
US10679891B2 (en) * 2017-06-30 2020-06-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of forming interconnect structures using a vacuum environment
JP6993809B2 (ja) * 2017-08-04 2022-01-14 キヤノン株式会社 表示装置およびその製造方法ならびに電子機器
CN107579171B (zh) * 2017-08-31 2019-07-30 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置
KR102014179B1 (ko) * 2017-12-08 2019-08-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 제조방법
DE112017008046T5 (de) * 2017-12-28 2020-06-18 Intel Corporation Pmos- und nmos-kontakte in einem gemeinsamen trench
KR102448843B1 (ko) * 2017-12-29 2022-09-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US10580875B2 (en) * 2018-01-17 2020-03-03 Globalfoundries Inc. Middle of line structures
US10325819B1 (en) * 2018-03-13 2019-06-18 Globalfoundries Inc. Methods, apparatus and system for providing a pre-RMG replacement metal contact for a finFET device
CN110299320B (zh) * 2018-03-21 2023-11-21 联华电子股份有限公司 半导体装置以及其制作方法
KR102458311B1 (ko) * 2018-04-11 2022-10-24 삼성전자주식회사 집적회로 소자
KR102583898B1 (ko) * 2018-04-30 2023-10-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
JP6754801B2 (ja) * 2018-05-23 2020-09-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
US10714578B2 (en) * 2018-05-30 2020-07-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods for forming recesses in source/drain regions and devices formed thereof
US10665506B2 (en) * 2018-06-27 2020-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device with reduced via bridging risk
US10763208B2 (en) * 2018-08-13 2020-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10672643B2 (en) * 2018-08-22 2020-06-02 International Business Machines Corporation Reducing off-state leakage current in Si/SiGe dual channel CMOS
KR102587878B1 (ko) * 2018-08-31 2023-10-11 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102608021B1 (ko) * 2018-09-03 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치 및 이의 제조 방법
KR102612036B1 (ko) * 2018-09-27 2023-12-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함한 전자 장치
KR102624512B1 (ko) * 2018-09-28 2024-01-15 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 제조방법
KR102607379B1 (ko) * 2018-10-05 2023-11-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102602670B1 (ko) * 2018-10-05 2023-11-17 삼성디스플레이 주식회사 입력 감지 유닛을 포함하는 표시 장치
KR102563782B1 (ko) * 2018-10-19 2023-08-04 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7153533B2 (ja) * 2018-10-30 2022-10-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11251224B2 (en) * 2018-10-31 2022-02-15 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
KR20200051075A (ko) * 2018-11-02 2020-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102639185B1 (ko) * 2018-11-07 2024-02-23 삼성디스플레이 주식회사 입력 감지 유닛을 포함하는 표시 장치
KR102612769B1 (ko) * 2018-11-09 2023-12-11 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR102528266B1 (ko) * 2018-11-16 2023-05-04 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR102623201B1 (ko) * 2018-11-29 2024-01-09 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR20200072928A (ko) * 2018-12-13 2020-06-23 엘지디스플레이 주식회사 부분 투명 표시장치
KR20200073544A (ko) * 2018-12-14 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200073549A (ko) * 2018-12-14 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102555624B1 (ko) * 2018-12-17 2023-07-14 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102651733B1 (ko) * 2018-12-20 2024-03-28 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN114913791B (zh) * 2018-12-31 2024-03-05 乐金显示有限公司 显示装置
KR20200082582A (ko) * 2018-12-31 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 영역 내에 관통-홀을 구비한 전계 발광 표시장치
US11152213B2 (en) * 2019-03-01 2021-10-19 International Business Machines Corporation Transistor device with ultra low-k self aligned contact cap and ultra low-k spacer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104425554A (zh) * 2013-08-21 2015-03-18 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示设备
CN107665904A (zh) * 2016-07-29 2018-02-06 乐金显示有限公司 电致发光显示装置
CN107819019A (zh) * 2017-11-02 2018-03-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111261671A (zh) 2020-06-09
DE102019130733A1 (de) 2020-06-04
US20200176530A1 (en) 2020-06-04
KR102664157B1 (ko) 2024-05-07
KR20200066959A (ko) 2020-06-11
US11063097B2 (en) 2021-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111261671B (zh) 透明显示装置
US11864425B2 (en) Electroluminescent display device having large size and high definition
US11398535B2 (en) Electroluminescent display device with bank between same color sub-pixels
CN111326549B (zh) 电致发光显示装置及其制造方法
CN113130565B (zh) 电致发光显示装置
US11605681B2 (en) Electroluminescent display device
CN111384111B (zh) 电致发光显示装置
US11903235B2 (en) Transparent display device
US11631724B2 (en) Electroluminescent display device with uneven pattern in non-display area
CN110021629B (zh) 电致发光显示装置
US11839108B2 (en) Transparent display device
US11864440B2 (en) Electroluminescent display device
US11658205B2 (en) Electroluminescent display device
KR20210072451A (ko) 전계발광 표시장치
US12052896B2 (en) Electroluminescent display device with bank between same color sub-pixels
US11825693B2 (en) Transparent display device
CN116437688A (zh) 电致发光显示装置
KR20230086182A (ko) 전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR20230102691A (ko) 전계발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant