CN111261477B - 一种双出口平行透镜 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种双出口平行透镜,包括:磁轭(1)、磁极(2)、线圈(3)、真空盒(4)。平行透镜磁极面有一个入口和两个出口,入口磁极边线形状为圆弧,两个出口边线形状为曲率不同的曲线。当线圈加一定电流后,带电离子束以一定角度由入口进入平行透镜,通过在磁场中路径长度不同,会以同一角度出射,达到离子束平行化的目的。磁极面两个出口,通过改变平行透镜电流方向,可以改变离子束的出口方向,从而实现两个方向离子束平行化。在离子注入机上,平行透镜的作用是通过磁场产生的磁场力,使带电离子在磁场中偏转不同的角度,从而使不同角度的离子束平行化,以同一角度注入晶圆。一般的平行透镜只有一个偏转方向,只能够对应一个靶室。本发明公开的平行透镜可以通过改变电流的方向,使离子束偏转进入不同的靶室,从而提高离子注入的产能。本发明涉及离子注入装置,隶属于半导体制造领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种集成电路制造装备,即离子注入机,特别地涉及一种用于离子注入机的一种双出口平行透镜。
背景技术
随着集成电路工艺技术的提高,对离子注入设备提出了更高的要求;随着先进工艺制程的发展,对于离子注入晶圆的角度和平行度要求更高,对于离子注入产能要求也更高。
本发明提供一种双出口平行透镜,可以在保证通过束流平行度和偏转角度的情况下,为两个靶室提供平行化的注入束流,提高离子注入机的产能。
发明内容
本发明公开了一种双出口平行透镜,在离子注入机工作过程中,平行透镜的作用是通过设计好的磁极形状,进入其中的离子束偏转不同的角度,从而保证离子束出射时角度一致。
一般的平行透镜只有一个入口与出口,其对应于一个靶台工作。本发明公开的一种双出口平行透镜,其磁极结构为左右对称设计,有一个入口和两个出口。通过改变电流方向,可以使离子束从中同的出口出射,从而同时服务于两个靶台工位,提高离子注入机的产能。
本发明通过以下技术方案实现:
1.一种双出口平行透镜,包括:磁轭(1)、磁极(2)、线圈(3)、真空盒(4)。平行透镜磁极面有一个入口和两个出口,入口磁极边线形状为圆弧,两个出口边线形状为曲率不同的曲线,当线圈加一定电流后,带电离子束以一定角度进入平行透镜,通过在磁场中路径长度不同,会以同一角度出射,达到离子束平行化的目的。磁极面两个出口,通过改变平行透镜电流方向,可以改变离子束的出口方向,从而实现两个方向离子束平行化。
2.如权利要求1所述的一种双出口平行透镜,其特征在于采用对称结构的磁极形状,磁极有一个入口边和两个出口边,通过改变平行透镜的电流,即可改变磁场的方向,从而使离子束分别从两个出口出射,达到不同的靶室区注入。
3.如权利要求1所述的一种双出口平行透镜,其特征在于入口边线形状为半径为R的圆弧。
4.如权利要求1所述的一种双出口平行透镜,其特征在于两个出口边线为曲线,曲线曲率经过特殊设计,可保证离子束经平行透镜后,以同一角度出射。
本发明具有如下显著优点:
1.体积小,重量轻。
2.具有两个出口,可同时对应2个靶台,产能是单出口平行透镜两倍。
附图说明
图1双出口平行透镜总装图
图2双出口平行透镜部件名称图
图3双出口平行透镜磁极示意图
图4双出口平行透镜加正向电流时数值仿真结果
图5双出口平行透镜加反向电流时数值仿真结果
具体实施方式
下面结合附图1、附图2、附图3、附图4、附图5对本发明作进一步的介绍,但不作为对本发明的限定。
参见图1、图2、图3、图4、图5,一种双出口平行透镜,包括:磁轭(1)、磁极(2)、线圈(3)、真空盒(4),平行透镜磁极面有一个入口和两个出口,入口磁极边线形状为圆弧,两个出口边线形状为曲率不同的曲线。当线圈加一定电流后,带电离子束以一定角度进入平行透镜,通过在磁场中路径长度不同,会以同一角度出射,达到离子束平行化的目的。磁极面两个出口,通过改变平行透镜电流方向,可以改变离子束的出口方向,从而实现两个方向离子束平行化。
在该实施方式中,采用对称结构的磁极形状,磁极有一个入口边和两个出口边,通过改变平行透镜的电流,即可改变磁场的方向,从而使离子束分别从两个出口出射,达到不同的靶室区注入。
在该实施方式中,平行透镜入口边线形状为半径为R的圆弧。
在该实施方式中,平行透镜两个出口边线为曲线,曲线曲率经过特殊设计,可保证离子束经平行透镜后,以同一角度出射。
本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言,在不背离本发明专利精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动,都构成对本发明专利的侵犯,将承担相应的法律责任。
Claims (2)
1.一种双出口平行透镜,包括:磁轭(1)、磁极(2)、线圈(3)、真空盒(4);所述磁极(2)位于中部,所述线圈(3)围合于所述磁极(2)的外侧,所述磁轭(1)位于所述线圈(3)的外侧,所述真空盒(4)位于所述磁极(2)的下方;其特征在于:平行透镜磁极面有一个入口和两个出口,入口磁极边线形状为圆弧,两个出口边线形状为曲率不同的曲线;当线圈加一定电流后,带电离子束以一定角度进入平行透镜,通过在磁场中路径长度不同,会以同一角度出射,达到离子束平行化的目的;磁极面两个出口,通过改变平行透镜电流方向,可以改变离子束的出口方向,从而实现两个方向离子束平行化。
2.如权利要求1所述的一种双出口平行透镜,其特征在于采用对称结构的磁极形状,磁极有一个入口边和两个出口边,通过改变平行透镜的电流方向,即可改变磁场的方向,从而使离子束分别从两个出口出射,达到不同的靶室区注入。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006351312A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
CN1979749A (zh) * | 2005-12-05 | 2007-06-13 | 北京中科信电子装备有限公司 | 均匀磁场平行束透镜*** |
CN1979750A (zh) * | 2005-12-05 | 2007-06-13 | 北京中科信电子装备有限公司 | 非均匀磁场平行束透镜*** |
JP2008243765A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | イオン注入装置 |
CN103107056A (zh) * | 2011-11-10 | 2013-05-15 | 北京中科信电子装备有限公司 | 宽带离子束分析器 |
CN104867803A (zh) * | 2014-09-11 | 2015-08-26 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于离子注入机的30°平行透镜 |
CN106653530A (zh) * | 2015-11-04 | 2017-05-10 | 北京中科信电子装备有限公司 | 新型宽带离子束调节透镜 |
CN107180736A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-09-19 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种提升注入离子平行性的装置及其方法 |
CN107221485A (zh) * | 2017-06-02 | 2017-09-29 | 东莞帕萨电子装备有限公司 | 一种离子束流调节装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7528390B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-05-05 | Axcelis Technologies, Inc. | Broad beam ion implantation architecture |
US7635850B2 (en) * | 2006-10-11 | 2009-12-22 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion implanter |
US7807983B2 (en) * | 2007-01-12 | 2010-10-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for reducing magnetic fields at an implant location |
JP6086819B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-03-01 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | 高エネルギーイオン注入装置 |
-
2018
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006351312A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
CN1979749A (zh) * | 2005-12-05 | 2007-06-13 | 北京中科信电子装备有限公司 | 均匀磁场平行束透镜*** |
CN1979750A (zh) * | 2005-12-05 | 2007-06-13 | 北京中科信电子装备有限公司 | 非均匀磁场平行束透镜*** |
JP2008243765A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | イオン注入装置 |
CN103107056A (zh) * | 2011-11-10 | 2013-05-15 | 北京中科信电子装备有限公司 | 宽带离子束分析器 |
CN104867803A (zh) * | 2014-09-11 | 2015-08-26 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于离子注入机的30°平行透镜 |
CN106653530A (zh) * | 2015-11-04 | 2017-05-10 | 北京中科信电子装备有限公司 | 新型宽带离子束调节透镜 |
CN107221485A (zh) * | 2017-06-02 | 2017-09-29 | 东莞帕萨电子装备有限公司 | 一种离子束流调节装置 |
CN107180736A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-09-19 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种提升注入离子平行性的装置及其方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
平行束磁透镜的研究;胡振东,孙雪平,彭立波;《电子工业专用设备》;20160720;第37-39页 * |
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Publication number | Publication date |
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