CN111259617A - 集成电路版图的设计方法 - Google Patents
集成电路版图的设计方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111259617A CN111259617A CN202010093226.6A CN202010093226A CN111259617A CN 111259617 A CN111259617 A CN 111259617A CN 202010093226 A CN202010093226 A CN 202010093226A CN 111259617 A CN111259617 A CN 111259617A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit layout
- integrated circuit
- circuit structure
- mth
- designing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供一种集成电路版图的设计方法,包括:第一步骤:提供n层电路布图层,第n电路布图层上均对应设计有第n电路结构;第二步骤:提供一基版;第三步骤:利用快捷键调用第m电路布图层,并根据金属线最小间隔的设计规则在第m电路结构侧添加高亮区;第四步骤:在远离所述第m电路结构的所述高亮区侧调用第m’电路结构;第五步骤:重复所述第三步骤和所述第四步骤直至集成电路版图的设计完成;第六步骤:清除所述基版上的所有的高亮区。根据金属线最小间隔的设计规则添加所述高亮区,使得集成电路在设计时就满足金属线最小间隔的设计规则,不需要运行DRC来检查是否存在满足金属线最小间隔的问题,从而避免了反复修改集成电路版图以及重复运行DRC的情况。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路设计技术领域,特别涉及一种集成电路版图的设计方法。
背景技术
现在的集成电路规模庞大,单一芯片上集成的晶体管数量已经达到数十亿计,如此庞大的晶体管数量在设计时难以保证不出任何问题,比如线路连接错误、位置冲突、空置管脚未做处理、短路、布线宽度不符合要求、走线间距不符合要求、走线长度不符合要求等常见问题,而在如此庞大数量的晶体管布局中找出问题,无异于大海捞针。
目前检查集成电路版图的设计是否存在问题的做法通常是:在集成电路版图设计完成之后,启动总体的设计规则以对layout的全局进行检查,称之为运行DRC(Design RuleCheck)。DRC的主要目的是检查版图中所有因违反设计规则而引起潜在断路、短路风险的物理验证过程。特别地,如果通过DRC发现集成电路版图设计存在走线间距不符合要求的问题,就需要重新修改原先画好的版图,并再次运行DRC,如果还有问题就还需要继续修改上一次修改过的集成电路版图,重复执行修改集成电路版图和运行DRC的步骤,直至运行DRC没有任何报错为止。但是随着芯片设计规模的不断增加,DRC更加费时费力,且不能完全地发现错误,由于效率低下,已严重影响到芯片开发周期。
发明内容
本发明的目的在于提供一种集成电路版图的设计方法,以解决只有通过运行DRC才能检查集成电路版图的设计是否存在问题的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种集成电路版图的设计方法,包括:
第一步骤:提供第一电路布图层、第二电路布图层至第n电路布图层,其中,所述第一电路布图层上设计有第一电路结构,所述第二电路布图层上设计有第二电路结构,以及所述第n电路布图层上设计有第n电路结构;
第二步骤:提供一基版;
第三步骤:在所述基版上利用快捷键调用第m电路布图层,并根据金属线最小间隔的设计规则在所述第m电路布图层的第m电路结构侧添加高亮区;
第四步骤:在远离所述第m电路结构的所述高亮区侧调用第m’电路布图层上的第m’电路结构;
第五步骤:重复所述第三步骤和所述第四步骤直至集成电路版图的设计完成;
第六步骤:清除所述基版上的所有的高亮区;
其中,n为大于或者等于2的正整数,m和m’均为小于或者等于n的正整数。
可选的,在所述集成电路版图的设计方法中,所述第m电路结构内部、所述第m’电路结构内部以及所述第m电路结构和所述第m’电路结构之间均满足金属线最小间隔的设计规则。
可选的,在所述集成电路版图的设计方法中,所述第m电路结构内部、所述第m’电路结构内部以及所述第m电路结构和所述第m’电路结构之间的金属线最小间隔均为0.3μm。
可选的,在所述集成电路版图的设计方法中,所述快捷键包括:第一按键,第二按键至第p按键,其中,p为大于或者等于2的正整数。
可选的,在所述集成电路版图的设计方法中,在所述第三步骤中,利用第r按键调用第m电路布图层,其中,r为小于或者等于p的正整数。
可选的,在所述集成电路版图的设计方法中,在所述第四步骤中,利用第s按键调用所述第m’层电路布图层上的所述第m’电路结构,其中,s为小于或者等于p的正整数。
可选的,在所述集成电路版图的设计方法中,在所述第三步骤中,利用第a按键添加所述高亮区,其中,a为小于或者等于p的正整数。
可选的,在所述集成电路版图的设计方法中,在所述第六步骤中,利用第b按键清除所述基版上的所述高亮区,其中,b为小于或者等于p的正整数。
可选的,在所述集成电路版图的设计方法中,所述第一电路布图层、所述第二电路布图层至所述第n电路布图层均满足重复调用的要求。
可选的,在所述集成电路版图的设计方法中,所述高亮区满足多次添加和多处添加的要求。
综上,本发明提供一种集成电路版图的设计方法,包括:第一步骤:提供n层电路布图层,第n电路布图层上均对应设计有第n电路结构;第二步骤:提供一基版;第三步骤:在所述基版上利用快捷键调用第m电路布图层,并根据金属线最小间隔的设计规则在第m电路结构侧添加高亮区;第四步骤:在远离所述第m电路结构的所述高亮区侧调用第m’电路结构;第五步骤:重复所述第三步骤和所述第四步骤直至集成电路版图的设计完成;第六步骤:清除所述基版上的所有的高亮区;其中,n为大于或者等于2的正整数,m和m’均为小于或者等于n的正整数。本发明中,根据金属线最小间隔的设计规则添加所述高亮区,使得集成电路在设计时就满足金属线最小间隔的设计规则,不需要运行DRC来检查是否存在不满足金属线最小间隔的问题,从而避免了反复修改集成电路版图以及重复运行DRC的情况,提高了工作效率,节省了芯片开发周期。
附图说明
图1是本发明实施例的集成电路版图的设计方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的液位传感装置及电池装置作进一步详细说明。根据下面说明,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外,附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的,各附图需要展示的侧重点不同,有时会采用不同的比例。
本发明提供一种集成电路版图的设计方法,参考图1,图1是本发明实施例的集成电路版图的设计方法流程图,所述集成电路版图的设计方法包括第一步骤S10、第二步骤S20、第三步骤S30、第四步骤S40、第五步骤S50及第六步骤S60。接下来详细说明本发明提供的集成电路版图的设计方法。
第一步骤S10:提供第一电路布图层、第二电路布图层至第n电路布图层,其中,所述第一电路布图层上设计有第一电路结构,所述第二电路布图层上设计有第二电路结构,以及所述第n电路布图层上设计有第n电路结构。其中,n为大于或者等于2的正整数。
第二步骤S20:提供一基版。
第三步骤S30:在所述基版上利用快捷键调用第m电路布图层,并根据金属线最小间隔的设计规则在所述第m电路布图层的第m电路结构侧添加高亮区。其中,m为小于或者等于n的正整数。具体的,所述快捷键包括:第一按键,第二按键至第p按键,其中,p为大于或者等于2的正整数。利用第r按键调用所述第m电路布图层,其中,r为小于或者等于p的正整数。进一步的,利用第a按键添加所述高亮区,其中,a为小于或者等于p的正整数。在本实施例中,所述第一电路布图层、所述第二电路布图层至所述第n电路布图层均满足重复调用的要求。
第四步骤S40:在远离所述第m电路结构的所述高亮区侧调用第m’电路布图层上的第m’电路结构。其中,m’为小于或者等于n的正整数。具体的,所述第m电路结构内部、所述第m’电路结构内部以及所述第m电路结构和所述第m’电路结构之间均满足金属线最小间隔的设计规则,例如,所述第m电路结构内部、所述第m’电路结构内部以及所述第m电路结构和所述第m’电路结构之间的金属线最小间隔均为0.3μm。进一步的,利用第s按键调用所述第m’层电路布图层上的第m’电路结构,其中,s为小于或者等于p的正整数。此外,本实施例中,在远离所述第m电路结构的所述高亮区侧也可以不调用所述第m’层电路布图层上的第m’电路结构,可以是在远离所述第m电路结构的所述高亮区侧重新设计新的电路结构。其中,根据金属线最小间隔的设计规则在所述基板上添加所述高亮区,使得集成电路在设计时就满足金属线最小间隔的设计规则,不需要运行DRC来检查是否存在不满足金属线最小间隔的问题,从而避免了反复修改集成电路版图以及重复运行DRC的情况,提高了工作效率,节省了芯片开发周期。
第五步骤S50:重复所述第三步骤和所述第四步骤直至集成电路版图的设计完成。具体的,在本实施例中,所述高亮区满足多次添加和多处添加的要求。因本发明的所述集成电路版图的设计方法的特性,完成集成电路版图的设计之后,不需要运行DRC来检查走线间距,因为在集成电路版图的设计过程中,所有的布线均满足金属线最小间隔的设计规则。
第六步骤S60:清除所述基版上的所有的高亮区。具体的,利用第b按键清除所述基版上的所述高亮区,其中,b为小于或者等于p的正整数。本实施例中,在清除所述高亮区之后,也可以通过运行DRC来检查集成电路版图的走线间距,从而双重保证集成电路版图的走线间距不存在问题。
综上,本发明提供一种集成电路版图的设计方法,包括:第一步骤:提供n层电路布图层,第n电路布图层上均对应设计有第n电路结构;第二步骤:提供一基版;第三步骤:在所述基版上利用快捷键调用第m电路布图层,并根据金属线最小间隔的设计规则在第m电路结构侧添加高亮区;第四步骤:在远离所述第m电路结构的所述高亮区侧调用第m’电路结构;第五步骤:重复所述第二步骤和所述第三步骤直至集成电路版图的设计完成;第六步骤:清除所述基版上的所有的高亮区;其中,n为大于或者等于2的正整数,m和m’均为小于或者等于n的正整数。本发明中,根据金属线最小间隔的设计规则添加所述高亮区,使得集成电路在设计时就满足金属线最小间隔的设计规则,不需要运行DRC来检查是否存在不满足金属线最小间隔的问题,从而避免了反复修改集成电路版图以及重复运行DRC的情况,提高了工作效率,节省了芯片开发周期。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述,并非对本发明范围的任何限定,本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰,均属于权利要求书的保护范围。
Claims (10)
1.一种集成电路版图的设计方法,其特征在于,包括:
第一步骤:提供第一电路布图层、第二电路布图层至第n电路布图层,其中,所述第一电路布图层上设计有第一电路结构,所述第二电路布图层上设计有第二电路结构,以及所述第n电路布图层上设计有第n电路结构;
第二步骤:提供一基版;
第三步骤:在所述基版上利用快捷键调用第m电路布图层,并根据金属线最小间隔的设计规则在所述第m电路布图层的第m电路结构侧添加高亮区;
第四步骤:在远离所述第m电路结构的所述高亮区侧调用第m’电路布图层上的第m’电路结构;
第五步骤:重复所述第三步骤和所述第四步骤直至集成电路版图的设计完成;
第六步骤:清除所述基版上的所有的高亮区;
其中,n为大于或者等于2的正整数,m和m’均为小于或者等于n的正整数。
2.根据权利要求1所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,所述第m电路结构内部、所述第m’电路结构内部以及所述第m电路结构和所述第m’电路结构之间均满足金属线最小间隔的设计规则。
3.根据权利要求2所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,所述第m电路结构内部、所述第m’电路结构内部以及所述第m电路结构和所述第m’电路结构之间的金属线最小间隔均为0.3μm。
4.根据权利要求1所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,所述快捷键包括:第一按键,第二按键至第p按键,其中,p为大于或者等于2的正整数。
5.根据权利要求4所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,在所述第三步骤中,利用第r按键调用第m电路布图层,其中,r为小于或者等于p的正整数。
6.根据权利要求4所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,在所述第四步骤中,利用第s按键调用所述第m’层电路布图层上的所述第m’电路结构,其中,s为小于或者等于p的正整数。
7.根据权利要求4所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,在所述第三步骤中,利用第a按键添加所述高亮区,其中,a为小于或者等于p的正整数。
8.根据权利要求4所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,在所述第六步骤中,利用第b按键清除所述基版上的所述高亮区,其中,b为小于或者等于p的正整数。
9.根据权利要求1所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,所述第一电路布图层、所述第二电路布图层至所述第n电路布图层均满足重复调用的要求。
10.根据权利要求1所述的集成电路版图的设计方法,其特征在于,所述高亮区满足多次添加和多处添加的要求。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010093226.6A CN111259617B (zh) | 2020-02-14 | 2020-02-14 | 集成电路版图的设计方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010093226.6A CN111259617B (zh) | 2020-02-14 | 2020-02-14 | 集成电路版图的设计方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111259617A true CN111259617A (zh) | 2020-06-09 |
CN111259617B CN111259617B (zh) | 2023-06-02 |
Family
ID=70945569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010093226.6A Active CN111259617B (zh) | 2020-02-14 | 2020-02-14 | 集成电路版图的设计方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111259617B (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1633658A (zh) * | 2001-08-29 | 2005-06-29 | 英芬能技术公司 | 集成电路芯片设计 |
CN108615746A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-10-02 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
-
2020
- 2020-02-14 CN CN202010093226.6A patent/CN111259617B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1633658A (zh) * | 2001-08-29 | 2005-06-29 | 英芬能技术公司 | 集成电路芯片设计 |
CN108615746A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-10-02 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111259617B (zh) | 2023-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7325218B2 (en) | Wiring method, program, and apparatus | |
US8381160B2 (en) | Manufacturing method, manufacturing program and manufacturing system for semiconductor device | |
CN105488244B (zh) | 用于设计半导体装置的方法和*** | |
US20190251224A1 (en) | Method for legalizing mixed-cell height standard cells of ic | |
US7380227B1 (en) | Automated correction of asymmetric enclosure rule violations in a design layout | |
US20120180014A1 (en) | Method of context-sensitive, trans-reflexive incremental design rule checking and its applications | |
CN112908989B (zh) | 半导体布局结构及其设计方法 | |
CN108959693B (zh) | 设计集成电路的方法,以及制造集成电路的方法 | |
CN100489868C (zh) | 验证drc配置文件的方法 | |
CN109543308B (zh) | 一种验证设计规则检查脚本的方法 | |
CN111259617A (zh) | 集成电路版图的设计方法 | |
CN109492273B (zh) | 一种基于通孔的自动打孔方法 | |
US6477696B2 (en) | Routing definition to optimize layout design of standard cells | |
CN116344441B (zh) | 一种芯片封装方法及计算机可读存储介质 | |
JP2006155119A (ja) | Lsi物理設計方法、プログラム及び装置 | |
US20060097395A1 (en) | Integrated circuit design for routing an electrical connection | |
CN110852029B (zh) | 半导体芯片及其版图设计方法、装置 | |
JP2006165091A (ja) | 半導体集積装置、その設計方法、設計装置、およびプログラム | |
JP2009026045A (ja) | 半導体集積回路のレイアウト作成装置および半導体集積回路の製造方法 | |
US20170329889A1 (en) | Method for verifying a layout designed for a semiconductor integrated circuit and a computer system for performing the same | |
US20090307648A1 (en) | Through-hole layout apparatus that reduces differences in layout density of through-holes | |
US20010045572A1 (en) | Semiconductor interated circuit and method of manufacturing the same | |
JP2008210983A (ja) | 信頼性設計支援方法 | |
US10061884B2 (en) | Dummy pattern filling method | |
US7861208B2 (en) | Structure for partitioned dummy fill shapes for reduced mask bias with alternating phase shift masks |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |