CN111252805A - 一种新型氧化锌材料的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种新型氧化锌材料的制备方法,该方法包括如下步骤:取蓝宝石基片作为生长衬底,并对其进行清洗;选用ZnO作为靶材,采用了脉冲激光沉积技术,通入氧气流,并控制在特定温度下生长一段时长,待生长结束后,自然冷却至室温,便得到ZnO籽晶层;称取一定量的乙酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)和六次甲基四胺(HMTA),浓度配比设定为1:1,将其充分溶解,从而配得反应液;将ZnO籽晶层基片放入聚四氟乙烯反应釜中,倒入配制好的反应液,密封后放入恒温干燥箱中,设置一定的反应时间和反应温度,使其在水溶液中生长;并通过控制不同前驱浓度、反应时间和温度,观察ZnO纳米材料的形状。本发明中前驱体浓度、反应时间和温度对氧化锌纳米棒的生长过程会造成显著影响。

Description

一种新型氧化锌材料的制备方法
技术领域
本发明涉及氧化锌制备技术领域,尤其涉及一种新型氧化锌材料的制备方法。
背景技术
氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,对应的响应波长在380nm左右,激子束缚能高达60meV,使ZnO在室温下也发生激子吸收和复合,且其光增益系数高达300cm-1,由于ZnO体积小,制备简单、响应波段窄,灵敏度高等优点,使得ZnO迅速成国际研究的热点,而纳米级的ZnO具有更多的优异的性能,如压电效应、近紫外光电效应、生物兼容性、透明导电现象等,可以压电材料领域、紫外光激发探测领域、太阳能电池领域、气体传感器等领域得到应用,这些不同的应用使得ZnO材料具有广泛的研究价值。
ZnO纳米结构也被用于目前在消费市场上可用的许多商业产品,ZnO纳米结构的物理化学,结构和形貌特征主要取决于它们的合成过程,此前已经有个相关的制造技术,如纳米粒子、纳米棒、纳米线、纳米带、纳米管、纳米片和纳米球,还有由低维纳米材料构建的分层结构,例如纳米片组装的花状结构,Mn掺杂的氧化锌纳米球,纳米片组装的三维结构等,但是制备各种ZnO纳米结构均采用各自的方式,同为制备ZnO纳米结构方式却各不相同,使得其晶体的制备工艺过于繁杂,尤其当需要改变晶体结构的时候,制备工艺的更换成本较大。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,如:现有的制备ZnO方式,需要经过多次过滤才能得到所需的纳米结构,而提出的一种新型氧化锌材料的制备方法。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种新型氧化锌材料的制备方法,该方法包括如下步骤:
S1:取蓝宝石基本作为生长衬底,对其进行清洗;
S2:选用ZnO作为靶材,采用脉冲激光沉积技术,通入氧气流,并控制在特定温度下生长一段时长,待生长结束后,自然冷却至室温,便得到ZnO籽晶层;
S3:称取一定量的乙酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)和六次甲基四胺(HMTA),浓度配比设定为1:1,将其充分溶解,从而配得反应液;
S4:将ZnO籽晶层基片放入聚四氟乙烯反应釜中,倒入配制好的反应液,密封后放入恒温干燥箱中,设置一定的反应时间和反应温度,使其在水溶液中生长;
S5:反应完成后待自然冷却,将生长好的基片从反应釜中取出,去除表面多余的反应液,将其浸泡在去离子水中一段时间后烘干。
优选的,本方法还包括:将反应液的沉淀物从反应釜中取出。
优选的,所述将反应液的沉淀物从反应釜中取出的方法具体为:将全部反应液倒入烧杯中,在烧杯中加入去离子水,静置到溶液分层,将上层清液分离出;测定所述上层清液的pH值为中性后,依次加入去离子水和无水甲醛进行离心分离,将分离得到的样品移入到70℃的恒温干燥箱中烘干。
优选的,步骤S3和S4中,乙酸锌浓度为6.25-30mM,反应温度为95℃,反应时间为5h。
优选的,步骤S3和S4中,乙酸锌浓度为20mM,反应温度为95℃,反应时间为5-10h。
优选的,步骤S3和S4中,乙酸锌浓度为30mM,反应温度为95-160℃,反应时间为8h。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、随着前驱体浓度的增加,氧化锌纳米材料的形貌逐渐均一化生长,纳米棒的长度是不断增长的;当前驱体浓度相对较低时,氧化锌晶体的生长模式尚不统一,所以得到的氧化锌有纳米棒花簇、单根纳米棒、纳米带;当增加前驱体浓度时,生长的ZnO的形貌向纳米棒均匀生长,其长度和直径不断增加,长径比较大,而且其纳米棒花簇形貌也由镜面对称转向球心对称;进一步增加前驱体浓度为30mM时,纳米棒的长度反而降低,直径增大,导致长径比减小;说明了氧化锌纳米棒的形貌与前驱体浓度有关,前驱体浓度的高低对氧化锌纳米棒的生长过程会造成显著影响。
2、随反应时间的增长,ZnO纳米棒的长度不断增加,直径先增加后减小,总体的长径比值变大;分析其生长原理,在反应时间较短时,ZnO晶体生长不完全,表现为不规则的纳米棒团簇状态,且顶端未成型;而当反应时间增加时,ZnO纳米棒沿长度方向优势生长,长径比增加,且顶端长成典型的六棱柱状,但是当反应时间增加至10h后,纳米棒不再聚集生长,变为单根杂乱的纳米柱,长径比进一步增加,说明了反应时间对ZnO纳米棒的形貌会产生显著的影响。
3、随着反应温度的升高,ZnO纳米材料的形貌发生了明显的变化,反应温度较低时,沙漏状的ZnO纳米材料由纳米棒团簇聚集而成,随着反应温度上升为130°C,ZnO变为由纳米片自组装的花瓣形状,当反应温度升高到160°C时,水热生长的ZnO形成了由纳米片自组装而成纳米花和纳米花球。
附图说明
图1a为实施例2中乙酸锌浓度为6.25 mM时合成的ZnO的SEM图;
图1b为实施例2中乙酸锌浓度为15 mM时合成的ZnO的SEM图;
图1c为实施例2中乙酸锌浓度为25 mM时合成的ZnO的SEM图;
图1d为实施例2中乙酸锌浓度为30 mM时合成的ZnO的SEM图;
图2a为实施例3中反应时间为5h时合成的ZnO的SEM图;
图2b为实施例3中反应时间为6h时合成的ZnO的SEM图;
图2c为实施例3中反应时间为8h时合成的ZnO的SEM图;
图2d为实施例3中反应时间为10h时合成的ZnO的SEM图;
图3a为实施例4中反应温度为95°C时合成的ZnO的SEM图;
图3b为实施例4中反应温度为130°C时合成的ZnO的SEM图;
图3c为实施例4中反应温度为160°C,反应时间为8h时合成的ZnO的SEM图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
实施例1:
本实施例提供一种新型氧化锌材料的制备方法,方法步骤如下:
S1:取蓝宝石基片作为生长衬底,对其进行清洗;本实施例中,为了有效地去除衬底表面的油污,先后对其通过丙酮、异丙醇、无水甲醛、去离子水分别超声清洗,待清洗干净之后用氮气吹干备用;
S2:选用ZnO作为靶材,采用脉冲激光沉积技术,通入氧气流,并控制在特定温度下生长一段时长,待生长结束后,自然冷却至室温,便得到ZnO籽晶层;在本实施例中,采用248nm的KrF准分子激光器为激光源,工作频率在2HZ,激光能量为300mJ,选用ZnO作为靶材,蓝宝石作为衬底,背底真空设置为10-4Pa,将氧气流量控制在0.5sccm,在600°C的生长温度下生长10min,待生长结束后,自然冷却至室温,便得到ZnO籽晶层;
S3:称取一定量的乙酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)和六次甲基四胺(HMTA),浓度配比设定为1:1,将其充分溶解,从而配得反应液;为了使其能够充分溶解,可将其溶解在去离子水中,磁力搅拌器搅拌10min;
S4:将ZnO籽晶层基片放入聚四氟乙烯反应釜中,倒入配制好的反应液,密封后放入恒温干燥箱中,设置一定的反应时间和反应温度,使其在水溶液中生长;
S5:反应完成后待自然冷却,将生长好的基片从反应釜中取出,去除表面多余的反应液,将其浸泡在去离子水中一段时间后烘干。具体地,本步骤为待反应完成后将反应釜取出自然冷却至室温,将生长好的基片和反应液中的沉淀物从反应釜中取出,用去离子水和无水甲醛反复浸泡生长好的基片,去除表面多余反应液,烘干后放入干燥箱内。
进一步地,将反应液中的沉淀物从反应釜中取出的步骤具体为,可将全部反应液倒入一个1000ml的大烧杯中,加入500ml去离子水,然后静置到溶液分层,将上层清液分离出。当测试反应液pH值为中性后,依次加入去离子水和无水乙醇进行离心分离,离心机的转速为3000rpm。然后将收集到的样品移入到70℃的恒温干燥箱中烘干。反应液中的沉淀物由此分离出来。
本发明进一步探究了不同前驱体浓度、反应时间和温度对ZnO纳米形貌的影响。
实施例2
本实施例提供另一种新型氧化锌材料的制备方法,旨在探究不同前驱体浓度对ZnO形貌的影响。在上述实施例的基础上,选取200nm厚的蓝宝石衬底,在该衬底上生长ZnO籽晶层。为了探究不同前驱体浓度对ZnO形貌的影响,将S3和S4中反应温度设定为95℃,反应时间设定为5h并保证乙酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)和HMTA配置浓度比为1:1的前提下,分别取乙酸锌浓度为6.25 mM、15mM、25mM和30mM时观察ZnO纳米材料形貌,如图1中(a)1-(d)1中所述,随着前驱体浓度由6.25 mM增加至30mM时,在籽晶层上生长的一层薄膜的厚度由1µm不断增加至4.8µm,然而继续增加前驱体浓度时,薄膜反而迅速降低为1.9µm。这说明随着前驱体浓度的增加,氧化锌薄膜的厚度是不断增长的。当前驱体浓度相对较低时,氧化锌晶体的生长过程尚不完全,得到的氧化锌薄膜生长不均匀且不致密,顶部不平滑,薄膜质量较差,如图1(a)1所示。随着驱体浓度不断增大时,氧化锌薄膜的生长方向是沿着轴向方向不断生长,ZnO薄膜高度会持续增加。但是这种增加幅度是有限的。当浓度增大至30 mM 时,如图1(d)1所示,氧化锌薄膜沿着轴向方向的生长会减缓,不再增大。如图1(a)2-3俯视图所示,当乙酸锌浓度为6.25 mM时,ZnO籽晶层生长为约8µm长的镜面对称的纳米棒花簇;或者长约10µm、直径长达3µm的单根纳米棒状,或者长度不均、约1µm宽的ZnO纳米带;如图1(b)2-3俯视图所示,当乙酸锌浓度为15 mM时,ZnO籽晶层形貌逐渐一致生长为纳米棒状;部分纳米棒呈现中端聚集在一起的两端对称的花簇形貌,如沙漏状,直径不一,长度约在11µm; 其余大部分为单根纳米棒状,长度在11µm-18µm之间,平均直径为4µm;如图1(c)2-3俯视图所示,当乙酸锌浓度为25 mM时,花簇状的ZnO纳米棒呈现中心放射的海胆状,长度约为12µm,直径较均匀为1.4µm;如图1(d)2-3俯视图所示,当乙酸锌浓度为30 mM时,纳米棒花簇的开始沿径向生长,横向长度减小,中心直径增加至2µm,长度约10µm。
由此得知,随着前驱体浓度的增加,氧化锌纳米材料的形貌逐渐均一化生长,纳米棒的长度是不断增长的。当前驱体浓度相对较低时,氧化锌晶体的生长模式尚不统一,所以得到的氧化锌有纳米棒花簇、单根纳米棒、纳米带。当增加前驱体浓度时,生长的ZnO的形貌向纳米棒均匀生长,其长度和直径不断增加,长径比较大,而且其纳米棒花簇形貌也由镜面对称转向球心对称。进一步增加前驱体浓度为30mM时,纳米棒的长度反而降低,直径增大,导致长径比减小,说明了氧化锌纳米棒的形貌与前驱体浓度有关,前驱体浓度的高低对氧化锌纳米棒的生长过程会造成显著影响。
实施例3:
本实施例提供另一种新型氧化锌材料的制备方法,旨在探究不同反应时间对ZnO形貌的影响。在上述实施例的基础上,为了探究不同反应时间对ZnO形貌的影响,将S3和S4中的乙酸锌浓度配置为20 mM,反应温度设置为95℃时,反应时间分别为5h、6h、8h、10h时,观察ZnO纳米棒的形状和长径比。如图2(a)所示,当反应时间为5h时,纳米棒为中端聚集的尺寸较短的沙漏状,长度约为9µm,纳米棒顶端形状不规则;如图2(b)所示,当反应时间为6h时,ZnO纳米棒为形状规则的纳米花柱,长度增加到11µm,直径统一为1µm,并且纳米棒顶端变现为ZnO典型的六棱柱形貌,纳米棒直径为2µm;如图2(c)所示,当反应时间为8h时,ZnO纳米棒以单根六角棱柱为中心,不规则纳米棒不断堆叠在外的沙漏状,长度也进一步增加为17µm,中心六角棱柱的直径达到4µm;如图2(d)所示,当反应时间为10h时,ZnO的形貌有团簇层叠的状态变为较分散的杂乱的类单根纳米棒状态,长度增至36µm,最短的也在10µm以上。因此可知,随反应时间的增长,ZnO纳米棒的长度不断增加,直径先增加后减小,总体的长径比值变大。分析其生长原理,在反应时间较短时,ZnO晶体生长不完全,表现为不规则的纳米棒团簇状态,且顶端未成型。而当反应时间增加时,ZnO纳米棒沿长度方向优势生长,长径比增加,且顶端长成典型的六棱柱状,但是当反应时间增加至10h后,纳米棒不再聚集生长,变为单根杂乱的纳米柱,长径比进一步增加,说明了反应时间对ZnO纳米棒的形貌会产生显著的影响。
实施例4:
本实施例提供另一种新型氧化锌材料的制备方法,旨在探究不同温度对ZnO形貌的影响。在上述实施例的基础上,为了探究不同温度对ZnO形貌的影响,将S3和S4中乙酸锌浓度配置为30mM,反应时间设置为8h时,反应温度分别为95℃、130℃和180℃,观察ZnO纳米材料的形貌的变化。如图3(a)所示,当反应温度为95℃时,沙漏状的ZnO纳米材料由纳米棒团簇聚集而成;随着反应温度上升为130℃,ZnO变为由纳米片自组装的花瓣形状,如图3(b)所示;当反应温度升高到160℃时,如图3(c1)和(c2)所示,水热生长的ZnO形成了由纳米片自组装而成纳米花和纳米花球。即随着反应温度的升高,ZnO纳米材料的形貌发生了明显的变化。
所述以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种新型氧化锌材料的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
S1:取蓝宝石基片作为生长衬底,并对其进行清洗;
S2:选用ZnO作为靶材,采用脉冲激光沉积技术,通入氧气流,并控制在特定温度下生长一段时长,待生长结束后,自然冷却至室温,便得到ZnO籽晶层;
S3:称取一定量的乙酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)和六次甲基四胺(HMTA),浓度配比设定为1:1,将其充分溶解,从而配得反应液;
S4:将ZnO籽晶层基片放入聚四氟乙烯反应釜中,倒入配制好的反应液,密封后放入恒温干燥箱中,设置一定的反应时间和反应温度,使其在水溶液中生长;
S5:反应完成后待自然冷却,将生长好的基片从反应釜中取出,去除表面多余的反应液,将其浸泡在去离子水中一段时间后烘干。
2.根据权利要求1所述的一种新型氧化锌材料的制备方法,其特征在于,该方法还包括:将反应液的沉淀物从反应釜中取出。
3.根据权利要求2所述的一种新型氧化锌材料的制备方法,其特征在于,所述将反应液的沉淀物从反应釜中取出的方法具体为:将全部反应液倒入烧杯中,在烧杯中加入去离子水,静置到溶液分层,将上层清液分离出;测定所述上层清液的pH值为中性后,依次加入去离子水和无水甲醛进行离心分离,将分离得到的样品移入到70℃的恒温干燥箱中烘干。
4.根据权利要求1所述的一种新型氧化锌材料的制备方法,其特征在于,步骤S3和S4中,所述乙酸锌浓度为6.25-30mM,反应温度为95℃,反应时间为5h。
5.根据权利要求1所述的一种新型氧化锌材料的制备方法,其特征在于,步骤S3和S4中,所述乙酸锌浓度为20mM,反应温度为95℃,反应时间为5-10h。
6.根据权利要求1所述的一种新型氧化锌材料的制备方法,其特征在于,步骤S3和S4中,所述乙酸锌浓度为30mM,反应温度为95-160℃,反应时间为8h。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220081312A1 (en) * 2020-09-16 2022-03-17 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University Method for preparing sea urchin-shaped zinc oxide nanowire

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103050640A (zh) * 2013-01-29 2013-04-17 哈尔滨工业大学 一种氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备方法
CN103397382A (zh) * 2013-04-01 2013-11-20 济南大学 氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法
CN103774224A (zh) * 2014-01-02 2014-05-07 河南科技大学 一种内部原位形成介孔结构的氧化锌晶体的方法
CN104229862A (zh) * 2014-02-23 2014-12-24 济南大学 一种制备交叉型氧化锌纳米线阵列的方法
CN104928753A (zh) * 2015-07-10 2015-09-23 厦门大学 一种制备氧化锌纳米网状结构的方法
CN107316927A (zh) * 2017-08-17 2017-11-03 滨州学院 一种核壳结构发白光器件及其制备方法
CN107991350A (zh) * 2017-11-17 2018-05-04 济南大学 一种棒状ZnO/ZIF-8的制备及其低温H2敏感效应

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103050640A (zh) * 2013-01-29 2013-04-17 哈尔滨工业大学 一种氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备方法
CN103397382A (zh) * 2013-04-01 2013-11-20 济南大学 氧化锌纳米棒阵列薄膜的制备方法
CN103774224A (zh) * 2014-01-02 2014-05-07 河南科技大学 一种内部原位形成介孔结构的氧化锌晶体的方法
CN104229862A (zh) * 2014-02-23 2014-12-24 济南大学 一种制备交叉型氧化锌纳米线阵列的方法
CN104928753A (zh) * 2015-07-10 2015-09-23 厦门大学 一种制备氧化锌纳米网状结构的方法
CN107316927A (zh) * 2017-08-17 2017-11-03 滨州学院 一种核壳结构发白光器件及其制备方法
CN107991350A (zh) * 2017-11-17 2018-05-04 济南大学 一种棒状ZnO/ZIF-8的制备及其低温H2敏感效应

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
FANG-HSING WANG ET AL.: "Hydrothermally Grown ZnO Nanoflowers on a Template-Assisted Ordered Seed Array", 《PROCEEDINGS OF ENGINEERING AND TECHNOLOGY INNOVATION》 *
FULVIO CARUSO ET AL.: "Well-aligned hydrothermally synthesized zinc oxide nanorods on p-gan without a seed layer", 《IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY》 *
JAYAH ET AL.: "High electron mobility and low carrier concentration of hydrothermally grown ZnO thin films on seeded a-plane sapphire at low temperature", 《NANOSCALE RESEARCH LETTERS》 *
张万成: "FTO导电玻璃和Al_2O_3蓝宝石衬底上掺钴氧化锌的制备和研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 *
李阳: "低温CBD方法制备ZnO纳米材料", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技I辑》 *
臧臧: "纳米ZnO的制备与光催化性能研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220081312A1 (en) * 2020-09-16 2022-03-17 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University Method for preparing sea urchin-shaped zinc oxide nanowire
US11685665B2 (en) * 2020-09-16 2023-06-27 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University Method for preparing sea urchin-shaped zinc oxide nanowire

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