CN111225496B - 一种金属半包边结构制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种金属半包边结构、制作工艺及PCB,包括多个电镀在PCB的板边侧面上的金属半包铜;多个所述金属半包铜沿所述板边侧面间隔设置,所述金属半包铜的形状为矩形,多个所述金属半包铜的同一侧边与所述PCB的一面连接,所述金属半包铜沿所述PCB的厚度方向的长度等于所述PCB的厚度的1/3~2/3。本发明实施例提供的一种金属半包边结构、制作工艺及PCB,通过间隔设置的金属半包铜,能够进一步消除“Stub”对信号完整性的影响,增强PCB的抗干扰性能。
Description
技术领域
发明属于PCB制作技术领域,尤其涉及一种金属半包边结构制作工艺。
背景技术
PCB的过孔处易产生“Stub”分叉,造成信号干扰、反射、振铃等问题,会导致传输信号完整性变差。
现有技术主要通过将通孔设计成背钻孔,以消除“Stub”对信号完整性的影响。
然而,仅通过背钻孔的设计,不足以完全消除“Stub”对信号完整性的影响,因此亟需一种新的结构以进一步削弱“Stub”对信号完整性的影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种金属半包边结构制作工艺及PCB,以解决上述技术问题。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
第一方面,本发明提供了一种金属半包边结构,包括多个电镀在PCB的板边侧面上的金属半包铜;
多个所述金属半包铜沿所述板边侧面间隔设置,所述金属半包铜的形状为矩形,多个所述金属半包铜的同一侧边与所述PCB的一面连接。
可选地,所述金属半包铜沿所述PCB的厚度方向的长度等于所述PCB的厚度的1/3~2/3。
可选地,所述金属半包铜的形状为正方形。
可选地,所述金属半包铜的宽度等于所述PCB的厚度的1/2。
可选地,多个所述金属半包铜沿所述板边侧面等间距设置。
第二方面,本发明还提供了一种金属半包边结构制作工艺,包括:
电镀工序,在PCB的板边侧面上依次镀铜和镀锡;
控深铣工序,将所述板边侧面的上部分或下部分处的锡铣掉;
钻孔工序,将不需要金属包边的锡层钻掉,裸露出铜层,使剩余的锡层将需要金属包边的铜层保护起来,且每一处的锡面形状为矩形;
蚀刻工序,蚀刻裸露出来的铜层,再进行退掉其余部位的锡层,使需要金属包边的铜层露出来,从而实现金属半包边。
可选地,所述控深铣工序包括:
沿单PCS板的任一板边方向对整PNL板进行整板控深铣;
在完成所述任一板边方向的整板控深铣后,沿所述单PCS板的其他板边方向对所述整PNL板进行整板控深铣;
所述钻孔工序包括:
沿单PCS板的任一板边方向对所述整PNL板进行整板钻孔;
在完成所述任一板边方向的整板钻孔后,沿所述单PCS板的其他板边方向对所述整PNL板进行整板钻孔;
其中,所述整PNL板包括多个所述单PCS板。
可选地,在所述控深铣工序之前还包括:
第一分堆工序,根据所述PCB的涨缩系数对多个所述PCB进行一次分堆。
可选地,在所述控深铣工序之前还包括:
第二分堆工序,根据所述PCB的厚度对多个所述PCB进行二次分堆。
第三方面,本发明还提供了一种PCB,所述PCB的板边侧面设有如上所述的金属半包边结构。
与现有技术相比,本发明实施例具有以下有益效果:
本发明实施例提供的一种金属半包边结构、制作工艺及PCB,通过间隔设置的金属半包铜,能够进一步消除“Stub”对信号完整性的影响,增强PCB的抗干扰性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
本说明书所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技术的人士了解与阅读,并非用以限定本发明可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本发明所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。
图1为本发明实施例提供的一种金属半包边结构的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种金属半包边结构制作工艺的流程图。
具体实施方式
为使得本发明的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而非全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1所示。
本实施例提供了一种金属半包边结构,包括多个电镀在PCB10的板边侧面11上的金属半包铜12。
多个金属半包铜12沿板边侧面11等间距地间隔设置。
多个金属半包铜12的同一侧边与PCB10的一面连接。本实施例中,多个金属半包铜12的上侧边与PCB10的顶面连接,具体如图1所示。
需要说明的是,金属半包同12沿PCB10的厚度方向的长度小于PCB10的厚度,但两者之间的具体比例不作限制,即只要是部分包边(本实施例中称为半包边)即可。
具体的,金属半包铜12的形状为矩形,本实施例中,金属半包铜12的形状为正方形。
作为一种可选方式,金属半包铜12沿PCB10的厚度方向的长度等于PCB10的厚度的1/3~2/3。本实施例中,金属半包铜12沿PCB10的厚度方向的长度等于PCB10的厚度的1/2。
本实施例提供的金属半包边结构,在背钻孔消除“Stub”对信号传输完整性的影响基础上,通过间隔设置的金属半包铜12,能够进一步消除“Stub”对信号完整性的影响,增强PCB10的抗干扰性能。
如图2所示,在本申请的另一实施例中还提供了一种金属半包边结构制作工艺,可用于制作上述金属半包边结构,该制作工艺包括:
S11、电镀工序,在PCB10的板边侧面11上依次镀铜和镀锡;
S12、控深铣工序,将板边侧面11的上部分或下部分处的锡铣掉,如图1中,位于金属半包铜12的下方位置为板边侧面11的下部分,位于金属半包铜12的同等位置为板边侧面11的上部分;此工序是为了将不需要铜的地方的锡铣掉,以便后续将此处的铜蚀刻掉;
S13、钻孔工序,将不需要金属包边的锡层钻掉,裸露出铜层,使剩余的锡层将需要金属包边的铜层保护起来,剩余的锡层间隔设置,且每一处的锡面形状为矩形(即图中金属半包铜12的形状);此工序是为了将不需要铜的地方的锡铣掉,以便后续将此处的铜蚀刻掉;并且,此处采用钻孔方式将锡钻掉,不易将包边金属拉扯掉,提高加工质量;
S14、蚀刻工序,蚀刻裸露出来的铜层,再进行退掉其余部位的锡层,使需要金属包边的铜层露出来,从而实现金属半包边,以得到如图1所示的金属半包边结构。
本实施例提供的金属半包边结构制作工艺,去除不需要铜的地方的锡时采用了钻孔工序,不易将包边金属拉扯掉,加工质量更高,抗干扰效果更强。
对PCB10进行制作金属半包边结构时,通常是逐个PCB板单独进行。为了提高制作精度和制作效率,需要对PCB进行分堆。
在控深铣和钻孔工序中,需要将锡完全铣掉,可以稍微铣或钻到铜面,但是不能破坏基材。
因此,可以根据PCB10的涨缩系数,对多个PCB10进行第一次分堆。该分堆工序位于控深铣工序之前。具体的,该分堆中的所有PCB10中,任意两个PCB10之间的涨缩值差不能大于铜厚与锡厚之和。例如,两个PCB10的涨缩值分别为10μm和20μm,设计的铜厚和锡厚之和为35μm,那么涨缩值差为10μm,且小于35μm,因此两个PCB10可以分堆在一起,否则需要分堆在不同组。
进一步的,在控深铣工序之前还包括:
第二分堆工序,根据PCB10的厚度,对多个PCB10进行二次分堆。与上述第一次分堆原理类似,任意两个PCB10之间的厚度差不能大于预设值,大于该预设值时需要分堆,否则可以分堆在一起。该预设值可以根据控深深度公差得到。
在本申请的另一实施例中,上述控深铣工序包括:
沿单PCS板的任一板边方向对整PNL(panel,片或块)板进行整板控深铣;
在完成任一板边方向的整板控深铣后,再沿单PCS板的其他板边方向对整PNL板进行整板控深铣。
具体的,分别沿单PCS板的四个板边方向对整PNL板进行整板控深铣,即每次只进行一个板边方向的控深铣,待沿该板边方向对所有的单PCS板控深铣完毕后,再进行下一个板边方向的控深铣。
钻孔工序包括:
沿单PCS板的任一板边方向对整PNL板进行整板钻孔;
在完成任一板边方向的整板钻孔后,再沿单PCS板的其他板边方向对整PNL板进行整板钻孔。
具体的,分别沿单PCS板的四个板边方向对整PNL板进行整板钻孔,即每次只进行一个板边方向的钻孔,待沿该板边方向对所有的单PCS板钻孔完毕后,再进行下一个板边方向的钻孔。
其中,整PNL板包括多个单PCS板,每个单PCS板对应于一个PCB10。
本实施例提供的金属半包边结构制作工艺,在进行控深铣或钻孔时,每次只进行一个板边方向,只会有一个板边方向的误差(如涨缩误差、铜厚误差、锡厚误差等)影响加工(控深铣或钻孔)精度,相比于四个板边方向同时加工,该方法加工精度更高。
在本申请的另一实施例中还提供了一种PCB10, PCB10的板边侧面11设有如上所述的金属半包边结构,通过间隔设置的金属半包铜12,能够进一步消除“Stub”对信号完整性的影响,增强PCB10的抗干扰性能。
在此,仅为了描述特定的示例实施例的目的使用专业词汇,并且不是意指为限制的目的。除非上下文清楚地作出相反的表示,在此使用的单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”可以意指为也包括复数形式。术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(including)”和“具有(having)”是包括在内的意思,并且因此指定存在所声明的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但是不排除存在或额外地具有一个或以上的其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。除非明确地指示了执行的次序,在此描述的该方法步骤、处理和操作不解释为一定需要按照所论述和示出的特定的次序执行。还应当理解的是,可以采用附加的或者可选择的步骤。
当元件或者层称为是“在……上”、“与……接合”、“连接到”或者“联接到”另一个元件或层,其可以是直接在另一个元件或者层上、与另一个元件或层接合、连接到或者联接到另一个元件或层,也可以存在介于其间的元件或者层。与此相反,当元件或层称为是“直接在……上”、“与……直接接合”、“直接连接到”或者“直接联接到”另一个元件或层,则可能不存在介于其间的元件或者层。其他用于描述元件关系的词应当以类似的方式解释(例如,“在……之间”和“直接在……之间”、“相邻”和“直接相邻”等)。在此使用的术语“和/或”包括该相关联的所罗列的项目的一个或以上的任一和所有的组合。虽然此处可能使用了术语第一、第二、第三等以描述各种的元件、组件、区域、层和/或部分,这些元件、组件、区域、层和/或部分不受到这些术语的限制。这些术语可以只用于将一个元件、组件、区域或部分与另一个元件、组件、区域或部分区分。除非由上下文清楚地表示,在此使用诸如术语“第一”、“第二”及其他数值的术语不意味序列或者次序。因此,在下方论述的第一元件、组件、区域、层或者部分可以采用第二元件、组件、区域、层或者部分的术语而不脱离该示例实施例的教导。
空间的相对术语,诸如“内”、“外”、“在下面”、“在……的下方”、“下部”、“上方”、“上部”等,在此可出于便于描述的目的使用,以描述如图中所示的一个元件或者特征和另外一个或多个元件或者特征之间的关系。空间的相对术语可以意指包含除该图描绘的取向之外该装置的不同的取向。例如如果翻转该图中的装置,则描述为“在其他元件或者特征的下方”或者“在元件或者特征的下面”的元件将取向为“在其他元件或者特征的上方”。因此,示例术语“在……的下方”可以包含朝上和朝下的两种取向。该装置可以以其他方式取向(旋转90度或者其他取向)并且以此处的空间的相对描述解释。
以上所述,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (4)
1.一种金属半包边结构制作工艺,其特征在于,包括:
电镀工序,在PCB的板边侧面上依次镀铜和镀锡;
控深铣工序,将所述板边侧面的上部分或下部分处的锡铣掉;
钻孔工序,将不需要金属包边的锡层钻掉,裸露出铜层,使剩余的锡层将需要金属包边的铜层保护起来,且每一处的锡面形状为矩形;
蚀刻工序,蚀刻裸露出来的铜层,再进行退掉其余部位的锡层,使需要金属包边的铜层露出来,从而实现金属半包边,所述金属半包边结构在背钻孔消除“Stub”对信号传输完整性的影响基础上,通过间隔设置的金属半包铜,能够进一步消除“Stub”对信号完整性的影响,增强PCB的抗干扰性能。
2.根据权利要求1所述的制作工艺,其特征在于,所述控深铣工序包括:
沿单PCS板的任一板边方向对整PNL板进行整板控深铣;
在完成所述任一板边方向的整板控深铣后,沿所述单PCS板的其他板边方向对所述整PNL板进行整板控深铣;
所述钻孔工序包括:
沿单PCS板的任一板边方向对所述整PNL板进行整板钻孔;
在完成所述任一板边方向的整板钻孔后,沿所述单PCS板的其他板边方向对所述整PNL板进行整板钻孔;
其中,所述整PNL板包括多个所述单PCS板。
3.根据权利要求1所述的制作工艺,其特征在于,在所述控深铣工序之前还包括:
第一分堆工序,根据所述PCB的涨缩系数对多个所述PCB进行一次分堆。
4.根据权利要求3所述的制作工艺,其特征在于,在所述控深铣工序之前还包括:
第二分堆工序,根据所述PCB的厚度对多个所述PCB进行二次分堆。
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