CN111223888B - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。该显示装置包括：基板；在基板上的像素电路，该像素电路包括栅电极、漏电极和源电极；在基板上的垂直LED元件，该垂直LED元件包括第一电极、第一电极下方的有源层和有源层下方的第二电极；围绕垂直LED元件的封装膜，该封装膜暴露第二电极的侧部的一部分；电连接至第一电极的第一连接电极；以及电连接至第二电极的第二连接电极。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年11月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利 申请第10-2018-0146509号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及显示装置和制造该显示装置的方法，更具体地，涉及使用 垂直发光二极管(LED)的显示装置以及制造该显示装置的方法。
背景技术
最近广泛使用的液晶显示装置(LCD)、有机发光显示装置(OLED) 和量子点显示装置(QD)的应用正在逐渐增加。根据这些显示装置，多 个发光元件位于显示装置的基板上，并且供应驱动信号或驱动电流以控制 发光元件单独发光的驱动元件也与发光元件一起位于基板上。因此，显示 装置根据要显示的信息来分析基板上的发光元件，使得信息显示在基板上。
液晶显示装置不是自发光类型，因此它需要例如位于液晶显示装置的 后侧上的背光单元来发光。位于液晶显示装置的后侧上的背光单元增加了 液晶显示装置的厚度，在以诸如柔性类型或圆形形状的各种设计实现显示 装置方面存在限制，并且可能具有劣化的亮度和响应速度。
具有自发光元件的显示装置可以比具有内置光源的显示装置实现得 更薄，因此可以实现柔性且可折叠的显示装置。具有自发光元件的显示装 置可以被分类为包括有机材料作为发光层的有机发光显示装置、使用LED 作为发光元件的LED显示装置等。由于诸如有机发光显示装置或LED显 示装置的自发光显示装置不需要单独的光源，因此它们可以用作更薄或各种类型的显示装置。
然而，在使用有机材料的有机发光显示装置中的像素中容易发生诸如 由于水和氧的渗透而导致的有机发光层与电极之间的氧化的问题，因此为 有机发光显示装置另外提供用于使氧和水的渗透最小化的各种技术配置。 近来，为解决这些问题，关于使用利用无机材料的LED作为发光元件的 显示装置的研究和开发正在进行中，并且这样的发光显示装置作为下一代 显示装置由于其具有高图像品质和高可靠性而受到关注。
发明内容
因此，本公开涉及一种显示装置及制造该显示装置的方法，该显示装 置及制造该显示装置的方法基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而 导致的一个或更多个问题。
本公开的一方面在于提供一种包括可以在短时间内被安装在面板中 的LED元件的显示装置以及制造该显示装置的方法。
本公开的另一方面在于提供一种包括LED元件的显示装置以及制造 该显示装置的方法，该装置降低了将LED安装在面板中而产生的工艺成 本。
另外的特征和方面将在随后的描述中阐述，并且部分地将从该描述中 变得明显，或者可以通过实践本文提供的发明构思来获知。本发明构思的 其他特征和方面可以通过在书面描述中特别指出的结构或从其衍生的结 构、其权利要求书以及附图来实现和获得。
为了实现如体现和广义描述的本发明构思的这些和其他方面，提供了 一种显示装置，包括：基板；基板上的像素电路，该像素电路包括：栅电 极、漏电极和源电极；基板上的垂直LED元件，该垂直LED元件包括：第一电极、第一电极下方的有源层和有源层下方的第二电极；围绕该垂直 LED元件的封装膜，该封装膜暴露第二电极的侧部的一部分；电连接至第 一电极的第一连接电极；以及电连接至第二电极的第二连接电极。
在另一方面，提供了一种制造显示装置的方法，该方法包括：提供包 括像素电路的基板；将垂直LED元件转移到包括像素电路的基板；在垂 直LED元件上提供第二连接电极；在第二连接电极上提供绝缘层；以及 在绝缘层上提供第一连接电极，其中该第一连接电极在垂直LED元件的 顶表面上并电接触该垂直LED元件的顶表面，并且其中该第二连接电极 在垂直LED元件的下部的侧部的暴露部分上并电接触该垂直LED元件的 下部的侧部的暴露部分。
通过考查以下附图和详细描述，其他***、方法、特征和优点对于本 领域技术人员将是或将变得明显。旨在使所有这样的另外的***、方法、 特征和优点包括在本说明书内，在本公开的范围内，并由所附权利要求书 保护。本节中的任何内容均不应视为对这些权利要求的限制。下面结合本 公开的实施方案讨论其他方面和优点。应当理解，本公开的前面的一般描 述和下面的详细描述均是示例和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
可以包括附图以提供对本公开的进一步理解并且附图被并入本说明 书中并构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的实施方案，并且与说 明书一起用于解释本公开的各种原理。
图1是示出根据本公开的一个示例实施方案的显示装置的平面图；
图2是示出根据图1中示出的示例实施方案的单位像素的配置的电路 图；
图3是示出根据本公开的一个示例实施方案的具有LED元件的显示 装置的截面图；
图4是示出根据本公开的一个示例实施方案的LED元件的截面图；
图5A至图5J是示出根据本公开的一个示例实施方案的将LED元件 安装到面板中的方法的截面图；以及
图6A至图6E是示出根据本公开的一个示例实施方案的将LED元件 安装到面板中的方法的截面图。
遍及附图和详细描述，除非另有说明，否则相同的附图标记应理解为 表示相同的要素、特征和结构。为了清楚、说明和方便起见，可能夸张了 这些要素的相对尺寸和描绘。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的实施方案，其示例可以在附图中示出。在以 下描述中，当与本文档有关的公知功能或配置的详细描述被确定不必要地 使本发明构思的要旨模糊时，将省略其详细描述。所描述的处理步骤和/ 或操作的进度是示例；然而，除了必要地以特定顺序发生的步骤和/或操 作之外，步骤和/或操作的顺序不限于本文阐述的顺序，并且可以按照本领域已知的方式改变。贯穿全文，相似的附图标记表示相似的要素。仅出 于撰写说明书的方便来选择在以下说明中使用的各个要素的名称，并且因 此可能与实际产品中使用的名称不同。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以用于在本文中描述各种 要素，但是这些要素不应当受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个 要素与另外的要素。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一要素可 以被称为第二要素，并且类似地，第二要素可以被称为第一要素。
术语“至少一个”应理解为包括相关联的所列项中的一个或更多个的 任何和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含 义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个中提出的所有项的组 合以及第一项、第二项或第三项。
在实施方案的描述中，当结构被描述为定位在另外的结构“上面或上 方”或者“下面或下方”时，该描述应被解释为包括所述结构在其中彼此 接触的情况以及第三结构被设置在其间的情况。附图中示出的每个要素的 尺寸和厚度仅是出于描述的便利而给出的，并且本公开的实施方案不限于 此。
术语“第一水平轴方向”、“第二水平轴方向”和“垂直轴方向”不应 仅基于各个方向彼此垂直的几何关系来解释，并且可以意指在本公开的部 件可以在其中在功能上操作的范围内具有更宽方向性的方向。
如本领域技术人员可以充分理解的，本公开的各种实施方案的特征可 以部分地或整体地彼此耦合或彼此组合，并且可以彼此各种互操作并且在 技术上被驱动。本公开的这些实施方案可以彼此独立地执行，或者可以以 相互依赖的关系一起执行。
在本公开中，在显示面板的基板上的栅极驱动器可以用n型或p型晶 体管来实现。例如，晶体管可以用具有金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)结构的晶体管来实现。该晶体管可以是包括栅电极、源电极 和漏电极的三电极器件。源电极可以向晶体管供应载流子。在晶体管中， 该载流子可以开始从源极移动。漏电极可以是载流子可以通过该漏电极从 晶体管移动到外部的电极。
例如，在晶体管中，载流子可以从源电极移动到漏电极。在n型晶体 管中，由于载流子是电子，因此源电极的电压低于漏电极的电压，以使电 子从源电极移动到漏电极。在n型晶体管中，由于电子从源电极移动到漏 电极，因此电流从漏电极移动到源电极。在p型晶体管中，由于载流子是 空穴，因此源电极的电压高于漏电极的电压，以使空穴从源电极移动到漏 电极。在p型晶体管中，由于空穴从源电极移动到漏电极，因此电流从源电极移动到漏电极。晶体管的源电极和漏电极可以不固定，并且可以根据 施加的电压转换。因此，源电极和漏电极可以分别被称为“第一电极”和 “第二电极”或者“第二电极”和“第一电极”。
在下文中，栅极导通电压可以是使晶体管导通的栅极信号的电压。栅 极截止电压可以是使晶体管截止的电压。例如，在p型晶体管中，栅极导 通电压可以是逻辑低电压VL，而栅极截止电压可以是逻辑高电压VH。 在n型晶体管中，栅极导通电压可以是逻辑高电压，而栅极截止电压可以 是逻辑低电压。在下文中，将参照附图描述根据本公开的栅极驱动器和使 用该栅极驱动器的电致发光显示装置。
LED元件是在向半导体供应电流时发光的半导体发光元件，广泛用于 各种显示装置诸如灯、电视(TV)、标牌显示装置和平铺显示装置中。LED 元件可以包括n型电极、p型电极和电极之间的有源层。n型电极和p型 电极可以包括半导体。当向n型电极和p型电极供应电流时，来自n型电 极的电子和来自p型电极的空穴可以在有源层中耦合，从而发光。
LED元件可以包括诸如氮化镓(GaN)的化合物半导体，因此可以对 于无机材料的特性而供应高电流。因此，可以实现高亮度。此外，LED元 件可以不容易受到诸如热、水和氧的外部环境的影响，因此它们具有高可 靠性。
此外，LED元件可以具有约90％的内部量子效率，其高于有机发光 显示装置的内部量子效率，因此它们能够显示高亮度图像。因此，能够实 现具有低功耗的显示装置。
此外，当使用无机材料时，与有机发光显示装置不同，几乎不受氧和 水的影响，因此可以不需要单独的封装膜或封装基板来使氧和水的渗透最 小化。因此，可以存在能够使显示装置的非显示区域减少或最小化的优点， 该显示装置的非显示区域是可以通过设置封装膜或封装基板而产生的边 缘区域。
然而，诸如LED元件的发光元件可能使用以下工艺：使用单独的半 导体基板来形成元件，并且然后将这些元件安装到包括驱动电路的面板 中。这可能花费大量时间，并且当将发光元件安装到面板中以提供具有这些优点的LED显示装置时可能发生许多错误，因此需要能够使这些问题 减少乃至最小化的技术，并且已经结合这些技术进行了大量研究。
LED元件可以被分类为在其相同表面上包括n型电极和p型电极的横 向LED元件以及包括彼此面对的n型电极和p型电极的垂直LED元件。 当将垂直LED元件安装到面板中时，垂直LED元件被转移并被电耦合至面板上的电极，因此可以使用共晶接合(例如，以固定比例的物质的混合 物，该混合物在单一温度下熔化和固化，该单一温度低于各个成分或它们的任何其他混合物的熔点)或各向异性导电膜(ACF)。然而，共晶接合需要例如超过300℃的高温工艺，因此工艺时间可能因为需要时间来增加 和降低温度而被延迟。因此，该方法可能难以应用于需要大面积和批量生 产的显示装置。类似地，ACF也需要高温高压工艺，因此它类似于共晶接 合可能也难以应用于需要大面积和批量生产的显示装置。此外，ACF包含贵金属，因此成本可能增加。
当将横向LED元件安装到基板中时，可以单独地执行使用接合层将 横向LED元件附接在面板中的转移工艺和使用光刻的电连接工艺，因此 与能够同时执行物理接合和电连接的使用ACF的方法或共晶接合相比， 可以显著减少工艺时间。然而，横向LED元件的面积增加到具有相同发光区域的垂直LED元件的两倍，因此LED元件的材料成本可能增加。因此，考虑到上述问题，本发明人已经发明了如下显示装置，其可以设置有 大面积，可以大量生产，并且可以通过在不使用共晶接合或ACF的情况下将转移LED元件和电连接LED元件的工艺分离来以比具有相同性能的 横向LED元件低的成本制造。
在下文中，将参照附图详细描述显示装置和制造该显示装置的方法。
图1是示出根据本公开的示例实施方案的显示装置的平面图，以及图 2是示出根据图1中示出的示例的单位像素的配置的电路图。
参照图1和图2，根据本公开的示例实施方案的显示装置100可以包 括基板110，基板110被划分成包括多个单位像素UP的显示区域DA和 非显示区域NDA。单位像素UP可以各自包括在基板110的前表面110a 上的多个子像素SP1、SP2和SP3，并且通常可以包括可以发射红光、蓝 光和绿光的子像素SP1、SP2和SP3。然而，单位像素UP不限于此，并且可以包括发射白光等的子像素。
作为其上具有晶体管的阵列基板的基板110可以包括塑料材料或玻 璃材料。根据一个实施方案的基板110可以包括不透明或有色聚酰亚胺材 料。例如，还可以包括耦合至基板110的后侧的背板，以保持基板110平 坦。根据一个实施方案的背板可以包括塑料材料，例如聚对苯二甲酸乙二 醇酯材料。根据一个实施方案的基板110可以是玻璃基板。例如，包括玻 璃的基板110可以是其厚度为100μm或更小的薄玻璃基板，并且可以具 有柔性特性。基板110可以被划分成彼此接合的两个或更多个基板或者两 个或更多个层。
非显示区域NDA可以被定义为基板110上除了显示区域DA之外的 区域，可以具有相对小于显示区域DA的宽度(或尺寸)，并且可以被定 义为边框区域。单位像素UP可以位于显示区域DA中。例如，单位像素 UP可以位于显示区域DA中，使得单位像素UP可以各自在X轴方向上 具有一定的第一参考像素间距并且在Y轴方向上具有一定的第二参考像 素间距。第一参考像素间距和第二参考像素间距可以被定义为在X轴方向或Y轴方向上相邻单位像素UP的中心之间的距离。单位像素UP的子像 素SP1、SP2和SP3之间的距离，类似于第一参考像素间距和第二参考像 素间距，也可以被定义为第一参考子像素间距和第二参考子像素间距。
非显示区域NDA的宽度可以小于包括LED元件150的显示装置100 中的像素间距或子像素间距。例如，当包括非显示区域NDA——其包括 与像素间距或子像素间距相同或小于像素间距或子像素间距的长度—— 的显示装置100是平铺显示装置时，非显示区域NDA可以小于像素间距 或子像素间距，因此可以实现基本上没有边框区域的平铺显示装置。
为实现具有减小的基本上没有的边框区域的或最小化的边框区域的 平铺显示装置或多屏显示装置，第一参考像素间距、第二参考像素间距、 第一参考子像素间距和第二参考子像素间距可以通过显示装置100在显 示区域DA中保持恒定。然而，还可以通过限定显示区域DA为多个部分 使以上间距的长度在这些部分中不同以及使与非显示区域NDA邻近的部分的像素间距大于其他部分的像素间距来将边框区域减小到相对小于像 素间距。例如，具有不同像素间距的显示装置100可能在图像中发生失真， 因此可以通过使用考虑一定像素间距对邻近部分进行比较和采样的方法 执行图像处理来去除图像中的失真并减小边框区域。
参照图2描述构成单位像素UP的子像素SP1、SP2和SP3的配置以 及显示装置100的驱动电路。像素驱动线可以位于基板110的前表面110a 上，以向子像素SP1、SP2和SP3供应驱动信号。根据本公开的一个示例 实施方案的像素驱动线可以包括栅极线GL、数据线DL和电力线。栅极线GL可以包括第一栅极线GL1、第二栅极线GL2和发射线EL。电力线 可以包括驱动电力线DPL、公共电力线CPL和初始化电力线IL。
栅极线GL可以位于基板110的前表面110a上，可以在基板110的水 平轴(例如，x轴)方向上延伸，并且可以在垂直轴(例如，y轴)方向 上彼此间隔开一定距离。数据线DL可以与基板110的前表面110a上的栅极线GL交叉，可以在基板110的垂直轴(例如，y轴)方向上延伸，并 且可以在基板110的水平轴(例如，x轴)方向上彼此间隔开一定距离。
驱动电力线DPL可以与基板110上的数据线DL平行，并且可以由数 据线DL形成。驱动电力线DPL可以从外部向邻近的子像素SP1、SP2和 SP3供应像素驱动电力。例如，可以为多个单位像素UP中的每一个单位 像素UP提供一条驱动电力线DPL。例如，单位像素UP的至少三个子像 素(例如子像素SP1、SP2和SP3)可以共用一条驱动电力线DPL。因此， 可以减少用于驱动子像素SP1、SP2和SP3的电力驱动线DPL的数量，并 且还可以通过减少数量的电力驱动线DPL来增加单位像素UP的开口率或 者减小单位像素UP的尺寸。
公共电力线CPL可以与基板110上的栅极线GL平行，并且可以由栅 极线GL形成。公共电力线CPL可以从外部向邻近的子像素SP1、SP2和 SP3供应公共电力。
子像素SP1、SP2和SP3可以分别设置在由栅极线GL和数据线DL 限定的子像素区域中。子像素SP1、SP2和SP3可以被定义为光可以从中 实际发射的区域的最小单位。
邻近的至少三个子像素SP1、SP2和SP3可以构成用于显示颜色的一 个单位像素UP。例如，一个单位像素UP可以包括可以在水平轴(例如， x轴)方向上彼此邻近的红色子像素例如子像素SP1；绿色子像素例如子 像素SP2；和蓝色子像素例如子像素SP3，并且还可以包括用于提高亮度 的白色子像素。作为示例，子像素在附图中被示出为以条形布置，但实施 方案不限于此。
根据本公开的一个示例实施方案的子像素SP1、SP2和SP3可以各自 包括像素电路PC和LED元件150。像素电路PC可以位于限定于子像素 SP1、SP2和SP3中的电路区域中，并且可以分别连接至邻近的栅极线GL、 数据线DL和电力线。基于通过驱动电力线DPL提供的像素驱动电力，像素电路PC可以响应于通过栅极线GL提供的扫描脉冲而根据通过数据线 DL提供的数据信号控制流过LED元件150的电流。根据本公开的一个示 例实施方案的像素电路PC可以各自包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、 第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、驱动晶体管DT和电容 器Cst。第一晶体管T1至第五晶体管T5以及驱动晶体管DT可以是PMOS 型薄膜晶体管，因此它们可以确保响应特性。然而，本公开的实施方案不 限于此。例如，第一晶体管T1至第五晶体管T5以及驱动晶体管DT中的至少一个可以是具有高截止电流特性的NMOS型薄膜晶体管，而其他晶 体管可以是具有高响应特性的PMOS型薄膜晶体管。
LED元件150可以安装在子像素SP1、SP2和SP3中的每一个中。LED 元件150可以电连接至相应的子像素的像素电路PC和公共电力线CPL， 并且LED元件150可以使用从像素电路PC例如从驱动晶体管DT流到公 共电力线CPL的电流来发光。根据本公开的一个示例实施方案的LED元 件150可以是可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的任何一种光的光学元 件或发光二极管芯片。发光二极管芯片可以具有1微米(μm)至100微 米的尺寸，但不限于此，并且其尺寸可以小于除了子像素区域中的像素电路PC的电路区域之外的其他发光区域。
驱动晶体管DT可以是根据驱动晶体管DT的栅极-源极电压来调节流 过LED元件150的电流的驱动元件。驱动晶体管DT可以包括连接至第 一节点N1的栅电极、连接至驱动电力线DPL的源电极以及连接至第二节 点N2的漏电极。
第一晶体管T1可以连接在第一节点N1与第二节点N2之间，并且可 以响应于第一栅极信号而切换。第一晶体管T1的栅电极可以连接至可以 向其施加第一栅极信号的第一栅极线GL1。当第一晶体管T1导通时，第 一晶体管T1可以连接驱动晶体管DT的源电极和漏电极，从而成为二极 管连接。例如，第一晶体管T1可以感测并补偿驱动晶体管DT的阈值电压因数。
第二晶体管T2可以连接在数据线DL与第三节点N3之间，并且可以 响应于第一栅极信号而切换。第二晶体管T2的栅电极可以连接至第一栅 极线GL1。当第二晶体管T2导通时，第二晶体管T2可以将数据信号施 加到第三节点N3。
第三晶体管T3可以连接在第二节点N2与LED元件150之间，并且 可以响应于通过发射线EL提供的发射信号而切换。当第三晶体管T3导 通时，第三晶体管T3可以将流过驱动晶体管DT的电流提供给LED元件 150。第三晶体管T3可以控制具有低发射阈值电压的LED元件150不由 于初始化电压而发光。
第四晶体管T4可以连接在第三节点N3与初始化电力线IL之间，并 且可以响应于发射信号而切换。当第四晶体管T4导通时，第四晶体管T4 可以通过将通过初始化电力线IL提供的初始化电力提供给第三节点N3 来初始化第三节点N3处的电压。
第五晶体管T5可以连接在第二节点N2与初始化电力线IL之间，并 且可以响应于通过第二栅极线GL2提供的第二栅极信号而切换。当第五 晶体管T5导通时，第五晶体管T5可以通过将初始化电力提供给第二节点 N2来初始化第二节点N2处的电压。
电容器Cst可以位于第一节点N1和第三节点N3的交叠区域中，可 以存储与供应给驱动晶体管DT的栅电极的数据信号相对应的电压，并且 可以使用存储的电压来使驱动晶体管DT导通。
在下文中描述像素电路PC的驱动。图2中示出的像素电路PC的驱 动可以被划分成第一初始化阶段、第二初始化阶段、补偿阶段、保持阶段 和发射阶段。发射信号和第二栅极信号可以在第一初始化阶段中具有栅极 导通电压，因此第三节点N3处的电压可以被初始化并且LED元件150 持续发光。在第二初始化阶段中，发射信号可以被改变为具有栅极截止电压，第一栅极信号可以被改变为具有栅极导通电压，并且第二栅极信号可 以保持栅极导通电压，因此LED元件150可以停止发光并且数据信号可 以被施加到第三节点N3。在补偿阶段中，第二栅极信号可以被改变为具 有栅极截止电压，并且第一晶体管T1可以导通，因此驱动晶体管DT可以变为二极管连接，并且可以执行补偿阈值电压的处理。在保持阶段中，第一栅极信号、第二栅极信号和发射信号均可以具有栅极截止电压，并且 可以在节点处保持在先前阶段中施加的电压。在发射阶段中，发射信号可 以被改变为具有栅极导通电压，并且LED元件150可以通过从驱动晶体管DT提供的驱动电流发光。例如，初始化电压可以是低于驱动电压并且 高于公共电压的电压。像素电路PC的驱动电流可以不受驱动电力的影响， 因此它可以在高分辨率显示装置中实现均匀的图像品质。
除了以上描述的第一晶体管T1至第五晶体管T5、驱动晶体管DT和 电容器Cst之外，根据本公开的一个示例实施方案的像素电路PC还可以 包括可以由特定发射信号控制的辅助晶体管和/或辅助电容器等。
图3是示出根据本公开的示例实施方案的具有LED元件的显示装置 的截面图。
参照图3，根据本公开的一个示例实施方案的显示装置100的子像素 SP1、SP2和SP3可以各自包括像素电路PC、保护层113、LED元件150、 绝缘层115-1和115-2、像素电极PE和公共电极CE。
如上参照图2描述的，像素电路PC可以包括第一晶体管T1至第五 晶体管T5、驱动晶体管DT和电容器Cst。那些部件的LED元件150和连 接至LED元件150的第三晶体管T3主要在图3中示出并在上面被描述， 并且可以省略重复描述。第三晶体管T3可以包括栅电极GE、半导体层 SCL、源电极SE和漏电极DE。
栅电极GE可以与基板110上的栅极线GL在相同层上包括相同的材 料，并且可以被栅极绝缘层112覆盖。栅电极GE可以包括诸如硅(Si) 的半导体、或者诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)、两种或更多种金属的合金的任意导电金属，或者可以是包括上述的多层。栅极绝缘层112可以是包括无机材料的 单层或多层，并且可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)等。第 三晶体管T3的栅电极可以从发射线EL分出或突出。
半导体层SCL可以以一定图案设置在栅极绝缘层112上以与栅电极 GE交叠。半导体层SCL可以包括半导体材料，该半导体材料可以是非晶 硅、多晶硅、氧化物和有机材料中的一种或更多种，但不限于此。源电极 SE可以与半导体层SCL的一部分交叠，并且可以与数据线DL和驱动电 力线DPL在相同层上包括相同的材料。漏电极DE可以与源电极SE分开 地与半导体层SCL的另外的部分交叠，并且可以与源电极SE在相同层上 包括相同的材料。源电极SE和漏电极DE可以包括诸如硅(Si)的半导 体、或者诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)两种或更多种金属的合金的任意导电金属，或者可以是上述的多层。
保护层113可以被设置成遍及基板110的前表面以覆盖像素电路PC。 保护层113可以在保护像素电路PC的同时提供平坦表面。根据本公开的 一个示例实施方案的保护层113可以包括诸如苯并环丁烯或感光亚克力的 有机材料。保护层113可以具有可以保护像素电路PC的单独的保护层和 可以使具有台阶的像素电路PC变平的平坦化层。
LED元件150可以电连接至像素电路PC和公共电力线CPL，并且 LED元件150可以使用从像素电路PC流到公共电力线CPL的电流来发 光。根据本公开的一个示例实施方案的LED元件150可以包括第一电极 151、有源层152、第二电极153、封装膜155和辅助电极156。在根据本 公开的一个示例实施方案的LED元件150中，第一电极151可以是可以 为阳极端子的p型电极，而第二电极153可以是可以为阴极端子的n型电 极。LED元件150可以使用由于在第一电极151与第二电极153之间流动 的电流而导致的电子和空穴的重新耦合来发光。将参照图4描述LED元 件150。
根据本公开的一个示例实施方案的LED元件150可以通过粘结构件 114设置在保护层113上。可替选地，虽然在附图中未示出，但是可以在 保护层113上形成凹陷，并且LED元件150可以设置在凹陷中。例如， 保护层113上的凹陷的倾斜表面可以使来自LED元件150的光在特定方 向上行进，并且可以提高发光效率。
绝缘层115-1和115-2可以形成在保护层113上以覆盖LED元件150。 绝缘层115-1和115-2可以位于保护层113上，其厚度可以全部覆盖：保 护层113的前表面、设置有LED元件150的部分以及其他前表面。绝缘 层115-1和115-2可以是包括第一绝缘层115-1和第二绝缘层115-2的多平 坦化层。绝缘层115-1和115-2可以在保护层113上提供平坦表面，并且可以固定LED元件150的位置。
像素电极PE可以将LED元件150的第一电极151连接至第三晶体管 T3的漏电极DE。像素电极PE可以延伸到辅助接触孔CH中以接触辅助 电极156。例如，LED元件150的第一电极151可以连接至第三晶体管 T3的源电极SE。连接至LED元件150的第一电极151的像素电极PE可 以被定义为“阳极”或“第一连接电极”。像素电极PE可以位于绝缘层 115-1和115-2上，并且可以通过绝缘层115-1和115-2以及粘结构件114 接触像素连接电极PCE，像素连接电极PCE可以连接至漏电极DE。像素 连接电极PCE可以形成在保护层113上，并且可以经由贯穿保护层113 的接触孔接触第三晶体管T3的漏电极DE。当显示装置100是顶部发射型时，像素电极PE可以包括透明导电材料，而当显示装置100是底部发射型时，像素电极PE可以包括反光导电材料。透明导电材料可以是铟锡氧 化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等，但不限于此。反光导电材料可以 是Al、银(Ag)、Au、铂(Pt)、Cu等，但不限于此。包括反光导电材料 的像素电极PE可以是包括反光导电材料的单层，或者可以是通过堆叠单 层形成的多层。
可以使LED元件150的第二电极153与公共电力线CPL电连接的公 共电极CE可以被定义为“阴极”或“第二连接电极”，并且可以包括与 像素电极PE相同的材料。公共电极CE可以位于与LED元件150的第二电极153的侧部SS接触的粘结构件114上，并且可以通过公共连接电极 CPE连接至公共电力线CPL。公共电力线CPL可以位于基板110与栅极 绝缘层112之间。公共连接电极CPE可以位于保护层113上，并且可以 与像素连接电极PCE在相同层上包括相同的材料。公共连接电极CPE可 以经由贯穿保护层113和栅极绝缘层112的接触孔与公共电力线CPL接 触。公共电极CE可以经由贯穿粘结构件114的接触孔与公共连接电极CPE接触。例如，公共电力线CPL的位置不限于基板110与栅极绝缘层112 之间的位置。公共电力线CPL可以与保护层113下方的第三晶体管T3的栅电极GE、或源电极SE以及漏电极DE在相同层上包括相同的材料。因 此，公共电力线CPL可以位于栅极绝缘层112与保护层113之间。
根据本公开的一个示例实施方案的显示装置100可以包括位于子像 素的发光区域下方的反射层111。反射层111可以位于基板110上，并且 可以与包括LED元件150的发光区域交叠。反射层111可以与像素连接 电极PCE和公共连接电极CPE在相同层上包括相同的材料，但不限于此。反射层111可以包括与第三晶体管T3的电极中的一个电极相同的材料。反射层111可以通过将来自LED元件150的光反射到LED元件150之上来增大显示装置100的发光效率。因此，根据本公开的一个示例实施方案 的显示装置100可以通过包括反射层111而具有顶部发射结构。例如，像 素电极PE可以包括透明导电材料，而像素连接电极PCE和反射层111可 以包括反光导电材料。另一方面，当根据本公开的一个示例实施方案的显 示装置100是底部发射型时，可以不提供反射层111或者反射层111可以 位于LED元件150上方。
图4是示出根据本公开的一个示例实施方案的LED元件的截面图。
图4是示出在被安装到面板中之前在生长基板200上的LED元件150 的视图。LED元件150可以是具有在生长基板200上依次形成的第二电极 153、有源层152和第一电极151的p-n结结构。
生长基板200可以是蓝宝石基板，或者可以具有氮化镓(GaN)、砷 化镓(GaAs)和Si作为基底的基板，并且可以例如通过化学生长方法在 生长基板200上依次形成n型半导体层、有源层152和p型半导体层。例 如，n型半导体层可以是第二电极153，而p型半导体层可以是第一电极 151。
n型半导体层可以是通过具有负电荷的自由电子作为载流子的移动产 生电流的半导体层，可以包括n-GaN基材料。n-GaN基材料可以是GaN、 氮化铝镓(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝铟镓(AlInGaN)等， 并且Si、锗(Ge)、硒(Se)、碲(Te)、碳(C)等可以用作用于掺杂n 型半导体层的杂质。例如，可以在生长基板200与n型半导体层之间另外 提供诸如非掺杂的GaN基半导体层的缓冲层。
有源层152可以位于n型半导体层上，并且可以具有多量子阱(MQW) 结构，多量子阱(MQW)结构具有阱层和具有比阱层更高的带隙的势垒 层。例如，有源层152可以具有InGaN/GaN的MQW结构等。
p型半导体层是可以通过具有正电荷的空穴作为载流子的移动产生电 流的半导体层，可以包括p-GaN基材料。p-GaN基材料可以是GaN、AlGaN、 InGaN、AlInGaN等，并且镁(Mg)、锌(Zn)、铍(Be)等可以用作用 于掺杂p型半导体层的杂质。
辅助电极156可以位于p型半导体上以形成欧姆接触。LED元件150 可以被安装到面板中，并且可以连接至像素电极PE，因此可以通过与像 素电极PE接触的第三晶体管T3向辅助电极156供应与数据电压相对应的电压。在根据本公开的一个示例实施方案的顶部发射型显示装置中，辅 助电极156可以包括诸如ITO或IZO的透明导电材料，但不限于此。
封装膜155可以位于辅助电极156上以保护包括n型半导体层、有源 层152和p型半导体层的结构。封装膜155可以位于p型半导体层的顶部 上以及辅助电极156和生长基板200的前表面上，并且可以具有开口，该开口暴露辅助电极156的一部分以使像素电极DE和辅助电极156彼此接 触。封装膜155可以包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)和树脂中的任一种，或者可以包括由镍(Ni)、钛(Ti)、Pt、铅(Pd)、Cu、铜钨(CuW)、 Mo、钼钨(MoW)、Ag和Al中的一种或更多种形成的至少一种氧化物。
当在生长基板200上形成的LED元件150被安装到面板上时，辅助 电极156可以通过封装膜155的开口连接至像素电极PE。因此，正电压 可以通过像素电极PE施加到p型半导体层，而负电压可以通过公共电极CE施加到n型半导体层。因此，电流可以通过n型半导体层中的电子的 移动并且通过p型半导体层中的空穴的流动而在像素电极PE与公共电极 CE之间流动。电子和空穴可以通过在像素电极PE与公共电极CE之间流 动的电流而重新耦合，并且光可以从有源层152发射。
在下文中描述将生长基板200上的LED元件150安装到面板中的工 艺。
图5A至图5J是示出根据本公开的一个示例实施方案的将LED元件 安装到面板中的方法的截面图。
如上所述，垂直LED可以被转移，并且垂直LED元件可以电耦合至 面板上的电极，因此可以使用共晶接合或各向异性导电膜(ACF)。然而， 共晶接合需要超过300℃的高温工艺，因此工艺时间可能因为需要时间来 增加和降低温度而延迟。因此，该方法可能难以应用于具有大面积和批量生产的显示装置。类似地，ACF也需要高温高压工艺，因此可能类似于共 晶接合难以应用于需要大面积和批量生产的显示装置。此外，ACF包含贵 金属，因此成本可能也增加。此外，横向LED元件的面积可能增加到具 有相同发光区域的垂直LED元件的两倍，因此LED元件的材料成本可能增加。因此，在下文中描述使用垂直LED元件在相对短的处理时间内以 相对低的成本制造显示装置的方法。
图5A是示出将LED元件150转移到面板的工艺的视图，其中，可以 在包括像素电路PC的基板110、覆盖像素电路PC的保护层113、像素连 接电极PCE和公共连接电极CPE上形成用于转移LED元件150的粘结构 件114。粘结构件114可以在保护层113的整个前表面上涂覆有均匀的厚 度，并且涂覆在保护层113的整个前表面上的粘结构件114的一部分可以 通过接触孔形成工艺被去除以形成接触孔CH1和CH2。可替选地，粘结 构件114可以通过印刷诸如喷墨被施加在除了可以形成接触孔CH1和 CH2的区域之外的保护层133上。
可以执行将LED元件150与生长基板200分离的基板分离工艺，以 将LED元件150转移到粘结构件114。基板分离工艺可以包括激光剥离 (LLO)、化学剥离(CLO)、或通过用印模(stamp)施加压力来破坏封 装膜的方法。在基板分离工艺中，LED元件150可以与生长基板200分离， 并且封装膜155的覆盖与生长基板200相邻的第二电极153的一部分可以 与生长基板200一起被去除，例如以简化和/或便利于后续的与第二电极 153的电连接。因此，第二电极153的侧部SS可以被暴露并且不被封装 膜155覆盖。例如，第二电极153的暴露的侧部SS可以限于有源层152 下方的部分，因此可以抑制施加到有源层152的不必要的电压。用于基板 分离工艺的激光、化学物质或物理压力等可以仅必须具有能够将生长基板 200与LED元件分离的强度(或量)，因此在基板分离工艺中可能不会移 除整个封装膜155。例如，封装膜155可以完全地围绕第一电极151和有 源层152，并且可以部分地围绕第二电极。
与生长基板200分离使得第二电极153的侧部SS和底部暴露的LED 元件150可以设置在粘结构件114上以与反射层111交叠。粘结构件114 可以主要将LED元件150固定到与LED元件150的底部接触的面板。这 样的简单的接合方法能够显著减少转移工艺的时间。
在下文中描述将LED元件150电连接至像素电路PC的工艺。
参照图5B，公共电极CE可以形成在通过粘结构件114附接至面板的 LED元件150上并且形成在基板110的前表面上。公共电极CE可以形成 为与LED元件150的辅助电极156、第二电极153的侧部SS以及接触孔 CH1和CH2中的所有接触。
参照图5C，公共电极CE可以是用于提供通过公共电力线CPL施加 到第二电极153的公共电力的电极，因此可以执行用于去除覆盖形成在像 素连接电极PCE上的第一接触孔CH1的公共电极CE的图案化。因此， 形成在第一接触孔CH1处的像素连接电极PCE可以暴露于空气，并且公 共电极CE可以与第二电极153的侧部SS和公共电力线CPL接触，从而 将第二电极153和公共电力线CPL彼此电连接。因此，还与辅助电极156 接触的公共电极CE可以被去除，因此在下文中描述在公共电极CE上执 行用以打开辅助电极156的顶部的图案化。
公共电极CE可以具有覆盖LED元件150的整个侧部SS的密封结构， 其中仅LED元件150的顶部暴露；或者可以具有覆盖第二电极153的侧 部SS的结构，其中小的或最小的面积用于与公共连接电极CPE连接。描 述了根据本公开的一个示例实施方案的公共电极CE围绕LED元件150 的整个侧部SS而仅暴露LED元件150的顶部的结构。在LED元件150 与生长基板200分离时可以被去除的封装膜155可以不以均匀的高度暴露 第二电极153的侧部SS。因此，公共电极CE可以形成为围绕LED元件 150的整个侧部SS而不是部分地围绕侧部SS，由此可以有利地与公共电 力线CPL电连接。
图5D示出了在基板110上图案化第一绝缘层115-1的状态。可以通 过在LED元件150、公共电极CE和基板110的前表面上沉积并且通过使 用光刻去除第一接触孔CH1上的第一绝缘层115-1来形成第一绝缘层 115-1。第一绝缘层115-1的厚度可以小于LED元件150的高度，使得LED 元件150的顶部可以在后续工艺中被暴露。
图5E至图5G示出了去除公共电极CE和第一绝缘层115-1以暴露 LED元件150的顶部。参照图5E，可以向第一绝缘层115-1上除了LED 元件150和LED元件150周围的一定部分之外的区域施加光致抗蚀剂 (PR)。参照图5F，在其上没有施加光致抗蚀剂的区域中的第一绝缘层 115-1和公共电极CE可以通过干蚀刻被去除而仅留下一定厚度，从而暴 露辅助电极156。例如，公共电极CE上的第一绝缘层115-1也可以被去 除，使得公共电极CE的一部分可以暴露于空气。第一绝缘层115-1和公共电极CE可以被蚀刻成使得LED元件150的第二电极153可以不被暴露。 参照图5G，光致抗蚀剂可以例如通过剥离溶液被去除。
图5H示出了在基板110上图案化第二绝缘层115-2的状态。可以通 过在LED元件150和基板110的前表面上沉积并且通过去除第一接触孔 CH1和辅助电极156上的第二绝缘层115-2来形成第二绝缘层115-2。第 二绝缘层115-2可以形成为高于LED元件150，以覆盖暴露于空气的公共 电极CE，例如以抑制公共电极CE与辅助电极156之间的短路。LED元 件150上的辅助电极156和第一接触孔CH1上的第二绝缘层115-2可以通 过光刻被去除。
参照图5I，像素电极PE可以形成在基板110上，所述像素电极PE 可以是用于提供通过第三晶体管T3的漏电极DE施加到第一电极151的 电压的电极，包括在可以通过第二绝缘层115-2暴露的LED元件150的 顶部上和像素连接电极PCE上的第一接触孔CH1。可以执行用于去除像 素电极PE的可以在除了用于电连接辅助电极156和像素连接电极PCE的 部分之外的区域中形成的部分的图案化。因此，可以形成与相邻的子像素绝缘的像素电极PE。
参照图5J，显示装置还可以包括在基板110的前表面上的缓冲层116。 缓冲层116可以设置在基板110上以覆盖具有像素电极PE的整个绝缘层 115-1和115-2，从而在绝缘层115-1和115-2上提供平坦表面并保护LED 元件150和像素电路PC免受外部冲击。根据本公开的一个实施方案，缓 冲层116可以是光学透明粘结剂(OCA)或光学透明树脂(OCR)，但不限于此。
如上所述，制造显示装置的方法可以单独地执行使用粘结构件将垂直 LED元件附接至面板中的转移工艺和使用光刻的电连接工艺。因此，与用 于同时实现物理粘结和电连接的共晶接合或使用ACF的方法相比，可以 显著减少工艺时间，并且与横向LED元件相比，还可以在小区域中实现 相当的亮度，因此实施方案在成本方面可以是有利的。
图6A至图6E是示出根据本公开的一个示例实施方案的将LED元件 安装到面板中的方法的截面图。
图6A至图6E是示出图5G的第一绝缘层115-1形成在基板110上之 后的操作的视图，并且示出了第二绝缘层115-2、像素电极PE和缓冲层 116的形成。因此，参照图5A至图5G描述的操作可以以相同的方式应用 于本公开的第二实施方案。
图6A示出了第二绝缘层115-2的一部分已经在基板110上被初步图 案化并且在第二绝缘层115-2上形成光致抗蚀剂以进行二次图案化的状 态。初步图案化第二绝缘层115-2的操作可以包括：在LED元件150和 基板110上沉积第二绝缘层115-2，以及在第一接触孔CH1上去除第二绝 缘层115-2。第二绝缘层115-2可以形成为具有比LED元件150更大的厚度，以覆盖暴露于空气的公共电极CE，以抑制公共电极CE与辅助电极 156之间的短路。第一接触孔CH1上的第二绝缘层115-2可以通过光刻被 去除。
可以在第二绝缘层115-2上形成光致抗蚀剂PR，以执行二次图案化 以暴露LED元件150的顶部。例如，可以不向LED元件150和LED元 件150周围的相邻区域施加光致抗蚀剂PR。由于未向包括LED元件150 的LED元件150周围的相邻区域施加光致抗蚀剂PR，因此会增加在LED 元件150被转移到面板时可能产生的对准公差。例如，当在LED元件150 没有准确地对准的情况下图案化的第二绝缘层115-2形成为聚焦在LED 元件150的顶部例如辅助电极156上，使得辅助电极156的顶部暴露于空 气时，稍后将与像素电极PE接触的辅助电极156可以被第二绝缘层115-2 部分地或完全地覆盖。因此，光致抗蚀剂PR可以被施加成使得图案化的 第二绝缘层115-2可以暴露LED元件150的顶部和LED元件150周围的 部分。
参照图6B，没有形成光致抗蚀剂PR的区域中的第二绝缘层115-2的 一部分可以通过干蚀刻被去除。由于第二绝缘层115-2被去除成使得LED 元件150的顶部和周围部分例如辅助电极156和封装膜155的部分可以被 暴露，因此公共电极CE可以通过第二绝缘层115-2保持绝缘。参照图6C， 光致抗蚀剂PR可以例如通过剥离溶液被去除。
根据以上描述，可以执行图案化两次以形成第二绝缘层115-2，但是 可以使用半色调掩模通过一次图案化形成第二绝缘层115-2以简化工艺。 可以在LED元件150和基板110的前表面上沉积第二绝缘层115-2，然后 可以例如使用半色调掩模在第二绝缘层115-2上执行曝光以暴露LED元 件150的顶部和第一接触孔CH1，从而能够选择性地去除第二绝缘层 115-2。例如，半色调掩模的透光率可以在与LED元件150的顶部相对应 的区域和与第一接触孔CH1相对应的区域中是不同的。例如，作为部分透射膜的半色调掩模可以用于与LED元件150的顶部相对应的区域。
参照图6D，像素电极PE可以形成在基板110上，所述像素电极PE 可以是用于提供通过第三晶体管T3的漏电极DE施加到第一电极151的 电压的电极，包括形成在可以通过第二绝缘层115-2暴露的LED元件150 的顶部上和像素连接电极PCE上的第一接触孔CH1。可以执行用于去除 像素电极PE的可以在除了用于电连接辅助电极156和像素连接电极PCE 的部分之外的区域中形成的部分的图案化。因此，可以形成与相邻的子像素绝缘的像素电极PE。
参照图6E，显示装置还可以包括在基板110的前表面上的缓冲层116。 缓冲层116可以设置在基板110上以覆盖具有公共电极CE的整个绝缘层 115-1和115-2，从而在绝缘层115-1和115-2上提供平坦表面并保护LED 元件150和像素电路PC免受外部冲击。根据本公开的一个实施方案，缓 冲层116可以是光学透明粘结剂(OCA)或光学透明树脂(OCR)，但不限于此。
如上所述，制造显示装置的方法可以单独地执行使用粘结构件将垂直 LED元件附接至面板中的转移工艺和使用光刻的电连接工艺。因此，与用 于同时执行物理粘结和电连接的共晶接合或使用ACF的方法相比，可以 显著减少工艺时间，并且与横向LED元件相比，还可以在小区域中实现 相当的亮度，因此实施方案在成本方面可以是有利的。
根据本公开的一个示例实施方案的显示装置和制造该显示装置的方 法可以描述如下：
根据本公开的一个实施方案，显示装置可以包括：基板；在基板上的 像素电路，该像素电路包括栅电极、漏电极和源电极；在基板上的垂直 LED元件，该垂直LED元件包括第一电极、第一电极下方的有源层和有 源层下方的第二电极；围绕垂直LED元件的封装膜，该封装膜暴露第二 电极的侧部的一部分；电连接至第一电极的第一连接电极；以及电连接至第二电极的第二连接电极。
例如，在根据本公开的一个实施方案的显示装置中，第二连接电极可 以经由第二电极的侧部的所暴露的部分电连接至第二电极。例如，在根据 本公开的一个实施方案的显示装置中，第二连接电极可以被配置成在第二 电极的侧部的所暴露的部分处密封第二电极。
例如，在根据本公开的一个实施方案的显示装置中，封装膜可以完全 地围绕第一电极和有源层，并且可以至少部分地围绕第二电极。例如，根 据本公开的一个实施方案的显示装置还可以包括在基板与包括第二连接 电极的垂直LED元件之间的粘结构件。
例如，根据本公开的一个实施方案的显示装置还可以包括与栅电极在 相同层上的公共电力线以及像素电路上的保护层，并且第二连接电极可以 经由贯穿保护层和粘结构件的至少一个接触孔电连接至公共电力线。例 如，根据本公开的一个实施方案的显示装置还可以包括：在粘结构件上的 围绕垂直LED元件的第一绝缘层以及第一绝缘层上的第二绝缘层。
例如，在根据本公开的一个实施方案的显示装置中，第二绝缘层可以 部分地或完全地暴露垂直LED元件的顶表面。例如，在根据本公开的一 个实施方案的显示装置中，第一连接电极可以经由贯穿第一绝缘层、第二 绝缘层和粘结构件的一个或更多个接触孔电连接至像素电路。
例如，在根据本公开的一个实施方案的显示装置中，第二绝缘层可以 覆盖第二连接电极和第一绝缘层。例如，在根据本公开的一个实施方案的 显示装置中，垂直LED元件还可以包括与第一电极欧姆接触的辅助电极， 并且封装膜可以覆盖辅助电极的至少一部分。
根据本公开的一个实施方案，制造显示装置的方法可以包括：提供包 括像素电路的基板；将垂直LED元件转移到包括像素电路的基板；在垂 直LED元件上提供第二连接电极；在第二连接电极上提供绝缘层；以及 在绝缘层上提供第一连接电极。第一连接电极可以位于垂直LED元件的 顶表面上，并且电接触垂直LED元件的顶表面，并且第二连接电极可以 位于垂直LED元件的下部的侧部的暴露部分上，并且电接触垂直LED元 件的下部的侧部的暴露部分。
例如，在根据本公开的一个实施方案的方法中，提供绝缘层可以包括： 在第二连接电极上提供第一绝缘层；以及在第一绝缘层上提供第二绝缘 层。例如，在根据本公开的一个实施方案的方法中，提供第一绝缘层可以 包括：沉积第一绝缘层；图案化在第一绝缘层上的光致抗蚀剂；蚀刻第一 绝缘层，以至少部分地暴露垂直LED元件和第二连接电极；以及剥离光 致抗蚀剂。
例如，在根据本公开的一个实施方案的方法中，第一绝缘层的蚀刻可 以包括保持第二连接电极与该垂直LED元件的下部的侧部接触。根据本 公开的一个实施方案，第二绝缘层的形成可以包括：提供第二绝缘层，使 得第二绝缘层可以完全地覆盖第二连接电极。例如，根据本公开的一个实 施方案的方法还可以包括提供用于将垂直LED元件附接至基板的粘结构 件，并且在垂直LED元件上提供第一连接电极可以包括：经由贯穿粘结 构件和绝缘层的接触孔将第一连接电极连接至像素电路中的晶体管的源 电极或漏电极。
例如，在根据本公开的一个实施方案的方法中，提供垂直LED可以 包括：在生长基板上提供第二电极；在第二电极上提供有源层；在有源层 上提供第一电极；在第一电极上提供辅助电极；以及在辅助电极上提供封 装膜，并且第一连接电极可以通过辅助电极电连接至第一电极。例如，根 据本公开的一个实施方案，当垂直LED元件与生长基板分离时，封装膜 的覆盖与生长基板相邻的垂直LED元件的部分可以被去除。
例如，在根据本公开的一个实施方案的方法中，第二连接电极可以与 垂直LED元件的由于封装膜的一部分的去除而暴露的第二电极接触。例 如，在根据本公开的一个实施方案的方法中，提供绝缘层可以包括：沉积 绝缘层；以及使用半色调掩模来去除接触孔上的绝缘层，该接触孔用于将 垂直LED元件的顶部和第一连接电极与像素电路连接。
对于本领域技术人员明显的是，在不脱离本公开的技术构思或范围的情况 下，可以对本公开进行各种修改和变化。因此，可以旨在本公开的实施方案覆 盖本公开的各种修改和变化，只要它们落入所附权利要求书及其等同的范围内。

Claims (21)

1.一种显示装置，包括：
基板；
在所述基板上的像素电路，所述像素电路包括：
栅电极；
漏电极；以及
源电极；
在所述基板上的垂直LED元件，所述垂直LED元件包括：
第一电极；
所述第一电极下方的有源层；以及
所述有源层下方的第二电极；
围绕所述垂直LED元件的封装膜，所述封装膜暴露所述第二电极的边向侧部的一部分；
电连接至所述第一电极的第一连接电极；
电连接至所述第二电极的第二连接电极；以及
其中所述第二连接电极经由所述第二电极的所述边向侧部的所暴露的部分电连接至所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二连接电极被配置成在所述第二电极的所述边向侧部的所暴露的部分处密封所述第二电极。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述封装膜完全地围绕所述第一电极和所述有源层并且至少部分地围绕所述第二电极。
4.根据权利要求1所述的显示装置，还包括在所述基板与包括所述第二连接电极的所述垂直LED元件之间的粘结构件。
5.根据权利要求4所述的显示装置，还包括：
在与所述栅电极相同层上的公共电力线；以及
在所述像素电路上的保护层，
其中，所述第二连接电极经由贯穿所述保护层和所述粘结构件的至少一个接触孔电连接至所述公共电力线。
6.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：
在所述粘结构件上的围绕所述垂直LED元件的第一绝缘层；以及
在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，
其中，所述第二绝缘层部分地或完全地暴露所述垂直LED元件的顶表面。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一连接电极经由贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述粘结构件的一个或更多个接触孔电连接至所述像素电路。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层覆盖所述第二连接电极和所述第一绝缘层。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述垂直LED元件还包括与所述第一电极欧姆接触的辅助电极；并且
所述封装膜覆盖所述辅助电极的至少一部分。
10.根据权利要求6所述的显示装置，
其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层围绕所述垂直LED元件。
11.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
提供包括像素电路的基板；
将垂直LED元件转移到包括所述像素电路的所述基板；
在所述垂直LED元件上提供第二连接电极；
在所述第二连接电极上提供绝缘层；以及
在所述绝缘层上提供第一连接电极，
其中，所述第一连接电极位于所述垂直LED元件的顶表面上，并电接触所述垂直LED元件的所述顶表面，以及
其中，所述第二连接电极位于所述垂直LED元件的下部的边向侧部的暴露部分上，并电接触所述垂直LED元件的下部的所述边向侧部的暴露部分。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述提供所述绝缘层包括：
在所述第二连接电极上提供第一绝缘层；以及
在所述第一绝缘层上提供第二绝缘层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，提供所述第一绝缘层包括：
沉积所述第一绝缘层；
图案化在所述第一绝缘层上的光致抗蚀剂；
蚀刻所述第一绝缘层，以至少部分地暴露所述垂直LED元件和所述第二连接电极；以及
剥离所述光致抗蚀剂。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一绝缘层的蚀刻包括保持所述第二连接电极与所述垂直LED元件的所述下部的所述边向侧部接触。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二绝缘层的形成包括：提供所述第二绝缘层，使得所述第二绝缘层完全地覆盖所述第二连接电极。
16.根据权利要求11所述的方法，还包括：
提供用于将所述垂直LED元件附接至所述基板的粘结构件，
其中，在所述垂直LED元件上提供所述第一连接电极包括经由贯穿所述粘结构件和所述绝缘层的一个或更多个接触孔将所述第一连接电极连接至所述像素电路中的晶体管的源电极或漏电极。
17.根据权利要求11所述的方法，其中：
提供所述垂直LED元件包括：
在生长基板上提供第二电极；
在所述第二电极上提供有源层；
在所述有源层上提供第一电极；
在所述第一电极上提供辅助电极；以及
在所述辅助电极上提供封装膜；并且
所述第一连接电极通过所述辅助电极电连接至所述第一电极。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，当所述垂直LED元件相对所述生长基板分离时，所述封装膜的覆盖与所述生长基板相邻的所述垂直LED元件的部分被去除。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第二连接电极接触所述垂直LED元件的由于所述封装膜的部分的去除而暴露的所述第二电极。
20.根据权利要求11所述的方法，其中，提供所述绝缘层包括：
沉积所述绝缘层；以及
使用半色调掩模来去除一个或更多个接触孔上的所述绝缘层，所述接触孔用于将所述垂直LED元件的顶部和所述第一连接电极连接至所述像素电路。
21.根据权利要求12所述的方法，
其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层围绕所述垂直LED元件。
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