CN111212497A - 驱动电路 - Google Patents

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Abstract

本发明在于提供一种驱动电路，包括：电压输入模块、快速启动模块和控制模块。电压输入模块包括第一输入端和第二输入端，用于接收交流电压并将交流电压转换为直流电。快速启动模块耦接至电压输入模块，用于接收直流电压并将所述直流电压转换为启动电压。控制模块耦接至快速启动模块，用于接收启动电压并控制负载工作。其中，快速启动模块包括第一电阻和第二电阻，串联的第一电阻和第二电阻耦接到第一输入端和控制模块，调压开关和第一电阻和第二电阻中的一个并联，当交流电压在阈值范围内，调压开关导通使与其并联的第一电阻或第二电阻短路，从而提高启动电压，加快控制模块启动速度。

Description

驱动电路
技术领域
本发明涉及一种驱动电路，特别是涉及一种可以使LED灯快速启动的驱动电路。
背景技术
LED作为新一代光源，具有节能、环保、寿命长、色彩多样、光束集中稳定、电光转化率高等优点。故近些年来，使用LED作为照明光源已经是一种趋势。
在设计由LED取代传统照明光源的过程中，与需要保证LED驱动的启动时间小于1秒。传统的启动方式是通过启动电阻对供电储能电容进行充电从而启动集成电路。然而，对于高输入电压的LED驱动电路，通常输入电压为277V/480V，为了达到在低电压时，例如277V，较快的启动速度，启动电阻的取值就不能取得过大。这就意味着，在高电压，例如480V时，由于启动电阻在启动完成后不能够关闭，故在启动后仍然会有较大的能量损耗。反之，如果启动电阻的取值较大，虽然降低了在高电压时的能量损耗，但却大大减慢了其在低电压时的启动速度。
现阶段的解决方式是使用反激式或反向式拓扑驱动电路来加快启动时间，但这种设计不但成本过高，而且重量和体积都较大，在LED内部空间有限的情况下，使用具有局限性。
因此，迫切的需要一种新的驱动电路来解决上述技术问题。
发明内容
本申请在于提供一种驱动电路，包括：电压输入模块、快速启动模块和控制模块。电压输入模块包括第一输入端和第二输入端，用于接收交流电压并将交流电压转换为直流电压。快速启动模块耦接至电压输入模块，用于接收直流电压并将所述直流电压转换为启动电压。控制模块耦接至快速启动模块，用于接收启动电压并控制负载工作。其中，快速启动模块包括第一电阻和第二电阻，串联的第一电阻和第二电阻耦接到第一输入端和控制模块，调压开关和第一电阻和第二电阻中的一个并联，当交流电压在阈值范围内，调压开关导通使与其并联的第一电阻或第二电阻短路，从而提高启动电压，加快控制模块启动速度。
本申请的目的就是设计一种低成本小体积的驱动电路，在高输入电压的情况下，达到启动速度快且功耗低的目的。
附图说明
通过结合附图对于本发明的实施方式进行描述，可以更好地理解本发明，在附图中：
图1所示为本申请驱动电路的一种实施方式的电路图。
图2所示为本申请驱动电路的另一种实施方式的电路图。
具体实施方式
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
本申请基于一种低成本小体积的灯的驱动电路，在高输入电压的情况下，达到启动速度快且功耗低的目的。
本申请的灯包括但不限于发光二极管(LED)灯、有机发光二极管(OLED)灯、荧光灯和高强度放电(HID)灯。下面将以LED灯为例来进行详细的描述。
图1所示为本申请驱动电路的一种实施方式的电路图。驱动电路10包括电压输入模块110、快速启动模块120、控制模块130和高频供电模块140。电压输入模块110耦接到供电设备(未示出)的两端，用于接收供电设备的交流电压并将该交流电压转换为直流电压。电压输入模块110包括整流模块和滤波模块。在一些实施方式中，整流模块包括耦接到供电设备两端的整流桥D1，滤波模块包括电容C1，整流桥D1和电容C1共同作用，用于限制和稳定接收到的交流电，并将交流电转换为直流电。在其他实施方式中，整流模块和滤波模块也可以选择本领域一般技术人员习知的其他电路连接方式。电压输入模块110还包括第一输入端112和第二输入端114。快速启动模块120，耦接至电压输入模块110，用于接收直流电压并将直流电压转换为启动电压。控制模块130，耦接至快速启动模块120，接收启动电压并控制负载(未示出)工作。在一些实施方式中，高频供电模块140的一端144耦接至第二输入端114，另一端142耦接至控制模块130，用于在控制模块130启动后对控制模块130进行高频供电，即高频供电模块140和快速启动模块120共同作用输出Vcc至控制模块130。
继续参考图1，在一些实施方式中，快速启动模块120包括调压开关Q1、第一电阻R2、第二电阻R3、分压电阻R1、第一齐纳二极管D2和第二齐纳二极管D3。其中，分压电阻R1和第一齐纳二极管D2串联后耦接到电压输入模块110的两端，分压电阻R1的第一端耦接至第一输入端112，分压电阻R1的第二端和第一齐纳二极管D2的负极电连接后耦接至调压开关Q1的基极，第一齐纳二极管D2的正极耦接至第二输入端114。第一电阻R2和第二电阻R3串联后一端耦接到第一输入端112，另一端耦接到控制模块130。调压开关Q1的集电极和发射极分别耦接至第一电阻R2或第二电阻R3的两端与其并联。在本实施方式中，调压开关Q1的集电极和发射极分别耦接第二电阻R3的两端，且调压开关Q1的发射极耦接至控制模块130。第二齐纳二极管D3的负极耦接至调压开关Q1的发射极，正极耦接至第二输入端114。在该实施方式中，调压开关Q1可以为三极管，在其他一些实施方方式中，调压开关Q1也可以为金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
在一些实施方式中，控制模块130包括驱动集成电路(IC)134和驱动开关132。驱动集成电路134用于接收高频供电模块140和快速启动模块120共同作用输出的Vcc并输出控制信号。驱动开关132耦接至驱动集成电路134，用于接收驱动集成电路134输出的控制信号，并基于该控制信号按照一定的规律开通和关断来控制负载工作，即控制LED照明单元(未示出)工作。在一些实施方方式中，驱动开关132可以为金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
在一些实施方式中，高频供电模块140包括电容C2、二极管D4和变压器T1。电容C2的一个电极和二极管D4的负极电连接后连接到调压开关Q1和控制模块130的连接结点，电容C2的另一个电极接地。
在一些实施方式中，第二齐纳二极管D3的稳压值大于第一齐纳二极管D2的稳压值，当接通电源，接收到的供电设备输入的交流电压在阈值范围内时，第二齐纳二极管D3两端的电压低于第一齐纳二极管D2两端的电压，调压开关Q1导通使与其并联的第二电阻R3短路，故第一电阻R2和第二电阻R3连入电路的总电阻仅为第一电阻R2的电阻值。此时，第一电阻R2对电容C2进行充电，可以提高启动电压，加快控制模块130的启动速度。在该实施方式中，供电设备输入交流电压的阈值范围约为250伏至500伏。在一些具体的实施方式中，供电设备输入交流电压的阈值范围约为277伏至480伏。
在一些实施方式中，在控制模块130被启动后，高频供电模块140开始对控制模块130进行高频供电。此时，第二齐纳二极管D3和高频供电模块的电容C2并联，故电容C2可对第二齐纳二极管D3充电。由于第二齐纳二极管D3的稳压值大于第一齐纳二极管D2的稳压值，所以当第二齐纳二极管D3两端的电压充至大于第一齐纳二极管D2两端的电压时，调压开关Q1关断使与其并联的第二电阻R3重新接入快速启动模块120中。此时，第一电阻R2和第二电阻R3连入电路的总电阻为第一电阻R2和第二电阻R3的电阻值之和，故可以降低通过第一电阻R2和第二电阻R3的电流值，减少电路中的电能损耗。
图2所示为本申请驱动电路的另一种实施方式的电路图。驱动电路20包括电压输入模块210、快速启动模块220、控制模块230、高频供电模块240和电压控制模块250。在一些实施方式中，电压输入模块210、控制模块230和高频供电模块240具有和图1所示的驱动电路10中电压输入模块110、控制模块130和高频供电模块140相同的结构和功能，在此不再重复介绍，这些模块中的元件也采用和图1中相同的标号。在其他一些实施方式中，电压输入模块210、控制模块230和高频供电模块240也可以采用本领域一般技术人员所习知的其他具有相同或相似功能的电路连接。
如图2所示，在一些实施方式中，电压控制模块250用于根据供电设备输出交流电压的电压值，控制调压开关Q21的导通和关断。电压控制模块250包括控制开关Q22和分压电阻R21、R24和R25。分压电阻R24和R25串联耦接到电压输入模块210的两端，且分压电阻R24和R25之间包括连接结点252。分压电阻R21的第一端耦接至第一输入端112，第二端与控制开关Q22的集电极连接于结点254。控制开关Q22的发射极耦接至第二输入端114，基极耦接至结点252。在该实施方式中，控制开关Q22可以为三极管，在其他一些实施方方式中，控制开关Q22也可以为金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
在一些实施方式中，快速启动模块220包括调压开关Q21、第一电阻R22、第二电阻R23、第一齐纳二极管D22和第二齐纳二极管D3。其中，第一齐纳二极管D2的正极耦接至第二输入端114，第一齐纳二极管D2的负极耦接至结点254后连接至调压开关Q21的基极。第一电阻R22和第二电阻R23串联后一端耦接到第一输入端112，另一端耦接到控制模块230。调压开关Q21的集电极和发射极分别耦接至第一电阻R22或第二电阻R23的两端与其并联。在本实施方式中，调压开关Q21的集电极和发射极分别耦接第二电阻R23的两端，且调压开关Q21的发射极耦接至控制模块230。第二齐纳二极管D23的负极耦接至调压开关Q21的发射极，正极耦接至第二输入端114。在该实施方式中，调压开关Q21可以为三极管，在其他一些实施方方式中，调压开关Q21也可以为金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
在一些实施方式中，电压控制模块250通过分压电阻R21、R24和R25电阻值的设定，根据供电设备输出交流电压的电压值，控制控制开关Q22的导通和关断，进而控制调压开关Q21的关断和导通。
具体来说，在一种实施方式中，当接通电源，接收到的供电设备输入的交流电压在阈值范围内，例如250伏至300伏，即较低电压值时，控制开关Q22关断。在一些具体的实施方式中，接收到的供电设备输入的交流电压的阈值范围为260伏-290伏。在一些更具体的实施方式中，接收到的供电设备输入的交流电压的阈值范围为270伏-280伏。已知第二齐纳二极管D23的稳压值大于第一齐纳二极管D22的稳压值，故此时第二齐纳二极管D23两端的电压低于第一齐纳二极管D22两端的电压，调压开关Q21导通使与其并联的第二电阻R23短路。此时，第一电阻R22对电容C2进行充电，可以提高启动电压，加快控制模块230的启动速度。在控制模块230被启动后，高频供电模块240开始对控制模块230进行高频供电。此时，第二齐纳二极管D23和高频供电模块的电容C2并联，故电容C2可对第二齐纳二极管D23充电。由于第二齐纳二极管D23的稳压值大于第一齐纳二极管D22的稳压值，所以当第二齐纳二极管D23两端的电压充至大于第一齐纳二极管D22两端的电压时，调压开关Q21关断使与其并联的第二电阻R23重新接入快速启动模块220中，可以降低通过第一电阻R22和第二电阻R23的电流值，减少电路中的电能损耗。
在另一种实施方式中，当接通电源，接收到的供电设备输入的交流电压大于阈值范围的最大值，例如400伏至500伏，即较高电压值时，控制开关Q22导通。在一些具体的实施方式中，接收到的供电设备输入的交流电压的阈值范围为470伏-490伏。此时第一齐纳二极管D22短路，调压开关Q21断开，第一电阻R22和第二电阻R23共同作用对电容C2进行充电。由于此时输入的交流电压较大，故通过第一电阻R22和第二电阻R23的电流也可以很快对电容C2充电，并短时提高启动电压，不会对控制模块230的启动速度造成影响，启动速度仍然可以控制在1秒以内。同时，由于调压开关Q21断开，第一电阻R22和第二电阻R23同时连入电路中，故也不会造成较大的电能损耗。
综上所述的实施方式中可以看出，本申请的驱动电路，在高输入电压的情况下，使用低成本小体积的带有开关元件(三极管或MOSFET)的快速启动模块，通过开关元件的导通和关断，对具有分压作用的串联电阻进行控制，达到启动速度快同时功耗低的目的。
本申请的专利保护范围由权利要求限定，该保护范围也可包括本领域技术人员可能想到的其它例子。如果这些其它例子包括的结构元件没有不同于权利要求的文字语言，或者它们包括的等价结构元件只与权利要求的文字语言有非本质的差别，这些例子落入本申请权利要求的范围。
各种替换和具体实施例预期落入随附权利要求的范围，这些权利要求特别地指出并清楚地声明本申请的主题。

Claims (10)

1.一种驱动电路，包括：
电压输入模块，包括第一输入端和第二输入端，用于接收交流电压并将所述交流电压转换为直流电压；
快速启动模块，耦接至所述电压输入模块，用于接收所述直流电压并将所述直流电压转换为启动电压；以及
控制模块，耦接至所述快速启动模块，用于接收所述启动电压并控制负载工作，
其中，所述快速启动模块包括第一电阻和第二电阻，串联的第一电阻和第二电阻耦接到所述第一输入端和所述控制模块，调压开关和所述第一电阻和所述第二电阻中的一个并联，当所述交流电压在阈值范围内，所述调压开关导通使与其并联的所述第一电阻或第二电阻短路，从而提高所述启动电压，加快所述控制模块启动速度。
2.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于：所述电压输入模块包括整流模块和滤波模块。
3.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于：所述调压开关包括三极管或金属-氧化物半导体场效应晶体管。
4.如权利要求1所述的驱动电路，还包括高频供电模块，一端耦接至所述第二输入端，另一端耦接至所述控制模块，用于在所述控制模块启动后对所述控制模块进行高频供电。
5.如权利要求4所述的驱动电路，其中，当所述高频供电模块开始对所述控制模块进行高频供电，所述调压开关断开使与其并联的所述第一电阻或第二电阻重新接入所述快速启动模块中。
6.如权利要求1所述的驱动电路，其中，所述阈值范围为277伏至480伏。
7.如权利要求1所述的驱动电路，还包括电压控制模块，耦接至所述电压输入模块，所述电压控制模块用于根据所述交流电压的电压值，控制所述调压开关的导通和关断。
8.如权利要求7所述的驱动电路，其中，所述阈值范围为250伏至300伏。
9.如权利要求8所述的驱动电路，其中，所述电压控制模块包括控制开关，当所述交流电压在所述阈值范围内时，所述控制开关关断，进而控制所述调压开关导通。
10.如权利要求8所述的驱动电路，其中，所述电压控制模块包括控制开关，当所述交流电压大于所述阈值的最大值时，所述控制开关导通，进而控制所述调压开关关断。
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