CN111198481B - 一种快速测算感光胶基准曝光能量的工艺方法 - Google Patents
一种快速测算感光胶基准曝光能量的工艺方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111198481B CN111198481B CN202010163548.3A CN202010163548A CN111198481B CN 111198481 B CN111198481 B CN 111198481B CN 202010163548 A CN202010163548 A CN 202010163548A CN 111198481 B CN111198481 B CN 111198481B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- exposure
- energy
- photosensitive resist
- exposure energy
- machine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明公开了一种快速测算感光胶基准曝光能量的工艺方法,即将感光胶均匀地涂布在曝光网版上;然后选择曝光机和能量计并设定曝光参数后将曝光网版放入曝光机进行曝光;在曝光过程中同时记录光照数据然后针对记录的数据计算感光胶的基准曝光能量。采用曝光机对新型感光胶直接曝光,并记录曝光能量或曝光时间来进行计算基准曝光能量的工艺方法,在进行测试的过程中减少了曝光测试的次数,减少曝光时长,又能够更快地找到一种新型感光胶的基准曝光能量。且在计算感光胶基准曝光能量的同时节省了在检测过程中所消耗的材料和时间,节约了生产成本,还提高了检测基准能量的精确度。
Description
技术领域
本发明涉及一种制版用感光胶的曝光测试方法,尤其是一种快速测算感光胶基准曝光能量的工艺方法。
背景技术
制版行业实践中,一种新型的感光胶在投入使用前需要先进行基准曝光能量的测试得到大致准确的曝光基准范围,再进行更加精准的曝光能量验证测试和网版曝光效果确认工作。
现有技术中常用来测量新型感光胶基准曝光能量的方式为“柯图泰曝光测试片”方法。是行业中是通行方法,即在一张菲林底片上设计五种不同遮光度的菲林片进行2倍预测曝光能量的曝光,曝光显影出来后根据所在遮光片上的图形解像效果来判断曝光能量应该大约在什么范围。在“柯图泰曝光测试片”进行曝光测试时,预测的曝光能量可能与实际曝光能量差异非常大,导致一次曝光的五个遮光片全部曝光过度而无法判断基准范围;或者一次曝光的五个遮光片全部曝光不足,网版全部脱落,也无法判断大致范围。其次,此方法通常需要用两倍曝光能量来测试,且需要多次使用不同曝光能量来测试后才能得到准确的曝光能量。不仅不能准确地测出感光胶的曝光范围还浪费了大量的测试时间成本和测试的材料成本。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明提供一种将新型感光版膜放置在曝光机上进行预曝光,通过曝光过程测量紫外线穿透感光胶版膜产生的光照度变化结果来确定曝光能量的快速测算感光胶基准曝光能量的工艺方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种快速测算感光胶基准曝光能量的工艺方法,包括以下步骤:
步骤一:涂布感光胶,将感光胶均匀地涂布在曝光网版上;
步骤二:选择曝光机和能量计并设定曝光参数;
步骤三:将曝光网版放入曝光机开始曝光;
步骤四:在曝光过程中同时记录光照数据,持续记录光照度上升过程中的曝光能量,直至光照度不再上升;
步骤五:计算感光胶的基准曝光能量。
作为上述技术方案的改进,所述步骤一在涂布感光胶之前需要先选择对应的感光胶曝光版膜厚度以及曝光网纱的颜色与厚度。
作为上述技术方案的进一步改进,进行所述步骤二时,先设置曝光机的曝光能量,曝光机设置为最大曝光能量。
作为上述技术方案的进一步改进,所述步骤四中计算感光胶基准曝光能量的方式为:基准曝光能量等于设定能量减去停止曝光前所剩能量,再乘以百分之八十。
作为上述技术方案的进一步改进,进行所述步骤二时,先设置曝光机的曝光时间,曝光机设置为最大曝光时间。
作为上述技术方案的进一步改进,所述步骤四中计算感光胶基准曝光能量的方式为:基准曝光时间等于设定时间减去停止曝光前所剩时间,再乘以百分之八十。
作为上述技术方案的进一步改进,所述步骤四中记录曝光数据时,每10个能量单位记录一次光照度。
本发明的有益效果是:采用曝光机对新型感光胶直接曝光,并记录曝光能量或曝光时间来进行计算基准曝光能量的工艺方法,在进行测试的过程中减少了曝光测试的次数,减少曝光时长,又能够更快地得到一种新型感光胶的基准曝光能量。且在计算感光胶基准曝光能量的同时节省了在检测过程中所消耗的材料和时间,节约了生产成本,还提高了检测基准能量的精确度。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明工艺流程图。
具体实施方式
以下将结合实施例和附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述,以充分地理解本发明的目的、特征和效果。显然,所描述的实施例只是本发明的一部分实施例,而不是全部实施例,基于本发明的实施例,本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例,均属于本发明保护的范围。另外,专利中涉及到的所有联接/连接关系,并非单指构件直接相接,而是指可根据具体实施情况,通过添加或减少联接辅件,来组成更优的联接结构。本发明创造中的各个技术特征,在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。
参照图1,一种快速测算感光胶基准曝光能量的工艺方法,包括以下步骤:
步骤一:涂布感光胶,将感光胶均匀地涂布在曝光网版上;在涂布感光胶之前需要先选择对应的感光胶曝光版膜厚度以及曝光网纱的颜色与厚度。
步骤二:选择曝光机和能量计并设定曝光参数;在进行时先设置曝光机的曝光能量,曝光机设置为最大曝光能量;或者先设置曝光机的曝光时间,曝光机设置为最大曝光时间。
步骤三:将曝光网版放入曝光机开始曝光;
步骤四:在曝光过程中同时记录光照数据,持续记录光照度上升过程中的曝光能量,直至光照度不再上升;记录曝光数据时,每10个能量单位记录一次光照度。
步骤五:计算感光胶的基准曝光能量。计算感光胶基准曝光能量的方式有两种,分别是利用基准曝光能量的数据进行计算和利用基准曝光时间的数据进行计算。采用基准曝光能量进行计算时,基准曝光能量等于设定能量减去停止曝光前所剩能量,再乘以百分之八十;采用基准曝光时间进行计算时,基准曝光时间等于设定时间减去停止曝光前所剩时间,再乘以百分之八十。
具体检测过程为:首先,选择用于曝光测试的曝光机和用于测量曝光网版光照度的能量计,能量计型号为UV-M03A,但不限于此型号能量计,以及适用此感光胶和曝光机波长的的探头UV-SD42,但不限于此探头。然后将曝光机玻璃平面清理干净后,把涂布好新型感光胶版膜的曝光网版放置在曝光机的中心居中位置。
器械选定放置完成后,按动能量计电源开关,调出能量计电子显示器显示光照度单位,然后将探头放置在待曝光网版的有感光胶区域;开启曝光机曝光电源,同时设定为曝光机的本次曝光能量,一般设定为最大曝光能量。最后盖好曝光机压盖,启动曝光机开始曝光网版。
在新型感光胶曝光的过程中能量计上的电子显示屏在某个时间段开始测量出光照度实际值,并且会缓慢上升。测量人员记录好每10个单位能量的光照度数值,不间断进行记录。当能量计所显示的光照度数值在10单位能量内数值不变时,马上关闭曝光机,停止曝光网版。此时将曝光机显示器上原设定曝光能量减去此时记录剩余的曝光能量就是该测试感光胶在当前网版条件下的基准曝光能量;如果设定的是时间,曝光机上原设定曝光时间减去此时记录剩余的曝光时间就是该测试感光胶在当前网版条件下的基准曝光时间。通常情况下,感光胶曝光至80%的时候曝光基准能量就能达到理想的解像效果,最后是通过2倍曝光能量的二次复晒来完成感光胶的完全固化。所以,实际使用的基准曝光能量曝光能量就等于基准曝光能量的80%。
以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明,但本发明创造并不限于所述实施例,熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换,这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (3)
1.快速测算感光胶基准曝光能量的工艺方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤一:涂布感光胶,将感光胶均匀地涂布在曝光网版上;
步骤二:选择曝光机和能量计并设定曝光参数;
步骤三:将曝光网版放入曝光机开始曝光;
步骤四:在曝光过程中同时记录光照数据,持续记录光照度上升过程中的曝光能量,直至光照度不再上升;
步骤五:计算感光胶的基准曝光能量;
进行所述步骤二时,先设置曝光机的曝光能量,曝光机设置为最大曝光能量;
所述步骤五中计算感光胶基准曝光能量的方式为:基准曝光能量等于设定能量减去停止曝光前所剩能量,再乘以百分之八十。
2.根据权利要求1所述快速测算感光胶基准曝光能量的工艺方法,其特征在于:所述步骤一在涂布感光胶之前需要先选择对应的感光胶曝光版膜厚度以及曝光网纱的颜色与厚度。
3.根据权利要求1所述快速测算感光胶基准曝光能量的工艺方法,其特征在于:所述步骤四中记录曝光数据时,每10个能量单位记录一次光照度。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010163548.3A CN111198481B (zh) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 一种快速测算感光胶基准曝光能量的工艺方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010163548.3A CN111198481B (zh) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 一种快速测算感光胶基准曝光能量的工艺方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111198481A CN111198481A (zh) | 2020-05-26 |
CN111198481B true CN111198481B (zh) | 2023-03-31 |
Family
ID=70745269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010163548.3A Active CN111198481B (zh) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 一种快速测算感光胶基准曝光能量的工艺方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111198481B (zh) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0945604A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Nec Corp | 露光方法及び露光装置 |
EP0947881B1 (en) * | 1998-03-30 | 2004-10-27 | Infineon Technologies AG | Control of critical dimensions |
US7626182B2 (en) * | 2006-09-05 | 2009-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Radiation pulse energy control system, lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101825846A (zh) * | 2009-03-02 | 2010-09-08 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种检测正光阻曝光门槛能量的方法 |
CN102566288B (zh) * | 2010-12-21 | 2013-11-27 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 曝光方法和*** |
KR102180027B1 (ko) * | 2014-09-19 | 2020-11-17 | 삼성전자 주식회사 | 최적의 포커스 및 도즈를 결정하기 위한 노광 공정 계측 방법 및 이를 이용한 노광 공정 모니터링 방법 |
-
2020
- 2020-03-10 CN CN202010163548.3A patent/CN111198481B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111198481A (zh) | 2020-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI229894B (en) | Mask defect inspecting method, semiconductor device manufacturing method, mask defect inspecting apparatus, generating method of defect influence map, and computer program product | |
KR20030001745A (ko) | 포커스 모니터링 방법 | |
CN104516206B (zh) | 一种优化光学临近修正拟合结果的方法 | |
US6215896B1 (en) | System for enabling the real-time detection of focus-related defects | |
CN102043344A (zh) | 曝光机台的监测方法 | |
CN102033073A (zh) | 确定自动光学检测设备性能的方法及标准片 | |
US5619330A (en) | Method and apparatus for determining thickness of an OPC layer on a CRT faceplate panel | |
CN111198481B (zh) | 一种快速测算感光胶基准曝光能量的工艺方法 | |
US7093226B2 (en) | Method and apparatus of wafer print simulation using hybrid model with mask optical images | |
US10663855B2 (en) | Photoetching parameter adjustment method and apparatus, and mask plate | |
CN111750788A (zh) | 一种电芯极耳检测装置及其方法 | |
JPS6058416B2 (ja) | 光透過度の測定法 | |
US1925355A (en) | Motion picture film printer | |
TW401587B (en) | Method for monitoring the dosage/focus/leveling | |
CN109752926B (zh) | 补偿透镜热效应的方法 | |
CN102566327A (zh) | 显影均匀性调试方法 | |
JP6964790B2 (ja) | 光学材料の縞の定量試験法 | |
KR20000034525A (ko) | 반도체소자 제조에 이용되는 리소그래피 방법 | |
CN105093840B (zh) | 曝光机散射光参量的监测方法 | |
CN114488708B (zh) | 通过膜厚量化光刻机漏光的方法 | |
KR20110001150A (ko) | 포토마스크의 패턴 시디 균일도 측정장치 및 방법 | |
US2631491A (en) | Method of measuring areas, especially irregular areas | |
CN114706281B (zh) | 一种提高pcb板曝光均匀性的方法 | |
WO2022028077A1 (zh) | 准确获取光刻参数的方法 | |
US20050146715A1 (en) | Method for repairing opaque defects on semiconductor mask reticles |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |