CN111162184A - 有机电致发光元件及其制造方法 - Google Patents

有机电致发光元件及其制造方法 Download PDF

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CN111162184A CN201911042605.6A CN201911042605A CN111162184A CN 111162184 A CN111162184 A CN 111162184A CN 201911042605 A CN201911042605 A CN 201911042605A CN 111162184 A CN111162184 A CN 111162184A
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桐田科
岛村隆之
小田尚人
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Abstract

本公开的一种实施方式的有机电致发光元件依次具备：第一电极、发光层、电阻层和第二电极。电阻层具有大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm的电阻率，并且由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成，混合材料的组成比中的ZnO的摩尔比为5mol％～85mol％、Ga2O3的摩尔比为0mol％～95mol％、SiO2的摩尔比为12mol％～28mol％。

Description

有机电致发光元件及其制造方法
技术领域
本公开涉及一种有机电致发光元件及其制造方法。
背景技术
在有机电致发光元件中，如果在阳极电极上存在粒子(异物)、突起物；那么为了防止在阳极电极与阴极电极之间发生短路，而在发光层与阴极电极之间设置由金属氧化物等构成的电阻层(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-207010号公报
发明内容
但是，在制造过程中有可能电阻层的电阻下降，从而有可能降低防止在阳极电极与阴极电极之间发生短路的功能。因此，期望提供一种可以维持防止阳极电极与阴极电极的短路的功能的有机电致发光元件及其制造方法。
本公开的一种实施方式的有机电致发光元件，依次具备：第一电极、发光层、电阻层和第二电极。电阻层具有大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm的电阻率，并且由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成，混合材料的组成比中的ZnO的摩尔比为5mol％～85mol％、Ga2O3的摩尔比为0mol％～95mol％、SiO2的摩尔比为12mol％～28mol％。
在本公开的一种实施方式的有机电致发光元件中，设置在发光层与第二电极之间的电阻层由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成，混合材料的组成比中的ZnO的摩尔比为5mol％～85mol％、Ga2O3的摩尔比为0mol％～95mol％、SiO2的摩尔比为12mol％～28mol％。由此，在制造过程中，即使在第二电极上使用包含氢原子的气体形成保护层，也可以使电阻层的电阻率大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm。
本公开的一种实施方式的有机电致发光元件的制造方法包括：形成第一电极；在形成第一电极之后，形成发光层；在形成发光层之后，形成电阻层，电阻层由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成，混合材料的组成比中的ZnO的摩尔比为5mol％～85mol％、Ga2O3的摩尔比为0mol％～95mol％、SiO2的摩尔比为12mol％～28mol％；在形成电阻层之后，形成第二电极；以及在形成第二电极之后，使用包含氢原子的气体形成保护层，由此使电阻层的电阻率大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm。
本公开的另一种实施方式的有机电致发光元件的制造方法包括：形成第一电极；在形成第一电极之后，形成发光层；在形成发光层之后，形成电阻层，电阻层由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成；在形成电阻层之后，形成第二电极；以及在形成第二电极之后，使用包含氢原子的气体形成保护层，由此使电阻层的电阻率大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm，并且使混合材料的组成比中的ZnO的摩尔比为5mol％～85mol％、Ga2O3的摩尔比为0mol％～95mol％、SiO2的摩尔比为12mol％～28mol％。
在本公开的一种实施方式的有机电致发光元件的制造方法中，在发光层与第二电极之间形成电阻层，该电阻层由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成，混合材料的组成比中的ZnO的摩尔比为5mol％～85mol％、Ga2O3的摩尔比为0mol％～95mol％、SiO2的摩尔比为12mol％～28mol％。由此，即使在第二电极上使用包含氢原子的气体形成保护层，也可以使电阻层的电阻率大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm。
根据本公开的一种实施方式的有机电致发光元件及其制造方法，因为即使在第二电极上使用包含氢原子的气体形成保护层，也能够使电阻层的电阻率大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm；所以能够维持防止阳极电极与阴极电极的短路的功能。再有，本公开的效果不一定限定于这里所记载的效果，也可以是本说明书中记载的任何一个效果。
附图说明
图1是表示本公开的第一实施方式的有机电致发光元件的截面结构的一个例图。
图2是用于说明图1的电阻层的组成的图。
图3是表示每个图2的测定点的CVD前和CVD后的电阻率的测定值的图。
图4是表示图2的比较例b的电阻率的氧气浓度比依赖性的图。
图5是表示图2的实施例C的电阻率的氧气浓度比依赖性的图。
图6是表示图2的实施例B的电阻率的氧气浓度比依赖性的图。
图7是表示图2的实施例E的电阻率的氧气浓度比依赖性的图。
图8是用于说明图1的有机电致发光元件的制造过程的图。
图9是表示本公开的第二实施方式的有机电致发光装置的概略结构的一个例图。
图10是表示包含于图9的各个像素中的子像素的电路结构的一个例图。
图11是表示具备本公开的有机电致发光装置的电子设备的外观的一个例子的立体图。
符号说明
1 有机电致发光元件
2 有机电致发光装置
3 电子设备
11 阳极电极
12 空穴注入层
13 空穴传输层
14 发光层
15 电子传输层
16 电子注入层
17 电阻层
18 阴极电极
19 保护层
20 有机电致发光面板
21 像素
22 子像素
22-1 像素电路
22-2 有机电致发光元件
30 控制器
40 驱动器
41 水平选择器
42 写入扫描仪
310 壳体
320 显示面
Tr1 驱动晶体管
Tr2 选择晶体管
Cs 储存电容器
DSL 电源线
DTL 信号线
Vgs 栅极-源极间电压
Vsig 信号电压
WSL 选择线
具体实施方式
下面参照附图对用于实施本发明的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式全都表示本发明所优选的一个具体例子。因此，在以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接形态等，仅仅是一个例子，并不旨在限定本发明。因此，对以下的实施方式的构成要素中的、在表示本发明的最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。再有，各个附图仅是示意图，图示并不一定严密。另外，在各个附图中，对实质上同一的结构附加同一的符号，并且省略或简化重复的说明。再有，说明按以下的顺序进行。
1.第一实施方式(有机电致发光元件)
在发光层与阴极电极之间设置有电阻层的例子
2.第二实施方式(有机电致发光装置)
对每个像素设置有具备电阻层的有机电致发光元件的例子
3.应用例(电子设备)
<1.第一实施方式>
[结构]
图1表示本公开的第一实施方式的有机电致发光元件1的截面结构的一个例子。有机电致发光元件1例如设置在基板10上。有机电致发光元件1例如具备：发光层14，以及夹着发光层14配置的阳极电极11和阴极电极18。阳极电极11相当于本公开的“第一电极”的一个具体例子。阴极电极18相当于本公开的“第二电极”的一个具体例子。有机电致发光元件1例如进一步在阳极电极11与发光层14之间从阳极电极11侧依次具备空穴注入层12和空穴传输层13。有机电致发光元件1例如进一步在发光层14与阴极电极18之间从发光层14侧依次具备电子传输层15、电子注入层16和电阻层17。再有，也可以省略空穴注入层12和空穴传输层13中的至少一方。也可以省略电子传输层15和电子注入层16中的至少一方。电阻层17只要设置在发光层14与阴极电极18之间即可，例如也可以设置在发光层14与电子传输层15之间或电子传输层15与电子注入层16之间。
有机电致发光元件1例如进一步在阴极电极18上具备保护层19。有机电致发光元件1例如是以从基板10侧依次包含阳极电极11、空穴注入层12、空穴传输层13、发光层14、电子传输层15、电子注入层16、电阻层17、阴极电极18和保护层19的方式构成的元件构造。在有机电致发光元件1中，也可以进一步包含其他的功能层。
基板10例如是透明基板等具有透光性的透光基板，例如是由玻璃材料构成的玻璃基板。再有，基板10并不限于玻璃基板，也可以是由聚碳酸酯树酯、丙烯酸树脂等透光性树脂材料构成的透光性树脂基板，或者也可以是有机EL显示装置的底板即TFT(薄膜晶体管)基板。
阳极电极11例如形成在基板10上。阳极电极11是由例如铝(Al)、银(Ag)、铝或银的合金等构成的具有反射性的反射电极。再有，阳极电极11并不限于反射电极，例如也可以是具有透光性的透明电极。作为透明电极的材料，可以列举：例如ITO(Indium Tin Oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等透明导电性材料。阳极电极11也可以是反射电极与透明电极层叠的电极。
空穴注入层12用于提高空穴注入效率。空穴注入层12具有将从阳极电极11注入的空穴注入发光层14的功能。空穴注入层12例如由银(Ag)、钼(Mo)、铬(Cr)、钒(V)、钨(W)、镍(Ni)、铱(Ir)等的氧化物或PEDOT(聚噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物)等导电性聚合材料构成。空穴注入层12可以由单层构成，也可以是由多个层层叠的构造。
空穴传输层13具有将从阳极电极11注入的空穴向发光层14输送的功能。空穴传输层13例如由具有将从阳极电极11注入的空穴向发光层14输送的功能的材料(空穴传输性材料)构成。作为上述空穴传输性材料，可以列举：例如芳基胺衍生物、***衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物和吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、丁二烯化合物、聚苯乙烯衍生物、三苯甲烷衍生物、四苯基汽油衍生物等或者由它们组合而成的材料。
发光层14通过从阳极电极11注入的空穴与从阴极电极18注入的电子，在发光层14内再结合而生成激发子，从而发光。发光层14例如由有机发光材料构成。
发光层14的原料(材料)即有机发光材料，例如是主体材料与掺杂剂材料组合而成的材料。发光层14的原料(材料)即有机发光材料，也可以仅是掺杂剂材料。主体材料主要担负着电子或空穴的电荷输送的功能，掺杂剂材料担负着发光的功能。主体材料和掺杂剂材料不只限定于1种，也可以是2种以上(含2种)的组合。
作为发光层14的主体材料，可以使用例如胺化合物、缩合多环芳香族化合物、杂环化合物。作为胺化合物，可以使用例如单胺衍生物、二胺衍生物、三胺衍生物、四胺衍生物。作为缩合多环芳香族化合物，可以列举例如蒽衍生物、萘衍生物、并四苯衍生物、菲衍生物、屈衍生物、荧蒽衍生物、三亚苯衍生物、并五苯衍生物或苝衍生物等。作为杂环化合物，可以列举例如咔唑衍生物、呋喃衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、咪唑衍生物、吡唑衍生物、***衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、吡咯衍生物、吲哚衍生物、氮杂吲哚衍生物、氮杂咔唑衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物或酞菁衍生物等。
另外，作为发光层14的掺杂剂材料，可以使用例如芘衍生物、荧蒽衍生物、芳基乙炔衍生物、芴衍生物、苝衍生物、噁二唑衍生物、蒽衍生物或屈衍生物。另外，作为发光层14的荧光掺杂剂材料，也可以使用金属络合物。作为金属络合物，可以列举具有例如铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、铼(Re)或钌(Ru)等的金属原子与配体的化合物。
电子传输层15具有将从阴极电极18注入的电子向发光层14输送的功能。电子传输层15例如由具有将从阴极电极18注入的电子向发光层14输送的功能的材料(电子传输性材料)构成。电子传输层15例如由蒸镀膜或溅射膜构成。电子传输层15优选地具有下列功能：抑制从发光层14到阴极电极18的电荷(在本实施方式中为空穴)的穿透的电荷阻断(block)功能，以及抑制发光层14的激发态的消光的功能等。
上述电子传输性材料，例如是在分子内含有1个以上杂原子的芳香族杂环化合物。作为芳香族杂环化合物，可以列举：在骨架中含有例如吡啶环、嘧啶环、三嗪环、苯并咪唑环、菲咯啉环、喹唑啉环等的化合物。在上述电子传输性材料中，有可能掺杂有具有电子传输性的金属。在这种情况下，电子传输层15是含有掺杂金属的有机电子传输层。通过在电子传输层15中含有具有电子传输性的金属，能够提高电子传输层15的电子传输性。作为在电子传输层15中含有的掺杂金属，可以列举例如镱(Yb)等过渡金属。
电子注入层16具有将从阴极电极18注入的电子注入电子传输层15、发光层14的功能。电子注入层16例如由具有促进电子从阴极电极18注入电子传输层15、发光层14的功能的材料(电子注入性材料)构成。上述电子注入性材料也可以是例如在具有电子注入性的有机材料中掺杂具有电子注入性的金属的材料。包含在电子注入层16中的掺杂金属例如是与包含在电子传输层15中的掺杂金属相同的金属。
阴极电极18例如是ITO膜等透明电极。再有，阴极电极18并不限于透明电极，也可以是具有光反射性的反射电极。作为反射电极的材料，可以使用例如铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)、铝-锂合金、镁-银合金等。在本实施方式中，如果基板10和阳极电极11具有反射性，阴极电极18具有透光性；那么有机电致发光元件1为从阴极电极18侧发出光的顶部发光构造。再有，在本实施方式中，如果基板10和阳极电极11具有透光性，阴极电极18具有反射性；那么有机电致发光元件1为从基板10侧发出光的底部发光构造。
保护层19形成在阴极电极18上。保护层19例如以与阴极电极18的上面接触的方式形成。保护层19例如由SiN、SiON或SiO构成。保护层19通过使用例如硅烷、氨或乙硅烷等包含氢原子的气体的CVD(chemical vapor deposition)来形成。
其次，对电阻层17进行说明。在阳极电极11上存在粒子(异物)、突起物的情况下，有可能在阳极电极11与阴极电极18之间产生短路。电阻层17是为了防止这样的短路而设置的。为此，电阻层17的厚度例如为30nm～1000nm。电阻层17具有1×104Ω·cm～5×106Ω·cm的电阻率。电阻层17由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成。在电阻层17中，混合材料的组成比在图2中用斜线表示的范围内。
图2用于说明电阻层17的组成。在图2中，记载有可以用作电阻层17的材料的3种材料(ZnO、Ga2O3和SiO2)的摩尔比。具体地说，ZnO的摩尔比沿着三角形的左侧的边记载，SiO2的摩尔比沿着三角形的右侧的边记载，Ga2O3的摩尔比沿着三角形的底边记载。在图2中，对于由3种材料(ZnO、Ga2O3和SiO2)中的至少2种混合而成的混合材料构成的电阻层17的电阻率，表示有形成保护层19之后(即实施CVD后)的计测值。图2的斜线表示电阻层17的电阻率为1×104Ω·cm～5×106Ωcm的区域。可以在图2的斜线区域获得的ZnO的摩尔比，为5mol％～85mol％。可以在图2的斜线区域获得的Ga2O3的摩尔比，为0mol％～95mol％。可以在图2的斜线区域获得的SiO2的摩尔比，为12mol％～28mol％。
图3表示每个图2的测定点的CVD前和CVD后的电阻率的测定值。在此，“CVD前”是指形成电阻层17之后且形成保护层19之前。“CVD后”是指在电阻层17上形成保护层19之后。在图3中，表示有：作为实施例的5种混合材料的结果，以及作为比较例的14种混合材料的结果。从图3可知，由于在电阻层17上形成保护层19(即在形成电阻层17后实施CVD)，电阻层17的电阻率降低。这是因为：受到在使用CVD形成保护层19时产生的H2等离子的影响，导致电阻层17的电阻率降低。在电阻层17的电阻率低于期望的范围(1×104Ω·cm～5×106Ω·cm)的情况下，不易有效地发挥电阻层17的短路防止功能。另外，在电阻层17的电阻率超过期望的范围(1×104Ω·cm～5×106Ω·cm)的情况下，虽然能够有效地发挥电阻层17的短路防止功能，但是起因于电阻层17的电阻值高，而导致有机电致发光元件1的驱动电压变高。如图4所示，在图2、图3的比较例b中，即使在改变形成保护层时的氧气浓度比的情况下，电阻层的电阻率也低于期望的范围(1×104Ω·cm～5×106Ω·cm)。因此，将比较例的电阻层适用于有机电致发光元件1不切实际。
另一方面，对于实施例的电阻层17，通过在电阻层17上形成保护层19(即在形成电阻层17后实施CVD)，使电阻层17的电阻率在期望的范围(1×104Ω·cm～5×106Ω·cm)内。或者，即使在电阻层17上形成保护层19(即在形成电阻层17后实施CVD)，电阻层17的电阻率也没有脱离期望的范围(1×104Ω·cm～5×106Ω·cm)。如图5、图6、图7所示，可知在图2、图3的实施例B、C、E中，即使在改变形成保护层19时的氧气浓度比的情况下，电阻层17的电阻率也满足期望的范围(1×104Ω·cm～5×106Ω·cm)。因此，可知将实施例的电阻层17适用于有机电致发光元件1极为可行。
[制造方法]
其次，对本实施方式的有机电致发光元件1的制造方法进行说明。
首先，在基板10上形成阳极电极11、空穴注入层12、空穴传输层13、发光层14、电子传输层15、电子注入层16。其次，由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料形成电阻层17(步骤S101、图8)。这时，以满足下列条件的组成比形成电阻层17：在形成保护层19之后，电阻层17的电阻率在1×104Ω·cm～5×106Ω·cm的范围内。具体地说，以混合材料的组成比在图2中用斜线表示的范围内的方式形成电阻层17。其次，在形成阴极电极18之后，通过使用包含氢原子的气体的CVD形成保护层19(步骤S102、图8)。如此，使电阻层17的电阻率在1×104Ω·cm～5×106Ω·cm的范围内。
[效果]
其次，对本实施方式的有机电致发光元件1的效果进行说明。
在有机电致发光元件中，如果在阳极电极上存在粒子(异物)、突起物；那么为了防止在阳极电极与阴极电极之间发生短路，而在发光层与阴极电极之间设置由金属氧化物等构成的电阻层。但是，即使在设置电阻层的情况下，如上所述，在制造过程中有可能电阻层的电阻降低，从而有可能不能防止在阳极电极与阴极电极之间发生短路。
另一方面，在本实施方式中，设置在发光层14与阴极电极18之间的电阻层17由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成，混合材料的组成比在图2中用斜线表示的范围内。由此，在制造过程中，即使在阴极电极18上使用包含氢原子的气体形成保护层19，也能够使电阻层17的电阻率在1×104Ω·cm～5×106Ω·cm的范围内。其结果是，能够维持防止阳极电极11与阴极电极18的短路的功能。另外，在将这样的有机电致发光元件1用于发光面板的像素中的情况下，因为不易产生暗点，所以成品率得到提高，而能够谋求低成本化。
另外，在本实施方式的有机电致发光元件1的制造方法中，在发光层14与阴极电极18之间，形成电阻层17，并且该电阻层17由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成，混合材料的组成比在图2中用斜线表示的范围内。由此，即使在阴极电极18上，通过使用包含氢原子的气体的CVD形成保护层19，也能够使电阻层17的电阻率在1×104Ω·cm～5×106Ω·cm的范围内。其结果是，能够可靠地防止在阳极电极11与阴极电极18之间发生短路。
<2.第二实施方式>
[结构]
图9表示本公开的第二实施方式的有机电致发光装置2的概略结构例子。图10表示设置在有机电致发光装置2中的包含于各个像素21中的子像素22的电路结构的一个例子。有机电致发光装置2例如具备有机电致发光面板20、控制器30和驱动器40。驱动器40安装在例如有机电致发光面板20的外缘部分。有机电致发光面板20具有配置成矩阵形状的多个像素21。控制器30和驱动器40根据从外部输入的映像信号Din和同步信号Tin，驱动有机电致发光面板20(多个像素21)。
(有机电致发光面板20)
有机电致发光面板20通过由控制器30和驱动器40对各个像素21进行有源矩阵驱动，根据从外部输入的映像信号Din和同步信号Tin显示图像。有机电致发光面板20具有：在行方向上延伸的多根扫描线WSL和多根电源线DSL，在列方向上延伸的多根信号线DTL，以及配置成矩阵形状的多个像素21。
扫描线WSL用于各个像素21的选择，并且对各个像素21供给选择脉冲，该选择脉冲以每个所定单位(例如像素行)选择各个像素21。信号线DTL用于向各个像素21供给对应于映像信号Din的信号电压Vsig，并且向各个像素21供给包含信号电压Vsig的数据脉冲。电源线DSL向各个像素21供给电力。
各个像素21例如以包括发出红色光的子像素22、发出绿色光的子像素22和发出蓝色光的子像素22的方式构成。再有，各个像素21也可以以例如进一步包含发出其他颜色(例如白色、黄色等)的子像素22的方式构成。在各个像素21中，多个子像素22例如以在所定的方向上排成一列的方式配置。
各根信号线DTL连接于后述的水平选择器41的输出端。对于每个像素列，例如分配多根信号线DTL中的1根。各根扫描线WSL连接于后述的写入扫描仪42的输出端。对于每个像素行，例如分配多根扫描线WSL中的1根。各根电源线DSL连接于电源的输出端。对于每个像素行，例如分配多根电源线DSL中的1根。
各个子像素22具有像素电路22-1和有机电致发光元件22-2。有机电致发光元件22-2是上述第一实施方式的有机电致发光元件1。
像素电路22-1控制有机电致发光元件22-2的发光·消光。像素电路22-1具有通过后述的写入扫描来保持写入各个子像素22的电压的功能。像素电路22-1以例如包含驱动晶体管Tr1、写入晶体管Tr2和储存电容器Cs的方式构成。
写入晶体管Tr2对驱动晶体管Tr1的栅极控制施加对应于映像信号Din的信号电压Vsig。具体地说，写入晶体管Tr2对信号线DTL的电压进行采样，并且将采样得到的电压写入驱动晶体管Tr1的栅极。驱动晶体管Tr1串联于有机电致发光元件22-2。驱动晶体管Tr1驱动有机电致发光元件22-2。驱动晶体管Tr1根据由写入晶体管Tr2采样的电压的大小，控制流入有机电致发光元件22-2的电流。储存电容器Cs用于在驱动晶体管Tr1的栅极-源极之间保持所定的电压。储存电容器Cs具有在所定的期间中使驱动晶体管Tr1的栅极-源极之间的电压Vgs保持一定的功能。再有，像素电路22-1可以是对上述2Tr1C的电路附加各种电容器、晶体管的电路结构，也可以是与上述2Tr1C的电路结构不同的电路结构。
各根信号线DTL连接于后述的水平选择器41的输出端与写入晶体管Tr2的源极或漏极。各根扫描线WSL连接于后述的写入扫描仪42的输出端与写入晶体管Tr2的栅极。各根电源线DSL连接于电源电路与驱动晶体管Tr1的源极或漏极。
写入晶体管Tr2的栅极连接于扫描线WSL。写入晶体管Tr2的源极或漏极连接于信号线DTL。写入晶体管Tr2的源极和漏极中的未与信号线DTL连接的端子连接于驱动晶体管Tr1的栅极。驱动晶体管Tr1的源极或漏极连接于电源线DSL。驱动晶体管Tr1的源极和漏极中的未与电源线DSL连接的端子连接于有机电致发光元件22-2的阳极电极11。储存电容器Cs的一端连接于驱动晶体管Tr1的栅极。储存电容器Cs的另一端连接于驱动晶体管Tr1的源极和漏极中的有机电致发光元件22-2侧的端子。
(驱动器40)
驱动器40例如具有水平选择器41和写入扫描仪42。水平选择器41例如对应(同步)控制信号的输入，将从控制器30输入的模拟信号电压Vsig施加到各根信号线DTL上。写入扫描仪42以每个所定单位扫描多个子像素22。
(控制器30)
其次，对控制器30进行说明。控制器30例如对从外部输入的数字映像信号Din进行所定的补正，并且根据由此得到的映像信号生成信号电压Vsig。控制器30例如将生成的信号电压Vsig向水平选择器41输出。控制器30例如对应(同步)从外部输入的同步信号Tin，对驱动器40内的各个电路输出控制信号。
在本实施方式中，第一实施方式的有机电致发光元件1使用于各个子像素22的有机电致发光元件22-2。由此，在有机电致发光元件1中，因为电阻层17可以防止阳极电极11与阴极电极18之间发生短路，所以能够防止起因于有机电致发光元件1内的短路的暗点的产生。
<3.应用例>
在下文中，对上述第二实施方式的有机电致发光装置2的应用例进行说明。上述第二实施方式的有机电致发光装置2可以应用于电视机、数码相机、笔记本个人电脑、片状个人电脑、手机等移动终端设备或摄像机等以图像或映像的形式显示从外部输入的映像信号或在内部产生的映像信号的所有领域的电子设备。
图11是表示本应用例的电子设备3的外观立体图。电子设备3例如是在壳体310的主面具备显示面320的片状个人电脑。电子设备3在其显示面320中具备上述第二实施方式的有机电致发光装置2，并且以有机电致发光面板20朝着外侧的方式配置上述第二实施方式的有机电致发光装置2。在本应用例中，因为上述第二实施方式的有机电致发光装置2设置在显示面320中，所以能够获得不易产生起因于有机电致发光元件1内的短路的暗点的电子设备3。
虽然上面列举多个实施方式和应用例说明了本公开，但是本公开不限于实施方式等，可以做出各种变化。再有，本说明书所记载的效果仅为例示。本公开的效果并不限于本说明书所记载的效果。本公开也可以具有本说明书所记载的效果以外的效果。
再有，本公开也能够采用以下结构。
(1)
一种有机电致发光元件，依次具备：第一电极、发光层、电阻层和第二电极，
所述电阻层具有大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm的电阻率，并且由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成，
所述混合材料的组成比在图2中用斜线表示的范围内。
(2)
所述(1)所述的有机电致发光元件，其中，
所述电阻层的厚度大于等于30nm且小于等于1000nm。
(3)
所述(1)所述的有机电致发光元件，其中，
进一步具备保护层，
所述保护层设置在所述第二电极的与所述电阻层相反的一侧，并且使用包含氢原子的气体制成。
(4)
所述(3)所述的有机电致发光元件，其中，
所述保护层由SiN、SiON或SiO构成。
(5)
一种有机电致发光元件的制造方法，包括：
形成第一电极；
在形成所述第一电极之后，形成发光层；
在形成所述发光层之后，形成电阻层，所述电阻层由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成，所述混合材料的组成比在图2中用斜线表示的范围内；
在形成所述电阻层之后，形成第二电极；以及
在形成所述第二电极之后，使用包含氢原子的气体形成保护层，由此使所述电阻层的电阻率大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm。
(6)
一种有机电致发光元件的制造方法，包括：
形成第一电极；
在形成所述第一电极之后，形成发光层；
在形成所述发光层之后，形成电阻层，所述电阻层由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成；
在形成所述电阻层之后，形成第二电极；以及
在形成所述第二电极之后，使用包含氢原子的气体形成保护层，由此使所述电阻层的电阻率大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm，并且使所述混合材料的组成比在图2中用斜线表示的范围内。
(7)
所述(6)所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，
以所述混合材料的组成比形成所述电阻层，以使在形成所述保护层之后所述电阻层的电阻率大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm。
本公开含有涉及在2018年11月8日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2018-210335中公开的主旨，其全部内容包含在此，以供参考。
本领域的技术人员应该理解，虽然根据设计要求和其他因素可能出现各种修改，组合，子组合和可替换项，但是它们均包含在附加的权利要求或它的等同物的范围内。

Claims (7)

1.一种有机电致发光元件，依次具备：第一电极、发光层、电阻层和第二电极，
所述电阻层具有大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm的电阻率，并且由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成，
所述混合材料的组成比中的ZnO的摩尔比为5mol％～85mol％、Ga2O3的摩尔比为0mol％～95mol％、SiO2的摩尔比为12mol％～28mol％。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，
所述电阻层的厚度大于等于30nm且小于等于1000nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，
进一步具备保护层，
所述保护层设置在所述第二电极的与所述电阻层相反的一侧，并且使用包含氢原子的气体制成。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光元件，其中，
所述保护层由SiN、SiON或SiO构成。
5.一种有机电致发光元件的制造方法，包括：
形成第一电极；
在形成所述第一电极之后，形成发光层；
在形成所述发光层之后，形成电阻层，所述电阻层由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成，所述混合材料的组成比中的ZnO的摩尔比为5mol％～85mol％、Ga2O3的摩尔比为0mol％～95mol％、SiO2的摩尔比为12mol％～28mol％；
在形成所述电阻层之后，形成第二电极；以及
在形成所述第二电极之后，使用包含氢原子的气体形成保护层，由此使所述电阻层的电阻率大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm。
6.一种有机电致发光元件的制造方法，包括：
形成第一电极；
在形成所述第一电极之后，形成发光层；
在形成所述发光层之后，形成电阻层，所述电阻层由ZnO、Ga2O3和SiO2中的至少2种混合而成的混合材料构成；
在形成所述电阻层之后，形成第二电极；以及
在形成所述第二电极之后，使用包含氢原子的气体形成保护层，由此使所述电阻层的电阻率大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm，并且使所述混合材料的组成比中的ZnO的摩尔比为5mol％～85mol％、Ga2O3的摩尔比为0mol％～95mol％、SiO2的摩尔比为12mol％～28mol％。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，
以所述混合材料的组成比形成所述电阻层，以使在形成所述保护层之后所述电阻层的电阻率大于等于1×104Ω·cm且小于等于5×106Ω·cm。
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