CN111128025B - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，阵列基板包括显示区和围绕显示区的非显示区；在衬底基板上设置的有源层、第一金属层、第二金属层、公共电极和像素电极；第一公共电极走线和第二公共电极走线电联接；第一公共电极走线与公共电极电连接；第二公共电极走线与公共电极电连接；第一公共电极走线位于显示区，第二公共电极走线位于非显示区；有源层在衬底基板所在平面的正投影与第一公共电极走线在衬底基板所在平面的正投影无交叠。本发明减去了现有技术中尺寸乃至大尺寸车载产品中由有源层与第一公共电极走线之间形成的存储电容，进而减小了整个像素的存储电容，减小了充电量，降低了能耗，加快了存储电容的充电速率。

Description

阵列基板、显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

现有中尺寸车载非TED(Touch Embedded Display，触控嵌入式显示器)产品设计时，为改善面内公共电极均一性，会在栅极所在的第一金属层内引入公共电极走线。但现有技术中的公共电极走线在衬底基板所在平面的正投影与驱动晶体管的有源层在衬底基板所在平面的正投影会有部分交叠，则在有源层与公共电极走线之间会形成了一个电容，此电容构成了像素存储电容的一部分。与小尺寸的车载非TED产品相比，中尺寸乃至大尺寸车载产品在相同的像素密度的情况下，单个像素的像素电极面积更大，进而使像素电极与公共电极之间的存储电容增大。根据电容＝电量/电压可得，液晶偏转的白态电压一定时，电容越大，则存储电容充电所需的电量也越大。而现有的中尺寸非TED车载产品设计中存储电容又由有源层与公共电极走线之间形成的电容和公共电极和像素电极之间形成的电容两部分电容构成。这使中尺寸的车载产品中的存储电容远大于小尺寸车载产品中的存储电容，这大大影响了存储电容的充电速率，并且增加了车载产品所需功耗。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，解决了现有技术中尺寸车载非TED产品的存储电容过大影响充电速率的问题。

第一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括显示区和围绕所述中心区的非显示区；还包括：

衬底基板；

在所述衬底基板上设置的有源层、第一金属层、第二金属层、公共电极、以及像素电极，所述第二金属层位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；所述公共电极位于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧；所述像素电极位于所述公共电极远离所述第二金属层一侧；所述衬底基板、所述有源层、所述第一金属层、所述第二金属层、所述公共电极、以及像素电极两两之间设有绝缘层；

驱动晶体管，所述驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极位于所述第一金属层，所述源极和所述漏极位于第二金属层，所述源极和所述漏极与所述有源层电连接；所述源极或所述漏极与所述像素电极电连接；

第一公共电极走线和第二公共电极走线，所述第一公共电极走线和所述第二公共电极走线电联接；所述第一公共电极走线位于所述第一金属层，且与所述公共电极电连接；所述第二公共电极走线与所述公共电极电连接；

其中，所述第一公共电极走线位于所述显示区，所述第二公共电极走线位于所述非显示区且至少半围绕所述显示区；

所述像素电极在所述阵列基板平面的正投影与所述公共电极在所述阵列基板所在平面的正投影至少部分交叠；

所述有源层在所述衬底基板所在平面的正投影与所述第一公共电极走线在所述衬底基板所在平面的正投影无交叠。

第二方面，本发明提供了一种显示面板，包括上述阵列基板；

与所述阵列基板相对设置的对置基板；

以及位于所述对置基板与所述阵列基板之间的显示介质层。

第三方面，本发明还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

与现有技术相比，本发明提供的阵列基板、显示面板及显示装置，至少实现了如下的有益效果：

本发明中使有源层在衬底基板所在平面的正投影与第一公共电极走线在衬底基板所在平面的正投影无交叠，减去了现有技术中尺寸乃至大尺寸车载产品中由有源层与第一公共电极走线之间形成的存储电容，进而减小了整个像素的存储电容，减小了像素存储电容所需的充电量，降低了能耗，节约了成本，加快了存储电容的充电速率，提高了显示装置的显示效果。

当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1是现有技术中的一种阵列基板的平面示意图；

图2是图1中A-A′向剖视图；

图3是本发明提供的一种阵列基板的平面示意图；

图4是图3中B-B′向剖视图；

图5是图3中又一种B-B′向剖视图；

图6是图3中C-C′向剖视图；

图7是图3中又一种B-B′向剖视图；

图8是本发明提供的又一种阵列基板的平面示意图；

图9是本发明提供的又一种阵列基板的平面示意图；

图10是本发明提供的又一种阵列基板的平面示意图；

图11是本发明提供的一种阵列基板的平面示意图；

图12是图11中D-D′向剖视图；

图13是本发明提供的一种显示面板的平面示意图；

图14是图13中E-E′向剖视图；

图15是本发明提供的一种显示装置的平面示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

针对现有技术中尺寸车载非TED产品的存储电容过大影响充电速率的问题，发明人对现有技术的阵列基板进行了如下研究：

请参考图1和图2，图1是现有技术中的一种阵列基板的平面示意图；

图2是图1中A-A′向剖视图；阵列基板100′包括衬底基板1′；位于衬底基板1′上交叉设置的扫描线2′和数据线3′，以及多个子像素4′；子像素4′包括驱动晶体管T′，驱动晶体管T′包括栅极10′、有源层6′、源极8′和漏极7′，有源层6′位于衬底基板1′一侧，栅极10′位于有源层6′远离衬底基板1′一侧，源极8′、漏极7′和连接电极16′位于栅极10′远离有源层6′一侧；公共电极11′位于源极8′和漏极7′远离栅极10′一侧；像素电极5′位于公共电极11′远离源极8′和漏极7′一侧，漏极7′通过过孔与像素电极5′电连接；公共电极走线9′与栅极10′同层设置，通过连接电极16′与公共电极11′电连接；有源层6′在衬底基板1′所在平面的正投影与公共电极走线9′在衬底基板1′所在平面的正投影相交叠；在衬底基板1′与栅极10′之间设有栅极绝缘层12′；在栅极绝缘层12′与源极8′和漏极7′之间设有层间绝缘层13′；在层间绝缘层13′与公共电极11′之间设有平坦化层14′；在公共电极11′与像素电极5′之间设有钝化层15′。从图1和图2中可以看出现有技术中尺寸车载非TED产品，为了改善面内公共电极均一性，在栅极10′所在的一层引入公共电极走线9′，但是现有技术中公共电极走线9′与有源层6′相对位置之间在衬底基板1′所在平面的正投影是有部分交叠，此交叠会使公共电极走线9′与有源层6′之间形成一个电容，由于公共电极走线9′通过连接电极16′与公共电极11′电连接，而有源层6′通过漏极7′和过孔也间接的与像素电极5′电连接，则使公共电极走线9′与有源层6′之间形成的电容构成了像素存储电容的一部分；像素电极5′与公共电极11′之间形成的电容也为像素存储电容的一部分；两者加一起共同构成了现有技术中像素的存储电容。但是与小尺寸的车载非TED产品相比，中尺寸乃至大尺寸车载产品在相同的像素密度的情况下，单个像素的像素电极5′面积更大，进而使像素电极5′与公共电极11′之间的存储电容增大。根据电容＝电量/电压可得，在电压一定时，电容越大，则存储电容充电所需的电量也越大、时间也更多。再加上有源层6′与公共电极走线9′之间形成的电容，像素的存储电容更大，充电量也大大增加，充电时间也大大增加，这大大影响了存储电容的充电速率，进而影响显示器的显示效果。

为解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板，对于阵列基板的具体实施例以下详述。

请参考图3和图4，图3是本发明提供的一种阵列基板的平面示意图；图4是图3中B-B′向剖视图；阵列基板100包括显示区1和围绕显示区的非显示区2；还包括：衬底基板3；在衬底基板3上设置的有源层4、第一金属层5、第二金属层6、公共电极7、以及像素电极15，第二金属层6位于第一金属层5远离衬底基板3的一侧；公共电极7位于第二金属层6远离衬底基板3的一侧；像素电极15位于公共电极7远离第二金属层6一侧；衬底基板3、有源层4、第一金属层5、第二金属层6、公共电极7、以及像素电极15两两之间设有绝缘层8；驱动晶体管9，驱动晶体管9包括栅极10、源极11和漏极12，栅极10位于第一金属层5，源极11和漏极12位于第二金属层6，源极11和漏极12与有源层4电连接；源极11或漏极12与像素电极15电连接；第一公共电极走线13和第二公共电极走线14，第一公共电极走线13和第二公共电极走线14电联接；第一公共电极走线13位于第一金属层5，且与公共电极7电连接；第二公共电极走线14与公共电极7电连接；其中，第一公共电极走线13位于显示区1，第二公共电极走线14位于非显示区2且至少半围绕显示区1；像素电极15在阵列基板3平面的正投影与公共电极7在阵列基板3所在平面的正投影至少部分交叠；有源层4在衬底基板3所在平面的正投影与第一公共电极走线13在衬底基板3所在平面的正投影无交叠。

可以理解的是，图中的绝缘层8包括栅极绝缘层19、层间绝缘层20、平坦化层21和钝化层22，其中，栅极绝缘层19位于衬底基板3与第一金属层5之间，层间绝缘层20位于栅极绝缘层19与第二金属层6之间，平坦化层21位于层间绝缘层20与公共电极7之间，钝化层22位于公共电极与像素电极15之间。

可以理解的是，为了方便视图，图3中未示出所有膜层结构。

可以理解的是，本实施例中的有源层4为U型结构，当然有源层4也可以为其他形状，如L型等。

可以理解的是，本实施例中的有源层4的材料可以为低温多晶硅，当然还可以为其他材料，凡是能满足本实施例的有源层4材料都可以应用到本实施例中。

可以理解的是，图中各膜层结构的大小、各走线的与各膜层结构的位置关系只是示意性的，不代表实际情况，具体设置根据实际情况设定，下文不再赘述。

可以理解的是，图中衬底基板3未做填充。

可以理解的是，本实施例中为了减小中尺寸乃至大尺寸车载产品中的像素存储电容的大小，并且在不改变阵列基板100面内公共电极的均一性的情况下，即不改变第一金属层5上第一公共电极走线13的数量，并且不改变其他膜层设置的前提下，使在垂直于衬底基板3的方向上，有源层4在衬底基板3所在平面的正投影与第一公共电极走线13在衬底基板3所在平面的正投影无交叠。这样减去了现有技术中尺寸乃至大尺寸车载产品中由有源层4和衬底基板之间形成的像素的存储电容，本实施例中的存储电容只由像素电极15和公共电极7之间形成的电容组成，这样就大大减小了像素的存储电容，则像素存储电容所需的充电量减小，减小了功耗，节约了成本；并且像素的存储电容的减小还使像素存储电容的充电速率加快，显示效果变好。

与现有技术相比，本实施例提供的阵列基板至少实现了如下的有益效果：

本实施例中使有源层4在衬底基板3所在平面的正投影与第一公共电极走线13在衬底基板3所在平面的正投影无交叠，减去了现有技术中尺寸乃至大尺寸车载产品中由有源层4与第一公共电极走线13之间形成的存储电容，进而减小了像素的存储电容，加快了存储电容的充电速率，减小了像素存储电容所需的充电量，降低了能耗，节约了成本，提高了显示效果。

在一些可选的实施例中，继续参照图3和图4，第一公共电极走线13通过第一过孔16与公共电极7电连接。

本实施例中直接在层间绝缘层20和平坦化层21与第一公共电极走线13对应位置处设置第一过孔16，使第一过孔16贯穿层间绝缘层20和平坦化层21，暴露出第一公共电极走线13，并在此暴露出的第一公共电极走线13上设置公共电极7，通过第一过孔16使公共电极7与第一公共电极走线13电连接。相较于其他使公共电极7和第一公共电极走线13相连接的方式，通过第一过孔16电连接的制作工艺简单，制作工艺步骤少，降低了制作成本，提高了制作效率。

在一些可选的实施例中，请参考图5，图5是图3中又一种B-B′向剖视图；阵列基板100还包括连接电极24，连接电极24位于第二金属层6，连接电极24分别与第一公共电极走线13和公共电极7电连接。

可以理解的是，为了减少在各膜层之间的挖孔深度，防止由于挖孔过深而使各膜层在挖孔过程中形成裂纹，从而影响后续膜层的制作，进而影响最终的显示效果。所以本实施中在第二金属层6设置一个连接电极24，先使公共电极7通过过孔与连接电极24电连接，连接电极24再通过过孔与第一公共电极走线13电连接，这样也大大减少了公共电极7材料的用量，节约了成本。

在一些可选的实施例中，请参考图6，图6是图3中C-C′向剖视图；第一公共电极走线13通过第二过孔25与第二公共电极走线14电联接，第二过孔25设置于非显示区2。

可以理解的是，若只在阵列基板100非显示区2内设置第二公共电极走线14，显示区1中的像素电极15到非显示区2中的第二公共电极走线14的距离都不相同，会造成到达每个像素电极15的公共电极不相同，使显示区1内各部分的公共电极均一性不好。所以本实施例将第一公共电极走线13和第二公共电极走线14电连接，使位于非显示区2的第二公共电极走线14通过第一电极走线13将公共电极均匀的引入到阵列基板100的显示区1中，使到达每一个像素电极15的公共电极的大小相近或相同，极大地改善了显示区1内公共电极的均一性。并且通过将第二公共电极走线14设置在非显示区2中，并将第一公共电极走线13和第二公共电极走线14之间的第二过孔25也设置在非显示区2，可以避免第二过孔25在显示区1中占用空间，影响显示区1中像素的开口率和其他走线的布线；并且将第二过孔25设置在非显示区1也可以避免在制作第二过孔25过程将其他走线切断，进而影响显示效果。

在一些可选的实施例中，继续参考图6，第二公共电极走线14位于第二金属层6。

可以理解的是，本实施将第二公共电极走线14设置在第二公共电极走线14设置在第二金属层6上，而不用单独为第二公共电极走线14设置一个膜层，减少了阵列基板100膜层的厚度；并且由于第二公共电极走线14也需要与公共电极7电连接，设置在第二金属层6上可以减少第二公共电极走线14与公共电极7之间所跨越的膜层数量，缩短了两者之间的距离，使第二公共电极走线14与公共电极7之间的信号传递受到的干扰减少，则两者之间的信号传递更快、更准确，降低了两者之间的信号传递的延迟。。当然，第二公共电极走线14也可以位于第一金属层，具体设置方式根据实际情况具体设定。

在一些可选的实施例中，继续参考图3和图4，源极11和漏极12在衬底基板3所在平面的正投影与第一公共电极走线13在衬底基板3所在平面的正投影无交叠。

可以理解的是，为了防止第一公共电极走线13与源极11和漏极12之间因为离得过近而使两者之间产出电磁场的干扰；并且两者之间距离过近的话，在制作过程中容易出现误差，使第一公共电极走线13与源极11或漏极12电连接，进而影响后续显示效果。并且如果第一公共电极走线13与漏极12离得过近，还会在第一公共电极走线13与漏极12之间形成电容，该电容也是组成存储电容的一部分，从而造成存储电容的增大，充电量的增大，增加了功耗，影响存储电容的充电速率。所以本实施例中使源极11和漏极12在衬底基板3所在平面的正投影与第一公共电极走线13在衬底基板3所在平面的正投影无交叠，有效避免了漏极13与有源层4之间形成存储电容的问题，并且有效避免了漏极12与有源层4电连接的问题。

在一些可选的实施例中，请参考图7，图7是图3中又一种B-B′向剖视图；阵列基板100还包括遮光层26，遮光层26位于衬底基板3靠近有源层4一侧，栅极10在衬底基板3所在平面的正投影位于遮光层26在衬底基板3所在平面的正投影之内。

可以理解的是，在衬底基板3和栅极绝缘层19之间还设有缓冲层27。

可以理解的是，驱动晶体管9的有源层4对光线的照射比较敏感，因此为了避免背光源照射有源层4而使驱动晶体管9产生漏电，所以在衬底基板3与有源层4之间设置一层遮光层26。又由于本实施例中的有源层4为U字型有缘层，U字型两侧壁分别为有源层4的有效沟道区，即有源层4的有效沟道区是指有源层4与栅极10在垂直于衬底基板3方向上相重合的部分。U字形有源层4可以减小驱动晶体管9的漏电流。所以只要使遮光层26在衬底基板3所在平面的正投影覆盖栅极10在衬底基板3所在平面的正投影即可。

在一些可选的实施例中，请参考图8，图8是本发明提供的又一种阵列基板的平面示意图；第一公共电极走线13靠近有源层4一侧设有多个凹陷部38，凹陷部38在衬底基板3所在平面的正投影与有源层4在衬底基板3所在平面的正投影部分交叠。

可以理解的是，为了方便视图，图8中未示出全部膜层结构，下文不再赘述。

可以理解的是，图中第一公共电极走线13的形状只是示意性的，其他能满足要求的第一公共电极走线13的形状同样适用于本实施例。

可以理解的是，为了减小存储电容的大小，并且不改变阵列基板100面内公共电极的均一性和其他膜层设置的情况下，本实施例在第一公共电极走线13靠近有源层4一侧设置多个凹陷部38，凹陷部38与有源层4的位置相对应设置，使有源层4在衬底基板3所在平面的正投影位于凹陷部38在衬底基板3所在平面的正投影之内，即通过改变第一公共电极走线13在第二方向Y的与有源层4相对应位置处的宽度，以此使第一公共电极走线13在衬底基板3所在平面的正投影与有源层4在衬底基板3所在平面的正投影不交叠，防止了在有源层4与第一公共电极走线13之间产生存储电容，有效降低了整体存储电容的大小，降低了存储电容的充电量，降低了功耗，提高了存储电容的充电速率。

请参考图9，图9是本发明提供的又一种阵列基板的平面示意图；除了将第一公共电极走线13在第二方向Y上的宽度减小，以此来避免有源层4与第一公共电极走线13相交叠外，还可以将第一公共电极走线13设置成锯齿型结构，使第一公共电极走线13与有源层4相对应的位置处朝向远离所述有源层4一侧突起，即第一公共电极走线13与有源层4相对应的位置处靠近有源层4一侧形成凹陷部38，使第一公共电极走线13在布线过程中避开有源层4，以此避免让有源层4与第一公共电极走线13之间产生存储电容，有效降低了整体存储电容的大小，降低了存储电容的充电量，降低了功耗，提高了存储电容的充电速率。

可以理解的是，为了方便视图，图9中未示出全部膜层结构，下文不再赘述。

在一些可选的实施例中，请参考图10，图10是本发明提供的又一种阵列基板的平面示意图；阵列基板100还包括多条沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列的栅极线17和多个子像素23，子像素23包括第一子像素28和第二子像素29，第一公共电极线13在衬底基板3的投影与第一子像素28在衬底基板3的投影至少部分交叠；第一公共电极13走线在所衬底基板3的投影与第二子像素29在衬底基板3的投影不交叠；第一子像素28包括第一子有源层30和第一像素电极31，第二子像素29包括第二子有源层32和第二像素电极33，第一子有源层30和第二子有源层32同层设置，第一像素电极31和第二像素电极33同层设置，第一方向X和第二方向交叉Y；第一子有源层30包括与第一像素电极31电连接的第一漏极34，第二子有源层32包括与第二像素电极33电连接的第二漏极35；沿第二方向Y上，第一漏极34远离栅极线17的边缘到栅极线17靠近第一漏极34的边缘之间的距离为A1；沿第二方向Y上，第二漏极35远离栅极线17的边缘到栅极线17靠近第二漏极35的边缘之间的距离为A2；A1＜A2。

可以理解的是，为了方便视图，图10中未示出全部膜层结构，下文不再赘述。

可以理解的是，图中第一子有源层30和第二子有源层32的形状只是示意性的，不代表实际情况。

可以理解的是，为了减小存储电容，使有源层4和第一公共电极走线13在衬底基板3所在平面的正投影不交叠，本实施例中在不改变第一公共电极走线13设置的情况下，通过改变有源层4的形状使有源层与第一公共电极走线13不交叠。如图10所示，使第一子像素28中的第一子有源层30到栅极线17的距离A1与第二子像素29中的第二子有源层32到栅极线17的距离A2不同，即通过缩短有源层4沿第二方向Y的长度来使有源层4和第一公共电极走线13在衬底基板3所在平面的正投影不交叠，以此减小存储电容，降低了存储电容的充电量，降低了功耗，提高存储电容的充电速率。

在一些可选的实施例中，图11是本发明提供的一种阵列基板的平面示意图；图12是图11中D-D′向剖视图；第一金属层5位于有源层4远离衬底基板3一侧(参照图4所示)或者第一金属层5位于衬底基板3靠近有源层一侧(参照图11和图12所示)。

参照图4所示，第一金属层5位于有源层4远离衬底基板3一侧的设置，在制作的过程中可以采取对绝缘层8的修饰来改变有源层4的结构和形貌，从而提高有源层4的载流子迁移率，同时此种设置中的有源层4受栅极10电场影响的面积大于源极11和漏极12，因此使有源层4具有较高的载流子迁移率。参照图11和图12所示，有一些设置需要有源层4不被遮挡，所以需要将第一金属层5设置在衬底基板3靠近有源层一侧。

在一些可选的实施例中，继续参考图3和图4，阵列基板100还包括多条沿第一方向X排列且沿第二方向Y延伸的数据线18；栅极线17位于第一金属层5，在垂直于衬底基板3所在平面的方向上，栅极线17与有源层4至少部分相交叠；数据线18位于第二金属层6，且与源极11电连接，数据线18在衬底基板3所在平面的正投影与有源层4在衬底基板3所在平面的正投影至少部分相交叠。

可以理解的是，U字形设计的有源层4中，在垂直于衬底基板3的方向上，栅极线17上与有源层4相重合的部分即为栅极10，数据线18上与有源层4相重合的部分即为源极11，这样的设置使栅极10和源极11在子像素23中不占用空间，可以有效增大子像素23的开口率，改善显示效果。

请参考图13和图14，图13是本发明提供的一种显示面板的平面示意图；图14是图13中E-E′向剖视图；显示面板200包括上述实施例提供的阵列基板100；与阵列基板100相对设置的对置基板36；以及位于对置基板36与阵列基板100之间的显示介质层37。

可以理解的是，显示介质层37的材料可以为液晶等。对置基板36可以为彩膜基板等。显示面板200具有上述阵列基板100的有益效果，本实施例在此不再赘述。

请参考图15，图15是本发明提供的一种显示装置的平面示意图；显示装置300包括本发明上述实施例提供的显示面板200。

图15中实施例仅以车载显示装置为例，对显示装置300进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置300，可以是手机、电脑、电视等其他具有显示功能的显示装置300，本发明对比不作具体限制。本发明提供的显示装置300具有本发明提供的显示面板200的有益效果，具体参考上述实施例对于显示面板200的具体说明，本实施例在此不再赘述。

通过上述实施例可知，本发明提供的阵列基板、显示面板及显示装置，至少实现了如下的有益效果：

本发明中使有源层在衬底基板所在平面的正投影与第一公共电极走线在衬底基板所在平面的正投影无交叠，减去了现有技术中尺寸乃至大尺寸车载产品中由有源层与第一公共电极走线之间形成的存储电容，进而减小了整个存储电容，减小了像素存储电容所需的充电量，降低了能耗，节约了成本，加快了存储电容的充电速率，提高了显示装置的显示效果。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (13)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区；还包括：

衬底基板；

在所述衬底基板上设置的有源层、第一金属层、第二金属层、公共电极、以及像素电极，所述第二金属层位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；所述公共电极位于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧；所述像素电极位于所述公共电极远离所述第二金属层一侧；所述衬底基板、所述有源层、所述第一金属层、所述第二金属层、所述公共电极、以及像素电极两两之间设有绝缘层；

驱动晶体管，所述驱动晶体管包括栅极、源极和漏极，所述栅极位于所述第一金属层，所述源极和所述漏极位于第二金属层，所述源极和所述漏极与所述有源层电连接；所述源极或所述漏极与所述像素电极电连接；

第一公共电极走线和第二公共电极走线，所述第一公共电极走线和所述第二公共电极走线电联接；所述第一公共电极走线位于所述第一金属层，且与所述公共电极电连接；所述第二公共电极走线与所述公共电极电连接；

其中，所述第一公共电极走线位于所述显示区，所述第二公共电极走线位于所述非显示区且至少半围绕所述显示区；

所述像素电极在所述阵列基板平面的正投影与所述公共电极在所述阵列基板所在平面的正投影至少部分交叠；

所述有源层在所述衬底基板所在平面的正投影与所述第一公共电极走线在所述衬底基板所在平面的正投影无交叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极走线通过第一过孔与所述公共电极电连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括连接电极，所述连接电极位于所述第二金属层，所述连接电极分别与所述第一公共电极走线和所述公共电极电连接。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极走线通过第二过孔与所述第二公共电极走线电联接，所述第二过孔设置于所述非显示区。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和所述漏极在所述衬底基板所在平面的正投影与所述第一公共电极走线在所述衬底基板所在平面的正投影无交叠。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括遮光层，所述遮光层位于所述衬底基板靠近所述有源层一侧，所述栅极在所述衬底基板所在平面的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板所在平面的正投影之内。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极走线靠近所述有源层一侧设有多个凹陷部，所述凹陷部在所述衬底基板所在平面的正投影与所述有源层在所述衬底基板所在平面的正投影部分交叠。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板还包括多条沿第一方向延伸且沿第二方向排列的栅极线和多个子像素，所述子像素包括第一子像素和第二子像素，所述第一公共电极走线在所述衬底基板的投影与所述第一子像素在所述衬底基板的投影至少部分交叠；所述第一公共电极走线在所衬底基板的投影与所述第二子像素在所述衬底基板的投影不交叠；

所述第一子像素包括第一子有源层和第一像素电极，所述第二子像素包括第二子有源层和第二像素电极，所述第一子有源层和所述第二子有源层同层设置，所述第一像素电极和所述第二像素电极同层设置，所述第一方向和所述第二方向交叉；

所述第一子有源层包括与所述第一像素电极电连接的第一漏极，所述第二子有源层包括与所述第二像素电极电连接的第二漏极；

沿第二方向上，所述第一漏极远离所述栅极线的边缘到所述栅极线靠近所述第一漏极的边缘之间的距离为A1；

沿第二方向上，所述第二漏极远离所述栅极线的边缘到所述栅极线靠近所述第二漏极的边缘之间的距离为A2；A1＜A2。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二公共电极走线位于所述第二金属层。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层位于所述有源层远离所述衬底基板一侧或者第一金属层位于所述衬底基板靠近所述有源层一侧。

11.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括多条沿所述第一方向排列且沿所述第二方向延伸的数据线；

所述栅极线位于所述第一金属层，在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述栅极线与所述有源层至少部分相交叠；

所述数据线位于所述第二金属层，且与所述源极电连接，所述数据线在所述衬底基板所在平面的正投影与所述有源层在所述衬底基板所在平面的正投影至少部分相交叠。

12.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1至11任一项所述的阵列基板；

与所述阵列基板相对设置的对置基板；

以及位于所述对置基板与所述阵列基板之间的显示介质层。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求12所述的显示面板。

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