CN111095804B - 高频电路、前端电路以及通信装置 - Google Patents
高频电路、前端电路以及通信装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111095804B CN111095804B CN201880059617.7A CN201880059617A CN111095804B CN 111095804 B CN111095804 B CN 111095804B CN 201880059617 A CN201880059617 A CN 201880059617A CN 111095804 B CN111095804 B CN 111095804B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- terminal
- switch
- circuit
- path
- end module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
- H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
- H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
- H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7209—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
高频电路(4)具备:第1端子(40a)、第2端子(51a)以及第3端子(51b);第1路径;第2路径;第1匹配元件(41)以及第1放大器(50a),配置在第1路径上;第1开关(42),连接在第1路径上的第1匹配元件和第1放大器之间的路径与基准端子之间;第2匹配元件(43)以及第2放大器(50b),配置在第2路径上;以及第2开关(44),连接在第2路径上的第2匹配元件和第2放大器之间的路径与基准端子之间,在向第1路径传输信号的情况下,第1开关(42)被设为断开状态,第2开关(44)被设为接通状态,在向第2路径传输信号的情况下,第1开关(42)被设为接通状态,第2开关(44)被设为断开状态。
Description
技术领域
本发明涉及高频电路、前端电路以及通信装置。
背景技术
近年来,在高频前端电路等高频模块中,要求能够应对多个高频接收信号的电路的结构(例如,参照专利文献1)。
在专利文献1中,公开了用一个低噪声放大器对接收的多个频段的高频接收信号进行放大的高频模块的结构。此外,公开了将接收的各频段的信号用与各自的接收路径连接的低噪声放大器进行放大的高频模块的结构。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-204629号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,在用一个低噪声放大器进行放大的高频模块的结构中,需要用于应对多个频率的高性能的低噪声放大器。此外,在按每个频段配置低噪声放大器的结构中,产生如下问题,即,由于在各频段的路径设置匹配元件,因此高频模块整体包含的匹配元件的个数变多而难以实现高频模块的小型化。
本发明是为了解决上述课题而完成的,其目的在于,提供一种高精度地对多个频率的高频信号进行放大且小型化的高频电路、前端电路以及通信装置。
用于解决课题的技术方案
为了达到上述目的,本发明的一个方式涉及的高频电路具备:第1端子、第2端子以及第3端子;第1路径,连接在所述第1端子与所述第2端子之间,传输第1频带的信号;第2路径,连接在所述第1端子与所述第3端子之间,传输与所述第1频带不同的第2频带的信号;第1匹配元件以及第1放大器,配置在所述第1路径上;第1开关,连接在所述第1路径上的所述第1匹配元件和所述第1放大器之间的路径与基准端子之间;第2匹配元件以及第2放大器,配置在所述第2路径上;以及第2开关,连接在所述第2路径上的所述第2匹配元件和所述第2放大器之间的路径与基准端子之间,在向所述第1路径传输信号的情况下,所述第1开关被设为断开状态,所述第2开关被设为接通状态,在向所述第2路径传输信号的情况下,所述第1开关被设为接通状态,所述第2开关被设为断开状态。
由此,通过切换第1开关以及第2开关,从而在使用第1放大器以及第2放大器中的任一者的情况下,都能够将第1匹配元件以及第2匹配元件共用而进行阻抗匹配。因此,与按每个频段(频带)配置匹配电路的情况相比,能够使高频电路中的匹配元件的数目减少。因而,能够供给一种高精度地对多个频率的高频信号进行放大且小型化的高频电路。
此外,也可以是,还具备:第3开关,具有至少一个公共端子,所述至少一个公共端子与所述第1端子连接。
由此,能够通过开关电路对第1频带的信号以及第2频带的信号进行选择,并选择与各频带相应的放大器,进行适合于各放大器的阻抗匹配。
此外,也可以是,所述至少一个公共端子为一个,所述至少一个公共端子为所述第1端子。
由此,即使公共端子数为一个,也能够将第1匹配电路以及第2匹配元件共用而进行阻抗匹配。因此,与按每个频段配置匹配元件的结构相比,能够使高频电路中的匹配元件的数目减少。因而,能够供给一种高精度地对多个频率的高频信号进行放大且进一步小型化的高频电路。
此外,也可以是,所述至少一个公共端子为多个,所述多个公共端子相互电连接。
由此,能够将与各公共端子连接的匹配元件组合而进行第1放大器以及第2放大器的输入侧的阻抗匹配。因此,能够提高阻抗匹配的精度。进而,通过自由地变更公共端子的个数,从而能够将与各公共端子连接的匹配元件组合而进行第1放大器以及第2放大器的输入侧的阻抗匹配。因此,能够提高阻抗匹配的精度。
此外,也可以是,还具备:第3匹配元件,连接在所述第1匹配元件和所述第2匹配元件的公共连接点与所述至少一个公共端子之间。
由此,能够通过第1匹配元件、第2匹配元件以及第3匹配元件进行第1放大器以及第2放大器的输入侧的阻抗匹配。因此,能够进一步提高阻抗匹配的精度。
此外,也可以是,还具备:第4端子;第3路径,连接在所述第1端子与所述第4端子之间,传输与所述第1频带以及所述第2频带不同的第3频带的信号;第4匹配元件以及第3放大器,配置在所述第3路径上;以及第4开关,连接在所述第3路径上的所述第4匹配元件和所述第3放大器之间的路径与基准端子之间,在向所述第1路径、所述第2路径、以及所述第3路径中的任一路径传输信号的情况下,所述第1开关、所述第2开关、以及所述第4开关中的配置在传输信号的所述任一路径与基准端子之间的开关被设为断开状态,所述第1开关、所述第2开关、以及所述第4开关中的配置在传输信号的所述任一路径以外的路径与基准端子之间的至少一个开关被设为接通状态。
由此,通过切换第1开关、第2开关、以及第4开关,从而在使用第1放大器、第2放大器、以及第3放大器中的任一者的情况下,都能够将第1匹配元件、第2匹配元件、以及第4匹配元件中的至少两个共用而进行阻抗匹配。因此,与按每个频段(频带)配置匹配电路的情况相比,能够使高频电路中的匹配元件的数目减少。因而,能够供给高精度地对多个频率的高频信号进行放大且小型化的高频电路。
此外,为了达到上述目的,本发明的一个方式涉及的前端电路还具备分波器、多个滤波器、以及具有上述的特征的高频电路。
由此,能够供给一种高精度地对多个频率的高频信号进行放大且小型化的前端电路。
此外,为了达到上述目的,本发明的一个方式涉及的通信装置具备具有上述的特征的前端电路和RF信号处理电路。
由此,能够供给一种高精度地对多个频率的高频信号进行放大且小型化的发送装置。
发明效果
根据本发明涉及的高频电路、前端电路或通信装置,能够提供一种高精度地对多个频率的高频信号进行放大且小型化的高频电路、前端电路以及通信装置。
附图说明
图1是示出使用了实施方式1涉及的高频电路的前端模块的电路结构的图。
图2A是示出使用了实施方式1涉及的高频电路的前端模块的动作状态的图。
图2B是图2A所示的高频电路的等效电路图。
图3A是示出使用了实施方式1涉及的高频电路的前端模块的动作状态的图。
图3B是图3A所示的高频电路的等效电路图。
图4A是示出使用了实施方式1所示的高频电路的前端模块的阻抗匹配特性的图。
图4B是比较例涉及的高频电路的等效电路图。
图5是示出使用了实施方式2涉及的高频电路的前端模块的电路结构的图。
图6是示出使用了实施方式3涉及的高频电路的前端模块的电路结构的图。
图7是示出使用了实施方式4涉及的高频电路的前端模块的电路结构的图。
图8A是示出使用了实施方式5涉及的高频电路的前端模块的动作状态的图。
图8B是图8A所示的高频电路的等效电路图。
图9是示出使用了实施方式1~5涉及的高频电路的通信装置的电路配置的图。
具体实施方式
以下,使用实施方式及其附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外,以下说明的实施方式均示出总括性或具体的例子。以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子,其主旨并不在于限定本发明。
(实施方式1)
使用了本实施方式涉及的高频电路4的前端模块1例如设置在用于高频信号的发送或接收的通信装置。
[1-1.高频电路以及前端模块的结构]
首先,对使用了本实施方式涉及的高频电路4的前端模块1的结构进行说明。图1是示出使用了本实施方式涉及的高频电路4的前端模块1的电路结构的图。
前端模块1例如配置在应对多模式/多频段的便携式电话的前端部。如图1所示,前端模块1是具备天线端子5、输出端子6、第1开关IC10、滤波器20a以及20b、第2开关IC30、匹配电路40、低噪声放大器50a以及50b、和第3开关IC60的前端电路。此外,高频电路4至少具备匹配电路40和低噪声放大器50a以及50b。匹配电路40具有电感器41以及43和开关42以及44。
第1开关IC10是对从天线端子5输入到前端模块1的高频信号的传播路径进行切换的分波器。第1开关IC10是半导体开关。第1开关IC10具有公共端子10a和选择端子10b以及10c。公共端子10a与天线端子5连接,选择端子10b以及10c分别与滤波器20a以及20b连接。第1开关IC10通过对公共端子10a和选择端子10b、公共端子10a和选择端子10c进行切换连接,从而将从天线端子5输入的信号输出到滤波器20a或滤波器20b。另外,选择端子的数目是任意的,可以根据想要分波的路径数适当地进行变更。此外,也可以代替第1开关IC10而配置多工器。
滤波器20a以及滤波器20b分别是具有不同的通带的滤波器。滤波器20a以及滤波器20b可以是SAW(Surface Accoustic Wave,声表面波)滤波器、BAW(Bulk AccousticWave,体声波)滤波器。
在SAW滤波器的情况下,滤波器20a以及滤波器20b具备基板和IDT(Interdigitaltransducer,叉指换能器)电极。
基板是至少在表面具有压电性的基板。例如,也可以在表面具备压电薄膜,并由声速与该压电薄膜不同的膜、以及支承基板等的层叠体构成。此外,基板也可以在基板整体具有压电性。在该情况下,基板是由一层压电体层构成的压电基板。
滤波器20a以及滤波器20b是以各通带对从天线元件2经由了第1开关IC10的高频接收信号进行滤波并向前端模块1的下一级的电路输出的接收用滤波器。例如,滤波器20a是将第1频带作为通带的接收用滤波器,将进行了滤波的信号输出到作为下一级的电路的第2开关IC30。此外,滤波器20b是将与第1频带不同的第2频带作为通带的接收用滤波器,将进行了滤波的高频信号输出到作为下一级的电路的第2开关IC30。
第2开关IC30是使通过了滤波器20a或20b的高频信号向匹配电路40传播的开关。第2开关IC30是本实施方式中的第3开关。第2开关IC30是半导体开关。第2开关IC30具有选择端子30a以及30b和一个公共端子30c。也就是说,若将配置在第2开关IC30的选择端子的数目设为N个,则在第2开关IC30配置有N=1个公共端子。
选择端子30a以及30b分别与滤波器20a以及20b连接。公共端子30c与匹配电路40的输入端子40a连接。第2开关IC30对选择端子30a和公共端子30c、选择端子30b和公共端子30c进行切换连接。由此,通过滤波器20a或20b进行了滤波的高频信号经由第2开关IC30而输出到匹配电路40。
匹配电路40是用于对第2开关IC30的公共端子30c的阻抗和低噪声放大器50a以及50b各自的输入端子处的阻抗进行匹配的电路。匹配电路40具有输入端子40a、电感器41以及43、和开关42以及44。在本实施方式中,输入端子40a是第1端子。输入端子40a配置在第2开关IC30的外部。另外,输入端子40a并不限于配置在第2开关IC30的外部的结构,例如,也可以将第2开关IC30的公共端子30c用作输入端子40a。在该情况下,公共端子30c是第1端子。
电感器41以及43的一端与输入端子40a公共连接。电感器41的另一端与低噪声放大器50a的输入端连接。在电感器41和低噪声放大器50a之间的路径与基准端子(接地)之间连接有开关42。电感器43的另一端与低噪声放大器50b的输入端连接。在电感器43和低噪声放大器50b之间的路径与基准端子之间连接有开关44。
电感器41以及43是阻抗匹配元件。另外,阻抗匹配元件并不限于电感器,也可以是电容器。在本实施方式中,电感器41以及43分别为第1匹配元件以及第2匹配元件。电感器41和电感器43的电感值不同。
开关42以及44是半导体开关。在本实施方式中,开关42以及44分别是第1开关以及第2开关。开关42在后述的低噪声放大器50a为接通状态时被设为断开状态,在低噪声放大器50a断开时被设为接通状态。开关44在低噪声放大器50b为接通状态时被设为断开状态,在低噪声放大器50b断开时被设为接通状态。另外,关于开关42以及44的动作,将在后面详细叙述。
低噪声放大器50a以及50b是对输入到前端模块1的高频接收信号进行放大的放大器。在本实施方式中,低噪声放大器50a以及50b分别是第1放大器以及第2放大器。低噪声放大器50a以及50b在一者为接通状态时另一者成为断开状态。例如,在根据从天线元件2输入的高频信号的频率而使用滤波器20a时,低噪声放大器50a被设为接通状态,低噪声放大器50b被设为断开状态。在使用滤波器20b时,低噪声放大器50a被设为断开状态,低噪声放大器50b被设为接通状态。
低噪声放大器50a的输入端与电感器41串联地连接。低噪声放大器50a的输出端与输出端子51a连接。输出端子51a与第3开关IC60的选择端子60a连接。在本实施方式中,输出端子51a是第2端子。低噪声放大器50b的输入端与电感器43串联地连接。低噪声放大器50b的输出端与输出端子51b连接。输出端子51b与第3开关IC60的选择端子60b连接。在本实施方式中,输出端子51b是第3端子。
第3开关IC60是将通过了低噪声放大器50a或50b的高频信号向输出端子6传播的开关。第3开关IC60具有选择端子60a以及60b和公共端子60c。如上所述,选择端子60a以及60b分别与低噪声放大器50a以及50b连接。公共端子60c与输出端子6连接。第3开关IC60对选择端子60a和公共端子60c、选择端子60b和公共端子60c进行切换连接。由此,经由了低噪声放大器50a或50b的高频信号经由第3开关IC60以及输出端子6向前端模块1的下一级的电路输出。
另外,前端模块1可以是仅构成接收分波电路的前端模块,也可以是仅构成发送合波电路的前端模块。此外,如上所述,前端模块1还可以是能够进行发送以及接收这两者的分波/合波电路。此外,能够由前端模块1处理的频带(信号路径)的数目没有限定。
此外,前端模块1可以设为具备第1开关IC10的结构,也可以设为不具备第1开关IC10的结构。同样地,前端模块1可以设为具备第3开关IC60的结构,也可以设为不具备第3开关IC60的结构。此外,前端模块1可以设为像上述的那样具备滤波器20a以及20b这两个滤波器的结构,也可以设为具备三个以上的滤波器的结构。进而,前端模块1可以设为像上述的那样具备低噪声放大器50a以及50b这两个低噪声放大器的结构,也可以设为具备三个以上的低噪声放大器的结构。此外,前端模块1可以设为具备功率放大器的结构,也可以设为不具备功率放大器的结构。
[1-2.前端模块的动作]
接着,使用图2A~图3B对前端模块1的动作进行说明。图2A是示出使用了本实施方式涉及的高频电路4的前端模块1的动作状态的图。图2B是图2A所示的高频电路4的等效电路图。图3A是示出使用了本实施方式涉及的高频电路4的前端模块1的动作状态的图。图3B是图3A所示的高频电路4的等效电路图。
图2A示出了使用滤波器20a以及低噪声放大器50a的情况下的前端模块1的动作状态。在该情况下,如图2A所示,在第1开关IC10中,公共端子10a与选择端子10b连接。此外,在第2开关IC30中,公共端子30c与选择端子30a连接。此外,在匹配电路40中,开关42被设为断开状态,开关44被设为接通状态。此外,低噪声放大器50a被设为接通状态,低噪声放大器50b被设为断开状态。进而,在第3开关IC60中,公共端子60c与选择端子60a连接。此时的匹配电路40的输入端子40a与连接于低噪声放大器50a的输出侧的输出端子51a之间的路径是第1路径。也就是说,在第1路径中,传输由天线元件2接收的第1频带的高频信号。
若用等效电路示出第1路径,则如图2B所示,在输入端子40a与输出端子51a之间串联地连接有电感器41和低噪声放大器50a。此外,在输入端子40a和电感器41之间的路径与基准端子之间连接有电感器43。由此,匹配电路40能够通过电感器41以及电感器43进行低噪声放大器50a的输入侧的阻抗匹配。
同样地,图3A示出了使用滤波器20b以及低噪声放大器50b的情况下的前端模块1的动作状态。在该情况下,如图3A所示,在第1开关IC10中,公共端子10a与选择端子10c连接。此外,在第2开关IC30中,公共端子30c与选择端子30b连接。此外,低噪声放大器50a被设为断开状态,低噪声放大器50b被设为接通状态。进而,在第3开关IC60中,公共端子60c与选择端子60b连接。此外,开关42被设为接通状态,开关44被设为断开状态。此时的匹配电路40的输入端子40a与连接于低噪声放大器50b的输出侧的输出端子51b之间是第2路径。也就是说,在第2路径中,传输由天线元件2接收的第2频带的高频信号。
若用等效电路示出第2路径,则如图3B所示,在输入端子40a与输出端子51b之间串联地连接有电感器43和低噪声放大器50b。此外,在输入端子40a和电感器43之间的路径与基准端子之间连接有电感器41。由此,匹配电路40能够通过电感器41以及电感器43进行低噪声放大器50b的输入侧的阻抗匹配。此时的匹配电路40中的阻抗与图2B的等效电路所示的匹配电路40的阻抗不同。
因此,在前端模块1中,对两个滤波器20a以及20b使用两个低噪声放大器50a以及50b,作为匹配电路40使用两个电感器41以及43。而且,通过切换开关42以及44,从而在使用低噪声放大器50a以及50b中的任一者的情况下,都使用电感器41以及43这两者来构成匹配电路40。由此,在前端模块1中,关于匹配电路40中的匹配元件的数目,与按每个频段配置匹配电路的情况相比,能够减少高频电路中的匹配元件的数目。
图4A是示出本实施方式所示的前端模块1的阻抗匹配特性的图。图4B是比较例涉及的高频电路的等效电路图。所谓实施例,示出如图3A所示地将开关42设为接通状态并将开关44设为断开状态而设为图3B的电路结构时的前端模块1的阻抗匹配特性。此外,所谓比较例,示出如图4B所示地在第2开关IC30d的端子30g与低噪声放大器50a之间的路径设置匹配电路45a并在第2开关IC30d的端子30h与低噪声放大器50b之间的路径设置了匹配电路45b的前端模块100a的阻抗匹配特性。
在比较例涉及的高频电路4a中,在匹配电路45a中,不使用图2A所示的开关42,在第2开关IC30d的端子30g和电感器41之间的路径与基准端子之间配置有电感器46。此外,在匹配电路45b中,不使用图2A所示的开关44,在第2开关IC30d的端子30h和电感器43之间的路径与基准端子之间配置有电感器47。此外,在第1开关IC10中,连接有公共端子10a和选择端子10c。在第2开关IC30d中,未连接选择端子30a和端子30g,连接有选择端子30b和端子30h。
如图4A所示,若对实施例的特性和比较例的特性进行比较,则得到大致相同的特性。因此可知,即使像本实施方式涉及的匹配电路40那样通过开关42和44的切换来构成匹配电路,也能够与以往同样地进行阻抗匹配。
此外,在匹配电路40中,通过将电感器41以及电感器43的电感值设为不同的电感值,从而在将开关42设为接通状态并将开关44设为断开状态的情况下和在将开关42设为断开状态并将开关44设为接通状态的情况下,能够变更匹配电路40中的阻抗的值。由此,能够根据所使用的低噪声放大器50a以及50b来变更匹配电路40的阻抗,进行适当的阻抗匹配。
[1-3.效果等]
以上,根据本实施方式涉及的前端模块1,能够根据所使用的低噪声放大器50a以及50b来变更匹配电路40的阻抗,进行适当的阻抗匹配。
(实施方式2)
接着,对使用了实施方式2涉及的高频电路104的前端模块100进行说明。图5是示出使用了本实施方式涉及的高频电路104的前端模块100的电路结构的图。
本实施方式涉及的前端模块100与实施方式1涉及的前端模块1的不同点在于,与匹配电路的前级(天线端子5侧)连接的开关IC具有多个公共端子,匹配电路的输入端子设置有多个。
[2-1.前端模块的结构]
如图5所示,前端模块100是具备天线端子5、输出端子6、第1开关IC11、滤波器21a、21b、21c以及21d、第2开关IC31、匹配电路140、低噪声放大器50a以及50b、和第3开关IC60的前端电路。由匹配电路140和低噪声放大器50a以及50b构成高频电路104。低噪声放大器50a以及50b、第3开关IC60的结构与实施方式1所示的低噪声放大器50a以及50b、第3开关IC60相同,因此省略详细的说明。
第1开关IC11是对从天线端子5输入到前端模块100的高频信号的传播路径进行切换的分波器。第1开关IC11具有公共端子11a和选择端子11b、11c、11d以及11e。公共端子11a与天线端子5连接,选择端子11b、11c、11d以及11e分别与滤波器21a、21b、21c以及21d连接。第1开关IC11通过对公共端子11a和选择端子11b、11c、11d以及11e中的任一者进行切换连接,从而将从天线端子5输入的高频信号传输到滤波器21a、21b、21c以及21d中的任一者。
另外,第1开关IC11与实施方式1所示的第1开关IC10同样地,例如为半导体开关。此外,选择端子的数目是任意的,可以根据想要分波的路径数适当地进行变更。
滤波器21a、21b、21c以及21d分别是具有不同的通带的滤波器。滤波器21a、21b、21c以及21d例如由声表面波滤波器构成。滤波器21a、21b、21c以及21d各自是以各通带对从天线元件2经由了第1开关IC11的高频接收信号进行滤波并输出到前端模块100的下一级的电路的接收用滤波器。
通过滤波器21a、21b、21c以及21d进行了滤波的高频信号分别输出到作为下一级的电路的第2开关IC31的选择端子31a、31b、31c以及31d。
第2开关IC31是将通过了滤波器21a、21b、21c以及21d的高频信号传播到匹配电路140的开关。第2开关IC31是本实施方式中的第3开关。第2开关IC31与实施方式1所示的第2开关IC30同样地,是半导体开关。第2开关IC31具有选择端子31a、31b、31c以及31d和公共端子31e以及31f。也就是说,在第2开关IC31,配置有N=2个公共端子。
选择端子31a、31b、31c以及31d分别与滤波器21a、21b、21c以及21d连接。公共端子31e与匹配电路140的输入端子140a连接。公共端子31f与匹配电路140的输入端子140b连接。第2开关IC31对公共端子31e和选择端子31a或31b进行切换连接。同样地,第2开关IC31对公共端子31f和选择端子31c或31d进行切换连接。由此,经由了滤波器21a或21b的高频信号分别经由第2开关IC31输出到匹配电路140的输入端子140a。此外,经由了滤波器21c或21d的高频信号分别经由第2开关IC31输出到匹配电路140的输入端子140b。
匹配电路140具有输入端子140a以及140b、电感器41以及43、和开关42以及44。在本实施方式中,输入端子140a以及140b是第1端子。另外,输入端子140a以及140b也可以配置在第2开关IC31的外部,例如,可以将第2开关IC31的公共端子31e以及31f作为输入端子140a以及140b来使用。在该情况下,公共端子31e以及31f是第1端子。
电感器41的一端与输入端子140a连接。电感器43的一端与输入端子140b连接。连接输入端子140a和电感器41的路径和连接输入端子140b和电感器43的路径通过布线141连接。由此,输入端子140a以及140b相互电连接。
关于匹配电路140的其它结构,与实施方式1所示的匹配电路40相同,因此省略说明。
根据上述结构,前端模块100将经由了滤波器21a以及21b的高频信号经由第2开关IC31输入到低噪声放大器50a。此外,前端模块100将经由了滤波器21c以及21d的高频信号经由第2开关IC31输入到低噪声放大器50b。此外,前端模块100通过对开关42以及44进行控制,从而能够进行适合于所使用的低噪声放大器50a或50b的阻抗匹配。
另外,前端模块100可以是仅构成接收分波电路的前端模块,也可以是仅构成发送合波电路的前端模块。此外,前端模块100还可以是能够进行发送以及接收这两者的分波/合波电路。此外,能够由前端模块100处理的频带(信号路径)的数目没有限定。
此外,前端模块1可以设为具备第1开关IC11的结构,也可以设为不具备第1开关IC11的结构。同样地,前端模块1可以设为具备第3开关IC60的结构,也可以设为不具备第3开关IC60的结构。
[2-2.前端模块的动作]
接着,对前端模块100的动作进行说明。
在天线端子5接收到了滤波器21a的频带的高频信号的情况下,在第1开关IC11中,公共端子11a与选择端子11b连接。由此,接收到的高频信号经由第1开关IC11的公共端子11a以及选择端子11b输入到滤波器21a。此外,在第2开关IC31中,公共端子31e与选择端子31a连接。公共端子31f与选择端子31c以及31d中的任一者都不连接。
在天线端子5接收到了滤波器21b的频带的高频信号的情况下,在第1开关IC11中,公共端子11a与选择端子11c连接。由此,接收到的高频信号经由第1开关IC11的公共端子11a以及选择端子11c输入到滤波器21b。此外,在第2开关IC31中,公共端子31e与选择端子31b连接。公共端子31f与选择端子31c以及31d中的任一者都不连接。
在天线端子5被输入滤波器21a或21b的频带的高频信号的情况下,在匹配电路140中,开关42被设为断开状态,开关44被设为接通状态。此外,低噪声放大器50a被设为接通状态,低噪声放大器50b被设为断开状态。进而,在第3开关IC60中,公共端子60c与选择端子60a连接。此时的匹配电路140的输入端子140a与连接于低噪声放大器50a的输出侧的输出端子51a之间的路径是第1路径。
也就是说,在输入端子140a与输出端子51a之间串联地连接有电感器41和低噪声放大器50a。此外,在输入端子140a和电感器41之间的路径与基准端子之间连接有电感器43。由此,匹配电路140能够通过电感器41以及电感器43进行低噪声放大器50a的输入侧的阻抗匹配。
此外,在天线端子5被输入滤波器21c的频带的高频信号的情况下,在第1开关IC11中,公共端子11a与选择端子11d连接。由此,接收到的高频信号经由第1开关IC11的公共端子11a以及选择端子11d输入到滤波器21c。此外,在第2开关IC31中,公共端子31f与选择端子31c连接。公共端子31e与选择端子31a以及31b中的任一者都不连接。
在天线端子5接收到了滤波器21d的频带的高频信号的情况下,在第1开关IC11中,公共端子11a与选择端子11e连接。由此,接收到的高频信号经由第1开关IC11的公共端子11a以及选择端子11e输入到滤波器21d。此外,在第2开关IC31中,公共端子31f与选择端子31d连接。公共端子31e与选择端子31a以及31b中的任一者都不连接。
在天线端子5接收到了滤波器21c或21d的频带的高频信号的情况下,在匹配电路140中,开关42被设为接通状态,开关44被设为断开状态。此外,低噪声放大器50a被设为断开状态,低噪声放大器50b被设为接通状态。进而,在第3开关IC60中,公共端子60c与选择端子60b连接。此时的匹配电路140的输入端子140b与连接于低噪声放大器50b的输出侧的输出端子51b之间的路径是第2路径。
也就是说,在输入端子140b与输出端子51b之间串联地连接有电感器43和低噪声放大器50b。此外,在输入端子140b和电感器43之间的路径与基准端子之间连接有电感器41。由此,匹配电路140能够通过电感器41以及电感器43进行低噪声放大器50b的输入侧的阻抗匹配。此时的匹配电路140中的阻抗与进行低噪声放大器50a的输入端的阻抗匹配的情况下的匹配电路140的阻抗不同。
像这样,在前端模块100中,对四个滤波器21a、21b、21c以及21d使用了两个低噪声放大器50a以及50b,作为匹配电路140使用了两个电感器41以及43。而且,通过切换开关42以及44,从而在使用低噪声放大器50a以及50b中的任一者的情况下都使用电感器41以及43这两者进行阻抗匹配。因而,在前端模块100中,能够进一步减少匹配电路140中的电感器以及开关的数目。
[2-3.效果等]
以上,根据本实施方式涉及的前端模块100,即使使滤波器的数目增加,也无需配合滤波器的数目使匹配电路140中的电感器、开关以及低噪声放大器的数目增加。因而,在前端模块100中,能够减少匹配电路140中的电感器以及开关的数目而进行小型化。
(实施方式3)
接着,对使用了实施方式3涉及的高频电路104的前端模块101进行说明。图6是示出使用了本实施方式涉及的高频电路104的前端模块101的电路结构的图。
本实施方式涉及的前端模块101与实施方式2涉及的前端模块100的不同点在于,在匹配电路的前级具有由多个开关IC构成的开关部。
[3-1.前端模块的结构]
如图6所示,前端模块101是具备天线端子5、输出端子6、第1开关IC11、滤波器21a、21b、21c以及21d、开关部130、匹配电路140、低噪声放大器50a以及50b、和第3开关IC60的前端电路。由匹配电路140和低噪声放大器50a以及50b构成高频电路104。第1开关IC11、滤波器21a、21b、21c以及21d、匹配电路140、低噪声放大器50a以及50b、第3开关IC60的结构与实施方式2所示的匹配电路140、低噪声放大器50a以及50b、第3开关IC60相同,因此省略详细的说明。
开关部130具有第2开关IC131和132。
第2开关IC131是将通过了滤波器21a以及21b的高频信号向匹配电路140传播的开关。第2开关IC131是本实施方式中的第3开关。第2开关IC131与实施方式1所示的第2开关IC30同样地,是半导体开关。第2开关IC131具有选择端子131a以及131b和公共端子131c。
选择端子131a以及131b分别与滤波器21a以及21b连接。公共端子131c与匹配电路140的输入端子140a连接。第2开关IC131对公共端子131c和选择端子131a或131b进行切换连接。由此,经由了滤波器21a或21b的高频信号分别经由第2开关IC131输出到匹配电路140的输入端子140a。
第2开关IC132是将通过了滤波器21c以及21d的高频信号向匹配电路140传播的开关。第2开关IC132是本实施方式中的第3开关。第2开关IC132与第2开关IC131同样地,是半导体开关,形成在IC基板(未图示)内或IC基板上。第2开关IC132具有选择端子132a以及132b和公共端子132c。
选择端子132a以及132b分别与滤波器21c以及21d连接。公共端子132c与匹配电路140的输入端子140b连接。第2开关IC132对公共端子132c和选择端子132a或132b进行切换连接。由此,经由了滤波器21c或21d的高频信号分别经由第2开关IC132输出到匹配电路140的输入端子140b。
根据上述结构,前端模块101将经由了滤波器21a以及21b的高频信号经由第2开关IC131输入到低噪声放大器50a。此外,前端模块101将经由了滤波器21c以及21d的高频信号经由第2开关IC132输入到低噪声放大器50b。此外,前端模块101通过控制开关42以及44,从而能够进行适合于所使用的低噪声放大器50a或50b的阻抗匹配。
另外,前端模块101可以是仅构成接收分波电路的前端模块,也可以是仅构成发送合波电路的前端模块。此外,前端模块101还可以是能够进行发送以及接收这两者的分波/合波电路。此外,能够由前端模块101处理的频带(信号路径)的数目没有限定。
此外,前端模块1可以设为具备第1开关IC11的结构,也可以设为不具备第1开关IC11的结构。同样地,前端模块1可以设为具备第3开关IC60的结构,也可以设为不具备第3开关IC60的结构。
[3-2.前端模块的动作]
接着,对前端模块101的动作进行说明。另外,第1开关IC11以及滤波器21a、21b、21c以及21d的动作与实施方式2所示的第1开关IC11以及滤波器21a、21b、21c以及21d相同,因此省略说明。
在天线端子5中接收到了滤波器21a或21b的频带的高频信号的情况下,在匹配电路140中,开关42被设为断开状态,开关44被设为接通状态。此外,低噪声放大器50a被设为接通状态,低噪声放大器50b被设为断开状态。进而,在第3开关IC60中,公共端子60c与选择端子60a连接。此时的匹配电路140的输入端子140a与连接于低噪声放大器50a的输出侧的输出端子51a之间的路径是第1路径。
也就是说,在输入端子140a与输出端子51a之间串联地连接有电感器41和低噪声放大器50a。此外,在输入端子140a和电感器41之间的路径与基准端子之间连接有电感器43。由此,匹配电路140能够通过电感器41以及电感器43进行低噪声放大器50a的输入侧的阻抗匹配。
此外,在天线端子5接收到了滤波器21c或21d的频带的高频信号的情况下,在匹配电路140中,开关42被设为接通状态,开关44被设为断开状态。此外,低噪声放大器50a被设为断开状态,低噪声放大器50b被设为接通状态。进而,在第3开关IC60中,公共端子60c与选择端子60b连接。此时的匹配电路140的输入端子140b与连接于低噪声放大器50b的输出侧的输出端子51b之间的路径是第2路径。
也就是说,在输入端子140b与输出端子51b之间串联地连接有电感器43和低噪声放大器50b。此外,在输入端子140b和电感器43之间的路径与基准端子之间连接有电感器41。由此,匹配电路140能够通过电感器41以及电感器43进行低噪声放大器50b的输入侧的阻抗匹配。此时的匹配电路140中的阻抗与进行低噪声放大器50a的输入侧的阻抗匹配的情况下的匹配电路140的阻抗不同。
像这样,在前端模块101中,对四个滤波器21a、21b、21c以及21d使用了两个低噪声放大器50a以及50b,作为匹配电路140使用了两个电感器41以及43。而且,通过切换开关42以及44,从而在使用低噪声放大器50a以及50b中的任一者的情况下都使用电感器41以及43这两者进行阻抗匹配。因而,在前端模块101中,能够减少匹配电路140中的电感器以及开关的数目。此外,因为按多个滤波器的每一个使用不同的开关IC,因此混合所接收的高频信号以外的信号的可能性低,能够降低噪声。
[3-3.效果等]
以上,根据本实施方式涉及的前端模块101,即使使滤波器的数目增加,也无需配合滤波器的数目使匹配电路140中的电感器、开关以及低噪声放大器的数目增加。因而,在前端模块101中,能够减小匹配电路140中的电感器以及开关的数目而进行小型化。此外,能够抑制混合所接收的高频信号以外的信号。
(实施方式4)
接着,对使用了实施方式4涉及的高频电路204的前端模块200进行说明。图7是示出使用了本实施方式涉及的高频电路204的前端模块200的电路结构的图。
本实施方式涉及的前端模块200与实施方式2涉及的前端模块100的不同点在于,匹配电路和连接于匹配电路的前级的第2开关IC的结构与实施方式2涉及的匹配电路40以及第2开关IC31不同。
[4-1.前端模块的结构]
如图7所示,前端模块200是具备天线端子5、输出端子6、第1开关IC11、滤波器21a、21b、21c以及21d、第2开关IC230、匹配电路240、低噪声放大器250a、250b、250c以及250d、和第3开关IC260的前端电路。由匹配电路240和低噪声放大器250a、250b、250c以及250d构成高频电路204。第1开关IC11、滤波器21a、21b、21c以及21d的结构与实施方式2所示的第1开关IC11、滤波器21a、21b、21c以及21d相同,因此省略详细的说明。
第2开关IC230是将通过了滤波器21a、21b、21c以及21d的高频信号向匹配电路240传播的开关。第2开关IC230是本实施方式中的第3开关。第2开关IC230与实施方式1所示的第2开关IC30同样地,是半导体开关,形成在IC基板(未图示)内或IC基板上。第2开关IC230具有选择端子231a、231b、231c以及231d和四个公共端子232a、232b、232c以及232d。也就是说,在第2开关IC230中,配置有N=4个公共端子。
选择端子231a、231b、231c以及231d分别与滤波器21a、21b、21c以及21d连接。公共端子232a、232b、232c以及232d分别与匹配电路240的输入端子240a、240b、240c以及240d连接。第2开关IC230将选择端子231a和公共端子232a、选择端子231b和公共端子232b、选择端子231c和公共端子232c、选择端子231d和公共端子232d的连接状态分别切换为接通状态或断开状态。由此,经由了滤波器21a、21b、21c以及21d的高频信号分别经由第2开关IC230输出到匹配电路240的输入端子240a、240b、240c以及240d。
匹配电路240具有输入端子240a、240b、240c以及240d、电感器241、243、245以及247、和开关242、244、246以及248。电感器241、243、245以及257的电感值分别不同。在本实施方式中,输入端子240a、240b、240c以及240d是第1端子。另外,输入端子240a、240b、240c以及240d可以配置在第2开关IC230的外部,例如,可以将第2开关IC230的公共端子232a、232b、232c以及232d作为输入端子240a、240b、240c以及240d来使用。在该情况下,公共端子232a、232b、232c以及232d是第1端子。
电感器241、243、245以及247的一端分别与输入端子240a、240b、240c以及240d连接。电感器241、243、245以及247的另一端与低噪声放大器250a、250b、250c以及250d连接。
此外,在电感器241和低噪声放大器250a之间的路径与基准端子之间,连接有开关242。在电感器243和低噪声放大器250b之间的路径与基准端子之间,连接有开关244。在电感器245和低噪声放大器250c之间的路径与基准端子之间,连接有开关246。在电感器247和低噪声放大器250d之间的路径与基准端子之间,连接有开关248。
进而,输入端子240a和电感器241、输入端子240b和电感器243、输入端子240c和电感器245、输入端子240d和电感器247之间的路径通过布线249a、249b以及249c连接。由此,输入端子240a、240b、240c以及240d相互电连接。
像上述的那样,低噪声放大器250a、250b、250c以及250d的输入侧分别与电感器241、243、245以及247连接。
第3开关IC260具备选择端子260a、260b、260c以及260d和公共端子260e。第3开关IC260的选择端子260a、260b、260c以及260d分别与低噪声放大器250a、250b、250c以及250d的输出侧的输出端子251a、251b、251c以及251d连接。公共端子260e与输出端子6连接。
通过上述结构,前端模块200将经由了滤波器21a、21b、21c以及21d的高频信号经由第2开关IC230输入到低噪声放大器250a、250b、250c以及250d中的任一者。此外,前端模块200通过控制开关242、244、246以及248,从而能够改变电感器241、243、245以及257的组合而变更匹配电路240的阻抗。由此,能够进行适合于所使用的低噪声放大器250a、250b、250c以及250d的阻抗匹配。
另外,前端模块200可以是仅构成接收分波电路的前端模块,也可以是仅构成发送合波电路的前端模块。此外,前端模块200还可以是能够进行发送以及接收这两者的分波/合波电路。此外,能够由前端模块200处理的频带(信号路径)的数目并不像上述的那样限定于四个。
此外,前端模块1可以设为具备第1开关IC11的结构,也可以设为不具备第1开关IC11的结构。同样地,前端模块1可以设为具备第3开关IC60的结构,也可以设为不具备第3开关IC60的结构。
[4-2.前端模块的动作]
接着,对前端模块200的动作进行说明。另外,第1开关IC11以及滤波器21a、21b、21c以及21d的动作与实施方式2所示的第1开关IC11以及滤波器21a、21b、21c以及21d相同,因此省略说明。
在天线端子5中接收到了滤波器21a的频带的高频信号的情况下,例如,在匹配电路240中,开关242、246以及248被设为断开状态,开关244被设为接通状态。此外,低噪声放大器250a被设为接通状态,低噪声放大器250b、250c以及250d被设为断开状态。进而,在第3开关IC260中,公共端子260e与选择端子260a连接。
此时的输出端子251a以及251b分别是第2端子以及第3端子。此外,输出端子251c以及251d中的一者是第4端子。此外,匹配电路240的输入端子240a与连接于低噪声放大器250a的输出侧的输出端子251a之间的路径是第1路径。匹配电路240的输入端子240b与连接于低噪声放大器250b的输出侧的输出端子251b之间的路径是第2路径。匹配电路240的输入端子240c与连接于低噪声放大器250c的输出侧的输出端子251c之间的路径是传输与第1频带以及第2频带不同的第3频带的信号的第3路径。或者,匹配电路240的输入端子240d与连接于低噪声放大器250d的输出侧的输出端子251d之间的路径是传输上述第3频带的信号的第3路径。此外,低噪声放大器250a是第1放大器,低噪声放大器250b是第2放大器。此外,低噪声放大器250c以及250d中的一者是配置在第3路径上的第3放大器。此外,电感器241以及243分别为第1匹配元件以及第2匹配元件。此外,电感器245以及247中的一者是配置在第3路径上的第4匹配元件。此外,开关242以及244分别是第1开关以及第2开关。此外,开关246以及248中的一者是连接在第3路径上的第4匹配元件和第3放大器之间的路径与基准端子之间的第4开关。
也就是说,在输入端子240a与输出端子251a之间串联地连接有电感器241和低噪声放大器250a。此外,在输入端子240a和电感器241之间的路径与基准端子之间连接有电感器243。由此,匹配电路240能够通过电感器241以及电感器243进行低噪声放大器250a的输入侧的阻抗匹配。
另外,关于开关244、246以及248,并不限于开关244,可以将它们中的任一者设为接通状态。通过变更设为接通状态的开关,从而能够变更匹配电路240的阻抗。此外,开关244、246以及248中的设为接通状态的开关并不限于一个,也可以是多个。
在天线端子5中接收到了滤波器21b、21c以及21d中的任一者的频带的高频信号的情况下也同样地,将与连接了使接收到的高频信号通过的滤波器21b、21c以及21d的第1路径连接的开关244、246以及248设为断开状态,将剩下的开关中的至少一个设为接通状态。也就是说,在向第1路径、第2路径、以及第3路径中的任一路径传输信号的情况下,第1开关、第2开关、以及第4开关中的配置在传输信号的上述任一路径与基准端子之间的开关成为断开状态。另一方面,第1开关、第2开关、以及第4开关中的配置在传输信号的上述任一路径以外的路径与基准端子之间的至少一个开关被设为接通状态。由此,能够变更匹配电路240的阻抗,因此能够进行适合于所使用的低噪声放大器250b、250c或250d的阻抗匹配。
像这样,在前端模块200中,对四个滤波器21a、21b、21c以及21d使用了四个低噪声放大器250a、250b、250c以及250d,在匹配电路240中,使用了四个电感器241、243、245以及247和四个开关242、244、246以及248。而且,通过将开关242、244、246以及248切换为接通状态或断开状态,从而在使用低噪声放大器250a、250b、250c以及250d中的任一者的情况下,均使用电感器241、243、245以及247中的至少两个来进行阻抗匹配。因而,在前端模块200中,在匹配电路240中,与以往需要的数目相比,能够减少电感器以及开关的数目。此外,第2开关IC230具有多个公共端子和多个选择端子,匹配电路240通过布线249a、249b以及249c将输入端子240a、240b、240c以及240d与电感器241、243、245以及247之间的各路径连接,因此能够变更多个电感器的组合而变更匹配电路240的阻抗。由此,能够进行适合于所使用的低噪声放大器250a、250b、250c以及250d的阻抗匹配。
[4-3.效果等]
以上,根据本实施方式涉及的前端模块200,在前端模块200中,在匹配电路240中,与以往需要的数目相比,能够减少电感器以及开关的数目。此外,能够变更多个电感器的组合而变更匹配电路240的阻抗,进行适合于所使用的低噪声放大器250a、250b、250c以及250d的阻抗匹配。
(实施方式5)
接着,对使用了实施方式5涉及的高频电路304的前端模块300进行说明。图8A是示出使用了本实施方式涉及的高频电路304的前端模块300的动作状态的图。图8B是图8A所示的高频电路304的等效电路图。
本实施方式涉及的前端模块300与实施方式1涉及的前端模块1的不同点在于,匹配电路还具有电感器。
[5-1.前端模块的结构]
如图8A所示,前端模块300是具备天线端子5、输出端子6、第1开关IC10、滤波器20a以及20b、第2开关IC30、匹配电路340、低噪声放大器50a以及50b、和第3开关IC60的前端电路。由匹配电路340和低噪声放大器50a以及50b构成高频电路304。第1开关IC10、滤波器20a以及20b、第2开关IC30、低噪声放大器50a以及50b、第3开关IC60的结构与实施方式1所示的第1开关IC10、滤波器20a以及20b、第2开关IC30、低噪声放大器50a以及50b、第3开关IC60相同,因此省略详细的说明。
匹配电路340具有电感器341、343以及345和开关342以及344。在本实施方式中,输入端子340a是第1端子。另外,输入端子340a也可以配置在第2开关IC30的外部,例如,可以将第2开关IC30的公共端子30c作为输入端子340a来使用。在该情况下,公共端子30c是第1端子。
电感器341以及343的一端与电感器345公共连接。在电感器341以及343的公共连接点与输入端子40a之间连接有电感器345。电感器345是第3匹配元件。电感器341的另一端与低噪声放大器50a的输入端连接。在电感器341和低噪声放大器50a之间的路径与基准端子(接地)之间连接有开关342。电感器343的另一端与低噪声放大器50b的输入端连接。在电感器343和低噪声放大器50b之间的路径与基准端子之间连接有开关344。
关于匹配电路340的其它结构,与实施方式1所示的匹配电路40相同,因此省略说明。
通过上述结构,前端模块300通过控制开关342以及344,从而能够进行适合于所使用的低噪声放大器50a或50b的阻抗匹配。
另外,前端模块300可以是仅构成接收分波电路的前端模块,也可以是仅构成发送合波电路的前端模块。此外,前端模块300还可以是能够进行发送以及接收这两者的分波/合波电路。此外,能够由前端模块300处理的频带(信号路径)的数目没有限定。
[5-2.前端模块的动作]
接着,对前端模块300的动作进行说明。
图8B示出了使用滤波器20a以及低噪声放大器50a的情况下的、匹配电路340的输入端子340a与连接于低噪声放大器50a的输出侧的输出端子51a之间的路径的等效电路。另外,第1开关IC10、滤波器20a以及20b、第2开关IC30的动作与实施方式1所示的第1开关IC10、滤波器20a以及20b、第2开关IC30相同,因此省略说明。
在天线端子5中接收到了滤波器21a的频带的高频信号的情况下,在匹配电路340中,开关342被设为断开状态,开关344被设为接通状态。此外,低噪声放大器50a被设为接通状态,低噪声放大器50b被设为断开状态。此时的匹配电路340的输入端子340a与连接于低噪声放大器50a的输出侧的输出端子51a之间的路径是第1路径。
若用等效电路示出第1路径,则如图8B所示,在输入端子340a与输出端子51a之间串联地连接有电感器341和低噪声放大器50a。此外,在输入端子340a和电感器341之间的路径与基准端子之间连接有电感器343。由此,匹配电路340能够除了电感器341以及电感器343以外还通过电感器345进行低噪声放大器50a的输入侧的阻抗匹配。
在天线端子5中接收到了滤波器21b的频带的高频信号的情况下,在匹配电路340中,开关342被设为接通状态,开关344被设为断开状态。此外,低噪声放大器50a被设为断开状态,低噪声放大器50b被设为接通状态。此时的匹配电路340的输入端子340a与连接于低噪声放大器50b的输出侧的输出端子51b之间的路径是第2路径。由此,匹配电路340能够除了电感器341以及电感器343以外还通过电感器345进行低噪声放大器50b的输入侧的阻抗匹配。由此,匹配电路340能够进行更加适合于低噪声放大器50a或50b的阻抗匹配。
[5-3.效果等]
以上,根据本实施方式涉及的前端模块300,即使使滤波器的数目增加,也无需配合滤波器的数目使匹配电路340中的电感器、开关以及低噪声放大器的数目增加。因而,在前端模块300中,能够除了电感器341以及电感器343以外还通过电感器345进行更加适合于低噪声放大器50a或50b的阻抗匹配。
(其它实施方式等)
以上,列举实施方式对本发明的实施方式涉及的高频电路以及使用了该高频电路的前端电路(前端模块)进行了说明,但是本发明涉及的高频电路以及前端模块并不限定于上述的实施方式。将上述的实施方式中的任意的构成要素组合而实现的其它实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述的实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置了上述的高频电路的各种设备也包含于本发明。
例如,实施方式1~5所示的高频电路以及前端模块也可以内置于通信装置。图9是示出实施方式1~5涉及的通信装置的电路配置的俯视概略图。
如图9所示,通信装置500具备前端模块1和RF信号处理电路(RFIC)510。通信装置500与天线元件2连接。RFIC510通过下变频等对从天线元件2经由前端模块1输入的高频接收信号进行信号处理。然后,将进行该信号处理而生成的高频接收信号从输出端子520输出到例如基带信号处理电路(BBIC)等下一级的电路。另外,通信装置500也可以设为具备BBIC的结构。此外,也可以代替图9所示的作为分波器的开关IC10而配置多工器。
此外,在上述的实施方式涉及的高频电路、前端模块以及通信装置中,也可以在将附图公开的各电路元件以及信号路径连接的路径之间***其它高频电路元件以及布线等。
此外,开关以及开关IC也可以由CMOS构成。由此,能够更加廉价地制造开关以及开关IC。
此外,开关以及开关IC也可以由GaAs构成。由此,能够生成高质量的数字控制信号,能够输出具有高质量的放大性能以及噪声性能的高频信号。
此外,开关以及开关IC也可以实现为作为集成电路的LSI(Large ScaleIntegration,大规模集成)。此外,集成电路化的方法可以通过专用电路或通用处理器来实现。在制造LSI之后,也可以利用能够编程的FPGA(Field Programmable Gate Array,现场可编程门阵列)、能够对LSI内部的电路单元的连接、设定进行重构的可重构处理器。进而,如果由于半导体技术的进步或衍生的其它技术而出现替代LSI的集成电路化的技术,当然也可以使用该技术进行功能模块的集成化。
产业上的可利用性
本发明作为配置在应对多频段/多模式的前端部的前端模块,能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1、100、100a、101、200、300:前端模块;
2:天线元件;
4、4a、104、204、304:高频电路;
5:天线端子;
6:输出端子;
10、11:第1开关IC(分波器);
10a、11a:公共端子;
10b、10c、11b、11c、11d、11e:选择端子;
20a、20b、21a、21b、21c、21d:滤波器;
30、30d、31、131、132:第2开关IC(第3开关);
30a、30b、31a、31b、31c、31d、131a、131b、132a、132b、231a、231b、231c、231d:选择端子;
30c、30e、30f、131c、132c、232a、232b、232c、232d:公共端子;
30g、30h:端子;
40、45a、45b、140、240、340:匹配电路;
40a、140a、140b、240a、240b、240c、240d、340a:输入端子(第1端子);
41、341:电感器(第1匹配元件);
42、342:开关(第1开关);
43、343:电感器(第2匹配元件);
44、344:开关(第2开关);
46、47:电感器;
50a:低噪声放大器(第1放大器);
50b:低噪声放大器(第2放大器);
51a、251a:输出端子(第2端子);
51b、251b:输出端子(第3端子);
60、260:第3开关IC;
60a、60b、260a、260b、260c、260d:选择端子;
60c、260e:公共端子;
130:开关部;
141:布线;
241、243、245、247:电感器(第1匹配元件、第2匹配元件);
242、244、246、248:开关(第1开关、第2开关);
250a、250b、250c、250d:低噪声放大器(第1放大器、第2放大器);345:电感器(第3匹配元件);
500:通信装置;
510:RF信号处理电路。
Claims (8)
1.一种高频电路,具备:
第1端子、第2端子以及第3端子;
第1路径,连接在所述第1端子与所述第2端子之间,传输第1频带的信号;
第2路径,连接在所述第1端子与所述第3端子之间,传输与所述第1频带不同的第2频带的信号;
第1匹配元件以及第1放大器,配置在所述第1路径上;
第1开关,连接在所述第1路径上的所述第1匹配元件和所述第1放大器之间的路径与基准端子之间;
第2匹配元件以及第2放大器,配置在所述第2路径上;以及
第2开关,连接在所述第2路径上的所述第2匹配元件和所述第2放大器之间的路径与基准端子之间,
在向所述第1路径传输信号的情况下,所述第1开关被设为断开状态,所述第2开关被设为接通状态,在所述第1端子与所述第2端子之间串联连接所述第1匹配元件和所述第1放大器,在所述第1端子和所述第1匹配元件之间的路径与基准端子之间连接所述第2匹配元件,
在向所述第2路径传输信号的情况下,所述第1开关被设为接通状态,所述第2开关被设为断开状态,在所述第1端子与所述第3端子之间串联连接所述第2匹配元件和所述第2放大器,在所述第1端子和所述第2匹配元件之间的路径与基准端子之间连接所述第1匹配元件。
2.根据权利要求1所述的高频电路,其中,
还具备:第3开关,具有至少一个公共端子,
所述至少一个公共端子与所述第1端子连接。
3.根据权利要求2所述的高频电路,其中,
所述至少一个公共端子为一个,
所述至少一个公共端子为所述第1端子。
4.根据权利要求2所述的高频电路,其中,
所述至少一个公共端子为多个,
所述多个公共端子相互电连接。
5.根据权利要求3所述的高频电路,其中,
还具备:第3匹配元件,连接在所述第1匹配元件和所述第2匹配元件的公共连接点与所述至少一个公共端子之间。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的高频电路,其中,
还具备:
第4端子;
第3路径,连接在所述第1端子与所述第4端子之间,传输与所述第1频带以及所述第2频带不同的第3频带的信号;
第4匹配元件以及第3放大器,配置在所述第3路径上;以及
第4开关,连接在所述第3路径上的所述第4匹配元件和所述第3放大器之间的路径与基准端子之间,
在向所述第1路径、所述第2路径、以及所述第3路径中的任一路径传输信号的情况下,所述第1开关、所述第2开关、以及所述第4开关中的配置在传输信号的所述任一路径与基准端子之间的开关被设为断开状态,所述第1开关、所述第2开关、以及所述第4开关中的配置在传输信号的所述任一路径以外的路径与基准端子之间的至少一个开关被设为接通状态。
7.一种前端电路,具备:
分波器;
多个滤波器;以及
权利要求1~6中的任一项所述的高频电路。
8.一种通信装置,具备:
权利要求7所述的前端电路;以及
RF信号处理电路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017177529 | 2017-09-15 | ||
JP2017-177529 | 2017-09-15 | ||
PCT/JP2018/031864 WO2019054176A1 (ja) | 2017-09-15 | 2018-08-29 | 高周波回路、フロントエンド回路および通信装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111095804A CN111095804A (zh) | 2020-05-01 |
CN111095804B true CN111095804B (zh) | 2022-03-11 |
Family
ID=65722751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880059617.7A Active CN111095804B (zh) | 2017-09-15 | 2018-08-29 | 高频电路、前端电路以及通信装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10873355B2 (zh) |
CN (1) | CN111095804B (zh) |
WO (1) | WO2019054176A1 (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019240095A1 (ja) * | 2018-06-11 | 2019-12-19 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
CN215420239U (zh) * | 2018-06-11 | 2022-01-04 | 株式会社村田制作所 | 高频模块和通信装置 |
US10944441B2 (en) * | 2019-05-13 | 2021-03-09 | Qualcomm Incorporated | Receiver with broadband low-noise amplifier and filter bypass |
US11626855B2 (en) * | 2019-11-08 | 2023-04-11 | Skyworks Solutions, Inc. | Out-of-band rejection using SAW-based integrated balun |
CN114641937B (zh) * | 2019-11-20 | 2023-08-08 | 株式会社村田制作所 | 高频电路、高频前端电路以及通信装置 |
WO2021100259A1 (ja) * | 2019-11-20 | 2021-05-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
CN115039345B (zh) * | 2020-02-07 | 2023-11-14 | 株式会社村田制作所 | 高频模块以及通信装置 |
US11184039B1 (en) * | 2020-05-22 | 2021-11-23 | Qualcomm Incorporated | Method of combining LTE-UHB+LAA+sub6-5G LNA ports |
WO2022138001A1 (ja) * | 2020-12-21 | 2022-06-30 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路、高周波モジュールおよび通信装置 |
CN115276708A (zh) * | 2021-04-30 | 2022-11-01 | 恩智浦有限公司 | 天线开关电路和方法 |
CN117859264A (zh) * | 2021-08-12 | 2024-04-09 | 株式会社村田制作所 | 高频电路、通信装置以及高频电路的功率放大方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101902243A (zh) * | 2010-07-28 | 2010-12-01 | 锐迪科创微电子(北京)有限公司 | 可配置多模式射频前端模块及具有该模块的移动终端 |
CN103828249A (zh) * | 2011-09-26 | 2014-05-28 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
CN106452462A (zh) * | 2015-08-10 | 2017-02-22 | 株式会社村田制作所 | 开关模块、前端模块以及开关模块的驱动方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001102877A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Sony Corp | 増幅回路およびこれを用いた無線装置 |
JP2011015345A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Panasonic Corp | 携帯無線装置 |
JP2011204629A (ja) | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Yazaki Corp | スイッチ付き照明ユニット |
US8913976B2 (en) | 2012-10-23 | 2014-12-16 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with shunt switches |
JP6266210B2 (ja) | 2013-01-21 | 2018-01-24 | 太陽誘電株式会社 | モジュール |
WO2015008557A1 (ja) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | 株式会社村田製作所 | フロントエンド回路 |
KR102196752B1 (ko) * | 2014-08-12 | 2020-12-30 | 삼성전자주식회사 | 캐리어 통합 신호를 송수신하는 장치 |
WO2017073509A1 (ja) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | 株式会社村田製作所 | スイッチモジュール |
US10326484B1 (en) * | 2018-06-06 | 2019-06-18 | Psemi Corporation | Reconfigurable carrier aggregation FECC with switched filters and programmable band switching LNA |
-
2018
- 2018-08-29 WO PCT/JP2018/031864 patent/WO2019054176A1/ja active Application Filing
- 2018-08-29 CN CN201880059617.7A patent/CN111095804B/zh active Active
-
2020
- 2020-03-13 US US16/818,410 patent/US10873355B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101902243A (zh) * | 2010-07-28 | 2010-12-01 | 锐迪科创微电子(北京)有限公司 | 可配置多模式射频前端模块及具有该模块的移动终端 |
CN103828249A (zh) * | 2011-09-26 | 2014-05-28 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
CN106452462A (zh) * | 2015-08-10 | 2017-02-22 | 株式会社村田制作所 | 开关模块、前端模块以及开关模块的驱动方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019054176A1 (ja) | 2019-03-21 |
US20200220568A1 (en) | 2020-07-09 |
CN111095804A (zh) | 2020-05-01 |
US10873355B2 (en) | 2020-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111095804B (zh) | 高频电路、前端电路以及通信装置 | |
CN109923788B (zh) | 开关ic、高频模块以及通信装置 | |
US10873352B2 (en) | Radio-frequency module and communication apparatus | |
US10340971B2 (en) | Power amplification module, front-end circuit, and communication device | |
CN110785940B (zh) | 开关模块 | |
CN214675136U (zh) | 高频模块和通信装置 | |
WO2017057567A1 (ja) | 電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置 | |
WO2003085853A1 (en) | Versatile rf front-end for multiband mobile terminals | |
CN110224726B (zh) | 高频前端电路以及具备该高频前端电路的通信装置 | |
CN107733448B (zh) | 开关电路、高频模块以及通信装置 | |
CN215682277U (zh) | 高频模块和通信装置 | |
US11716099B2 (en) | Radio frequency module and communication device | |
KR100969139B1 (ko) | 듀얼 밴드 듀플렉서 회로 | |
CN215734260U (zh) | 高频模块和通信装置 | |
JP2018107788A (ja) | スイッチ回路、高周波モジュール及び通信装置 | |
CN113906683B (zh) | 高频模块以及通信装置 | |
CN116803005A (zh) | 用于实现多个滤波器频率响应的具有多个输出或输入的滤波器 | |
CN110476355B (zh) | 多工器、高频前端电路以及通信装置 | |
CN107911096B (zh) | 具有利用表面声波进行操作的四个滤波器的芯片 | |
CN111512546B (zh) | 滤波器模块 | |
JP2007189747A (ja) | 弾性表面波フィルタを用いた分波器 | |
JP2007189746A (ja) | 弾性表面波フィルタを用いた分波器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |