CN111092395B - 融合式冷缩中间接头及冷缩终端的安装方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种融合式冷缩中间接头及融合式冷缩终端的安装方法,涉及电缆附件的安装领域,其技术方案要点是,使用自制胶黏剂粘接绝缘层和融合式冷缩中间接头,或使用自制胶黏剂粘接绝缘层和融合式冷缩终端,技术效果是,采用的自制胶黏层,胶黏层改变原有的涂覆硅脂连接,从原有的压紧式抵接,改为相互通过胶黏层渗透至主绝缘层和冷缩接头的连接,胶黏层将交联聚乙烯材料和硅橡胶材料利用化学的方式将两者融合成一体结构,从根本上消除气隙的存在和产生的可能性,从而提高耐电压性能,避免气隙放电,又能防止水气从线芯及外部沿压紧界面渗透,导致的击穿事故。

Description

融合式冷缩中间接头及冷缩终端的安装方法
技术领域
本发明涉及电缆附件领域,特别涉及一种融合式冷缩中间接头及冷缩终端的安装方法。
背景技术
电缆中间接头作为电缆对接时的重要环节,任何安装时造成的缺陷都会产生局部放电,导致绝缘劣化甚至击穿。
每年都会发生很多电缆附件击穿事故,95%以上都是安装人员在安装时的质量不达标造成的,比如压接管尖角未打磨:接头安装中,电缆导体线芯压接部位表面未处理光滑,会存在金属毛、尖端、棱角。电缆运行时,这些不规则部位由于电场集中而产生尖端放电。制作过程中,电缆导体线芯压接部位不进行打磨处理,将压接面刻意留出棱角。
比如主绝缘纵向划痕:在剥离外半导电层时,常会因为用刀过深而在主绝缘表面留下潜在的气隙,因为绝缘上留下的刀痕在微观上有很大的间隙,会在绝缘中发生空隙放电,形成电树枝将绝缘击穿。
现有的主绝缘和冷缩接头之间都会涂覆有一层硅脂,填补气隙。比如,瓦克硅脂,瓦克硅脂电绝缘性好,介电强度高,电容率高,介电常数小,不会固化。但是时间久了之后,硅脂会被吸收,转化为剩余的白炭黑粉末,主绝缘和冷缩接头之间相抵接的界面本质上是相互抵接的空气压紧界面,硅脂被吸收后又会留出气隙,水气从线芯及外部沿压紧界面渗透,导致主绝缘被击穿。
发明内容
本发明的目的是提供一种融合式冷缩中间接头的安装方法,其具有产品与电缆附件的界面完美复合,改变了原来的界面特性,不仅大幅度提高界面的耐雷电冲击强度,同时具有不易产生气隙、尖端,避免局部放电以及防止水气从两端及线芯处渗透至压紧界面的优点。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种融合式冷缩中间接头的安装方法,至少包括以下步骤:
S1,取两根电缆,依次由外向内逐级分层剥离外护套、钢铠、内护套、铜屏蔽层、半导电层、主绝缘层、线芯;
S2,准备电缆中间接头和铜网,于其中一根电缆上套入融合式冷缩中间接头和铜网;
S3,在露出的两根线芯上连接导体连接管,且挫平连接管上的棱角、毛刺,清洗金属颗粒;
S4,取自制胶黏剂的A组分和B组分,并于常温下将A组合和B组分进行混合;
S5,在电缆的外侧确定安装定位点,将混合的胶黏剂涂覆在主绝缘层表面;
S6,将融合式冷缩中间接头轴向异地套设在两根电缆的对接处,并进行收缩,收缩时,中间接头端口与安装定位点重合,常温下固化;
S7,依次恢复剥开的铜屏蔽层、内护套、钢铠、外护套。
通过采用上述技术方案,采用的自制胶黏层,胶黏层改变原有的涂覆硅脂连接,从原有的压紧式抵接,改为相互通过胶黏层渗透至主绝缘层和冷缩接头的连接,胶黏层将交联聚乙烯材料和硅橡胶材料利用化学的方式将两者融合成一体结构,从根本上消除气隙的存在和产生的可能性,从而提高耐电压性能,避免气隙放电;由于胶黏层的存在,具有一定的修补能力,可以消除施工过程中产生的施工缺陷,胶黏层在固化后具有一定的厚度,并利用该厚度,修补在施工时对主绝缘产生的刀痕、凹坑,避免微小气隙和尖端的产生,又能防止水汽从线芯及外部沿压紧界面渗透,导致的击穿事故。
进一步设置:所述步骤S1中,还包括对主绝缘层进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:在半导电层末端使用刀具倒角,并用砂纸在主绝缘层表面均匀地环形打磨,去除表面残留的半导电颗粒及刀痕印记。
通过采用上述技术方案,在剥离外半导电层时,常会因为用刀过深而在主绝缘层表面留下潜在的气隙,这些气隙不易被肉眼发觉,在运行电压下刀痕处便会引起场强集中而导致局部放电。半导电层从主绝缘层表面剥离后,会在主绝缘层表面残留半导电颗粒,该半导电颗粒会导致主绝缘层表面电场分布不均而导致局部放电。使用砂纸去除表面残留的半导电颗粒及刀痕印记,有助于改善绝缘层表面的电场分布,提高主绝缘层的耐电压性能。
进一步设置:所述步骤S1中,还包括对主绝缘层进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:在主绝缘层表面均匀涂上底涂剂,底涂剂的材料与自制胶黏剂的材料相同。
或者是,该表面处理步骤包括:在主绝缘层表面均匀高温加热。
或者是,该表面处理步骤包括:使用高频率高电压在主绝缘层表面进行电晕处理或等离子处理。
通过采用上述技术方案,对主绝缘层表面进行处理,有助于增强界面结合力,通过处理使底涂剂中的线性聚合物变成具有三维空间网络结构的聚合物,高温加热处理蒸发溶剂;使用电晕处理使主绝缘层表面分子氧化和极化,以增加其表面的附着能力。
本发明的另一目的是提供一种融合式冷缩终端的安装方法,其具有产品与电缆附件的融合界面好,不易产生气隙、尖端,避免局部放电现象产生的优点。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种融合式冷缩终端的安装方法,至少包括以下步骤:
S1,取一根电缆,依次由外向逐级分层的剥离外护套、钢铠、内护套,内部露出三根线芯结构;
S2,在线芯结构根部套设有三指套,后于线芯结构上套设冷缩护套管,三指套内设置接地线恢复结构;
S3,在每根线芯结构依次由外向内剥离铜屏蔽层、半导电层、主绝缘层、线芯;
S4,在露出的线芯上连接接线端子;
S5,在电缆的外侧确定安装定位线,确定电缆终端套入的位置;
S6,取自制胶黏剂的A组分和B组分,并于常温下将A组合和B组分进行混合,将混合的胶黏剂涂覆在主绝缘层表面;
S7,取电缆终端,收缩包覆在各个线芯结构的外侧,并套设至安装定位线处后进行收缩,收缩后,常温下固化;
S8,在冷缩终端位于接线端子一侧轴端设置密封结构。
通过采用上述技术方案,采用的自制胶黏层,胶黏层改变原有的涂覆硅脂连接,从原有的压紧式抵接,改为相互通过胶黏层渗透至主绝缘层和冷缩接头的连接,胶黏层将交联聚乙烯材料和硅橡胶材料利用化学的方式将两者融合成一体结构,从根本上消除气隙的存在和产生的可能性,从而提高耐电压性能,避免气隙放电;由于胶黏层的存在,具有一定的修补能力,可以消除施工过程中产生的施工缺陷,胶黏层在固化后具有一定的厚度,并利用该厚度,修补在施工时对主绝缘产生的刀痕、凹坑,避免微小气隙和尖端的产生,又能防止水汽从线芯及外部沿压紧界面渗透,导致的击穿事故。
进一步设置:所述步骤S3中,还包括对主绝缘层进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:在半导电层末端使用刀具倒角,并用砂纸在主绝缘层表面均匀地环形打磨,去除表面残留的半导电颗粒及刀痕印记。
通过采用上述技术方案,在剥离外半导电层时,常会因为用刀过深而在主绝缘层表面留下潜在的气隙,这些气隙不易被肉眼发觉,在运行电压下刀痕处便会引起场强集中而导致局部放电。半导电层从主绝缘层表面剥离后,会在主绝缘层表面残留半导电颗粒,该半导电颗粒会导致主绝缘层表面电场分布不均而导致局部放电。使用砂纸去除表面残留的半导电颗粒及刀痕印记,有助于改善绝缘层表面的电场分布,提高主绝缘层的耐电压性能。
进一步设置:所述步骤S3中,还包括对主绝缘层进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:在主绝缘层表面均匀涂上底涂剂,底涂剂的材料与自制胶黏剂的材料相同。
或者是,该表面处理步骤包括:在主绝缘层表面均匀高温加热。
或者是,使用高频率高电压在主绝缘层表面进行电晕处理或等离子处理。
通过采用上述技术方案,对主绝缘层表面进行处理,有助于增强界面结合力,通过处理使底涂剂中的线性聚合物变成具有三维空间网络结构的聚合物,高温加热处理蒸发溶剂;使用电晕处理使主绝缘层表面分子氧化和极化,以增加其表面的附着能力。
附图说明
图1是融合式冷缩中间接头的示意图;
图2是融合式冷缩中间接头的逐级分层露出结构的示意图;
图3是融合式冷缩中间接头的截面示意图;
图4是冷缩接头的逐级分层恢复结构的示意图。
图5是融合式冷缩终端的结构示意图;
图6是融合式冷缩终端的截面示意图;
图7是冷缩终端的结构示意图。
图中,1、外护套;2、钢铠;3、内护套;4、铜屏蔽层;5、半导电层;6、主绝缘层;7、线芯;8、导体连接管;9、逐级分层露出结构;10、冷缩接头;11、逐级分层恢复结构;
12、三指套;13、钢铠编织线;14、钢铠恒力弹簧;15、第一接地结构;16、铜屏蔽层编织线;17、铜屏蔽层恒力弹簧;18、第二接地结构;
21、外半导电屏蔽层;22、硅橡胶本体;23、导电管;24、应力锥;241、环形套;242、环形锥;
30、线芯结构;31、第一线芯结构;32、第二线芯结构;33、第三线芯结构;34、密封胶;35、冷缩终端;38、接线端子;39、冷缩护套管。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步详细说明。
第一种优选实施方式
一种融合式冷缩中间接头的安装方法,至少包括以下步骤:
S1,取两根电缆,依次由外向内逐级分层剥离外护套1、钢铠2、内护套3、铜屏蔽层4、半导电层5、主绝缘层6、线芯7;
S2,准备电缆中间接头和铜网,于其中一根电缆上套入融合式冷缩中间接头和铜网;
S3,在露出的两根线芯7上连接导体连接管8,且挫平连接管上的棱角、毛刺,清洗金属颗粒;
S4,取自制胶黏剂的A组分和B组分,并于常温下将A组合和B组分进行混合;
S5,在电缆的外侧确定安装定位点,将混合的胶黏剂涂覆在主绝缘层6表面;
S6,将融合式冷缩中间接头轴向异地套设在两根电缆的对接处,并进行收缩,收缩时,中间接头端口与安装定位点重合,常温下固化;
S7,依次恢复剥开的铜屏蔽层4、内护套3、钢铠2、外护套1。
在本实施方式中的安装方法的步骤S1中,各个子步骤为现有冷缩附件常规的施工方法。在步骤S1中,还包括对主绝缘层6进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:在半导电层5末端使用刀具倒角,并用砂纸在主绝缘层6表面均匀地环形打磨,去除表面残留的半导电颗粒及刀痕印记。
进一步设置:所述步骤S1中,还包括对主绝缘层6进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:在主绝缘层6表面均匀涂上底涂剂,底涂剂的材料与自制胶黏剂的材料相同。
或者是,该表面处理步骤包括:在主绝缘层6表面均匀高温加热。
或者是,该表面处理步骤包括:使用高频率高电压在主绝缘层6表面进行电晕处理或等离子处理。
表面处理步骤前,需要进行清洗,沿电缆长度方向用清洁纸从绝缘端往半导电层5擦拭,更换清洁纸,重复上述步骤直至主绝缘层6上的酒精完全挥发。
再对主绝缘层6进行处理,
在本实施例的安装方法步骤S4中,取自制胶黏剂的A组分和B组分,并于常温下将A组合和B组分进行混合;
在本实施例的安装方法步骤S6中,取电缆中间接头套设在电缆外侧,将接头主体的端口对准安装定位点进行收缩,常温下固化。在接头完全收缩后除去多余的胶黏剂。
在本实施例的安装方法步骤S7中,各个子步骤为现有冷缩附件常规的施工方法。
第二种优选实施方式
一种融合式冷缩终端的安装方法,至少包括以下步骤:
S1,取一根电缆,依次由外向逐级分层的剥离外护套1、钢铠2、内护套3,内部露出三根线芯结构30;
S2,在线芯结构30根部套设有三指套12,后于线芯结构30上套设冷缩护套管39,三指套12内设置接地线恢复结构;
S3,在每根线芯结构30依次由外向内剥离铜屏蔽层4、半导电层5、主绝缘层6、线芯7;
S4,在露出的线芯7上连接接线端子38;
S5,在电缆的外侧确定安装定位线,确定电缆终端套入的位置;
S6,取自制胶黏剂的A组分和B组分,并于常温下将A组合和B组分进行混合,将混合的胶黏剂涂覆在主绝缘层6表面;
S7,取电缆终端,收缩包覆在各个线芯结构30的外侧,并套设至安装定位线处后进行收缩,收缩后,常温下固化;
S8,在冷缩终端35位于接线端子38一侧轴端设置密封结构。
在本实施方式下的安装方法除步骤S6-S7中,各个子步骤为现有冷缩附件常规的施工方法。
在步骤S3中,还包括对主绝缘层6进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:在半导电层5末端使用刀具倒角,并用砂纸在主绝缘层6表面均匀地环形打磨,去除表面残留的半导电颗粒及刀痕印记。
在步骤S3中,还包括对主绝缘层6进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:在主绝缘层6表面均匀涂上底涂剂,底涂剂的材料与自制胶黏剂的材料相同。
或者是,该表面处理步骤包括:在主绝缘层6表面均匀高温加热。
或者是,使用高频率高电压在主绝缘层6表面进行电晕处理。
表面处理步骤前,需要进行清洗,沿电缆长度方向用清洁纸从绝缘端往半导电层5擦拭,更换清洁纸,重复上述步骤直至主绝缘层6上的酒精完全挥发。
再对主绝缘层6进行处理,
在本实施例的安装方法步骤S6中,取自制胶黏剂的A组分和B组分,并于常温下将A组合和B组分进行混合,再将混合的胶黏剂均匀地涂覆在主绝缘层6表面;
在本实施例的安装方法步骤S7中,将冷缩终端35套设在各个线芯结构30的外侧,并与安装定位线对准,然后收缩。收缩后,常温下固化。
在本实施例的安装方法步骤S8中,用清洁纸把残留在冷缩终端35及金具上的胶擦拭干净,然后用硅橡胶相位带缠绕冷缩终端35端口,加强密封。
第三种优选实施方式实施例1:
一种交联聚乙烯和硅橡胶的胶黏剂,包括A和B,其中,A包括以下重量份的组分:
100份的羟基硅油、10份的基础交联剂、10份的附加交联剂和5份的疏水性气相二氧化硅;
基础交联剂由2份的甲基三甲氧基硅烷、2份的甲基三乙氧基硅烷、2份的乙烯基三甲氧基硅烷、2份的乙烯基三乙氧基硅烷、2份的苯基三甲氧基硅烷组成;附加交联剂由2份的异氰酸丙基三乙氧基硅烷、2份的乙烯基三异丙烯氧基硅烷、2份的甲基三异丙烯氧基硅烷、2份的苯基三异丙烯氧基硅烷、2份的四甲基胍基丙基三甲氧基硅烷组成;
B包括以下重量份的组分:
100份的羟基硅油、5份的疏水性气相二氧化硅和0.2份的催化剂;
催化剂为有机锡螯合物。
按照上述制备方法进行胶黏剂的制备。
实施例2:
一种交联聚乙烯和硅橡胶的胶黏剂,包括A和B,其中,A包括以下重量份的组分:
100份的羟基硅油、20份的基础交联剂、20份的附加交联剂和10份的疏水性气相二氧化硅;
基础交联剂由4份的甲基三甲氧基硅烷、4份的甲基三乙氧基硅烷、4份的乙烯基三甲氧基硅烷、4份的乙烯基三乙氧基硅烷、4份的苯基三甲氧基硅烷组成;
附加交联剂由4份的异氰酸丙基三乙氧基硅烷、4份的乙烯基三异丙烯氧基硅烷、4份的甲基三异丙烯氧基硅烷、4份的苯基三异丙烯氧基硅烷、4份的四甲基胍基丙基三甲氧基硅烷组成;
B包括以下重量份的组分:
100份的羟基硅油、10份的疏水性气相二氧化硅和0.3份的催化剂;
催化剂为有机锡螯合物。
按照上述制备方法进行胶黏剂的制备。
实施例3:
一种交联聚乙烯和硅橡胶的胶黏剂,包括A和B,其中,A包括以下重量份的组分:
100份的羟基硅油、25份的基础交联剂、30份的附加交联剂和15份的疏水性气相二氧化硅;
基础交联剂由5份的甲基三甲氧基硅烷、5份的甲基三乙氧基硅烷、5份的乙烯基三甲氧基硅烷、5份的乙烯基三乙氧基硅烷、5份的苯基三甲氧基硅烷组成;附加交联剂由6份的异氰酸丙基三乙氧基硅烷、6份的乙烯基三异丙烯氧基硅烷、6份的甲基三异丙烯氧基硅烷、6份的苯基三异丙烯氧基硅烷、6份的四甲基胍基丙基三甲氧基硅烷组成;
B包括以下重量份的组分:
100份的羟基硅油、15份的疏水性气相二氧化硅和0.5份的催化剂;
催化剂为有机锡螯合物。
按照上述制备方法进行胶黏剂的制备。
实施例4:
本实施例与实施例2仅区别于,
基础交联剂由4份的乙烯基三甲氧基硅烷、4份的乙烯基三乙氧基硅烷、4份的苯基三甲氧基硅烷、4份的苯基三乙氧基硅烷、4份的氨丙基三甲氧基硅烷组成。
实施例5:
本实施例与实施例2仅区别于,
基础交联剂由10份的甲基三甲氧基硅烷和10份的氨丙基三甲氧基硅烷组成。
实施例6:
本实施例与实施例2仅区别于,
附加交联剂由4份的γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、4份的γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷、4份的γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、4份的苯胺甲基三甲氧基硅烷、4份的苯胺甲基三乙氧基硅烷组成。
实施例7:
本实施例与实施例2仅区别于,
附加交联剂由4份的苯胺甲基三乙氧基硅烷、4份的氨乙基氨丙基甲基二甲氧基硅烷、4份的二乙胺基甲基三乙氧基硅烷、4份的γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、4份的γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷组成。
实施例8:
本实施例与实施例2仅区别于,
附加交联剂由5份的异氰酸丙基三乙氧基硅烷、5份的乙烯基三异丙烯氧基硅烷、5份的甲基三异丙烯氧基硅烷、5份的苯基三异丙烯氧基硅烷组成。
实施例9:
本实施例与实施例2仅区别于,
催化剂为胍基催化剂。
实施例10:
本实施例与实施例2仅区别于,
催化剂为硅烷类催化剂。
对比例1:
本对比例与实施例2仅区别于,A中不含基础交联剂。
对比例2:
本对比例与实施例2仅区别于,A中不含附加交联剂。
对比例3:
本对比例与实施例2仅区别于,A包括50份的基础交联剂;
基础交联剂由10份的甲基三甲氧基硅烷、10份的甲基三乙氧基硅烷、10份的乙烯基三甲氧基硅烷、10份的乙烯基三乙氧基硅烷、10份的苯基三甲氧基硅烷组成。
对比例4:
本对比例与实施例2仅区别于,A包括50份的附加交联剂;
附加交联剂由10份的异氰酸丙基三乙氧基硅烷、10份的乙烯基三异丙烯氧基硅烷、10份的甲基三异丙烯氧基硅烷、10份的苯基三异丙烯氧基硅烷、10份的四甲基胍基丙基三甲氧基硅烷组成。
对比例5:
本对比例与实施例2仅区别于,B中的催化剂为10份。
其中,实施例1-5和对比例1-3均采用第一种制备方法及第一种使用方法;实施例6-10和对比例4-5均采用第二种制备方法及第二种使用方法。
对比例6:
购买自广东恒大新材料科技有限公司的卡夫特704胶。
对比例7:
购买自广东恒大新材料科技有限公司的卡夫特703胶。
对比例8:
购买自美国道康宁公司的3140胶。
五、性能检测:
1、检测项目及试验依据:
1-1:介电常数检测:参考GB/T 1409-2006《测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法》;
1-2:绝缘强度检测:参考GB/T 1408《绝缘材料电器强度试验方法》;
1-3:伸长率检测:参考HG/T 3849-2008《硬质橡胶拉伸强度和拉断伸长率的测定》;
1-4:剪切强度检测:参考GB/T 7124-2008《胶黏剂拉伸剪切强度的测定(刚性材料对刚性材料)》;
1-5:剥离强度检测:参考GB/T 2791-1995《胶黏剂T剥离强度试验方法挠性材料对挠性材料》。
Figure BDA0002339553080000111
Figure BDA0002339553080000121
从上述表格中可以看出,利用本申请的制备方法制备交联聚乙烯和硅橡胶的胶黏剂相对于现有技术中本领域技术人员常用的具有良好的机械性能,尤其是玻璃强度,相对于同类型产品具有突出的性能优势,同时保证了其绝缘性能优良。
上述的实施例仅仅是对本发明的解释,其并不是对本发明的限制,本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改,但只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。

Claims (10)

1.一种融合式冷缩中间接头的安装方法,其特征在于:至少包括以下步骤:
S1,取两根电缆,依次由外向内逐级分层剥离外护套(1)、钢铠(2)、内护套(3)、铜屏蔽层(4)、半导电层(5)、主绝缘层(6)、线芯(7);
S2,准备电缆中间接头和铜网,于其中一根电缆上套入融合式冷缩中间接头和铜网;
S3,在露出的两根线芯(7)上连接导体连接管(8),且挫平连接管上的棱角、毛刺,清洗金属颗粒;
S4,取自制胶黏剂的A组分和B组分,并于常温下将A组合和B组分进行混合;
S5,在电缆的外侧确定安装定位点,将混合的胶黏剂涂覆在主绝缘层(6)表面;
S6,将融合式冷缩中间接头轴向异地套设在两根电缆的对接处,并进行收缩,收缩时,中间接头端口与安装定位点重合,常温下固化;
S7,依次恢复剥开的铜屏蔽层(4 )、内护套(3)、钢铠(2)、外护套(1);
A包括以下重量份的组分: 100份的羟基硅油、10份的基础交联剂、10份的附加交联剂和5份的疏水性气相二氧化硅;基础交联剂由2份的甲基三甲氧基硅烷、2份的甲基三乙氧基硅烷、2份的乙烯基三甲氧基硅烷、2份的乙烯基三乙氧基硅烷、2份的苯基三甲氧基硅烷组成;附加交联剂由2份的异氰酸丙基三乙氧基硅烷、2份的乙烯基三异丙烯氧基硅烷、2份的甲基三异丙烯氧基硅烷、2份的苯基三异丙烯氧基硅烷、2份的四甲基胍基丙基三甲氧基硅烷组成; B包括以下重量份的组分: 100份的羟基硅油、5份的疏水性气相二氧化硅和0.2份的催化剂;催化剂为有机锡螯合物。
2.根据权利要求1所述的融合式冷缩中间接头的安装方法,其特征在于:所述步骤S1中,还包括对主绝缘层(6)进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:在半导电层(5)末端使用刀具倒角,并用砂纸在主绝缘层(6)表面均匀地环形打磨,去除表面残留的半导电颗粒及刀痕印记。
3.根据权利要求1或2所述的融合式冷缩中间接头的安装方法,其特征在于:所述步骤S1中,还包括对主绝缘层(6)进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:在主绝缘层(6)表面均匀涂上底涂剂,底涂剂的材料与自制胶黏剂的材料相同。
4.根据权利要求1或2所述的融合式冷缩中间接头的安装方法,其特征在于:所述步骤S1中,还包括对主绝缘层(6)进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:在主绝缘层(6)表面均匀高温加热。
5.根据权利要求1或2所述的融合式冷缩中间接头的安装方法,其特征在于:所述步骤S1中,还包括对主绝缘层(6)进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:使用高频率高电压在主绝缘层(6)表面进行电晕处理或等离子处理。
6.一种融合式冷缩终端的安装方法,其特征在于:至少包括以下步骤:
S1,取一根电缆,依次由外向逐级分层的剥离外护套(1)、钢铠(2)、内护套(3),内部露出三根线芯结构(30);
S2,在线芯结构(30)根部套设有三指套(12),后于线芯结构(30)上套设冷缩护套管(39),三指套(12)内设置接地线恢复结构;
S3,在每根线芯结构(30)依次由外向内剥离铜屏蔽层(4)、半导电层(5)、主绝缘层(6)、线芯(7);
S4,在露出的线芯(7)上连接接线端子(38);
S5,在电缆的外侧确定安装定位线,确定电缆终端套入的位置;
S6,取自制胶黏剂的A组分和B组分,并于常温下将A组合和B组分进行混合,将混合的胶黏剂涂覆在主绝缘层(6)表面;
S7,取电缆终端,收缩包覆在各个线芯结构(30)的外侧,并套设至安装定位线处后进行收缩,收缩后,常温下固化;
S8,在冷缩终端(35)位于接线端子(38)一侧轴端设置密封结构;
A包括以下重量份的组分: 100份的羟基硅油、10份的基础交联剂、10份的附加交联剂和5份的疏水性气相二氧化硅;基础交联剂由2份的甲基三甲氧基硅烷、2份的甲基三乙氧基硅烷、2份的乙烯基三甲氧基硅烷、2份的乙烯基三乙氧基硅烷、2份的苯基三甲氧基硅烷组成;附加交联剂由2份的异氰酸丙基三乙氧基硅烷、2份的乙烯基三异丙烯氧基硅烷、2份的甲基三异丙烯氧基硅烷、2份的苯基三异丙烯氧基硅烷、2份的四甲基胍基丙基三甲氧基硅烷组成; B包括以下重量份的组分: 100份的羟基硅油、5份的疏水性气相二氧化硅和0.2份的催化剂;催化剂为有机锡螯合物。
7.根据权利要求6所述的融合式冷缩终端的安装方法,其特征在于:所述步骤S3中,还包括对主绝缘层(6)进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:在半导电层(5)末端使用刀具倒角,并用砂纸在主绝缘层(6)表面均匀地环形打磨,去除表面残留的半导电颗粒及刀痕印记。
8.根据权利要求6或7所述的融合式冷缩终端的安装方法,其特征在于:所述步骤S3中,还包括对主绝缘层(6)进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:在主绝缘层(6)表面均匀涂上底涂剂,底涂剂的材料与自制胶黏剂的材料相同。
9.根据权利要求6或7所述的融合式冷缩终端的安装方法,其特征在于:所述步骤S3中,还包括对主绝缘层(6)进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:在主绝缘层(6)表面均匀高温加热。
10.根据权利要求6或7所述的融合式冷缩终端的安装方法,其特征在于:所述步骤S3中,还包括对主绝缘层(6)进行表面处理步骤,该表面处理步骤包括:使用高频率高电压在主绝缘层(6)表面进行电晕处理或等离子处理。
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