CN111092031A - 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 - Google Patents

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，该基板处理装置能够防止在从基板表面去除干燥液时发生图案破损。所述基板处理装置包括：基板保持部，其保持基板；干燥液供给部，其对被基板保持部保持的基板的表面供给干燥液；温度调整部，其使基板的表面温度变化；以及控制部，其控制温度调整部。控制部控制温度调整部，以使被供给至基板的表面的干燥液的液膜产生温度差。

Description

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
背景技术
作为使清洗处理后的基板干燥的方法，研究一种在向基板的表面供给干燥液来将冲洗液等置换为干燥液之后去除干燥液的方法(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-90015号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够防止在从基板表面去除干燥液时发生图案破损的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的基板处理装置包括：基板保持部，其保持基板；干燥液供给部，其对被基板保持部保持的基板的表面供给干燥液；温度调整部，其使基板的表面温度变化；以及控制部，其控制温度调整部。控制部控制温度调整部，以使被供给至基板的表面的干燥液的液膜产生温度差。
发明的效果
根据一个例示性的实施方式，能够防止在从基板表面去除干燥液时发生图案破损。
附图说明
图1是示意性地表示一个例示性的实施方式所涉及的基板处理***的俯视图。
图2是一个例示性的实施方式所涉及的基板处理装置的示意图。
图3是说明一个例示性的实施方式所涉及的基板处理方法的流程图。
图4的(a)、图4的(b)、图4的(c)是说明第一实施方式所涉及的利用温度调整部进行的IPA排出处理的图。
图5的(a)、图5的(b)、图5的(c)是说明第一实施方式的变形例所涉及的利用温度调整部进行的IPA排出处理的图。
图6的(a)、图6的(b)、图6的(c)是说明第一实施方式的变形例所涉及的利用温度调整部进行的IPA排出处理的图。
图7的(a)、图7的(b)、图7的(c)是说明第二实施方式的变形例所涉及的利用温度调整部进行的IPA排出处理的图。
图8的(a)、图8的(b)、图8的(c)是第二实施方式的变形例所涉及的利用温度调整部进行的IPA排出处理的图。
图9的(a)、图9的(b)、图9的(c)是说明第二实施方式的变形例所涉及的利用温度调整部进行的IPA排出处理的图。
图10的(a)、图10的(b)、图10的(c)是说明第二实施方式的变形例所涉及的利用温度调整部进行的IPA排出处理的图。
图11的(a)、图11的(b)是说明利用温度调整部进行的IPA排出处理的其它例的图。
图12的(a)、图12的(b)是说明利用温度调整部进行的IPA排出处理的其它例的图。
图13的(a)、图13的(b)是说明利用温度调整部进行的IPA排出处理的其它例的图。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明各种例示性的实施方式。此外，在各附图中对相同或相当的部分标注相同的标记。
<第一实施方式>
[基板处理***的结构]
图1是表示第一实施方式所涉及的基板处理***的概要结构的图。在以下，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理***1具备第一搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3邻接地设置。
搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置多个承载件C，所述多个承载件C将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下为晶圆W)以水平状态收容。
搬送部12与承载件载置部11邻接地设置，在该搬送部12的内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并能够以铅垂轴为中心转动，该基板搬送装置13使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间搬送晶圆W。
处理站3与搬送部12邻接地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在搬送部15的两侧的方式设置。
搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板搬送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并且能够以铅垂轴为中心转动，该基板搬送装置17使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间搬送晶圆W。
处理单元16根据后述的控制装置4的控制部18的控制，来对由基板搬送装置17搬送的晶圆W进行规定的基板处理。
另外，基板处理***1还具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存对在基板处理***1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行存储部19中存储的程序来控制基板处理***1的动作。
此外，该程序可以被存储在可由计算机读取的存储介质中，并且从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中。作为可由计算机读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基板处理***1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送装置13将晶圆W从载置于承载件载置部11的承载件C取出，并将取出的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板搬送装置17将载置于交接部14的晶圆W从交接部14取出后搬入处理单元16。
在利用处理单元16对被搬入处理单元16的晶圆W进行处理之后，利用基板搬送装置17将该晶圆W从处理单元16搬出后载置于交接部14。然后，利用基板搬送装置13将载置于交接部14的处理完成后的晶圆W送回承载件载置部11的承载件C。
[基板处理装置的结构]
参照图2来说明基板处理***1所包括的基板处理装置10的结构。基板处理装置10设置于基板处理***1的处理单元16。
如图2所示，基板处理装置10具备腔室20、基板保持机构30、处理液供给部40、回收杯50以及温度调整部60。
腔室20用于收容基板保持机构30、处理液供给部40以及回收杯50。在腔室20的顶部设置FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)21。FFU 21具有在腔室20内形成下降流的功能。FFU 21通过将从下降流气体供给管(未图示)供给的下降流气体供给至腔室20内，来形成下降流气体。
基板保持机构30具有将晶圆W以能够旋转的方式保持的功能。基板保持机构30具备保持部31、支柱部32以及驱动部33。保持部31将晶圆W水平地保持。支柱部32是沿铅垂方向延伸的构件，该支柱部32的基端部以能够旋转的方式被驱动部33支承，在该支柱部32的前端部将保持部31水平地支承。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。所述基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转，来使被支柱部32支承的保持部31旋转，从而使被保持部31保持的晶圆W旋转。
处理液供给部40对晶圆W供给处理液。处理液供给部40与处理液供给源80连接。处理液供给部40具有用于供给来自处理液供给源80的处理液的喷嘴41。处理液供给源80具有与多个处理液相关的供给源，根据晶圆W的处理的进展来变更要供给的处理液。另外，喷嘴41设置于能够沿横向(水平方向)旋转移动的喷嘴臂(未图示)的头部分。而且，通过喷嘴臂的旋转移动，能够一边变更喷嘴41的前端的位置一边向晶圆W上供给处理液。
作为处理液供给源80，设置有药液供给源81、DIW供给源82以及IPA供给源83。药液供给源81供给用于对晶圆W的表面进行处理的一种或多种药液。另外，DIW供给源82供给用于对晶圆W的表面进行冲洗处理的DIW(Deionized Water：纯水)。另外，IPA供给源83供给用于将晶圆W的表面的DIW置换为IPA(isopropyl alcohol：异丙醇)的IPA。IPA是具有挥发性的干燥液的一种，相比于DIW而言表面张力小。因此，首先将晶圆W的表面的DIW置换为IPA，之后将IPA去除来使晶圆W干燥，由此防止在使晶圆W干燥时在晶圆W的表面发生图案破损。药液供给源81、DIW供给源82以及IPA供给源83分别经由阀V1、V2、V3而与喷嘴41连接。通过切换阀V1、V2、V3的开闭，能够变更从喷嘴41对晶圆W供给的处理液。
此外，在图2中仅示出一个喷嘴41，但也可以与多种处理液相对应地单独地设置多个喷嘴，还可以使一部分处理液共用一个喷嘴。
由已述的控制部18来控制上述的喷嘴41的移动、来自处理液供给源80的各供给源的液体的供给/停止等。
回收杯50以包围保持部31的方式配置，用于捕获由于保持部31的旋转从晶圆W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，由回收杯50捕获到的处理液从所述排液口51向处理单元16的外部排出。另外，在回收杯50的底部形成有排气口52，所述排气口52用于将从FFU 21供给的气体向处理单元16的外部排出。
温度调整部60具有对被保持在保持部31上的晶圆W的表面进行温度控制的功能。在图2所示的基板处理装置10中，温度调整部60具有在保持部31的背面侧对晶圆W的整面进行温度控制的第一温度调整部61和设置于晶圆W的表面侧的线状的第二温度调整部62。第一温度调整部61和第二温度调整部62分别进行加热或冷却，由此控制晶圆W的表面的温度分布。即，第一温度调整部61和第二温度调整部62具有作为基板加热部或基板冷却部的功能。
第一温度调整部61设置于晶圆W的背面侧来对晶圆W整体进行温度控制。但是，第一温度调整部61虽然针对面来进行晶圆W的温度控制，但可以构成为：不以同样的温度对晶圆W进行加热或冷却，使晶圆W的表面的温度分布具有偏差。例如，可以设为以下结构：将第一温度调整部61划分为多个区域，以每个分区为单位进行独立的温度控制，即进行所谓的多通道控制(日语：多チャンネル制御)，由此对晶圆W的互不相同的位置以互不相同的加热温度进行加热。另外，可以构成为：通过利用多通道控制来使晶圆W的表面温度具有规定的梯度。在利用第一温度调整部61对晶圆W进行加热的情况下，能够使用热板来作为第一温度调整部61。另外，在利用第一温度调整部61对晶圆W进行冷却的情况下，能够使用冷却板来作为第一温度调整部61。但是，第一温度调整部61的结构不限定于此。
第二温度调整部62是与晶圆W的表面相距规定的距离并且沿横向(水平方向)延伸的线型的热源或冷却源(也参照图4的(a))。在图2中示出以第二温度调整部62的长边方向为Y轴方向的方式配置的状态。另外，第二温度调整部62设为能够沿横向(水平方向)且与第二温度调整部62的长边方向交叉的方向(例如正交的方向)移动。图2所示的第二温度调整部62设为通过沿X轴方向移动能够在俯视观察时与保持部31上的晶圆W的表面重叠的整个区域中移动。通过设为这样的结构，能够对晶圆W的特定区域(接近第二温度调整部62的区域)进行加热或冷却。在利用第二温度调整部62对晶圆W进行加热的情况下，能够使用激光或灯来作为第二温度调整部62。另外，在利用第二温度调整部62对晶圆W冷却的情况下，能够使用气流(冷却后的气体)来作为第二温度调整部62。但是，第二温度调整部62的结构并不限定于此。
由已述的控制部18来控制利用上述的第一温度调整部61和第二温度调整部62对加热温度或冷却温度进行的调整、第二温度调整部62的移动等。
[基板处理方法]
参照图3来说明使用上述的基板处理装置10实施的液处理的内容。
首先，当使基板保持机构30的保持部31保持利用基板搬送装置17搬入处理单元16内的晶圆W时，使喷嘴41移动至晶圆W上的处理位置。而且，使晶圆W以规定的旋转速度旋转并且从喷嘴41进行药液的供给，由此进行药液处理(S01)。此时，图2所示的支柱部32、驱动部33相当于使被保持部31保持的晶圆W旋转的旋转机构。
接着，进行将从喷嘴41供给的处理液切换为DIW来进行清洗的冲洗清洗处理(S02)。具体地说，在使晶圆W旋转着的状态下，向存在药液的液膜的晶圆W供给DIW。通过供给DIW，利用DIW将附着于晶圆W的残留物冲掉。
在执行了规定时间的冲洗清洗处理之后，停止从喷嘴41供给DIW。接着，进行通过从喷嘴41对旋转的晶圆W的表面供给IPA来将晶圆W表面的DIW置换为IPA的置换处理(S03：干燥液供给工序)。通过向晶圆W的表面供给IPA，来在晶圆W的表面形成IPA的液膜。由此，残留于晶圆W的表面的DIW被置换为IPA。
在晶圆W的表面的DIW被充分地置换为IPA之后，停止对晶圆W供给IPA。而且，进行将残留于晶圆W的表面的IPA从晶圆W的表面排出的排出处理(S04：排出工序)。通过从晶圆W的表面排出IPA，来使晶圆W的表面成为干燥的状态。此外，在基板处理装置10中，利用温度调整部60使晶圆W表面产生的温度偏差，由此促进IPA从晶圆W的表面排出。在后文中叙述该点。
当使晶圆W的表面干燥时，关于该晶圆W的液处理结束。通过与搬入时的过程相反的过程来从基板处理装置10搬出晶圆W。
[排出处理]
参照图4的(a)～图4的(c)来说明利用温度调整部60排出IPA的排出处理。图4的(a)是说明配置在晶圆W的表面上的第二温度调整部62的动作的立体图。另外，图4的(b)是说明利用第一温度调整部61和第二温度调整部62对晶圆W进行的温度控制的图。如图4的(b)所示，在晶圆W的表面形成有规定的图案W1(例如抗蚀图案)。另外，图4的(c)是说明晶圆W的表面的温度的图。
在进行IPA的排出处理之前，以覆盖晶圆W的表面的方式形成有IPA液膜L。在图4的(a)～图4的(c)所示的例子中，第一温度调整部61作为将晶圆W的背面冷却至规定温度的基板冷却部发挥功能。利用第一温度调整部61将晶圆W的表面冷却至固定温度。另外，第二温度调整部62作为从晶圆W的表面侧对晶圆W的表面的规定位置进行加热的基板加热部发挥功能。在进行IPA的排出的情况下，如图4的(b)所示，第二温度调整部62以接近晶圆W的端部的方式配置。而且，利用第二温度调整部62对晶圆W的端部的表面进行加热。
其结果是，如图4的(c)所示，关于晶圆W表面的温度，第二温度调整部62所接近地配置的一侧的端部(外周)的温度T1比其它区域的温度T2高。而且，在呈温度T1的晶圆W端部与呈温度T2的未处理区域A2之间形成从温度T1向温度T2变化的干燥对象区域A1。即，晶圆W的表面包括干燥对象区域A1以及与干燥对象区域A1相邻的未处理区域A2。换言之，IPA液膜L中的靠近干燥对象区域A1的边缘部分La的温度比IPA液膜L中的与未处理区域A2对应的其余部分Lb的温度高。因此，在边缘部分La与其余部分Lb之间产生温度差。因而，在干燥对象区域A1中，IPA液膜L向温度低的未处理区域A2侧进行聚集。
在干燥对象区域A1中，晶圆W表面的温度比呈温度T2的其它区域的温度高，因此能促进IPA从IPA液膜L蒸发(挥发)。其结果是，干燥对象区域A1中的IPA液膜L的膜厚度比未处理区域A2(呈温度T2的区域)的膜厚度小。其结果是，在干燥对象区域A1的IPA液膜L与未处理区域A2的IPA液膜L之间产生表面张力差，干燥对象区域A1中的IPA液膜L的表面张力比未处理区域A2的该表面张力小。其结果是，产生干燥对象区域A1的IPA液膜L的边缘部分La被拉向未处理区域A2侧(在图4中为右侧)的所谓的马兰各尼对流。通过由于该马兰各尼对流产生的力，IPA液膜L的边缘部分La向低温侧移动。
此时，如图4的(b)所示，当使第二温度调整部62向箭头S方向移动时，干燥对象区域A1从图4的(c)所示的位置向箭头S方向移动。通过使第二温度调整部62与IPA液膜L的聚集速度(IPA液膜L的边缘部分La的移动速度)相对应地移动，能够使通过马兰各尼对流进行的IPA液膜L的聚集有进展，从而能够使晶圆W的表面上的IPA向箭头S方向移动。因而，能够在沿着箭头S方向的下游侧的晶圆W的端部Wa将IPA从晶圆W的表面排出。
晶圆W的表面中的作为进行IPA液膜L的干燥处理的对象的区域是“干燥对象区域A1”。另一方面，晶圆W的表面中的未进行IPA液膜L的干燥处理的区域是“未处理区域A2”。在图4所示的例子中，干燥对象区域A1是晶圆W的表面中的通过第二温度调整部62而升温后的区域，即产生从温度T1向温度T2变化的温度梯度的区域。如上述那样，在干燥对象区域A1中，由于马兰各尼对流，IPA液膜L的边缘部分La被拉向未处理区域A2侧，由此IPA液膜L的端部移动。因而，控制干燥对象区域A1的位置，以在晶圆W的干燥对象区域与此外的区域之间的表面形成温度梯度，由此能够使IPA在晶圆W的表面上进行聚集。
[作用和效果]
像这样，在基板处理装置10中，利用由温度调整部60对晶圆W表面进行的温度控制，来在晶圆W表面中的干燥对象区域A1与未处理区域A2之间形成温度差。具体地说，以IPA液膜L的边缘部分La的温度高、IPA液膜L的其余部分Lb的温度低的方式使IPA液膜L产生温度差。由此，在IPA液膜L的边缘部分La产生马兰各尼对流。因此，使IPA向晶圆W的表面中的规定方向(具体地说，温度为低温的一侧)聚集，并且从晶圆W表面排出IPA。像这样，通过设为通过利用马兰各尼对流进行IPA的聚集来从晶圆W表面排出IPA的结构，能够防止在从晶圆W表面去除IPA时晶圆W表面发生图案损坏等。
作为从晶圆W表面去除IPA的方法，以往使用一种通过使晶圆W旋转来利用离心力使IPA向外周侧移动的方法。在该情况下，晶圆W表面的IPA受到离心力而向外方流动。但是，在像这样IPA受到外力而移动的情况下，在IPA液膜的端部形成液厚度非常薄的边界层。边界层是IPA不会由于外力而移动的区域，因此仅通过IPA的蒸发来使晶圆W表面进行干燥。此时，晶圆W表面的IPA的蒸发速度不均匀。特别地，在晶圆W的表面形成有很多图案W1，因此容易由于图案W1的形状等产生IPA的液面高度的偏差。当在IPA的液面高度不同的状态下进行IPA的蒸发时，由于液面高度产生的应力差对图案W1产生影响，具有图案损坏等图案W1发生破损的可能性。
与此相对地，在基板处理装置10中，如上述那样利用由于温度梯度产生的马兰各尼对流来使晶圆W的表面上的IPA聚集。即，在不是在受到外力的情况下产生移动而是利用表面张力的差使IPA移动了的情况下，能够防止在IPA液膜L的边缘部分La产生边界层。即，能够消除通过蒸发来进行干燥的区域，因此在去除IPA时能够防止图案损坏等图案W1的破损。近年来，形成于晶圆W的表面的图案W1的深宽比变高，因此产生图案损坏的风险变高，但通过使用利用上述的马兰各尼对流进行的IPA的去除，能够降低图案损坏的发生率。此外，也可以是，晶圆W表面的温度梯度不一定是存在IPA液膜L的一侧的温度低、不存在IPA液膜L的一侧(露出晶圆W的一侧)的温度高。另外，只要在干燥对象区域与其它区域(未处理区域)之间产生期望的温度差即可，也可以不在未处理区域A2(未处理区域)内形成温度梯度。
此外，优选的是，由温度调整部60控制的晶圆W的表面温度被控制为不会促进IPA的挥发的程度。为了使IPA中产生马兰各尼对流，只要是比常温(约23℃)高的温度即可，例如能够控制温度调整部60以使晶圆W的表面温度成为30℃以上。当晶圆W的表面温度过高时，相比于通过IPA的聚集产生的移动，更加会促进IPA的挥发，图案破损的可能性变高。
另外，如图4所示，在基板处理装置10中，通过使第二温度调整部62从晶圆W的一侧的端部向箭头S方向水平地移动，来使IPA液膜L向箭头S方向聚集，从而将IPA从箭头S方向的下游侧的端部Wa排出。像这样，IPA在晶圆W表面沿箭头S方向移动。为了促进该IPA的移动，可以使保持部31上的晶圆W以端部Wa成为下方侧的方式稍微倾斜(约0.1°～1°)。作为使保持部31上的晶圆W倾斜的方法，列举使支承保持部31的支柱部32的位置沿横向移动来产生所谓的轴偏移的方法。像这样，可以设为通过使晶圆W稍许倾斜来促进从端部Wa排出IPA的结构。
通过由控制部18进行的控制来变更第二温度调整部62的移动和通过第一温度调整部61得到的冷却温度等。控制部18可以通过执行基于IPA的液特性等预先决定的程序来控制温度调整部60的各部。另外，控制部18例如可以基于与晶圆W表面的状态有关的信息等进行变更温度调整部60的各部的动作的控制，所述晶圆W表面的状态是由设置在基板处理装置10内的观察晶圆W表面的照相机获取到的。
<第一变形例>
接着，对温度调整部60的变形例进行说明。如上述那样，当在IPA液膜L的边缘部分La附近以存在IPA液膜L的一侧的温度低、不存在IPA液膜L的一侧(露出晶圆W的一侧)的温度高的方式形成温度梯度时，在IPA液膜L的边缘部分La产生马兰各尼对流。通过产生该马兰各尼对流，IPA液膜L利用表面张力以不会形成边界层的方式聚集。因而，只要能够在晶圆W的表面形成如上述那样的温度梯度即可，能够适当地变更温度调整部60的结构。
图5的(a)～图5的(c)是表示第一变形例所涉及的温度调整部60A的图。图5的(a)～图5的(c)是与图4的(a)～图4的(c)对应的图。温度调整部60A与温度调整部60在以下方面不同。即，在温度调整部60A中，设置于晶圆W的背面侧的第一温度调整部61使加热温度根据位置而变化，由此在晶圆W的表面形成温度梯度。即，不使用第二温度调整部62。
在图5的(b)中，用渐变来表示第一温度调整部61针对每个位置的加热温度。即，利用第一温度调整部61来控制加热温度，以使晶圆W的图示左侧的端部Wb处的加热温度高，并且随着去向图示右侧的端部Wc而加热温度变低。其结果是，如图5的(c)所示，关于晶圆W的表面温度，从图示左侧的端部Wb朝向图示右侧的端部Wc整体地形成温度梯度。即，在图5所示的例子中，在干燥对象区域A1和未处理区域A2中均形成有温度梯度。
其结果是，如图5的(b)所示，在IPA液膜L中，晶圆W的端部Wb侧产生马兰各尼对流，并且朝向端部Wc侧移动。晶圆W的表面温度整体地形成温度梯度，因此即使IPA液膜L的边缘部分La向端部Wc侧移动了，边缘部分La也存在于干燥对象区域A1上。因而，通过马兰各尼对流进行的IPA液膜L的聚集和移动继续。即，在晶圆W整个表面形成的温度梯度作为存在IPA液膜L的一侧的温度低、不存在IPA液膜L的一侧(露出晶圆W的端部Wb一侧)的温度高的温度梯度发挥功能。其结果是，IPA液膜L向端部Wc侧移动，从而从端部Wc侧排出。
像这样，在第一温度调整部61能够针对互不相同的每个部位控制晶圆W的加热温度的情况下，即使不与第二温度调整部62组合起来使用，也能够针对晶圆W表面的温度设置梯度。因而，可以设为利用该温度梯度来控制IPA液膜L的移动和排出的结构。在设为这样的结构的情况下，也能够降低图案损坏的发生率。
<第二变形例>
图6的(a)～图6的(c)是表示第二变形例所涉及的温度调整部60B的图。图6的(a)～图6的(c)是与图4的(a)～图4的(c)对应的图。温度调整部60B与温度调整部60在以下方面不同。即，在温度调整部60B中，使用与第二温度调整部62平行地配置的第三温度调整部63在晶圆W的表面形成有温度梯度，以取代使用设置于晶圆W的背面侧的第一温度调整部61。即，不使用第一温度调整部61。
在温度调整部60B中，第三温度调整部63也能够与第二温度调整部62同样地设为沿横向(水平方向)延伸的线型的热源或冷却源。在温度调整部60B中，将第二温度调整部62设为热源，将第三温度调整部63设为冷却源。而且，如图6的(a)和图6的(b)所示，配置为第二温度调整部62与第三温度调整部63以隔着IPA液膜L的边缘部分La平行的方式延伸，且第三温度调整部63处于IPA液膜L侧。
其结果是，如图6的(c)所示，在第二温度调整部62与第三温度调整部63之间形成干燥对象区域A1。在IPA液膜L侧配置作为冷却源的第三温度调整部63，因此在干燥对象区域A1中以存在IPA液膜L的一侧的温度低、不存在IPA液膜L的一侧(露出晶圆W的一侧)的温度高的方式形成有温度梯度。因而，IPA液膜L的边缘部分La向第三温度调整部63侧移动。
此时，当如图6的(b)所示的那样使第二温度调整部62和第三温度调整部63与边缘部分La的移动相对应地向箭头S方向移动时，干燥对象区域A1从图6的(c)所示的位置向箭头S方向移动。通过使第二温度调整部62和第三温度调整部63与IPA液膜L的聚集速度(IPA液膜L的边缘部分La的移动速度)相对应地移动，能够通过边缘部分La处的马兰各尼对流进行IPA液膜L的聚集。由此，能够使晶圆W的表面上的IPA向箭头S方向移动。因而，能够在沿着箭头S方向的下游侧的晶圆W的端部Wa将IPA从晶圆W的表面排出。
像这样，即使在将两个线型的温度调整部即第二温度调整部62和第三温度调整部63进行组合来形成温度调整部60B的情况下，也能够针对晶圆W表面的温度设置梯度。因而，可以设为利用该温度梯度来控制IPA液膜L的移动和排出的结构。在设为这样的结构的情况下，也能够降低图案损坏的发生率。
<第二实施方式>
接着，对温度调整部的第二实施方式进行说明。在第一实施方式中，说明了利用通过晶圆W表面的温度梯度产生的IPA的马兰各尼对流来促进IPA液膜L朝向一个方向(例如图4的(b)所示的箭头S方向)移动的情况。因此，在第一实施方式中，从晶圆W的一个端部(例如图4的(b)所示的端部Wa)排出IPA。与此相对地，在第二实施方式中，对利用通过晶圆W表面的温度梯度产生的IPA的马兰各尼对流来促进IPA液膜L从晶圆W的中心朝向外周侧移动的情况进行说明。IPA液膜L的移动方向不同，呈从中心朝向外周的方向，因此IPA从晶圆W的外周的任意部位排出。
此外，在晶圆W的表面形成温度梯度这一点与第一实施方式相同。即，在IPA液膜L的端部附近，以存在IPA液膜L的一侧的温度低、不存在IPA液膜L的一侧(露出晶圆W的一侧)的温度高的方式形成温度梯度，在IPA液膜L的边缘部分La产生马兰各尼对流。
图7的(a)～图7的(c)和图8的(a)～图8的(c)是表示第二实施方式所涉及的温度调整部70的图。图7的(a)～图7的(c)和图8的(a)～图8的(c)是分别与图4的(a)～图4的(c)对应的图。
温度调整部70具有设置于晶圆W的背面侧的第一温度调整部71和设置于晶圆W的表面侧的第二温度调整部72。
第一温度调整部71具有与温度调整部60的第一温度调整部61相同的结构。即，第一温度调整部71设置于晶圆W的背面侧来对晶圆W整体进行温度控制。此外，第一温度调整部71也可以构成为：划分为多个区域，以每个分区为单位进行独立的温度控制，即进行所谓的多通道控制，由此使晶圆W的表面温度具有规定的梯度。
第二温度调整部72是以在晶圆W的包括中心的区域中与表面相距规定的距离的方式设置的点型的热源(还参照图7的(a))。第二温度调整部72对晶圆W的表面中的包括中心的区域进行加热。能够使用激光或灯来作为第二温度调整部72。但是，第二温度调整部72的结构不限定于此。由第二温度调整部72进行加热的“晶圆W的表面的包括中心的区域”是包含晶圆W的中心并且直径比晶圆W的直径小的区域。晶圆W的表面的包括中心的区域的直径例如能够设为晶圆W的直径的30％以下。
对使用温度调整部70排出IPA的排出处理进行说明。在进行IPA的排出处理之前，以覆盖晶圆W的表面的方式形成有IPA液膜L。在图7的(a)～图7的(c)所示的例子中，第一温度调整部71作为将晶圆W的背面冷却为规定的温度的基板冷却部发挥功能。利用第一温度调整部71将晶圆W的表面冷却为固定温度。
第二温度调整部72作为从晶圆W的表面侧对晶圆W的中央附近进行加热的基板加热部发挥功能。在进行IPA的排出的情况下，如图7的(b)所示，第二温度调整部62配置于晶圆W的中央附近来对晶圆W的中央附近的表面进行加热。
其结果是，如图7的(c)所示，晶圆W的表面的包括中心的区域的温度T1比与第二温度调整部72分离的外周侧的温度T2高。因而，在呈温度T1的包含晶圆W的中心的区域与呈温度T2的未处理区域A2之间形成从温度T1向温度T2变化的干燥对象区域A1。当形成该干燥对象区域A1时，在干燥对象区域A1中，IPA液膜L朝向温度低的区域侧进行聚集。此外，在干燥对象区域A1中，将包含晶圆W的中心的区域的温度T1设为中心，随着去向外周侧而温度逐渐降低。
在干燥对象区域A1中，由于IPA液膜L的表面张力的差产生马兰各尼对流。通过由于该马兰各尼对流产生的力，IPA液膜L的边缘部分La(内周缘)向低温侧、即晶圆W的外周侧移动。
当IPA液膜L进行聚集时，如图8的(a)和图8的(b)所示，IPA液膜L的边缘部分La逐渐向外周侧移动。另一方面，当继续利用第一温度调整部71对晶圆W进行冷却并且利用第二温度调整部72对包含晶圆W的中心的区域进行加热时，IPA液膜L已被去除的(即干燥的)包含晶圆W的中心的区域的表面温度固定为温度T1。另一方面，外周侧的残留有IPA液膜L的区域维持为温度T2的状态。其结果是，如图8的(c)所示，在IPA液膜L的边缘部分La附近、即IPA液膜L的膜厚度变化的区域形成环状的干燥对象区域A1。因此，在IPA液膜L的边缘部分La附近形成马兰各尼对流，并且边缘部分La向晶圆W的外周侧移动。另外，伴随边缘部分La的移动，干燥对象区域A1也向外周侧移动。像这样，通过使通过马兰各尼对流产生的IPA液膜L的边缘部分La的移动继续，能够在晶圆W的外周将IPA从晶圆W的表面排出。
像这样，在使用了温度调整部70的情况下，也能够利用晶圆W表面的温度控制来形成干燥对象区域A1。即，在IPA液膜L的边缘部分La附近以存在IPA液膜L的一侧的温度低、不存在IPA液膜L的一侧(露出晶圆W的一侧)的温度高的方式形成温度梯度。由此，使IPA液膜L的边缘部分La产生马兰各尼对流。其结果是，能够使IPA向晶圆W的表面温度为低温的一侧聚集，并且从晶圆W表面排出IPA。因而，能够防止在从晶圆W表面去除IPA时晶圆W表面发生图案损坏等。
此外，在温度调整部70中，可以使第二温度调整部72对包含晶圆W的中心的区域的加热温度随着IPA液膜L的边缘部分La向外周移动而逐渐变化。即，能够使通过第二温度调整部72得到的加热温度变化，以使晶圆W的形成边缘部分La的区域的表面温度成为容易使IPA液膜形成马兰各尼对流的温度范围。在该情况下，认为包含晶圆W的中心的区域的表面温度比温度T1高，但只要是晶圆W不受到影响的范围即可，能够适当地变更晶圆W的表面温度。
<第三变形例>
接着，对温度调整部70的变形例进行说明。如上述那样，当在IPA液膜L的边缘部分La附近以存在IPA液膜L的一侧的温度低、不存在IPA液膜L的一侧(露出晶圆W的一侧)的温度高的方式形成温度梯度时，在IPA液膜L的边缘部分La产生马兰各尼对流。通过产生该马兰各尼对流，IPA液膜L利用表面张力以不会形成边界层的方式聚集。因而，只要能够在晶圆W的表面形成如上述那样的温度梯度即可，能够适当地变更温度调整部70的结构。
图9的(a)～图9的(c)和图10的(a)～图10的(c)是表示第三变形例所涉及的温度调整部70A。图9的(a)～图9的(c)和图10的(a)～图10的(c)是分别与图4的(a)～图4的(c)对应的图。
温度调整部70A与温度调整部70在以下方面不同。即，在温度调整部70A中，设置于晶圆W的背面侧的第一温度调整部71使加热温度根据位置而变化，由此在晶圆W的表面形成温度梯度。即，不使用第二温度调整部72。
在图9的(b)中，用渐变来表示第一温度调整部71针对每个位置的加热温度。即，利用第一温度调整部71来控制加热温度，以使晶圆W的中央附近处的加热温度高，并且随着去向外周侧而加热温度逐渐变低。其结果是，如图9的(c)所示，晶圆W的表面温度呈从晶圆W中央附近朝向外周的温度梯度。即，在晶圆W整面形成温度梯度。换言之，在图9所示的例子中，在干燥对象区域A1和未处理区域A2均形成有温度梯度。
温度调整部70A具有能够对晶圆W表面吹送气体的气体喷射部73，以取代第二温度调整部72。气体喷射部73例如对晶圆W表面吹送氮等气体。通过喷射气体，能够在晶圆W的中央附近的IPA液膜L设置开口。
对使用温度调整部70A排出IPA的排出处理进行说明。在进行IPA的排出处理之前，以覆盖晶圆W的表面的方式形成有IPA液膜L。如上述那样，通过第一温度调整部71，晶圆W的表面温度随着从中央附近去向外周侧而逐渐变低。
在此，利用气体喷射部73在晶圆W的中央附近形成IPA液膜L的开口，从而使晶圆W的中央附近露出。即，进行晶圆W的中央附近处的IPA液膜L的干燥处理。因此，晶圆W的中央附近的区域成为干燥对象区域A1，干燥对象区域A1的外周侧的区域成为未处理区域A2。由此，在晶圆W中央形成IPA液膜L的边缘部分La(内周缘)。当形成IPA液膜L的边缘部分La时，利用形成于晶圆W整面的温度梯度，使IPA液膜L朝向温度低的区域侧进行聚集。如上述那样，在干燥对象区域A1中，由于IPA液膜L的表面张力的差产生马兰各尼对流，由此IPA液膜L的边缘部分La向低温侧、即晶圆W的外周侧移动。
当IPA液膜L进行聚集时，如图10的(a)和图10的(b)所示，IPA液膜L的边缘部分La逐渐向外周侧移动。当继续利用第一温度调整部71对晶圆W进行加热时，IPA液膜L已被去除的(即干燥的)晶圆W中央附近的表面温度固定为规定的温度。另一方面，如图10的(c)所示，外周侧的残留有IPA液膜L的区域为残留温度梯度的状态。因此，在IPA液膜L的边缘部分La附近形成马兰各尼对流，并且边缘部分La向晶圆W的外周侧移动。即，伴随边缘部分La的移动，环状的干燥对象区域A1向外周侧移动。像这样，通过使通过马兰各尼对流产生的IPA液膜L的边缘部分La的移动继续，能够在晶圆W的外周将IPA从晶圆W的表面排出。
像这样，在使用了温度调整部70A的情况下，也能够利用晶圆W表面的温度控制来形成干燥对象区域A1。即，在IPA液膜L的边缘部分La附近以存在IPA液膜L的一侧的温度低、不存在IPA液膜L的一侧(露出晶圆W的一侧)的温度高的方式形成温度梯度。由此，使IPA液膜L的边缘部分La产生马兰各尼对流。其结果是，能够使IPA向晶圆W的表面温度为低温的一侧聚集，并且从晶圆W表面排出IPA。因而，能够防止在从晶圆W表面去除IPA时的晶圆W表面发生图案损坏等。
此外，在温度调整部70A中，可以使通过第一温度调整部71得到的加热温度随着IPA液膜L的边缘部分La向外周移动而逐渐变化。即，能够使通过第一温度调整部71得到的加热温度变化，以使晶圆W的形成边缘部分La的区域的表面温度成为容易使IPA液膜形成马兰各尼对流的温度范围。
另外，在温度调整部70A中，利用第一温度调整部71来控制加热温度，以使晶圆W的中央附近处的加热温度高，并且随着去向外周侧而加热温度逐渐变低。但是，只要能够在形成IPA液膜L的边缘部分La的区域中形成干燥对象区域A1即可，不特别限定利用第一温度调整部71对晶圆W进行加热的方法。例如，即使在设为不将第一温度调整部71配置为与晶圆W整面对应的形状、将该第一温度调整部71仅配置于晶圆W的中央附近的结构的情况下，也能够通过控制加热温度来在晶圆W的表面形成环状的干燥对象区域A1。因而，能够利用干燥对象区域A1来控制IPA液膜L的边缘部分La处的马兰各尼对流的形成以及IPA液膜L的移动。
[其它]
应该认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示，而非限制性的。上述的实施方式可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的范围内以各种方式进行省略、置换、变更。
例如，在上述实施方式中，对干燥液为IPA的情况进行了说明，但干燥液不限定为IPA。
另外，虽然通过上述的实施方式和变形例进行了说明，但能够适当地变更作为基板加热部或基板冷却部发挥功能的温度调整部的结构和配置。例如，在上述实施方式中，说明了对晶圆W整面进行冷却的第一温度调整部61、71设置于晶圆W的背面侧(保持部31侧)的情况，但也可以设置于晶圆W的表面侧。
在从上方观察时，不仅使晶圆W的表面的不同的区域(干燥对象区域A1和未处理区域A2)产生温度差，也可以使IPA液膜L在上下方向(IPA液膜L的高度方向)上产生温度差。例如如图11和图12所示，温度调整部60可以包括配置于晶圆W的背面侧的第一温度调整部61和配置于晶圆W的表面侧的第四温度调整部64(低温构件)。第四温度调整部64构成为在晶圆W的上方沿晶圆W的表面移动。第四温度调整部64可以设定为比对晶圆W进行加热的第一温度调整部61的温度低的温度。即，第四温度调整部64可以设定为比由第一温度调整部61加热后的晶圆W的温度低的温度。由此，在IPA液膜L中的与第四温度调整部64接触的上部以及IPA液膜L中的与晶圆W接触的下部之间产生温度差，作用于该上部的表面张力相对变大(马兰各尼现象)。因此，IPA液膜L被拉向第四温度调整部64。因而，控制部18控制第四温度调整部64的动作，以使第四温度调整部64沿晶圆W的表面移动(参照图11和图12的箭头S)，由此IPA液膜L也随着第四温度调整部64沿晶圆W的表面移动。其结果是，控制部18能够适当地控制第四温度调整部64的移动方向和移动速度，并且能够以期望的路径和速度将IPA从晶圆W的表面排出。
如图11所示，第四温度调整部64呈网状。在该情况下，如图11的(b)所示，由于毛细管现象，IPA被吸附于网眼的空间内。因此，IPA液膜L容易随着第四温度调整部64移动，因此能够更有效地从晶圆W的表面排出IPA。
如图12的(a)所示，第四温度调整部64可以由一个或多个棒状体构成。棒状体可以呈直线状，也可以呈曲线状，还可以呈蜿蜒形状。也可以是，在第四温度调整部64由多个棒状体构成的情况下，该多个棒状体以大致平行的方式排列，并且沿该排列的方向移动。在第四温度调整部64由多个棒状体构成的情况下也是，由于毛细管现象，IPA被吸附于网眼的空间内。因此，IPA液膜L容易随着第四温度调整部64移动，因此能够更有效地从晶圆W的表面排出IPA。
如图12的(b)所示，第四温度调整部64可以由板状体构成。板状体可以呈平板状，也可以呈与晶圆W相同的形状。板状体中的与晶圆W的表面相向的下表面可以呈凹凸状。在板状体的下表面呈凹凸状的情况下也是，由于毛细管现象，IPA被吸附于网眼的空间内。因此，IPA液膜L容易随着第四温度调整部64移动，因此能够更有效地将IPA从晶圆W的表面排出。
虽未图示，但第四温度调整部64可以呈环状等上述以外的其它形状。第四温度调整部64可以在晶圆W的上方线性地移动，也可以通过绕规定的铅垂轴旋转来在晶圆W的上方转动。
形成于晶圆W的表面的多个图案W1可以沿规定方向规则地排列。例如如图13所示，也可以是，在从上方观察时多个图案W1均呈大致长方体形状的情况下，多个图案W1均沿规定方向(图13的左右方向)延伸。在该情况下，也可以是，在晶圆W的表面形成温度梯度，以使干燥对象区域A1沿图案W1的形状向未处理区域A2移动。例如，在温度调整部60包括上述的第一实施方式的第一温度调整部61和第二温度调整部62的情况下，第二温度调整部62可以沿图案W1的形状移动，也可以沿图案W1的长边方向移动，还可以沿图案W1的短边方向移动。当IPA沿图案W1的形状移动时，IPA的排出不易被图案W1阻碍。因此，即使在晶圆W的表面形成有图案W1，IPA的移动也是顺畅的，能够防止在从晶圆W的表面排出IPA时图案W1发生破损。
为了在晶圆W的表面形成温度梯度以使干燥对象区域A1沿图案W1的形状向未处理区域A2移动，基板处理装置10还可以包括以获取图案W1的形状的方式构成的获取单元。该获取单元可以包括摄像部和处理部，该摄像部构成为拍摄晶圆W的表面，该处理部构成为对由摄像部拍摄到的晶圆W的表面的摄像图像进行图像处理来决定图案W1的形状。当在晶圆W形成有切口部且相对于该切口部预先决定了图案W1的方向性的情况下，该获取单元可以构成为获取该切口部的位置。切口部例如可以是槽口(U字形、V字形等的槽)，也可以是直线状地延伸的直线部(所谓的定位平面)。例如，控制部18可以构成为基于由获取单元获取到的图案W1的形状来决定从晶圆W的表面排出IPA的排出方向。在该情况下，以使IPA液膜L沿决定出的排出方向从干燥对象区域A1向未处理区域A2移动的方式在晶圆W的表面形成温度梯度。因此，能够根据图案W1的形状自动地决定IPA的排出方向。
基板处理装置10还可以包括围绕构件，所述围绕构件构成为通过以接近晶圆W的周围的方式配置来包围晶圆W。围绕构件的上表面可以位于与晶圆W的表面大致同等的高度位置处，且沿水平方向延伸。围绕构件的上表面可以是随着从位于与晶圆W的表面大致同等的高度位置处的内周缘去向外周缘而向下方倾斜的倾斜面。围绕构件可以设定为比晶圆W的温度低的温度。基板处理装置10还可以包括气体供给部，所述气体供给部构成为朝向围绕构件的上表面吹送被设定为比晶圆W的温度低的温度的气体。
在上述的任意的例子中都是，可以使晶圆W沿IPA的移动方向(干燥对象区域A1的移动方向)倾斜以促进IPA的移动。
[例示]
例1：在一个例示性的实施方式中，基板处理装置包括：基板保持部，其保持基板；干燥液供给部，其对被基板保持部保持的基板的表面供给干燥液；温度调整部，其使基板的表面温度变化；以及控制部，其控制温度调整部。控制部控制温度调整部，以使被供给至基板的表面的干燥液的液膜产生温度差。如上述那样，当在被供给至基板的表面的干燥液的液膜产生温度差时，在液膜中的产生了温度差的区域中引起马兰各尼对流，通过马兰各尼对流而干燥液移动。因而，能够利用该干燥液的移动从基板表面排出干燥液。通过设为这样的结构，相比于利用外力将干燥液从基板表面排出的情况，能够减小基板表面的图案所受的影响，从而能够防止在从基板表面去除干燥液时发生图案破损。
例2：在例1的装置中，基板的表面包括作为进行干燥处理的对象的干燥对象区域和未进行干燥处理的未处理区域，控制部可以控制温度调整部，以使干燥对象区域与未处理区域之间产生温度差。在该情况下，在液膜中的干燥对象区域与未处理区域之间的区域产生马兰各尼对流，通过马兰各尼对流而干燥液移动。因此，能够利用该干燥液的移动来从基板表面排出干燥液。
例3：在例2的装置中，温度调整部包括对基板进行冷却的基板冷却部和对基板进行加热的基板加热部，基板加热部可以设为通过使线状的热源沿基板的表面移动来变更基板的表面中的加热位置的方式。通过使用使线状的热源沿基板的表面移动的基板加热部，能够精细地控制产生马兰各尼对流的区域，能够适当地进行干燥液的去除。
例4：在例2或例3的装置中，温度调整部包括对基板进行冷却的基板冷却部和对基板进行加热的基板加热部，基板冷却部可以设为对基板的整面进行冷却的方式。在设为利用基板冷却部对基板的整面进行冷却的结构的情况下，能够在将基板整体维持为规定的温度的状态下使用基板加热部在产生马兰各尼对流的区域形成温度梯度，因此能够适当地进行干燥液的去除。
例5：在例3的装置中，基板冷却部可以设为使线状的冷却源以沿基板的表面与基板加热部并行的方式对基板进行冷却的方式。在设为上述的方式的情况下，能够将基板冷却部与基板冷却部进行组合来在产生马兰各尼对流的期望的区域中形成温度梯度，因此能够适当地进行干燥液的去除。
例6：在例2～例5中的任意的装置中，控制部可以设为以下方式：通过控制温度调整部来在基板的表面形成温度梯度，以使液膜从干燥对象区域向未处理区域移动。通过在基板的表面形成温度梯度以使液膜从干燥对象区域向此外的区域移动，由于形成于基板表面的温度梯度引起的干燥液的移动变得顺畅，能够防止自基板表面去除干燥液时的图案破损。
例7：在例6的装置中，可以在基板的表面形成有规定形状的图案，控制部通过控制温度调整部来在基板的表面形成温度梯度，以使液膜沿图案的形状从干燥对象区域向未处理区域移动。在该情况下，干燥液沿图案的形状移动，因此干燥液的排出不易被图案阻碍。因此，即使在基板的表面形成有图案，干燥液的移动也变得顺畅，能够防止从基板表面排出干燥液时的图案破损。
例8：在例2的装置中，可以设为以下方式：温度调整部包括对基板的表面的一部分进行加热的基板加热部，控制部使加热部的加热量伴随在基板的表面形成温度梯度的时间的经过而增大。通过使用这样的基板加热部，能够在产生马兰各尼对流的期望的区域形成温度梯度，因此能够适当地进行干燥液的去除。
例9：在例1的装置中，温度调整部可以包括低温构件，该低温构件的温度被设定为比基板低的温度，控制部控制温度调整部，以在低温构件与液膜接触的状态下使低温构件在基板的上方沿基板的表面移动。在该情况下，液膜中的与低温构件接触的部分的温度变得比液膜中的与基板接触的部分的温度低，表面张力相对变大(马兰各尼现象)。因此，液膜被拉向低温构件。因而，通过使低温构件沿基板的表面移动，液膜也随着低温构件沿基板的表面移动。其结果是，能够适当地控制低温构件的移动方向和移动速度，并且以期望的路径和速度将干燥液从基板表面排出。
例10：在例1～例9的任意的装置中，基板保持部可以设为能够使基板倾斜的方式。通过设为能够使基板倾斜的结构，能够促进利用马兰各尼对流进行的干燥液的移动，因此能够加速干燥液的去除的速度。
例11：在例2的装置中，温度调整部可以设为以下方式：包括对基板的整面进行冷却的基板冷却部和对包含基板的中心的区域进行加热的基板加热部。一边利用基板冷却部对基板的整面进行冷却，一边利用基板加热部对包含基板的中心的区域进行加热，由此能够形成从包含基板的中心的区域呈圆环状扩展的温度梯度。因此，能够利用马兰各尼对流使干燥液朝向基板的外周方向移动，由此能够适当地进行干燥液的去除。
例12：在例2的基板处理装置中，温度调整部可以设为包括基板加热部的方式，所述基板加热部形成以下的温度梯度：包含基板的中心的区域的加热温度最高，随着去向外周而加热温度变低。通过利用上述的基板加热部，能够形成从包含基板的中心的区域呈圆环状扩展的温度梯度。因此，能够利用马兰各尼对流使干燥液朝向基板的外周方向移动，从而能够适当地进行干燥液的去除。
例13：在其它的例示性的实施方式中，基板处理方法包括以下工序：对被基板保持部保持的基板的表面供给干燥液；以及通过使干燥液的液膜产生温度差，来将干燥液从基板的表面排出。在该情况下，起到与例1同样的作用效果。
例14：在例13的方法中，也可以是，形成有液膜的基板的表面包括作为进行干燥处理的对象的干燥对象区域和未进行干燥处理的未处理区域，排出干燥液的工序包括：在基板的表面形成温度梯度，以使液膜从干燥对象区域向未处理区域移动。通过设为这样的方式，能够利用温度梯度精细地控制干燥液的液膜的移动，因此能够适当地进行干燥液的去除。
例15：在例14的方法中，也可以是，在基板的表面形成有规定形状的图案，排出干燥液的工序包括：在基板的表面形成温度梯度，以使液膜沿图案的形状从干燥对象区域向未处理区域移动。在该情况下，起到与例7同样的作用效果。
例16：也可以是，例15的方法还包括以下工序：通过获取图案的形状来决定干燥液的排出方向，排出干燥液的工序包括：在基板的表面形成温度梯度，以使液膜沿决定出的排出方向从干燥对象区域向未处理区域移动。在该情况下，能够根据图案的形状自动地设定干燥液的排出方向。
例17：在例14～例16中的任意的方法中，也可以是，排出干燥液的工序包括：通过使加热位置从基板的周缘部的一侧向另一侧移动，来使干燥液的液膜移动。通过设为这样的方式，能够通过使加热位置从基板的周缘部的一侧向另一侧移动来排出干燥液。因而，能够适当地进行干燥液的去除。
例18：在其它例示的实施方式中，也可以是，可由计算机读取的存储介质记录有用于使装置执行例13～例17中的任意的方法的程序。在该情况下，起到与上述的基板处理方法相同的作用效果。在本说明书中，可由计算机读取的存储介质包括非暂时性的有形的介质(non-transitory computer recording medium：非暂时性计算机记录介质)(例如各种主存储装置或辅助存储装置)、传播信号(transitory computer recording medium：暂时性计算机记录介质)(例如能够经由网络提供的数据信号)。

Claims (19)

1.一种基板处理装置，包括：
基板保持部，其保持基板；
干燥液供给部，其对被所述基板保持部保持的所述基板的表面供给干燥液；
温度调整部，其使所述基板的表面温度变化；以及
控制部，其控制所述温度调整部，
其中，所述控制部控制所述温度调整部，以使被供给至所述基板的表面的所述干燥液的液膜产生温度差。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板的表面包括作为进行干燥处理的对象的干燥对象区域和未进行干燥处理的未处理区域，
所述控制部控制所述温度调整部，以使所述干燥对象区域与所述未处理区域之间产生温度差。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调整部包括对所述基板进行冷却的基板冷却部和对所述基板进行加热的基板加热部，
所述基板加热部通过沿着所述基板的表面移动线状的热源来变更所述基板的表面中的加热位置。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调整部包括对所述基板进行冷却的基板冷却部和对所述基板进行加热的基板加热部，
所述基板冷却部对所述基板的整面进行冷却。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调整部包括对所述基板进行冷却的基板冷却部和对所述基板进行加热的基板加热部，
所述基板冷却部对所述基板的整面进行冷却。
6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板冷却部使线状的冷却源以沿基板的表面与基板加热部并行的方式对基板进行冷却。
7.根据权利要求2至6中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部通过控制所述温度调整部来在所述基板的表面形成温度梯度，以使所述液膜从所述干燥对象区域向所述未处理区域移动。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述基板的表面形成有规定形状的图案，
所述控制部通过控制所述温度调整部来在所述基板的表面形成温度梯度，以使所述液膜沿所述图案的形状从所述干燥对象区域向所述未处理区域移动。
9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调整部包括对基板的表面的一部分进行加热的基板加热部，所述控制部使所述加热部的加热量伴随在所述基板的表面形成温度梯度的时间的经过而增大。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调整部包括低温构件，该低温构件的温度被设定为比所述基板温度的低，
所述控制部控制所述温度调整部，以在所述低温构件与所述液膜接触的状态下使所述低温构件在所述基板的上方沿所述基板的表面移动。
11.根据权利要求1至6、8至10中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板保持部能够使所述基板倾斜。
12.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调整部包括对所述基板的整面进行冷却的基板冷却部和对包含所述基板的中心的区域进行加热的基板加热部。
13.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述温度调整部包括基板加热部，所述基板加热部能够形成以下的温度梯度：包含所述基板的中心的区域的加热温度最高，随着去向外周而加热温度变低。
14.一种基板处理方法，包括以下工序：
对被基板保持部保持的基板的表面供给干燥液；以及
通过使所述干燥液的液膜产生温度差，来将所述干燥液从所述基板的表面排出。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于，
形成有所述液膜的所述基板的表面包括作为进行干燥处理的对象的干燥对象区域和未进行干燥处理的未处理区域，
排出所述干燥液的工序包括：在所述基板的表面形成温度梯度，以使所述液膜从所述干燥对象区域向所述未处理区域移动。
16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述基板的表面形成有规定形状的图案，
排出所述干燥液的工序包括：在所述基板的表面形成温度梯度，以使所述液膜沿所述图案的形状从所述干燥对象区域向所述未处理区域移动。
17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括以下工序：通过获取所述图案的形状来决定所述干燥液的排出方向，
排出所述干燥液的工序包括：在所述基板的表面形成温度梯度，以使所述液膜沿决定出的所述排出方向从所述干燥对象区域向所述未处理区域移动。
18.根据权利要求15至17中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
排出所述干燥液的工序包括：通过使加热位置从所述基板的周缘部的一侧向另一侧移动，来使所述干燥液的液膜移动。
19.一种可由计算机读取的存储介质，记录有用于使装置执行根据权利要求14至17中的任一项所述的方法的程序。
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