CN111063703B - 阵列基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板及显示装置，该阵列基板的驱动电路层形成有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管，例如P型薄膜晶体管的有源层材料为有机导电高分子材料；基于该结构，通过使用有机导电高分子材料作为第一薄膜晶体管的有源层材料，解决了陈列基板的柔性受制于低温多晶硅材料特性的技术问题，增强了阵列基板的柔性，同时基于有机导电高分子材料的高迁移率，实现了第一薄膜晶体管的高迁移率，减小了显示器件大小，提高了开口率，降低了漏电流。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
以低温多晶硅作为有源层的薄膜晶体管在显示装置领域内所占的比重较大，受制于低温多晶硅的材料特性，使用低温多晶硅薄膜晶体管的阵列基板在有源层区内无法做到柔性。
即陈列基板的柔性受制于低温多晶硅的材料特性。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及显示装置，以缓解现有技术存在的陈列基板的柔性受制于低温多晶硅材料特性的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种阵列基板，其包括：
衬底；
驱动电路层，形成有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；
其中，所述第一薄膜晶体管的有源层材料为有机导电高分子材料。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第一薄膜晶体管的源极、漏极以及所述有源层形成于第一绝缘层的同一侧。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第一薄膜晶体管的栅极形成于所述第一绝缘层的另一侧。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第二薄膜晶体管的有源层包括铟和硒化铟叠层。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第二薄膜晶体管的有源层设置于贯穿第二绝缘层的第一凹槽内。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第二薄膜晶体管的栅极设置于贯穿第二绝缘层的第二凹槽内。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第二薄膜晶体管的栅极和源极、以及所述第一薄膜晶体管的栅极同层设置。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板上还形成有像素电极；所述第二薄膜晶体管的漏极，和所述像素电极同层设置。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述有机导电高分子材料包括三苯胺或者三苯胺衍生物。
本发明实施例提供一种显示装置，其包括：包括上述实施例提供的阵列基板、以及发光单元。
本发明的有益效果为：本发明提供一种阵列基板及显示装置，该阵列基板的驱动电路层形成有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管，例如P型薄膜晶体管的有源层材料为有机导电高分子材料；基于该结构，通过使用有机导电高分子材料作为第一薄膜晶体管的有源层材料，解决了陈列基板的柔性受制于低温多晶硅材料特性的技术问题，增强了阵列基板的柔性，同时基于有机导电高分子材料的高迁移率，实现了第一薄膜晶体管的高迁移率，减小了显示器件大小，提高了开口率，降低了漏电流。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图2至图9为本发明实施例提供的阵列基板的制备示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
针对现有技术存在的陈列基板的柔性受制于低温多晶硅材料特性的技术问题，本发明实施例可以缓解。
在一种实施例中，如图1所示，本发明实施例提供的阵列基板10包括：
衬底；
驱动电路层，形成有第一薄膜晶体管11和第二薄膜晶体管12；
其中，所述第一薄膜晶体管11的有源层111材料为有机导电高分子材料。
在一种实施例中，第一薄膜晶体管11为P型薄膜晶体管，第二薄膜晶体管12为N型薄膜晶体管，此时，阵列基板为复合型半导体器件。
本实施例提供一种阵列基板，该阵列基板的驱动电路层形成有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管，例如P型薄膜晶体管的有源层材料为有机导电高分子材料；基于该结构，通过使用有机导电高分子材料作为第一薄膜晶体管的有源层材料，解决了陈列基板的柔性受制于低温多晶硅材料特性的技术问题，增强了阵列基板的柔性，同时基于有机导电高分子材料的高迁移率，实现了第一薄膜晶体管的高迁移率，减小了显示器件大小，提高了开口率，降低了漏电流。
如图1所示，第一薄膜晶体管11包括源极111、漏极112、栅极113以及有源层114，第二薄膜晶体管12包括源极121、漏极122、栅极123以及有源层124。
在一种实施例中，如图1所示，所述第一薄膜晶体管11的源极111、漏极112以及所述有源层114形成于第一绝缘层M1的同一侧。
在一种实施例中，如图1所示，所述第一薄膜晶体管的栅极113形成于所述第一绝缘层M1的另一侧。
在一种实施例中，所述第一绝缘层M1的材料为有机绝缘材料，或者是多层无机绝缘材料。
在一种实施例中，所述第二薄膜晶体管12的有源层124包括铟和硒化铟叠层等。本实施例利用硒化铟等为首的材料在室温情况下可以展现出超越单晶硅的迁移率的特性，结合具备高迁移率的有机导电高分子材料，如三苯胺等，以实现柔性复合型器件。
在一种实施例中，如图1所示，所述第二薄膜晶体管12的有源层124设置于贯穿第二绝缘层M2的第一凹槽内。本实施例通过绝缘层凹槽设置有源层124，降低了有源层所占用的面板面积，增大了开口率，同时降低了阵列基板的膜层厚度。
在一种实施例中，如图1所示，所述第二薄膜晶体管12的栅极123设置于贯穿第二绝缘层M2的第二凹槽内。
在一种实施例中，所述第二绝缘层M2的材料为有机绝缘材料，或者是多层无机绝缘材料。
在一种实施例中，如图1所示，所述第二薄膜晶体管12的栅极123和源极121、以及所述第一薄膜晶体管11的栅极113同层设置，即通过同一道工艺制备。
在一种实施例中，如图1所示，所述阵列基板上还形成有像素电极13。
在一种实施例中，如图1所示，所述第二薄膜晶体管12的漏极122，和所述像素电极13同层设置。
在一种实施例中，所述有机导电高分子材料包括三苯胺或者三苯胺衍生物。
为了得到图1所示的阵列基板，如图2至图9所示，本发明提供了对应的阵列基板制备方法，该方法包括以下步骤：
步骤a、在衬底基板S上制备像素电极13以及漏极122。
如图2所示，该结构为已沉积有金属层的玻璃基板，并且金属层已经制作出对应的像素电极13及漏极122。
步骤b、制备第二绝缘层M2，并形成第一凹槽和第二凹槽。
如图3所示，在图2所示结构的上方沉积或涂布绝缘层材料形成第二绝缘层M2，并利用光刻技术及蚀刻技术制作出对应凹槽状图形。
步骤c、制备有源层124。
如图4所示，在图3所示结构上，利用物理气相沉积技术，沉积硒化铟及铟组成有源层及表面载流子注入层。利用蚀刻，在基板上留下想要的材料部分，作为有源层124。
步骤d、制备栅极123、栅极113以及源极121。
如图5所示，在图4所示结构上，利用物理气相沉积技术，沉积金属膜层，并利用光刻技术及蚀刻制作出栅极123、栅极113以及源极121。
步骤e、制备第一绝缘层M1。
如图6所示，在图5所示结构的上部覆盖绝缘层M1，并在特定位置光刻过孔。
步骤f、制备源极111、漏极112以及数据线及公共电极等。
如图7所示，在图6所示结构的表面沉积或涂布导电膜层，利用光刻技术蚀刻出源极111、漏极112以及数据线及公共电极等。
步骤g、制备有源层113。
如图8所示，在图7所示结构上，利用溶胶凝胶、水热法、涂布、物理沉积或化学沉积等方法制备一层三苯胺，并利用光刻技术蚀刻出三苯胺器件图案作为有源层113。
步骤h、制备第三绝缘层M3。
如图9所示，在图8所示结构上，利用利用溶胶凝胶、水热法、涂布、物理沉积或化学沉积方法，沉积有机、无机或低介电常数的材料形成第三绝缘层M3，作为封装层、钝化层、缓冲层等。
在一种实施例中，本发明实施例提供的显示装置包括：
阵列基板，如图1所示，所述阵列基板包括驱动电路层，形成有第一薄膜晶体管11和第二薄膜晶体管12；其中，所述第一薄膜晶体管11的有源层111材料为有机导电高分子材料；
发光单元，在所述阵列基板的驱动下发光或者对背光进行控制。
在一种实施例中，显示装置为液晶面板、OLED面板、min-LED面板等。
在一种实施例中，第一薄膜晶体管11为P型薄膜晶体管，第二薄膜晶体管12为N型薄膜晶体管，此时，阵列基板为复合型半导体器件。
本实施例提供一种显示装置，该显示装置的阵列基板中的驱动电路层形成有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管，例如P型薄膜晶体管的有源层材料为有机导电高分子材料；基于该结构，通过使用有机导电高分子材料作为第一薄膜晶体管的有源层材料，解决了陈列基板的柔性受制于低温多晶硅材料特性的技术问题，增强了阵列基板的柔性，同时基于有机导电高分子材料的高迁移率，实现了第一薄膜晶体管的高迁移率，减小了显示器件大小，提高了开口率，降低了漏电流。
如图1所示，第一薄膜晶体管11包括源极111、漏极112、栅极113以及有源层114，第二薄膜晶体管12包括源极121、漏极122、栅极123以及有源层124。
在一种实施例中，如图1所示，所述第一薄膜晶体管11的源极111、漏极112以及所述有源层114形成于第一绝缘层M1的同一侧。
在一种实施例中，如图1所示，所述第一薄膜晶体管的栅极113形成于所述第一绝缘层M1的另一侧。
在一种实施例中，所述第一绝缘层M1的材料为有机绝缘材料，或者是多层无机绝缘材料。
在一种实施例中，所述第二薄膜晶体管12的有源层124包括铟和硒化铟叠层等。本实施例利用硒化铟等为首的材料在室温情况下可以展现出超越单晶硅的迁移率的特性，结合具备高迁移率的有机导电高分子材料，如三苯胺等，以实现柔性复合型器件。
在一种实施例中，如图1所示，所述第二薄膜晶体管12的有源层124设置于贯穿第二绝缘层M2的第一凹槽内。本实施例通过绝缘层凹槽设置有源层124，降低了有源层所占用的面板面积，增大了开口率，同时降低了阵列基板的膜层厚度。
在一种实施例中，如图1所示，所述第二薄膜晶体管12的栅极123设置于贯穿第二绝缘层M2的第二凹槽内。
在一种实施例中，所述第二绝缘层M2的材料为有机绝缘材料，或者是多层无机绝缘材料。
在一种实施例中，如图1所示，所述第二薄膜晶体管12的栅极123和源极121、以及所述第一薄膜晶体管11的栅极113同层设置，即通过同一道工艺制备。
在一种实施例中，如图1所示，所述阵列基板上还形成有像素电极13。
在一种实施例中，如图1所示，所述第二薄膜晶体管12的漏极122，和所述像素电极13同层设置。
在一种实施例中，所述有机导电高分子材料包括三苯胺或者三苯胺衍生物。
根据上述实施例可知：
本发明实施例提供一种阵列基板及显示装置，该阵列基板的驱动电路层形成有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管，例如P型薄膜晶体管的有源层材料为有机导电高分子材料；基于该结构，通过使用有机导电高分子材料作为第一薄膜晶体管的有源层材料，解决了陈列基板的柔性受制于低温多晶硅材料特性的技术问题，增强了阵列基板的柔性，同时基于有机导电高分子材料的高迁移率，实现了第一薄膜晶体管的高迁移率，减小了显示器件大小，提高了开口率，缩小了尺寸以及厚度，降低了漏电流。
以上对本发明实施例所提供的一种阵列基板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (6)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
驱动电路层，形成有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；
其中，所述第一薄膜晶体管的有源层材料为有机导电高分子材料；
所述第二薄膜晶体管的栅极和源极、以及所述第一薄膜晶体管的栅极通过同一道工艺制备；
所述第一薄膜晶体管的源极、漏极以及所述有源层形成于第一绝缘层的同一侧，所述第二薄膜晶体管的有源层设置于贯穿第二绝缘层的第一凹槽内，所述第二薄膜晶体管的栅极设置于贯穿第二绝缘层的第二凹槽内，所述第一绝缘层位于所述第二绝缘层之上。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的栅极形成于所述第一绝缘层的另一侧。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的有源层包括铟和硒化铟叠层。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上还形成有像素电极；所述第二薄膜晶体管的漏极，和所述像素电极同层设置。
5.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有机导电高分子材料包括三苯胺或者三苯胺衍生物。
6.一种显示装置，其特征在于，包括：
阵列基板，包括如权利要求1至5任一项所述的阵列基板；
发光单元。
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