CN111063306A - 一种像素电路及其驱动方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种像素电路及其驱动方法、显示面板，所述像素电路为7T1C的结构，其包括第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、第五晶体管(T5)、第一发光元件(R)以及存储电容(Cst)。本发明的技术效果在于，提供一种像素电路及其驱动方法、显示面板，在提高分辨率的同时，无需减少每个像素电路的空间，从而解决了电路结构复杂、制作工艺复杂的技术问题，有利于提高显示面板的显示效果。

Description

一种像素电路及其驱动方法、显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种像素电路及其驱动方法、显示面板。
背景技术
随着显示面板的发展，人们追求更大屏幕，对高清显示的需求，集成电路及显示行业不断发展和创新。各类高分辨率的显示屏纷纷占据各大终端品牌，AMOLED(Active-matrix organic lightemitting diode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)产品也是其中的一员。
在显示面板的尺寸固定的情况下，随着分辨率的提升，每个像素电路需要的空间就越少，如压缩走线的线宽或者存储电容(Cst)等元器件占用空间等，从而导致电路结构复杂，制作工艺复杂的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种像素电路及其驱动方法、显示面板，以解决现有存在的显示面板的像素电路空间受限，电路结构复杂，制作工艺复杂的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种像素电路，其为7T1C的结构，包括第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、第五晶体管(T5)、第一发光元件(R)以及存储电容(Cst)；所述第一晶体管(T1)的漏极连接所述电源电压(Vdd)，所述第一晶体管(T1)的源极连接所述存储电容(Cst)的第二端，所述第一晶体管(T1)的栅极连接所述第二晶体管(T2)的漏极；所述第二晶体管(T2)的源极连接数据线(Data)，所述第二晶体管(T2)的漏极连接所述存储电容(Cst)的第一端，所述第二晶体管(T2)的栅极连接扫描线(Scan)；所述第三晶体管(T3)的源极连接所述第一晶体管(T1)的源极，所述第三晶体管(T3)的漏极连接感测线(Sense)，所述第三晶体管(T3)的栅极连接所述扫描线(Scan)；所述第五晶体管(T5)的漏极连接所述第三晶体管(T3)的源极，所述第五晶体管(T5)的漏极连接所述第一发光元件(R)的阳极，所述第五晶体管(T5)的栅极连接第一发光数据线(Data R)；所述第一发光元件(R)的阴极连接参考电位(Vss)。
进一步地，所述像素电路还包括第四晶体管(T4)，所述第四晶体管(T4)的源极连接感测线(Sense)，所述第四晶体管(T4)的漏极连接复位线，所述第四晶体管(T4)的栅极连接读取信号线。
进一步地，所述像素电路还包括所述第六晶体管(T6)的漏极连接所述第三晶体管(T3)的源极，所述第六晶体管(T6)的漏极连接所述第二发光元件(G)的阳极，所述第六晶体管(T6)的栅极连接第二发光数据线(Data G)；所述第二发光元件(G)的阴极连接参考电位(Vss)。
进一步地，所述像素电路还包括所述第七晶体管(T7)的漏极连接所述第三晶体管(T3)的源极，所述第七晶体管(T7)的漏极连接所述第三发光元件(B)的阳极，所述第七晶体管(T7)的栅极连接第三发光数据线(Data B)；所述第三发光元件(B)的阴极连接参考电位(Vss)。
进一步地，所述第四晶体管(T4)用以防止所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T6)、所述第七晶体管(T7)的源极电压漏流至所述感测线(Sense)上。
进一步地，所述第一晶体管(T1)用以提供恒定的驱动电流。
一种像素电路驱动方法，包括前文所述的像素电路，包括如下步骤：
在第一阶段，向所述扫描线(Scan)输入高电平信号，所述数据线输入高电平信号，所述读取信号线输入高电平信号，所述第一发光数据线(Data R)输入低电平信号，所述第二发光数据线(Data G)输入低电平信号，所述第三发光数据线(Data B)输入低电平信号，所述第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、第四晶体管(T4)导通，所述存储电容(Cst)充电；
在第二阶段，向所述扫描线(Scan)输入低电平信号，所述数据线(Data)输入低电平信号，所述读取信号线输入高电平信号，所述第一发光数据线(Data R)输入高电平信号，所述第二发光数据线(Data G)输入低电平信号，所述第三发光数据线(Data B)输入低电平信号，所述第四晶体管(T4)、第五晶体管(T5)导通，控制第一发光元件(R)发光，获取所述第五晶体管(T5)的阈值电压；
在第三阶段，向所述扫描线(Scan)输入低电平信号，所述数据线(Data)输入低电平信号，所述读取信号线输入高电平信号，所述第一发光数据线(Data R)输入低电平信号，所述第二发光数据线(Data G)输入高电平信号，所述第三发光数据线(Data B)输入低电平信号，所述第四晶体管(T4)、第六晶体管(T6)导通，控制第二发光元件(G)发光，获取所述第六晶体管(T6)的阈值电压；
在第四阶段，向所述扫描线(Scan)输入低电平信号，所述数据线输入低电平信号，所述读取信号线输入高电平信号，所述第一发光数据线(Data R)输入低电平信号，所述第二发光数据线(Data G)输入低电平信号，所述第三发光数据线(Data B)输入高电平信号，所述第四晶体管(T4)、第七晶体管(T7)导通，控制第三发光元件(B)发光，获取所述第七晶体管(T7)第三阈值电压。
进一步地，所述存储电容(Cst)充电调控所述第一晶体管(T1)的供给电流大小。
进一步地，在所述在第一阶段，利用所述第三晶体管(T3)的打开和关闭，所述感测线(Sense)用以监控所述第一晶体管(T1)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T6)以及所述第七晶体管(T7)的状态。
一种显示面板，包括如前文所述的像素电路。
本发明的技术效果在于提供一种像素电路及其驱动方法、显示面板，在提高分辨率的同时，无需减少每个像素电路的空间，从而解决了电路结构复杂、制作工艺复杂的技术问题，有利于提高显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实施例所述像素电路的电路示意图；
图2为本实施例所述像素电路的的信号时序示意图；
图3为现有技术所述像素电路的电路示意图。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例，用以举例证明本发明可以实施，这些实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，使得本发明的技术内容更加清楚和便于理解。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
本实施例提供一种显示面板，所述显示面板优选为AMOLED面板，其中所述显示面板包括像素电路。
如图1所示，本实施例提供一种像素电路，包括第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、第四晶体管(T4)、第五晶体管(T5)、第六晶体管(T6)、第七晶体管(T7)、第一发光元件(R)以及存储电容(Cst)。
第一晶体管(T1)的漏极连接所述电源电压(Vdd)，第一晶体管(T1)的源极连接存储电容(Cst)的第二端，第一晶体管(T1)的栅极连接第二晶体管(T2)的漏极。其中，第一晶体管(T1)用以提供恒定的驱动电流。
第二晶体管(T2)的源极连接数据线(Data)，第二晶体管(T2)的漏极连接存储电容(Cst)的第一端，第二晶体管(T2)的栅极连接扫描线(Scan)。
第三晶体管(T3)的源极连接所述第一晶体管(T1)的源极，所述第三晶体管(T3)的漏极连接感测线(Sense)，第三晶体管(T3)的栅极连接所述扫描线(Scan)。
第五晶体管(T5)的漏极连接第三晶体管(T3)的源极，第五晶体管(T5)的漏极连接第一发光元件(R)的阳极，第五晶体管(T5)的栅极连接第一发光数据线(Data R)；所述第一发光元件(R)的阴极连接参考电位(Vss)。
第四晶体管(T4)的源极连接感测线(Sense)，第四晶体管(T4)的漏极连接复位线，第四晶体管(T4)的栅极连接读取信号线。
第六晶体管(T6)的漏极连接第三晶体管(T3)的源极，第六晶体管(T6)的漏极连接第二发光元件(G)的阳极，第六晶体管(T6)的栅极连接第二发光数据线(Data G)；所述第二发光元件(G)的阴极连接参考电位(Vss)。
第七晶体管(T7)的漏极连接第三晶体管(T3)的源极，第七晶体管(T7)的漏极连接第三发光元件(B)的阳极，第七晶体管(T7)的栅极连接第三发光数据线(Data B)；第三发光元件(B)的阴极连接参考电位(Vss)。
本实施例中，第四晶体管(T4)用以防止第五晶体管(T5)、第六晶体管(T6)、第七晶体管(T7)的源极电压漏流至所述感测线(Sense)上。例如，当第一发光元件(R)、所述第二发光元件(G)、第三发光元件(B)不工作时，第四晶体管(T4)侦测第五晶体管(T5)、第六晶体管(T6)、第七晶体管(T7)的阈值电压；当第一发光元件(R)、所述第二发光元件(G)、第三发光元件(B)工作时，第四晶体管(T4)不侦测第五晶体管(T5)、第六晶体管(T6)、第七晶体管(T7)的阈值电压。
如图2所示，所述像素电路驱动方法，包括前文所述的像素电路，其包括如下步骤：
在第一阶段TM1，扫描线(Scan)输入高电平信号，所述数据线(Data)输入高电平信号，所述读取信号线输入高电平信号，所述第一发光数据线(Data R)输入低电平信号，所述第二发光数据线(Data G)输入低电平信号，所述第三发光数据线(Data B)输入低电平信号，所述第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、第四晶体管(T4)导通，存储电容(Cst)充电，调控所述第一晶体管(T1)的供给电流大小。在所述第一阶段TM1，利用所述第三晶体管(T3)的打开和关闭，所述感测线(Sense)用以监控所述第一晶体管(T1)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T6)以及所述第七晶体管(T7)的状态。
在第二阶段TM2，向所述扫描线(Scan)输入低电平信号，所述数据线(Data)输入低电平信号，所述读取信号线输入高电平信号，所述第一发光数据线(Data R)输入高电平信号，所述第二发光数据线(Data G)输入低电平信号，所述第三发光数据线(Data B)输入低电平信号，所述第四晶体管(T4)、第五晶体管(T5)导通，控制第一发光元件(R)发光，获取所述第五晶体管(T5)的源极电压，所述第五晶体管(T5)的源极电压为第五晶体管(T5)的阈值电压。
在第三阶段TM3，向所述扫描线(Scan)输入低电平信号，所述数据线(Data)输入低电平信号，所述读取信号线输入高电平信号，所述第一发光数据线(Data R)输入低电平信号，所述第二发光数据线(Data G)输入高电平信号，所述第三发光数据线(Data B)输入低电平信号，所述第四晶体管(T4)、第六晶体管(T6)导通，控制第二发光元件(G)发光，获取第六晶体管(T6)的源极电压为第六晶体管(T6)的阈值电压。
在第四阶段TM4，向所述扫描线(Scan)输入低电平信号，所述数据线(Data)输入低电平信号，所述读取信号线输入高电平信号，所述第一发光数据线(Data R)输入低电平信号，所述第二发光数据线(Data G)输入低电平信号，所述第三发光数据线(Data B)输入高电平信号，所述第四晶体管(T4)、第七晶体管(T7)导通，控制第三发光元件(B)发光，获取第七晶体管(T7)的源极电压为第七晶体管(T7)的阈值电压。
本实施例中，利用第五晶体管(T5)的阈值电压、第六晶体管(T6)的阈值电压、第七晶体管(T7)的阈值电压补偿显示面板显示画面的分布不均的状态。
本实施例提供一种像素电路的驱动方法，向扫描线(Scan)、数据线(Data)以及感测线(Sense)置入高电平，通过第一发光数据线(Data R)、第二发光数据线(Data G)、第三发光数据线(Data B)获取不同的阈值电压，并将阈值电压加到相应的像素中，然后依画面亮度的需求选取不同电压来点亮像素，从而使显示面板具有良好的显示效果。
如图3所示，现有技术中，利用3个薄膜晶体管和一个电容驱动一个OLED发光。若需同时驱动R、G、B三个子像素发光时，则需要利用九个薄膜晶体管和三个电容的像素电路驱动R、G、B三个子像素发光，该电路简称为9T3C像素电路。然而，本实施例提供的像素电路，利用7T-1C像素电路驱动R、G、B三个子像素发光。与现有技术的9T3C像素电路相比，节省了两个薄膜晶体管和两个电容。因此，在一显示面板的尺寸固定的情况下，在提高分辨率的同时，无需减少每个像素电路的空间，从而避免了电路结构复杂、制作工艺复杂的技术问题，有利于提高显示面板的显示效果。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种像素电路，其特征在于，包括：
第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、第五晶体管(T5)、第一发光元件(R)以及存储电容(Cst)；
所述第一晶体管(T1)的漏极连接所述电源电压(Vdd)，所述第一晶体管(T1)的源极连接所述存储电容(Cst)的第二端，所述第一晶体管(T1)的栅极连接所述第二晶体管(T2)的漏极；
所述第二晶体管(T2)的源极连接数据线(Data)，所述第二晶体管(T2)的漏极连接所述存储电容(Cst)的第一端，所述第二晶体管(T2)的栅极连接扫描线(Scan)；
所述第三晶体管(T3)的源极连接所述第一晶体管(T1)的源极，所述第三晶体管(T3)的漏极连接感测线(Sense)，所述第三晶体管(T3)的栅极连接所述扫描线(Scan)；
所述第五晶体管(T5)的漏极连接所述第三晶体管(T3)的源极，所述第五晶体管(T5)的漏极连接所述第一发光元件(R)的阳极，所述第五晶体管(T5)的栅极连接第一发光数据线(Data R)；
所述第一发光元件(R)的阴极连接参考电位(Vss)。
2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，还包括
第四晶体管(T4)，所述第四晶体管(T4)的源极连接感测线(Sense)，所述第四晶体管(T4)的漏极连接复位线，所述第四晶体管(T4)的栅极连接读取信号线。
3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，还包括
所述第六晶体管(T6)的漏极连接所述第三晶体管(T3)的源极，所述第六晶体管(T6)的漏极连接所述第二发光元件(G)的阳极，所述第六晶体管(T6)的栅极连接第二发光数据线(Data G)；
所述第二发光元件(G)的阴极连接参考电位(Vss)。
4.如权利要求3所述的像素电路，其特征在于，还包括
所述第七晶体管(T7)的漏极连接所述第三晶体管(T3)的源极，所述第七晶体管(T7)的漏极连接所述第三发光元件(B)的阳极，所述第七晶体管(T7)的栅极连接第三发光数据线(Data B)；
所述第三发光元件(B)的阴极连接参考电位(Vss)。
5.如权利要求4所述的像素电路，其特征在于，
所述第四晶体管(T4)用以防止所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T6)、所述第七晶体管(T7)的源极电压漏流至所述感测线(Sense)上。
6.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，
所述第一晶体管(T1)用以提供恒定的驱动电流。
7.一种包括如权利要求1-6中任一项所述的像素电路驱动方法，其特征在于，包括如下步骤：
在第一阶段，向所述扫描线(Scan)输入高电平信号，所述数据线(Data)输入高电平信号，所述读取信号线输入高电平信号，所述第一发光数据线(Data R)输入低电平信号，所述第二发光数据线(Data G)输入低电平信号，所述第三发光数据线(Data B)输入低电平信号，所述第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、第四晶体管(T4)导通，所述存储电容(Cst)充电；
在第二阶段，向所述扫描线(Scan)输入低电平信号，所述数据线(Data)输入低电平信号，所述读取信号线输入高电平信号，所述第一发光数据线(Data R)输入高电平信号，所述第二发光数据线(Data G)输入低电平信号，所述第三发光数据线(Data B)输入低电平信号，所述第四晶体管(T4)、第五晶体管(T5)导通，控制第一发光元件(R)发光，获取所述第五晶体管(T5)的阈值电压；
在第三阶段，向所述扫描线(Scan)输入低电平信号，所述数据线(Data)输入低电平信号，所述读取信号线输入高电平信号，所述第一发光数据线(Data R)输入低电平信号，所述第二发光数据线(Data G)输入高电平信号，所述第三发光数据线(Data B)输入低电平信号，所述第四晶体管(T4)、第六晶体管(T6)导通，控制第二发光元件(G)发光，获取所述第六晶体管(T6)的阈值电压；
在第四阶段，向所述扫描线(Scan)输入低电平信号，所述数据线输入低电平信号，所述读取信号线输入高电平信号，所述第一发光数据线(Data R)输入低电平信号，所述第二发光数据线(Data G)输入低电平信号，所述第三发光数据线(Data B)输入高电平信号，所述第四晶体管(T4)、第七晶体管(T7)导通，控制第三发光元件(B)发光，获取所述第七晶体管(T7)的阈值电压。
8.如权利要求7所述的所述的像素电路驱动方法，其特征在于，
所述存储电容(Cst)充电调控所述第一晶体管(T1)的供给电流的大小。
9.如权利要求7所述的所述的像素电路驱动方法，其特征在于，
在所述在第一阶段，利用所述第三晶体管(T3)的打开和关闭，所述感测线(Sense)用以监控所述第一晶体管(T1)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T6)以及所述第七晶体管(T7)的状态。
10.一种显示面板，包括如权利要求1-6中任一项所述的像素电路。
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