CN111009372B - 一种非晶纳米晶磁片制备方法及设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种非晶纳米晶磁片制备方法及设备，属于磁片加工技术领域，包括将包边材料和磁片材料间隔铺粘于承载膜；同时对包边材料和磁片材料同时进行图形化处理，以分别形成包边结构和磁片本体，并在承载膜上加工对折线，包边结构和磁片本体的形状相同，且包边结构的面积大于磁片本体的面积；将承载膜沿对对折线对折，以使包边结构贴合并完全覆盖于磁片本体。相比于现有技术，对磁片材料和包边材料同时进行加工，能够避免在对包边材料进行模切时损伤磁片，提高加工效率。并且将承载膜沿对折线对折，使得包边结构贴合并完全覆盖于磁片本体，能够提高包边结构和磁片本体的贴合精度。
Description
技术领域
本发明涉及磁片加工技术领域，尤其涉及一种非晶纳米晶磁片制备方法及设备。
背景技术
非晶纳米晶磁片作为新型无线充电软磁材料，具有柔性，易加工，厚度薄，导磁率高、损耗低，充电品质因数高等优势，现已广泛应用于无线充电行业，例如手机，可穿戴设备等电子产品。
随着电子产品的体积不断缩小，磁片的设计也越来越精密，为了解决磁片的边缘存在毛刺、颗粒掉落等问题，通常在磁片上贴附一层包边材料，但是在非晶纳米晶磁片的加工过程中，通常是先对磁片进行模切加工，随后将包边材料与磁片贴合，然后再次对包边材料进行模切，容易在对包边材料进行模切时损伤磁片，加工效率较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种非晶纳米晶磁片制备方法及设备，以解决现有技术中存在的在对包边材料进行模切时损伤磁片，加工效率较低的技术问题。
如上构思，本发明所采用的技术方案是：
一种非晶纳米晶磁片制备方法，包括：
将包边材料和磁片材料间隔铺粘于承载膜上，所述包边材料为绝缘膜、散热膜、或金属箔；
同时对包边材料和磁片材料进行图形化处理，以分别形成包边结构和磁片本体，并在所述承载膜上加工对折线，所述包边结构和所述磁片本体的形状相同，且所述包边结构的面积大于所述磁片本体的面积；
将所述承载膜沿所述对折线对折，以使所述包边结构贴合并完全覆盖于所述磁片本体。
进一步地，所述承载膜为PET塑料膜。
为实现上述目的，本发明还提出一种非晶纳米晶磁片制备设备，实施上述所述的非晶纳米晶磁片制备方法。
进一步地，所述非晶纳米晶磁片制备设备包括模切装置，所述模切装置包括分别用于对所述包边材料和所述磁片材料进行图形化处理的第一模具和第二模具，以及用于在所述承载膜上加工形成所述对折线的第三模具。
进一步地，所述非晶纳米晶磁片制备设备包括用于将所述承载膜对折的对折装置，所述对折装置包括依次设置的用于对承载膜进行输送的输料结构、用于对所述承载膜进行对折的对折结构、用于对对折后的承载膜进行辊压的辊压结构以及用于对对折后的承载膜进行卷收的收料结构。
进一步地，所述承载膜沿所述对折线分为第一部分和第二部分，所述对折结构包括：
工作台，沿第一方向水平设置，所述第一部分位于所述工作台上，所述第一方向为所述承载膜的输送方向；
导向组件，沿所述第一方向设置，所述导向组件被配置为将所述第二部分沿所述对折线翻折，以使所述第二部分能够贴合于所述第一部分。
进一步地，所述导向组件包括沿所述第一方向间隔设置的第一导向件和第二导向件，所述第一导向件能够将所述第二部分或沿所述对折线由水平状态导引至竖直状态，所述第二导向件能够将所述第二部分沿所述对折线由竖直状态导引至水平状态。
进一步地，所述第一导向件包括至少两个间隔设置的第一导向结构，每个第一导向结构均包括能够与所述第二部分或第一部分抵接的第一导向轮；
所述第二导向件包括至少两个间隔设置的第二导向结构，每个所述第二导向结构均包括能够与所述第二部分或第一部分抵接的第二导向轮。
进一步地，所述对折结构还包括两个滚筒，两个所述滚筒分别设置于所述工作台在所述第一方向上的两端，其中一个所述滚筒被配置为滚压对折后的所述承载膜，另一个所述滚筒被配置为滚压对折前的所述承载膜。
进一步地，所述对折结构还包括压板，所述压板和所述工作台之间形成供所述第一部分或所述第二部分穿过的通道，所述压板位于两个所述滚筒之间。
本发明的有益效果为：
本发明提出的非晶纳米晶磁片制备方法，通过将包边材料和磁片材料间隔铺粘于承载膜；同时对包边材料和磁片材料同时进行图形化处理，以分别形成包边结构和磁片本体，并在承载膜上加工对折线，包边结构和磁片本体的形状相同，且包边结构的面积大于磁片本体的面积；将承载膜沿对对折线对折，以使包边结构贴合并完全覆盖于磁片本体。相比于现有技术，对磁片材料和包边材料同时进行加工，能够避免在对包边材料进行模切时损伤磁片，提高加工效率。并且将承载膜沿对折线对折，使得包边结构贴合并完全覆盖于磁片本体，能够提高包边结构和磁片本体的贴合精度。
本发明提出的非晶纳米晶磁片制备设备，能够实施上述非晶纳米晶磁片制备方法，能够避免在对包边材料进行模切时损伤磁片，提高加工效率。
附图说明
图1是本发明提供的非晶纳米晶磁片制备方法的流程图；
图2是本发明提供的承载膜对折前的示意图；
图3是本发明提供的对折装置的结构示意图；
图4是本发明提供的对折结构第一视角的结构示意图；
图5是本发明提供的对折结构第二视角的结构示意图。
图中：
1、输料结构；11、放料轴；12、输料辊；2、对折结构；21、工作台；22、导向组件；221、第一导向台；222、第一导向轮；223、第二导向台；224、第二导向轮；23、滚筒；24、压板；3、辊压结构；31、辊压辊；4、收料结构；41、收料轴；5、分离收卷结构；51、收卷轴；
10、承载膜；101、对折线；102、第一部分；103、第二部分；20、包边结构；30、磁片本体。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
如图1所示，本实施例提供一种非晶纳米晶磁片制备方法，该非晶纳米晶磁片制备方法包括如下步骤：
将包边材料和磁片材料间隔铺粘于承载膜10上，包边材料为绝缘膜、散热膜或金属箔；
同时对包边材料和磁片材料进行图形化处理，以分别形成包边结构20和磁片本体30，并在承载膜10上加工对折线101，包边结构20和磁片本体30的形状相同，且包边结构20的面积大于磁片本体30的面积；
将承载膜10沿对折线101对折，以使包边结构20贴合并完全覆盖于磁片本体30。
在非晶纳米晶磁片制备过程中，包边材料和磁片材料一般均为带材，因此可直接将包边材料和磁片材料铺粘于承载膜10上。在本实施例中，承载膜10为PET塑料膜，PET塑料膜具有弱粘形，能够使得包边材料和磁片材料铺粘于承载膜10上，并在该非晶纳米晶磁片加工完成后便于去除。此外，在本实施例中，包边材料为绝缘膜、散热膜或金属箔。其中，当包边材料为绝缘膜时，能够提高该非晶纳米晶磁片的绝缘性能。当包边材料为散热膜时，比如石墨散热膜，能够提高该非晶纳米晶磁片的散热性能。当包边材料为金属箔时，比如铜箔和铝箔，能够提高该非晶纳米晶磁片的抗干扰能力，降低其余结构对该非晶纳米晶磁片的信号干扰、电磁干扰等。
由于将包边材料和磁片材料间隔铺粘于承载膜10上，也就是说包边材料和磁片材料是相互分开的，因此，同时对包边材料和磁片材料进行图形化处理，以分别形成包边结构20和磁片本体30，并在承载膜10上加工对折线101，通过加工对折线101，便于后期承载膜10的对折。
同时由于包边结构20和磁片本体30的形状相同，且包边结构20的面积大于磁片本体30的面积。可以理解的是，当承载膜10沿对折线101对折后，包边结构20是能够将磁片本体30完全覆盖的，从而实现了对磁片本体30的包边效果。
如图2所示，本实施例示例性的给出了包边结构20和磁片本体30均为方形结构的情况，在本实施例中，包边结构20的表面积比磁片本体30表面积大，因此当包边结构20覆盖于磁片本体30上时，磁片本体30的每个边与对应的包边结构20的边之间的距离为0.5mm。当然，在其他实施例中，包边结构20和磁片本体30的形状还可以为多边形、圆形等。
通过上述非晶纳米晶磁片制备方法，将包边材料和磁片材料间隔铺粘于承载膜10；同时对包边材料和磁片材料同时进行图形化处理，以分别形成包边结构20和磁片本体30，并在承载膜10上加工对折线101，包边结构20和磁片本体30的形状相同，且包边结构20的面积大于磁片本体30的面积；将承载膜10沿对对折线101对折，以使包边结构20贴合并完全覆盖于磁片本体30。相比于现有技术，对磁片材料和包边材料同时进行加工，能够避免在对包边材料进行模切时损伤磁片，提高加工效率。并且将承载膜10沿对折线101对折，使得包边结构20贴合并完全覆盖于磁片本体30，能够提高包边结构20和磁片本体30的贴合精度。
如图3和图4所示，本实施例还提供一种非晶纳米晶磁片制备设备，用于实施上述所述的非晶纳米晶磁片制备方法。
该非晶纳米晶磁片制备设备包括模切装置，模切装置包括分别用于对包边材料和磁片材料进行图形化处理的第一模具和第二模具，以及用于在承载膜10上加工形成对折线101的第三模具。
上述第一模具和第二模具分别根据需要加工的包边结构20和磁片本体30的形状进行设置，本实施例不做具体限定，只要能分别实现对包边材料和磁片材料进行图形化处理即可。上述第三模具可以为刀具，刀具能够对承载膜10进行冲切，在承载膜10的厚度方向上，刀具冲切的承载膜10的厚度小于承载膜10本身的厚度，从而形成上述对折线101。当然第三模具还可以为其他结构，只要能在承载膜10上加工形成上述对折线101即可。
非晶纳米晶磁片制备设备还包括对折装置，对折装置包括依次设置的用于对承载膜10进行输送的输料结构1、用于对承载膜10进行对折的对折结构2、用于对对折后的承载膜10进行辊压的辊压结构3以及用于对对折后的承载膜10进行卷收的收料结构4。
其中，上述输料结构1包括放料轴11和两个相对设置的输料辊12，铺粘有包边材料和磁片材料的承载膜10形成的料卷位于放料轴11上。收料结构4包括收料轴41，经过对折结构2对折之后的承载膜10被收料轴41卷收。辊压结构3包括两个相对设置的辊压辊31，两个辊压辊31用于对对折后的承载膜10进行辊压。可以理解的是，在收料轴41的带动下，承载膜10依次通过两个输料辊12、对折结构2和辊压结构3后被收料轴41收卷。
为了便于描述，将承载膜10关于对折线101划分为第一部分102和第二部分103，包边结构20和磁片本体30分别位于第一部分102和第二部分103。如图4所示，上述对折结构2包括工作台21和导向组件22，工作台21沿第一方向水平设置，承载膜10的第一部分102或第二部分103位于工作台21上，第一方向为承载膜10的输送方向，本实施例以第一部分102位于工作台21上为例进行说明。导向组件22沿第一方向设置，导向组件22能够将第二部分103沿对折线101翻折，以使第二部分103能够贴合于第一部分102，即使得包边结构20和磁片本体30能够相贴合。
上述导向组件22包括沿第一方向间隔设置的第一导向件和第二导向件，第一导向件能够将第二部分103沿对折线101由水平状态导引至竖直状态，第二导向件能够将第二部分103沿对折线101由竖直状态导引至水平状态。通过第一导向件和第二导向件，能够将水平输送的承载膜10的第二部分103首先由水平状态变为竖直状态，再由竖直状态变为水平状态，也就是第二部分103沿对折线101翻折。
具体地，第一导向件包括至少两个间隔设置的第一导向结构，第一导向结构包括第一导向台221和设置于第一导向台221上，能够与第二部分103抵接的第一导向轮222，本实施例以设置有两个第一导向结构，每个第一导向台221上设置有两个第一导向轮222为例，可以理解的是，由于要将第二部分103由水平状态导引至竖直状态，位于前方的第一导向台221上的两个第一导向轮222的高度沿承载膜10的输送方向逐渐升高，从而使得第二部分103由水平状态逐渐沿对折线101被向上抬升，并经过位于后方的第一导向台221上的第一导向轮222导引至竖直状态。
第二导向件包括至少两个间隔设置的第二导向结构，第二导向结构包括第二导向台223和设置于第二导向台223上，能够与第二部分103抵接的第二导向轮224。第二导向件与第一导向件的工作原理类似，在此不再赘述。
可选地，对折结构2还包括压板24，压板24和工作台21之间形成供第一部分102穿过的通道。可以理解的是，在对第二部分103进行翻折时，第一部分102位于上述通道内，通过压板24的阻挡，使得第一部分102始终处于水平状态。进一步地，工作台21上设置有真空吸附孔，真空吸附孔能够将第一部分102吸附于工作台21的台面。可以理解的是，承载膜10在收料轴41的带动下是持续运动的，因此真空吸附只是起到稳定第一部分102的作用，而不会对承载膜10的输送产生影响。
可选地，对折结构2还包括两个滚筒23，两个滚筒23分别设置于工作台21在第一方向上的两端，其中一个滚筒23用于滚压对折后的承载膜10，通过滚筒23的滚压使得包边结构20和磁片本体30进行初步贴合。另一个滚筒23用于滚压对折前的承载膜10。上述压板24位于两个滚筒23之间。
本实施例提供的非晶纳米晶磁片制备设备还包括分离收卷结构5，分离收卷结构5配置为将承载膜10与贴附于包边结构20和磁片本体30上的保护膜进行分离，并收卷保护膜。可以理解的是，由于包边材料和磁片材料铺粘于承载膜10上，因此为了避免成卷之后的承载膜10相邻两层之间相互粘连，在承载膜10具有包边结构20和磁片本体30的一侧贴合有保护膜，在承载膜10经过输料辊12输送后，分离收卷结构5将保护膜与承载膜10分离，并对保护膜进行收卷。在本实施例中，上述分离收卷结构5包括收卷轴51，收卷轴51位于输料辊12上方，收卷轴51通过转动将保护膜与承载膜10分离，并对保护膜进行收卷。
以上实施方式只是阐述了本发明的基本原理和特性，本发明不受上述实施方式限制，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还有各种变化和改变，这些变化和改变都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (10)
1.一种非晶纳米晶磁片制备方法，其特征在于，包括：
将包边材料和磁片材料间隔铺粘于承载膜(10)上，所述包边材料为绝缘膜、散热膜、或金属箔；
同时对包边材料和磁片材料进行图形化处理，以分别形成包边结构(20)和磁片本体(30)，并在所述承载膜(10)上加工对折线(101)，所述包边结构(20)和所述磁片本体(30)的形状相同，且所述包边结构(20)的面积大于所述磁片本体(30)的面积；
将所述承载膜(10)沿所述对折线(101)对折，以使所述包边结构(20)贴合并完全覆盖于所述磁片本体(30)。
2.根据权利要求1所述的非晶纳米晶磁片制备方法，其特征在于，所述承载膜(10)为PET塑料膜。
3.一种非晶纳米晶磁片制备设备，其特征在于，实施如权利要求1-2任一项所述的非晶纳米晶磁片制备方法。
4.根据权利要求3所述的非晶纳米晶磁片制备设备，其特征在于，所述非晶纳米晶磁片制备设备包括模切装置，所述模切装置包括分别用于对所述包边材料进行图形化处理的第一模具和用于对所述磁片材料进行图形化处理第二模具，以及用于在所述承载膜(10)上加工形成所述对折线(101)的第三模具。
5.根据权利要求3所述的非晶纳米晶磁片制备设备，其特征在于，所述非晶纳米晶磁片制备设备包括用于将所述承载膜(10)对折的对折装置，所述对折装置包括依次设置的用于对承载膜(10)进行输送的输料结构(1)、用于对所述承载膜(10)进行对折的对折结构(2)、用于对对折后的承载膜(10)进行辊压的辊压结构(3)以及用于对对折后的承载膜(10)进行卷收的收料结构(4)。
6.根据权利要求5所述的非晶纳米晶磁片制备设备，其特征在于，所述承载膜(10)沿所述对折线(101)分为第一部分(102)和第二部分(103)，所述对折结构(2)包括：
工作台(21)，沿第一方向水平设置，所述第一部分(102)位于所述工作台(21)上，所述第一方向为所述承载膜(10)的输送方向；
导向组件(22)，沿所述第一方向设置，所述导向组件(22)被配置为将所述第二部分(103)沿所述对折线(101)翻折，以使所述第二部分(103)能够贴合于所述第一部分(102)。
7.根据权利要求6所述的非晶纳米晶磁片制备设备，其特征在于，所述导向组件(22)包括沿所述第一方向间隔设置的第一导向件和第二导向件，所述第一导向件能够将所述第二部分(103)沿所述对折线(101)由水平状态导引至竖直状态，所述第二导向件能够将所述第二部分(103)沿所述对折线(101)由竖直状态导引至水平状态。
8.根据权利要求7所述的非晶纳米晶磁片制备设备，其特征在于，所述第一导向件包括至少两个间隔设置的第一导向结构，每个第一导向结构均包括能够与所述第二部分(103)抵接的第一导向轮(222)；
所述第二导向件包括至少两个间隔设置的第二导向结构，每个所述第二导向结构均包括能够与所述第二部分(103)抵接的第二导向轮(224)。
9.根据权利要求6所述的非晶纳米晶磁片制备设备，其特征在于，所述对折结构(2)还包括两个滚筒(23)，两个所述滚筒(23)分别设置于所述工作台(21)在所述第一方向上的两端，其中一个所述滚筒(23)被配置为滚压对折后的所述承载膜(10)，另一个所述滚筒(23)被配置为滚压对折前的所述承载膜(10)。
10.根据权利要求9所述的非晶纳米晶磁片制备设备，其特征在于，所述对折结构(2)还包括压板(24)，所述压板(24)和所述工作台(21)之间形成供所述第一部分(102)穿过的通道，所述压板(24)位于两个所述滚筒(23)之间。
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