CN111004020A - 一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及陶瓷材料领域，具体涉及一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法，将纳米级氧化铝粉体与微米级氧化铝粉体按一定比例混合，以醇类为溶剂，添加助剂，球磨混合得到浆料，再将浆料流延成型，静置干燥后得到生料带，生料带经裁剪后再进行等静压成型，得到坯片，最后将坯片烧结，得到所述低温制备高纯氧化铝陶瓷基片。本发明通过不同粒径的氧化铝粉体之间进行级配，使颗粒之间接触点增多，在较低温度下烧结出质地致密、性能良好的Al2O3陶瓷基片，通过复合成型实现基片的高致密度和低气孔率。

Description

一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法
技术领域
本发明涉及陶瓷材料领域，具体涉及一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法。
背景技术
陶瓷材料化学性能稳定、热导率高、介电常数低、耐热冲击性和电绝缘性好、高频特性优异、可靠性高、线膨胀系数与电子元器件非常相近，可用于对热导率和气密性要求较高的场合，是常用的基片材料。已投入使用的陶瓷基片有Al2O3、BeO、Si3N4、SiC和AlN等。其中Al2O3基片价格低，强度、硬度、化学稳定性和耐热冲击性能高，绝缘性和与金属附着性良好，是目前综合性能较好、应用最成熟的陶瓷材料，市场份额占比最高，但流延料浆中的大量功能助剂极易导致坯体结构疏松化，弱化后期烧结效果，同时高纯氧化铝陶瓷在烧结过程中需要的温度非常高(＞1800℃)，造成能耗大，生产成本高。高的烧结温度也促使晶粒长大、气孔难以排除，导致陶瓷的气密性变差、力学性能降低，难以达到技术要求。
发明内容
基于上述技术背景，本发明提供了一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法，通过不同粒径的氧化铝粉体之间进行级配，使颗粒之间接触点增多，在较低温度下烧结出质地致密、性能良好的Al2O3陶瓷基片，通过复合成型实现基片的高致密度和低气孔率。
本发明是通过以下技术方案实现的：
一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法，将纳米级氧化铝粉体与微米级氧化铝粉体按一定比例混合，以醇类为溶剂，添加助剂，球磨混合得到浆料，再将浆料流延成型，静置干燥后得到生料带，生料带经裁剪后再进行等静压成型，得到坯片，最后将坯片烧结，得到所述低温制备高纯氧化铝陶瓷基片；
其中，所述纳米级氧化铝粉体的粒径为100-300nm，所述微米级氧化铝粉体的粒径为0.5-50μm，优选为两种粒径的微米级氧化铝粉体，一种是粒径为 0.5-0.8μm的微米级氧化铝粉体，一种是粒径为0.8-5μm的微米级氧化铝粉体；
其中，氧化铝粉体的混合比例为：纳米级氧化铝粉体的质量百分比为0-10％，粒径为0.5-0.8μm的微米级氧化铝粉体的质量百分比为60-80％，粒径为0.8-5μm 的微米级氧化铝粉体的质量百分比为10-40％；
其中，所述醇类为无水乙醇、异丙醇或正丁醇中的一种；
其中，所述等静压成型的压力为60-120MPa，保压时间10-30min；
其中，所述烧结的终烧温度为1600-1680℃；
其中，所述球磨所使用的研磨球为氧化铝球或氧化锆球。
本发明的有益效果是：(1)烧结温度低，避免了高温度烧结所引起的晶粒长大、气孔难以排除，导致陶瓷的气密性变差、力学性能降低，难以达到技术要求的问题；(2)所制备的高纯氧化铝陶瓷基片致密度高，气孔率低。
具体实施方式
下面是结合实施例对本发明进一步说明。
所有实施例所使用的主要原料规格如下：
纳米级氧化铝粉体：市售，纯度≥99.99％；
微米级氧化铝粉体：市售，纯度≥99.99％；
助剂及添加剂：市售，分析纯。
实施例1
1、分别称取纳米级氧化铝粉体10g，粒径0.5μm氧化铝粉体60g，粒径2 μm氧化铝粉体30g，80ml无水乙醇作为溶剂，氧化铝球作为研磨介质，引入分散剂、粘结剂、增塑剂、添加剂等功能助剂，球磨混合得浆料，待用；
2、成型：将浆料倒入流延成型机中流延，待浆料流延完毕后，静置干燥得到流延生料带；然后将干燥后的流延生料带进行裁剪，置于等静压机中二次成型，成型压力80MPa，保压15min，得到坯片。
3、将成型后坯片置于电阻炉中，进行烧结，终烧温度1600℃，得到氧化铝陶瓷基片。
采用该方法制得的氧化铝陶瓷基片密度3.75g/cm3、气孔率1.10％，抗弯强度325MPa。
实施例2
1、分别称取纳米级氧化铝粉体6g，粒径0.8μm氧化铝粉体72g，粒径5 μm氧化铝粉体22g，70ml无水乙醇作为溶剂，氧化锆球作为研磨介质，引入分散剂、粘结剂、增塑剂、添加剂等功能助剂，球磨混合得浆料，待用；
2、成型：将浆料倒入流延成型机中流延，待浆料流延完毕后，静置干燥得到流延生料带；然后将干燥后的流延生料带进行裁剪，置于等静压机中二次成型，成型压力90MPa，保压15min，得到坯片。
3、将成型后坯片置于电阻炉中，进行烧结，终烧温度1640℃，得到氧化铝陶瓷基片。
采用该方法制得的氧化铝陶瓷基片密度3.76g/cm3、气孔率0.93％，抗弯强度332MPa。
实施例3
1、分别称取粒径0.6μm氧化铝粉体60g，粒径0.8μm氧化铝粉体30g，粒径3.5μm氧化铝粉体10g，60ml无水乙醇作为溶剂，氧化铝球作为研磨介质，引入分散剂、粘结剂、增塑剂、添加剂等功能助剂，球磨混合得浆料，待用；
2、成型：将浆料倒入流延成型机中流延，待浆料流延完毕后，静置干燥得到流延生料带；然后将干燥后的流延生料带进行裁剪，置于等静压机中二次成型，成型压力100MPa，保压10min，得到坯片。
3、将成型后坯片置于电阻炉中，进行烧结，终烧温度1680℃，得到氧化铝陶瓷基片。
采用该方法制得的氧化铝陶瓷基片密度3.78g/cm3、气孔率0.85％，抗弯强度348MPa。
实施例4
1、分别称取纳米级氧化铝粉体10g，粒径0.6μm氧化铝粉体80g，粒径3 μm氧化铝粉体10g，100ml无水乙醇作为溶剂，氧化铝球作为研磨介质，引入分散剂、粘结剂、增塑剂、添加剂等功能助剂，球磨混合得浆料，待用；
2、成型：将浆料倒入流延成型机中流延，待浆料流延完毕后，静置干燥得到流延生料带；然后将干燥后的流延生料带进行裁剪，置于等静压机中二次成型，成型压力60MPa，保压30min，得到坯片。
3、将成型后坯片置于电阻炉中，进行烧结，终烧温度1620℃，得到氧化铝陶瓷基片。
采用该方法制得的氧化铝陶瓷基片密度3.76g/cm3、气孔率0.90％，抗弯强度327MPa.
实施例5
1、分别称取纳米级氧化铝粉体3g，粒径0.5μm氧化铝粉体75g，粒径4 μm氧化铝粉体22g，75ml正丁醇作为溶剂，氧化铝球作为研磨介质，引入分散剂、粘结剂、增塑剂、添加剂等功能助剂，球磨混合得浆料，待用；
2、成型：将浆料倒入流延成型机中流延，待浆料流延完毕后，静置干燥得到流延生料带；然后将干燥后的流延生料带进行裁剪，置于等静压机中二次成型，成型压力120MPa，保压10min，得到坯片。
3、将成型后坯片置于电，阻炉中，进行烧结，终烧温度1660℃，得到氧化铝陶瓷基片。
采用该方法制得的氧化铝陶瓷基片密度3.77g/cm3、气孔率0.90％，抗弯强度333MPa。

Claims (8)

1.一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法，其特征在于，将纳米级氧化铝粉体与微米级氧化铝粉体按一定比例混合，以醇类为溶剂，添加助剂，球磨混合得到浆料，再将浆料流延成型，静置干燥后得到生料带，生料带经裁剪后再进行等静压成型，得到坯片，最后将坯片烧结，得到所述低温制备高纯氧化铝陶瓷基片。
2.根据权利要求1所述一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法，其特征在于，所述纳米级氧化铝粉体的粒径为100-300nm，所述微米级氧化铝粉体的粒径为0.5-50μm。
3.根据权利要求2所述一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法，其特征在于，所述微米级氧化铝粉体包括粒径为0.5-0.8μm的微米级氧化铝粉体和粒径为0.8-5μm的微米级氧化铝粉体。
4.根据权利要求3所述一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法，其特征在于，所述混合比例为：纳米级氧化铝粉体的质量百分比为0-10％，粒径为0.5-0.8μm的微米级氧化铝粉体的质量百分比为60-80％，粒径为0.8-5μm的微米级氧化铝粉体的质量百分比为10-40％。
5.根据权利要求1所述一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法，其特征在于，所述醇类为无水乙醇、异丙醇或正丁醇中的一种。
6.根据权利要求1所述一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法，其特征在于，所述等静压成型的压力为60-120MPa，保压时间10-30min。
7.根据权利要求1所述一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法，其特征在于，所述烧结的终烧温度为1600-1680℃。
8.根据权利要求1所述一种低温制备高纯氧化铝陶瓷基片的方法，其特征在于，所述球磨混合工序中所使用的研磨球为氧化铝球或氧化锆球。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112250426A (zh) * 2020-10-21 2021-01-22 苏州晶瓷超硬材料有限公司 一种高纯氧化铝陶瓷及其制备方法
CN115231903A (zh) * 2022-07-14 2022-10-25 佛山市百瑞新材料技术有限公司 一种大尺寸高纯陶瓷基板的制备工艺
CN116675520A (zh) * 2023-06-12 2023-09-01 陕西宝光陶瓷科技有限公司 一种7-13um粒径煅烧α氧化铝粉体及高密度陶瓷的制备方法
CN117362011A (zh) * 2023-12-04 2024-01-09 基迈克材料科技（苏州）有限公司 一种氧化铝陶瓷的制备方法及其氧化铝陶瓷

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101117284A (zh) * 2007-07-13 2008-02-06 北京中材人工晶体有限公司 一种氧化铝陶瓷及其制备方法
CN105693221A (zh) * 2016-01-15 2016-06-22 汕头大学 一种超薄高纯陶瓷片及其制备工艺
CN105906333A (zh) * 2016-04-19 2016-08-31 汕头大学 一种陶瓷生带及其制备工艺
CN108947504A (zh) * 2018-08-29 2018-12-07 厦门朝瓷科技有限公司 亚微米结构超薄氧化铝陶瓷基片及制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101117284A (zh) * 2007-07-13 2008-02-06 北京中材人工晶体有限公司 一种氧化铝陶瓷及其制备方法
CN105693221A (zh) * 2016-01-15 2016-06-22 汕头大学 一种超薄高纯陶瓷片及其制备工艺
CN105906333A (zh) * 2016-04-19 2016-08-31 汕头大学 一种陶瓷生带及其制备工艺
CN108947504A (zh) * 2018-08-29 2018-12-07 厦门朝瓷科技有限公司 亚微米结构超薄氧化铝陶瓷基片及制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张长森: "《粉体技术及设备》", 31 January 2007, 华东理工大学出版社 *
陈铭: ""Y S z 陶瓷膜流延等静压复合成型新工艺研究"，陈铭，《无机材料学报》，第14卷，第5期，第745-750页", 《无机材料学报》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112250426A (zh) * 2020-10-21 2021-01-22 苏州晶瓷超硬材料有限公司 一种高纯氧化铝陶瓷及其制备方法
CN115231903A (zh) * 2022-07-14 2022-10-25 佛山市百瑞新材料技术有限公司 一种大尺寸高纯陶瓷基板的制备工艺
CN116675520A (zh) * 2023-06-12 2023-09-01 陕西宝光陶瓷科技有限公司 一种7-13um粒径煅烧α氧化铝粉体及高密度陶瓷的制备方法
CN117362011A (zh) * 2023-12-04 2024-01-09 基迈克材料科技（苏州）有限公司 一种氧化铝陶瓷的制备方法及其氧化铝陶瓷

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