CN110981197B - 一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖，所述制备方法包括：制备砖坯；第一次干燥；布施面釉；喷墨印花；布施干粒保护釉；第二次干燥；烧制成型；所述湿法干粒抛晶砖从下至上依次为：砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层；通过控制生产过程参数以及合适的成分及配比的干粒及干粒保护釉，制备性能优良的抛晶砖；本发明能够适用于现有生产设备，无需改造生产线；采用的淋釉工艺，釉层更加均匀，采用钟罩淋釉，调节釉量更加方便，易于回收；所需釉层更薄，仅为干法干粒用量的五分之一，用量更低，烧成周期更短，不仅降低了生产成本低，而且提高了生产效率；同时相较于干法釉层气泡、针孔等缺陷较少，发色更为细腻丰富。

Description

一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖
技术领域
本发明涉及建筑陶瓷砖的技术领域，特别涉及一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖。
背景技术
抛晶砖最大的优点就在于它和其他的抛釉砖相比，有着较强的理化性能。耐磨耐压、耐酸碱以及防滑性都很好，同时由于其高温下烧成玻璃态成分较高，使其具有较高的光泽度，发色细腻，立体感强，展现出晶莹剔透的装饰效果，深受消费者的喜爱。
但目前生产抛晶砖采用的干法一次烧成工艺，(1)由于该工艺采用粗细干粒熔块搭配，为了使干粒表面的干粒能够最大程度的熔平需要，需要在砖面堆积2～5公斤/㎡厚的干粒，才能够在抛光工序将釉面抛平，同时需要在布施完干粒熔块后喷一层保护釉固定干粒层，生产较为复杂；较厚的干粒层使得面釉层和砖坯产生的气泡不容易快速排出，容易出现气泡、针孔、凹釉等缺陷。(2)布施干粒需要在釉线新增干粒布料机等一套设备，需要较大的投入。(3)该工艺由于粗干粒熔块成分较高，为了使釉面尽可能的熔平，烧成温度较高，烧成周期较长，影响生产效率。
可见，现有技术还有待改进和提高。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖，旨在简化现有生产工艺，提高生产效率，降低生产成本。
为了达到上述目的，本发明采取了以下技术方案：
一种湿法干粒抛晶砖的制备方法，包括如下步骤：制备砖坯；第一次干燥；布施面釉；喷墨印花；布施干粒保护釉；第二次干燥；烧制成型。
所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，所述砖坯的粉料颗粒级配为20～100目，粉料的水分控制在6.7％～7.2％；第一次干燥的干燥温度为150～175℃，干燥周期为60～75min。
所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，在第一次干燥之后，布施面釉之前还包括在砖坯上喷水，喷水量为70～90g/m2；控制砖坯温度为80～115℃。
所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，所述面釉的布施量为459～505g/m2；采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉，其布施量为1050～1190g/m2。
所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，所述第二次干燥中，干燥窑的温度为160～180℃，干燥周期为6～8min，出干燥窑的砖坯温度为50～65℃。
所述的湿法干粒抛晶砖的制备方法中，所述烧制温度为1170～1175℃，烧成周期为75～85min。
一种湿法干粒抛晶砖，由湿法干粒抛晶砖的制备方法制得；所述湿法干粒抛晶砖从下至上依次为：砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层；所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得，所述干粒保护釉由干粒、高岭土、悬浮剂和水组成，按重量比计算，由如下成分组成：干粒80～120份、高岭土1.9～2.5份、悬浮剂29～35份、水10～14份；所述悬浮剂为聚甲基硅氧烷。
所述的湿法干粒抛晶砖中，所述干粒按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅40～45份、氧化铝11～16份、氧化钙15～20份、氧化镁10～15份、氧化钾5.5～5.9份、氧化锌4～8份、氧化钡3～4份、三氧化二铋0.05～0.2份、五氧化二钒0.3～0.5份。
所述的湿法干粒抛晶砖中，所述干粒的粒径为90～100目，高岭土的粒径为100～120目。
所述的湿法干粒抛晶砖中，所述面釉层由基料和辅料组成；所述基料按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅45～56份、氧化铝10～15份、氧化钙5～9份、氧化钡3～7份、氧化锌10～13份、氧化钠1～3份、氧化钾2～6份、氧化镁1～3份；所述辅料按基料的重量份100份计算，由如下成分组成：氧化锆20～27份、三聚磷酸钠0.2～0.3份、羧甲基纤维素钠0.1～0.2份、水36～42份。
有益效果：
(1)相对于现有的一次干法干粒抛工艺，本制备方法能够适用于现有生产设备，无需改造生产线。
(2)采用钟罩淋釉工艺，使调节施釉量更加方便，剩余釉料易于回收；淋釉更为均匀。
(3)所述制备方法由于釉层较薄，干粒较细，相比干法抛晶砖工艺烧成温度更低，烧成周期更短；较薄的釉层有利于面釉层和砖坯的气泡快速排出，避免砖面出现气泡、针孔、凹陷等缺陷，提高成品的防污能力。
(4)由于胶水悬浮剂与细干粒混合，釉料流动性好，比干法能够布施的比较均匀，同时布施干粒釉仅需1公斤/㎡左右，用量少，降低了生产成本。
附图说明
图1为本发明提供的一种湿法干粒抛晶砖的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种湿法干粒抛晶砖的制备方法及抛晶砖，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并列举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种湿法干粒抛晶砖的制备方法，包括如下步骤：制备砖坯；第一次干燥；布施面釉；喷墨印花；布施干粒保护釉；第二次干燥；烧制成型。一次烧湿法干粒抛晶砖的制备工艺简单，使砖坯完全玻化；釉与砖坯同时成熟，有利于砖坯与釉的中间层形成，增加产品的强度；热损失少；相对于现有的一次干法干粒抛工艺，所述制备方法能够适用于现有的生产设备，无需增加或改进生产线，可降低生产成本，制得的成品发色色域广，色彩清晰，吸水率低。
进一步的，所述砖坯的粉料颗粒级配为20～100目，防止砖坯在烧制过程中收缩，影响砖的整体品相；粉料的水分控制在6.7～7.2份；第一次干燥的干燥温度为150～175℃，干燥周期为60～75min；严格控制砖坯的水分，保证砖坯的强度，便于输送，使砖坯不容易出现分层。
进一步的，在第一次干燥之后，布施面釉之前还包括在砖坯上喷水；所述喷水量为70～90g/m2；控制喷水量在上述范围，有利于提高砖坯与面釉的结合能力，减少生产缺陷，同时保证面釉效果不易起粉；控制砖坯温度为80～115℃；上述砖坯温度，有利于打开砖坯砖面上的毛细孔，提高吸水率，有利于面釉的渗入，加快施釉的速度且吸釉均匀，釉面平滑。
进一步的，所述面釉的布施量为459～505g/m2；采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉，使施釉效果均匀性更好，保证干粒保护釉的流平性；其布施量为1050～1190g/m2，所述布施量合适，使干粒保护釉层的厚度适中，保证干粒釉能够最大程度的熔平，不会出现缩釉，缺釉现象，在保证效果的同时减少物料的损耗。
进一步的，所述第二次干燥中，干燥窑的温度为160～180℃，干燥周期为6～8min，出干燥窑的砖坯温度为50～65℃；使水分挥发，排除自由水，有利于悬浮剂固化，提高干粒釉层的致密度，排除干粒釉层缝隙的空气，降低釉面的毛孔，溶洞等缺陷。
进一步的，所述烧制温度为1170～1175℃，烧成周期为75～85min；温度过高，瓷砖容易变形，保护釉容易起泡或流釉，影响瓷砖的品相；温度过低，瓷砖的瓷化效果不完全，降低成品的强度；上述烧制温度和烧成时间保证了成品具有足够的机械强度以及较低的吸水率。
请参阅图1，一种湿法干粒抛晶砖，由湿法干粒抛晶砖的制备方法制得；所述抛晶砖从下至上依次为：砖坯层1、面釉层2、印花层3、干粒保护釉层4；所述干粒保护釉层4由干粒保护釉制得，所述干粒保护釉按重量比计算，由如下成分组成：干粒80～120份、高岭土1.9～2.5份、悬浮剂29～35份、水10～14份；所述悬浮剂为聚甲基硅氧烷；聚甲基硅氧烷可增加釉浆体系的悬浮能力，添加高岭土起到进一步提高釉浆体系的悬浮能力，防止釉浆沉淀，同时聚甲基硅氧烷在干燥后具有较强的粘附能力，能够将干粒固定在面釉层上，同时在高温下升华，不会对干粒釉料烧成有影响；上述成分及配比下的干粒保护釉的粘度、分散性、流动性等最为合适，使干粒保护釉能够均匀布施，用量少，使烧制成型后的保护釉层薄；平整度高、光泽度好；表面气泡、针孔、凹陷等缺陷少。
进一步的，所述干粒按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅40～45份、氧化铝11～16份、氧化钙15～20份、氧化镁10～15份、氧化钾5.5～5.9份、氧化锌4～8份、氧化钡3～4份、三氧化二铋0.05～0.2份、五氧化二钒0.3～0.5份。通过上述成分及配比，使干粒的熔融范围宽、粘度合适，有利于提高干粒保护釉的流动性、釉面光泽度，促进保护釉与砖坯的中间层形成，使瓷砖的强度更高。
进一步的，所述干粒的粒径为90～100目；干粒的粒径影响干粒保护釉的流动性，熔融的温度以及熔融后的流平性，进而影响砖面的平整度。粒径过小，干粒保护釉的流动性过大，容易出现流釉，增加施釉的难度；粒径过大，干粒保护釉的流动性差，干粒容易堆积，导致釉浆不能均匀布施，影响熔融后的流平性，容易使砖面不平整。
进一步的，所述面釉层2由基料和辅料组成；所述基料按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅45～56份、氧化铝10～15份、氧化钙5～9份、氧化钡3～7份、氧化锌10～13份、氧化钠1～3份、氧化钾2～6份、氧化镁1～3份；所述辅料按基料的重量份100份计算，由如下成分组成：氧化锆20～27份、三聚磷酸钠0.2～0.3份、羧甲基纤维素钠0.1～0.2份、水36～42份。添加氧化锆对基料进行改性，可提高面釉的韧性、强度和硬度；添加微量的三聚磷酸钠可提高面釉的流动性以及面釉各成分在面釉体系中的分散性，避免各成分分散不均匀，影响各成分的熔融，进而使面釉层不平整；添加微量的羧甲基纤维素钠可调节面釉体系的粘度，改善体系中各成分的分散度，避免各成分沉降；上述各成分及配比最为合适，使所述面釉的粘度、流动性适中，形成的面釉层平整，为后续布施干粒保护釉提供光洁的表面。
综上所述，本发明通过所述釉料和控制生产过程的参数，制备出性能较干法工艺更为优良的抛晶砖，该工艺相比于传统的一次烧干法干粒抛能够适用于现有生产设备，无需改造生产线。同时采用的淋釉工艺，釉层更加均匀，采用钟罩淋釉，调节釉量更加方便，易于回收。同时所需釉层更薄，仅为干法干粒用量的五分之一，用量更低，烧成周期更短，降低了生产成本低，提高了生产效率。同时相较于干法釉层气泡、针孔等缺陷较少，发色更为细腻丰富。
实施例1
一种湿法干粒抛晶砖的制备方法，包括如下步骤：(1)制备砖坯；砖坯的粉料颗粒级配为40～60目，粉料的水分控制在6.9％；(2)第一次干燥；干燥温度为150℃，干燥周期为75min；(3)砖坯上喷水；喷水量为80g/m2；控制砖坯温度为100℃；(4)布施面釉；布施量为505g/m2；(5)喷墨印花；(6)采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉，其布施量为1100g/m2；(7)第二次干燥；干燥窑的温度为180℃，干燥周期为6～8min，出干燥窑的砖坯温度为60℃；(8)烧制成型；烧制温度为1170～1175℃，烧成周期为75min。
一种湿法干粒抛晶砖，从下至上依次为：砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层；所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得，所述干粒保护釉按重量比计算，由如下成分组成：干粒80份、高岭土2.1份、聚甲基硅氧烷29份、水10份。
所述干粒按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅42份、氧化铝12份、氧化钙16.35份、氧化镁15份、氧化钾5.5份、氧化锌5份、氧化钡3.5份、三氧化二铋0.15份、五氧化二钒0.5份。所述干粒的粒径为150～180目。
所述面釉层由基料和辅料组成；所述基料按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅54份、氧化铝12份、氧化钙9份、氧化钡4份、氧化锌12份、氧化钠1份、氧化钾5份、氧化镁3份；所述辅料按基料的重量份100份计算，由如下成分组成：氧化锆20份、三聚磷酸钠0.27份、羧甲基纤维素钠0.14份、水38份。
实施例2
一种湿法干粒抛晶砖的制备方法，包括如下步骤：(1)制备砖坯；砖坯的粉料颗粒级配为60～80目，粉料的水分控制在7.2％；(2)第一次干燥；干燥温度为155℃，干燥周期为60min；(3)砖坯上喷水；喷水量为90g/m2；控制砖坯温度为90℃；(4)布施面釉；布施量为500g/m2；(5)喷墨印花；(6)采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉，其布施量为1050g/m2；(7)第二次干燥；干燥窑的温度为170℃，干燥周期为6～8min，出干燥窑的砖坯温度为50℃；(8)烧制成型；烧制温度为1170～1175℃，烧成周期为80min。
一种湿法干粒抛晶砖，从下至上依次为：砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层；所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得，所述干粒保护釉按重量比计算，由如下成分组成：干粒95份、高岭土2.5份、聚甲基硅氧烷31份、水12份。
所述干粒按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅45份、氧化铝11份、氧化钙20份、氧化镁10份、氧化钾5.6份、氧化锌4份、氧化钡4份、三氧化二铋0.1份、五氧化二钒0.3份。所述干粒的粒径为120～150目。
所述面釉层由基料和辅料组成；所述基料按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅56份、氧化铝13份、氧化钙6份、氧化钡6份、氧化锌10份、氧化钠2份、氧化钾6份、氧化镁1份；所述辅料按基料的重量份100份计算，由如下成分组成：氧化锆23份、三聚磷酸钠0.20份、羧甲基纤维素钠0.20份、水36份。
实施例3
一种湿法干粒抛晶砖的制备方法，包括如下步骤：(1)制备砖坯；砖坯的粉料颗粒级配为20～40目，粉料的水分控制在6.7％；(2)第一次干燥；干燥温度为175℃，干燥周期为65min；(3)砖坯上喷水；喷水量为70g/m2；控制砖坯温度为115℃；(4)布施面釉；布施量为459g/m2；(5)喷墨印花；(6)采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉，其布施量为1150g/m2；(7)第二次干燥；干燥窑的温度为160℃，干燥周期为6～8min，出干燥窑的砖坯温度为65℃；(8)烧制成型；烧制温度为1170～1175℃，烧成周期为85min。
一种湿法干粒抛晶砖，从下至上依次为：砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层；所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得，所述干粒保护釉按重量比计算，由如下成分组成：干粒100份、高岭土2.2份、聚甲基硅氧烷33份、水13份。
所述干粒按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅42份、氧化铝16份、氧化钙15份、氧化镁12份、氧化钾5.8份、氧化锌5.6份、氧化钡3份、三氧化二铋0.2份、五氧化二钒0.4份。所述干粒的粒径为90～120目。
所述面釉层由基料和辅料组成；所述基料按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅50份、氧化铝10份、氧化钙5份、氧化钡7份、氧化锌13份、氧化钠2份、氧化钾4份、氧化镁2份；所述辅料按基料的重量份100份计算，由如下成分组成：氧化锆27份、三聚磷酸钠0.24份、羧甲基纤维素钠0.10份、水40份。
实施例4
一种湿法干粒抛晶砖的制备方法，包括如下步骤：(1)制备砖坯；砖坯的粉料颗粒级配为80～100目，粉料的水分控制在7.0％；(2)第一次干燥；干燥温度为160℃，干燥周期为70min；(3)砖坯上喷水；喷水量为85g/m2；控制砖坯温度为80℃；(4)布施面釉；布施量为480g/m2；(5)喷墨印花；(6)采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉，其布施量为1190g/m2；(7)第二次干燥；干燥窑的温度为175℃，干燥周期为6～8min，出干燥窑的砖坯温度为55℃；(8)烧制成型；烧制温度为1170～1175℃，烧成周期为80min。
一种湿法干粒抛晶砖，从下至上依次为：砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层；所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得，所述干粒保护釉按重量比计算，由如下成分组成：干粒120份、高岭土1.9份、聚甲基硅氧烷35份、水14份。
所述干粒按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅40份、氧化铝13.6份、氧化钙17份、氧化镁12份、氧化钾5.9份、氧化锌8份、氧化钡3份、三氧化二铋0.05份、五氧化二钒0.45份。所述干粒的粒径为180～200目。
所述面釉层由基料和辅料组成；所述基料按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅45份、氧化铝14份、氧化钙7份、氧化钡3份、氧化锌11份、氧化钠3份、氧化钾2份、氧化镁3份；所述辅料按基料的重量份100份计算，由如下成分组成：氧化锆25份、三聚磷酸钠0.30份、羧甲基纤维素钠0.16份、水42份。
上述4个实施例砖面平整，无明显的气泡、针孔等缺陷，用蓝色、红色、黑色墨水涂覆砖面，48h后，用流水冲洗，抹布轻轻擦去，砖面无颜色渗透；光泽度达90°，砖面各处的光泽度差异小于4。
可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (1)

1.一种湿法干粒抛晶砖的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
A.制备砖坯，所述砖坯的粉料颗粒级配为20～100目，粉料的水分控制在6.7％～7.2％；
B.第一次干燥，第一次干燥的干燥温度为150～175℃，干燥周期为60～75min；
C.在砖坯上喷水，喷水量为70～90g/m2；控制砖坯温度为80～115℃；
D.布施面釉，其布施量为459～505g/m2；
E.喷墨印花；
F.采用钟罩淋釉的方式布施干粒保护釉，其布施量为1050～1190g/m2；
G.第二次干燥，干燥窑的温度为160～180℃，干燥周期为6～8min，出干燥窑的砖坯温度为50～65℃；
H.在烧制温度为1170～1175℃，烧成周期为75～85min的条件下烧制，制得湿法干粒抛晶砖；
所述湿法干粒抛晶砖从下至上依次为：砖坯层、面釉层、印花层、干粒保护釉层；所述干粒保护釉层由干粒保护釉制得，所述干粒保护釉按重量比计算，由如下成分组成：干粒80～120份、高岭土1.9～2.5份、悬浮剂29～35份、水10～14份；所述悬浮剂为聚甲基硅氧烷；所述干粒按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅40～45份、氧化铝11～16份、氧化钙15～20份、氧化镁10～15份、氧化钾5.5～5.9份、氧化锌4～8份、氧化钡3～4份、三氧化二铋0.05～0.2份、五氧化二钒0.3～0.5份；所述干粒的粒径为90～200目；所述面釉层由基料和辅料组成；所述基料按重量份计算，由如下成分组成：氧化硅45～56份、氧化铝10～15份、氧化钙5～9份、氧化钡3～7份、氧化锌10～13份、氧化钠1～3份、氧化钾2～6份、氧化镁1～3份；所述辅料按基料的重量份100份计算，由如下成分组成：氧化锆20～27份、三聚磷酸钠0.2～0.3份、羧甲基纤维素钠0.1～0.2份、水36～42份。
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