CN110967046A - 传感器单元、具备传感器单元的传输器、传感器单元的制造方法及该传输器的制造方法 - Google Patents

传感器单元、具备传感器单元的传输器、传感器单元的制造方法及该传输器的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110967046A
CN110967046A CN201910917762.0A CN201910917762A CN110967046A CN 110967046 A CN110967046 A CN 110967046A CN 201910917762 A CN201910917762 A CN 201910917762A CN 110967046 A CN110967046 A CN 110967046A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensor unit
recess
manufacturing
metal coating
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910917762.0A
Other languages
English (en)
Inventor
北村健太郎
鲛岛诚一
浅川菜穂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
Publication of CN110967046A publication Critical patent/CN110967046A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/08—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

在传感器单元形成用于确保稳定的传输线路的金属覆膜。传感器单元具备：主体部，其具有通孔；外部电极，其***设置于所述通孔；凹部，其形成于所述外部电极的端面；金属覆膜，其形成于所述凹部；以及传感器部，其经由所述金属覆膜与所述外部电极电连接。

Description

传感器单元、具备传感器单元的传输器、传感器单元的制造方 法及该传输器的制造方法
技术领域
本发明涉及传感器单元、具备传感器单元的传输器、传感器单元的制造方法、以及具备传感器单元的传输器的制造方法。
背景技术
在车间、工厂等中，构建有一种过程控制***，该过程控制***对在各过程中生成(或者使用)的气体以及液体的状态量(例如压差、压力、温度以及流量)进行控制。在这样的过程控制***设置有用于测定上述状态量的各种传输器。传输器例如包含压差传输器、压力传输器、温度传输器以及流量传输器。
传输器对状态量进行测定，并且将其测定结果传输至外部(例如进行过程控制的控制器等)。因而，在传输器设置有传感器单元(例如，参照日本特开2013－7606号公报)。传感器单元具有对状态量进行测定的传感器部、以及与该传感器部电连接而用于向外部传输测定结果的外部电极。
在上述传感器单元中，为了确保稳定的传输线路，要求在外部电极形成金属覆膜、以及经由该金属覆膜将传感器部和外部电极通过导线键合而电连接。
发明内容
因此，本发明的1个目的在于，在传感器单元形成用于确保稳定的传输线路的金属覆膜。
为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的传感器单元(本传感器单元)具备：主体部，其具有通孔；外部电极，其***设置于所述通孔；凹部，其形成于所述外部电极的端面；金属覆膜，其形成于所述凹部；以及传感器部，其经由所述金属覆膜与所述外部电极电连接。
在本传感器单元中，所述凹部可以具有能够收容在具有希望膜厚的所述金属覆膜的形成中使用的纳米墨水的深度。
在本传感器单元中，所述金属覆膜具有通过多次覆膜形成而形成的层叠构造。
本发明的一个方式所涉及的传输器是具备气密构造的传感器单元的传输器，作为所述传感器单元而具有本传感器单元。
本发明的一个方式所涉及的传感器单元的制造方法(本制造方法)是具备主体部、外部电极以及传感器部的传感器单元的制造方法，该主体部具有通孔，该外部电极***设置于所述通孔，该传感器部与所述外部电极电连接，所述制造方法包含：凹部形成工序，在所述外部电极的端面形成凹部；凹部形成工序，在所述外部电极的端面形成凹部；烧结工序，其对涂敷于所述凹部的所述纳米墨水进行烧结。
在本制造方法中，在所述凹部形成工序中，可以将所述凹部形成为能够收容在具有希望膜厚的所述金属覆膜的形成中使用的纳米墨水的深度。
在本制造方法中，可以通过多次反复进行所述涂敷工序和所述烧结工序，从而在所述凹部形成具有希望膜厚的金属覆膜。
本发明的一个方式所涉及的传输器的制造方法是具备气密构造的传感器单元的传输器的制造方法，所述制造方法包含通过本制造方法制造所述传感器单元。
发明的效果
根据本发明的一个方式所涉及的传感器单元，能够形成用于确保稳定的传输线路的金属覆膜。
附图说明
图1是表示本实施方式所涉及的传感器单元的构造的图。
图2是将本实施方式所涉及的传感器单元中的外部电极的端部(与图1中的II部分相当)放大示出的图。
图3是表示本实施方式所涉及的传感器单元的制造方法的流程图。
图4A是表示本实施方式所涉及的传感器单元的制造过程中的涂敷工序的图。
图4B是表示本实施方式所涉及的传感器单元的制造过程中的脱媒烧结工序的图。
图5A是表示本实施方式所涉及的传感器单元的制造过程中的第一次的涂敷工序的图。
图5B是表示本实施方式所涉及的传感器单元的制造过程中的第一次的脱媒烧结工序的图。
图5C是表示本实施方式所涉及的传感器单元的制造过程中的第二次的涂敷工序的图。
图5D是表示本实施方式所涉及的传感器单元的制造过程中的第二次的脱媒烧结工序的图。
标号的说明
1…传感器单元，2…传输器的框体部，3…电路基板，11…单元主体部，11a…单元主体部的上表面，11b…单元主体部的下表面，12…传感器支撑部件，13…传感器部件，14…金属销，15…玻璃筒，16…金属线，14a…传感器侧端面，17…金属覆膜，17a…纳米墨水，18…盖支撑部件，19…封液盖，20…金属膜屏蔽部件，31…导压路，32…通孔，41…导压路，51…凹部，5a…内壁面，101…第一空间，102…第二空间。
具体实施方式
本实施方式所涉及的传感器单元具有气密构造，例如设置于压差传输器。当然，本发明所涉及的传感器单元并不限定于设置于压差传输器。本发明所涉及的传感器单元例如可以在用于对各种状态量(压力、温度、以及流量等)进行测定的各种传输器(压差传输器、压力传输器、温度传输器、以及流量传输器等)中使用。
首先，参照图1以及图2对本实施方式所涉及的传感器单元的结构进行说明。
如图1所示，在传感器单元1设置有单元主体部11。单元主体部11相对于传输器的框体部件2(参照图1中的双点划线)而气密(或者液密)地安装。
在单元主体部11的一侧(图1中上侧)，经由传感器支撑部件12而设置有能够对状态量进行测定的传感器部件(测定部)13。在传感器支撑部件12和传感器部件13之间，划分出第一空间101。在第一空间101封入有基准流体(例如机油)。被测定流体的压力(低压侧的过程压力)经由形成于单元主体部11的导压路31、以及形成于传感器支撑部件12的导压路41传递至该第一空间101内的基准流体。
另外，在单元主体部11形成有通孔32。通孔32在单元主体部11的一侧(图1中上侧)的端面(上表面)1a、以及另一侧(图1中下侧)的端面(下表面)11b具有开口。金属销(外部电极)14***设置于该通孔32。金属销14通过玻璃筒(封接玻璃)15而封接。此外，单元主体部11以及金属销14由具有与玻璃筒15(封接玻璃)的热膨胀系数大致相等的热膨胀系数的金属(例如，科瓦铁镍钴合金)构成。
金属销14设置为将单元主体部11贯穿。金属销14的一端部(图1中上侧端部)从单元主体部11的上表面1a朝向上侧凸出。金属销14的另一端部(图1中下侧端部)从单元主体部11的下表面11b朝向下侧凸出。而且，金属销14的一端部经由金属线(键合导线)16与传感器部件13电连接。
如图2所示，在金属销14的一端面(传感器侧端面)14a形成有凹部51。在该凹部51内形成有金属覆膜17。而且，金属线16与传感器部件13(参照图1)、以及凹部51内的金属覆膜17连接。即，传感器部件13经由金属线16以及在金属销14的一端部形成的金属覆膜17(参照图2)与该金属销14电连接(导线键合)。
另一方面，金属销14的另一端部与电路基板3(参照图1中的双点划线)电连接。即，在传输器中，传感器部件13经由金属线16、金属覆膜17以及金属销14与电路基板3电连接。基于传感器部件13进行的检测(测定)的结果经由金属线16、金属覆膜17以及金属销14而传输至电路基板3。
当然，在金属销14的另一端部，也可以与上述金属销14的一端部相同地，具有凹部以及金属覆膜。而且，该金属覆膜可以与电路基板3(或者其他电气部件(未图示))电连接。
如图1所示，在单元主体部11的一侧经由盖支撑部件18而设置有封液盖19。在该封液盖19内划分出第二空间102。在第二空间102封入有基准流体(例如机油)。被测定流体的压力(高压侧的过程压力)经由未图示的导压路而传递至该第二空间102内的基准流体。
并且，在单元主体部11的一侧还设置有金属膜屏蔽部件20。通过该金属膜屏蔽部件20保护金属膜屏蔽部件20内的部件(例如传感器部件13、金属线16、以及金属销14)。
在具有上述结构的传感器单元1中，封入有基准流体的第一空间101和封入有基准流体的第二空间102由传感器部件13隔开。而且，被测定流体的压力(低压侧的过程压力)经由未图示的导压路而传递至第一空间101内的基准流体。被测定流体的压力(高压侧的过程压力)经由未图示的导压路而传递至第二空间102内的基准流体。由此，高压侧的过程压力与低压侧的过程压力的差(被测定流体的压差)由传感器部件13进行检测(测定)。
而且，对于具备传感器单元1的传输器(本实施方式中压差传输器)，基于传感器部件13进行的检测(测定)的结果(经由基准流体而测定出的被测定流体的压差)经由金属线16、金属覆膜17以及金属销14而传输至电路基板3。然后，被测定流体的压差从该电路基板3传输至外部(例如，进行过程控制的未图示的控制器)。
下面，参照图1至图5D对本实施方式所涉及的传感器单元的制造方法进行说明。
首先，在玻璃封接工序S1中，向单元主体部11的通孔32***玻璃筒15以及金属销14，对它们进行加热处理。由此，将金属销14相对于单元主体部11通过玻璃筒15(封接玻璃)而进行封接(参照图1以及图3)。
然后，在氧化覆膜去除工序S2中，将在前述玻璃封接工序中在单元主体部11以及金属销14的表面生成的氧化覆膜，通过利用化学反应的还原处理(例如，酸洗)而去除。
然后，在第一部件组装工序S3中，将传感器支撑部件12、传感器部件13以及盖支撑部件18彼此组装。
然后，在凹部形成工序S4中，在金属销14的传感器侧端面14a形成凹部51(参照图2以及图3)。作为形成凹部51的方法，可以采用各种加工方法。作为上述加工方法，例如举出激光加工、切削加工、以及蚀刻。
这里，对于凹部51的形状，考虑加工的容易性、以及凹部51的用途而设为圆形的凹坑。上述凹部51的用途是指，在后面的制造工序中相对于在凹部51内形成的金属覆膜17能够进行导线键合即可。当然，本发明中的凹部51的形状不限定于此。凹部51的形状可以为各种形状(例如，多边形状的凹坑)。
另外，凹部51的形成范围设为小于金属销14的传感器侧端面14a、且大于或等于金属线16能够进行电连接(导线键合)的范围。例如，金属销14的传感器侧端面14a设为圆形，将其直径(销直径)表示为
Figure BDA0002216607360000061
另外，能够进行导线键合的范围设为大于或等于金属线16的导线直径的范围，将金属线16的导线直径表示为
Figure BDA0002216607360000062
在该情况下，凹部51的形成范围设为小于销直径
Figure BDA0002216607360000063
且大于或等于键合直径
Figure BDA0002216607360000064
的圆形。在将圆形的凹部51的直径表示为
Figure BDA0002216607360000065
的情况下，
Figure BDA0002216607360000066
Figure BDA0002216607360000067
的关系成立。
通过以该方式将凹部51形成在小于传感器侧端面14a的范围，从而能够良好地形成凹部51的内壁面5a。内壁面5a在后面的制造工序(涂敷工序)中涂敷了纳米墨水17a时，作为用于抑制纳米墨水17a的流出的堤部起作用。即，内壁面5a确定纳米墨水17a的涂敷区域。因此，通过形成内壁面5a，从而能够容易地涂敷纳米墨水17a。因而，能够容易地确定金属覆膜17的形成范围。
另外，凹部51的形成深度D51比希望的金属覆膜17的膜厚T17(D51＞T17)深。另外，该深度D51深至在后面的制造工序(涂敷工序)中涂敷了纳米墨水17a时能够抑制该纳米墨水17a的流出的程度。即，该深度D51深至能够收容形成具有希望膜厚T17的金属覆膜17所需的纳米墨水17a的程度。对于该深度D51的详情，在后面的工序(涂敷工序S5)中叙述。
此外，有时还通过凹部形成工序S4中的激光加工等在凹部51生成氧化覆膜。在该情况下，在该凹部形成工序之后也实施与前述的氧化覆膜去除工序S2相同的工序(第二氧化覆膜去除工序)。另外，也可以省略前述的氧化覆膜去除工序S2，在凹部形成工序S4之后实施(转入)该氧化覆膜去除工序S2。
接着，在涂敷工序S5中，在凹部51涂敷纳米墨水17a(参照图3以及图4A)。作为涂敷纳米墨水17a的方法，可以采用各种涂敷法或者印刷法，例如，举出喷射方式、以及使用转印基板进行转印的方式。
这里，在传感器单元1的制造中使用的纳米墨水17a是使具有导电性的金属的微粒(纳米颗粒)分布于溶剂得到的。作为金属的微粒，例如举出金(Au)以及银(Ag)的微粒。作为溶剂，例如举出低极性的甲苯(C7H8)、以及十四烷(C14H30)等有机溶剂。
此外，在凹部形成工序S4中，将凹部51形成为具有能够抑制纳米墨水17a的流出的程度的深度D51。由此，在涂敷纳米墨水17a时，能够抑制该纳米墨水17a的流出。即，凹部51(内壁面5a)作为堤部起作用。由此，纳米墨水17a被涂敷于希望的涂敷区域。
然后，在脱媒烧结工序S6中，将纳米墨水17a中的溶剂干燥去除，并且对金属的微粒进行烧结(烧制)(参照图3以及图4B)。作为将溶剂干燥去除并且对金属的微粒进行烧结的方法，例如，举出通过激光等实施升温以及烧结的方法。
此外，也可以将上述脱媒烧结工序S6分为将纳米墨水17a中的溶剂干燥去除的脱媒工序和对金属的微粒进行烧结(烧制)的烧结工序而进行。在这样分为脱媒工序和烧结工序而进行的情况下，例如，在脱媒工序中通过未图示的加热器使溶剂升温而使溶剂干燥之后，在烧结工序进行基于激光实现的烧结。这样，在脱媒工序和烧结工序中可以采用不同的装置。
上述涂敷工序S5和脱媒烧结工序S6是形成金属覆膜17的金属覆膜形成工序S5－6。通过该金属覆膜形成工序S5－6，在凹部51内形成具有希望膜厚T17的金属覆膜17。
此外，对于进行一次金属覆膜形成工序S5－6(使涂敷工序S5和脱媒烧结工序S6循环一次)，有时会限制以该方式能够形成的金属覆膜17的膜厚(未达到希望膜厚T17)。在该情况下，通过多次进行金属覆膜形成工序S5－6(按顺序反复进行涂敷工序S5和脱媒烧结工序S6)，从而能够形成具有希望膜厚T17的金属覆膜17。
具体而言，首先，在涂敷工序S5中，将一次性能够脱媒以及烧结的量的纳米墨水17a涂敷至凹部51(参照图5A)。然后，在脱媒烧结工序S6中，实施脱媒以及烧结(参照图5B)。由此，形成第一层(薄的膜厚T17－1)的金属覆膜17－1。接着，在第二次的涂敷工序S5中，将纳米墨水17a涂敷至凹部51内的金属覆膜17－1上(参照图5C)。然后，在第二次的脱媒烧结工序S6中，实施脱媒以及烧结(参照图5D)。由此，形成第二层(薄的膜厚T17－2)的金属覆膜17－2。
通过这样反复进行涂敷工序S5和脱媒烧结工序S6，从而能够形成具有希望膜厚T17(＝T17－1+T17－2)的金属覆膜17。此时，金属覆膜17具有层叠构造，该层叠构造具有多层(图5D中两层)的金属覆膜17－1以及17－2。
然后，在导线键合工序S8中，使用金属线16对传感器部件13和金属销14(金属覆膜17)进行电连接。
此时，凹部51以及金属覆膜17在大于或等于能够进行导线键合的范围的范围形成，因此能够使用金属线16将传感器部件13和金属销14(金属覆膜17)容易地导线键合。
然后，在第二部件组装工序S9中，将封液盖19和金属膜屏蔽部件20相互组装。
通过上述，完成传感器单元1的制造。
而且，将该传感器单元1气密(或者液密)地安装于传输器的框体部件2。并且，将金属销14的另一端部与电路基板3电连接。由此，能够制造传输器。
此外，上述传感器单元1的制造方法中的各工序的顺序能够适当替换或者省略。例如，在金属销14的制造工序(未图示)中也可以预先形成凹部51，将上述形成有凹部51的金属销14用于玻璃封接工序S1。由此，可以省略上述凹部形成工序。
本发明的一个方式所涉及的传感器单元(本传感器单元)具备：主体部，其具有通孔；外部电极，其***设置于所述通孔；凹部，其形成于所述外部电极的端面；金属覆膜，其形成于所述凹部；以及传感器部，其经由所述金属覆膜与所述外部电极电连接。
根据该结构，在形成金属覆膜时，能够将凹部的内壁面用作堤部而抑制纳米墨水的流出。由此，能够形成具有希望膜厚的金属覆膜。通过这样以希望膜厚形成金属覆膜，从而即使在凹部的表面粗糙度大的情况下，也能够一边抑制凹部的坯料(在上述实施方式中科瓦铁镍钴合金)露出，一边良好地形成金属覆膜。因而，能够将键合导线良好地连接于金属覆膜，并且能够确保传感器单元中的稳定的传输线路。另外，能够容易地涂敷纳米墨水。
另外，所述凹部具有能够收容在具有希望膜厚的所述金属覆膜的形成中使用的纳米墨水的深度。
根据该结构，能够良好地抑制纳米墨水的流出。另外，还能够一次性涂敷较多的纳米墨水，通过一次的烧结形成具有希望膜厚的金属覆膜。
另外，所述金属覆膜可以具有通过多次覆膜形成而形成的层叠构造。
根据该结构，即使在能够在一次的金属覆膜形成工序中形成的金属覆膜的膜厚受到限制的(未达到希望膜厚的)情况下，也能够形成具有希望膜厚的金属覆膜。
本发明的一个方式所涉及的传输器是具备气密构造的传感器单元的传输器，作为所述传感器单元而具有上述该传感器单元。
根据该结构，能够确保传输器中的稳定的传输线路。
本发明的一个方式所涉及的传感器单元的制造方法(本制造方法)是具备主体部、外部电极以及传感器部的传感器单元的制造方法，该主体部具有通孔，该外部电极***设置于所述通孔，该传感器部与所述外部电极电连接，所述制造方法具备：凹部形成工序，在所述外部电极的端面形成凹部；涂敷工序，在所述凹部涂敷纳米墨水；以及烧结工序，对涂敷于所述凹部的所述纳米墨水进行烧结。
根据该结构，在形成金属覆膜时，能够将凹部的内壁面用作堤部而抑制纳米墨水的流出。由此，能够形成具有希望膜厚的金属覆膜。通过这样以希望膜厚形成金属覆膜，从而即使在凹部的表面粗糙度大的情况下，也能够一边抑制凹部的坯料(上述实施方式中科瓦铁镍钴合金)露出，一边良好地形成金属覆膜。因而，能够将键合导线良好地连接于金属覆膜，并且能够确保传感器单元中的稳定的传输线路。另外，能够容易地涂敷纳米墨水。
另外，在所述凹部形成工序中，可以将所述凹部形成为能够收容在具有希望膜厚的金属覆膜的形成中使用的纳米墨水的深度。
根据该结构，能够良好地抑制纳米墨水的流出。另外，还能够一次性涂敷较多的纳米墨水，通过一次的烧结形成具有希望膜厚的金属覆膜。
另外，也可以通过多次反复进行所述涂敷工序和所述烧结工序，从而在所述凹部形成具有希望膜厚的金属覆膜。
根据该结构，即使在能够在一次的金属覆膜形成工序中形成的金属覆膜的膜厚受到限制的(未达到希望膜厚的)情况下，也能够形成具有希望膜厚的金属覆膜。
本发明的一个方式所涉及的传输器的制造方法是具备气密构造的传感器单元的传输器的制造方法，包含通过上述制造方法制造所述传感器单元。
根据该结构，能够确保传输器中的稳定的传输线路。

Claims (8)

1.一种传感器单元，其具备：
主体部，其具有通孔；
外部电极，其***设置于所述通孔；
凹部，其形成于所述外部电极的端面；
金属覆膜，其形成于所述凹部；以及
传感器部，其经由所述金属覆膜与所述外部电极电连接。
2.根据权利要求1所述的传感器单元，其中，
所述凹部具有能够收容在具有希望膜厚的所述金属覆膜的形成中使用的纳米墨水的深度。
3.根据权利要求1或2所述的传感器单元，其中，
所述金属覆膜具有通过多次覆膜形成而形成的层叠构造。
4.一种传输器，其是具备气密构造的传感器单元的传输器，
作为所述传感器单元而具有权利要求1至3中任一项所述的传感器单元。
5.一种传感器单元的制造方法，其是具备主体部、外部电极以及传感器部的传感器单元的制造方法，该主体部具有通孔，该外部电极***设置于所述通孔，该传感器部与所述外部电极电连接，
所述制造方法包含：
凹部形成工序，在所述外部电极的端面形成凹部；
涂敷工序，在所述凹部涂敷纳米墨水；以及
烧结工序，对涂敷于所述凹部的所述纳米墨水进行烧结。
6.根据权利要求5所述的传感器单元的制造方法，其中，
在所述凹部形成工序中，将所述凹部形成为能够收容在具有希望膜厚的所述金属覆膜的形成中使用的纳米墨水的深度。
7.根据权利要求5或6所述的传感器单元的制造方法，其中，
通过多次反复进行所述涂敷工序和所述烧结工序，从而在所述凹部形成具有希望膜厚的金属覆膜。
8.一种传输器的制造方法，其是具备气密构造的传感器单元的传输器的制造方法，
所述制造方法包含通过权利要求5至7中任一项所述的方法制造所述传感器单元。
CN201910917762.0A 2018-09-28 2019-09-26 传感器单元、具备传感器单元的传输器、传感器单元的制造方法及该传输器的制造方法 Pending CN110967046A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-183239 2018-09-28
JP2018183239A JP2020051962A (ja) 2018-09-28 2018-09-28 センサユニット、センサユニットを備えた伝送器、センサユニットの製造方法、および、センサユニットを備えた伝送器の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110967046A true CN110967046A (zh) 2020-04-07

Family

ID=69996815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910917762.0A Pending CN110967046A (zh) 2018-09-28 2019-09-26 传感器单元、具备传感器单元的传输器、传感器单元的制造方法及该传输器的制造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2020051962A (zh)
CN (1) CN110967046A (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5519864A (en) * 1978-07-28 1980-02-12 Hitachi Ltd Semiconductor distortion gauge type pressure sensor and manufacture thereof
CN1036526A (zh) * 1988-02-25 1989-10-25 梅兰日兰公司 复合部件的制作方法及用此法所制的带接触片的电接触部件
JPH02180044A (ja) * 1988-12-29 1990-07-12 Nec Corp ワイヤボンディング構造
CN1282868A (zh) * 1999-08-03 2001-02-07 株式会社山武 压力传感器及其制造方法
JP2002181650A (ja) * 2000-12-18 2002-06-26 Fujikura Ltd 圧力センサ
CN1744308A (zh) * 2004-09-04 2006-03-08 三星Techwin株式会社 倒装芯片半导体封装件及其制造方法
JP2006200924A (ja) * 2005-01-18 2006-08-03 Denso Corp 圧力センサの製造方法
CN201156541Y (zh) * 2008-02-20 2008-11-26 苏州固锝电子股份有限公司 半导体二极管电极新引线
CN104205328A (zh) * 2012-03-15 2014-12-10 富士电机株式会社 半导体装置及其制造方法
CN106486444A (zh) * 2015-08-31 2017-03-08 中芯长电半导体（江阴）有限公司 凸块结构、封装组件及其形成方法
CN107706167A (zh) * 2017-09-29 2018-02-16 扬州乾照光电有限公司 一种芯片结构以及制作方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5519864A (en) * 1978-07-28 1980-02-12 Hitachi Ltd Semiconductor distortion gauge type pressure sensor and manufacture thereof
CN1036526A (zh) * 1988-02-25 1989-10-25 梅兰日兰公司 复合部件的制作方法及用此法所制的带接触片的电接触部件
JPH02180044A (ja) * 1988-12-29 1990-07-12 Nec Corp ワイヤボンディング構造
CN1282868A (zh) * 1999-08-03 2001-02-07 株式会社山武 压力传感器及其制造方法
JP2002181650A (ja) * 2000-12-18 2002-06-26 Fujikura Ltd 圧力センサ
CN1744308A (zh) * 2004-09-04 2006-03-08 三星Techwin株式会社 倒装芯片半导体封装件及其制造方法
JP2006200924A (ja) * 2005-01-18 2006-08-03 Denso Corp 圧力センサの製造方法
CN201156541Y (zh) * 2008-02-20 2008-11-26 苏州固锝电子股份有限公司 半导体二极管电极新引线
CN104205328A (zh) * 2012-03-15 2014-12-10 富士电机株式会社 半导体装置及其制造方法
CN106486444A (zh) * 2015-08-31 2017-03-08 中芯长电半导体（江阴）有限公司 凸块结构、封装组件及其形成方法
CN107706167A (zh) * 2017-09-29 2018-02-16 扬州乾照光电有限公司 一种芯片结构以及制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020051962A (ja) 2020-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8025625B2 (en) Sensor with electromagnetically coupled hermetic pressure reference
US7080560B2 (en) Semiconductor pressure sensor
JP4726481B2 (ja) 気圧センサ
US20070199385A1 (en) Capacitor electrode formed on surface of integrated circuit chip
US20140216163A1 (en) Pressure sensor and method for producing a pressure sensor
EP2608255A1 (en) Method of bonding two substrates and device manufactured thereby
CN107003277B (zh) 检测气态分析物的气体传感器装置和制造该装置的方法
CN101663748B (zh) 功能元件封装及其制造方法
CN107108200B (zh) 用于密封非磁性封装的盖和方法
US9969608B2 (en) Methods for mounting a MEMS sensor for in-stream measurements
US20190242772A1 (en) Mems pressure sensor with multiple sensitivity and small dimensions
EP2873958B1 (en) Capacitive pressure sensors for high temperature applications
US9950922B2 (en) Packaged microsystems
JP2015512046A (ja) 微小機械測定素子
US8866241B2 (en) Pressure sensing device having contacts opposite a membrane
CN110967046A (zh) 传感器单元、具备传感器单元的传输器、传感器单元的制造方法及该传输器的制造方法
JP2000028463A (ja) 気密封止構造およびその製造方法
JP4507890B2 (ja) 圧力センサの製造方法
US6825512B2 (en) Micromachined sensor with insulating protection of connections
CN104697700B (zh) 一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法
CN105486445A (zh) 压力传感器以及其制造方法
JP6964757B2 (ja) マイクロメカニカル装置およびその製造方法
CN111807318A (zh) 基于玻璃回流工艺的tgv衬底制备方法及mems器件封装方法
EP2988123A1 (en) Preventing stray currents in sensors in conductive media
JP2005062031A (ja) 静電容量型のサファイヤダイヤフラム圧力センサおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20200407