CN110943018A - 衬底处理装置及衬底处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。本发明的衬底处理装置具备装载部、阶层及控制部。阶层分别具备第1载置部、处理部及主搬送机构。装载部具备载体载置部及搬送部。搬送部进行供给动作，将衬底从载置在载体载置部的载体搬送到第1载置部。第1搬送机构进而进行层间搬送动作，在设置在不同阶层的2个第1载置部之间搬送衬底。

Description

衬底处理装置及衬底处理方法
技术领域
本发明涉及一种对衬底进行处理的衬底处理装置。衬底例如为半导体晶圆、液晶显示器用衬底、有机EL(Electroluminescence，电激发光)用衬底、FPD(Flat PanelDisplay，平板显示器)用衬底、光显示器用衬底、磁盘用衬底、磁光盘用衬底、光掩模用衬底、太阳能电池用衬底。
背景技术
日本专利特开2012-33863号公报公开一种涂布显影装置。以下，将日本专利特开2012-33863号公报所记载的符号加括号表示。涂布显影装置(1)具备载体区块(S1)与处理区块(S2)。载体区块(S1)具备载置台(11)与交接臂(13)。载置台(11)供载置载体(C)。交接臂(13)搬送晶圆(W)。
处理区块(S2)具备6个单位区块(B1-B6)。单位区块(B1-B6)分别具备主臂(A1-A6)、液体处理模块及加热模块。主臂(A1-A6)分别将晶圆(W)搬送到液体处理模块与加热模块。
处理区块(S2)具备架单元(U7)。架单元(U7)具备多个模块。模块(BU1、CPL0)配置在交接臂(13)能够接近的高度位置。模块(CPL1-CPL3)配置在主臂(A1)能够接近的高度位置。模块(CPL7-CPL8)配置在主臂(A3)能够接近的高度位置。模块(CPL14-CPL15)配置在主臂(A6)能够接近的高度位置。
处理区块(S2)具备交接臂(30)。交接臂(30)在架单元(U7)的模块彼此之间搬送晶圆(W)。
涂布显影装置(1)例如以如下方式动作。交接臂(13)将晶圆(W)从载体(C)搬送到模块(BU1)。交接臂(30)将晶圆(W)从模块(BU1)搬送到模块(CPL1)。主臂(A1)从模块(CPL1)搬送到单位区块(B1)的液体处理模块及加热模块。之后，主臂(A1)将晶圆(W)搬送到模块(CPL3)。交接臂(30)将晶圆(W)从模块(CPL3)搬送到模块(CPL7)。主臂(A3)从模块(CPL7)搬送到单位区块(B3)的液体处理模块及加热模块。晶圆(W)进而被搬送到单位区块(B6)。主臂(A6)将晶圆(W)搬送到模块(CPL15)。交接臂(30)将晶圆(W)从模块(CPL15)搬送到模块(CPL0)。交接臂(13)将晶圆(W)从模块(CPL0)搬送到载体(C)。
发明内容
[发明要解决的问题]
然而，日本专利特开2012-33863号公报所示的涂布显影装置(1)存在如下问题。交接臂(13)接近模块(BU1、CPL0)。但是，主臂(A1-A6)分别无法接近模块(BU1、CPL0)。因此，主臂(A1-A6)无法直接获取由交接臂(13)载置到模块(BU1)的晶圆(W)。反之，交接臂(13)无法直接获取由主臂(A1-A6)载置到架单元(U7)的模块的晶圆(W)。因此，为了在交接臂(13)与主臂(A1-A6)之间交接晶圆(W)，必须在架单元(U7)的模块彼此之间搬送晶圆(W)。因此，无法在交接臂(13)与主臂(A1-A6)之间高效率地搬送晶圆(W)。因此，难以进一步提高涂布显影装置(1)的处理量。
主臂(A1)接近模块(CPL1-CPL3)。但是，其他主臂(A2-A6)无法接近模块(CPL1-CPL3)。因此，为了在主臂(A1)与其他主臂(A2-A6)之间搬送晶圆(W)，必须在架单元(U7)的模块彼此之间搬送晶圆(W)。因此，涂布显影装置(1)除交接臂(13)以外，具备交接臂(30)。交接臂(30)专门在架单元(U7)的模块彼此之间搬送晶圆(W)。因此，涂布显影装置(1)的占据面积(设置面积)较大。
本发明是鉴于这种情况而完成的，目的在于提供一种能够减少衬底处理装置的占据面积且能够提高衬底处理装置的处理量的衬底处理装置。
[解决问题的技术手段]
本发明为了达成这种目的，采用如下构成。
也就是说，本发明是一种衬底处理装置，具备：装载部；多个阶层，以在上下方向上排列的方式配置；及控制部，控制所述装载部及所述阶层；所述阶层分别具备：第1载置部，供载置衬底；处理部，对衬底进行处理；及主搬送机构，将衬底搬送到所述第1载置部与所述处理部；所述装载部具备：载体载置部，供载置载体；及搬送部，在载置在所述载体载置部的所述载体与所述第1载置部之间搬送衬底；且所述装载部的所述搬送部具备第1搬送机构，所述第1搬送机构进行供给动作及回收动作的至少任一个，所述供给动作是将衬底从载置在所述载体载置部的所述载体搬送到所述第1载置部，所述回收动作是将衬底从所述第1载置部搬送到载置在所述载体载置部的所述载体；所述第1搬送机构进而进行层间搬送动作，在设置在不同的所述阶层的2个所述第1载置部之间搬送衬底。
装载部的第1搬送机构进行供给动作及回收动作的至少任一个。在第1搬送机构进行供给动作的情况下，主搬送机构能够直接获取由第1搬送机构载置到第1载置部的衬底。因此，在第1搬送机构与主搬送机构之间能够高效率地搬送衬底。因此，能够适宜地提高衬底处理装置的处理量。在第1搬送机构进行回收动作的情况下，第1搬送机构能够直接获取由主搬送机构载置到第1载置部的衬底。因此，在第1搬送机构与主搬送机构之间能够高效率地搬送衬底。因此，能够适宜地提高衬底处理装置的处理量。
第1搬送机构进而进行层间搬送动作。因此，也可以不另外设置专门在不同的2个阶层之间搬送衬底的搬送机构(例如日本专利特开2012-33863号公报的交接臂(30))。更详细来说，除第1搬送机构以外，也可以不设置专门进行层间搬送动作的搬送机构。因此，能够适宜地减少衬底处理装置的占据面积(设置面积)。
如上所述，根据所述衬底处理装置，能够减少衬底处理装置的占据面积且能够提高衬底处理装置的处理量。
在所述衬底处理装置中，优选为1个以上的所述阶层的所述处理部对衬底进行第1处理，其他1个以上的所述阶层的所述处理部对衬底进行与所述第1处理不同的第2处理，所述第1搬送机构在进行所述第1处理的所述阶层的所述第1载置部与进行所述第2处理的所述阶层的所述第1载置部之间搬送衬底。能够高效率地对衬底进行第1处理及第2处理。
在所述衬底处理装置中，优选为所述第1处理包含在曝光处理之前进行的第1曝光前处理，所述第2处理包含在曝光处理之前进行的与第1曝光前处理不同的第2曝光前处理。能够高效率地对衬底进行第1曝光前处理与第2曝光前处理。
在所述衬底处理装置中，优选为所述第1处理包含第1液体处理，所述第2处理包含与第1液体处理不同的第2液体处理。能够高效率地对衬底进行第1液体处理与第2液体处理。
在所述衬底处理装置中，优选为所述第1处理包含在衬底形成抗反射膜的抗反射膜形成处理、在衬底形成抗蚀膜的抗蚀膜形成处理、形成保护衬底上的抗蚀膜的保护膜的保护膜形成处理、使衬底显影的显影处理及将衬底洗净的洗净处理的一部分，所述第2处理包含所述抗反射膜形成处理、所述抗蚀膜形成处理、所述保护膜形成处理、所述显影处理及所述洗净处理的另一部分。换句话说，在所述衬底处理装置中，优选为所述第1处理包含抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理、保护膜形成处理、显影处理及洗净处理的1个以上且4个以下，所述第2处理包含所述抗反射膜形成处理、所述抗蚀膜形成处理、所述保护膜形成处理、所述显影处理及所述洗净处理的1个以上且4个以下，当所述第1处理包含所述抗反射膜形成处理时，所述第2处理不包含所述抗反射膜形成处理，当所述第1处理包含所述抗蚀膜形成处理时，所述第2处理不包含所述抗蚀膜形成处理，当所述第1处理包含所述保护膜形成处理时，所述第2处理不包含所述保护膜形成处理，当所述第1处理包含所述显影处理时，所述第2处理不包含所述显影处理，当所述第1处理包含所述洗净处理时，所述第2处理不包含所述洗净处理。例如也可第1处理包含抗反射膜处理，第2处理包含抗蚀膜形成处理。在该情况下，能够高效率地对衬底进行抗反射膜处理及抗蚀膜形成处理。例如也可第1处理包含抗反射膜处理、抗蚀膜形成处理及保护膜形成处理，第2处理包含显影处理。在该情况下，能够高效率地对衬底进行抗反射膜处理、抗蚀膜形成处理、保护膜形成处理及显影处理。如此，能够高效率地对衬底进行抗反射膜处理、抗蚀膜形成处理、保护膜形成处理、显影处理及洗净处理的至少2个以上。
在所述衬底处理装置中，优选为所述第1处理包含在衬底形成抗反射膜的处理，所述第2处理包含在衬底形成抗蚀膜的处理，所述第1搬送机构将衬底从进行所述第1处理的所述阶层的所述第1载置部搬送到进行所述第2处理的所述阶层的所述第1载置部。能够在对衬底进行抗反射膜形成处理之后，对衬底进行抗蚀膜形成处理。进而，能够高效率地对衬底进行抗反射膜处理及抗蚀膜形成处理。
在所述衬底处理装置中，优选为所述第1处理包含在衬底形成抗反射膜的处理及在衬底形成抗蚀膜的处理，所述第2处理包含在衬底形成保护抗蚀膜的保护膜的处理，所述第1搬送机构将衬底从进行所述第1处理的所述阶层的所述第1载置部搬送到进行所述第2处理的所述阶层的所述第1载置部。能够在对衬底进行抗反射膜形成处理及抗蚀膜形成处理之后，对衬底进行保护膜形成处理。进而，能够高效率地对衬底进行抗反射膜处理、抗蚀膜形成处理及保护膜形成处理。
在所述衬底处理装置中，优选为进行所述第2处理的所述阶层的所述处理部进而进行使衬底显影的处理，所述装载部的所述搬送部将衬底从进行所述第2处理的所述阶层的所述第1载置部搬送到载置在所述载体载置部的所述载体。也可以将“进行第2处理的阶层的处理部”替换为“进行第2处理的处理部”。进行第2处理的处理部进而进行显影处理。因此，能够高效率地对衬底进行显影处理。进而，能够将已进行显影处理的衬底高效率地搬送到载体。此处，第2处理优选为不包含使衬底显影的处理。第2处理优选为不包含在曝光处理之后进行的曝光后处理。
在所述衬底处理装置中，优选为所述装载部的所述搬送部将衬底从载置在所述载体载置部的所述载体搬送到进行所述第1处理的所述阶层的所述第1载置部。能够将衬底高效率地从载体搬送到进行第1处理的阶层。
在所述衬底处理装置中，优选为进行所述第1处理的所述阶层的数量为2个以上，进行所述第2处理的所述阶层的数量为2个以上。能够在2个以上的阶层中对衬底进行第1处理。能够在2个以上的阶层中对衬底进行第2处理。因此，能够适宜地提高衬底处理装置的处理量。
在所述衬底处理装置中，优选为与进行所述第1处理的所述阶层及进行所述第2处理的所述阶层不同的其他1个以上的所述阶层的所述处理部对衬底进行第3处理，所述第3处理包含使衬底显影的处理，所述装载部的所述搬送部将衬底从进行所述第3处理的所述阶层的所述第1载置部搬送到载置在所述载体载置部的所述载体。也可以将“与进行第1处理的阶层及进行第2处理的阶层不同的其他1个以上的阶层”替换为“进行第1处理的阶层及进行第2处理的阶层以外的1个以上的阶层”。进行第1处理的阶层及进行第2处理的阶层以外的1个以上的阶层的处理部进行包含显影处理的第3处理。因此，能够高效率地对衬底进行显影处理。进而，能够高效率地将已进行显影处理的衬底搬送到载体。
在所述衬底处理装置中，优选为进行所述第3处理的所述阶层的数量为2个以上。能够在2个以上的阶层中对衬底进行第3处理。因此，能够适宜地提高衬底处理装置的处理量。
在所述衬底处理装置中，优选为所述阶层分别具备供载置衬底的第2载置部，所述衬底处理装置具备接口部，所述接口部具备在所述第2载置部与曝光机之间搬送衬底的搬送部，所述接口部的所述搬送部不在设置在不同的所述阶层的2个所述第2载置部之间搬送衬底。接口部的搬送部不进行层间搬送动作。此处，对于接口部的搬送部而言的层间搬送动作是不经由曝光机而在设置在不同阶层的2个第2载置部之间搬送衬底。因此，接口部的搬送部能够在阶层与曝光机之间高效率地搬送衬底。
在所述衬底处理装置中，优选为所述第1载置部具备：第1输送载置部，专门供所述装载部的所述搬送部载置衬底；及第1返回载置部，专门供所述主搬送机构载置衬底。因为装载部的搬送部不在第1返回载置部载置衬底，所以能够简化装载部的搬送部的搬送动作。因此，装载部的搬送部能够在载体与阶层之间更高效率地搬送衬底。同样地，因为主搬送机构不在第1输送载置部载置衬底，所以能够简化主搬送机构的搬送动作。因此，主搬送机构能够更高效率地搬送衬底。
在所述衬底处理装置中，优选为所述装载部的所述搬送部在所述第1输送载置部同时载置2片衬底，且以能够在所述第1输送载置部载置至少4片以上的衬底的方式构成所述第1输送载置部。能够将至少4片以上的衬底载置在第1输送载置部。因此，装载部的搬送部例如能够在第1输送载置部同时载置第1、第2衬底，之后，在第1输送载置部同时载置第3、第4衬底。在装载部的搬送部将第3、第4衬底载置在第1输送载置部的期间，主搬送机构能够从第1输送载置部获取第1、第2衬底。因此，之后，装载部的搬送部能够将第5、第6衬底载置在第1输送载置部(例如与载置着第1、第2衬底的位置相同的位置)。如此，装载部的搬送部能够流畅地重复进行将衬底载置在第1输送载置部的动作。
例如，供载置第1、第2衬底的第1输送载置部的位置与供载置第3、第4衬底的第1输送载置部的位置不同。因此，假设即使装载部的搬送部与主搬送机构同时接触第1输送载置部，也不必担心在第1输送载置部放置衬底的装载部的搬送部与从第1输送载置部获取衬底的主搬送机构相干涉。
在所述衬底处理装置中，优选为所述装载部的所述搬送部从所述第1返回载置部同时获取2片衬底，且以能够在所述第1返回载置部载置至少4片以上的衬底的方式构成所述第1返回载置部。能够将至少4片以上的衬底载置在第1返回载置部。因此，装载部的搬送部能够从第1返回载置部同时获取第1、第2衬底，之后从第1返回载置部同时获取第3、第4衬底。在装载部的搬送部从第1返回载置部获取第3、第4衬底的期间，主搬送机构能够将第5、第6衬底载置在第1输送载置部(例如与载置着第1、第2衬底的位置相同的位置)。因此，之后，装载部的搬送部能够从第1返回载置部获取第5、第6衬底。如此，装载部的搬送部能够流畅地重复进行从第1返回载置部获取衬底的动作。
例如，供载置第3、第4衬底的第1返回载置部的位置与供载置第5、第6衬底的第1返回载置部的位置不同。因此，假设即使装载部的搬送部与主搬送机构同时接近第1返回载置部，也不必担心从第1返回载置部获取衬底的装载部的搬送部与在第1返回载置部放置衬底的主搬送机构相干涉。
在所述衬底处理装置中，优选为所述第1搬送机构进行所述供给动作及所述回收动作的其中一个，不进行所述供给动作及所述回收动作的另一个，所述装载部的所述搬送部具备第2搬送机构，该第2搬送机构不进行所述供给动作及所述回收动作的所述其中一个，而进行所述供给动作及所述回收动作的另一个。因为装载部的搬送部具备第2搬送机构，所以装载部的搬送部能够更高效率地搬送衬底。装载部的第1搬送机构进行供给动作及回收动作的其中一个，装载部的第2搬送机构进行供给动作及回收动作的另一个。因此，装载部的搬送部能够适宜地进行供给动作及回收动作两者。因为第1搬送机构不进行供给动作及回收动作的另一个，所以能够简化第1搬送机构的动作。因为第2搬送机构不进行供给动作及回收动作的其中一个，所以也能够简化第2搬送机构的动作。
在所述衬底处理装置中，优选为所述装载部的所述第2搬送机构进而进行所述层间搬送动作。因为第1搬送机构与第2搬送机构两者进行层间搬送动作，所以能够在不同的2个阶层之间更高效率地搬送衬底。
在所述衬底处理装置中，优选为将所述阶层中衬底最后通过的阶层设为最终阶层，所述装载部的所述搬送部将衬底从所述最终阶层的所述第1载置部搬送到载置在所述载体载置部的所述载体，所述衬底处理装置具备：载体退避部，在从所述载体载置部退避的位置载置所述载体；及载体搬送部，在所述载体载置部与所述载体退避部之间搬送所述载体；所述控制部对所述最终阶层的所述主搬送机构在所述最终阶层的所述第1载置部载置衬底的配给动作进行检测，基于所述最终阶层的所述主搬送机构的所述配给动作的检测结果，决定所述载体搬送部的动作的时点。最终阶层的第1载置部是在衬底被搬入到载体之前衬底最后载置的部位。控制部对设置在最终阶层的主搬送机构的配给动作进行检测。根据最终阶层的主搬送机构的配给动作的检测结果，能够特定出最终阶层的主搬送机构将衬底实际载置在第1载置部的时刻。控制部基于最终阶层的主搬送机构的配给动作的检测结果，决定载体搬送部的动作的时点。因此，载体搬送部能够始终在适当的时点搬送载体。结果，装载部的搬送部能够流畅地进行回收动作。例如，不必担心因利用载体搬送部进行的载体的搬送而导致利用装载部的搬送部进行的回收动作延迟。如此，能够使利用装载部的搬送部进行的回收动作与利用载体搬送部进行的载体的搬送动作在时间上适宜地联合。
在所述衬底处理装置中，优选为所述控制部基于所述最终阶层的所述主搬送机构的所述配给动作的检测结果，判定要搬入到载置在所述载体退避部的所述载体的预定衬底是否载置在所述最终阶层的所述第1载置部，在所述控制部判定要搬入到载置在所述载体退避部的所述载体的预定衬底已载置在所述最终阶层的所述第1载置部的时间点，所述控制部使将所述载体从所述载体退避部搬送到所述载体载置部的所述载体搬送部的动作开始。在装载部的搬送部开始回收动作之前，载体搬送部能够将要被搬入衬底的预定载体确实地载置在载体载置部。结果，装载部的搬送部能够流畅地进行回收动作。
本发明是一种衬底处理方法，包括：供给步骤，将衬底从载体搬送到多个阶层的至少1个；处理步骤，在所述阶层中一边搬送衬底一边对衬底进行处理；层间搬送步骤，在不同的2个所述阶层之间搬送衬底；及回收步骤，将衬底从所述阶层的至少1个搬送到所述载体；且所述供给步骤及所述回收步骤的至少任一个与所述层间搬送步骤是由相同的1个搬送机构执行。
供给步骤及回收步骤的至少1个是由1个搬送机构执行。在由1个搬送机构执行供给步骤的情况下，能够高效率地将衬底从载体搬送到阶层。因此，能够高效率地执行处理步骤。因此，能够适宜地提高衬底处理的处理量。在由1个搬送机构执行回收步骤的情况下，能够高效率地将衬底从阶层搬送到载体。因此，能够高效率地执行处理步骤。因此，能够适宜地提高衬底处理的处理量。
层间搬送步骤是由执行供给步骤及回收步骤的至少任一个的1个搬送机构执行。也就是说，相同的1个搬送机构除执行供给步骤及回收步骤的至少任一个以外，也执行层间搬送步骤。因此，也可以不另外设置专门在不同的2个阶层之间搬送衬底的搬送机构(例如日本专利特开2012-33863号公报的交接臂(30))。因此，能够适宜地减少用来执行衬底处理方法的空间。
附图说明
为了对发明进行说明，图示出当前视为优选的若干形态，但应理解，发明并不限定于如图所示的构成及对策。
图1是第1实施方式的衬底处理装置的俯视图。
图2是表示衬底处理装置的左部构成的左侧视图。
图3是表示宽度方向上的衬底处理装置的中央部的构成的左侧视图。
图4是表示衬底处理装置的右部构成的右侧视图。
图5是装载部的前视图。
图6是表示装载部的内部构成的前视图。
图7是处理区块的前视图。
图8A、8B是第1载置部的放大侧视图。
图9是接口部的前部的后视图。
图10是接口部的后部的后视图。
图11是示意性地表示装载部的第1搬送机构的循环动作的图。
图12是示意性地表示装载部的第2搬送机构的循环动作的图。
图13是示意性地表示衬底的搬送路径的概要的图。
图14是示意性地表示衬底所通过的衬底处理装置1的要素的图。
图15A-15D是第1载置部、装载部的第1搬送机构及主搬送机构的侧视图。
图16A-16C是示意性地表示堆积器部与装载部的动作的图。
图17是第2实施方式的衬底处理装置的俯视图。
图18是表示衬底处理装置的左部构成的左侧视图。
图19A、19B、19C是示意性地表示衬底的搬送路径的概要的图。
图20是表示第1变化实施方式的衬底处理装置的左部构成的左侧视图。
图21A、21B、21C是示意性地表示衬底的搬送路径的概要的图。
图22A、22B、22C是示意性地表示衬底的搬送路径的概要的图。
图23是表示第2变化实施方式的衬底处理装置的左部构成的左侧视图。
图24A、24B、24C是示意性地表示衬底的搬送路径的概要的图。
图25是表示第3变化实施方式的衬底处理装置的左部构成的左侧视图。
图26A、26B、26C是示意性地表示衬底的搬送路径的概要的图。
图27是表示第4变化实施方式的衬底处理装置的左部构成的左侧视图。
图28A、28B、28C是示意性地表示衬底的搬送路径的概要的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的衬底处理装置进行说明。
[第1实施方式]
<衬底处理装置的概要>
图1是第1实施方式的衬底处理装置的俯视图。第1实施方式的衬底处理装置1对衬底(例如半导体晶圆)W进行一系列处理。
衬底W例如为半导体晶圆、液晶显示器用衬底、有机EL(Electroluminescence)用衬底、FPD(Flat Panel Display)用衬底、光显示器用衬底、磁盘用衬底、磁光盘用衬底、光掩模用衬底、太阳能电池用衬底。衬底W具有较薄的平板形状。衬底W于俯视下具有大致圆形状。
衬底处理装置1具备堆积器部11、装载部21、处理区块31及接口部71。堆积器部11保管多个载体C。堆积器部11将载体C搬送到装载部21。载体C收容多片衬底W。载体C例如为FOUP(front opening unified pod，前开式晶圆盒)。
装载部21将衬底W从载体C搬送到处理区块31。装载部21将衬底W从处理区块31搬入到载体C。
处理区块31一边搬送衬底W一边对衬底W进行处理。
接口部71在处理区块31与曝光机EXP之间搬送衬底W。曝光机EXP与衬底处理装置1为不同体。曝光机EXP并非衬底处理装置1的要素。曝光机EXP是衬底处理装置1的外部机器。曝光机EXP对衬底W进行曝光处理。
堆积器部11、装载部21、处理区块31及接口部71以依次排成1列的方式配置。堆积器部11连接在装载部21。装载部21连接在处理区块31。处理区块31连接在接口部71。接口部71连接在曝光机EXP。
将堆积器部11、装载部21、处理区块31及接口部71所排列的方向称为“前后方向X”。前后方向X为水平。前后方向X中，将从接口部71朝向堆积器部11的方向称为“前方”。将与前方相反的方向称为“后方”。将与前后方向X正交的水平方向称为“宽度方向Y”或“侧方”。将“宽度方向Y”的一方向适当称为“右方”。将与右方相反的方向称为“左方”。将垂直的方向称为“上下方向Z”。上下方向Z与前后方向X正交，且与宽度方向Y正交。各图中，作为参考，适当地示出前、后、右、左、上、下。
以下对堆积器部11、装载部21、处理区块31及接口部71进行说明。
<堆积器部11>
参照图1-4。图2是表示衬底处理装置1的左部构成的左侧视图。图3是表示宽度方向Y上的衬底处理装置1的中央部的构成的左侧视图。图4是表示衬底处理装置1的右部构成的右侧视图。
堆积器部11具备外壁12及多个(例如2个)架13。外壁12配置在堆积器部11的前表面。架13支撑在外壁12。架13配置在外壁12与装载部21之间。架13配置在外壁12的后方。架13以在上下方向Z上排列的方式配置。
架13具有大致水平的板形状。架13上载置多个载体C。架13在宽度方向Y上延伸。架13的宽度方向Y的长度大于架13的前后方向X的长度。载体C以在宽度方向Y上排列的方式载置在架13。
根据载体C的状况，可将载体C分类为若干种。例如，可将载体C分类为在堆积器部11与未图示的外部搬送机构之间进行交接的载体C(称为“前者的载体C”)与除此以外的载体C(称为“后者的载体C”)。此处，外部搬送机构是衬底处理装置1的外部机器。外部搬送机构例如为OHT(Overhead Hoist Transfer，悬吊式搬运***)。可将前者的载体C进而分类为堆积器部11从外部搬送机构接收的载体C与堆积器部11移交到外部搬送机构的载体C。可将后者的载体C进而分类为收容未处理衬底W的载体C、未收容衬底W的载体C、及收容已处理衬底W的载体C。
也可以针对所述载体C的状况或分类，将载体C载置在架13的不同位置。例如，架13也可以具备专门供载置前者的载体C的负载埠。负载埠配置在外部搬送机构能够接近的位置。负载埠也可以具备输入负载埠与输出负载埠。在输入负载埠载置堆积器部11从外部搬送机构接收的载体C。在输出负载埠载置堆积器部11移交到外部搬送机构的载体C。例如，架13也可以具备专门供载置后者的载体C的保管部。保管部优选为配置在外部搬送机构无法接近的位置。保管部也可以还具备专门供载置收容未处理衬底W的载体C的第1保管部。保管部也可以具备专门供载置未收容衬底W的载体C的第2保管部。保管部也可以具备专门供载置收容已处理衬底W的载体C的第3保管部。
堆积器部11具备载体搬送机构15。载体搬送机构15在架13与装载部21之间搬送载体C。载体搬送机构15进而在不同的架13的位置之间搬送载体C。例如，载体搬送机构15在负载埠与保管部之间搬送载体C。载体搬送机构15配置在架13与装载部21之间。载体搬送机构15能够接近架13。载体搬送机构15将载体C载置在架13。载体搬送机构15从架13获取载体C。
载体搬送机构15具备轨道16a、支柱16b、第1升降部16c、第1臂部16d及第1保持部16e。轨道16a在宽度方向Y上延伸。支柱16b支撑在轨道16a。支柱16b在上下方向Z上延伸。支柱16b能够相对于轨道16a在宽度方向Y上移动。第1升降部16c支撑在支柱16b。第1升降部16c能够相对于支柱16b在上下方向Z上移动。第1臂部16d支撑在第1升降部16c。第1臂部16d具有连接在第1升降部16c的基端部。第1臂部16d具有前端部。第1臂部16d的前端部能够相对于第1升降部16c在水平方向上回转，且能够相对于第1升降部16c在水平方向上进退。第1臂部16d例如为多关节臂。第1保持部16e支撑在第1臂部16d的前端部。第1保持部16e保持1个载体C。具体来说，第1保持部16e固持载体C的上部。
载体搬送机构15还具备第2升降部16f、第2臂部16g及第2保持部16h。第2升降部16f、第2臂部16g及第2保持部16h分别具有与第1升降部16c、第1臂部16d及第1保持部16e大致相同的结构。第2升降部16f、第2臂部16g及第2保持部16h配置在第1升降部16c、第1臂部16d及第1保持部16e的下方。第2升降部16f、第2臂部16g及第2保持部16h能够相对于支柱16b在上下方向Z上移动。第2升降部16f能够与第1升降部16c独立地动作。第2臂部16g能够与第1臂部16d独立地动作。第2保持部16h能够与第1保持部16e独立地动作。
载体搬送机构15是本发明的载体搬送部的示例。
<装载部21>
参照图1-5。图5是装载部21的前视图。装载部21具备载体载置部22A1、22A2、22B1、22B2。在载体载置部22A1、22A2、22B1、22B2分别载置1个载体C。
载体载置部22A1、22A2、22B1、22B2配置在载体搬送机构15的后方。载体搬送机构15能够接近载体载置部22A1、22A2、22B1、22B2。载体搬送机构15将载体C载置在载体载置部22A1、22A2、22B1、22B2。载体搬送机构15从载体载置部22A1、22A2、22B1、22B2获取载体C。
载体载置部22A1、22A2以在上下方向Z上排列的方式配置。载体载置部22A1配置在载体载置部22A2的上方。载体载置部22B1、22B2以在上下方向Z上排列的方式配置。载体载置部22B1配置在载体载置部22B2的上方。载体载置部22A1、22B1以在宽度方向Y上排列的方式配置。载体载置部22A1配置在载体载置部22B1的右方。载体载置部22A1配置在与载体载置部22B1大致相同的高度位置。载体载置部22A2、22B2以在宽度方向Y上排列的方式配置。载体载置部22A2配置在载体载置部22B2的右方。载体载置部22A2配置在与载体载置部22B2大致相同的高度位置。
以下，在不区分载体载置部22A1、22A2的情况下，记载为“载体载置部22A”。在不区分载体载置部22B1、22B2的情况下，记载为“载体载置部22B”。
所述架13在从载体载置部22A、22B退避的位置载置载体C。架13相当于本发明的载体退避部。
参照图1-4、6。图6是表示装载部21的内部构成的前视图。装载部21具备搬送空间23。搬送空间23配置在载体载置部22A、22B的后方。
搬送空间23具有大致箱形状。搬送空间23在俯视、侧视及前视下为大致矩形。
装载部21具备框架24。框架24作为搬送空间23的构架(骨架)设置。框架24划定搬送空间23的形状。框架24例如为金属制。
装载部21具备搬送部25。搬送部25设置在搬送空间23。搬送部25在载体载置部22A、22B上的载体C与处理区块31之间搬送衬底W。搬送部25无法接近架13上的载体C。
搬送部25包含第1搬送机构26及第2搬送机构27。第1搬送机构26与第2搬送机构27分别搬送衬底W。
第1搬送机构26与第2搬送机构27以在宽度方向Y上排列的方式配置。第1搬送机构26配置在第2搬送机构27的右方。第1搬送机构26配置在与第2搬送机构27大致相同的高度位置。第1搬送机构26配置在载体载置部22A的后方。第2搬送机构27配置在载体载置部22B的后方。
载体载置部22A配置在第1搬送机构26能够接近的区域内。载体载置部22A配置在第2搬送机构27能够接近的区域之外。载体载置部22B配置在第2搬送机构27能够接近的区域内。载体载置部22B配置在第1搬送机构26能够接近的区域之外。
第1搬送机构26具备支柱28a、升降部28b、旋转部28c及保持部28d、28e。支柱28a支撑在框架24。支柱28a固定在框架24。支柱28a无法相对于框架24移动。支柱28a在上下方向Z上延伸。升降部28b支撑在支柱28a。升降部28b能够相对于支柱28a在上下方向Z上移动。升降部28b无法相对于支柱28a在水平方向上移动。旋转部28c支撑在升降部28b。旋转部28c能够相对于升降部28b绕与上下方向Z平行的轴线旋转。旋转部28c无法相对于升降部28b在水平方向上移动。保持部28d、28e支撑在旋转部28c。保持部28d、28e能够相对于旋转部28c在水平方向上进退移动。保持部28d、28e能够相互独立地进退移动。保持部28d、28e分别与衬底W接触。保持部28d、28e分别将1片衬底W保持为水平姿势。
第2搬送机构27除左右对称的方面以外，具有与装载部21的第1搬送机构26大致相同的结构及形状。也就是说，第2搬送机构27具备支柱28a、升降部28b、旋转部28c及保持部28d、28e。
如此，本说明书中，在不同的要素具有相同的结构的情况下，通过对该结构标附共通的符号，而省略详细的说明。
<处理区块31>
参照图1-4、7。图7是处理区块31的前视图。处理区块31具有大致箱形状。处理区块31于俯视、侧视及前视下为大致矩形。
处理区块31具备框架32。框架32作为处理区块31的构架(骨架)设置。框架32划定处理区块31的形状。框架32例如为金属制。
参照图7。处理区块31具备以在上下方向Z上排列的方式配置的多个(例如7个)阶层33。多个阶层33于俯视下相互重叠。各阶层33分别一边搬送衬底W一边对衬底W进行处理。各阶层33能够同步地动作。各阶层33能够相互独立地动作。
处理区块31具备多个间隔壁34。间隔壁34支撑在框架32。间隔壁34具有水平的板形状。多个间隔壁34以在上下方向Z上排列的方式配置。间隔壁34划分各阶层33。间隔壁34配置在上下方向Z上相邻的2个阶层33之间。间隔壁34将在上下方向Z上相邻的2个阶层33隔开。进而，间隔壁34也配置在最低的阶层33的下方。间隔壁34作为阶层33的底壁发挥功能。
多个阶层33分别具备大致相同的要素。阶层33中所包含的要素的结构及形状在多个阶层33之间大致相同。阶层33中所包含的要素的配置在多个阶层33之间大致相同。以下，对各阶层33所具备的要素进行说明。
参照图1、7。阶层33分别具备搬送空间35。搬送空间35在俯视下配置在宽度方向Y上的阶层33的中央部。搬送空间35在前后方向X上延伸。搬送空间35具有前部及后部。各搬送空间35的前部与装载部21的搬送空间23相接。各搬送空间35的前部配置在第1搬送机构26的左方且后方。各搬送空间35的前部配置在第2搬送机构27的左方且后方。
阶层33分别具备1个主搬送机构36。主搬送机构36设置在搬送空间35。主搬送机构36搬送衬底W。
参照图1、3。主搬送机构36具备支柱37a、37b、升降部37c、水平移动部37d、旋转部37e及保持部37f、37g。支柱37a、37b支撑在框架32。支柱37a、37b固定在框架32。支柱37a、37b无法相对于框架32移动。支柱37a、37b在上下方向Z上延伸。支柱37a、37b以在前后方向X上排列的方式配置。支柱37a配置在搬送空间35的前部。支柱37b配置在搬送空间35的后部。更详细来说，支柱37a配置在搬送空间35的前部的左部。支柱37b配置在搬送空间35的后部的左部。升降部37c支撑在支柱37a、37b。升降部37c能够相对于支柱37a、37b在上下方向Z上移动。升降部37c在前后方向X上延伸。升降部37c具有前端及后端。升降部37c的前端连接在支柱37a。升降部37c的后端连接在支柱37b。水平移动部37d支撑在升降部37c。水平移动部37d能够相对于升降部37c在水平方向(具体来说为前后方向X)上移动。旋转部37e支撑在水平移动部37d。旋转部37e能够与水平移动部37d一体地在水平方向(具体来说为前后方向X)上移动。旋转部37e能够相对于水平移动部37d绕与上下方向Z平行的轴线旋转。保持部37f、37g支撑在旋转部37e。保持部37f、37g能够相对于旋转部37e在水平方向上进退移动。保持部37f、37g能够相互独立地进退移动。保持部37f、37g分别与衬底W接触。保持部37f、37g分别将1片衬底W保持为水平姿势。
参照图1、7。阶层33分别具备处理部41。处理部41对衬底W进行处理。
处理部41配置在搬送空间35的侧方。处理部41与搬送空间35在宽度方向Y上排列。处理部41与搬送空间35相接。
处理部41配置在主搬送机构36的侧方。处理部41与主搬送机构36在宽度方向Y上排列。设置在相同的阶层33的处理部41与主搬送机构36配置在大致相同的高度位置。处理部41配置于设置在与处理部41相同的阶层33的主搬送机构36能够接近的位置。
处理部41具备液体处理部42及热处理部47。液体处理部42、搬送空间35及热处理部47在宽度方向Y上排列。搬送空间35配置在液体处理部42与热处理部47之间。液体处理部42配置在搬送空间35的左方。热处理部47配置在搬送空间35的右方。液体处理部42对衬底W进行液体处理。液体处理是通过对衬底W供给处理液而进行的处理。热处理部47对衬底W进行热处理。
各阶层33的液体处理部42具备多个(例如3个)液体处理单元43。1个液体处理部42中所包含的所有液体处理单元43配置在大致相同的高度位置。液体处理单元43以在前后方向X上排成1列的方式配置。各液体处理单元43配置在与搬送空间35相接的位置。
阶层33分别具备腔室45。腔室45收容液体处理单元43。
液体处理单元43具备旋转保持部44a、喷嘴44b及承杯44c。旋转保持部44a配置在主搬送机构36能够接近的位置。旋转保持部44a将1片衬底W保持为水平姿势。旋转保持部44a能够使所保持的衬底W绕与上下方向Z平行的轴线旋转。喷嘴44b对衬底W喷出处理液。喷嘴44b能够移动地设置在喷出位置与退避位置。喷出位置是由旋转保持部44a保持的衬底W的上方位置。当喷嘴44b位于喷出位置时，喷嘴44b在俯视下与由旋转保持部44a保持的衬底W重叠。当喷嘴44b位于喷出位置时，喷嘴44b对衬底W喷出处理液。当喷嘴44b位于退避位置时，喷嘴44b在俯视下不与由旋转保持部44a保持的衬底W重叠。当喷嘴44b位于退避位置时，喷嘴44b不对衬底W喷出处理液。当喷嘴44b位于退避位置时，容许主搬送机构36接近旋转保持部44a。承杯44c回收处理液。承杯44c具有以与上下方向Z平行的轴线为中心的大致圆筒形状。承杯44c能够收容由旋转保持部44a及旋转保持部44a保持的衬底W。承杯44c包围由旋转保持部44a保持的衬底W的侧方。
参照图4。各阶层33的热处理部47具备多个(例如12个)热处理单元48。热处理单元48在侧视下配置成矩阵状。例如，热处理单元48以在前后方向X上4列且在上下方向Z上3段配置。各热处理单元48配置在与搬送空间35相接的位置。
参照图1、7。热处理单元48具备第1板49a。第1板49a配置在主搬送机构36能够接近的位置。第1板49a具有大致圆盘形状。第1板49a具有大致水平的上表面。1片衬底W配置在板49a的上表面。热处理单元48具备未图示的第1调温部。第1调温部安装在第1板49a。第1调温部将第1板49a调整为第1温度。第1板49a将衬底W调整为第1温度。第1板49a例如对衬底W进行冷却。
热处理单元48也可以还具备第2板49b。第2板49b设置在第1板49a的侧方。第2板49b配置在与第1板49a大致相同的高度。第2板49b配置在主搬送机构36无法接近的位置。第2板49b配置在比第1板49a远离主搬送机构36的位置。第2板49b例如配置在第1板49a的右方。在热处理单元48具备第2板49b的情况下，具备未图示的局部搬送机构与第2调温部。局部搬送机构在第1板49a与第2板49b之间搬送衬底W。第2调温部安装在第2板49b。第2调温部将第2板49b调整为第2温度。第2板49b将衬底W调整为第2温度。第2温度例如高于第1温度。第2板49b例如对衬底W进行加热。
参照图1、3。阶层33分别具备第1载置部51。在第1载置部51载置衬底W。
第1载置部51配置在装载部21的搬送部25与各阶层33的主搬送机构36之间。具体来说，第1载置部51配置在第1搬送机构26的后方且左方。第1载置部51配置在第2搬送机构27的后方且右方。第1载置部51配置在第1搬送机构26及第2搬送机构27分别能够接近的位置。第1载置部51配置在主搬送机构36的前方。设置在相同的阶层33的第1载置部51与主搬送机构36配置在大致相同的高度位置。第1载置部51配置于设置在与第1载置部51相同的阶层33的主搬送机构36能够接近的位置。
第1载置部51跨及阶层33的搬送空间35与装载部21的搬送空间23而设置。具体来说，第1载置部51的一部分配置在搬送空间35的前部。第1载置部51的剩余部分配置在搬送空间23。
搬送部25在载置在载体载置部22A、22B的载体C与第1载置部51之间搬送衬底W。
第1载置部51具备第1输送载置部52。第1输送载置部52专门供搬送部25载置衬底W。主搬送机构36不在第1输送载置部52载置衬底W。主要是主搬送机构36从第1输送载置部52获取衬底W。搬送部25不从第1输送载置部52获取衬底W。
第1载置部51具备第1返回载置部53。第1返回载置部53专门供主搬送机构36载置衬底W。搬送部25不在第1返回载置部53载置衬底W。主要是搬送部25从第1返回载置部53获取衬底W。主搬送机构36不从第1返回载置部53获取衬底W。
第1输送载置部52与第1返回载置部53以在上下方向Z上排列的方式配置。第1输送载置部52在俯视下与第1返回载置部53重叠。
各阶层33的第1输送载置部52以能够在第1输送载置部52同时载置4片衬底W的方式构成。各阶层33的第1返回载置部53以能够在第1返回载置部53同时载置4片衬底W的方式构成。以下进行具体说明。
图8A、8B是第1载置部的放大侧视图。设置在1个阶层33的第1载置部51具备8个载置单元54。在1个载置单元54载置1片衬底W。载置单元54以在上下方向Z上排成1列的方式配置。载置单元54在俯视下相互重叠。8个载置单元54中，4个载置单元54属于第1输送载置部52。剩余4个载置单元54属于第1返回载置部53。
载置单元54具备1个载置板55a与多个(例如3个)支撑销55b。载置板55a支撑在装载部21的框架24及处理区块31的框架32的至少任一个。载置板55a具有大致水平的板形状。支撑销55b支撑在载置板54。支撑销55b在上下方向Z上延伸。支撑销55b具有上端与下端。支撑销55b的下端连接在载置板55a。各支撑销55b的上端配置在相同的高度位置。支撑销55b的上端与衬底W的背面接触。支撑销55b支撑1片衬底W。由此，将1片衬底W以水平姿势载置在载置单元54。
参照图1、3。阶层33分别具备第2载置部56。在第2载置部56载置衬底W。
第2载置部56配置在主搬送机构36与接口部71之间。
第2载置部56配置在主搬送机构36的后方。设置在相同的阶层33的第2载置部56与主搬送机构36配置在大致相同的高度位置。第2载置部56配置于设置在与第2载置部56相同的阶层33的主搬送机构36能够接近的位置。
第2载置部56跨及阶层33的搬送空间35与接口部71而设置。具体来说，第2载置部56的一部分配置在搬送空间35的后部。第2载置部56的剩余部分配置在接口部71。
第2载置部56具备第2输送载置部57及第2返回载置部58。第2输送载置部57专门供主搬送机构36载置衬底W。接口部71不在第2输送载置部57载置衬底W。主要是接口部71从第2输送载置部57获取衬底W。主搬送机构36不从第2输送载置部57获取衬底W。第2返回载置部58专门供接口部71载置衬底W。主搬送机构36不在第2返回载置部58载置衬底W。主要是主搬送机构36从第2返回载置部58获取衬底W。接口部71不从第2返回载置部58获取衬底W。
第2输送载置部57与第2返回载置部58以在上下方向Z上排列的方式配置。第2输送载置部57在俯视下与第2返回载置部58重叠。
各阶层33的第2输送载置部57以能够在第2输送载置部57同时载置4片衬底W的方式构成。各阶层33的第2返回载置部58以能够在第2返回载置部58同时载置4片衬底W的方式构成。以下具体进行说明。
第2载置部56具有与第1载置部51大致相同的结构及形状。例如，设置在1个阶层33的第2载置部56具备8个载置单元(未图示)。在1个载置单元载置1片衬底W。载置单元以在上下方向Z上排成1列的方式配置。载置单元在俯视下相互重叠。8个载置单元中，4个载置单元属于第2输送载置部57。剩余4个载置单元属于第2返回载置部58。第2载置部56的载置单元具有与第1载置部51的载置单元54大致相同的结构及形状。
主搬送机构36将衬底W搬送到处理部41、第1载置部51及第2载置部56。更详细来说，主搬送机构36将衬底W搬送到设置在与主搬送机构36相同的阶层33的处理部41、第1载置部51及第2载置部56。主搬送机构36不将衬底W搬送到设置在与主搬送机构36不同的阶层33的处理部41、第1载置部51及第2载置部56。
参照图1、2。处理区块31具备泵室61。泵室61配置在邻接于液体处理部42的位置。更详细来说，泵室61与液体处理室42在前后方向X上排列。泵室61配置在液体处理部42的后方。泵室61与搬送空间35在宽度方向Y上排列。泵室61配置在搬送空间35的右方。
泵室61配置于在俯视下不与阶层33重叠的位置。更具体来说，泵室61在俯视下不与搬送空间35及处理部41重叠。例如，泵室61不配置在阶层33的下方。例如，泵室61不配置在搬送空间35的下方。例如，泵室61不配置在处理部41的下方。例如，泵室61不配置在液体处理部42的下方。
俯视下的泵室61的面积相对较小。泵室61的前后方向X的长度小于泵室61的上下方向Z的长度。泵室61的宽度方向Y的长度小于泵室61的上下方向Z的长度。
泵室61在上下方向Z上延伸。泵室61具有上端与下端。泵室61的上端低于最高的阶层33。泵室61的上端配置在与第2高的阶层33大致相同的高度位置。泵室61的下端低于最低的阶层33。
处理区块31具备多个泵62。泵62设置在泵室61。泵62以在上下方向Z上排列的方式配置。泵62对设置在至少任一阶层33的液体处理单元43输送处理液。泵62与设置在至少任一阶层33的液体处理单元43的喷嘴44b连通连接。
参照图2。说明各阶层33对衬底W进行的处理。为方便起见，将各阶层33从下向上称为第1阶层33a、第2阶层33b、第3阶层33c、第4阶层33d、第5阶层33e、第6阶层33f、第7阶层33g。第1阶层33a在阶层33中最低。第7阶层33g在阶层33中最高。
第6-第7阶层33f-33g的处理部41对衬底W进行相同的处理。第6-第7阶层33f-33g的处理部41分别对衬底W进行第1处理。第1处理包含在衬底W形成抗反射膜的抗反射膜形成处理。
第4-第5阶层33d-33e的处理部41对衬底W进行相同的处理。第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对衬底W进行第2处理。第2处理包含在衬底W形成抗蚀膜的抗蚀膜形成处理。
第1-第3阶层33a-33c的处理部41对衬底W进行相同的处理。第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别对衬底W进行第3处理。第3处理包含使衬底W显影的显影处理。
此外，第1处理不包含抗蚀膜形成处理及显影处理。第2处理不包含抗反射膜形成处理及显影处理。第3处理不包含抗反射膜形成处理及抗蚀膜形成处理。因此，第1处理与第2处理不同。第1处理与第3处理不同。第2处理与第3处理不同。
抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理及显影处理均属于液体处理。抗反射膜形成处理与抗蚀膜形成处理属于在曝光处理之前进行的曝光前处理。显影处理属于在曝光处理之后进行的曝光后处理。
第1处理不包含曝光后处理。第2处理不包含曝光后处理。第3处理不包含曝光前处理。
抗反射膜形成处理及抗蚀膜形成处理是本发明中的第1曝光前处理及第2曝光前处理的示例。
相应于阶层33之间的处理的不同，所述处理部41的构成的细部在阶层33之间不同。以下进行具体说明。
第6-第7阶层33f-33g的液体处理部42使用抗反射膜材料作为处理液。第6-第7阶层33f-33g的液体处理单元43相当于抗反射膜用涂布单元BARC。
第4-第5阶层33d-33e的液体处理部42使用抗蚀膜材料作为处理液。第4-第5阶层33d-33e的液体处理单元43相当于抗蚀膜用涂布单元RESIST。
第1-第3阶层33a-33c的液体处理部42使用显影液作为处理液。第1-第3阶层33a-33c的液体处理单元43相当于显影单元SD。
在第6-第7阶层33f-33g与第4-第5阶层33d-33e之间，喷嘴44b的形状也可不同。在第6-第7阶层33f-33g与第1-第3阶层33a-33c之间，喷嘴44b的形状也可不同。在第4-第5阶层33d-33e与第1-第3阶层33a-33c之间，喷嘴44b的形状也可不同。
顺便一提，泵62对设置在第4-第7阶层33d-33g的液体处理部42(液体处理单元43)输送处理液。泵62不对设置在第1-第3阶层33a-33c的液体处理部42(液体处理单元43)输送处理液。
参照图4。第1处理还包含疏水化处理、加热处理及冷却处理。疏水化处理、加热处理及冷却处理均属于热处理。疏水化处理是一边将包含六甲基二硅氮烷(HMDS：Hexamethyldisilazane)的处理气体供给到衬底W一边将衬底W调整为规定温度的处理。疏水化处理是为了提高衬底W与涂膜的密接性而进行。加热处理是对衬底W进行加热。冷却处理是对衬底W进行冷却。
因此，第6-第7阶层33f-33g的热处理单元48的一部分相当于疏水化处理单元AHP。第6-第7阶层33f-33g的热处理单元48的另一部分相当于加热单元HP。第6-第7阶层33f-33g的热处理单元48的剩余部分相当于冷却单元CP。
第2处理还包含加热处理与冷却处理。
因此，第4-第5阶层33d-33e的热处理单元48的一部分相当于加热单元HP。第4-第5阶层33d-33e的热处理单元48的剩余部分相当于冷却单元CP。
第3处理还包含加热处理与冷却处理。
因此，第1-第3阶层33a-33c的热处理单元48的一部分相当于加热单元HP。第1-第3阶层33a-33c的热处理单元48的剩余部分相当于冷却单元CP。
在疏水化处理单元AHP、加热单元HP及冷却单元CP之间，热处理单元48的结构也可以互不相同。例如，疏水化处理单元AHP与加热单元HP也可以具备第2板49b。冷却单元CP也可以不具备第2板49b。疏水化处理单元AHP也可以还具备将处理气体供给到衬底W的气体供给部。
第6-第7阶层33f-33g是本发明中的“进行第1处理的阶层”的示例。第4-第5阶层33d-33e是本发明中的“进行第2处理的阶层”的示例。第1-第3阶层33a-33c是本发明中的“进行第3处理的阶层”的示例。
<接口部71>
参照图1-4、9、10。图9是接口部71的前部的后视图。图10是接口部71的后部的后视图。接口部71具有大致箱形状。接口部71在俯视、侧视及前视下为大致矩形。
接口部71具备框架72。框架72作为接口部71的构架(骨架)设置。框架72划定接口部71的形状。框架72例如为金属制。
接口部71具备搬送部73。接口部71的搬送部73在第2载置部56与曝光机EXP之间搬送衬底W。
搬送部73具备第1搬送机构74与第2搬送机构75。第1搬送机构74与第2搬送机构75分别搬送衬底W。第1搬送机构74与第2搬送机构75以在宽度方向Y上排列的方式配置。第1搬送机构74配置在第2搬送机构75的右方。第1搬送机构74配置在与第2搬送机构75大致相同的高度位置。
第1搬送机构74配置在第2载置部56的后方且右方。第2搬送机构75配置在第2载置部56的后方且左方。第1搬送机构74与第2搬送机构75分别能够接近第2载置部56。
第1搬送机构74具有与装载部21的第1搬送机构26大致相同的结构及形状。第2搬送机构75除左右对称的方面以外，具有与装载部21的第1搬送机构26大致相同的结构及形状。
搬送部73具备第3搬送机构76。第3搬送机构76搬送衬底W。第3搬送机构76配置在第1搬送机构74及第2搬送机构75的后方。更详细来说，第3搬送机构76配置在第1搬送机构74的后方且左方。第3搬送机构76配置在第2搬送机构75的后方且右方。第3搬送机构76配置在与第1搬送机构74及第2搬送机构75大致相同的高度位置。更详细来说，第3搬送机构76配置在与第1搬送机构74的下部及第2搬送机构75的下部大致相同的高度位置。第3搬送机构76能够接近曝光机EXP。第3搬送机构76将衬底W移交给曝光机EXP，且从曝光机EXP接收衬底W。
第3搬送机构76具备驱动部77a及2个保持部77b、77c。驱动部77a支撑在框架72。保持部77b、77c支撑在驱动部77a。驱动部77a使保持部77b、77c移动。驱动部77a例如使保持部77b、77c在前后方向X、宽度方向Y及上下方向Z上移动。驱动部77a例如使保持部77b、77c绕与上下方向Z平行的轴线旋转。保持部77b、77c分别与衬底W接触。保持部77b、77c分别将1片衬底W保持为水平姿势。
接口部71具备中间载置部81。在中间载置部81载置衬底W。
中间载置部81配置在第1搬送机构74、第2搬送机构75、第3搬送机构76之间。中间载置部81配置在第1搬送机构74及第2搬送机构75的后方。中间载置部81配置在第1搬送机构74的后方且左方。中间载置部81配置在第2搬送机构75的后方且右方。中间载置部81配置在第3搬送机构76的前方。中间载置部81配置在与第1搬送机构74、第2搬送机构75及第3搬送机构76大致相同的高度位置。中间载置部81配置在与第1搬送机构74的下部及第2搬送机构75的下部大致相同的高度位置。中间载置部81配置在第1搬送机构74、第2搬送机构75及第3搬送机构76能够接近的位置。
参照图3、10。中间载置部81具备输送载置部82与返回载置部83。输送载置部82专门供第1搬送机构74及第2搬送机构75载置衬底W。第3搬送机构76不在输送载置部82载置衬底W。主要是第3搬送机构76从输送载置部82获取衬底W。第1搬送机构74及第2搬送机构75不从输送载置部82获取衬底W。返回载置部83专门供第3搬送机构76载置衬底W。第1搬送机构74及第2搬送机构75不在返回载置部83载置衬底W。主要是第1搬送机构74及第2搬送机构75从返回载置部83获取衬底W。第3搬送机构76不从返回载置部83获取衬底W。
输送载置部82与返回载置部83以在上下方向Z上排列的方式配置。输送载置部82在俯视下与返回载置部83重叠。
输送载置部82具备多个冷却载置单元84。在1个冷却载置单元84载置1片衬底W。冷却载置单元84对载置在冷却载置单元84的衬底W进行冷却。冷却载置单元84例如将衬底W的温度调整为适于曝光处理的温度。
冷却载置单元84以在上下方向Z上排成1列的方式配置。冷却载置单元84在俯视下相互重叠。
虽省略图示，但冷却载置单元84具有在载置单元54附加有调温部的结构。调温部安装在载置单元54的载置板55a，对载置板55a的温度进行调整。
返回载置部83具备多个载置单元85。在1个载置单元85载置1片衬底W。
载置单元85以在上下方向Z上排成1列的方式配置。载置单元85在俯视下相互重叠。载置单元85在俯视下与冷却载置单元84重叠。
载置单元85具有与载置单元54大致相同的结构及形状。
参照图1、2、4、9。接口部71具备洗净部91。洗净部91进行将衬底W洗净的洗净处理。洗净部91进而进行使衬底W干燥的干燥处理。搬送部73将衬底W搬送到洗净部91。
洗净部91具备第1洗净部92。第1洗净部92配置在第1搬送机构74能够接近的位置。第1洗净部92配置在不与第1搬送机构74邻接的位置。第1洗净部92配置在第1搬送机构74的侧方。第1洗净部92配置在第1搬送机构74的右方。第1洗净部92配置在与第1搬送机构74大致相同的高度位置。
第1洗净部92具备多个(例如3个)曝光前洗净单元93。曝光前洗净单元93以在上下方向Z上排成1列的方式配置。曝光前洗净单元93在俯视下相互重叠。曝光前洗净单元93配置在第1搬送机构74能够接近的位置。
曝光前洗净单元93对曝光处理前的衬底W进行洗净处理。具体来说，曝光前洗净单元93通过对衬底W供给洗净液而将衬底W洗净。例如，曝光前洗净单元93也可以对衬底W的背面供给洗净液而将衬底W的背面及周缘部洗净。曝光前洗净单元93例如也可以一边使衬底W旋转一边将衬底W洗净。曝光前洗净单元93例如也可以一边使刷接触衬底W一边将衬底W洗净。曝光前洗净单元93进而对曝光处理前的衬底W进行干燥处理。
第1洗净部92具备多个(例如3个)曝光后洗净单元94。曝光后洗净单元94以在上下方向Z上排成1列的方式配置。曝光后洗净单元94在俯视下相互重叠。曝光后洗净单元94配置在曝光前洗净单元93的下方。曝光后洗净单元94在俯视下与曝光前洗净单元93重叠。曝光后洗净单元94配置在第1搬送机构74能够接近的位置。
曝光后洗净单元94对曝光处理后的衬底W进行洗净处理。具体来说，曝光后洗净单元94通过对衬底W供给洗净液而将衬底W洗净。曝光后洗净单元94进而对衬底W进行干燥处理。
洗净部91具备第2洗净部95。第2洗净部95配置在第2搬送机构75能够接近的位置。第2洗净部95配置在与第2搬送机构75邻接的位置。第2洗净部95配置在第2搬送机构75的侧方。第2洗净部95配置在第2搬送机构75的左方。第2洗净部95配置在与第2搬送机构75大致相同的高度位置。
第2洗净部95具备多个(例如3个)曝光前洗净单元96。第2洗净部95具备多个(例如3个)曝光后洗净单元97。曝光前洗净单元96及曝光后洗净单元97除左右对称的方面以外，与曝光前洗净单元93及曝光后洗净单元94同样地配置。曝光前洗净单元96及曝光后洗净单元97除左右对称的方面以外，具有与曝光前洗净单元93及曝光后洗净单元94相同的结构及形状。
所述洗净处理(例如洗净部91对衬底W进行的处理)属于液体处理。对曝光处理前的衬底W进行的洗净处理(例如曝光前洗净单元93、96对衬底W进行的处理)属于曝光前处理。对曝光处理后的衬底W进行的洗净处理(例如曝光后洗净单元94、97对衬底W进行的处理)属于曝光后处理。
参照图1、2、4、10。接口部71具备热处理部101。热处理部101对衬底W进行热处理。搬送部73将衬底W搬送到热处理部101。
热处理部101具备第1热处理部102。第1热处理部102配置在第1搬送机构74能够接近的位置。第1热处理部102配置在与第1搬送机构74邻接的位置。第1热处理部102配置在第1搬送机构74的后方。第1热处理部102配置在第1洗净部92的后方。第1热处理部102在俯视下配置在中间载置部81的右方。第1热处理部102配置在与第1搬送机构74大致相同的高度位置。更详细来说，第1热处理部102配置在与第1搬送机构74的上部大致相同的高度位置。第1热处理部102配置在高于第3搬送机构76的位置。
第1热处理部102具备多个曝光后加热单元103。曝光后加热单元103以在上下方向Z上排成1列的方式配置。曝光后加热单元103在俯视下相互重叠。曝光后加热单元103配置在第1搬送机构74能够接近的位置。
曝光后加热单元103对曝光处理后的衬底W进行加热处理(也就是曝光后加热处理(Post Exposure Bake))。曝光后加热单元103具有与热处理单元48大致相同的结构及形状。更具体来说，曝光后加热单元103具有与相当于加热单元HP的热处理单元48大致相同的结构及形状。
热处理部101具备第2热处理部104。第2热处理部104配置在第2搬送机构75能够接近的位置。第2热处理部104配置在与第2搬送机构75邻接的位置。第2热处理部104配置在第2搬送机构75的后方。第2热处理部104配置在第2洗净部95的后方。第2热处理部104在俯视下配置在中间载置部81的左方。第2热处理部104配置在与第2搬送机构75大致相同的高度位置。更详细来说，第2热处理部104配置在与第2搬送机构75的上部大致相同的高度位置。第2热处理部104配置在高于第3搬送机构76的位置。
第2热处理部104具备多个曝光后加热单元105。曝光后加热单元105除左右对称的方面以外，与曝光后加热单元103同样地配置。曝光后加热单元105除左右对称的方面以外，具有与曝光后加热单元103相同的结构及形状。
所述曝光后加热处理(例如热处理部101对衬底W进行的处理)属于热处理。曝光后热处理属于曝光后处理。
<控制部107>
参照图1。衬底处理装置1具备控制部107。控制部107例如设置在装载部21。控制部107对堆积器部11、装载部21、处理区块31(阶层33)及接口部71进行控制。更具体来说，控制部107对载体搬送机构15、搬送部25、主搬送机构36及搬送部73进行控制。控制部107进而对处理部41、洗净部91及热处理部101进行控制。
控制部107是通过执行各种处理的中央运算处理装置(CPU)、成为运算处理的作业区域的RAM(Random-Access Memory，随机存取存储器)、固定磁盘等存储媒体等来实现。存储媒体中存储着用来处理衬底W的处理配方(处理程序)、或用来识别各衬底W的信息等各种信息。
<装载部21的搬送部25的动作>
图11是示意性地表示装载部21的第1搬送机构26的循环动作的图。图12是示意性地表示装载部21的第2搬送机构27的循环动作的图。
第1搬送机构26及第2搬送机构27依照控制部107的控制，重复进行图11及12所示的循环动作。第1搬送机构26的循环动作包含供给动作与层间搬送动作。也就是说，第1搬送机构26进行供给动作与层间搬送动作。供给动作是将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第1载置部51的动作。层间搬送动作是在设置在不同的阶层33的2个第1载置部51之间搬送衬底W的动作。
第2搬送机构27的循环动作包含回收动作。也就是说，第2搬送机构27进行回收动作。回收动作是将衬底W从第1载置部51搬送到载置在载体载置部22B的载体C的动作。
此外，第1搬送机构26不进行回收动作。第2搬送机构27不进行供给动作与层间搬送动作。如此，搬送部25在载置在载体载置部22A、22B的载体C与第1载置部51之间搬送衬底W。
<衬底处理装置的动作>
图13是示意性地表示衬底W的搬送路径的概要的图。图13以单点划线表示衬底W的搬送路径。图13中，为方便起见，对第1阶层33a的要素的符号标附“a”。例如“52a”是指第1阶层33a的第1输送载置部52。同样地，对第2-第7阶层33b-33g的要素的符号标附“b-g”。
衬底处理装置1将各衬底W搬送到多个阶层33。衬底处理装置1在至少2个以上的阶层33中对各衬底W进行处理。
具体来说，各衬底W被搬送到第6-第7阶层33f-33g的任一个、第4-第5阶层33d-33e的任一个、及第1-第3阶层33a-33c的任一个。各衬底W在第6-第7阶层33f-33g的任一个、第4-第5阶层33d-33e的任一个、及第1-第3阶层33a-33c的任一个中被进行处理。
图14是示意性地表示衬底W所通过的衬底处理装置1的要素(例如处理单元)的图。图14中，为方便起见，对第1-第7阶层33a-33g的要素的符号标附“a-g”。衬底处理装置1的动作例包含供给步骤、处理步骤、层间搬送步骤及回收步骤。
参照图11-14，对供给步骤、处理步骤、层间搬送步骤及回收步骤进行说明。
<<供给步骤>>
第1搬送机构26通过进行供给动作，将衬底W从载体C搬送到第6-第7阶层33f-33g。
具体来说，第1搬送机构26从载置在载体载置部22A的载体C搬出衬底W，将衬底W载置到第6阶层33f的第1输送载置部52f。第1搬送机构26从载置在载体载置部22A的载体C搬出衬底W，将衬底W载置到第7阶层33g的第1输送载置部52g。
<<处理步骤>>
在第6阶层33f中，对衬底W进行第1处理(包含抗反射膜形成处理的处理)。
具体来说，第6阶层33f的主搬送机构36f从第1输送载置部52f获取衬底W，将衬底W搬送到第6阶层33f的处理部41。主搬送机构36f例如依次将衬底W搬送到疏水化处理单元AHPf、抗反射膜用涂布单元BARCf、加热单元HPf、冷却单元CPf。第6阶层33f的处理部41对衬底W进行第1处理。第6阶层33f的处理部41例如依次对衬底W进行疏水化处理、抗反射膜形成处理、加热处理及冷却处理。主搬送机构36f将在第6阶层33f中已进行第1处理的衬底W载置到第6阶层33f的第1返回载置部53f。
当主搬送机构36f将衬底W搬送到疏水化处理单元AHPf时，主搬送机构36f也可以将疏水化处理单元AHPf内的已处理衬底W替换为未处理衬底W。例如，在主搬送机构36f以保持部37f保持未处理衬底W的状态下，主搬送机构36f也可以使用保持部37g将疏水化处理单元AHPf内的已处理衬底W从疏水化处理单元AHPf搬出。继而，主搬送机构36f也可以使用保持部37f将未处理衬底W搬入到疏水化处理单元AHPf。同样地，当主搬送机构36f将衬底W搬送到其他单元BARCf、HPf、CPf时，主搬送机构36f也可以将已处理衬底W替换为未处理衬底W。
与第6阶层33f同样地，在第7阶层33g中，对衬底W进行第1处理。具体来说，第7阶层33g的主搬送机构36g将衬底W从第1输送载置部52g搬送到第7阶层33g的处理部41(具体来说，疏水化处理单元AHPg、抗反射膜用涂布单元BARCg、加热单元HPg、及冷却单元CPg)。第7阶层33g的处理部41对衬底W进行第1处理。第1主搬送机构36g将在第7阶层33g中已进行第1处理的衬底W载置到第7阶层33g的第1返回载置部53g。
<<层间搬送步骤>>
第1搬送机构26通过进行层间搬送动作，而将衬底W从第6-第7阶层33f-33g搬送到第4-第5阶层33d-33e。
具体来说，第1搬送机构26获取第1返回载置部53f上的衬底W，将衬底W载置在第4阶层33d的第1输送载置部52d。第1搬送机构26获取第1返回载置部53g上的衬底W，将衬底W载置在第4阶层33e的第1输送载置部52e。
<<处理步骤>>
在第4阶层33d中，对衬底W进行第2处理(包含抗蚀膜形成处理的处理)。
具体来说，第4阶层33d的主搬送机构36d从第1输送载置部52d获取衬底W，将衬底W搬送到第4阶层33d的处理部41。主搬送机构36d例如依次将衬底W搬送到抗蚀膜用涂布单元RESISTd、加热单元HPd、冷却单元CPd。第4阶层33d的处理部41对衬底W进行第2处理。第4阶层33d的处理部41例如依次对衬底W进行抗蚀膜形成处理、加热处理及冷却处理。主搬送机构36d将在第4阶层33d中已进行第2处理的衬底W载置到第4阶层33d的第2输送载置部57d。
与第4阶层33d同样地，在第5阶层33e中，对衬底W进行第2处理。具体来说，第5阶层33e的主搬送机构36e将衬底W从第1输送载置部52e搬送到第5阶层33g的处理部41(具体来说，抗蚀膜用涂布单元RESISTd、加热单元HPd、及冷却单元CPd)。第5阶层33e的处理部41对衬底W进行第2处理。主搬送机构36e将在第5阶层33e中已进行第2处理的衬底W载置到第5阶层33e的第2输送载置部57e。
接口部71的搬送部73将衬底W从第2输送载置部57d、57e经由曝光前洗净单元93、96搬送到曝光机EXP。
具体来说，第1搬送机构74从第2输送载置部57d搬送到曝光前洗净单元93。曝光前洗净单元93对衬底W进行洗净处理。第1搬送机构74将衬底W从曝光前洗净单元93搬送到输送载置部82(也就是冷却载置单元84)。第2搬送机构75将衬底W从第2输送载置部57e搬送到曝光前洗净单元96。曝光前洗净单元96对衬底W进行洗净处理。第2搬送机构75将衬底W从曝光前洗净单元96搬送到输送载置部82。第3搬送机构76将衬底W从输送载置部82搬送到曝光机EXP。曝光机EXP对衬底W进行曝光处理。
搬送部73将衬底W从曝光机EXP经由曝光后洗净单元94、97及曝光后加热单元103、105搬送到第2返回载置部58a-58c。
具体来说，第3搬送机构76从曝光机EXP搬送到返回载置部83(也就是载置单元85)。第1搬送机构74将衬底W从返回载置部83搬送到曝光后洗净单元94。曝光后洗净单元94对衬底W进行洗净处理。第1搬送机构74将衬底W从曝光后洗净单元94搬送到曝光后加热单元103。曝光后加热单元103对衬底W进行曝光后加热处理。第1搬送机构74将衬底W从曝光后加热单元103搬送到第1-第3阶层33a-33c的第2返回载置部58a-58c。同样地，第2搬送机构75将衬底W从返回载置部83搬送到曝光后洗净单元97。曝光后洗净单元97对衬底W进行洗净处理。第2搬送机构75将衬底W从曝光后洗净单元97搬送到曝光后加热单元105。曝光后加热单元105对衬底W进行曝光后加热处理。第2搬送机构75将衬底W从曝光后加热单元105搬送到第1-第3阶层33a-33c的第2返回载置部58a-58c。
此外，接口部71的搬送部73不进行层间搬送动作。此处，对于搬送部73而言的层间搬送动作是不经由洗净部91、热处理部101及曝光机EXP的至少任一个而在设置在不同的阶层33的2个第2载置部56之间搬送衬底W。
在第1阶层33a中，对衬底W进行第3处理(包含显影处理的处理)。
具体来说，第1阶层33a的主搬送机构36a从第2返回载置部58a获取衬底W，将衬底W搬送到第1阶层33a的处理部41。主搬送机构36a例如依次将衬底W搬送到显影单元SDa、加热单元HPa、冷却单元CPa。第1阶层33a的处理部41对衬底W进行第3处理。第1阶层33a的处理部41例如依次对衬底W进行显影处理、加热处理及冷却处理。主搬送机构36a将在第1阶层33a中已进行第3处理的衬底W载置到第1阶层33a的第1返回载置部53a。
与第1阶层33a同样地，在第2-第3阶层33b-33c中，对衬底W进行第3处理。具体来说，第2阶层33b的主搬送机构36b将衬底W从第3返回载置部58b搬送到第2阶层33b的处理部41(具体来说，显影单元SDb、加热单元HPb、及冷却单元CPb)。第3阶层33c的主搬送机构36c将衬底W从第3返回载置部58c搬送到第3阶层33c的处理部41(具体来说，显影单元SDc、加热单元HPc、及冷却单元CPc)。第2-第3阶层33b-33c的处理部41分别对衬底W进行第3处理。主搬送机构36b将在第2阶层33b中已进行第3处理的衬底W载置到第2阶层33b的第1返回载置部53b。主搬送机构36c将在第3阶层33c中已进行第3处理的衬底W载置到第3阶层33c的第1返回载置部53c。
<<回收步骤>>
第2搬送机构27通过进行回收动作而将衬底W从第1-第3阶层33a-33c搬送到载体C。
具体来说，第2搬送机构27从第1返回载置部53a获取衬底W，将衬底W搬入到载置在载体载置部22B的载体C。同样地，第2搬送机构27将衬底W从第1返回载置部53b搬送到载置在载体载置部22B的载体C。第2搬送机构27将衬底W从第1返回载置部53c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
<装载部21的搬送部25对第1载置部51的动作>
参照图8A、8B，说明搬送部25对第1载置部51的详细动作例。
如上所述，设置在1个阶层33的第1载置部51具备8个载置单元54。为方便起见，将设置在1个阶层33的8个载置单元54称为载置单元54a、54b、···、54h。载置单元54a-54d属于第1返回载置部53。载置单元54e-54h属于第1输送载置部52。
参照图8A。搬送部25在第1载置部51同时载置2片衬底W。具体来说，第1搬送机构26在以保持部28d、28e保持着2片衬底W的状态下，接近第1载置部51。然后，第1搬送机构26在第1输送载置部52同时载置2片衬底W。如此，通过对第1输送载置部52的1次接近，第1搬送机构26能够在第1输送载置部52载置2片衬底W。因此，第1搬送机构26能够高效率地搬送衬底W。
如上所述，以能够在第1输送载置部52同时载置4片衬底W的方式构成第1输送载置部52。因此，在第1搬送机构26将2片衬底W载置在第1输送载置部52后，第1搬送机构26能够在第1输送载置部52载置其他2片衬底W。
例如，第1搬送机构26能够将第1、第2衬底W同时载置在载置单元54e、54f。之后，第1搬送机构26能够将第3、第4衬底W同时载置在载置单元54g、54h。
进而，在第1搬送机构26将第3、第4衬底W载置在载置单元54g、54h的期间，主搬送机构36能够从载置单元54e、54f获取第1、第2衬底W。更详细来说，在第1搬送机构26将第1、第2衬底W载置在载置单元54e、54f之后，且第1搬送机构26将第5、第6衬底W载置在载置单元54e、54f之前，主搬送机构36能够从载置单元54e、54f获取第1、第2衬底W。因此，在第1搬送机构26将第3、第4衬底W载置在载置单元54g、54h后，第1搬送机构26能够将第5、第6衬底W同时载置在载置单元54e、54f。如此，第1搬送机构26能够流畅地重复进行将衬底W载置在第1输送载置部52的动作。
此处，存在第1搬送机构26与主搬送机构36同时接近第1输送载置部52的情况。例如，当第1搬送机构26接近载置单元54g、54h时，存在主搬送机构36接近载置单元54e-54f的情况。载置单元54g、54h的位置与载置单元54e-54f的位置不同。载置单元54g、54h配置在载置单元54e-54f的上方。因此，不必担心第1搬送机构26与主搬送机构36相互干涉。如此，即使第1搬送机构26与主搬送机构36同时接近第1输送载置部52时，也能够容易避免第1搬送机构26与主搬送机构36的干涉。因此，容许第1搬送机构26与主搬送机构36同时接近第1输送载置部52。因此，当第1搬送机构26与主搬送机构36的其中一个接近第1输送载置部52时，第1搬送机构26与主搬送机构36的另一个无需待机。因此，能够进一步提高第1搬送机构26搬送衬底W的效率。同样地，能够进一步提高主搬送机构36搬送衬底W的效率。
如上所述，即使在1次动作中第1搬送机构26将2片衬底W同时载置在第1输送载置部52的情况下，第1搬送机构26也能够流畅地重复进行将衬底W载置在第1输送载置部52的动作。
此外，搬送部25将衬底W载置在第1输送载置部52的动作包含于所述供给动作。搬送部25将衬底W载置在第1输送载置部52的动作也包含于所述层间搬送动作。
参照图8B。搬送部25从第1载置部51同时获取2片衬底W。具体来说，第1搬送机构26接近第1载置部51。然后，第1搬送机构26使用保持部28d、28e从第1返回载置部53同时获取2片衬底W。如此，通过对第1返回载置部53的1次接近，第1搬送机构26能够从第1返回载置部53获取2片衬底W。因此，第1搬送机构26能够高效率地搬送衬底W。
如上所述，以能够在第1返回载置部53同时载置4片衬底W的方式构成第1返回载置部53。因此，在第1搬送机构26从第1返回载置部53获取2片衬底W后，第1搬送机构26能够从第1返回载置部53获取其他2片衬底W。
例如，第1搬送机构26从载置单元54a、54b同时获取第1、第2衬底W。之后，第1搬送机构26能够从载置单元54c、54d同时获取第3、第4衬底W。
进而，在第1搬送机构26获取载置单元54c、54d上的第3、第4衬底W的期间，主搬送机构36能够将第5、第6衬底W载置在载置单元54a、54b。更详细来说，在第1搬送机构26获取载置单元54a、54b上的第1、第2衬底W后，且第1搬送机构26再次接近载置单元54a、54b之前，主搬送机构36能够将第5、第6衬底W载置在载置单元54a、54b。因此，在第1搬送机构26从载置单元54c、54d获取第3、第4衬底W后，第1搬送机构26能够从载置单元54a、54b同时获取第5、第6衬底W。如此，第1搬送机构26能够流畅地重复进行从第1返回载置部53获取衬底W的动作。
此处，存在第1搬送机构26与主搬送机构36同时接近第1返回载置部53的情况。例如，当第1搬送机构26接近载置单元54c、54d时，存在主搬送机构36接近载置单元54a-54b的情况。载置单元54c、54d的位置与载置单元54a、54b的位置不同。因此，不必担心第1搬送机构26与主搬送机构36相互干涉。如此，即使第1搬送机构26与主搬送机构36同时接近第1返回载置部53时，也能够容易避免第1搬送机构26与主搬送机构36的干涉。因此，容许第1搬送机构26与主搬送机构36同时接近第1返回载置部53。因此，当第1搬送机构26与主搬送机构36的其中一个接近第1返回载置部53时，第1搬送机构26与主搬送机构36的另一个无需待机。因此，能够进一步提高第1搬送机构26搬送衬底W的效率。同样地，能够进一步提高主搬送机构36搬送衬底W的效率。
如上所述，即使在1次动作中第1搬送机构26从第1返回载置部53同时获取2片衬底W的情况下，第1搬送机构26也能够流畅地重复进行从第1返回载置部53获取衬底W的动作。
虽省略图示，但第2搬送机构27也从第1返回载置部53同时获取2片衬底W。因为能够在第1返回载置部53载置4片衬底W，所以第2搬送机构27能够流畅地重复进行从第1返回载置部53获取衬底W的动作。进而，即使第2搬送机构27与主搬送机构36同时接近第1返回载置部53时，也能够容易避免第2搬送机构27与主搬送机构36的干涉。
此外，搬送部25从第1返回载置部53获取衬底W的动作包含于所述层间搬送动作及回收动作。
供给动作及回收动作中，搬送部25接近第1载置部51。但是，供给动作中，搬送部25接近第1输送载置部52，不接近第1返回载置部53。回收动作中，搬送部25接近第1返回载置部53，不接近第1输送载置部52。第1输送载置部52的位置与第1返回载置部53的位置不同。因此，供给动作中接近第1输送载置部52的搬送部25的动作与回收动作中接近第1返回载置部53的搬送部25的动作互不干涉。
供给动作及层间搬送动作中，搬送部25接近第1输送载置部52。但，关于供给动作中搬送部25所接近的第1输送载置部52与层间搬送动作中搬送部25所接近的第1输送载置部52，阶层33不同。例如在供给动作中，搬送部25接近第1输送载置部52f、52g，不接近第1输送载置部52d、52e。在层间搬送动作中，搬送部25接近第1输送载置部52d、52e，不接近第1输送载置部52f、52g。因此，供给动作中接近第1输送载置部52的搬送部25的动作与层间搬送动作中接近第1输送载置部52的搬送部25的动作互不干涉。
层间搬送动作及回收动作中，搬送部25接近第1返回载置部53。但，关于层间搬送动作中搬送部25所接近的第1返回载置部53与回收动作中搬送部25所接近的第1返回载置部53，阶层不同。例如在层间搬送动作中，搬送部25接近第1返回载置部53f、53g，不接近第1返回载置部53a-53c。在回收动作中，搬送部25接近第1返回载置部53a-53c，不接近第1返回载置部53f、53g。因此，层间搬送动作中接近第1返回载置部53的搬送部25的动作与回收动作中接近第1返回载置部53的搬送部25的动作互不干涉。
<堆积器部11与装载部的动作>
图15A-15D是示意性地表示堆积器部11与装载部21的动作的图。图15A-15D将载体载置部22A1、22A2示于与图1不同的位置。
第2搬送机构27不进行供给动作。仅第1搬送机构26进行供给动作。第1搬送机构26能够接近载置在载体载置部22A的载体C，无法接近载置在载体载置部22B的载体C。因此，搬送部25仅从载置在载体载置部22A的载体C搬出衬底W，不从载置在载体载置部22B的载体C搬出衬底W。因此，图15A-15D中省略载体载置部22B的图示。
参照图15A。载体Ca载置在载体载置部22A1。搬送部25(具体来说第1搬送机构26)已将载体Ca内的所有衬底W(例如衬底Wa1、Wa2、Wa3)搬出，所以载体Ca未收容衬底W。载体Cb载置在载体载置部22A2。载体Cb收容未处理衬底W。搬送部25从载体Cb搬出衬底Wb1。载体Cc载置在架13。载体Cc收容未处理衬底W。
参照图15B。载体搬送机构15将载体Ca从载体载置部22A1搬送到架13。搬送部25从载体Cb搬出衬底Wb2。
参照图15C。载体搬送机构15将载体Cc从架13搬送到载体载置部22A1。搬送部25从载体Cb搬出衬底Wb3。
参照图15D。搬送部25已将载体Cb内的所有衬底W搬出，所以载体Cb未收容衬底W。搬送部25从载体Cc搬出衬底Wc1。
如此，装载部21具备2个载体载置部22A1、22A2。因此，在搬送部25从载体载置部22A2上的载体Cb搬出所有衬底W之前，载体搬送机构15能够将载体Cc载置在载体载置部22A1。换句话说，在搬送部25从载体Cb搬出衬底W的期间，载体搬送机构15能够将载体载置部22A1上的载体Ca更换为载体Cc。因此，在搬送部25从载体Cb搬出所有衬底W后，搬送部25能够快速地从载体Cc开始搬出衬底W。因此，当更换载体C时，不必担心利用搬送部25的衬底W的搬送效率降低。
图16A-16C是示意性地表示堆积器部11与装载部21的动作的图。图16A-16C将载体载置部22B1、22B2示于与图1不同的位置。
第1搬送机构26不进行回收动作。仅第2搬送机构27进行回收动作。第2搬送机构27能够接近载置在载体载置部22B的载体C，无法接近载置在载体载置部22A的载体C。因此，搬送部25将衬底W仅搬入到载置在载体载置部22B的载体C，不将衬底W搬入到载置在载体载置部22A的载体C。因此，图16A-16C中省略载体载置部22A的图示。
第2搬送机构27的回收动作是将衬底W从第1-第3阶层33a-33c搬送到载体C的动作。第1-第3阶层33a-33c是第1-第7阶层33a-33g中衬底W最后通过的阶层33。第1-第3阶层33a-33c的第1载置部51在衬底W被搬入到载体C之前，相当于衬底W最后所载置的部位。
第1-第3阶层33a-33c是本发明中的最终阶层的示例。
以下说明中，在不特别区分第1-第3阶层33a-33c的情况下，记载为阶层33out。在不特别区分第1-第3阶层33a-33c的主搬送机构36a-36c的情况下，记载为主搬送机构36out。在不特别区分第1-第3阶层33a-33c的第1载置部51a-51c的情况下，记载为第1载置部51out。在不特别区分第1-第3阶层33a-33c的第1返回载置部53a-53c的情况下，记载为第1返回载置部53out。
参照图16A。载体Ca载置在载体载置部22B1。在载体载置部22B2未载置载体C。载体Cb载置在架13。搬送部25将衬底W搬入到载体Ca。具体来说，第2搬送机构27将衬底Wa2从阶层33out的第1载置部51out(具体来说，第1返回载置部53out)搬送到载体Ca。阶层33out的主搬送机构36out将衬底Wa3载置在第1载置部51out(具体来说，第1返回载置部53out)。主搬送机构36out在阶层33out中搬送衬底Wb1。衬底Wb1尚未载置在第1载置部51out(具体来说，第1返回载置部53out)。
此处，衬底Wa3是要搬入到载体Ca的预定衬底W。衬底Wa3例如是由搬送部25从载体Ca搬出的衬底W。衬底Wb1是要搬入到载体Cb的预定衬底W。下述衬底Wb2、Wb3也是要搬入到载体Cb的预定衬底W。衬底Wb1、Wb2、Wb3例如是由搬送部25从载体Cb搬出的衬底W。
参照图16B。搬送部25将衬底Wa3搬入到载体Ca。主搬送机构36out将衬底Wb1载置在第1载置部51out。主搬送机构36out在阶层33out中搬送衬底Wb2。
控制部107对阶层33out的主搬送机构36out的配给动作进行检测。主搬送机构36out的配给动作是主搬送机构36out将衬底W载置在第1载置部51out的动作。也可以将主搬送机构36out的配给动作替换为阶层33out中的配给动作。
控制部107基于配给动作的检测结果，决定载体搬送机构15的动作的时点。载体搬送机构15的动作例如是将载体Cb从架13搬送到载体载置部22B2的载体搬送机构15的动作。载体搬送机构15依照控制部107的控制进行动作。以下例示控制部107对载体搬送机构15的控制。
控制部107对主搬送机构36out的配给动作的次数进行计数。控制部107判定主搬送机构36out的配给动作的次数是否成为规定值。预先决定规定值。规定值例如于在第1载置部51out实际载置衬底Wb1之前决定。规定值由控制部107能够参照的信息(例如调度信息)决定。
此处，调度信息是与衬底处理装置1中的衬底W的处理预定及搬送预定所相关的信息。调度信息包含将来的时刻与衬底W的位置的关系所相关的信息。调度信息例如也可以包含表示衬底Wb1何时位于何种位置的信息。调度信息例如也可以包含与衬底Wb1载置在第1载置部51out的预定时刻所相关的信息。例如，即使调度信息不包含直接表示所述预定时刻的信息，控制部107也能够基于调度信息推定所述预定时刻。
进而，调度信息包含与衬底W的搬送顺序所相关的信息。例如调度信息也可以包含表示衬底Wa2、Wa3、Wb1、Wb2、Wb3依次载置在第1载置部51out的信息。例如调度信息也可以包含表示在衬底Wa2、Wa3、Wb1、Wb2、Wb3中，衬底Wb1第3个载置在第1载置部51out的信息。例如即使调度信息不包含直接表示所述衬底Wb1的次序(“第3个”)的信息，控制部107也能够基于调度信息推定所述的衬底Wb1的次序。
例如，在预定将衬底Wb1第3个载置在第1载置部51out的情况下，所述规定值被定为“3”。
判定配给动作的次数是否成为规定值相当于判定衬底Wb1是否载置在第1载置部51out。换句话说，判定配给动作的次数是否成为规定值相当于特定出衬底Wb1实际载置在第1载置部51out的时刻。
此处，衬底Wb1是要搬入到载体Cb的预定衬底W。载体Cb载置在架13。更详细来说，衬底Wb1是衬底Wb1、Wb2、Wb3中最初要搬入到载置在架13的载体Cb的预定衬底W。换句话说，衬底Wb1是要搬入到载置在架13的载体Cb的预定衬底Wb1、Wb2、Wb3中最初载置在第1载置部51out的衬底W。
因此，判定配给动作的次数是否成为规定值例如说明如下。
·判定配给动作的次数是否成为规定值相当于判定最初要搬入到载置在架13的载体Cb的预定衬底Wb1是否载置在第1载置部51out。
·判定配给动作的次数是否成为规定值相当于判定要搬入到载置在架13的载体Cb的预定衬底W是否初次载置在第1载置部51out。
·判定配给动作的次数是否成为规定值相当于特定出最初要搬入到载置在架13的载体Cb的预定衬底W实际载置在第1载置部51out的时刻。
·判定配给动作的次数是否成为规定值相当于特定出要搬入到载置在架13的载体Cb的预定衬底W初次实际载置在第1载置部51out的时刻。
在控制部107判定衬底Wb1已载置在第1载置部51out的时间点，控制部107使载体搬送机构15的动作(具体来说，将要被搬入衬底Wb1的预定载体Cb从架13搬送到载体载置部22B2的载体搬送机构15的动作)开始。
依照控制部107的控制，载体搬送机构15将载体Cb从架13搬送到载体载置部22B2。载体Cb载置在载体载置部22B2。
参照图16C。搬送部25将衬底Wb1搬入到载体Cb。主搬送机构36out将衬底Wb2载置在第1载置部51out。主搬送机构36out在阶层33out中搬送衬底Wb3。载体搬送机构15将载体Ca从载体载置部22B1搬送到架13。结果，在载体载置部22B1未载置载体C。
如上所述，载体搬送机构15在适当的时点将载体Cb载置在载体载置部22B2(参照图16B)。因此，在将衬底Wb1载置在第1载置部51out后，搬送部25能够快速地将衬底Wb1搬入到载体Cb(参照图16C)。搬送部25能够在继将衬底W搬入到载体Ca的回收动作之后，顺利地进行将衬底W搬入到载体Cb的回收动作。
如上所述，通过使控制部107参照调度信息，控制部107能够取得或推定衬底Wb1载置在第1载置部51out的预定时刻。尽管如此，但控制部107基于配给动作的检测结果，特定出衬底Wb1实际载置在第1载置部51out的时刻。然后，控制部107基于配给动作的检测结果，决定载体搬送机构15的动作的时点。因此，控制部107能够更确实地决定载体搬送机构15的动作的时点。
<第1实施方式的效果>
第1实施方式的衬底处理装置1具备装载部21与多个阶层33。各阶层33具备第1载置部51。装载部21具备载体载置部22A、22B与搬送部25。搬送部25在载置在载体载置部22A、22B的载体C与第1载置部51之间搬送衬底W。搬送部25具备第1搬送机构26。第1搬送机构26进行供给动作，将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第1载置部51。因此，主搬送机构36能够直接获取由第1搬送机构26载置在第1载置部51的衬底W。因此，能够在第1搬送机构26与主搬送机构36之间高效率地搬送衬底W。因此，能够适宜地提高衬底处理装置1的处理量。
第1搬送机构26进而进行层间搬送动作，在设置在不同的阶层33的2个第1载置部51之间搬送衬底W。因此，也可以不将仅进行层间搬送动作的搬送机构另外设置在衬底处理装置1。因此，能够适宜地减少衬底处理装置1的占据面积(设置面积)。
如上所述，根据第1实施方式的衬底处理装置1，能够减少衬底处理装置1的占据面积，且能够提高衬底处理装置1的处理量。
第6-第7阶层33f-33g的处理部41分别对衬底W进行第1处理。第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对衬底W进行与第1处理不同的第2处理。第1搬送机构26在第6阶层33f的第1载置部51f与第4阶层33d的第1载置部51d之间搬送衬底W。第1搬送机构26在第7阶层33g的第1载置部51g与第5阶层33e的第1载置部51e之间搬送衬底W。如此，层间搬送动作包含在第1载置部51f与第1载置部51d之间搬送衬底W。层间搬送动作包含在第1载置部51g与第1载置部51e之间搬送衬底W。因此，能够对衬底W高效率地进行第1处理及第2处理。
第1处理包含第1曝光前处理(具体来说抗反射膜形成处理)。第2处理包含第2曝光前处理(具体来说抗蚀膜形成处理)。第2曝光前处理与第1曝光前处理不同。因此，能够对衬底W高效率地进行第1曝光前处理与第2曝光前处理。
第1处理包含第1液体处理(具体来说抗反射膜形成处理)。第2处理包含第2液体处理(具体来说抗蚀膜形成处理)。第2液体处理与第1液体处理不同。因此，能够高效率地对衬底进行第1液体处理与第2液体处理。
第1处理包含抗反射膜形成处理，不包含抗蚀膜形成处理。第2处理包含抗蚀膜形成处理，不包含抗反射膜形成处理。因此，能够对衬底W高效率地进行抗反射膜处理及抗蚀膜形成处理。
第1搬送机构26将衬底W从第1载置部51f、51g搬送到第1载置部51d、51e。如此，层间搬送动作包含将衬底W从第1载置部51f、51g搬送到第1载置部51d、51e。因此，能够将衬底W从第6-第7阶层33f-33g搬送到第4-第5阶层33d-33e。因此，能够在对衬底W进行抗反射膜形成处理之后，对衬底W进行抗蚀膜形成处理。
搬送部25将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第1载置部51f-51g。如此，供给动作包含将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第1载置部51f、51g。因此，能够高效率地将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到进行第1处理的阶层33(具体来说，第6-第7阶层33f-33g)。
进行第1处理的阶层33的数量为2个。因此，能够在2个阶层33中对衬底W进行第1处理。因此，能够适宜地提高衬底处理装置1的处理量。
进行第2处理的阶层33的数量为2个。因此，能够在2个阶层33中对衬底进行第2处理。因此，能够适宜地提高衬底处理装置1的处理量。
第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别对衬底W进行第3处理。第3处理包含显影处理。因此，能够高效率地对衬底W进行显影处理。
搬送部25将衬底W从第1载置部51a-51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。如此，回收动作包含将衬底W从第1载置部51a-51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。因此，能够将已进行显影处理的衬底W高效率地搬送到载体C。
进行第3处理的阶层33的数量为3个。因此，能够在3个阶层33中对衬底W进行第3处理。因此，能够适宜地提高衬底处理装置1的处理量。
各阶层33具备第2载置部56。衬底处理装置1具备接口部71。接口部具备搬送部73。搬送部73在第2载置部56与曝光机EXP之间搬送衬底W。但，搬送部73不进行层间搬送动作。具体来说，搬送部73不在设置在不同的阶层33的2个第2载置部56之间搬送衬底W。因此，搬送部73能够在阶层33与曝光机EXP之间高效率地搬送衬底W。
接口部71具备洗净部91与热处理部101。搬送部73还将衬底W搬送到洗净部91与热处理部101。如上所述，搬送部73不进行层间搬送动作。因此，即使在接口部71具备洗净部91与热处理部101的情况下，也能够抑制搬送部73的搬送负担过度变大。因此，搬送部73能够将衬底W高效率地搬送到洗净部91与热处理部101。如此，在接口部71具备洗净部91与热处理部101的情况下，搬送部73不进行层间搬送动作的优点特别大。
第1载置部51具备：第1输送载置部52，专门供搬送部25载置衬底W；及第1返回载置部53，专门供主搬送机构36载置衬底W。因为搬送部25不在第1返回载置部53载置衬底W，所以能够简化搬送部25的搬送动作。因此，搬送部25能够在载体C与阶层33之间更高效率地搬送衬底W。同样地，因为主搬送机构36不在第1输送载置部52载置衬底W，所以能够简化主搬送机构36的搬送动作。因此，主搬送机构36能够更高效率地搬送衬底W。
搬送部25在第1输送载置部52同时载置2片衬底W。以能够在第1输送载置部52载置至少4片以上衬底W的方式构成第1输送载置部52。因此，搬送部25能够流畅地进行将衬底W载置到第1输送载置部52的动作。
搬送部25从第1返回载置部53同时获取2片衬底W。以能够在第1返回载置部53载置至少4片以上衬底W的方式构成第1返回载置部53。因此，搬送部25能够流畅地进行从第1返回载置部53获取衬底W的动作。
搬送部25具备第2搬送机构27。因此，搬送部25能够更高效率地搬送衬底W。
第1搬送机构26进行供给动作。第2搬送机构27进行回收动作。因此，搬送部25能够适宜地进行供给动作及回收动作两者。
第1搬送机构26不进行回收动作。因此，能够简化第1搬送机构26的动作。
第2搬送机构27不进行供给动作。因此，能够简化第2搬送机构27的动作。
阶层33out(具体来说第1-第3阶层33a-33c)相当于最终阶层。阶层33out的主搬送机构36out进行配给动作，将衬底W载置在阶层33out的第1载置部51out。控制部107对阶层33out的主搬送机构36out的配给动作进行检测。根据阶层33out中的配给动作的检测结果，控制部107能够特定出阶层33out的主搬送机构36out将衬底W实际载置在第1载置部51out的时刻。
搬送部25将衬底从阶层33out的第1载置部51out搬送到载置在载体载置部22B的载体C。如此，回收动作包含将衬底W从第1载置部51out搬送到载置在载体载置部22B的载体C。衬底处理装置1具备架13与载体搬送机构15。控制部107基于阶层33out的主搬送机构36out的配给动作的检测结果，决定载体搬送机构15的动作的时点。因此，载体搬送机构15能够始终在适当的时点将载体C搬送到载体载置部22B。结果，搬送部25能够流畅地进行回收动作。例如不会因利用载体搬送机构15进行的载体C的搬送的延迟而导致回收动作延迟。因此，能够适宜地防止利用搬送部25的回收动作的效率降低。如此，能够使利用搬送部25的回收动作与利用载体搬送机构15的载体C的搬送动作在时间上适宜地联合。
控制部107基于阶层33out的主搬送机构36out的配给动作的检测结果，判定要搬入到载置在架13的载体C的预定衬底W是否载置在第1载置部51out。然后，在控制部107判定要搬入到载置在架13的载体C的预定衬底W已载置在第1载置部51out的时间点，控制部107使将载体C从架13搬送到载体载置部22B的载体搬送机构15的动作开始。因此，载体搬送机构15能够将适当的载体C在适当的时点载置在载体载置部22B。例如，在搬送部25对衬底Wb1开始进行回收动作之前，载体搬送机构15能够将收容衬底Wb1的预定载体Cb确实地载置在载体载置部22B。结果，搬送部25能够流畅地进行回收动作。
第1实施方式的衬底处理方法包括供给步骤、处理步骤、层间搬送步骤及回收步骤。供给步骤是将衬底从载体C搬送到阶层33的至少1个。处理步骤是在阶层33中一边搬送衬底W一边对衬底W进行处理。层间搬送步骤在不同的2个阶层33之间搬送衬底W。回收步骤将衬底W从阶层33的至少1个搬送到载体C。因为衬底处理方法包括层间搬送步骤，所以能够将衬底W搬送到至少2个以上的阶层33。因此，能够在至少2个以上的阶层33中对衬底W进行处理。
供给步骤由1个搬送机构(也就是第1搬送机构26)执行。因此，能够将衬底W高效率地从载体C搬送到阶层33。因此，能够高效率地执行处理步骤。因此，能够适宜地提高衬底处理的处理量。
层间搬送步骤由执行供给步骤的1个搬送机构(也就是第1搬送机构26)执行。换句话说，相同的1个搬送机构(也就是第1搬送机构26)执行供给步骤与层间搬送步骤。因此，也可以不在衬底处理装置1另外设置专门在不同的2个阶层33之间搬送衬底W的搬送机构。因此，能够适宜地减少用来执行衬底处理方法的空间。
回收步骤由1个搬送机构(也就是第2搬送机构27)执行。因此，能够将衬底W高效率地从阶层33搬送到载体C。因此，能够高效率地执行处理步骤。因此，能够适宜地提高衬底处理的处理量。
泵室61配置于在俯视下不与阶层33(具体为搬送空间35及处理部41)重叠的位置。因此，能够适宜地防止处理部41的上下方向Z的长度(也就是处理部41的高度)过度变大。能够适宜地防止处理区块31的上下方向Z的长度过度变大。
俯视下的泵室61的面积相对较小。因此，能够适宜地防止衬底处理装置1的占据面积过度变大。
[第2实施方式]
参照附图，对第2实施方式的衬底处理装置1进行说明。此外，通过对与第1实施方式相同的构成标注相同符号而省略详细说明。
图17是第2实施方式的衬底处理装置1的俯视图。图18是表示衬底处理装置1的左部构成的左侧视图。第2实施方式的衬底处理装置1在处理部31的构成方面与第1实施方式的衬底处理装置1不同。
处理区块31具备多个(例如6个)阶层33。
各阶层33的液体处理部42具备多个(例如4个)的液体处理单元43。
液体处理单元43以在前后方向X上排成1列的方式配置。
虽省略图示，但各阶层33的热处理部47具备多个(例如15个)热处理单元48。热处理单元48在侧视下配置成矩阵状。例如热处理单元48以在前后方向X上5列且上下方向Z上3段配置。
参照图18。说明各阶层33对衬底W进行的处理。为方便起见，将各阶层33从下向上称为第1阶层33a、第2阶层33b、第3阶层33c、第4阶层33d、第5阶层33e、第6阶层33f。第1阶层33a在阶层33中最低。第6阶层33f在阶层33中最高。
第5-第6阶层33e-33f的处理部41对衬底W进行相同处理。第5-第6阶层33e-33f的处理部41分别对衬底W进行第1处理。第1处理包含抗反射膜形成处理与抗蚀膜形成处理。
第3-第4阶层33c-33d的处理部41对衬底W进行相同处理。第3-第4阶层33c-33d的处理部41分别对衬底W进行第2处理与显影处理。第2处理包含用来形成保护衬底W上的抗蚀膜的保护膜的保护膜形成处理。第3-第4阶层33c-33d中的显影处理具体来说为负型显影处理。
第1-第2阶层33a-33b的处理部41对衬底W进行相同处理。第1-第2阶层33a-33b的处理部41分别对衬底W进行第3处理。第3处理包含显影处理。第3处理的显影处理具体来说为正型显影处理。
此外，第1处理不包含保护膜形成处理及显影处理。第2处理不包含抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理及显影处理。第3-第4阶层33c-33d中的显影处理不包含正型显影处理。第3处理不包含抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理、保护膜形成处理及负型显影处理。因此，第1处理与第2处理不同。第1处理与第3处理不同。第2处理与第3处理不同。第3处理与第3-第4阶层33c-33d中的显影处理不同。
抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理、保护膜形成处理、负型显影处理及正型显影处理分别属于液体处理。抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理及保护膜形成处理分别属于曝光前处理。负型显影处理及正型显影处理属于曝光后处理。
第1处理不包含曝光后处理。第2处理不包含曝光后处理。第3处理不包含曝光前处理。
抗反射膜形成处理及抗蚀膜形成处理的全体是本发明中的第1液体处理的示例。抗反射膜形成处理及抗蚀膜形成处理的全体是本发明中的第1曝光前处理的示例。保护膜形成处理是本发明中的第2液处理的示例。保护膜形成处理是本发明中的第2曝光前处理的示例。
相应于阶层33之间的处理的不同，所述处理部41的构成细部在阶层33之间不同。以下，具体进行说明。
第5-第6阶层33e-33g的液体处理部42使用抗反射膜材料及抗蚀膜材料作为处理液。第5阶层33e的2个液体处理单元43相当于抗反射膜用涂布单元BARC。第5阶层33e的剩余2个液体处理单元43相当于抗蚀膜用涂布单元RESIST。同样地，第6阶层33f的2个液体处理单元43相当于抗反射膜用涂布单元BARC。第6阶层33f的剩余2个液体处理单元43相当于抗蚀膜用涂布单元RESIST。
第3-第4阶层33c-33d的液体处理部42使用保护膜材料及负型显影用显影液作为处理液。第3阶层33c的2个液体处理单元43相当于保护膜用涂布单元TC。第3阶层33c的剩余2个液体处理单元43相当于负型显影单元NTD。同样地，第4阶层33d的2个液体处理单元43相当于保护膜用涂布单元TC。第4阶层33d的剩余2个液体处理单元43相当于负型显影单元NTD。
第1-第2阶层33a-33b的液体处理部42使用正型显影用显影液作为处理液。第1阶层33a及第2阶层33b的液体处理单元43相当于正型显影单元PTD。
第1处理还包含疏水化处理、加热处理及冷却处理。虽省略图示，但第5-第6阶层33e-33f的热处理部47包含疏水化处理单元AHP、加热单元HP及冷却单元CP作为热处理单元48。
第2处理还包含加热处理与冷却处理。第3-第4阶层33c-33d的热处理部47包含加热单元HP与冷却单元CP作为热处理单元48。
第3处理还包含加热处理与冷却处理。第1-第2阶层33a-33b的热处理部47包含加热单元HP与冷却单元CP作为热处理单元48。
第5-第6阶层33e-33f是本发明中的“进行第1处理的阶层”的示例。第3-第4阶层33c-33d是本发明中的“进行第2处理的阶层”的示例。第1-第2阶层33a-33b是本发明中的“进行第3处理的阶层”的示例。
<衬底处理装置的动作>
图19A、19B、19C是示意性地表示衬底W的搬送路径的概要的图。第2实施方式的衬底处理装置1具有各种动作例。以下例示3个动作例。
图19A表示第1动作例。图19A以单点划线示意性地表示衬底W的搬送路径。第1动作例中，对衬底W进行抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理、保护膜形成处理及正型显影处理。第1动作例中，各衬底W在3个阶层33中被进行处理。
图19B表示第2动作例。图19B以单点划线示意性地表示衬底W的搬送路径。第2动作例中，对衬底W进行抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理及负型显影处理。第2动作例中，各衬底W在2个阶层33中被进行处理。
图19C表示第3动作例。第3动作例中，对一部分衬底W(以下称为第1衬底W)进行抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理、保护膜形成处理及正型显影处理。第1衬底W在3个阶层33中被进行处理。图19C以单点划线示意性地表示第1衬底W的搬送路径。进而，第3动作例中，对其他衬底W(以下，称为第2衬底W)进行抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理及负型显影处理。第2衬底W在2个阶层33中被进行处理。图19C以虚线示意性地表示第2衬底W的搬送路径。
具体地说明第1-第3动作例。
<<第1动作例>>
参照图19A。第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从载体载置部22A上的载体C搬送到第5-第6阶层33e-33f的第1载置部51e、51f。
第5、第6阶层33e-33f的主搬送机构36e-36f将衬底W从第1载置部51e-53f搬送到第5-第6阶层33e-33f的处理部41。第5-第6阶层33e-33f的处理部41分别对衬底W进行第1处理。具体来说，第5-第6阶层33e-33f的处理部41进行包含抗反射膜形成处理及抗蚀膜形成处理的处理。主搬送机构36e-36f将在第5-第6阶层33e-33f中已进行第1处理的衬底W载置到第5-第6阶层33e-33f的第1载置部51e、51f。
第1搬送机构26进行层间搬送动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从第1载置部51e搬送到第3阶层33c的第1载置部51c。第1搬送机构26将衬底W从第1载置部51f搬送到第4阶层33d的第1载置部51d。
第3-第4阶层33c-33d的主搬送机构36c-36d将衬底W从第1载置部51c-53d搬送到第3-第4阶层33c-33d的处理部41。第3-第4阶层33c-33d的处理部41分别对衬底W进行第2处理。具体来说，第3-第4阶层33c-33d的处理部41对衬底W进行包含保护膜形成处理的处理。但，第3-第4阶层33c-33d的处理部41不对衬底W进行负型显影处理。主搬送机构36c-36d将在第3-第4阶层33c-33d中已进行第2处理的衬底W载置到第3-第4阶层33c-33d的第2载置部56c、56d。
接口部71的搬送部73将衬底W从第2载置部56c-56d搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将衬底W从曝光机EXP搬送到第1-第2阶层33a-33b的第2载置部56a-56b。此时，接口部71的洗净部91及热处理部101也可以对衬底W进行处理。
第1-第2阶层33a-33b的主搬送机构36a-36b将衬底W从第2载置部56a-56b搬送到第1-第2阶层33a-33b的处理部41。第1-第2阶层33a-33b的处理部41分别对衬底W进行第3处理。具体来说，第1-第2阶层33a-33b的处理部41分别对衬底W进行包含正型显影处理的处理。主搬送机构36a-36b将在第1-第2阶层33a-33b中已进行第3处理的衬底W载置到第1-第2阶层33a-33b的第1载置部51a、51b。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将衬底W从第1载置部51a、51b搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
如上所述，在第1动作例中，第1搬送机构26进行供给动作与层间搬送动作。第1搬送机构26不进行回收动作。第2搬送机构27进行回收动作。第2搬送机构27不进行供给动作与层间搬送动作。搬送部73不进行层间搬送动作。
第1动作例中，将衬底W搬送到所有阶层33a-33f。第1动作例中，在所有阶层33a-33f中对衬底W进行处理。
第1动作例中，第1-第2阶层33a-33b是本发明中的最终阶层的示例。
<<第2动作例>>
参照图19B。第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从载体载置部22A上的载体C搬送到第1载置部51e-51f。
主搬送机构36e-36f将衬底W从第1载置部51e-53f搬送到第5-第6阶层33e-33f的处理部41。第5-第6阶层33e-33f的处理部41分别对衬底W进行第1处理。具体来说，第5-第6阶层33e-33f的处理部41进行包含抗反射膜形成处理及抗蚀膜形成处理的处理。主搬送机构36e-36f将在第5-第6阶层33e-33f中已进行第1处理的衬底W载置到第2载置部56e、56f。
搬送部73将衬底W从第2载置部56e-56f搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将衬底W从曝光机EXP搬送到第2载置部56c-56d。
主搬送机构36c-36d将衬底W从第2载置部56c-56d搬送到第3、第4阶层33c-33d的处理部41。第3-第4阶层33c-33d的处理部41分别对衬底W进行显影处理。具体来说，第3-第4阶层33c-33d的处理部41对衬底W进行包含负型显影处理的处理。但，第3-第4阶层33c-33d的处理部41不对衬底W进行第2处理。主搬送机构36c-36d将在第3-第4阶层33c-33d中已进行显影处理的衬底W载置到第1载置部51c-51d。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将衬底W从第1载置部51c-51d搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
如上所述，在第2动作例中，第1搬送机构26进行供给动作。第1搬送机构26不进行层间搬送动作与回收动作。第2搬送机构27进行回收动作。第2搬送机构27不进行供给动作与层间搬送动作。如此，第2动作例无需层间搬送动作。
第2动作例中，将衬底W仅搬送到一部分阶层33。第2动作例中，将衬底W搬送到第3-第6阶层33c-33f，不将衬底W搬送到第1-第2阶层33a-33b。第2动作例中，仅在一部分阶层33中对衬底W进行处理。第2动作例中，在第3-第6阶层33c-33f中对衬底W进行处理，在第1-第2阶层33a-33b中不对衬底W进行处理。
第2动作例中，第3-第4阶层33c-33d是本发明中的最终阶层的示例。
<<第3动作例>>
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将第1衬底W从载体载置部22A上的载体C搬送到第1载置部51e。第1搬送机构26将第2衬底W从载体载置部22A上的载体C搬送到第1载置部51f。
主搬送机构36e将第1衬底W从第1载置部51e搬送到第5阶层33e的处理部41。主搬送机构36f将第2衬底W从第1载置部51f1搬送到第6阶层33f的处理部41。第5-第6阶层33e-33f的处理部41分别对第1衬底W及第2衬底W进行第1处理。具体来说，第5-第6阶层33e-33f的处理部41对第1衬底W及第2衬底W进行包含抗反射膜形成处理及抗蚀膜形成处理的处理。主搬送机构36e将在第5阶层33e中已进行第1处理的第1衬底W载置在第1载置部51e。主搬送机构36f将在第6阶层33f中已进行第1处理的第2衬底W载置在第2载置部56f。
第1搬送机构26进行层间搬送动作。具体来说，第1搬送机构26将第1衬底W从第1载置部51e搬送到第1载置部51c。
主搬送机构36c将第1衬底W从第1载置部51c搬送到第3阶层33c的处理部41。第3阶层33c的处理部41对第1衬底W进行第2处理。具体来说，第3阶层33c的处理部41对第1衬底W进行包含保护膜形成处理的处理。但，第3阶层33c的处理部41不对第1衬底W进行负型显影处理。主搬送机构36c将在第3阶层33c中已进行第2处理的第1衬底W载置在第2载置部56c。
搬送部73将第1衬底W从第2载置部56c经由曝光机EXP搬送到第2载置部56a。搬送部73将第2衬底W从第2载置部56f经由曝光机EXP搬送到第2载置部56d。
主搬送机构36a将第1衬底W从第2载置部56a搬送到第1阶层33a的处理部41。第1阶层33a的处理部41对第1衬底W进行第3处理。具体来说，第1阶层33a的处理部41对第1衬底W进行包含正型显影处理的处理。主搬送机构36a将在第1阶层33a中已进行第3处理的第1衬底W载置到第1阶层33a的第1载置部51a。
主搬送机构36d将第2衬底W从第2载置部56d搬送到第4阶层33d的处理部41。第4阶层33d的处理部41对第2衬底W进行显影处理。具体来说，第4阶层33d的处理部41对第2衬底W进行包含负型显影处理的处理。但，第4阶层33d的处理部41不对第2衬底W进行第2处理。主搬送机构36d将在第4阶层33d中已进行显影处理的第2衬底W载置到第4阶层33d的第1载置部51d。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将第1衬底W从第1载置部51a搬送到载置在载体载置部22B的载体C。第2搬送机构27将第2衬底W从第1载置部51d搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
如上所述，第3动作例中，第1搬送机构26进行供给动作与层间搬送动作。第1搬送机构26不进行回收动作。第2搬送机构27进行回收动作。第2搬送机构27不进行供给动作与层间搬送动作。
第3动作例中，将衬底W仅搬送到一部分阶层33。第3动作例中，将衬底W搬送到第1、第3-第6阶层33a、33c-33f，不将衬底W搬送到第2阶层33b。第3动作例中，仅在一部分阶层33中对衬底W进行处理。第3动作例中，在第1、第3-第6阶层33a、33c-33f中对衬底W进行处理，在第2阶层33b中不对衬底W进行处理。
第3动作例中，第1阶层33a及第4阶层33d是本发明中的最终阶层的示例。
<第2实施方式的效果>
通过第2实施方式的衬底处理装置1，也发挥与第1实施方式的衬底处理装置1相同的效果。例如，因为第1搬送机构26进行供给动作与层间搬送动作，所以能够减少衬底处理装置1的占据面积，且能够提高衬底处理装置1的处理量。
在第5-第6阶层33e-33f中进行的第1处理包含抗反射膜形成处理及抗蚀膜形成处理，在第3-第4阶层33c-33d中进行的第2处理包含保护膜形成处理。因此，能够高效率地对衬底进行抗反射膜处理、抗蚀膜形成处理、及保护膜形成处理。
第1动作例中，第1搬送机构26将衬底W从进行第1处理的第5-第6阶层33e-33f的第1载置部51e-51f搬送到进行第2处理的第3-第4阶层33c-33d的第1载置部51c-51d。如此，层间搬送动作包含将衬底W从第1载置部51e-51f搬送到第1载置部51c-51d。因此，能够将衬底W从阶层33e-33f搬送到阶层33c-33d。因此，能够在对衬底W进行抗反射膜形成处理及抗蚀膜形成处理之后，对衬底W进行保护膜形成处理。
同样地，第3动作例中，第1搬送机构26将第1衬底W从第1载置部51e搬送到第1载置部51c。因此，能够在对第1衬底W进行抗反射膜形成处理及抗蚀膜形成处理之后，对第1衬底W进行保护膜形成处理。
第3-第4阶层33c-33d的处理部41除第2处理以外，进行显影处理。因此，能够对衬底W高效率地进行显影处理。
第1动作例中，第2搬送机构27将衬底W从第1-第2阶层33a-33b的第1载置部51a、51b搬送到载体C。如此，回收动作包含将衬底W从第1载置部51a、51b搬送到载置在载体载置部22B的载体C。因此，能够将已进行第3处理(显影处理)的衬底W高效率地搬送到载体C。
第2动作例中，第2搬送机构27将衬底W从进行第2处理的第3-第4阶层33c-33d的第1载置部51c-51d搬送到载置在载体载置部22B的载体C。如此，回收动作包含将衬底W从第1载置部51c-51d搬送到载置在载体载置部22B的载体C。因此，能够高效率地将衬底W从阶层33c-33d搬送到载置在载体载置部22B的载体C。因此，能够将已进行阶层33c-33d中的显影处理的衬底W高效率地搬送到载体C。
第3动作例中，第2搬送机构27将第1衬底W及第2衬底W从第1、第4阶层33a、33d的第1载置部51a、51d搬送到载置在载体载置部22B的载体C。因此，能够将已进行第3处理(显影处理)的第1衬底W、及已进行阶层33c-33d中的显影处理的第2衬底W高效率地搬送到载体C。
第1-第2阶层33a-33b的处理部41对衬底W进行第3处理。第3处理包含使衬底W显影的处理。因此，能够对衬底W高效率地进行显影处理。
第3-第4阶层33c-33d的处理部41进行负型显影处理。第1-第2阶层33a-33b的处理部41进行正型显影处理。因此，能够选择性地对衬底W进行负型显影处理及正型显影处理。
本发明并不限于所述第1、第2实施方式，能够如下所示实施变化。
所述第1、第2实施方式中，第1搬送机构26不进行回收动作。但，并不限于此。第1搬送机构26也可以进行回收动作。例如，第1搬送机构26也可以不进行供给动作而进行回收动作及层间搬送动作。例如，第1搬送机构26也可以进行供给动作、回收动作及层间搬送动作。由此，第1搬送机构26能够直接获取由主搬送机构36载置在第1载置部51的衬底W。因此，能够在第1搬送机构26与主搬送机构36之间高效率地搬送衬底W。因此，能够适宜地提高衬底处理装置1的处理量。
所述第1、第2实施方式中，第2搬送机构27不进行层间搬送动作。但，并不限于此。例如，第2搬送机构27也可以进行层间搬送动作。通过使第1搬送机构26及第2搬送机构27两者进行层间搬送动作，能够更高效率地在不同的2个阶层33之间搬送衬底W。
例如，第2搬送机构27也可以进行图11、13所示的2个层间搬送动作的至少任一个。例如，也可以第1搬送机构26将衬底W从第6阶层33f的第1载置部51f搬送到第4阶层33d的第1载置部51d，第2搬送机构27将衬底W从第7阶层33g的第1载置部51g搬送到第5阶层33e的第1载置部51e。
例如，第2搬送机构27也可以进行回收动作、供给动作及层间搬送动作的至少任一个。例如，第2搬送机构27也可以进行供给动作。
所述第1、第2实施方式中，第1搬送机构26进行供给动作，不进行回收动作，第2搬送机构27进行回收动作，不进行供给动作。但，并不限于此。也可以第1搬送机构26进行回收动作，不进行供给动作，第2搬送机构27进行供给动作，不进行回收动作。根据本变化实施方式，搬送部25也能够适宜地进行供给动作及回收动作两者。进而，能够简化第1搬送机构26的动作。能够简化第2搬送机构27的动作。
所述第1、第2实施方式中，例示了各阶层33中进行的处理。但，并不限于此。可以灵活地变更各阶层33中进行的处理。例如也可以一部分阶层33中进行的处理包含抗反射膜形成处理，其他阶层33中进行的处理包含抗蚀膜形成处理及保护膜形成处理。例如也可以一部分阶层33中进行的处理包含抗反射膜形成处理与保护膜形成处理，其他阶层33中进行的处理包含抗蚀膜形成处理。
所述第1、第2实施方式中，作为液体处理，例示了抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理、保护膜形成处理、显影处理。但，并不限于此。洗净处理也是液体处理的一例。例如，一部分阶层33中进行的处理也可以包含洗净处理。例如，一部分阶层33中进行的处理也可以包含曝光前洗净处理。例如，一部分阶层33中进行的处理也可以包含曝光后洗净处理。例如，一部分阶层33的液体处理部42也可以具备洗净单元。例如，一部分阶层33的液体处理部42也可以具备曝光前洗净单元。例如，一部分阶层33的液体处理部42也可以具备曝光后洗净单元。
所述第1、第2实施方式中，例示了第1处理及第2处理。但，并不限于此。可以灵活地变更第1处理及第2处理。例如，也可以第1处理包含抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理、保护膜形成处理、显影处理及洗净处理的一部分，第2处理包含抗蚀膜形成处理、保护膜形成处理、显影处理及洗净处理的另一部分。此处，优选为当第1处理包含抗反射膜形成处理时，第2处理不包含抗反射膜形成处理。同样地，优选为当第1处理包含抗蚀膜形成处理时，第2处理不包含抗蚀膜形成处理。优选为当第1处理包含保护膜形成处理时，第2处理不包含保护膜形成处理。优选为当第1处理包含显影处理时，第2处理不包含显影处理。优选为当第1处理包含洗净处理时，第2处理不包含洗净处理。由此，能够对衬底W高效率地进行抗反射膜处理、抗蚀膜形成处理、保护膜形成处理、显影处理及洗净处理的至少2个以上。
例如也可以第1处理包含抗反射膜形成处理，第2处理包含抗蚀膜形成处理及保护膜形成处理。例如，也可以第1处理包含抗反射膜形成处理与保护膜形成处理，第2处理包含抗蚀膜形成处理。例如，也可以第1处理包含抗反射膜处理、抗蚀膜形成处理及保护膜形成处理，第2处理包含显影处理。
所述第1、第2实施方式中，接口部71的热处理部101具备曝光后加热单元103、105。阶层33的热处理部47不具备曝光后加热单元。但，并不限于此。例如，阶层33也可以具备曝光后加热单元。阶层33的热处理部47也可以具备曝光后加热单元。例如，在第1实施方式中，第1-第3阶层33a-33c的热处理部47也可以具备曝光后加热单元。例如，在第2实施方式中，第1-第2阶层33a-33b的热处理部47也可以具备曝光后加热单元。例如，在第2实施方式中，第3-第4阶层33c-33d的热处理部47也可以具备曝光后加热单元。例如，也可以省略接口部71的曝光后加热单元103、105。例如，也可以省略接口部71的热处理部101。
在所述第1实施方式中，在第6-第7阶层33f-33g中进行了第1处理。也就是说，进行第1处理的阶层33的数量为2个。但，并不限于此。进行第1处理的阶层33的数量也可以为1个或3个以上。
在所述第1实施方式中，在第4-第5阶层33d-33e中进行了第2处理。也就是说，进行第2处理的阶层33的数量为2个。但，并不限于此。进行第2处理的阶层33的数量也可以为1个或3个以上。
在所述第1实施方式中，在第1-第3阶层33a-33c中进行了第3处理。也就是说，进行第3处理的阶层33的数量为3个。但，并不限于此。进行第3处理的阶层33的数量也可以为1个、2个或4个以上。
例如，进行第3处理的阶层33的数量也可以为零。例如，也可以省略第1实施方式的第1-第3阶层33a-33c。在该情况下，第4-第5阶层33d-33e成为本发明中的最终阶层的示例。同样地，也可以省略第2实施方式的第1-第2阶层33a-33b。
参照附图，对第1-第4变化实施方式进行说明。此外，通过对与第1实施方式或第2实施方式相同的构成标注相同的符号而省略详细说明。
<第1变化实施方式>
图20是表示第1变化实施方式的衬底处理装置1的左部构成的左侧视图。第1变化实施方式的衬底处理装置1相比于第2实施方式的衬底处理装置1，具备更多进行第1处理的阶层33。第1变化实施方式的衬底处理装置1相比于第2实施方式的衬底处理装置1，具备更多进行第3处理的阶层33。
具体来说，处理区块31具备多个(例如8个)阶层33。为方便起见，将各阶层33称为第1阶层33a、第2阶层33b、第3阶层33c、第4阶层33d、第5阶层33e、第6阶层33f、第7阶层33g、第8阶层33h。在下述第2-4变化实施方式中，也同样地表述各阶层33。
第6-第8阶层33f-33h的处理部41对衬底W进行相同的处理。第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别对衬底W进行第1处理。第1处理包含抗蚀膜形成处理。第1处理可以还包含抗反射膜形成处理，也可以不包含抗反射膜形成处理。第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别具备2个抗反射膜用涂布单元BARC及2个抗蚀膜用涂布单元RESIST。
第4-第5阶层33d-33e的处理部41对衬底W进行相同的处理。第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对衬底W进行第2处理与显影处理。第2处理包含保护膜形成处理。第4-第5阶层33d-33e中的显影处理具体来说为有机显影处理。有机显影处理是将包含有机溶剂的显影液供给到衬底W。有机溶剂例如为乙酸丁酯(ButylAcetate)。第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别具备2个保护膜用涂布单元TC及2个有机显影单元SD2。
第1-第3阶层33a-33c的处理部41对衬底W进行相同的处理。第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别对衬底W进行第3处理。第3处理包含显影处理。第3处理中所包含的显影处理具体来说为碱显影处理。碱显影处理是将碱性水溶液作为显影液供给到衬底W。碱性水溶液例如为氢氧化四甲基铵(TMAH：Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)、或氢氧化钾(KOH：Potassium Hydroxide)。第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别具备4个碱显影单元SD1。
第1处理与第2处理不同。第1处理与第3处理不同。第2处理与第3处理不同。第1处理不包含保护膜形成处理及显影处理。第2处理不包含抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理及显影处理。第3处理不包含抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理及保护膜形成处理。
抗反射膜形成处理与抗蚀膜形成处理是本发明中的第1液体处理的示例。抗反射膜形成处理与抗蚀膜形成处理是本发明中的第1曝光前处理的示例。保护膜形成处理是本发明中的第2液体处理的示例。保护膜形成处理是本发明中的第2曝光前处理的示例。
第6-第8阶层33f-33h是本发明中的“进行第1处理的阶层”的示例。第4-第5阶层33d-33e是本发明中的“进行第2处理的阶层”的示例。第1-第3阶层33a-33c是本发明中的“进行第3处理的阶层”的示例。
图21A-21C、22A-22C是示意性地表示衬底W的搬送路径的概要的图。为方便起见，将设置在第1-第8阶层33a-33h的第1载置部51称为第1载置部51a-51h。将设置在第1-第8阶层33a-33h的第2载置部56称为第2载置部56a-56h。在下述第2-4变化实施方式中，也同样地表述各第1载置部51及各第2载置部56。以下例示第1变化实施方式的衬底处理装置1的动作例。
图21A表示第1动作例。图21A以单点划线示意性地表示衬底W的搬送路径。第1动作例中，第1搬送机构26进行供给动作与层间搬送动作。第2搬送机构27进行回收动作。由此，依次对衬底W进行第1处理、第2处理及第3处理。但，不对衬底W进行第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。因此，图21A中，省略表示设置在第4-第5阶层33d-33e的有机显影单元的符号“SD2”的记载。也就是说，图21A中，记载表示对衬底W进行处理的处理单元的符号，省略不对衬底W进行处理的处理单元的符号的记载。在表示下述第1-第4变化实施方式的其他动作例的图中，也同样地省略不对衬底W进行处理的处理单元的符号的记载。以下，对第1动作例进行具体说明。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6-第8阶层33f-33h的第1载置部51f-51h。
第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别对衬底W进行第1处理(更详细来说，包含抗蚀膜形成处理的处理)。
例如，第6-第8阶层33f-33h的处理部41也可以分别对衬底W进行抗反射膜形成处理及抗蚀膜形成处理。或者，第6-第8阶层33f-33h的处理部41也可以分别不对衬底W进行抗反射膜形成处理，而对衬底W进行抗蚀膜形成处理。在下述其他动作例中，也可同样地进行第1处理。进而，在下述第2-第4变化实施方式的动作例中，也可同样地进行第1处理。
第1搬送机构26进行层间搬送动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从第6-第8阶层33f-33h的第1载置部51f-51h搬送到第4-第5阶层33d-33e的第1载置部51d-51e。
第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对衬底W进行第2处理(更详细来说，包含保护膜形成处理的处理)。但，第4-第5阶层33d-33e的处理部41不对衬底W进行显影处理。
接口部71的搬送部73将衬底W从第4-第5阶层33d-33e的第2载置部56d-56e搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将衬底W从曝光机EXP搬送到第1-第3阶层33a-33c的第2载置部56a-56c。
第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别对衬底W进行第3处理(更详细来说，包含碱显影处理处理)。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将衬底W从第1-第3阶层33a-33c的第1载置部51a-51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
图21B表示第2动作例。图21B以单点划线示意性地表示衬底W的搬送路径。第2动作例中，第1搬送机构26进行供给动作。第2搬送机构27进行回收动作。但，第2动作例中，搬送部25不进行层间搬送动作。由此，依次对衬底W进行第1处理与第3处理。但，不对衬底W进行第2处理。不对衬底W进行第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。以下，具体地说明第2动作例。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6-第8阶层33f-33h的第1载置部51f-51h。
第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别对衬底W进行第1处理。
接口部71的搬送部73将衬底W从第6-第8阶层33f-33h的第2载置部56f-56h搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将衬底W从曝光机EXP搬送到第1-第3阶层33a-33c的第2载置部56a-56c。
第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别对衬底W进行第3处理。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将衬底W从第1-第3阶层33a-33c的第1载置部51a-51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
图21C表示第3动作例。图21C以单点划线示意性地表示衬底W的搬送路径。第3动作例中，第1搬送机构26进行供给动作。第2搬送机构27进行回收动作。但，第3动作例中，搬送部25不进行层间搬送动作。由此，对衬底W进行第1处理。之后，对衬底W进行第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。但，不对衬底W进行第2处理与第3处理。以下，具体地说明第3动作例。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6-第8阶层33f-33h的第1载置部51f-51h。
第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别对衬底W进行第1处理。
接口部71的搬送部73将衬底W从第6-第8阶层33f-33h的第2载置部56f-56h搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将衬底W从曝光机EXP搬送到第4-第5阶层33d-33e的第2载置部56d-56e。
第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对衬底W进行显影处理(更详细来说，有机显影处理)。但，第4-第5阶层33d-33e的处理部41不对衬底W进行第2处理。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将衬底W从第4-第5阶层33d-33e的第1载置部51d-51e搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
图22A表示第4动作例。图22A以单点划线示意性地表示第1衬底W的搬送路径，以虚线示意性地表示第2衬底W的搬送路径。第4动作例相当于第1动作例与第2动作例的组合。第4动作例中，第1搬送机构26进行供给动作与层间搬送动作。第2搬送机构27进行回收动作。由此，依次对第1衬底W进行第1处理、第2处理及第3处理，依次对第2衬底W进行第1处理及第3处理。但，不对第1衬底W进行第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。不对第2衬底W进行第2处理。不对第2衬底W进行第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。以下，具体地说明第4动作例。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将第1衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第7-第8阶层33g-33h的第1载置部51g-51h。第1搬送机构26将第2衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6阶层33f的第1载置部51f。
第7-第8阶层33g-33h的处理部41分别对第1衬底W进行第1处理。第6阶层33f的处理部41对第2衬底W进行第1处理。
第1搬送机构26进行层间搬送动作。具体来说，第1搬送机构26将第1衬底W从第7-第8阶层33g-33h的第1载置部51g-51h搬送到第4-第5阶层33d-33e的第1载置部51d-51e。
第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对第1衬底W进行第2处理。
接口部71的搬送部73将第1衬底W从第4-第5阶层33d-33e的第2载置部56d-56e搬送到曝光机EXP。搬送部73将第2衬底W从第6阶层33f的第2载置部56f搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将第1衬底W从曝光机EXP搬送到第2-第3阶层33b-33c的第2载置部56b-56c。搬送部73将第2衬底W从曝光机EXP搬送到第1阶层33a的第2载置部56a。
第2-第3阶层33b-33c的处理部41分别对第1衬底W进行第3处理。第1阶层33a的处理部41对第2衬底W进行第3处理。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将第1衬底W从第2-第3阶层33b-33c的第1载置部51b-51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。第2搬送机构27将第2衬底W从第1阶层33a的第1载置部51a搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
图22B表示第5动作例。图22B以单点划线示意性地表示第1衬底W的搬送路径，以虚线示意性地表示第2衬底W的搬送路径。第5动作例相当于第1动作例与第3动作例的组合。第5动作例中，第1搬送机构26进行供给动作与层间搬送动作。第2搬送机构27进行回收动作。由此，依次对第1衬底W进行第1处理、第2处理及第3处理，依次对第2衬底W进行第1处理及第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。但，不对第1衬底W进行第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。不对第2衬底W进行第2处理及第3处理。以下，具体地说明第5动作例。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将第1衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第7-第8阶层33g-33h的第1载置部51g-51h。第1搬送机构26将第2衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6阶层33f的第1载置部51f。
第7-第8阶层33g-33h的处理部41分别对第1衬底W进行第1处理。第6阶层33f的处理部41对第2衬底W进行第1处理。
第1搬送机构26进行层间搬送动作。具体来说，第1搬送机构26将第1衬底W从第7-第8阶层33g-33h的第1载置部51g-51h搬送到第5阶层33e的第1载置部51e。
第5阶层33e的处理部41对第1衬底W进行第2处理。
接口部71的搬送部73将第1衬底W从第5阶层33e的第2载置部56e搬送到曝光机EXP。搬送部73将第2衬底W从第6阶层33f的第2载置部56f搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将第1衬底W从曝光机EXP搬送到第2-第3阶层33b-33c的第2载置部56b-56c。搬送部73将第2衬底W从曝光机EXP搬送到第4阶层33d的第2载置部56d。
第2-第3阶层33b-33c的处理部41分别对第1衬底W进行第3处理(更详细来说，碱显影处理)。第4阶层33d的处理部41对第2衬底W进行显影处理(更详细来说，有机显影处理)。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将第1衬底W从第2-第3阶层33b-33c的第1载置部51b-51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。第2搬送机构27将第2衬底W从第4阶层33d的第1载置部51d搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
图22C表示第6动作例。图22C以单点划线示意性地表示第1衬底W的搬送路径，以虚线示意性地表示第2衬底W的搬送路径，以双点划线示意性地表示第3衬底W的搬送路径。第6动作例相当于第1动作例、第2动作例及第3动作例的组合。第6动作例中，第1搬送机构26进行供给动作与层间搬送动作。第2搬送机构27进行回收动作。由此，依次对第1衬底W进行第1处理、第2处理及第3处理，依次对第2衬底W进行第1处理与第3处理，依次对第3衬底W进行第1处理及第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。但，不对第1衬底W进行第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。不对第2衬底W进行第2处理及第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。不对第3衬底W进行第2处理与第3处理。以下，具体地说明第6动作例。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将第1衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第8阶层33h的第1载置部51h。第1搬送机构26将第2衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第7阶层33g的第1载置部51g。第1搬送机构26将第3衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6阶层33f的第1载置部51f。
第8阶层33h的处理部41对第1衬底W进行第1处理。第7阶层33g的处理部41对第2衬底W进行第1处理。第6阶层33f的处理部41对第3衬底W进行第1处理。
第1搬送机构26进行层间搬送动作。具体来说，第1搬送机构26将第1衬底W从第8阶层33h的第1载置部51h搬送到第5阶层33e的第1载置部51e。
第5阶层33e的处理部41对第1衬底W进行第2处理。
接口部71的搬送部73将第1衬底W从第5阶层33e的第2载置部56e搬送到曝光机EXP。搬送部73将第2衬底W从第7阶层33g的第2载置部56g搬送到曝光机EXP。搬送部73将第3衬底W从第6阶层33f的第2载置部56f搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将第1衬底W从曝光机EXP搬送到第3阶层33c的第2载置部56c。搬送部73将第2衬底W从曝光机EXP搬送到第2阶层33b的第2载置部56b。搬送部73将第3衬底W从曝光机EXP搬送到第4阶层33d的第2载置部56d。
第3阶层33c的处理部41对第1衬底W进行第3处理(更详细来说，碱显影处理)。第2阶层33b的处理部41对第2衬底W进行第3处理。第4阶层33d的处理部41对第3衬底W进行显影处理(更详细来说，有机显影处理)。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将第1衬底W从第3阶层33c的第1载置部51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。第2搬送机构27将第2衬底W从第2阶层33b的第1载置部51b搬送到载置在载体载置部22B的载体C。第2搬送机构27将第3衬底W从第4阶层33d的第1载置部51d搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
虽省略图示，但第1变化实施方式的衬底处理装置1能够进行第1-第6动作例以外的动作。
例如，第1变化实施方式的衬底处理装置1能够进行相当于第2动作例与第3动作例的组合的第7动作例。第7动作例中，第1搬送机构26进行供给动作。第2搬送机构27进行回收动作。但，第7动作例中，搬送部25不进行层间搬送动作。由此，对第1衬底W进行第1处理与第3处理，对第2衬底W进行第1处理与第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。
如上所述，通过第1变化实施方式，也能够减少衬底处理装置1的占据面积，且能够提高衬底处理装置1的处理量。
<第2变化实施方式>
图23是表示第2变化实施方式的衬底处理装置1的左部构成的左侧视图。第2变化实施方式的衬底处理装置1相比于第2实施方式，具备更多进行第1处理的阶层。第2变化实施方式的衬底处理装置1相比于第2实施方式，具备更多进行第3处理的阶层。第2变化实施方式的第2处理包含洗净处理。
具体来说，第6-第8阶层33f-33h的处理部41对衬底W进行相同的处理。第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别对衬底W进行第1处理。第1处理包含抗蚀膜形成处理。第1处理可以还包含抗反射膜形成处理，也可以不包含抗反射膜形成处理。第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别具备2个抗反射膜用涂布单元BARC及2个抗蚀膜用涂布单元RESIST。
第4-第5阶层33d-33e的处理部41对衬底W进行相同的处理。第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对衬底W进行第2处理与显影处理。第2处理包含洗净处理。洗净处理是通过对衬底W供给洗净液来洗净衬底W。第4-第5阶层33d-33e中的显影处理具体来说为有机显影处理。第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别具备2个洗净处理单元SS及2个有机显影单元SD2。
此处，洗净处理也可以为第1洗净处理及第2洗净处理的任一个。第1洗净处理是将衬底W的表面洗净。第2洗净处理是将衬底W的背面及衬底W的周缘部的至少任一个洗净。
洗净处理可以一边使衬底W旋转一边将衬底W洗净，也可以不使衬底W旋转而将衬底W洗净。洗净处理可以使用刷洗净衬底W，也可以不使用刷而洗净衬底W。洗净处理例如也可以使刷接触衬底W而洗净衬底W。洗净处理也可以在洗净衬底W后，对衬底W进行干燥。
洗净处理单元SS也可以为进行第1洗净处理的第1洗净处理单元、及进行第2洗净处理的第2洗净处理单元的任一个。
第1-第3阶层33a-33c的处理部41对衬底W进行相同的处理。第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别对衬底W进行第3处理。第3处理包含显影处理。第3处理中所包含的显影处理具体来说为碱显影处理。第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别具备4个碱显影单元SD1。
第1处理与第2处理不同。第1处理与第3处理不同。第2处理与第3处理不同。第1处理不包含洗净处理及显影处理。第2处理不包含抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理及显影处理。第3处理不包含抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理及洗净处理。
抗反射膜形成处理与抗蚀膜形成处理是本发明中的第1液体处理的示例。抗反射膜形成处理与抗蚀膜形成处理是本发明中的第1曝光前处理的示例。洗净处理是本发明中的第2液体处理的示例。洗净处理是本发明中的第2曝光前处理的示例。
第6-第8阶层33f-33h是本发明中的“进行第1处理的阶层”的示例。第4-第5阶层33d-33e是本发明中的“进行第2处理的阶层”的示例。第1-第3阶层33a-33c是本发明中的“进行第3处理的阶层”的示例。
图24A-24C是示意性地表示衬底W的搬送路径的概要的图。以下例示第2变化实施方式的衬底处理装置1的动作例。
图24A表示第1动作例。图24A以单点划线示意性地表示衬底W的搬送路径。第1动作例中，第1搬送机构26进行供给动作与层间搬送动作。第2搬送机构27进行回收动作。由此，依次对衬底W进行第1处理、第2处理及第3处理。但，不对衬底W进行第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。以下，具体地说明第1动作例。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6-第8阶层33f-33h的第1载置部51f-51h。
第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别对衬底W进行第1处理(更详细来说，包含抗蚀膜形成处理的处理)。
第1搬送机构26进行层间搬送动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从第6-第8阶层33f-33h的第1载置部51f-51h搬送到第4-第5阶层33d-33e的第1载置部51d-51e。
第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对衬底W进行第2处理(更详细来说，包含洗净处理的处理)。
接口部71的搬送部73将衬底W从第4-第5阶层33d-33e的第2载置部56d-56e搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将衬底W从曝光机EXP搬送到第1-第3阶层33a-33c的第2载置部56a-56c。
第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别对衬底W进行第3处理(更详细来说，包含碱显影处理的处理)。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将衬底W从第1-第3阶层33a-33c的第1载置部51a-51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
图24B表示第2动作例。图24B以单点划线示意性地表示衬底W的搬送路径。第2动作例中，第1搬送机构26进行供给动作。第2搬送机构27进行回收动作。但，第2动作例中，搬送部25不进行层间搬送动作。由此，依次对衬底W进行第1处理及第3处理。但，不对衬底W进行第2处理。不对衬底W进行第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。以下，具体地说明第2动作例。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6-第8阶层33f-33h的第1载置部51f-51h。
第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别对衬底W进行第1处理。
接口部71的搬送部73将衬底W从第6-第8阶层33f-33h的第2载置部56f-56h搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将衬底W从曝光机EXP搬送到第1-第3阶层33a-33c的第2载置部56a-56c。
第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别对衬底W进行第3处理。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将衬底W从第1-第3阶层33a-33c的第1载置部51a-51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
图24C表示第3动作例。图24C以单点划线示意性地表示衬底W的搬送路径。第3动作例中，第1搬送机构26进行供给动作。第2搬送机构27进行回收动作。但，第3动作例中，搬送部25不进行层间搬送动作。由此，对衬底W进行第1处理。之后，对衬底W进行第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。但，不对衬底W进行第2处理及第3处理。以下，具体地说明第3动作例。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6-第8阶层33f-33h的第1载置部51f-51h。
第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别对衬底W进行第1处理。
接口部71的搬送部73将衬底W从第6-第8阶层33f-33h的第2载置部56f-56h搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将衬底W从曝光机EXP搬送到第4-第5阶层33d-33e的第2载置部56d-56e。
第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对衬底W进行显影处理(更详细来说，有机显影处理)。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将衬底W从第4-第5阶层33d-33e的第1载置部51d-51e搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
虽省略图示，但第2变化实施方式的衬底处理装置1能够进行第1-第3动作例以外的动作。
例如，第2变化实施方式的衬底处理装置1能够进行相当于第1动作例与第2动作例的组合的第4动作例。第4动作例中，例如依次对第1衬底W进行第1处理、第2处理及第3处理，依次对第2衬底W进行第1处理及第3处理。
例如，第2变化实施方式的衬底处理装置1能够进行相当于第1动作例与第3动作例的组合的第5动作例。第5动作例中，例如依次对第1衬底W进行第1处理、第2处理及第3处理，依次对第2衬底W进行第1处理及第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。
例如，第2变化实施方式的衬底处理装置1能够进行相当于第1动作例、第2动作例及第3动作例的组合的第6动作例。第6动作例中，例如依次对第1衬底W进行第1处理、第2处理及第3处理，依次对第2衬底W进行第1处理及第3处理，依次对第3衬底W进行第1处理及第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。
例如，第2变化实施方式的衬底处理装置1能够进行相当于第2动作例与第3动作例的组合的第7动作例。第7动作例中，例如依次对第1衬底W进行第1处理及第3处理，依次对第2衬底W进行第1处理及第4-第5阶层33d-33e中的显影处理。
第4-第6动作例中，第1搬送机构26例如进行供给动作与层间搬送动作。层间搬送动作中，第1搬送机构26将第1衬底W从进行第1处理的阶层33f-33h的1个或2个搬送到进行第2处理的阶层33d-33e的1个或2个。第2搬送机构27例如进行进行回收动作。
第7动作例中，第1搬送机构26例如进行供给动作。第2搬送机构27例如进行回收动作。但，第7动作例中，搬送部25不进行层间搬送动作。
如上所述，通过第2变化实施方式，也能够减少衬底处理装置1的占据面积，且能够提高衬底处理装置1的处理量。
<第3变化实施方式>
图25是表示第3变化实施方式的衬底处理装置1的左部构成的左侧视图。第3变化实施方式的衬底处理装置1相比于第2实施方式，具备更多进行第1处理的阶层。第3变化实施方式的衬底处理装置1相比于第2实施方式，具备更多进行第3处理的阶层。第2变化实施方式的第2处理包含洗净处理。第2变化实施方式中，进行第2处理的阶层33的处理部41不进行显影处理。
具体来说，第6-第8阶层33f-33h的处理部41对衬底W进行相同的处理。第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别对衬底W进行第1处理。第1处理包含抗蚀膜形成处理。第1处理可以还包含抗反射膜形成处理，也可以不包含抗反射膜形成处理。第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别具备2个抗反射膜用涂布单元BARC及2个抗蚀膜用涂布单元RESIST。
第4-第5阶层33d-33e的处理部41对衬底W进行相同的处理。第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对衬底W进行第2处理。第2处理包含洗净处理。洗净处理具体来说包含第1洗净处理与第2洗净处理的至少任一个。第1洗净处理及第2洗净处理均通过对衬底W供给洗净液来洗净衬底W。第1洗净处理是将衬底W的表面洗净。第2洗净处理是将衬底W的背面及衬底W的周缘部的至少任一个洗净。第1洗净处理及第2洗净处理的至少任一个可以一边使衬底W旋转一边洗净衬底W，也可以不使衬底W旋转而洗净衬底W。第1洗净处理及第2洗净处理的至少任一个可以使用刷洗净衬底W，也可以不使用刷而洗净衬底W。第1洗净处理及第2洗净处理的至少任一个例如也可以使刷接触衬底W而洗净衬底W。第1洗净处理及第2洗净处理的至少任一个也可以在洗净衬底W后对衬底W进行干燥。第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别具备进行第1洗净处理的2个第1洗净处理单元SSA及进行第2洗净处理的2个第2洗净处理单元SSB。
第1-第3阶层33a-33c的处理部41对衬底W进行相同的处理。第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别对衬底W进行第3处理。第3处理包含显影处理。第3处理中所包含的显影处理例如为碱显影处理。或者，第3处理中所包含的显影处理也可以为有机显影处理。第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别具备4个显影单元SD。
第1处理与第2处理不同。第1处理与第3处理不同。第2处理与第3处理不同。第1处理不包含洗净处理及显影处理。第2处理不包含抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理及显影处理。第3处理不包含抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理及洗净处理。
抗反射膜形成处理与抗蚀膜形成处理是本发明中的第1液体处理的示例。抗反射膜形成处理与抗蚀膜形成处理是本发明中的第1曝光前处理的示例。洗净处理是本发明中的第2液体处理的示例。洗净处理是本发明中的第2曝光前处理的示例。
第6-第8阶层33f-33h是本发明中的“进行第1处理的阶层”的示例。第4-第5阶层33d-33e是本发明中的“进行第2处理的阶层”的示例。第1-第3阶层33a-33c是本发明中的“进行第3处理的阶层”的示例。
图26A-26C是示意性地表示衬底W的搬送路径的概要的图。以下例示第3变化实施方式的衬底处理装置1的动作例。
图26A表示第1动作例。图26A以单点划线示意性地表示衬底W的搬送路径。第1动作例中，第1搬送机构26进行供给动作与层间搬送动作。第2搬送机构27进行回收动作。由此，依次对衬底W进行第1处理、第2处理及第3处理。以下，具体地说明第1动作例。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6-第8阶层33f-33h的第1载置部51f-51h。
第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别对衬底W进行第1处理(更详细来说，包含抗蚀膜形成处理的处理)。
第1搬送机构26进行层间搬送动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从第6-第8阶层33f-33h的第1载置部51f-51h搬送到第4-第5阶层33d-33e的第1载置部51d-51e。
第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对衬底W进行第2处理(更详细来说，包含洗净处理的处理)。
此处，第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对衬底W进行第1洗净处理及第2洗净处理的至少任一个。例如，第4-第5阶层33d-33e的处理部41也可以分别对衬底W仅进行第1洗净处理，而不对衬底W进行第2洗净处理。例如，第4-第5阶层33d-33e的处理部41也可以分别对衬底W仅进行第2洗净处理，而不对衬底W进行第1洗净处理。例如，第4-第5阶层33d-33e的处理部41也可以分别对衬底W进行第1洗净处理与第2洗净处理两者。在该情况下，第4-第5阶层33d-33e的处理部41可以分别依次对衬底W进行第1洗净处理与第2洗净处理。或者，第4-第5阶层33d-33e的处理部41也可以分别依次对衬底W进行第2洗净处理与第1洗净处理。
接口部71的搬送部73将衬底W从第4-第5阶层33d-33e的第2载置部56d-56e搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将衬底W从曝光机EXP搬送到第1-第3阶层33a-33c的第2载置部56a-56c。
第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别对衬底W进行第3处理(更详细来说，包含显影处理的处理)。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将衬底W从第1-第3阶层33a-33c的第1载置部51a-51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
图26B表示第2动作例。图26B以单点划线示意性地表示衬底W的搬送路径。第2动作例中，第1搬送机构26进行供给动作。第2搬送机构27进行回收动作。但，第2动作例中，搬送部25不进行层间搬送动作。由此，依次对衬底W进行第1处理与第3处理。但，不对衬底W进行第2处理。以下，具体地说明第2动作例。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6-第8阶层33f-33h的第1载置部51f-51h。
第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别对衬底W进行第1处理。
接口部71的搬送部73将衬底W从第6-第8阶层33f-33h的第2载置部56f-56h搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将衬底W从曝光机EXP搬送到第1-第3阶层33a-33c的第2载置部56a-56c。
第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别对衬底W进行第3处理。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将衬底W从第1-第3阶层33a-33c的第1载置部51a-51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
图26C表示第3动作例。图26C以单点划线示意性地表示第1衬底W的搬送路径，以虚线示意性地表示第2衬底W的搬送路径。第3动作例相当于第1动作例与第2动作例的组合。第3动作例中，第1搬送机构26进行供给动作与层间搬送动作。第2搬送机构27进行回收动作。由此，依次对第1衬底W进行第1处理、第2处理及第3处理，依次对第2衬底W进行第1处理及第3处理。但，不对第2衬底W进行第2处理。以下，具体地说明第3动作例。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将第1衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第7-第8阶层33g-33h的第1载置部51g-51h。第1搬送机构26将第2衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6阶层33f的第1载置部51f。
第7-第8阶层33g-33h的处理部41分别对第1衬底W进行第1处理。第6阶层33f的处理部41对第2衬底W进行第1处理。
第1搬送机构26进行层间搬送动作。具体来说，第1搬送机构26将第1衬底W从第7-第8阶层33g-33h的第1载置部51g-51h搬送到第4-第5阶层33d-33e的第1载置部51d-51e。
第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对第1衬底W进行第2处理。
接口部71的搬送部73将第1衬底W从第4-第5阶层33d-33e的第2载置部56d-56e搬送到曝光机EXP。搬送部73将第2衬底W从第6阶层33f的第2载置部56f搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将第1衬底W从曝光机EXP搬送到第2-第3阶层33b-33c的第2载置部56b-56c。搬送部73将第2衬底W从曝光机EXP搬送到第1阶层33a的第2载置部56a。
第2-第3阶层33b-33c的处理部41分别对第1衬底W进行第3处理。第1阶层33a的处理部41对第2衬底W进行第3处理。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将第1衬底W从第2-第3阶层33b-33c的第1载置部51b-51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。第2搬送机构27将第2衬底W从第1阶层33a的第1载置部51a搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
如上所述，通过第3变化实施方式，也能够减少衬底处理装置1的占据面积，且提高衬底处理装置1的处理量。
也可以将第3变化实施方式的第4-第5阶层33d-33e进而如下所述进行变更。也就是说，第4-第5阶层33d-33e中进行的第2处理除洗净处理，也可包含保护膜形成处理。在该情况下，保护膜形成处理及洗净处理是本发明中的第2液体处理的示例。保护膜形成处理及洗净处理是本发明中的第2曝光前处理的示例。
例如，第2处理也可以包含保护膜形成处理、第1洗净处理及第2洗净处理。第4-第5阶层33d-33e也可以分别具备第1洗净处理单元SSA、第2洗净处理单元SSB及保护膜形成处理单元TC。
例如，第2处理也可以包含保护膜形成处理与第1洗净处理，且不包含第2洗净处理。第4-第5阶层33d-33e也可以分别具备第1洗净处理单元SSA与保护膜形成处理单元TC。第4-第5阶层33d-33e也可以分别不具备第2洗净处理单元SSB。
例如，第2处理也可以包含保护膜形成处理与第2洗净处理，且不包含第1洗净处理。第4-第5阶层33d-33e也可以分别具备第2洗净处理单元SSB与保护膜形成处理单元TC。第4-第5阶层33d-33e也可以分别不具备第1洗净处理单元SSA。
<第4变化实施方式>
图27是表示第4变化实施方式的衬底处理装置1的左部构成的左侧视图。第4变化实施方式的衬底处理装置1相比于第2实施方式，具备更多进行第1处理的阶层。第4变化实施方式的衬底处理装置1相比于第2实施方式，具备更多进行第2处理的阶层。在第4变化实施方式中，进行第2处理的阶层33的处理部41能够进而进行2种显影处理。第4变化实施方式的衬底处理装置1不具备进行第3处理的阶层33。
具体来说，第6-第8阶层33f-33h的处理部41对衬底W进行相同的处理。第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别对衬底W进行第1处理。第1处理包含抗蚀膜形成处理。第1处理可以还包含抗反射膜形成处理，也可以不包含抗反射膜形成处理。第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别具备2个抗反射膜用涂布单元BARC及2个抗蚀膜用涂布单元RESIST。
第1-第5阶层33a-33e的处理部41对衬底W进行相同的处理。第1-第5阶层33a-33e的处理部41分别对衬底W进行第2处理与显影处理。第2处理包含洗净处理。第1-第5阶层33a-33e中的显影处理具体来说是选择性地进行碱显影处理及有机显影处理的任一个。第1-第5阶层33a-33e的处理部41分别具备1个洗净处理单元SS、2个碱显影单元SD1及1个有机显影单元SD2。
第1处理与第2处理不同。第1处理不包含洗净处理及显影处理。第2处理不包含抗反射膜形成处理、抗蚀膜形成处理及显影处理。
抗反射膜形成处理与抗蚀膜形成处理是本发明中的第1液体处理的示例。抗反射膜形成处理与抗蚀膜形成处理是本发明中的第1曝光前处理的示例。洗净处理是本发明中的第2液体处理的示例。洗净处理是本发明中的第2曝光前处理的示例。
第6-第8阶层33f-33h是本发明中的“进行第1处理的阶层”的示例。第1-第5阶层33a-33e是本发明中的“进行第2处理的阶层”的示例。
图28A-28C是示意性地表示衬底W的搬送路径的概要的图。以下例示第4变化实施方式的衬底处理装置1的动作例。
图28A表示第1动作例。图28A以单点划线示意性地表示衬底W的搬送路径。第1动作例中，第1搬送机构26进行供给动作与层间搬送动作。第2搬送机构27进行回收动作。由此，依次对衬底W进行第1处理与第2处理。之后，对衬底W进行第1-第5阶层33a-33e中的显影处理。以下，具体地说明第1动作例。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6-第8阶层33f-33h的第1载置部51f-51h。
第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别对衬底W进行第1处理(更详细来说，包含抗蚀膜形成处理的处理)。
第1搬送机构26进行层间搬送动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从第6-第8阶层33f-33h的第1载置部51f-51h搬送到第4-第5阶层33d-33e的第1载置部51d-51e。
第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对衬底W进行第2处理(更详细来说，包含洗净处理的处理)。
接口部71的搬送部73将衬底W从第4-第5阶层33d-33e的第2载置部56d-56e搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将衬底W从曝光机EXP搬送到第1-第3阶层33a-33c的第2载置部56a-56c。
第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别对衬底W进行显影处理。
更详细来说，第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别对衬底W进行碱显影处理及有机显影处理的任一个。例如，可以在第1-第3阶层33a-33c中对衬底W进行碱显影处理。例如，也可以在第1-第3阶层33a-33c中对衬底W进行有机显影处理。例如，也可以在第1-第3阶层33a-33c的一部分中对衬底W进行碱显影处理，在第1-第3阶层33a-33c的另一部分中对衬底W进行有机显影处理。在下述其他动作例中，也可以同样地进行第1-第3阶层33a-33c中的显影处理。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将衬底W从第1-第3阶层33a-33c的第1载置部51a-51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
图28B表示第2动作例。图28B以单点划线示意性地表示衬底W的搬送路径。第2动作例中，第1搬送机构26进行供给动作。第2搬送机构27进行回收动作。但，第2动作例中，搬送部25不进行层间搬送动作。由此，对衬底W进行第1处理。之后，对衬底W进行第1-第5阶层33a-33e中的显影处理。但，不对衬底W进行第2处理。以下，具体地说明第2动作例。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6-第8阶层33f-33h的第1载置部51f-51h。
第6-第8阶层33f-33h的处理部41分别对衬底W进行第1处理。
接口部71的搬送部73将衬底W从第6-第8阶层33f-33h的第2载置部56f-56h搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将衬底W从曝光机EXP搬送到第1-第3阶层33a-33c的第2载置部56a-56c。
第1-第3阶层33a-33c的处理部41分别对衬底W进行显影处理。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将衬底W从第1-第3阶层33a-33c的第1载置部51a-51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
图28C表示第3动作例。图28C以单点划线示意性地表示第1衬底W的搬送路径，以虚线示意性地表示第2衬底W的搬送路径。第3动作例相当于第1动作例与第2动作例的组合。第3动作例中，第1搬送机构26进行供给动作与层间搬送动作。第2搬送机构27进行回收动作。由此，依次对第1衬底W进行第1处理与第2处理，对第2衬底W进行第1处理。之后，对第1衬底W及第2衬底W进行第1-第3阶层33a-33c中的显影处理。但，不对第2衬底W进行第2处理。以下，具体地说明第3动作例。
第1搬送机构26进行供给动作。具体来说，第1搬送机构26将第1衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第7-第8阶层33g-33h的第1载置部51g-51h。第1搬送机构26将第2衬底W从载置在载体载置部22A的载体C搬送到第6阶层33f的第1载置部51f。
第7-第8阶层33g-33h的处理部41分别对第1衬底W进行第1处理。第6阶层33f的处理部41对第2衬底W进行第1处理。
第1搬送机构26进行层间搬送动作。具体来说，第1搬送机构26将第1衬底W从第7-第8阶层33g-33h的第1载置部51g-51h搬送到第4-第5阶层33d-33e的第1载置部51d-51e。
第4-第5阶层33d-33e的处理部41分别对第1衬底W进行第2处理。
接口部71的搬送部73将第1衬底W从第4-第5阶层33d-33e的第2载置部56d-56e搬送到曝光机EXP。搬送部73将第2衬底W从第6阶层33f的第2载置部56f搬送到曝光机EXP。进而，搬送部73将第1衬底W从曝光机EXP搬送到第2-第3阶层33b-33c的第2载置部56b-56c。搬送部73将第2衬底W从曝光机EXP搬送到第1阶层33a的第2载置部56a。
第2-第3阶层33b-33c的处理部41分别对第1衬底W进行显影处理。第1阶层33a的处理部41对第2衬底W进行显影处理。
第2搬送机构27进行回收动作。具体来说，第2搬送机构27将第1衬底W从第2-第3阶层33b-33c的第1载置部51b-51c搬送到载置在载体载置部22B的载体C。第2搬送机构27将第2衬底W从第1阶层33a的第1载置部51a搬送到载置在载体载置部22B的载体C。
如上所述，通过第4变化实施方式，也能够减少衬底处理装置1的占据面积，且提高衬底处理装置1的处理量。
也可以将第4变化实施方式的第1-第5阶层33a-33e进而如下所述进行变更。
例如，第2处理中所包含的洗净处理也可以为第1洗净处理及第2洗净处理的任一个。此处，第1洗净处理是将衬底W的表面洗净。第2洗净处理是将衬底W的背面及衬底W的周缘部的至少任一个洗净。具体来说，洗净处理单元SS也可以为第1洗净处理单元SSA及第2洗净处理单元SSB的任一个。第1-第5阶层33a-33e也可以分别具备1个第1洗净处理单元SSA、2个碱显影单元SD1及1个有机显影单元SD2。或者，第1-第5阶层33a-33e也可以分别具备1个第2洗净处理单元SSB、2个碱显影单元SD1及1个有机显影单元SD2。
例如，第2处理中所包含的洗净处理也可以包含第1洗净处理与第2洗净处理两者。具体来说，第1-第5阶层33a-33e也可以分别具备1个第1洗净处理单元SSA、1个第2洗净处理单元SSB、1个碱显影单元SD1及1个有机显影单元SD2。在该情况下，也可以省略有机显影单元SD2。也就是说，第1-第5阶层33a-33e也可以分别具备1个第1洗净处理单元SSA、1个第2洗净处理单元SSB及2个碱显影单元SD1。或者，也可以省略碱显影单元SD1。也就是说，第1-第5阶层33a-33e也可以分别具备1个第1洗净处理单元SSA、1个第2洗净处理单元SSB及2个有机显影单元SD2。
例如，第2处理除洗净处理以外，也可以包含保护膜形成处理。具体来说，第2处理也可以包含保护膜形成处理与洗净处理。第1-第5阶层33a-33e也可以分别具备1个洗净处理单元SS、1个保护膜形成处理单元TC、1个碱显影单元SD1及1个有机显影单元SD2。在该情况下，也可以省略有机显影单元SD2。也就是说，第1-第5阶层33a-33e也可以分别具备1个洗净处理单元SS、1个保护膜形成处理单元TC及2个碱显影单元SD1。或者，也可以省略碱显影单元SD1。也就是说，第1-第5阶层33a-33e也可以分别具备1个洗净处理单元SS、1个保护膜形成处理单元TC及2个有机显影单元SD2。
例如，第1-第5阶层33a-33e中进行的显影处理也可以包含碱显影处理，且不包含有机显影处理。具体来说，第1-第5阶层33a-33e也可以分别具备1个洗净处理单元SS及3个碱显影单元SD1。或者，第1-第5阶层33a-33e也可以分别具备2个洗净处理单元SS及2个碱显影单元SD1。
例如，第1-第5阶层33a-33e中进行的显影处理也可以包含有机显影处理，且不包含碱显影处理。具体来说，第1-第5阶层33a-33e也可以分别具备1个洗净处理单元SS及3个有机显影单元SD2。或者，第1-第5阶层33a-33e也可以分别具备2个洗净处理单元SS及2个有机显影单元SD2。
所述第1变化实施方式的第4动作例中，供给动作是从载置在载体载置部22A的载体C搬出第1衬底W与第2衬底W。此处，供给动作也可以是从不同的载体C搬出第1衬底W与第2衬底W。例如，也可以从第1载体C搬出第1衬底W，从与第1载体C不同的第2载体C搬出第2衬底W。或者，供给动作也可以是从相同的载体C搬出第1衬底W与第2衬底W。在对第1衬底W及第2衬底W进行处理的第1-第4变化实施方式的其他动作例中，也可以同样地进行供给动作。
所述第1变化实施方式的第4动作例中，回收动作是将第1衬底W与第2衬底W搬入到载置在载体载置部22B的载体C。此处，回收动作也可以是将第1衬底W与第2衬底W搬入到不同的载体C。例如，也可以将第1衬底W搬入到第1载体C，将第2衬底W搬入到与第1载体C不同的第2载体C。或者，回收动作也可以是将第1衬底W与第2衬底W搬入到相同的载体C。在对第1衬底W及第2衬底W进行处理的第1-第4变化实施方式的其他动作例中，也可以同样地进行回收动作。
所述第1-第4变化实施方式的各动作例中，在对衬底W进行第2处理后，对衬底W进行第3处理或进行第2处理的阶层33中的显影处理。但，并不限于此。例如，也可以在对衬底W进行第2处理后，不对衬底W进一步进行处理处理而将衬底W回收到载体C。所述第1-第4变化实施方式的各动作例中，在对衬底W进行第2处理后，将衬底W搬送到曝光机EXP。但，并不限于此。例如，也可以在对衬底W进行第2处理后，不将衬底W搬送到曝光机EXP，而将衬底W回收到载体C。
在所述第1、第2实施方式中，第1输送载置部52构成为能够载置4片衬底W。但，并不限于此。第1输送载置部52也可以构成为能够载置5片以上的衬底W。例如，第1输送载置部52也可以具备5个以上的载置单元54。同样地，也可以变更第2输送载置部57的构成。
在所述第1、第2实施方式中，第1返回载置部53构成为能够载置4片衬底W。但，并不限于此。第1返回载置部53也可以构成为能够载置5片以上的衬底W。例如，第1返回载置部53也可以具备5个以上的载置单元54。同样地，也可以变更第2返回载置部58的构成。
在所述第1、第2实施方式中，第1载置部51跨及阶层33的搬送空间35与装载部21的搬送空间23而配置。但，并不限于此。例如，也可以将第1载置部51的全部配置在阶层33的搬送空间35。例如，也可以将第1载置部51的全部配置在阶层33的搬送空间35以外的部位。例如，也可以将第1载置部51的全部配置在搬送空间23。
在所述第1、第2实施方式中，第2载置部56跨及阶层33的搬送空间35与接口部71而设置。但，并不限于此。例如，也可以将第2载置部56的全部配置在阶层33的搬送空间35。例如，也可以将第2载置部56的全部配置在阶层33的搬送空间35以外的部位。例如，也可以将第2载置部56的全部配置在接口部71。
在所述第1、第2实施方式中，衬底处理装置1具备接口部71。但，并不限于此。也可以省略接口部71。
在第2实施方式中，第5-第6阶层33e-33f的液体处理部42具备抗反射膜用涂布单元BARC与抗蚀膜用涂布单元RESIST作为液体处理单元43。此处，也可以在抗反射膜用涂布单元BARC与抗蚀膜用涂布单元RESIST之间阻断环境气体。例如，也可以将抗反射膜用涂布单元BARC收容在第1腔室，将抗蚀膜用涂布单元RESIST收容在与第1腔室不同的第2腔室。
在第2实施方式中，第3-第4阶层33c-33d的液体处理部42具备保护膜用涂布单元TC与负型显影单元NTD作为液体处理单元43。此处，也可以在保护膜用涂布单元TC与负型显影单元NTD之间阻断环境气体。例如，也可以将保护膜用涂布单元TC收容在第1腔室，将负型显影单元NTD收容在与第1腔室不同的第2腔室。
在所述第1、第2实施方式中，处理区块31具备间隔壁34。但，并不限于此。也可以省略间隔壁34。换句话说，各阶层33的搬送空间35也可以相互连通。根据本变化实施方式，能够容易地进行处理区块31及各阶层33的维护。
关于所述第1、第2实施方式及各变化实施方式，也可以将各构成与其他变化实施方式的构成进行替换或组合等而适当进行变更。
本发明能够不脱离其思想或本质而以其他具体的形态实施，因此，表示发明范围的并非以上说明，而应参照附加的权利要求书。
符号说明
1 衬底处理装置
11 堆积器部
13 架
15 载体搬送机构
21 装载部
22A、22A1、22A2、22B、22B1、22B2 载体载置部
25 装载部的搬送部
26 装载部的第1搬送机构
27 装载部的第2搬送机构
31 处理区块
33 阶层
35 搬送空间
36 主搬送机构
41 处理部
42 液体处理部
43 液体处理单元
47 热处理部
48 热处理单元
51 第1载置部
52 第1输送载置部
53 第1返回载置部
56 第2载置部
57 第2输送载置部
58 第2返回载置部
61 泵室
62 泵
71 接口部
73 接口部的搬送部
74 接口部的第1搬送机构
75 接口部的第2搬送机构
76 接口部的第3搬送机构
91 洗净部
101 热处理部
107 控制部
C 载体
BARC 抗反射膜用涂布单元
RESIST 抗蚀膜用涂布单元
SD 显影单元
TC 保护膜用涂布单元
NTD 负型显影单元
PTD 正型显影单元
EXP 曝光机
W 衬底
X 前后方向
Y 宽度方向
Z 上下方向

Claims (21)

1.一种衬底处理装置，具备：
装载部；
多个阶层，以在上下方向上排列的方式配置；及
控制部，控制所述装载部及所述阶层；
所述阶层分别具备：
第1载置部，供载置衬底；
处理部，对衬底进行处理；及
主搬送机构，将衬底搬送到所述第1载置部与所述处理部；
所述装载部具备：
载体载置部，供载置载体；及
搬送部，在载置在所述载体载置部的所述载体与所述第1载置部之间搬送衬底；且
所述装载部的所述搬送部具备第1搬送机构，
所述第1搬送机构进行供给动作及回收动作的至少任一个，所述供给动作是将衬底从载置在所述载体载置部的所述载体搬送到所述第1载置部，所述回收动作是将衬底从所述第1载置部搬送到载置在所述载体载置部的所述载体；
所述第1搬送机构进而进行层间搬送动作，在设置在不同的所述阶层的2个所述第1载置部之间搬送衬底。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中
1个以上的所述阶层的所述处理部对衬底进行第1处理，
其他1个以上的所述阶层的所述处理部对衬底进行与所述第1处理不同的第2处理，
所述第1搬送机构在进行所述第1处理的所述阶层的所述第1载置部与进行所述第2处理的所述阶层的所述第1载置部之间搬送衬底。
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中
所述第1处理包含在曝光处理之前进行的第1曝光前处理，
所述第2处理包含在曝光处理之前进行的与第1曝光前处理不同的第2曝光前处理。
4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中
所述第1处理包含第1液体处理，
所述第2处理包含与第1液体处理不同的第2液体处理。
5.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中
所述第1处理包含在衬底形成抗反射膜的抗反射膜形成处理、在衬底形成抗蚀膜的抗蚀膜形成处理、形成保护衬底上的抗蚀膜的保护膜的保护膜形成处理、使衬底显影的显影处理及将衬底洗净的洗净处理的一部分，
所述第2处理包含所述抗反射膜形成处理、所述抗蚀膜形成处理、所述保护膜形成处理、所述显影处理及所述洗净处理的另一部分。
6.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中
所述第1处理包含在衬底形成抗反射膜的处理，
所述第2处理包含在衬底形成抗蚀膜的处理，
所述第1搬送机构将衬底从进行所述第1处理的所述阶层的所述第1载置部搬送到进行所述第2处理的所述阶层的所述第1载置部。
7.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中
所述第1处理包含在衬底形成抗反射膜的处理及在衬底形成抗蚀膜的处理，
所述第2处理包含在衬底形成保护抗蚀膜的保护膜的处理，
所述第1搬送机构将衬底从进行所述第1处理的所述阶层的所述第1载置部搬送到进行所述第2处理的所述阶层的所述第1载置部。
8.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其中
进行所述第2处理的所述阶层的所述处理部进而进行使衬底显影的处理，
所述装载部的所述搬送部将衬底从进行所述第2处理的所述阶层的所述第1载置部搬送到载置在所述载体载置部的所述载体。
9.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中
所述装载部的所述搬送部将衬底从载置在所述载体载置部的所述载体搬送到进行所述第1处理的所述阶层的所述第1载置部。
10.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中
进行所述第1处理的所述阶层的数量为2个以上，
进行所述第2处理的所述阶层的数量为2个以上。
11.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中
与进行所述第1处理的所述阶层及进行所述第2处理的所述阶层不同的其他1个以上的所述阶层的所述处理部对衬底进行第3处理，
所述第3处理包含使衬底显影的处理，
所述装载部的所述搬送部将衬底从进行所述第3处理的所述阶层的所述第1载置部搬送到载置在所述载体载置部的所述载体。
12.根据权利要求11所述的衬底处理装置，其中
进行所述第3处理的所述阶层的数量为2个以上。
13.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中
所述阶层分别具备
供载置衬底的第2载置部，
所述衬底处理装置具备
接口部，
所述接口部具备
在所述第2载置部与曝光机之间搬送衬底的搬送部，且
所述接口部的所述搬送部不在设置在不同的所述阶层的2个所述第2载置部之间搬送衬底。
14.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中
所述第1载置部具备：
第1输送载置部，专门供所述装载部的所述搬送部载置衬底；及
第1返回载置部，专门供所述主搬送机构载置衬底。
15.根据权利要求14所述的衬底处理装置，其中
所述装载部的所述搬送部在所述第1输送载置部同时载置2片衬底，且
以能够在所述第1输送载置部载置至少4片以上的衬底的方式构成所述第1输送载置部。
16.根据权利要求14所述的衬底处理装置，其中
所述装载部的所述搬送部从所述第1返回载置部同时获取2片衬底，且
以能够在所述第1返回载置部载置至少4片以上的衬底的方式构成所述第1返回载置部。
17.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中
所述第1搬送机构进行所述供给动作及所述回收动作的其中一个，不进行所述供给动作及所述回收动作的另一个，
所述装载部的所述搬送部具备第2搬送机构，
该第2搬送机构不进行所述供给动作及所述回收动作的所述其中一个，而进行所述供给动作及所述回收动作的另一个。
18.根据权利要求17所述的衬底处理装置，其中
所述装载部的所述第2搬送机构进而进行所述层间搬送动作。
19.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中
将所述阶层中衬底最后通过的阶层设为最终阶层，
所述装载部的所述搬送部将衬底从所述最终阶层的所述第1载置部搬送到载置在所述载体载置部的所述载体，
所述衬底处理装置具备：
载体退避部，在从所述载体载置部退避的位置载置所述载体；及
载体搬送部，在所述载体载置部与所述载体退避部之间搬送所述载体；且
所述控制部对所述最终阶层的所述主搬送机构在所述最终阶层的所述第1载置部载置衬底的配给动作进行检测，基于所述最终阶层的所述主搬送机构的所述配给动作的检测结果，决定所述载体搬送部的动作的时点。
20.根据权利要求19所述的衬底处理装置，其中
所述控制部基于所述最终阶层的所述主搬送机构的所述配给动作的检测结果，判定要搬入到载置在所述载体退避部的所述载体的预定衬底是否载置在所述最终阶层的所述第1载置部，
在所述控制部判定要搬入到载置在所述载体退避部的所述载体的预定衬底已载置在所述最终阶层的所述第1载置部的时间点，所述控制部使将所述载体从所述载体退避部搬送到所述载体载置部的所述载体搬送部的动作开始。
21.一种衬底处理方法，包括：
供给步骤，将衬底从载体搬送到多个阶层的至少1个；
处理步骤，在所述阶层中一边搬送衬底一边对衬底进行处理；
层间搬送步骤，在不同的2个所述阶层之间搬送衬底；及
回收步骤，将衬底从所述阶层的至少1个搬送到所述载体；且
所述供给步骤及所述回收步骤的至少任一个与所述层间搬送步骤是由相同的1个搬送机构执行。
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