CN110911445A - 显示装置 - Google Patents

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CN110911445A
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CN
China
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layer
electrode
transistor
display device
insulating
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郑胤谟
徐壹勳
尹柱善
李大宇
李卓泳
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底；晶体管的半导体层，位于基底上；晶体管的栅电极，位于半导体层上；以及导电层元件，对应于晶体管。导电层元件既电连接到恒定电压源又与基底接触。

Description

显示装置
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置。
背景技术
诸如有机发光显示装置和液晶显示装置的显示装置包括包含薄膜晶体管(“TFT”)、电容器和多条布线的阵列基底。阵列基底包括诸如TFT、电容器和布线的精细图案，通过TFT、电容器和布线之间的复杂连接来操作显示装置。
由于对具有紧凑尺寸和高分辨率的显示装置的需求的日益增加，使得关于包括在显示装置中的TFT、电容器和布线的精细图案的空间布置、精细图案的连接结构、驱动方法以及实现的图像的质量的改善的要求日益增加。
发明内容
一个或更多个实施例包括一种可以减少或有效防止后像(after-image)现象的显示装置。
附加特征将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过实践提出的实施例而获知。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置可以包括：绝缘基底，包括有机材料；晶体管的半导体层，位于绝缘基底上；晶体管的栅电极，位于半导体层上；以及导电层元件，对应于晶体管，导电层元件既与恒压电源电连接又与绝缘基底接触。
显示装置还可以包括位于与导电层元件的层不同的层中并且电连接到导电层元件的电力线。
绝缘层可以包括：有机层；以及无机层，位于有机层上。
导电层元件可以在有机层处与绝缘基底接触。
绝缘基底可以包括：第一有机层；第一无机层，位于第一有机层上；第二有机层，位于第一无机层上；以及第二无机层，位于第二有机层上。
绝缘基底还可以包括无机导电层，位于第一无机层和第二有机层之间。
导电层元件可以在绝缘基底的无机导电层处与绝缘基底接触。
无机导电层可以包括导电氢化物非晶硅或导电氧化物。
显示装置还可以包括：绝缘层，位于绝缘基底和导电层元件之间；第一接触孔，位于绝缘层中，第一接触孔暴露半导体层；以及第二接触孔，位于绝缘层中，第二接触孔暴露绝缘基底。导电层元件可以在第一接触孔处与半导体层接触并且在第二接触孔处与绝缘基底接触。
显示装置还可以包括：绝缘层，位于绝缘基底和导电层元件之间；以及同一接触孔，位于绝缘层中，所述同一接触孔既暴露半导体层又暴露绝缘基底。在同一接触孔处，导电层元件可以与半导体层和绝缘基底接触。
显示装置还可以包括：缓冲层，位于绝缘基底与半导体层之间并且包括无机层。
绝缘基底可以包括有机层和无机层，并且导电层元件与有机层接触。
根据一个或更多个实施例，一种显示装置可以包括：绝缘基底，包括有机材料；像素，位于绝缘基底上；以及导电层元件，通过导电层元件向像素施加恒定电压。在像素处，导电层元件与绝缘基底接触。
像素可以在绝缘基底上设置为多个，与绝缘基底接触的导电层元件形成接触部分，并且接触部分可以放置在多个像素中的每个中。
像素可以在绝缘基底上设置为多个，与绝缘基底接触的导电层元件形成接触部分，并且接触部分可以放置在按间隔设置的多个像素中的每个中。
像素可以在绝缘基底上设置为沿第一方向布置的多个，并且导电层元件可以沿第一方向延伸并且可以与沿第一方向布置的多个像素中的每个中的驱动晶体管叠置。
显示装置还可以包括电力线，电源电压通过电力线传输到像素，电力线在与第一方向交叉的第二方向上延伸、位于与导电层元件的层不同的层中并且电连接到导电层元件。
导电层元件可以包括：第一电力线，在第一方向上延伸并且通过第一电力线向像素施加第一恒定电压；以及第二电力线，通过第二电力线向像素施加第二恒定电压。
显示装置还可以包括位于像素中的晶体管，晶体管包括半导体层。在像素处与绝缘基底接触的同一个导电层元件可以在像素处与晶体管的半导体层接触。
绝缘基底可以包括有机层和无机层，并且导电层元件可以在有机层处与绝缘基底接触。
绝缘基底还可以在朝向晶体管的方向上依次包括：第一有机层；第一无机层，位于第一有机层上；第二有机层，位于第一无机层上；第二无机层，位于第二有机层上；以及无机导电层，位于第一无机层和第二有机层之间。导电层元件可以在无机导电层处与绝缘基底接触。
附图说明
通过结合附图进行的对实施例的如下描述，这些和/或其它特征将变得明显和更易于理解，在附图中：
图1至图3均是示意性地示出根据发明的显示装置的一部分的实施例的放大剖视图；
图4是示意性地示出根据发明的显示装置的另一实施例的俯视图；
图5是根据发明的在图4中示出的显示装置中的像素的实施例的等效电路图；
图6是根据发明的在图5中示出的像素的像素电路的实施例的俯视图；
图7是沿图6中示出的线A-A'截取的剖视图；
图8是根据发明的在图5中示出的像素的像素电路的另一实施例的俯视图；
图9是沿图8中示出的线B-B'截取的剖视图；
图10是根据发明的在图5中示出的像素的像素电路的又一实施例的俯视图；以及
图11是沿图10中示出的线C-C'截取的剖视图。
具体实施方式
由于本公开允许各种改变和多种实施例，因此将在附图中示出并且在书面描述中详细描述一些实施例。参照将在下文中结合附图详细描述的实施例，可以清楚地理解本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开不限于将要在下文中公开的实施例，而是可以以不同的形式实现。
在下文中，诸如“第一”、“第二”等的术语仅用于将一个组件与另一组件区分开，而不将组件限于上述术语。
在下文中，除非以单数使用的表述在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数使用的表述包含复数的表述。如这里所使用的，单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”意图包括包含“至少一个(种/者)”的复数形式，除非上下文另外清楚地指示。“至少一个(种/者)”不被解释为限制“一”或“一个(种/者)”。“或(或者)”意味着“和/或”。如在这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。
在将要在下文中描述的实施例中，将理解的是，诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语意图指示存在说明书中公开的特征或组件，而不意图排除可以添加一个或更多个其它特征或组件的可能性。
在以下实施例中，当诸如层、区域或组件的部分被称为与另一元件有关诸如“在”另一层、区域或组件“上”时，则所述层、区域或组件可以直接在所述另一层、区域或组件上，或者可以存在中间层、中间区域或中间组件。相反，当诸如层、区域或组件的部分被称为与另一元件有关诸如“直接在”另一层、区域或组件“上”时，不存在中间层、中间区域或中间组件。
为了便于解释，可以夸大附图中组件的尺寸。换言之，由于为了便于解释而任意地示出了附图中组件的尺寸和厚度，所以本公开不限于此。
此外，在这里可以使用诸如“下”或“底”与“上”或“顶”的相对术语来描述如附图中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语意图包含除图中所描绘的方位之外的装置的不同方位。例如，如果在一幅附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件的“下”侧上的元件将随后被定位在所述其它元件的“上”侧上。因此，根据图中的具体方位，示例性术语“下”可以包含“下”和“上”两种方位。相似地，如果在一幅图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件将随后被定位“在”所述其它元件“上方”。因此，示例性术语“在……下方”或“在……之下”可以包含上方和下方两种方位。
除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在这里如此明确地限定，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的背景下和本公开中它们的含义一致的含义，而将不以理想化的或者过于形式化的含义来解释。
在这里参照作为理想化实施例的示意性图示的剖视图来描述示例性实施例。如此，将预期例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状变化。因此，在这里描述的实施例不应被解释为局限于在这里图示的区域的具体形状，而是将包括由诸如制造导致的形状上的偏差。例如，图示或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性的特征。而且，图示的尖角可以被倒圆。因此，在图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出区域的精确形状并且不意图限制当前权利要求书的范围。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例；在整个描述中，相同的附图标记将给予彼此相同或彼此对应的组件，并且将省略其重复描述。
图1至图3均是示意性地示出根据发明的显示装置的一部分的实施例的放大剖视图。
参照图1，显示装置1可以包括均设置在基底110上的诸如晶体管20的至少一个开关元件和导电层(构件)30。
显示装置1可以是各种显示装置中的一种，例如，有机发光显示装置、液晶显示装置、电泳显示装置、电润湿显示装置等。在下文中，将描述有机发光显示装置作为示例。
基底110可以包括柔性基底。基底110可以是塑料基底。基底110可以是包括有机材料的绝缘基底。基底110可以具有包括第一层111、位于第一层111上的第二层113、位于第二层113上的第三层115和位于第三层115上的第四层117的堆叠结构。与仅包括有机材料的柔性基底相比，具有堆叠结构的柔性基底可以具有相对较低的氧渗透率、较低的水渗透率和较高的耐久性。基底110可以包括包含透明材料或由透明材料形成的基底。换言之，基底110可以包括半透明基底。
第一层111和第三层115分别具有第一厚度和第三厚度。第一层111的第一厚度可以等于第三层115的第三厚度。第二层113和第四层117分别具有第二厚度和第四厚度。第二层113的第二厚度可以等于第四层117的第四厚度。第一层111的第一厚度和第三层115的第三厚度中的每个可以大于第二层113的第二厚度和第四层117的第四厚度中的每个。在这里所使用的“厚度”可以指示沿着显示装置1的厚度方向截取的层或元件的最大尺寸。
第一层111和第三层115可以均包括包含有机材料的有机层。第一层111和第三层115可以均包括聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚芳酯(“PAR”)、聚酰亚胺(“PI”)、聚碳酸酯(“PC”)、三乙酸纤维素(“CTA”)和醋酸丙酸纤维素(“CAP”)中的至少一种。
第二层113和第四层117可以均包括包含无机材料的无机层。第二层113和第四层117可以包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)等。第二层113和第四层117中的每个可以是单层或其中SiO2和SiNx交替堆叠的多层。第二层113和第四层117可以用作阻挡层以中断湿气和/或氧渗透到基底110中。
缓冲层10还可以设置在基底110上。缓冲层10可以包括无机层和有机层中的至少一个。在实施例中，例如，缓冲层10可以阻挡杂质通过基底110的渗透，可以使基底110的表面平坦化，并且可以包括包含诸如SiO2和/或SiNx的无机材料或者由诸如SiO2和/或SiNx的无机材料形成的单层或多层。缓冲层10可以设置或形成在第四层117(即，基底110的最上层)上。可以省略缓冲层10。
晶体管20可以是诸如包括半导体层21、栅电极22、源电极23和漏电极24的薄膜晶体管的开关元件。晶体管20可以是像素的驱动晶体管，利用该驱动晶体管控制或驱动像素以产生光和/或显示图像。
半导体层21可以放置在缓冲层10上。半导体层21可以包括各种类型的材料。在实施例中，例如，半导体层21可以包括诸如非晶硅或结晶硅的无机半导体材料。作为另一示例，半导体层21可以包括氧化物半导体材料或有机半导体材料。半导体层21可以包括分别位于半导体层21的两个相对端部处的源区和漏区以及位于源区和漏区之间并且对应于栅电极22的沟道区。
栅电极22可以放置在半导体层21上方。栅电极22可以包括各种类型的导电材料中的一种或更多种。在实施例中，例如，栅电极22可以包括包含铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种的单层或多层。
第一绝缘层11可以放置在半导体层21和栅电极22之间。第一绝缘层11可以是无机绝缘层。第一绝缘层11可以包括包含选自于SiO2、SiNx、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化铪(HfO2)、二氧化锆(ZrO2)、BST和锆钛酸铅(“PZT”)中的至少一种绝缘材料的单层或多层。
分别与半导体层21的两个相对端部接触的源电极23和漏电极24可以放置在栅电极22上方。源电极23和漏电极24可以包括各种类型的导电材料。在实施例中，例如，源电极23和漏电极24可以均包括包含Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种或更多种材料的单层或多层。源电极23和漏电极24可以在限定或形成在第一绝缘层11和第二绝缘层12中的接触孔处或者经由限定或形成在第一绝缘层11和第二绝缘层12中的接触孔与半导体层21接触，所述接触孔分别暴露半导体层21的两个相对端部。
第二绝缘层12可以分别放置在栅电极22与源电极23和漏电极24中的每个之间。第二绝缘层12可以是无机绝缘层。第二绝缘层12可以包括包含选自于SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT中的至少一种绝缘材料的单层或多层。在另一实施例中，第二绝缘层12可以是有机绝缘层。
导电层(元件或图案)30可以在限定或形成在导电层30和基底110之间的至少一个绝缘层中的接触孔CH处或者经由限定或形成在导电层30和基底110之间的至少一个绝缘层中的接触孔CH与基底110在接触部分CNT处接触。导电层30延伸到基底110中以形成接触部分CNT。导电层30可以与基底110的第三层115接触。导电层30可以放置在除半导体层21放置在其上的层之外的层处。另外，导电层30在与半导体层21间隔开的层处终止。在图1示出的实施例中，导电层30放置在第二绝缘层12上以从第二绝缘层12暴露。接触部分CNT可以包括在导电层30和位于导电层30的远端处的第三层115之间形成的界面以及与基底110上的其它层形成的界面。
由于显示装置1被驱动时的电压变化，使得移动电荷被诱导到基底110的有机层(例如，第三层115)，并且导出到有机层的移动电荷可以通过影响晶体管20(更具体地，驱动晶体管)中的半导体层21的背沟道来影响晶体管20的性质。因此，由于显示装置1的后像现象等，导致图像质量会劣化，并且会发生误差。
本公开的一个或更多个实施例包括导电层30，恒定电压利用该导电层30被施加到基底110以稳定地保持晶体管20的背沟道电势。因此，可以均匀地保持与导电层30接触的第三层115的电压。导电层30可以电连接到供应直流电压的直流电压源(未示出)，直流电压可以被另外称为电源电压。
对于根据图2中描述的实施例的显示装置2，在具有图1中示出的堆叠结构的基底110中，所述堆叠结构包括第一层111、位于第一层111上的第二层113、位于第二层113上的第三层115以及位于第三层115上的第四层117，在第二层113和第三层115之间附加放置第五层114。其它组件与图1中示出的实施例的组件相同，因此，将省略其详细描述。
第五层114可以是包括无机材料的无机层。第五层114可以包括例如掺杂有N型杂质或P型杂质并且具有导电性的氢化物非晶硅(a-Si:H)或诸如IGZO:Hx的导电氧化物。
在本公开的实施例中，当第三层115中的电压由于在第三层115中的电荷转移而不够均匀时，可以通过添加具有导电性的第五层114来使第三层115中的电压保持均匀。
根据参照图3描述的实施例的显示装置3与图2中示出的显示装置2的不同之处在于导电层30与图2中示出的基底110的堆叠结构中的第五层114接触。其它组件与图1和图2中示出的实施例的组件相同，因此，将省略其详细描述。
在本公开的实施例中，当第三层115中的电压由于在第三层115中的电荷转移而不够均匀时，可以通过添加具有导电性的第五层114并且在第五层114中形成导电层30和基底110的接触部分CNT来使第三层115中的电压保持均匀。接触部分CNT可以包括形成在导电层30和位于导电层30的远端处的第五层114之间的界面。
图4是示意性地示出根据发明的显示装置4的另一实施例的俯视图。
参照图4，根据实施例的显示装置4包括基底110。基底110包括显示区域DA和***区域PA，***区域PA位于显示区域DA外部。图像可以在显示区域DA处生成和/或显示，而图像不可以在***区域PA处生成和/或显示。
设置为多个的像素PX可以布置在基底110的显示区域DA中。用于传送将要施加到显示区域DA的电信号的各种导电布线(互连件)可以放置在基板110的***区域PA中。各种导电布线(互连件)可以连接到像素PX，以将电信号施加到像素PX，用于在显示区域DA处生成和/或显示图像。
像素PX可以包括发射第一颜色的光的第一像素、发射第二颜色的光的第二像素和发射第三颜色的光的第三像素。第一像素可以是红色像素，第二像素可以是绿色像素，第三像素可以是蓝色像素。然而，本公开的实施例不限于此，并且像素可以包括发射不同颜色的一个或更多个像素。
图5是图4中示出的显示装置中的像素的实施例的等效电路图。
像素PX包括发射光的发光器件和接收来自多条布线的信号并驱动所述发光器件发射光的像素电路。可以用发射的光显示图像。在下文中，将描述具有有机发光器件OLED作为发光器件的像素PX作为示例。
多条布线可以包括：第一扫描线GIL，通过或利用第一扫描线GIL传输第一扫描信号GI；第二扫描线GWL，通过或利用第二扫描线GWL传输第二扫描信号GW；第三扫描线GBL，通过或利用第三扫描线GBL传输第三扫描信号GB；数据线DL，通过或利用数据线DL传输数据信号DATA；以及电力线PL，通过或利用电力线PL传输第一电源电压ELVDD。第一电源电压ELVDD可以是如这里所使用的直流电压。然而，本公开不限于此，如图5中所示，多条布线还可以包括：初始化线VL，通过或利用初始化线VL传输初始化电压Vint；以及发射控制线EML，通过或利用发射控制线EML传输发射控制信号EM。
像素PX中的像素电路可以包括多个晶体管T1至T7和电容器Cst。在图5中，根据晶体管的类型(p型或n型)和/或其操作条件，第一电极E11、E21、E31、E41、E51、E61和E71与第二电极E12、E22、E32、E42、E52、E62和E72中的相应对可以是多个晶体管T1至T7之中的晶体管内的源电极(源区)或漏电极(漏区)。
如图1至图3中所示，作为源电极/漏电极的第一电极E11、E21、E31、E41、E51、E61和E71以及第二电极E12、E22、E32、E42、E52、E62和E72可以彼此位于相同的层中。类似地，作为源区/漏区的第一电极E11、E21、E31、E41、E51、E61和E71以及第二电极E12、E22、E32、E42、E52、E62和E72可以彼此并与沟道区位于相同的层中，如对于图1至图3中的导电层21所示。在实施例中，如图1至图3中所示，晶体管内的源电极/漏电极位于与源区/漏区/沟道区不同的层中。即，作为分别“在相同的(同一)层中”的元件可以是相同(同一)材料层的(诸如由相同(同一)材料层形成的)部分。
第一晶体管T1包括连接到电容器Cst的第一电极Cst1的栅电极G1、经由第五晶体管T5连接到电力线PL的第一电极E11以及经由第六晶体管T6电连接到有机发光器件OLED的像素电极的第二电极E12。用作驱动晶体管的第一晶体管T1根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA，并向有机发光器件OLED供应电流Ioled。
第二晶体管T2包括连接到第二扫描线GWL的栅电极G2、连接到数据线DL的第一电极E21以及连接到第一晶体管T1的第一电极E11的第二电极E22。第二晶体管T2响应于通过第二扫描线GWL接收的第二扫描信号GW导通，并且执行开关操作以将数据信号DATA从数据线DL传送到第一晶体管T1的第一电极E11。
第三晶体管T3包括连接到第二扫描线GWL的栅电极G3、连接到第一晶体管T1的第二电极E12的第一电极E31以及连接到电容器Cst的第一电极Cst1、第四晶体管T4的第二电极E42和第一晶体管T1的栅电极G1的第二电极E32。第三晶体管T3响应于经由第二扫描线GWL传送的第二扫描信号GW导通，并且使第一晶体管T1二极管连接。
第四晶体管T4包括连接到第一扫描线GIL的栅电极G4、连接到初始化线VL的第一电极E41以及连接到电容器Cst的第一电极Cst1、第三晶体管T3的第二电极E32和第一晶体管T1的栅电极G1的第二电极E42。第四晶体管T4响应于经由第一扫描线GIL传送的第一扫描信号GI导通，并且执行初始化操作以将初始化电压Vint传送到第一晶体管T1的栅电极G1并使第一晶体管T1的栅电压初始化。
第五晶体管T5包括连接到发射控制线EML的栅电极G5、连接到电力线PL的第一电极E51以及连接到第一晶体管T1的第一电极E11和第二晶体管T2的第二电极E22的第二电极E52。
第六晶体管T6包括连接到发射控制线EML的栅电极G6、连接到第一晶体管T1的第二电极E12和第三晶体管T3的第一电极E31的第一电极E61以及连接到有机发光器件OLED中的像素电极的第二电极E62。
当第五晶体管T5和第六晶体管T6响应于经由发射控制线EML传送的发射控制信号EM同时导通时，电流流过有机发光器件OLED。
第七晶体管T7包括连接到第三扫描线GBL的栅电极G7、连接到第六晶体管T6的第二电极E62和有机发光器件OLED的像素电极的第一电极E71以及连接到初始化线VL的第二电极E72。第七晶体管T7响应于经由第三扫描线GBL传送的第三扫描信号GB导通，并且执行初始化操作以将初始化电压Vint传送到有机发光器件OLED的像素电极并使有机发光器件OLED的像素电极的电压初始化。
连接到第七晶体管T7的栅电极G7的第三扫描线GBL可以相应地是下一行或上一行中的第一扫描线GIL或第二扫描线GWL，并且第三扫描信号GB可以相应地是下一行或上一行的第一扫描信号GI或第二扫描信号GW。在实施例中，可以省略第七晶体管T7。
电容器Cst包括连接到第一晶体管T1的栅电极G1的第一电极Cst1以及连接到电力线PL的第二电极Cst2。电容器Cst的第一电极Cst1还连接到第三晶体管T3的第二电极E32和第四晶体管T4的第二电极E42。
有机发光器件OLED包括像素电极和共电极，共电极与像素电极相对。第二电源电压ELVSS可以施加到共电极。第二电源电压ELVSS可以是如这里所使用的直流电压。
中间层在有机发光器件OLED内设置在像素电极和共电极之间。中间层包括有机发射层，并且还可以包括空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)中的至少一个。然而，实施例不限于此，各种功能层还可以在有机发光器件OLED内放置在像素电极和共电极之间。
有机发射层可以发射红光、绿光或蓝光。然而，本公开不限于此，有机发射层可以发射白光。在这种情况下，有机发射层可以具有其中堆叠有发射红光的发光材料、发射蓝光的发光材料和发射绿光的发光材料的结构，或者其中发射红光的发光材料、发射绿光的发光材料和发射蓝光的发光材料组合在一起的结构。
在像素电路的控制下，有机发光器件OLED可以通过接收来自第一晶体管T1的驱动电流Ioled来显示图像并发射一种颜色的光。
图6是根据本公开的实施例的在图5中示出的像素的像素电路的实施例的俯视图。图7是沿图6中示出的线A-A'截取的剖视图。
在实施例中，像素PX布置在多条布线之中的在第一方向(列方向)上纵向延伸的布线和多条布线之中的在第二方向(行方向)上纵向延伸的布线彼此相交的点处，第二方向(行方向)是与第一方向(列方向)交叉的方向。第一扫描线GIL、第二扫描线GWL、第三扫描线GBL、初始化线VL和发射控制线EML均在第二方向上纵向延伸。数据线DL和电力线PL均在第一方向上纵向延伸。
如这里所使用的，根据发明的一个或更多个实施例的显示装置及其组件可以设置在由第一方向和第二方向限定的平面中。在图7中，例如，水平方向可以表示第一方向和/或第二方向。根据发明的一个或更多个实施例的显示装置及其组件的厚度可以在与第一方向和第二方向中的每个交叉的第三方向上延伸。在图1至图3以及图7中，例如，竖直方向表示第三(厚度)方向。
像素电路中的第一晶体管T1至第七晶体管T7中的每个包括包含源区、漏区和沟道区(沟道区位于源区和漏区之间)的半导体层以及布置在与沟道区对应的区域中并与半导体层绝缘的栅电极。源区可以对应于图5中所示的第一电极和第二电极中的一个，漏区可以对应于第一电极和第二电极中的另一个。在下文中，为了便于解释，源区和漏区将被称为第一电极和第二电极。
基底110可以是柔性基底。基底110可以是塑料基底。基底110可以具有包括至少一个有机层和至少一个无机层的堆叠结构。在实施例中，例如，如图1中所示，基底110可以具有包括第一层111/第二层113/第三层115/第四层117的堆叠结构，即，包括有机层/无机层/有机层/无机层的堆叠结构。作为基底110的最上层的无机层可以用作阻挡层。
在其它实施例中，如图2和图3中所示，基底110可以具有包括第一层111/第二层113/第五层114/第三层115/第四层117的堆叠结构，即，包括有机层/无机层/导电无机层/有机层/无机层的堆叠结构。
半导体层SEM可以放置在基底110上方。半导体层SEM可以包括各种材料。在实施例中，例如，半导体层SEM可以包括诸如非晶硅或结晶硅的无机半导体材料。作为另一示例，半导体层SEM可以包括氧化物半导体材料或有机半导体材料。半导体层SEM可以包括分别位于半导体层SEM的两个相对端部处的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区。源区和漏区可以掺杂有N型杂质或P型杂质。第一晶体管T1至第七晶体管T7内的半导体层SEM的部分布置在同一层中、彼此连接并且可以在俯视图中以各种形状弯曲。即，第一晶体管T1至第七晶体管T7的半导体层SEM可以由同一材料层形成为设置在基底110上的那些层之中的同一层中。共同的半导体层SEM的各部分可以彼此连接以形成单个、一体的半导体层SEM，并且可以对每个晶体管是公共的。
缓冲层10可以放置在基底110和半导体层SEM之间。在实施例中，可以省略缓冲层10。
第一绝缘层11(见图7)放置在半导体层SEM与栅电极G1至G7之间。
均在第二方向上纵向延伸的第一扫描线GIL、第二扫描线GWL、第三扫描线GBL和发射控制线EML布置在与第一晶体管T1的栅电极G1至第七晶体管T7的栅电极G7的层相同的层中。即，第一扫描线GIL、第二扫描线GWL、第三扫描线GBL、发射控制线EML和栅电极G1至G7可以由相同的材料层形成为设置在基底110上的这些层之中的相同的层中。
第二绝缘层12(见图7)放置在第一晶体管T1的栅电极G1至第七晶体管T7的栅电极G7上。
第一晶体管T1包括其中包括有第一电极E11、第二电极E12和沟道区C1的半导体层以及栅电极G1。如从上方(例如，沿着厚度方向)所见，第一晶体管T1的栅电极G1与沟道区C1叠置。第一晶体管T1中的半导体层可以通过在第一电极E11和第二电极E12之间具有弯曲来形成具有相对大的总长度的沟道区C1。因此，可以增加施加到栅电极G1的栅电压的路径或驱动范围。在各种实施例中，例如，如同
Figure BDA0002190550480000131
“S”“M”和“W”的曲线形状或弯曲形状可用于第一晶体管T1的半导体层的平面形状。
第二晶体管T2包括其中包括有第一电极E21、第二电极E22和沟道区C2的半导体层以及栅电极G2。如从上方所见，第二晶体管T2的栅电极G2与沟道区C2叠置，使得沟道区C2的位置可以与栅电极G2对应。第二晶体管T2的第一电极E21在位于第一绝缘层11至第三绝缘层13(见图7)中的接触孔处或经由位于第一绝缘层11至第三绝缘层13(见图7)中的接触孔电连接到数据线DL。第二晶体管T2的第二电极E22连接到第一晶体管T1的第一电极E11。
第三晶体管T3包括其中包括有第一电极E31、第二电极E32和沟道区C3的半导体层以及栅电极G3。如从上方所见，第三晶体管T3的栅电极G3与沟道区C3叠置(使得沟道区C3的位置可以与栅电极G3对应)并且由第二扫描线GWL的一部分形成。第三晶体管T3的第一电极E31连接到第一晶体管T1的第二电极E12，并且第二电极E32诸如通过连接电极(未示出)电连接到第一晶体管T1的栅电极G1。连接电极在位于第一绝缘层11至第三绝缘层13中的暴露第三晶体管T3的第二电极E32的第一接触孔以及位于第二绝缘层12和第三绝缘层13中的暴露第一晶体管T1的栅电极G1的第二接触孔处或者经由位于第一绝缘层11至第三绝缘层13中的暴露第三晶体管T3的第二电极E32的第一接触孔以及位于第二绝缘层12和第三绝缘层13中的暴露第一晶体管T1的栅电极G1的第二接触孔来将第三晶体管T3的第二电极E32连接到第一晶体管T1的栅电极G1，第三晶体管T3的第二电极E32和第一晶体管T1的栅电极G1彼此位于不同的层中。这样的第一接触孔和第二接触孔可以沿着第一方向和/或第二方向彼此间隔开。
第四晶体管T4包括其中包括有第一电极E41、第二电极E42和沟道区C4的半导体层以及栅电极G4。如从上方所见，第四晶体管T4的栅电极G4与沟道区C4叠置(使得沟道区C4的位置可以与栅电极G4对应)，并且由第一扫描线GIL的一部分形成。第四晶体管T4的第一电极E41在连接电极(未示出)处或经由连接电极(未示出)电连接到初始化线VL，并且第二电极E42电连接到第三晶体管T3的第二电极E32和第一晶体管T1的栅电极G1。连接电极在位于第一绝缘层11至第三绝缘层13中的暴露第四晶体管T4的第一电极E41的第一接触孔以及位于第三绝缘层13中的暴露初始化线VL的第二接触孔处或者通过位于第一绝缘层11至第三绝缘层13中的暴露第四晶体管T4的第一电极E41的第一接触孔以及位于第三绝缘层13中的暴露初始化线VL的第二接触孔来将第四晶体管T4的第一电极E41连接到初始化线VL，第四晶体管T4的第一电极E41和初始化线VL彼此位于不同的层中。这样的第一接触孔和第二接触孔可以沿着第一方向和/或第二方向彼此间隔开。初始化线VL放置在与其中放置有电容器Cst的第二电极Cst2的层相同的层中。
第五晶体管T5包括其中包括有第一电极E51、第二电极E52和沟道区C5的半导体层以及栅电极G5。如从上方所见，第五晶体管T5的栅电极G5与沟道区C5叠置(使得沟道区C5的位置可以与栅电极G5对应)，并且由发射控制线EML的一部分形成。第五晶体管T5的第一电极E51在位于第一绝缘层11至第三绝缘层13中的部分地暴露第一电极E51的接触孔处或者经由位于第一绝缘层11至第三绝缘层13中的部分地暴露第一电极E51的接触孔电连接到电力线PL，并且第五晶体管T5的第二电极E52连接到第一晶体管T1的第一电极E11。
第六晶体管T6包括其中包括有第一电极E61、第二电极E62和沟道区C6的半导体层以及栅电极G6。如从上方所见，第六晶体管T6的栅电极G6与沟道区C6叠置(使得沟道区C6的位置可以与栅电极G6对应)，并且由发射控制线EML的一部分形成。第六晶体管T6的第一电极E61连接到第一晶体管T1的第二电极E12，并且第六晶体管T6的第二电极E62电连接到有机发光器件OLED的像素电极。第六晶体管T6的第二电极E62在位于第一绝缘层11至第三绝缘层13中的部分地暴露第二电极E62的接触孔处或者经由位于第一绝缘层11至第三绝缘层13中的部分地暴露第二电极E62的接触孔电连接到位于第三绝缘层13上的连接电极(未示出)。像素电极通过穿过位于连接到第六晶体管T6的第二电极E62的连接电极上的第四绝缘层(未示出)中的通孔或者在位于连接到第六晶体管T6的第二电极E62的连接电极上的第四绝缘层(未示出)中的通孔处被电连接到连接电极来连接到第六晶体管T6的第二电极E62。在实施例中，第四绝缘层可以设置在第三绝缘层13上，并且像素电极可以设置在第四绝缘层上，使得上述通孔暴露连接电极301以将其连接到像素电极。
第七晶体管T7包括其中包括有第一电极E71、第二电极E72和沟道区C7的半导体层以及栅电极G7。如从上方所见，第七晶体管T7的栅电极G7与沟道区C7叠置(使得沟道区C7的位置可以与栅电极G7对应)，并且由第三扫描线GBL的一部分形成。第七晶体管T7的第二电极E72连接到第四晶体管T4的第一电极E41，第一电极E71连接到第六晶体管T6的第二电极E62。
参照图7，电容器Cst的第一电极Cst1是第一晶体管T1的栅电极G1。换言之，可以理解的是，电容器Cst的第一电极Cst1和第一晶体管T1的栅电极G1一体地形成。电容器Cst的与相邻像素隔离并且形成为离散(岛状)平面形状的第一电极Cst1与第一扫描线GIL、第二扫描线GWL、第三扫描线GBL和发射控制线EML设置在相同的层中并且是与第一扫描线GIL、第二扫描线GWL、第三扫描线GBL和发射控制线EML的材料层相同的材料层的一部分。
电容器Cst的第二电极Cst2在第二方向上连接到相邻像素，即，在沿着第二方向延伸的同一(或单个)行中的像素的第二电极Cst2处连接。电容器Cst的第二电极Cst2与第一电极Cst1叠置以覆盖第一电极Cst1的全部(例如，比第一电极Cst1的边缘延伸得远)。如在平面图和剖视图中所见，第二电极Cst2与作为包括栅电极G1以及由第一电极E11、沟道区C1和第二电极E12限定的层的第一晶体管T1叠置。位于电容器Cst的第一电极Cst1和第二电极Cst2之间的第二绝缘层12用作介电层。电容器Cst的第二电极Cst2在与使电容器Cst的第一电极Cst1的一部分暴露的接触孔对应的位置处具有或限定开口。
第三绝缘层13放置在电容器Cst的第二电极Cst2上。均在第一方向上纵向延伸的数据线DL和电力线PL布置在第三绝缘层13上。电力线PL与电容器Cst的第二电极Cst2部分地叠置。
在实施例中，共同的导电层元件可以包括：第一电力线，在第一方向上延伸，并且通过第一电力线向像素PX施加第一直流电压；以及第二电力线，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且通过第二电力线向被施加了第一直流电压的同一像素PX施加第二直流电压。参照图6和图7，例如，电容器Cst的第二电极Cst2在位于第三绝缘层13中的部分地暴露电容器Cst的第二电极的Cst2的接触孔处或经由位于第三绝缘层13中的部分地暴露电容器Cst的第二电极的Cst2的接触孔电连接到电力线PL。因此，在第一方向上纵向延伸的电力线PL可以用作在第一方向上纵向延伸的第一电力线，在第二方向上纵向延伸的电容器Cst的第二电极Cst2可以用作在第二方向上纵向延伸的第二电力线，并且共同的电力线构件(PL+Cst)可以在俯视图中整体具有网格结构。另外，电力线PL电连接到第五晶体管T5的第一电极E51。
在第二方向上纵向延伸的初始化线VL放置在与其中放置有电容器Cst的第二电极Cst2的层相同的层中。均沿第一方向纵向延伸的数据线DL和电力线PL布置在第三绝缘层13(见图7)上。
遮光构件120可以放置在像素PX中。遮光构件120可以覆盖第二晶体管T2中的第一电极E21和第二电极E22中的至少一个的一部分、第三晶体管T3中的第一电极E31和第二电极E32中的至少一个的一部分，以及/或者第四晶体管T4中的第一电极E41和第二电极E42中的至少一个的一部分。
遮光构件120可以放置在与其中放置有初始化线VL的层相同的层中。遮光构件120可以包括与被包括在初始化线VL中的材料相同的材料，诸如是与初始化线VL相同的材料层的一部分。遮光构件120可以电连接到电力线PL或初始化线VL。连接到电力线PL或初始化线VL并接收正电压的遮光构件120可以减小或有效地防止第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4受到来自围绕这样的晶体管的周边区域的其它电信号的影响。换言之，遮光构件120可以改善像素PX中的像素电路的操作性能。
参照图7，像素PX的第一晶体管T1包括其中限定或包括有第一电极E11、第二电极E12和沟道区C1的半导体层以及与沟道区C1对应地放置的栅电极G1。设置如在平面图和剖视图中所见的与第一晶体管T1叠置的电容器Cst。电容器Cst包括作为下电极的第一电极Cst1和作为上电极的第二电极Cst2。
电容器Cst的第二电极Cst2在位于第三绝缘层13中的接触孔CH1处或者经由位于第三绝缘层13中的接触孔CH1电连接到电力线PL，并且在延伸穿过缓冲层10与第一绝缘层11至第二绝缘层12中的每个的接触孔CH2处或者经由延伸穿过缓冲层10与第一绝缘层11至第二绝缘层12中的每个的接触孔CH2与基底110在接触部分CNT处接触。参照图1至图3，电容器Cst的第二电极Cst2与基底110的第三层115(见图1或图2)或第五层114(见图3)接触。换言之，电容器Cst的第二电极Cst2与图1至图3中示出的导电层30对应。接触部分CNT可以放置在作为包括栅电极G1以及由第一电极E11、沟道区C1和第二电极E12限定的层的第一晶体管T1附近。电容器Cst的第二电极Cst2可以向基底110提供恒定的第一电源电压ELVDD(见图5)，从而使基底110的第三层115中的电压保持均匀。
图8是根据发明的在图5中示出的像素的像素电路的另一实施例的俯视图。图9是沿图8中示出的线B-B'截取的剖视图。
图8中描述的实施例与图6中描述的实施例的不同之处在于连接电极301与图1至图3中示出的导电层30对应。在下文中，将主要描述与图6和图7的构造不同的构造。在晶体管处，连接电极301通过延伸穿过一个或更多个绝缘层将彼此位于不同的层中的元件彼此连接。
参照图8和图9，连接电极301在位于第三绝缘层13中的接触孔CH3处或经由位于第三绝缘层13中的接触孔CH3电连接到初始化线VL，并且在延伸穿过缓冲层10和第一绝缘层11至第三绝缘层13中的每个的接触孔CH4处或者经由延伸穿过缓冲层10和第一绝缘层11至第三绝缘层13中的每个的接触孔CH4与基底110接触以形成接触部分CNT。换言之，连接电极301与图1至图3中示出的导电层30对应。初始化线VL放置在第二绝缘层12上并且连接电极301放置在第三绝缘层13上，从而彼此位于不同的层中。
接触孔CH4暴露第四晶体管T4的第一电极E41的一部分和基底110的一部分。连接电极301可以在接触孔CH4处或者经由接触孔CH4与第四晶体管T4的第一电极E41的一部分和基底110的一部分接触。连接电极301可以与基底110的第三层115(见图1或图2)或第五层114(见图3)接触。参照图5，第四晶体管T4的第一电极E41的接触连接电极301的部分可以是第七晶体管T7的第二电极E72的一部分。换句话说，接触部分CNT可以靠近两个晶体管(例如，第四晶体管T4和第七晶体管T7)或者设置成与两个晶体管(例如，第四晶体管T4和第七晶体管T7)对应。
连接电极301可以向基底110提供恒定的初始化电压Vint，从而使基底110的第三层115中的电压保持均匀。
图10是根据发明的在图5中示出的像素的像素电路的又一实施例的俯视图。图11是沿图10中示出的线C-C'截取的剖视图。
图10中示出的实施例与图6中示出的实施例的不同之处在于电力线PL与在图1至图3中示出的导电层30对应。在下文中，将主要描述与图6和图7的构造不同的构造。
参照图10和图11，电力线PL在位于第一绝缘层11至第三绝缘层13中的接触孔CH6处或者通过位于第一绝缘层11至第三绝缘层13中的接触孔CH6电连接到第五晶体管T5的第一电极E51，并且在延伸穿过缓冲层10以及第一绝缘层11至第三绝缘层13的接触孔CH5处或者经由延伸穿过缓冲层10以及第一绝缘层11至第三绝缘层13的接触孔CH5还与基底110在接触部分CNT处接触。换言之，电力线PL与图1至图3中示出的导电层30对应。电力线PL可以与基底110的第三层115(见图1或图2)或第五层114(见图3)接触。电力线PL放置在第三绝缘层13上。
接触孔CH5暴露基板110的一部分，并且接触孔CH6暴露第五晶体管T5的第一电极E51的一部分。电力线PL可以向基底110提供恒定的第一电源电压ELVDD，从而均匀地保持基底110的第三层115中的电压。
根据一个或更多个实施例的接触部分CNT可以在第一方向上、在第二方向上或者在第一方向和第二方向上设置在多个像素中的每个中。根据一个或更多个实施例的接触部分CNT可以仅设置在沿着第一方向和/或第二方向以一定间隔设置的像素中。
根据实施例，图6中示出的接触部分CNT、图8中示出的接触部分CNT和图10中示出的接触部分CNT中的至少一个可以在第一方向上、在第二方向上或者在第一方向和第二方向上设置在每个像素中。根据实施例，至少一个接触部分CNT可以仅设置在沿着第一方向和/或第二方向间隔设置的像素中。
根据本公开的实施例的接触部分CNT不限于在上述实施例中公开的位置，而是可以根据像素设计被用在其中用于施加恒定直流电压的导电布线以像素为单位(例如，以每个像素或位于一定间隔处的像素为单位)设置在与基底接触的位置处的每种情况中。
根据一个或更多个实施例的显示装置可以在像素中包括接触部分，通过其传输恒定电压的导电层元件和基底在接触部分中彼此接触，从而向基底提供恒定电压。因此，即使由于驱动晶体管附近的晶体管的操作而导致电压变化，也可以在基底的有机层中均匀地保持电压。因此，可以稳定地保持驱动晶体管的背沟道电势。
根据一个或更多个实施例的显示装置可以用在诸如平板个人计算机(“PC”)、智能电话、个人数字助理(“PDA”)、便携式多媒体播放器(“PMP”)、游戏机和手表型电子装置的便携式电子显示终端中。显示装置不限于便携式电子显示终端，而是还可以用在诸如电视或外部广告牌的相对大尺寸的电子装置中，或者用在诸如个人计算机(“PC”)、笔记本计算机、车辆导航单元或照相机的相对小或中等尺寸的电子装置中。实施例不限于上述实施例，而是还可以用在本公开的构思内的其它电子装置中。
显示装置可以通过减少或有效防止后像现象来提供相对高质量的图像。
将理解的是，仅以描述性的含义考虑在这里描述的实施例，而不是为了限制的目的。每个实施例中的特征的描述将被认为可用于其它实施例中的其它类似特征。
尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (12)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
绝缘基底，包含有机材料；
晶体管的半导体层，位于所述绝缘基底上；
所述晶体管的栅电极，位于所述半导体层上；以及
导电层元件，对应于所述晶体管，所述导电层元件电连接到恒定电压源并且与所述绝缘基底接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括电力线，电源电压通过所述电力线传输，所述电力线位于与所述导电层元件所处的层不同的层中并且电连接到所述导电层元件。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘基底包括：
有机层；以及
无机层，位于所述有机层上。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述导电层元件在所述有机层处与所述绝缘基底接触。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述绝缘基底在朝向所述晶体管的方向上依次包括：
第一有机层；
第一无机层，位于所述第一有机层上；
第二有机层，位于所述第一无机层上；以及
第二无机层，位于所述第二有机层上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，
其中，所述绝缘基底还包括位于所述第一无机层和所述第二有机层之间的无机导电层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述导电层元件在位于所述第一无机层和所述第二有机层之间的所述无机导电层处与所述绝缘基底接触。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，在所述绝缘基底内，位于所述第一无机层和所述第二有机层之间的所述无机导电层包括导电氢化物非晶硅或导电氧化物。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
绝缘层，位于所述绝缘基底和所述导电层元件之间；以及
第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔位于所述绝缘层中，所述第一接触孔暴露所述半导体层，所述第二接触孔位于所述绝缘层中，所述第二接触孔暴露所述绝缘基底，
其中，所述导电层元件在所述第一接触孔处与所述晶体管的所述半导体层接触并且在所述第二接触孔处与所述绝缘基底接触。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
绝缘层，位于所述绝缘基底和所述导电层元件之间；以及
同一接触孔，位于所述绝缘层中，所述同一接触孔暴露所述晶体管的所述半导体层和所述绝缘基底两者，
其中，在所述同一接触孔处，所述导电层元件与所述晶体管的所述半导体层和所述绝缘基底接触。
11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
缓冲层，位于所述绝缘基底和所述半导体层之间，并且包括无机层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述绝缘基底包括有机层和无机层，并且所述导电层元件与所述有机层接触。
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