CN110911443A - 平铺显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及平铺显示装置。平铺显示装置包括布置在一个平面上的多个显示模块。显示模块包括基板、信号线、开孔、填充层和电路板。基板具有限定有子像素的显示区域。信号线位于显示区域内的基板的顶表面上，以将预定信号传送至子像素。开孔被设置成穿透显示区域内的基板。填充层填充开孔。电路板位于基板的背表面上并且通过填充层电连接至信号线。

Description

平铺显示装置
本申请要求2018年9月14日提交的韩国专利申请第10-2018-0110536号的优先权，其通过引用结合于此用于所有目的，如同在此完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及平铺显示装置。
背景技术
随着信息技术的发展，显示装置即用户和信息之间的连接媒介的市场变得越来越大，并且其重要性增加。因此，开发了各种类型的显示装置，例如有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP)，并将其投入实际使用。
这样的显示装置可以用作具有相对小尺寸的显示装置例如TV、监视器和各种个人便携式数字装置，并且可以用作具有相对大尺寸的显示装置例如公共显示器和数字标牌。
大尺寸显示装置通常位于户外并用于向多个用户提供信息。因此，需要将大尺寸显示装置实现为具有大面积，使得用户即使在远程位置也可以容易地识别由显示装置提供的信息。
然而，尽管已经开发了制造技术，但是可以使用一片基础基板制造的显示装置的面积是有限的。即，如果使用一片基础基板制造大面积显示装置，则难以确保给定水平或更高的产量。
此外，鉴于制造环境随着显示装置的面积的增加而显著变化的情况，存在为了使用一个基础基板来制造大面积显示装置而必须建造新的制造环境并且制造成本增加的问题。
为了解决上述问题，提出了一种通过组合具有最大面积的多个显示模块来实现大面积显示装置的方法，该显示模块可以使用电流稳定技术来制造。例如，可以通过在一个平面上平行布置四个显示模块并且将相邻的显示模块固定来实现大面积显示装置。通过这样的方法实现的大面积显示装置可以称为平铺显示装置。
显示模块中的每一个包括显示区域和显示区域外部的边框区域。平铺显示装置包括对应于组合的显示模块的相应边框区域的边框区域，这是因为多个被划分的显示模块具有组合的形式。这样的边框区域对应于不实现图像的区域，因此降低了显示装置的美学特性和可视性。此外，存在如下问题：会显著减少沉浸到图像中的程度，这是因为如果在相邻的显示装置之间限定边框区域，则边框区域会为观看显示装置的用户提供断开感和/或差异感。因此，有必要提出一种在提供平铺显示装置时使边框区域占据的面积最小化的方法。
发明内容
本发明提供一种平铺显示装置，其具有由边框区域占据的最小面积。
在一个方面，平铺显示装置包括布置在一个平面上的多个显示模块。显示模块包括基板、信号线、开孔、填充层和电路板。基板具有其中限定有子像素的显示区域。信号线位于显示区域内的基板的顶表面上，以将预定信号传送至子像素。开孔被设置成穿透显示区域内的基板。填充层填充开孔。电路板位于基板的背表面上并且通过填充层电连接至信号线。
附图说明
本发明包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示意性地示出平铺显示装置的透视图。
图2是示出构成平铺显示装置的显示模块的示例的透视图。
图3是沿线I-I'截取的图2的截面图。
图4是示出构成平铺显示装置的显示模块的另一示例的透视图。
图5是沿线II-II'截取的图4的截面图。
图6是示出根据本发明第一实施方式的构成平铺显示装置的显示模块的透视图。
图7是沿线III-III'截取的图6的截面图。
图8示出了子像素的示意性电路配置。
图9示出了子像素的详细电路配置。
图10是示意性地示出构成一个像素的子像素的平面布局的图。
图11是沿线IV-IV'截取的图10的截面图。
图12是沿线V-V'截取的图10的截面图。
图13A和图13B示出了示出形成有第一开孔的区域的示例性图。
图14是沿线VI-VI'截取的图10的截面图。
图15A和图15B示出了示出形成有第二开孔的区域的示例性图。
图16涉及根据第二实施方式的平铺显示装置，并且是示意性地示出构成一个像素的子像素的平面布局的图。
图17是示意性地示出其中板内栅极(GIP)电路的移位寄存器输出栅极脉冲的一个级的图。
图18是示出图17中所示的级的操作示例的波形。
图19是示意性地示出根据本发明的第三实施方式的平铺显示装置的透视图。
图20是沿线VII-VII'截取的图19的截面图。
具体实施方式
在下文中，参考附图描述了本发明的实施方式。在整个说明书中，相同的附图标记基本上表示相同的元件。在以下描述中，如果认为使本发明的要点不必要地模糊，则将省略与本发明相关的已知技术或元件的详细描述。在描述若干实施方式时，在本说明书的引入部分代表性地描述了相同的元件，并且在其他实施方式中可以省略相同的元件。
可以使用包括序数的术语例如第一和第二来描述各种元件，但是元件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。
图1是示意性地示出平铺显示装置的透视图。图2是示出构成平铺显示装置的显示模块的示例的透视图。图3是沿线I-I'截取的图2的截面图。
参照图1，平铺显示装置包括n(n是2或更大的整数)个显示模块100。显示模块100被平行地布置在一个平面上。即，显示模块100被平行布置成使得其上显示图像的各个显示区域指向一个方向。
平铺显示装置可以通过在水平面上平行布置的多个显示模块100向用户提供一个图像。即，用户可以通过与其中显示模块100已经被组合的总区域相对应的大屏幕来识别由平铺显示装置提供的一条图像信息。在一些实施方式中，可以通过在一个平面上平行布置的多个显示模块100来提供多个不同的图像。
在图1中，示出了四个显示模块100，但是本发明不限于此。此外，构成平铺显示装置的显示模块100中的每一个被示出为具有大致相同的面积和形状，但是不限于此。
显示模块100中的每一个包括OLED。OLED包括有机化合物层和彼此面对的阳极和阴极，有机化合物层介于阳极与阴极之间。有机化合物层包括发射层EML，并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的至少一个公共层。
参照图2和图3，显示模块100包括基板SUB和驱动单元。在基板SUB上限定有显示区域AA和显示区域外部的边框区域NA。基板SUB可以由玻璃或塑料材料制成。例如，基板SUB可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚碳酸酯(PC)的塑料材料制成，并且可以具有柔性特性。
在基板SUB的显示区域AA的顶表面上排列有多个像素P。虽然未示出，但是显示模块100还可以包括封装层。封装层可以定位成至少覆盖显示区域AA，以保护像素内的元件免受可能从外部引入的水分和氧气的影响。
像素P包括多个子像素SP。在图3中，像素P已经被示出为包括在一个方向上依次布置的红色(R)、白色(W)、蓝色(B)和绿色(G)的子像素SP，但是本发明不限于此。例如，像素P可以配置有红色(R)、蓝色(B)和绿色(G)的子像素SP。子像素SP的阵列序列可以根据发射材料、发射区域、补偿电路的配置等以各种方式改变。
子像素SP中的每一个包括发射相应颜色的OLED。子像素SP可以实现为有源矩阵(AM)方法，或者可以实现为无源矩阵(PM)方法。在下文中，为了便于描述，将子像素SP包括晶体管并且被实现为AM方法的情况作为示例进行描述。然后，OLED和晶体管可以连接至被施加预定信号的信号线。
焊盘部分位于基板SUB的边框区域NA中。焊盘部分包括多个焊盘PD和链接线LL。焊盘PD分别通过链接线LL连接至显示区域AA的信号线。链接线LL通过焊盘PD电连接至驱动单元并且被提供有驱动信号，并且链接线LL将驱动信号传送至显示区域AA的相应信号线。
驱动单元包括：数据驱动器，被配置成向子像素SP提供输入图像的数据电压；栅极驱动器，被配置成向子像素SP提供与数据电压同步的扫描脉冲；以及定时控制器(T-CON)，被配置成控制数据驱动器和栅极驱动器的操作定时。
驱动单元包括其上安装有驱动集成电路(IC)芯片IC的链接构件LM和电路板CB。驱动IC芯片IC可以是栅极驱动IC或源极驱动IC。链接构件LM可以以膜上芯片(COF)或带载封装(TCP)方式实现。链接构件LM的一端可以连接至焊盘PD，并且另一端可以连接至电路板CB。电路板CB可以是栅极印刷电路板(PCB)或源极PCB。
在诸如图3的结构中，设置有焊盘PD的区域和定位有接合至焊盘PD的链接构件LM的区域需要在边框区域NA中单独分配。在这种情况下，焊盘PD和链接构件LM需要具有预定区域以执行其自身的功能。因此，通过调节焊盘PD和链接构件LM的区域来减小边框区域NA的面积受到限制。
图4是示出构成平铺显示装置的显示模块的另一示例的透视图。图5是沿线II-II'截取的图4的截面图。
参照图4和图5，显示模块100包括基板SUB和驱动单元。在基板SUB上限定有显示区域AA和显示区域AA外部的边框区域NA。
在基板SUB的显示区域AA的顶表面上排列有多个像素P。像素P中的每一个包括多个子像素SP。子像素SP中的每一个包括发射相应颜色的OLED和晶体管。OLED和晶体管可以连接至被施加预定信号的信号线。
焊盘部分位于基板SUB的边框区域NA中。焊盘部分包括多个焊盘PD和链接线LL。焊盘PD分别通过链接线LL连接至显示区域AA的信号线。链接线LL通过焊盘PD电连接至驱动单元并且被提供有驱动信号，并且链接线LL将驱动信号传送至显示区域AA的相应信号线。
驱动单元包括电路板CB。电路板CB位于基板SUB的背表面上。驱动IC芯片可以安装在电路板CB上。因此，与图3所示的结构不同，显示模块100可以具有已经删除链接构件LM的结构。
基板SUB包括形成在边框区域NA中的开孔OH和填充层FL。开孔OH形成为穿透基板SUB。填充层FL填充开孔OH的内部。填充层FL的一端连接至位于基板SUB的顶表面上的焊盘PD或链接线LL，并且另一端连接至位于基板SUB的背表面上的电路板CB。填充层FL由导电材料制成并且电连接焊盘PD和电路板CB或者链接线LL和电路板CB。
与图3中所示的结构相比，图5中所示的结构具有相对窄的边框区域NA，这是因为不需要单独分配定位有链接构件(LM，图3)的区域。然而，边框区域NA的最小化受到限制，这是因为需要在显示区域AA的外部单独分配其中形成有开孔OH的焊盘部分。
<第一实施方式>
图6是示出根据本发明第一实施方式的构成平铺显示装置的显示模块的透视图。图7是沿线III-III'截取的图6的截面图。
参照图6和图7，显示模块100包括基板SUB和驱动单元。在基板SUB上限定有显示区域AA。本发明的第一实施方式可以提供具有最小边框区域NA的平铺显示装置，这是因为与图2至图5所示的结构不同，在基板SUB上没有限定单独的焊盘部分。
在基板SUB的显示区域AA的顶表面上排列有多个像素P。像素P中的每一个包括多个子像素SP。子像素SP中的每一个包括发射相应颜色的OLED和晶体管。OLED和晶体管可以连接至被施加预定信号的信号线SL。信号线SL设置在显示区域AA内。
驱动单元包括电路板CB。电路板CB位于基板SUB的背表面上。驱动IC芯片可以安装在电路板CB上。因此，与图3所示的结构不同，显示模块100可以具有已经删除链接构件LM的结构。
基板SUB包括形成在显示区域AA中的开孔OH和填充层FL。开孔OH形成为穿透基板SUB。填充层FL填充开孔OH的内部。填充层FL的一端连接至位于基板SUB的顶表面上的信号线SL，并且另一端连接至位于基板SUB的背表面上的电路板CB。填充层FL由导电材料制成并且电连接信号线SL和电路板CB。一个填充层FL可以以一对一的方式连接相应的信号线SL和电路板CB的输出引线。
本发明的第一实施方式可以提供具有最小边框区域NA的平铺显示装置，这是因为与图3和图5中所示的结构不同，不需要在显示区域AA的外部单独分配其中形成有开孔OH的区域。
在下文中，参考附图描述根据本发明的第一实施方式的构成平铺显示装置的显示模块的详细示例。
图8示出了子像素的示意性电路配置。图9示出了子像素的详细电路配置。图10是示意性地示出构成一个像素的子像素的平面布局的图。图11是沿线IV-IV'截取的图10的截面图。图12是沿线V-V'截取的图10的截面图。图13A和图13B示出了示出形成有第一开孔的区域的示例性图。图14是沿线VI-VI'截取的图10的截面图。图15A和图15B示出了示出形成有第二开孔的区域的示例性图。
参照图8，一个子像素包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、补偿电路CC和OLED。
开关晶体管SW响应于通过第一栅极线GL1提供的扫描信号执行开关操作，使得通过数据线DL1提供的数据信号作为数据电压存储在电容器Cst中。驱动晶体管DR响应于存储在电容器Cst中的数据电压而操作，使得驱动电流在电力线EVDD(高电位电压)和阴极电力线EVSS(低电位电压)之间流动。OLED响应于由驱动晶体管DR形成的驱动电流而操作以发射光。
补偿电路CC是添加到子像素以补偿驱动晶体管DR的阈值电压等的电路。补偿电路CC配置有一个或更多个晶体管。补偿电路CC的配置根据外部补偿方法而非常多样，下面描述其示例。
如图9所示，补偿电路CC包括感测晶体管ST和感测线VREF(或参考线)。感测晶体管ST连接在驱动晶体管DR的源电极和OLED的阳极电极(下文中称为“感测节点”)之间。感测晶体管ST操作以向驱动晶体管DR的感测节点提供通过感测线VREF传送的初始化电压(或感测电压)，或者感测驱动晶体管DR的感测节点或感测线VREF的电压或电流。
开关晶体管SW具有连接至第一数据线DL1的漏电极和连接至驱动晶体管DR的栅电极的源电极。驱动晶体管DR具有连接至电力线EVDD的漏电极和连接至OLED的阳极电极的源电极。电容器Cst具有连接至驱动晶体管DR的栅电极的第一电容器电极和连接至OLED的阳极电极的第二电容器电极。OLED具有连接至驱动晶体管DR的源电极的阳极电极和连接至第二电力线EVSS的阴极电极。感测晶体管ST具有连接至感测线VREF的漏电极以及连接至OLED的阳极电极(即，感测节点)和驱动晶体管DR的源电极的源电极。晶体管已经被示出为实现为n型，但不限于此。
取决于外部补偿算法(或补偿电路的配置)，感测晶体管ST的操作时间可以与开关晶体管SW的操作时间类似或相同或不同。例如，开关晶体管SW可以具有连接至第一栅极线GL1的栅电极，并且感测晶体管ST可以具有连接至第二栅极线GL2的栅电极。在这种情况下，扫描信号Scan被传送至第一栅极线GL1，并且感测信号Sense被传送至第二栅极线GL2。又例如，连接至开关晶体管SW的栅电极的第一栅极线GL1和连接至感测晶体管ST的栅电极的第二栅极线GL2可以被连接以共享。
感测线VREF可以连接至数据驱动器。在这种情况下，数据驱动器可以在实时图像的N帧(N是1或更大的整数)时段或非显示时段期间感测相应子像素的感测节点，并且可以生成感测结果。开关晶体管SW和感测晶体管ST可以同时导通。在这种情况下，基于数据驱动器的时分方法的通过感测线VREF的感测操作和输出数据信号的数据输出操作被分开(或划分)。
另外，根据感测结果的补偿目标可以是数字形式的数据信号、模拟形式的数据信号或伽马。此外，被配置成基于感测结果生成补偿信号(或补偿电压等)的补偿电路可以在数据驱动器内、在定时控制器内或作为单独的电路实现。
另外，在图9中，已经示出了具有3晶体管1电容器(3T1C)结构的子像素，包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、OLED和感测晶体管ST，但是如果添加了补偿电路CC，则子像素可以被配置为3T2C、4T2C、5T1C、6T2C等。在下文中，为了便于描述，描述了子像素具有3T1C结构的示例。
进一步参照图10，在基板SUB的显示区域AA中形成第一子像素SPn1至第四子像素SPn4，每个子像素具有发射区域EMA和电路区域DRA。在发射区域EMA中形成有OLED。在电路区域DRA中形成有包括开关晶体管、感测晶体管和用于驱动OLED的驱动晶体管的电路。
在第一子像素SPn1至第四子像素SPn4中的每一个中，位于发射区域EMA中的OLED响应于设置在电路区域DRA中的开关晶体管和驱动晶体管的操作而发射光。位于第一子像素SPn1至第四子像素SPn4之间的“WA”是设置信号线的区域。诸如电力线EVDD、感测线VREF以及第一数据线DL1至第四数据线DL4的竖直线VL设置在区域WA中。竖直线VL可以指在相邻子像素之间横穿的同时沿第一方向(例如，Y轴方向)延伸的线。诸如第一栅极线GL1和第二栅极线GL2的水平线HL被设置成与竖直线VL交叉。水平线HL可以指沿与第一方向交叉的第二方向(例如，X轴方向)延伸的线。
在一些实施方式中，虽然构成薄膜晶体管的电极设置在不同的层中，但是诸如电力线EVDD、感测线VREF以及第一数据线DL1至第四数据线DL4的线可以通过穿透位于这些线之间的绝缘层的接触孔(或通孔)而电连接。虽然未示出，但是感测线VREF可以通过感测连接线(或感测跳线)连接至第一子像素SPn1至第四子像素SPn4中的每一个的感测晶体管。电力线EVDD可以通过电力连接线(或电力跳线)连接至第一子像素SPn1至第四子像素SPn4中的每一个的驱动晶体管。第一栅极线GL1和第二栅极线GL2可以连接至第一子像素SPn1至第四子像素SPn4的相应的感测晶体管和开关晶体管。第一数据线DL1至第四数据线DL4可以连接至对应的子像素SPn1、SPn2、SPn3和SPn4的开关晶体管。
参照图11，遮光层LS位于基板SUB上。遮光层LS用于阻挡外部光的入射，以防止在晶体管中发生光电流。缓冲层BUF位于遮光层LS上。缓冲层BUF用于保护在后续工艺中形成的TFT免受诸如从遮光层LS排出的碱离子的杂质的影响。缓冲层BUF可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层。
驱动晶体管DR的半导体层A位于缓冲层BUF上。与半导体层A间隔开的电容器下电极LCst位于缓冲层BUF上。半导体层A和电容器下电极LCst可以由硅半导体或氧化物半导体制成。硅半导体可以包括非晶硅或结晶多晶硅。半导体层A包括含有p型或n型杂质的漏极区和源极区，并且包括在漏极区和源极区之间的沟道。电容器下电极LCst可以掺杂有杂质，从而变为导电的。
栅极绝缘膜GI位于半导体层A上。栅极绝缘膜GI可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层。栅电极G位于半导体层A的给定区域处的栅极绝缘膜GI上，即，如果已经注入杂质，则位于与沟道对应的位置处。栅电极G可以由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金组成的组中的任何一种制成。此外，栅电极G可以是由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)组成的组中的任何一种制成的层或由其合金制成的多层。例如，栅电极G可以是钼/铝-钕或钼/铝的双层。
使栅电极G绝缘的层间电介质层ILD位于栅电极G上。层间电介质层ILD可以是硅氧化物(SiOx)膜、硅氮化物(SiNx)膜或其多层。源电极S和漏电极D位于层间电介质层ILD上。源电极S和漏电极D通过接触孔连接至半导体层A，半导体层A的源极区通过该接触孔露出。源电极S和漏电极D可以是单层或多层。如果源电极S和漏电极D具有单层，则单层可以由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金组成的组中的任何一种制成。此外，如果源电极S和漏电极D具有多层，则多层可以是钼/铝-钕的双层或钛/铝/钛、钼/铝/钼或钼/铝-钕/钼的三层。因此，配置了包括半导体层A、栅电极G、源电极S和漏电极D的驱动晶体管DR。此外，电容器下电极LCst和电容器上电极构成电容器Cst。电容器下电极LCst可以与半导体层A形成在相同的层上，并且电容器上电极可以是源电极S的一部分。
钝化膜PAS位于包括驱动晶体管DR和电容器Cst的基板SUB上方。钝化膜PAS是用于保护下层元件的绝缘膜，并且可以是硅氧化物(SiOx)膜、硅氮化物(SiNx)膜或其多层。外涂层OC位于钝化膜PAS上。外涂层OC可以是用于减小下层结构的台阶的平坦化膜，并且由有机物质例如聚酰亚胺、苯并环丁烯系树脂或酰化物制成。在外涂层OC的一些区域中形成通过使钝化膜PAS露出而使源电极S露出的像素接触孔PH。
OLED包括彼此面对的第一电极E1、有机发射层OL和第二电极E2。
第一电极E1可以是阳极。第一电极E1通过穿透外涂层OC和钝化膜PAS的像素接触孔PH连接至驱动晶体管DR的源电极S。根据采用的发射方法，第一电极E1可以由透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或锌氧化物(ZnO)制成，并且可以用作透射电极。替选地，第一电极可以包括反射层并且用作反射电极。反射层可以由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)或其合金制成，并且可以由例如银/钯/铜(APC)合金制成。
堤部层BN设置在其中已形成第一电极E1的基板SUB上方。堤部层BN可以由n种有机物质例如聚酰亚胺、苯并环丁烯系树脂或酰化物制成。堤部层BN包括开口，第一电极E1的大部分通过该开口露出。堤部层BN使第一电极E1的中心部分露出，但是可以设置成覆盖第一电极E1的侧端。
有机发射层OL设置在其中已形成堤部层BN的基板SUB上方。有机发射层OL是电子和空穴结合以发射光的层。有机发射层OL包括发射层EML，并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的任何一个或更多个。
第二电极E2位于有机发射层OL上。第二电极E2可以广泛地形成在基板SUB的整个表面上。根据采用的发射方法，第二电极E2可以用作透射电极或反射电极。如果第二电极E2是透射电极，则第二电极E2可以由透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)制成，并且可以由其厚度薄至光可以穿过第二电极的程度的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或其合金制成。
参照图12，基板SUB包括形成在显示区域AA中的第一开孔OHV和第一填充层FLV。第一开孔OHV可以位于相邻的子像素之间。第一开孔OHV可以形成为穿透基板SUB。第一填充层FLV填充第一开孔OHV的内部。第一填充层FLV由导电材料制成。
第一填充层FLV电连接至竖直线VL例如电力线EVDD、数据线DL和感测线VREF。为此，形成第一接触孔CHV，每个第一接触孔CHV使第一填充层FLV露出。第一接触孔CHV穿透介于竖直线VL和第一填充层FLV之间的至少一个绝缘层。竖直线VL可以通过第一接触孔CHV电连接至对应的第一填充层FLV。例如，如图所示，电力线EVDD可以通过穿透缓冲层BUF和层间电介质层ILD的第一接触孔CHV连接至对应的第一填充层FLV。数据线DL可以通过穿透缓冲层BUF和层间电介质层ILD的第一接触孔CHV连接至对应的第一填充层FLV。
参照图13A和图13B，第一开孔OHV所在的区域VA可以设置在与显示区域AA内的竖直线VL的一端和/或另一端相对应的区域中。竖直线VL和第一开孔OHV可以以一对一的方式彼此对应，但是本发明不限于此。图13A是示出基板SUB的顶表面中的设置有第一开孔OHV的区域VA1的示例性图。图13B是示出基板SUB的背表面中的定位有第一开孔OHV的区域VA2的示例性图。
第一开孔OHV可以具有比竖直线VL的宽度更宽的区域，以防止接触失效。第一开孔OHV需要以预设量间隔开以防止工艺失效。在这种情况下，如果设置在沿第一方向延伸的竖直线VL的一端或另一端的所有第一开孔OHV沿第二方向平行设置，则将形成第一开孔OHV的区域可能不够。为了防止该问题，在至少一个区域中，如图所示可以沿第一方向平行布置多个第一开孔OHV1、OHV2和OHV3。从沿第一方向布置的多个第一开孔OHV1、OHV2和OHV3延伸的竖直线VL(例如，VL1、VL2和VL3)可以绕行并且延伸，使得这些竖直线不与其他竖直线相交。
参照图14，基板SUB包括形成在显示区域AA中的第二开孔OHH和第二填充层FLH。第二开孔OHH可以形成在相邻的子像素之间，并且可以形成在预定子像素的电路区域中。第二开孔OHH形成为穿透基板SUB。第二填充层FLH填充第二开孔OHH的内部。第二填充层FLH由导电材料制成。
第二填充层FLH电连接至水平线HL例如第一栅极线GL1和第二栅极线GL2。为此，形成通过介于水平线HL和第二填充层FLH之间的至少一个绝缘层使第二填充层FLH露出的第二接触孔CHH。水平线HL可以通过第二接触孔CHH电连接至对应的第二填充层FLH。例如，如图所示，第一栅极线GL1可以通过穿透缓冲层BUF的第二接触孔CHH连接至对应的第二填充层FLH。
参照图15A和图15B，第二开孔OHH所在的区域HA可以设置在与显示区域AA内的水平线HL的一端和/或另一端对应的区域中。替选地，如图所示，第二开孔OHH所在的区域HA可以沿对角线方向设置。水平线HL和第二开孔OHH可以以一对一的方式彼此对应，但是本发明不限于此。图15A是示出基板SUB的顶表面中的定位有第二开孔OHH的区域HA1的示例性图。图15B是示出基板SUB的背表面中的定位有第二开孔OHH的区域HA2的示例性图。
<第二实施方式>
图16涉及根据第二实施方式的平铺显示装置，并且是示意性地示出构成一个像素的子像素的平面布局的图。图17是示意性地示出其中板内栅极(GIP)电路的移位寄存器输出栅极脉冲的一个级的图。图18是示出图17中所示的级的操作示例的波形。
参照图16至图18，根据本发明第二实施方式的栅极驱动器可以包括：电平移位器(未示出)，其被配置成将来自定时控制器(未示出)的栅极定时信号的电压转换成栅极导通电压VGH和栅极截止电压VGL；以及GIP电路GP，其被配置成响应于通过电平移位器(未示出)接收的栅极定时控制信号而输出扫描脉冲。
GIP电路GP直接形成在显示区域AA中的基板SUB的顶表面上。定时控制器和电平移位器可以形成在设置在基板SUB的背表面上的电路板或连接至电路板的控制板(未示出)中。可以通过形成在开孔OHH中的填充层FLH将驱动GIP电路GP所需的栅极定时控制信号(即，起始脉冲、移位时钟等)提供至GIP电路GP。
GIP电路GP可以包括移位寄存器，依次生成输出电压的级相关地连接至该移位寄存器。GIP电路GP接收从前一级接收的起始脉冲或进位信号(carry signal)作为起始脉冲，并且在接收到时钟时产生输出。
如图17和图18所示，级中的每一个可以包括：上拉晶体管Tu，其被配置成通过响应于Q节点的电压对输出端子充电来升高输出电压Vout(n)；下晶体管Td，其被配置成通过响应于QB节点的电压对输出端子放电来降低输出电压；以及开关电路10，其被配置成对Q节点和QB节点充电或放电。级中的每一个的输出端子连接至对应的栅极线GL1和GL2。
当移位时钟CLK在Q节点已经被预充电与栅极导通电压VGH一样多的状态下被输入至上拉晶体管的漏极时，上拉晶体管Tu将输出端子充电到移位时钟CLK的栅极导通电压VGH。当移位时钟CLK被输入至上拉晶体管Tu的漏极时，通过上拉电容器Tu的漏极和栅极之间的电容浮置的Q节点的电压通过自举(bootstrapping)上升多达2VGH。此时，上拉晶体管Tu由Q节点的2VGH电压导通，因此输出端子的电压上升到栅极导通电压VGH。当通过栅极导通电压VGH对QB节点的电压充电时，下拉晶体管Td通过将栅极截止电压VGL提供至输出端子而将输出电压Vout(n)放电至栅极截止电压VGL。
开关电路10响应于通过VST端子接收的起始脉冲或从前一级接收的进位信号对Q节点充电，并且响应于通过RST端子或VNEXT端子接收的信号对Q节点放电。用于同时对所有级S(N-1)、S(N)和S(N+1)的Q节点进行放电的复位信号被施加至RST端子。从下一级产生的进位信号被施加至VNEXT端子。开关电路10可以使用反相器与Q节点相反地对QB节点充电或放电。应用于本发明的GIP电路GP的结构不限于以上描述，并且可以包括各种已知结构。GIP电路GP的结构在本领域中是公知的，因此省略其详细描述。
根据本发明的第二实施方式，虽然使用GIP电路GP，但是GIP电路GP被分布并且设置在显示区域AA内，从而能够使边框区域最小化。例如，在GIP电路GP中产生一个输出的单级电路可以分布并且设置在多个子像素中。级电路和栅极线GL1和GL2可以以一对一的方式彼此对应，但是不限于此。
可以在未定位有GIP电路GP的子像素中定位有虚拟电路DM。虚设电路DM具有与级电路相同的结构，但不产生输出。本发明的第二实施方式可以通过形成具有与GIP电路GP相同结构的虚设电路DM来减小其中已形成GIP电路GP的子像素与尚未形成GIP电路GP的子像素之间的电容偏差。因此，本发明的第二实施方式的优点在于，它可以在减小边框区域的面积的同时提高显示质量。
<第三实施方式>
图19是示意性地示出根据本发明第三实施方式的平铺显示装置的透视图。图20是沿线VII-VII'截取的图19的截面图。
参照图19和图20，平铺显示装置包括n(n是2或更大的整数)个显示模块100和位于显示模块100的背表面上的机壳200。显示模块100被平行布置在一个平面上。即，显示模块100被平行布置，使得其上显示图像的各个显示区域指向一个方向。
显示模块100包括基板SUB和位于基板SUB的背表面上的电路板CB。电路板CB可以通过粘合剂接合至基板SUB的背表面并且可以保持固定状态。驱动IC IC被安装在电路板CB上。驱动IC IC以不与基板SUB接触的方式设置在电路板CB上。即，电路板CB包括与基板SUB接触的一个表面(或第一表面)和面对该一个表面的另一个表面(或第二表面)。驱动IC IC可以安装在电路板CB的另一个表面上。因此，本发明的第三实施方式可以防止设置在基板SUB的顶表面中的元件因驱动IC IC产生的热而劣化的问题。
机壳200可以位于显示模块100的背表面上，以控制或固定多个显示模块100的移动。显示模块100中的每一个可以通过至少一个紧固构件FP可拆卸地耦接至机壳200。因此，本发明的实施方式具有的优点在于，任何一个显示模块100在其发生故障时都可以容易地修复，这是因为显示模块100可以容易地附接至机壳200或从机壳200拆卸。
如上所述，驱动IC IC可以位于电路板CB的另一个表面上。然而，这是有问题的，因为可能发生驱动IC IC和机壳200之间的干扰。为了防止该问题，电路板CB的另一个表面可以包括凸部CV和凹部CC。凹部CC具有其中电路板CB的另一个表面部分地向内凹陷的形状，因此相对于凸部CV具有给定的台阶。驱动IC IC位于凹部CC中并且不直接与机壳200接触。因此，本发明的实施方式具有的优点在于，它可以通过阻止驱动IC IC和机壳200之间的干扰来防止驱动失效。
在这种情况下，还可以设置用于补偿凹部CC和机壳200之间的间隙的补偿构件SR。虽然补偿构件SR补偿凹部CC和机壳200之间的间隙，但是也可以用作能够减少外部冲击的缓冲构件。补偿构件SR可以用泡沫带配置，但不限于此。
控制板CPCB可以位于机壳200中。可以在控制板CPCB中形成用于控制驱动单元的定时的定时控制器。控制板CPCB电连接至显示模块100的电路板CB，以向电路板CB中的每一个提供预定信号。为了连接控制板CPCB和电路板CB，可以在电路板CB和机壳200之间形成凸块BP。凸块BP介于电路板CB的凸部CB和机壳200之间，并且可以电连接控制板CPCB和电路板CB。
本发明的实施方式可以提供具有最小化的边框区域的平铺显示装置。因此，本发明的优点在于，它可以在提供高质量的视觉信息的同时使用户的沉浸程度最大化。
本领域技术人员将理解，在不脱离本发明的技术精神的情况下，可以通过上述内容以各种方式改变和修改本发明。因此，本发明的技术范围不限于说明书的具体实施方式中描述的内容，而应由权利要求确定。
示例1.一种平铺显示装置，包括：多个显示模块，所述多个显示模块被布置在一个平面上，其中，所述显示模块包括：基板，所述基板包括限定有子像素的显示区域；信号线，所述信号线位于所述显示区域内的所述基板的顶表面上，以将预定信号传送至所述子像素；开孔，所述开孔被设置成穿透所述显示区域内的所述基板；填充层，所述填充层填充所述开孔；以及电路板，所述电路板位于所述基板的背表面上，并且通过所述填充层电连接至所述信号线。
示例2.根据示例1所述的平铺显示装置，其中，所述开孔位于相邻的子像素之间。
示例3.根据示例1所述的平铺显示装置，其中：所述子像素中的每一个包括发射光的发射区域和所述发射区域外部的电路区域，以及所述开孔位于所述电路区域中。
示例4.根据示例1所述的平铺显示装置，还包括：至少一个绝缘层，所述至少一个绝缘层介于所述基板和所述信号线之间；以及接触孔，所述接触孔使所述填充层露出并且被设置成穿透所述至少一个绝缘层，其中，所述信号线通过所述接触孔电连接至所述填充层。
示例5.根据示例1所述的平铺显示装置，其中，所述显示模块包括板内栅极GIP电路，所述GIP电路位于所述显示区域内的所述基板上并且被配置成响应于通过所述填充层提供的预定信号而向所述信号线输出扫描脉冲。
示例6.根据示例5所述的平铺显示装置，其中：所述子像素包括形成有所述GIP电路的第一子像素和未形成有所述GIP电路的第二子像素，以及所述第二子像素包括具有与所述GIP电路的结构相同的结构的虚设电路。
示例7.根据示例1所述的平铺显示装置，其中：所述电路板包括与所述基板接触的第一表面和面对所述第一表面的第二表面，以及所述显示模块包括安装在所述电路板的第二表面上的驱动集成电路。
示例8.根据示例7所述的平铺显示装置，其中：所述电路板的第二表面包括具有给定台阶的凹部和凸部，以及所述驱动集成电路位于所述凹部中。
示例9.根据示例8所述的平铺显示装置，还包括：机壳，所述机壳位于所述显示模块的背表面上；以及补偿构件，所述补偿构件被配置成补偿所述机壳和所述凹部之间的间隙。
示例10.根据示例1所述的平铺显示装置，还包括：机壳，所述机壳位于所述显示模块的背表面上；以及至少一个紧固构件，所述至少一个紧固构件被配置成将所述显示模块和所述机壳可拆卸地耦接。
示例11.根据示例1所述的平铺显示装置，还包括：机壳，所述机壳位于所述显示模块的背表面上；控制板，所述控制板位于所述机壳内；以及凸块，所述凸块介于所述机壳和所述电路板之间以电连接所述控制板和所述电路板。

Claims (11)

1.一种平铺显示装置，包括：
多个显示模块，所述多个显示模块被布置在一个平面上，
其中，所述显示模块包括：
基板，所述基板包括限定有子像素的显示区域；
信号线，所述信号线位于所述显示区域内的所述基板的顶表面上，以将预定信号传送至所述子像素；
开孔，所述开孔被设置成穿透所述显示区域内的所述基板；
填充层，所述填充层填充所述开孔；以及
电路板，所述电路板位于所述基板的背表面上，并且通过所述填充层电连接至所述信号线。
2.根据权利要求1所述的平铺显示装置，其中，所述开孔位于相邻的子像素之间。
3.根据权利要求1所述的平铺显示装置，其中：
所述子像素中的每一个包括发射光的发射区域和所述发射区域外部的电路区域，以及
所述开孔位于所述电路区域中。
4.根据权利要求1所述的平铺显示装置，还包括：
至少一个绝缘层，所述至少一个绝缘层介于所述基板和所述信号线之间；以及
接触孔，所述接触孔使所述填充层露出并且被设置成穿透所述至少一个绝缘层，
其中，所述信号线通过所述接触孔电连接至所述填充层。
5.根据权利要求1所述的平铺显示装置，其中，所述显示模块包括板内栅极GIP电路，所述GIP电路位于所述显示区域内的所述基板上并且被配置成响应于通过所述填充层提供的预定信号而向所述信号线输出扫描脉冲。
6.根据权利要求5所述的平铺显示装置，其中：
所述子像素包括形成有所述GIP电路的第一子像素和未形成有所述GIP电路的第二子像素，以及
所述第二子像素包括具有与所述GIP电路的结构相同的结构的虚设电路。
7.根据权利要求1所述的平铺显示装置，其中：
所述电路板包括与所述基板接触的第一表面和面对所述第一表面的第二表面，以及
所述显示模块包括安装在所述电路板的第二表面上的驱动集成电路。
8.根据权利要求7所述的平铺显示装置，其中：
所述电路板的第二表面包括具有给定台阶的凹部和凸部，以及
所述驱动集成电路位于所述凹部中。
9.根据权利要求8所述的平铺显示装置，还包括：
机壳，所述机壳位于所述显示模块的背表面上；以及
补偿构件，所述补偿构件被配置成补偿所述机壳和所述凹部之间的间隙。
10.根据权利要求1所述的平铺显示装置，还包括：
机壳，所述机壳位于所述显示模块的背表面上；以及
至少一个紧固构件，所述至少一个紧固构件被配置成将所述显示模块和所述机壳可拆卸地耦接。
11.根据权利要求1所述的平铺显示装置，还包括：
机壳，所述机壳位于所述显示模块的背表面上；
控制板，所述控制板位于所述机壳内；以及
凸块，所述凸块介于所述机壳和所述电路板之间以电连接所述控制板和所述电路板。
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