CN110890355A - 发光二极管封装件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管封装件。根据本发明的一实施例的发光二极管封装件可包括主体部，具有上面被开放的腔室，所述腔室的侧面为倾斜面；第一引脚及第二引脚，被所述主体部支撑，且彼此电绝缘地相隔而布置；发光二极管芯片，与所述第一引脚及第二引脚电连接，贴装于所述主体部的腔室内；以及稳压二极管，贴装于所述主体部的腔室内，其中，所述第一引脚包括贴装所述发光二极管芯片的第一贴装部，所述第二引脚包括贴装所述发光二极管芯片的第二贴装部，所述第一贴装部的至少一侧面及所述第二贴装部的至少一侧面具有阶梯结构。

Description

发光二极管封装件
技术领域
本申请是申请日为2019年08月29日、申请号为201910808022.3、发明名称为“发光二极管封装件”的发明专利申请的分案申请。
背景技术
发光二极管是发出通过电子和空穴的再结合而产生的光的无机半导体元件。最近，发光二极管利用于诸如显示装置、车辆用灯、一般照明等各种领域。相比于现有的光源，发光二极管具有寿命长、耗电量低、响应速度快的优点，并且由于这些优点，正快速地取代现有的光源。
这样的发光二极管被制作为封装件，从而存在封装件内部贴装有稳压二极管的情况。现有技术中将这样的稳压二极管布置为暴露于发光二极管封装件的状态，或者布置于壳体内等。
然而，在稳压二极管以暴露于封装件的状态而布置的情况下，从发光二极管发出的光的一部分在稳压二极管所吸收，因此存在据此而发生光的损失的问题。
并且，在稳压二极管布置于发光二极管封装件的壳体内的情况下，存在壳体的尺寸变大的问题。并且，壳体利用注塑成型等形成，在这样形成壳体的过程中，存在发生稳压二极管的电连接被断开等的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种当将稳压二极管布置于发光二极管封装件时，可以借由稳压二极管而最小化光损失的发光二极管封装件。
本发明所要解决的技术问题在于提供一种当将稳压二极管布置于发光二极管封装件时，可以简单地设置稳压二极管，并且可以提高稳压二极管的电连接的稳定性的发光二极管封装件。
本发明所要解决的技术问题在于提供一种如下发光二极管封装件：可以使布置发光二极管及稳压二极管的引线框架暴露的区域最小化，从而最小化引线框架因如二氧化硫或硫化氢的硫化合物而导致的变色，据此可以最小化由此引起的光损失及可靠性的降低。
根据本发明的一实施例的发光二极管封装件可包括主体部，具有上面被开放的腔室，所述腔室的侧面为倾斜面；第一引脚及第二引脚，被所述主体部支撑，且彼此电绝缘地相隔而布置；发光二极管芯片，与所述第一引脚及第二引脚电连接，贴装于所述主体部的腔室内；以及稳压二极管，贴装于所述主体部的腔室内，其中，所述第一引脚包括贴装所述发光二极管芯片的第一贴装部，所述第二引脚包括贴装所述发光二极管芯片的第二贴装部，所述第一贴装部的至少一侧面及所述第二贴装部的至少一侧面具有阶梯结构。
根据本发明的一实施例的发光二极管封装件可包括：主体部，具有上面被开放的腔室，所述腔室的侧面为倾斜面；第一引脚及第二引脚，被所述主体部支撑，且彼此电绝缘地相隔而布置；发光二极管芯片，与所述第一引脚及第二引脚电连接，贴装于所述主体部的腔室内；以及稳压二极管，贴装于所述主体部的腔室内，其中，所述主体部的围绕所述发光二极管芯片的倾斜面中的至少一面可以是与其他面不同的倾斜面，所述稳压二极管贴可以装于所述发光二极管芯片的一侧，围绕所述发光二极管芯片的倾斜面中的一面可以是与贴装有所述稳压二极管的位置相邻的倾斜面。
而且，围绕所述发光二极管芯片的倾斜面中的其他面可以是倾斜度随着从下部趋向上部变大的倾斜面。
并且，围绕所述发光二极管芯片的倾斜面中的一面的从下部连接至上部的倾斜面的倾斜度可以相同。
而且，所述发光二极管封装件还可包括盖部，布置为覆盖所述主体部的围绕所述发光二极管芯片的倾斜面中的一面。
此时，所述盖部可以布置为覆盖所述稳压二极管。
并且，所述盖部可包括倾斜度从下部趋向上部变大的倾斜面。
在此，所述盖部可以利用包含反射材料的物质形成。
并且，所述发光二极管封装件还可包括涂覆部，布置为覆盖所述盖部及所述主体部的围绕所述发光二极管芯片的倾斜面中的其他面。
此时，所述涂覆部可以利用包含反射材料的物质形成。
此时，所述反射材料可以是TiO2及Al2O3中的一个以上。
另外，所述主体部可包括划分贴装所述发光二极管芯片的区域及贴装所述稳压二极管的区域的台阶部，所述台阶部相比于贴装所述发光二极管芯片的区域可以朝上部突出。
而且，所述发光二极管封装件还可包括盖部，布置为覆盖所述主体部的围绕所述发光二极管芯片的倾斜面中的一面，其中，所述盖部可以形成至所述台阶部的高度。
而且，所述稳压二极管可以以与所述第一引脚电连接的方式贴装于所述第一引脚上，并可以与所述第二引脚通过引线而电连接。
并且，在贴装所述发光二极管芯片的区域暴露的所述第一引脚及第二引脚的一部分可以朝上部方向突出。
而且，所述主体部可形成有两个围绕所述发光二极管芯片的倾斜面中的一面，两个所述一面可布置于彼此对向的位置。
根据另一实施例，所述主体部的所述倾斜面中的至少一面的朝向所述发光二极管芯片的下部的一端可位于所述发光二极管芯片的下部。
并且，构成所述腔室的底面的主体部的一部分可构成朝上部凸起的凸台。此时，所述凸台的至少一部分可位于所述发光二极管芯片的下部。
所述第一引脚可包括贴装所述发光二极管芯片的第一贴装部。所述第二引脚可包括贴装所述发光二极管芯片的第二贴装部。此时，所述第一贴装部的至少一侧面及所述第二贴装部的至少一侧面可以是阶梯结构。
所述发光二极管封装件还可包括波长转换部件，填充所述主体部的腔室而覆盖所述发光二极管芯片。
或者，所述发光二极管封装件还可包括第一波长转换部件及第二波长转换部件。所述第一波长转换部件可覆盖所述发光二极管芯片的至少上面。并且，所述二波长转换部件可填充所述主体部的腔室而覆盖所述发光二极管芯片及所述第一波长转换部件。此时，所述第一波长转换部件及所述第二波长转换部件可将光转换为彼此不同的波长段。
根据本发明，以包含有反射材料的物质覆盖布置有稳压二极管的发光二极管封装件的区域而形成倾斜的盖部，从而可以最小化从发光二极管芯片发出的光因稳压二极管而受到的损失，并且由盖部覆盖用于从稳压二极管电连接到第一引脚或第二引脚的引线，从而可以提高稳压二极管的电连接的稳定性，并且可以减少来自外部的物理冲击。
并且，即使将稳压二极管布置于发光二极管封装件内，也可以最大限度地相似地形成布置发光二极管芯片的壳体的腔室的倾斜面的形状，从而具有可以从发光二极管封装件均匀地发光的效果。
而且，使贴装发光二极管和稳压二极管的引线框暴露的区域最小化，从而当在室外使用发光二极管封装件时，保护产品免受使引线框架变色的如二氧化硫或硫化氢等的硫化合物的影响，从而可以预防可靠性降低。
进而，本发明的发光二极管封装件中，随着对于发光二极管芯片利用倒装芯片，无需用于将发光二极管芯片电连接到引线框架的单独的构成，从而可以最小化发光二极管封装件的尺寸。
而且，在发光二极管封装件的主体部中，将包括稳压二极管的位置的倾斜面形成为与其他倾斜面不同，从而可以确保将布置稳压二极管的位置的空间，进而可以最小化发光二极管封装件的尺寸。
并且，引线框架的一部分可以暴露于主体部的下部面，从而具有使从发光二极管芯片发出的热量更加容易地通过引线框架朝外部释放的效果。
附图说明
图1是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的立体图。
图2是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的平面图。
图3是沿图2的截取线I-I'截取的剖面图。
图4是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的主体部的立体图。
图5是沿图4的截取线J-J'截取的剖面图。
图6是图示包括于根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的引线框架的图。
图7是图示包括于根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的引线框架的变形例的图。
图8是图示引线框架暴露于应用了根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件所包括的引线框架的变形例的发光二极管封装件的下面的变形例的图。
图9是用于说明发光二极管芯片及稳压二极管贴装于根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的主体部的状态的图。
图10是用于以在根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的主体部形成盖部的情形进行说明的图。
图11是图示根据本发明的第二实施例的发光二极管封装件的立体图。
图12是图示根据本发明的第二实施例的发光二极管封装件的平面图。
图13是沿图12的截取线K-K'截取的剖面图。
图14是图示根据本发明的第三实施例的发光二极管封装件的主体部的立体图。
图15是图示根据本发明的第四实施例的发光二极管封装件的主体部的立体图。
图16至图20是示出根据本发明的第五实施例的发光二极管封装件的示意图。
图21是示出根据本发明的第六实施例的发光二极管封装件的示意图。
图22是示出根据本发明的第七实施例的发光二极管封装件的示意图。
具体实施方式
参照附图针对本发明的优选的实施例进行更加具体的说明。
图1是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的立体图。并且，
图2是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的平面图。图3是沿图2的截取线I-I'截取的剖面图。
参照图1至图3，根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件100包括壳体110、发光二极管芯片120、引线框架130及稳压二极管140。
本实施例中，壳体110包括主体部111、盖部113及涂覆部115。
如图所示，主体部111可具有平面上的形状大致为四边形形状，并且可具有包裹引线框架130的形状以支撑引线框架130。壳体110的内部可具有一面开放的腔室V，并可以在腔室V布置发光二极管芯片120。在此，腔室V的深度可以大于发光二极管芯片120的高度。
此时，如图2及图3所示，主体部111可以被划分为A区域及B区域。A区域可以是贴装发光二极管芯片120的区域，B区域可以是贴装稳压二极管140的区域。
参照主体部111的A区域，以发光二极管芯片120为基准，围绕发光二极管芯片120的腔室V的倾斜面可具有相同的倾斜面。此时，如图3所示，形成于A区域的第一主体倾斜面111a可形成为曲面，并且可以形成为曲面的倾斜度越向上部越陡峭。
形成于A区域的第一主体倾斜面111a形成于除发光二极管芯片120的一面以外的三面的腔室V。此时，第一主体倾斜面111a的内侧可与贴装有发光二极管芯片120的位置相邻地布置。据此，从发光二极管芯片120发出的光可以在第一主体倾斜面111a反射而朝发光二极管封装件100的上部方向发出。
而且，如图3所示，本实施例中，形成于B区域的第二主体倾斜面111b的剖面形状可形成为直线。然而，当第二主体倾斜面111b形成为倾斜面时，并不局限于剖面形状为直线的情形，也可以形成为曲线。
此时，由图2中可以确认，B区域的纵向的宽度可以大于A区域的纵向的宽度。对此将后述，这是为了确保可以形成盖部113的空间，以覆盖第二主体倾斜面111b。
如图3所示，盖部113布置为覆盖形成于B区域的第二主体倾斜面111b。盖部113以可以覆盖布置于B区域的稳压二极管140的厚度形成，并形成为不能跨过台阶部112的程度。而且，如图所示，盖部113可具有形成为平缓的倾斜面的盖倾斜面113b。盖倾斜面113b可形成为曲面，并可以形成为倾斜度从上部趋向下部变平缓。
在此，针对盖部113形成为并不跨过台阶部112的情形进行说明，然而并非局限于此，根据需要而盖部113的一部分可以跨过台阶部112形成至贴装有发光二极管芯片120的位置。即，盖部113可以利用包括反射材料的具有粘性的材料形成为覆盖第二主体倾斜面111b和稳压二极管140。此时，反射材料可以是TiO2及Al2O3等。
这样随着盖部113形成于B区域，形成于发光二极管封装件100的腔室V的盖倾斜面113b可形成为与第一主体倾斜面111a类似的形状。据此，对于形成于腔室V内的反射面而言，以发光二极管芯片120为基准所有的表面可以形成为几乎相同。
涂覆部115利用包含有反射材料的涂覆材料形成为覆盖第一主体倾斜面111a及盖倾斜面113b。此时，反射材料可以是TiO2及Al2O3等。即，涂覆部115可在发光二极管封装件100的腔室V内形成为覆盖除发光二极管芯片120以外的全部区域。为此，掩蔽发光二极管芯片120的上部，并且在发光二极管封装件100的腔室V上部利用喷涂(spray)、滴涂(dispensing)、喷气(jetting)、膜附着(film attach)、薄膜沉积(sputtering)以及电子束(e-beam)沉积等的方法可将涂覆部115形成于第一主体倾斜面111a及盖倾斜面113b上。
据此，发光二极管封装件100的腔室V的A区域可形成有第一涂覆倾斜面115a，B区域可形成有第二涂覆倾斜面115b。
图4是图示根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的主体部的立体图，图5是沿图4的截取线J-J'截取的剖面图。
参照图4，针对根据本实施例的发光二极管封装件100的主体部111进行更加详细的说明。
如图所示，主体部111的中央形成有腔室V以可以贴装发光二极管芯片120及稳压二极管140。腔室V以上部开放的状态形成。腔室V的形状可具有平面形状大致为四边形的形状。腔室V内的侧面形成有第一主体倾斜面111a及第二主体倾斜面111b以可以反射从发光二极管芯片120发出的光。
第一主体倾斜面111a形成于A区域，且可形成于腔室V的四边形形状中的三个方向而围绕发光二极管芯片120。第一主体倾斜面111a倾斜地形成，并且倾斜度从下部趋向上部可以变大。
第二主体倾斜面111b形成于B区域，并且可形成于腔室V的四边形形状中的发光二极管芯片120的一面方向。第二主体倾斜面111b倾斜地形成，并且可具有相同的倾斜度。
在腔室V的中央配备有可贴装发光二极管芯片120的区域，在贴装发光二极管芯片120的区域中第一引脚132及第二引脚134的一部分可暴露于腔室V底面。此时，第一引脚132及第二引脚134可以在贴装发光二极管芯片120的区域中以一部分朝上部突出的状态暴露。发光二极管芯片120的电极垫可以分别电接触于这样朝上部突出而暴露的第一引脚132及第二引脚134。
在此，如图所示，贴装发光二极管芯片120的区域可以以相比第一主体倾斜面111a及第二主体倾斜面111b的内侧末端凹陷的状态形成。
此时，发光二极管芯片120可布置于腔室V的中央，本实施例中，虽然针对布置有一个发光二极管芯片120的情形进行说明，然而并非局限于此，根据需要可以布置有多个发光二极管芯片120。
在腔室V的一侧，即在B区域可配备有能够贴装稳压二极管140的稳压二极管贴装部Za，并且，可配备有用于将稳压二极管140利用引线进行电连接的引线键合部Zb。
稳压二极管贴装部Za可配备于腔室V底面的暴露有第一引脚132的一部分的位置，引线键合部Zb可配备于腔室V底面的暴露有第二引脚134的一部分的位置。此时，稳压二极管贴装部Za及引线键合部Zb之间可借由主体部111而电绝缘。
而且，在本实施例中，虽然针对稳压二极管贴装部Za位于第一引脚132上，且引线键合部Zb位于第二引脚134上的情形进行说明，然而根据需要稳压二极管贴装部Za可以位于第二引脚134上，引线键合部Zb可以位于第一引脚132上。
在此，在A区域和B区域之间可布置有台阶部112。台阶部112为了划分贴装发光二极管芯片120的区域和贴装稳压二极管140的区域，可以以相比于周边突出的状态布置。而且，台阶部112可以形成为横跨腔室V的底面，并如图5所示，朝台阶部112的两侧暴露有引线框架130。
图6是图示包括于根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的引线框架的图。
参照图6，本实施例中引线框架130包括第一引脚132及第二引脚134。第一引脚132可以与发光二极管芯片120的电极垫中的一个电连接，并可贴装稳压二极管140。第二引脚134可以与发光二极管芯片120的电极垫中的一个电连接，并且可以与稳压二极管140通过引线电连接。
本实施例中，引线框架130形状可形成为如图所示的形状，除了贴装发光二极管芯片120的位置和与稳压二极管140电连接的位置以外，可布置于主体部111内。并且，第一引脚132及第二引脚134中的一部分可暴露于主体部111的外部以能够与外部电连接。
并且，根据需要，本实施例中，第一引脚132及第二引脚134的至少一部分可以朝主体部111的下面暴露。如此随着第一引脚132及第二引脚134通过主体部111的下面暴露，从发光二极管芯片120产生的热量可以通过第一引脚132及第二引脚134释放至外部。
图7是图示包括于根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的引线框架的变形例的图，图8是图示引线框架暴露于应用了根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件所包括的引线框架的变形例的发光二极管封装件的下面的变形例的图。
参照图7，本实施例中引线框架130可以利用以如图所示的形状形成的引线框架。变形例中，引线框架130包括第一引脚132及第二引脚134。第一引脚132可以与发光二极管芯片120的电极垫中的一个电连接，并且可贴装稳压二极管140。而且，第二引脚134可以与发光二极管芯片120的电极垫中的另一个电连接，并且可以通过引线而与稳压二极管140电连接。
此时，引线框架130除了贴装发光二极管芯片120及稳压二极管140的位置和与稳压二极管140电连接的位置之外，其余部分可以布置于主体部111内。
本实施例中，如图8所示，第一引脚132及第二引脚134的至少一部分可以朝主体部111的下面暴露。因此，随着第一引脚132及第二引脚134暴露于主体部111的下表面，从发光二极管芯片120产生的热量可通过第一引脚132及第二引脚134将向主体部111的下面释放。如此，从发光二极管芯片120产生的热量可以通过第一引脚132及第二引脚134释放至外部，从而可以更加有效地对发光二极管芯片120的热量进行散热。
图9是用于说明发光二极管芯片及稳压二极管贴装于根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的主体部的状态的图。
参照图9，是图示发光二极管芯片120及稳压二极管140贴装于主体部111的状态的图。若主体部111成型而支撑引线框架130，则贴装发光二极管芯片120，以使发光二极管芯片120与暴露于腔室V的底面的第一引脚132及第二引脚134电连接。而且，可以将稳压二极管140贴装于稳压二极管贴装部Za，而且可以利用引线将引线键合部Zb和稳压二极管140电连接。
图10是用于以在根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的主体部形成盖部的情形进行说明图。
参照图10，在贴装有稳压二极管140的B区域形成有盖部113以覆盖稳压二极管140及引线。盖部113还覆盖第二主体倾斜面111b而形成盖倾斜面113b。
此时，盖部113覆盖第二主体倾斜面111b的同时，覆盖剖面形状形成为为直线形状的第二主体倾斜面111b，从而可以如第一主体倾斜面111a一样形成曲面的曲面倾斜面。并且，如图所示，对B区域中腔室V的宽度形成为大于A区域中腔室V的宽度的部分进行填充，从而可以最小化A区域和B区域之间的界线而形成。
因此，作为围绕发光二极管芯片120而配备的腔室V的内壁的第一主体倾斜面111a及盖倾斜面113b可形成为几乎相同的倾斜面。
如此，若盖部113以布置于主体部111的上部的状态下，在腔室V形成涂覆部115，则可完成如图1至图3所示的发光二极管封装件100。
图11是图示根据本发明的第二实施例的发光二极管封装件的立体图，图12是图示根据本发明的第二实施例的发光二极管封装件的平面图。图13是沿图12的截取线K-K'截取的剖面图。
参照图11至图13，根据本发明的第二实施例的发光二极管封装件100包括壳体110、发光二极管芯片120、引线框架130及稳压二极管140。在本实施例进行说明的过程中，省略针对与第一实施例相同的构成的详细的说明。
本实施例中，壳体110包括主体部111、盖部113及涂覆部115。
主体部111可以划分为A区域、B区域及C区域。A区域及B区域可形成为与第一实施例相同的形状，C区域与B区域相同地，可形成有第二主体倾斜面111b。形成于C区域的第二主体倾斜面111b的剖面的形状可形成为直线。并且，C区域的纵向的宽度可以大于A区域的纵向的宽度。
而且，可布置有盖部113以覆盖形成于C区域的第二主体倾斜面111b。布置于C区域的盖部113可形成为与布置于B区域的盖部113相同的形状。然而，与B区域不同的是，在C区域并不布置稳压二极管140。而且，盖部113可具有形成为平缓的倾斜面的盖倾斜面113b。形成于C区域的盖倾斜面113b可以与形成于B区域的盖倾斜面113b可以形成为以线对称的形状具有相同的倾斜度。并且，盖部113可以利用包含反射材料的具有粘性的材料而形成。
本实施例中，涂覆部115形成为利用包含反射材料的涂覆材料覆盖第一主体倾斜面111a、B区域的盖倾斜面113b及C区域的盖倾斜面113b。涂覆部115可以利用与第一实施例相同的材料以相同的方式形成。
据此，在A区域形成有第一涂覆倾斜面115a，在B区域及C区域可形成有第二涂覆倾斜面115b。如图所示，虽然第一涂覆倾斜面115a及第二涂覆倾斜面115b针对倾斜的程度可能具有差异，然而可形成为几乎相同的面。
本实施例中，随着C区域形成为与B区域相同，从发光二极管芯片120发出的光被反射而朝发光二极管封装件100的外部发出时，由于B区域和C区域以对称的形状形成，从而可以向外部发出更加均匀的光。
图14是图示根据本发明的第三实施例的发光二极管封装件的主体部的立体图。
参照图14，针对根据本发明的第三实施例的发光二极管封装件，省略针对具有与第一实施例相同的构成的构成的说明，并仅对主体部111的构成中与第一实施例不同的构成进行说明。
如图所示，本实施例中主体部111配备有在腔室V的内部中央的底面可以贴装发光二极管芯片120的区域，并且第一引脚132及第二引脚134可暴露于该区域。
而且，贴装发光二极管芯片120的区域的一侧布置有台阶部112，在台阶部112的一侧布置有稳压二极管贴装部Za及引线键合部Zb。此时，稳压二极管贴装部Za和引线键合部Zb之间布置有划分台阶部112a。
如图所示，划分台阶部112a可布置于稳压二极管贴装部Za及引线键合部Zb之间，并且可以是主体部111的一部分。并且，划分台阶部112a可具有与台阶部112相同的高度。如此，稳压二极管贴装部Za及引线键合部Zb可借由划分台阶部112a而具有比周边凹陷的形状。
本实施例中，相比于稳压二极管贴装部Za及引线键合部Zb，划分台阶部112a可具有朝上部方向垂直地突出的形状。
图15是图示根据本发明的第四实施例的发光二极管封装件的主体部的立体图。
参照图15，针对根据本发明的第四实施例的发光二极管封装件，省略针对具有与第一实施例相同的构成的构成的说明，并仅对主体部111的构成中与第一实施例不同的构成进行说明。
如图所示，本实施例中主体部111可配备有可在腔室V的内部中央的底面贴装发光二极管芯片120的区域，并且第一引脚132及第二引脚134可暴露于该区域。
而且，贴装发光二极管芯片120的区域的一侧布置有台阶部112，在台阶部112的一侧布置有稳压二极管贴装部Za及引线键合部Zb。此时，稳压二极管贴装部Za和引线键合部Zb之间布置有划分台阶部112a。
如图所示，划分台阶部112a可布置于稳压二极管贴装部Za及引线键合部Zb之间，并且可以是主体部111的一部分。并且，如图所示，划分台阶部112a可以由从稳压二极管贴装部Za朝向引线键合部Zb的方向形成的倾斜面及从引线键合部Zb朝向稳压二极管贴装部Za的方向形成的倾斜面形成。即，划分台阶部112a的剖面可具有三角形形状，划分台阶部112a的高度可以与台阶部112的高度相同。
如此，随着划分台阶部112a以具有倾斜面的形状形成，当利用引线将贴装于稳压二极管贴装部Za的稳压二极管140和引线键合部Zb电连接时，可以最小化引线的长度。
图16至图20是示出根据本发明的第五实施例的发光二极管封装件的示意图。
图16是根据第五实施例的发光二极管封装件200的立体图。图17是图示主体部211的下部部分的上面的图。图18是利用于根据第五实施例的发光二极管封装件200的引线框架230的平面图。并且，图19是图16的一剖面图(A1-A2)，图20是图16的另一剖面图(B1-B2)。
根据第五实施例的发光二极管封装件200以与之前所说明的发光二极管封装件的实施例的差异点为主进行说明。
根据第五实施例的发光二极管封装件200包括壳体210、发光二极管芯片120、引线框架230、稳压二极管140及波长转换部件250。
参照图19及图20，腔室V的第一主体倾斜面211a的一端位于发光二极管芯片120的下部。在此，第一主体倾斜面211a的一端是朝向发光二极管芯片120的第一主体倾斜面211a的下部的一端。
并且，主体部211的腔室的下面的一部分具有朝上部方向凸起的凸台(dam)结构。凸台212位于覆盖第二主体倾斜面211b及稳压二极管140的盖部213和发光二极管芯片120之间。并且，如图20所示，凸台212的一部分位于发光二极管芯片120的下部。在腔室V的底面凸起地凸出结构的凸台212可以将从发光二极管芯片120的下部发出的光朝上部方向反射。
盖部213覆盖贴装于稳压二极管贴装部Za的稳压二极管140。例如，盖部213可以以利用具有粘性的盖部树脂填充第二主体倾斜面211b和凸台212之间的方式形成，以覆盖稳压二极管140。此时，凸台212可以防止盖部树脂侵入贴装发光二极管芯片120的区域。在此，盖部树脂是构成盖部213的材料。例如，盖部树脂可以是包含反射物质的硅树脂。图17是形成主体部211的上部部分之前的发光二极管封装件200的平面图。即，图17示出了主体部211的下部部分的上面。在此，主体部211的上部部分构成腔室，并且是围绕发光二极管芯片120及稳压二极管140的部分。
主体部211通过填充第一引脚232及第二引脚234之间的同时形成凸台212。如图17所示，凸台212沿贴装发光二极管芯片120的贴装区域215的周围而形成。当形成主体部211的上部部分时，如此形成的凸台212可以防止主体部树脂侵入贴装区域215。在此，主体部树脂是主体部211的材料。例如，主体部树脂可以是包含反射物质的硅树脂。
为了说明凸台212的结构而将主体部211划分为上部部分和下部部分。然而，主体部211的上部部分和下部部分以相同的材料形成，因此在工序中可以成为一体型。
并且，参照图16，盖部213是覆盖构成腔室V的主体部211的整个一面的结构。然而，盖部213的结构并非局限于此。盖部213可以是覆盖主体部211的一面的90％以上的结构，以可以覆盖稳压二极管芯片140、稳压二极管贴装部Za及引线键合部Zb。
粘接部件240夹设于发光二极管芯片120的下面和引线框架230之间的空间。即，发光二极管芯片120借由粘接部件240而附着于引线框架230。并且，粘接部件240包含导电性物质，从而起到将发光二极管芯片120和引线框架230电连接的作用。例如，粘接部件240可以是以焊料构成的部件。
引线框架230包括第一引脚232及第二引脚234。
第一引脚232包括贴装发光二极管芯片120的第一贴装部233，第二引脚234包括贴装发光二极管芯片120的第二贴装部235。
第一贴装部233及第二贴装部235的侧面具有阶梯结构。
参照图19，第一贴装部233的一侧面及第二贴装部235的一侧面形成为上部比下部突出。在此，第一贴装部233的一侧面和第二贴装部235的一侧面彼此对向。
并且，第一贴装部233的另一侧面及第二贴装部235的另一侧面形成为中央部比上部及下部突出。在此，第一贴装部233的另一侧面及第二贴装部235的另一侧面是各自一侧面的相反面。
并且，在第一贴装部233及第二贴装部235的突出的部分形成有凹陷的槽237。
这种结构的突出的部分***于与第一贴装部233及第二贴装部235相接的主体部211的一面。并且，突出的部分的槽237被主体部211填充。
如此，发光二极管封装件200具有如下结构：第一引脚232及第二引脚234的突出的部分***于主体部211，主体部211***于突出的部分的槽237。即，发光二极管封装件200具有第一引脚232及第二引脚234和主体部211双重咬合的结构。如此，发光二极管封装件200的结构可以使第一引脚232及第二引脚234和主体部211彼此更坚固地结合。并且，如此的发光二极管封装件200的结构可以增加外部异物的渗透路径，从而可以防止由于外部异物的渗透使发光二极管封装件200的内部构成部受到损伤。在此，外部异物可以是存在于发光二极管封装件200的外部的湿气、灰尘等。
并且，第一引脚232形成为与第一贴装部233的另一侧面对向的侧面也是下部比上部突出。并且，第二引脚234形成为与第二贴装部235的另一侧面对向的侧面也是下部比上部突出。
并且，第一引脚232及第二引脚234的上面可形成有至少一个槽217。在槽217可填充有主体部211。
参照图20，第一引脚232的第一贴装部233的两侧面具有上部比下图突出的结构。图19和图20是彼此不同方向的剖面图。即，图19中图示的第一贴装部233的两侧面和图20中图示的第一贴装部233的两侧面是位于彼此不同方向的侧面。
并且，虽然图20中未图示，然而第二引脚234的第二贴装部234同样也可以是与第一贴装部233相同的结构。
参照图18，在第一引脚232中，在第一贴装部233和外侧面之间形成有通孔219。并且，第二引脚234在第二贴装部235和外侧面之间也形成有通孔219。在此，外侧面是在主体部211的侧面中暴露于外部的一面。通孔219可以形成为多种结构。本实施例中，考虑到通孔219周边的引线框架230的强度(厚度)、通孔219的面积及通孔219制造便利性，通孔219具有椭圆形结构。
借由通过图18至图20说明的第一引脚232及第二引脚234的多级结构及通孔219，增加了引线框架230和主体部211之间的接合面积。并且，第一引脚232及第二引脚234的多级结构可以增加外部异物的渗透路径，从而可以防止由于外部异物的渗透而导致的发光二极管封装件200的损伤。因此，提升了发光二极管封装件200的可靠性。
在主体部211的腔室V形成有波长转换部件250。
波长转换部件250包括透光性树脂及分散在透光性树脂的波长转换物质。例如，透光性树脂可以是环氧树脂或硅树脂。
波长转换物质转换从发光二极管芯片120发出的光的波长。例如，波长转换物质可以是荧光体。
本实施例中，波长转换部件250可以是在透光性树脂中混合了红色荧光体和绿色荧光体的部件。或者，为了提升发光强度还可以混合黄色荧光体。发光二极管封装件200可以使从发光二极管芯片120发出的光和借由各个荧光体而产生的光混合而发出白光。根据从发光二极管封装件200发出的光的颜色，可以多样地变更分散于透光性树脂中的荧光体的种类。
如图19及图20所示，波长转换物质相比于透光性树脂的上部可以更多地分散于下部。即，相比于透光性树脂的上部，在腔室V的底面及发光二极管芯片120的周边的波长转换物质的浓度更高。即，波长转换部件250可以是波长转换物质在中央部分以朝上部凸起的方式分散的结构。
填充腔室V的波长转换部件250可以包围发光二极管芯片120，从而保护发光二极管芯片120使其免受外部物质及外部冲击的影响。
图21是示出根据本发明的第六实施例的发光二极管封装件的示意图。
根据第六实施例的发光二极管封装件300，除了波长转换部件以外的其他的构成部与之前实施例的发光二极管封装件相同。因此，根据第六实施例的发光二极管封装件300以与之前实施例的差异点为主进行说明。
参照图21，发光二极管封装件300包括第一波长转换部件352及第二波长转换部件354。
第一波长转换部件352可形成为覆盖发光二极管芯片120的上面。例如，第一波长转换部件352可以是在透光性膜的内部分散有第一波长转换物质的部件。
第二波长转换部件354可形成为填充主体部211的腔室V，以覆盖发光二极管芯片120及第一波长转换部件352。例如，第二波长转换部件354可以是在透光性树脂的内部分散有第二波长转换物质的部件。此时，如图21所示，第二波长转换物质可以在发光二极管芯片120所处区域以朝上部方向凸起的方式分散。
第一波长转换物质和第二波长转换物质将光转换为彼此不同的波长段。例如，第一波长转换物质可以是红色荧光体。并且，第二波长转换物质可以是绿色荧光体。
虽然在图21中第一波长转换部件352仅覆盖发光二极管芯片120的上面，然而也可实现为将发光二极管芯片120的上面及侧面全部覆盖。
图22是示出根据本发明的第七实施例的发光二极管封装件的示意图。
根据第七实施例的发光二极管封装件400，除了波长转换部件之外的其他构成部与根据第六实施例的发光二极管封装件相同。因此，根据第七实施例的发光二极管封装件以与之前实施例的差异点为主进行说明。
参照图22，发光二极管封装件400包括第一波长转换部件452及第二波长转换部件354。
本实施例的第一波长转换部件452可以通过在发光二极管芯片120的上面以打点(dotting)方式涂覆波长转换树脂而形成。波长转换树脂可以是第一波长转换物质分散于内部的透光性树脂。
若波长转换物质打点于发光二极管芯片120的上面中央，则沿发光二极管芯片120的上面而扩散。据此，波长转换物质可以比发光二极管芯片120的周边更多地分布于发光二极管芯片120的上面中央部分。因此，如图22所示，第一波长转换部件452将成为第一波长转换物质以凸起的方式在中央分散的结构。
如上所述，借由参考附图的实施例而对本发明进行了详细说明，然而上述的实施例仅举出本发明的优选的实例而进行了说明，因此本发明并不能仅局限于上述实施例而理解，本发明的权利范围应当以权利要求书记载的范围及其等同概念来理解。

Claims (10)

1.一种发光二极管封装件，包括：
主体部，具有上面被开放的腔室，所述腔室的侧面为倾斜面；
第一引脚及第二引脚，被所述主体部支撑，且彼此电绝缘地相隔而布置；
发光二极管芯片，与所述第一引脚及第二引脚电连接，贴装于所述主体部的腔室内；以及
稳压二极管，贴装于所述主体部的腔室内，
其中，
所述第一引脚包括贴装所述发光二极管芯片的第一贴装部，
所述第二引脚包括贴装所述发光二极管芯片的第二贴装部，
所述第一贴装部的至少一侧面及所述第二贴装部的至少一侧面具有阶梯结构。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
构成所述腔室的底面的主体部的一部分构成凸台，所述凸台围绕贴装所述发光二极管芯片的区域，并朝上部凸起，
所述凸台的至少一部分位于所述发光二极管芯片的下部。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管封装件，其中，
所述第一贴装部的具有阶梯结构的一侧面与所述第二贴装部的具有阶梯结构的一侧面彼此对向，
所述第一贴装部的另一侧面及所述第二贴装部的另一侧面形成为中央部比上部及下部突出，
其中，所述第一贴装部的另一侧面及所述第二贴装部的另一侧面是各自一侧面的相反面。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装件，其中，
所述第一引脚的与所述第一贴装部的另一侧面对向的侧面以及所述第二引脚的与所述第二贴装部的另一侧面对向的侧面形成为下部比上部突出。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装件，其中，
所述第一引脚具有形成于所述第一贴装部和所述第一引脚的外侧面之间的通孔；
所述第二引脚具有形成于所述第二贴装部和所述第二引脚的外侧面之间的通孔。
6.如权利要求1或2所述的发光二极管封装件，其中，
所述第一引脚及所述第二引脚的上面分别形成有至少一个槽。
7.如权利要求3所述的发光二极管封装件，其中，
在所述第一贴装部及所述第二贴装部的突出的部分形成有凹陷的槽。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装件，其中，
所述第一引脚及第二引脚的突出的部分***于所述主体部，所述主体部***于所述突出的部分的槽。
9.如权利要求1或2所述的发光二极管封装件，还包括：
粘接部件，置于所述发光二极管芯片的下面和所述第一贴装部及第二贴装部之间，从而将所述发光二极管芯片和所述第一贴装部及第二贴装部电连接。
10.如权利要求1或2所述的发光二极管封装件，还包括：
波长转换部件，填充所述主体部的腔室而覆盖所述发光二极管芯片。
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