CN110875227A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种缩短基片处理装置的整体长度的技术。实施方式的基片处理装置包括预处理线、涂敷线、显影线和清洗线。预处理线对基片进行预处理。涂敷线配置在预处理线的下方，在进行了预处理的基片上涂敷光致抗蚀剂液。显影线对涂敷了光致抗蚀剂液的基片进行显影。清洗线配置在显影线的上方，对显影后的基片进行清洗。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
在专利文献1公开了一种一边沿第一输送线输送基片一边在基片上形成光致抗蚀剂膜，并在使基片曝光后，一边沿第二输送线输送基片一边对基片进行显影处理的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-158253号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明提供一种缩短基片处理装置的整体长度的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方面的基片处理装置包括预处理线、涂敷线、显影线和清洗线。预处理线对基片进行预处理。涂敷线配置在预处理线的下方，在进行了预处理的基片上涂敷光致抗蚀剂液。显影线对涂敷了光致抗蚀剂液的基片进行显影。清洗线配置在显影线的上方，对显影后的基片进行清洗。
发明效果
采用本发明能够缩短基片处理装置的整体长度。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基片处理装置的概略结构的俯视图。
图2是表示第一实施方式的基片处理装置的局部概略结构的右侧视图(其之一)。
图3是表示图1的III-III截面处的第一实施方式的基片处理装置的概略结构的图。
图4是表示第一实施方式的基片处理装置的局部概略结构的右侧视图(其之二)。
图5是表示第一实施方式的基片处理的流程图。
图6A是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之一)。
图6B是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之二)。
图6C是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之三)。
图6D是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之四)。
图6E是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之五)。
图6F是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之六)。
图6G是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之七)。
图6H是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之八)。
图6I是表示第一实施方式的基片处理装置中的基片的输送路径的图(其之九)。
图7是表示第二实施方式的基片处理装置的概略结构的俯视图。
图8是表示第二实施方式的基片处理装置的第一热处理中的基片的输送路径的图。
图9是表示第三实施方式的基片处理装置的概略结构的俯视图。
图10是表示第三实施方式的基片处理装置的第一热处理中的基片的输送路径的图。
附图标记说明
1 基板处理装置
3 第一处理线(预处理线)
3A 预清洗线
3B 疏水处理线
4 第二处理线(涂敷线)
5 第三处理线
5A 显影线
5B 后清洗线(清洗线)
6 第四处理线
6A 加热线(热处理线)
6B 冷却线(热处理线)
7 热处理单元
15 第一输送部
16 第三输送部(输送部)
30 减压干燥单元
62 边缘装置(外部装置)
80 热处理单元
81 减压干燥单元
82 第一加热单元(加热单元)。
83 第二冷却单元
92 第一加热单元(加热单元)
96 输送路径。
具体实施方式
下面参照附图详细说明本申请公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式。不过，本发明并不限于下述实施方式所公开的基片处理装置和基片处理方法。
在下面参照的各图中，为使说明易于理解，定义彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，并标出了以正Z轴方向为铅垂上方的正交坐标系。包含X轴方向和Y轴方向的面方向为水平方向。
此外，此处定义以正X轴方向为前方、负X轴方向为后方的前后方向，和以负Y轴方向为右方、正Y轴方向为左方的左右方向。另外，定义以正Z轴方向为上方、负Z轴方向为下方的上下方向。
(第一实施方式)
＜整体结构＞
参照图1～图4说明第一实施方式的基片处理装置1。图1是表示第一实施方式的基片处理装置1的概略结构的俯视图。图2是表示第一实施方式的基片处理装置1的局部概略结构的右侧视图(其之一)。图3是表示图1的III-III截面处的第一实施方式的基片处理装置1的概略结构的图。图4是表示第一实施方式的基片处理装置1的局部概略结构的右侧视图(其之二)。
基片处理装置1包括匣盒站2、第一处理线3、第二处理线4、第三处理线5、第四处理线6、热处理单元7、接口站8和控制装置9。
在匣盒站2中载置有用于收纳多个玻璃基片S(下称“基片S”)的匣盒C。匣盒站2包括：可载置多个匣盒C的载置台10；和在匣盒C与第一处理线3之间以及在后述的检查单元(IP)63与匣盒C之间进行基片S的输送的输送装置11。
输送装置11具有输送臂11a。输送臂11a能够在水平方向(前后方向和左右方向)和铅垂方向上移动。输送装置11还能够以铅垂轴为中心旋转。
第一处理线3(预处理线之一例)对基片S进行预处理。第一处理线3包括预清洗线3A和疏水处理线3B。预清洗线3A进行清洗处理，对从匣盒站2输送来的基片S进行清洗(预处理之一例)。
预清洗线3A包括准分子UV照射单元(e-UV)20和擦洗单元(SCR)21。准分子UV照射单元20和擦洗单元21按照准分子UV照射单元20、擦洗单元21的顺序沿正X轴方向配置。
准分子UV照射单元20从发射紫外光的紫外光灯对基片S照射紫外光，除去附着在基片S上的有机物。
擦洗单元21一边对除去了有机物的基片S供给清洗液(例如去离子水(DIW))，一边利用清洗刷等清洗部件清洗基片S的表面。并且，擦洗单元21利用鼓风机等使清洗后的基片S干燥。
在预清洗线3A中，基片S沿正X轴方向被平流式输送。例如，基片S由辊式输送单元14输送。辊式输送单元14通过利用驱动装置(未图示)使多个辊14a旋转来输送基片S。辊式输送单元14在图2中标示了一部分，其余则省略图示。平流式输送指的是在基片S保持水平的状态下，沿规定方向例如X轴方向或Y轴方向对基片进行输送。另外，基片S也可以由带式输送单元等进行平流式输送。
疏水处理线3A对经预清洗线3A清洗后的基片S进行疏水处理。疏水处理线3B相对于预清洗线3A在左右方向上并排配置。具体而言，疏水处理线3B配置在预清洗线3A的左方。疏水处理线3B与预清洗线3A并排配置，对经预清洗线3A清洗后的基片S进行疏水处理。
疏水处理线3B包括预热单元(PH)22、粘接单元(AD)23和第一冷却单元(COL)24。
预热单元22、粘接单元23和第一冷却单元24按照预热单元22、粘接单元23和第一冷却单元24的顺序沿负X轴方向配置。
预热单元22对经擦洗单元21干燥后的基片S进行加热，使基片S进一步干燥。
粘接单元23在干燥的基片S上喷涂六甲基二硅烷(HMDS)，对基片S进行疏水处理。
第一冷却单元24对进行了疏水处理后的基片S喷出冷风使基片S冷却。
在预清洗线3A与疏水处理线3B之间，设置有用于将基片S从预清洗线3A输送到疏水处理线3B的带式输送单元(COV)70。带式输送单元70将基片S从预清洗线3A的擦洗单元21输送到疏水处理线3B的预热单元22。
在疏水处理线3B中，基片S沿负X轴方向被平流式输送。例如，基片S由辊式输送单元14输送。
第二处理线4进行在基片S上涂敷光致抗蚀剂液来形成光致抗蚀剂膜的形成处理。第二处理线4配置在第一处理线3的下方，具体而言是疏水处理线3B的下方。即，第二处理线4(涂敷线之一例)配置在预处理线的下方，具体而言是疏水处理线3B的下方，在进行了预处理的基片S上涂敷光致抗蚀剂液(处理液之一例)。
第二处理线4包括光致抗蚀剂涂敷单元(CT)25。光致抗蚀剂涂敷单元25在基片S上涂敷光致抗蚀剂液，在基片S上形成光致抗蚀剂膜。
在疏水处理线3B与第二处理线4之间，设置有用于将基片S从疏水处理线3B输送到第二处理线4的带式输送单元(COV)71。带式输送单元71能够在上下方向上输送基片S，用于将基片S从疏水处理线3B的第一冷却单元24输送到第二处理线4的光致抗蚀剂涂敷单元25。
在第二处理线4中，基片S沿正X轴方向被平流式输送。例如，基片S由悬浮式的输送单元(未图示)输送。悬浮式的输送单元例如在左右方向的两端从下方支承基片S并从下方向基片S喷出压缩空气将基片S保持水平，同时使基片S移动。另外，第二处理线4可以是，在涂敷光致抗蚀剂液的位置附近使用悬浮式的输送单元进行基片S的输送，而在其他的位置使用例如辊式输送单元14进行基片S的输送。
热处理单元7对形成了光致抗蚀剂膜的基片S进行第一热处理。热处理单元7相对于第二处理线4配置在正X轴方向一侧。
热处理单元7包括减压干燥单元(DP)30、第一加热单元(PE/BAKE)31和第二冷却单元(COL)32。
减压干燥单元30被配置成在正X轴方向一侧与光致抗蚀剂涂敷单元25相邻。减压干燥单元30在上下方向配置有多层。在配置于上下方向的减压干燥单元30之间，形成有用于从光致抗蚀剂涂敷单元25接受基片S的输送，并将基片S交接到第一输送部15的输送路径30a。此外，输送路径30a也可以不形成在配置于上下方向的减压干燥单元30之间，而是形成在减压干燥单元30的上方或下方。
利用第一输送部15将形成了光致抗蚀剂膜的基片S输送到减压干燥单元30，在减压气氛下使形成在基片S上的光致抗蚀剂膜干燥。
第一加热单元31相对于减压干燥单元30配置在正X轴方向一侧。在第一加热单元31与减压干燥单元30之间配置有第一输送部15。
第一加热单元31在上下方向配置有多层。第一加热单元31对形成了光致抗蚀剂膜的基片S进行加热。利用第一输送部15从减压干燥单元30将光致抗蚀剂膜已干燥的基片S输送到第一加热单元31。
第一加热单元31对基片S进行加热，除去包含在光致抗蚀剂膜中的溶剂等。第一加热单元31是板式加热单元，在基片S载置在加热板(未图示)上的状态下对加热板加热来加热基片S。
第二冷却单元32配置在第一加热单元31的上方，用于冷却经第一加热单元31加热的基片S。第二冷却单元32对经第二输送部8A从第一加热单元31输送来的基片S喷出冷风使基片S冷却。
第二冷却单元32在前后方向的两端设置有开口部(未图示)，能够利用第一输送部15从前方搬入基片S。并且，第二冷却单元32能够利用第二输送部8A从后方搬出基片S。
第一输送部15具有可在前后方向上伸缩的输送臂(SA)15A。第一输送部15还能够沿上下方向移动以及以铅垂轴为中心旋转。
接口站8被配置成在正X轴方向一侧与第二冷却单元32相邻。具体而言，接口站8被配置在第二冷却单元32与曝光***60的曝光装置61之间。接口站8包括第二输送部8A和旋转载置台(ROT)8B。
第二输送部8A具有可在前后方向和左右方向上伸缩的输送臂(SA)8C。第二输送部8A还能够沿上下方向和左右方向移动以及以铅垂轴为中心旋转。
第二输送部8A进行将基片S输送到曝光***60的第一输送处理。第二输送部8A从热处理单元7的第二冷却单元32将基片S输送到旋转载置台8B。并且，第二输送部8A从旋转载置台8B将基片S输送到曝光***60的曝光装置61。另外，第二输送部8A从曝光装置61将基片S输送到曝光***60的边缘装置62。
旋转载置台8B使基片S在水平方向上旋转90度。旋转载置台8B上可以设置用于调节基片S的温度的调温装置。
曝光***60包括曝光装置61和边缘装置(EE/TITLER)62。
曝光装置61使用具有与电路图案对应的图案的光掩模对光致抗蚀剂膜进行曝光。
边缘装置62配置在热处理单元7和接口站8的左方。边缘装置62包括边缘曝光(Edge Exposure)装置(EE)和打标机(TITLER)。边缘曝光装置用于除去基片S外周部的光致抗蚀剂膜。打标机在经曝光装置61进行了电路图案的曝光后的基片S上写入规定的信息。
在通过边缘装置62进行了规定的信息的写入等之后，基片S由在负X轴方向一侧与边缘装置62相邻配置的输送路径62a输送。在输送路径62a中，基片S沿负X轴方向被平流式输送。
第三处理线5配置在热处理单元7的左方。第三处理线5包括显影线5A和后清洗线5B。
显影线5A对经曝光装置61曝光后的基片S进行显影处理。即，显影线5A对涂敷了光致抗蚀剂液的基片S进行显影。显影线5A配置在曝光后的基片S所输送到的边缘装置62(外部装置之一例)的上方。利用第三输送部16将基片S从输送路径62a输送到显影线5A。
显影线5A包括显影单元40(DEV)。对从输送路径62a由第三输送部16输送来的基片S，显影单元40利用显影液使曝光后的光致抗蚀剂膜显影。
在显影线5A中，基片S沿正X轴方向被平流式输送。例如，基片S由辊式输送单元14输送。
后清洗线5B对经显影处理后的基片S进行清洗处理。后清洗线5B配置在显影线5A的上方。即，边缘装置62、显影线5A和后清洗线5B在上下方向上并排配置，从下方起按照边缘装置62、显影线5A、后清洗线5B的顺序配置。后清洗线5B(清洗线之一例)配置在显影线5A的上方，对显影后的基片S进行清洗。
在后清洗线5B中，基片S沿负X轴方向被平流式输送。例如，基片S由辊式输送单元14输送。
后清洗线5B包括清洗单元(RIN)41和干燥单元(DRY)42。清洗单元41和干燥单元42按照清洗单元41、干燥单元42的顺序沿负X轴方向配置。
清洗单元41利用清洗液(例如去离子水(DIW))冲洗对光致抗蚀剂膜进行显影后的基片S上的显影液。干燥单元42使经清洗液冲洗后的基片S上的清洗液干燥。
在显影线5A与后清洗线5B之间，设置有用于将基片S从显影线5A输送到后清洗线5B的带式输送单元72。带式输送单元72能够在上下方向上输送基片S，用于将基片S从显影线5A的显影单元40输送到后清洗线5B的清洗单元41。
第四处理线6对经后清洗线5B清洗后的基片S进行第二热处理。第四处理线6包括加热线6A和冷却线6B。加热线6A和冷却线6B在上下方向上层叠。即，第四处理线6(热处理线之一例)对经后清洗线5B(清洗线之一例)清洗后的基片S进行热处理，在上下方向上层叠配置。
加热线6A进行将清洗后的基片S加热的加热处理。加热线6A被配置成在负X轴方向与后清洗线5B相连。加热线6A(热处理线之一例)的一部分配置在第三输送部16(输送部之一例)的上方。在加热线6A中，基片S沿负X轴方向被平流式输送。例如，基片S由辊式输送单元14输送。
加热线6A包括第二加热单元(PO/BAKE)50。第二加热单元50将进行了显影处理后的基片S加热。第二加热单元50对清洗液已干燥的基片S进行加热，除去残留在光致抗蚀剂膜中的溶剂和清洗液。
冷却线6B进行使已加热的基片S冷却的冷却处理。冷却线6B配置在加热线6A的下方。在冷却线6B中，基片S沿正X轴方向被平流式输送。例如，基片S由辊式输送单元14输送。
冷却线6B包括第三冷却单元(COL)51。第三冷却单元51使经第二加热单元50加热的基片S冷却。第三冷却单元51对基片S喷出冷风使基片S冷却。
在加热线6A与冷却线6B之间，设置有用于将基片S从加热线6A输送到冷却线6B的带式输送单元73。带式输送单元73能够在上下方向上输送基片S，用于将基片S从加热线6A的第二加热单元50输送到冷却线6B的第三冷却单元51。
经第三冷却单元51冷却的基片S由第三输送部16输送到检查单元63。检查单元63配置在冷却线6B的下方。检查单元63进行光致抗蚀剂图案(线)的临界尺寸(CD)的测量等检查。经检查单元63进行了检查后的基片S被输送到匣盒站2。
第三输送部16具有可在前后方向上伸缩的输送臂(SA)16A。第三输送部16能够沿上下方向移动以及以铅垂轴为中心旋转。
第三输送部16将通过边缘装置62(外部装置之一例)进行了处理后的基片S输送到显影线5A，并输送经后清洗线5B(清洗线之一例)清洗后的基片S。具体而言，第三输送部16将基片S从配置在边缘装置62的负X轴方向处的输送路径62a输送到显影线5A的显影单元40。并且，第三输送部16将经清洗单元41清洗后并经第四处理线6进行了热处理的基片S，从第三冷却单元51输送到检查单元63。
在输送路径62a的上方，配置有可临时载置基片S的缓冲部17。能够利用第三输送部16将基片S搬入缓冲部17或从其中搬出。在从输送路径62a向显影单元40输送基片S的情况下，或从第三冷却单元51向检查单元63输送基片S的情况下，能够将基片S临时载置在缓冲部17中。由此，例如在检查单元63中发生了检查延迟的情况下，基片处理装置1能够将已结束热处理的基片S临时载置在缓冲部17中，继续进行对基片S的热处理、显影处理等。
控制装置9例如是计算机，包括控制部9A和存储部9B。存储部9B例如由RAM(RandomAccess Memory)、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件或硬盘、光盘等存储装置实现。
控制部9A包括具有CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM、输入输出端口等的微型计算机和各种电路。微型计算机的CPU读取存储在ROM中的程序加以执行，来实现匣盒站2以及各处理线3～6等的控制。
程序也可以记录在计算机可读取的存储介质中，并从存储介质安装到控制装置9的存储部9B。作为计算机可读取的存储介质，例如包括硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
＜基片处理＞
接着，参照图5和图6A～图6H说明第一实施方式的基片处理。图5是表示第一实施方式的基片处理的流程图。图6A～图6H是表示第一实施方式的基片处理装置1中的基片S的输送路径的图(其之一～其之八)。
基片处理装置1进行预处理(S10)。具体而言，基片处理装置1如图6A所示，将基片S从匣盒站2输送到预清洗线3A。基片处理装置1利用预清洗线3A对基片S进行清洗处理，并在清洗处理后利用带式输送单元70将基片S输送到疏水处理线3B。接着，基片处理装置1利用疏水处理线3B对基片S进行疏水处理。
基片处理装置1进行光致抗蚀剂膜的形成处理(S11)。具体而言，如图6B所示，基片处理装置1利用带式输送单元71使基片S移动到下方，将基片S从疏水处理线3B输送到第二处理线4。接着，基片处理装置1利用第二处理线4的光致抗蚀剂涂敷单元25在基片S上涂敷光致抗蚀剂液，在基片S上形成光致抗蚀剂膜。基片处理装置1将形成了光致抗蚀剂膜的基片S输送到输送路径30a。
基片处理装置1进行第一热处理(S12)。具体而言，如图6C所示，基片处理装置1利用第一输送部15将基片S从输送路径30a输送到减压干燥单元30，利用减压干燥单元30对基片S进行减压干燥。接着，基片处理装置1利用第一输送部15将减压干燥后的基片S输送到第一加热单元31，利用第一加热单元31对基片S进行加热。
进而，如图6D所示，基片处理装置1利用第一输送部15将经第一加热单元31加热后的基片S输送到配置在第一加热单元31上方的第二冷却单元32。接着，基片处理装置1利用第二冷却单元32对基片S进行冷却。
基片处理装置1进行第一输送处理(S13)。具体而言，如图6E所示，基片处理装置1利用第二输送部8A将基片S从第二冷却单元32输送到旋转载置台8B，在旋转载置台8B上使基片S旋转90度。基片处理装置1利用第二输送部8A将基片S从旋转载置台8B输送到曝光装置61。接着，基片处理装置1利用第二输送部8A将基片S从曝光装置61输送到边缘装置62。
基片处理装置1进行显影处理(S14)。具体而言，如图6F所示，基片处理装置1将基片S从边缘装置62输送到输送路径62a，并利用第三输送部16将基片S从输送路径62a输送到第三处理线5的显影线5A。接着，基片处理装置1利用显影单元40对基片S进行显影。
基片处理装置1进行清洗处理(S15)。具体而言，如图6G所示，基片处理装置1利用带式输送单元72使基片S移动到上方，将基片S从显影线5A输送到后清洗线5B。接着，基片处理装置1利用清洗单元41冲洗基片S，并利用干燥单元42使基片S干燥。
基片处理装置1进行第二热处理(S16)。具体而言，如图6H所示，基片处理装置1将清洗液已干燥的基片S从第三处理线5的后清洗线5B输送到第四处理线6的加热线6A。基片处理装置1利用第二加热单元50对基片S进行加热。基片处理装置1利用带式输送单元73使加热后的基片S移动到下方，将基片S从加热线6A输送至冷却线6B。接着，基片处理装置1利用第三冷却单元51对基片S进行冷却。
基片处理装置1进行第二输送处理(S17)。具体而言，如图6I所示，基片处理装置1利用第三输送部16将基片S从冷却线6B输送到检查单元63。基片处理装置1将检查结束后的基片S输送到匣盒站2。
＜效果＞
基片处理装置1包括：对基片S进行预处理的第一处理线3(预处理线之一例)；配置在第一处理线3的下方，在进行了预处理的基片S上涂敷光致抗蚀剂液的第二处理线4(涂敷线之一例)；对涂敷了光致抗蚀剂液的基片S进行显影的显影线5A；和配置在显影线5A的上方，对显影后的基片S进行清洗的后清洗线5B(清洗线之一例)。
换而言之，在基片处理装置1中，作为基片处理方法包括：利用第一处理线3(预处理线之一例)对基片S进行预处理的步骤；利用配置在第一处理线3的下方的第二处理线4(涂敷线之一例)在进行了预处理的基片S上涂敷光致抗蚀剂液的步骤；利用显影线5A对涂敷了光致抗蚀剂液的基片S进行显影的步骤；和利用配置在显影线5A的上方的后清洗线5B(清洗线之一例)对显影后的基片S进行清洗的步骤。
由此，基片处理装置1通过在上下方向上并排配置第一处理线3和第二处理线4，能够缩短对基片S进行清洗并形成光致抗蚀剂膜的处理线的前后方向上的长度。并且，基片处理装置1通过在上下方向上并排配置显影线5A和后清洗线5B，能够缩短对基片S进行显影、清洗的处理线的前后方向上的长度。因此，基片处理装置1能够缩短前后方向上的长度，即，能够缩短基片处理装置1的整体长度。
此外，第一处理线3(预处理线之一例)包括对基片S进行清洗的预清洗线3A和与预清洗线3A并排配置，对经预清洗线3A清洗后的基片S进行疏水处理的疏水处理线3B。
由此，基片处理装置1能够缩短第一处理线3的前后方向上的长度，能够缩短基片处理装置1的整体长度。
此外，第二处理线4(涂敷线之一例)配置在疏水处理线3B的下方。
由此，基片处理装置1能够通过使基片S移动到下方来将基片S输送到第二处理线4，能够容易地将基片S输送到第二处理线4。因此，基片处理装置1能够简化例如用于使基片S移动到下方的带式输送单元71的结构。
此外，显影线5A配置在曝光后的基片S所输送到的边缘装置62(外部装置之一例)的上方。
由此，基片处理装置1能够有效利用边缘装置62的上部的空间，能够使装置整体小型化。
此外，基片处理装置1包括第三输送部16(输送部之一例)，其将通过边缘装置62(外部装置之一例)进行了处理后的基片S输送到显影线5A，并输送经后清洗线5B(清洗线之一例)清洗后的基片S。
由此，基片处理装置1能够利用第三输送部16在多个输送路径输送基片S，能够减少输送部的数量，降低成本。并且，基片处理装置1能够使装置整体小型化。
此外，基片处理装置1包括对经后清洗线5B(清洗线之一例)清洗后的基片S进行热处理的、在上下方向上层叠配置的加热线6A和冷却线6B(热处理线之一例)。
由此，基片处理装置1能够缩短前后方向上的长度。
此外，加热线6A(热处理线的一部分之一例)配置在第三输送部16(输送部之一例)的上方。
由此，基片处理装置1能够使后清洗线5B和加热线6A在前后方向上连续配置。因此，基片处理装置1能够将例如后清洗线5B和加热线6A配置成不在左右方向或上下方向上层叠。从而，基片处理装置1能够使装置整体小型化。
(第二实施方式)
＜整体结构＞
接着，参照图7说明第二实施方式的基片处理装置1。图7是表示第二实施方式的基片处理装置1的概略结构的俯视图。这里以与第一实施方式不同之处为中心进行说明，对于与第一实施方式相同的结构，标注与第一实施方式相同的标记省略说明。第二实施方式的基片处理装置1的热处理单元80与第一实施方式不同。
热处理单元80包括减压干燥单元(DP)81、第一加热单元(PE/BAKE)82、第二冷却单元(COL)83和旋转载置台(ROT)84、85。
减压干燥单元81被配置成在正X轴方向一侧与第一输送部86相邻。第一加热单元82和第二冷却单元83按照第一加热单元82、第二冷却单元83的顺序沿正X轴方向配置。此外，第一加热单元82和第二冷却单元83在左右方向上与减压干燥单元81并排配置。减压干燥单元81从第二处理线4(涂敷线之一例)的光致抗蚀剂涂敷单元25接受基片S的输送，对基片S进行减压干燥。
第一加热单元82对经减压干燥并被平流式输送的基片S进行加热。基片S例如由辊式输送单元14(参照图2)沿正X轴方向输送。在第一加热单元82中，一边对经减压干燥的基片S进行平流式输送，一边对基片S进行加热。
第二冷却单元83使经第一加热单元82加热后的、沿正X轴方向平流式输送的基片S冷却。
像这样，在热处理单元80中对平流式输送的基片S连续地进行第一加热单元82的加热和第二冷却单元83的冷却。
旋转载置台84被配置成在负Y轴方向一侧与第一输送部86相邻。旋转载置台84使由第一输送部86输送来的基片S旋转90度，并将基片S输送到第一加热单元82。
旋转载置台85被配置成在正X轴方向一侧与第二冷却单元83相邻。将经第二冷却单元83冷却的基片S输送到旋转载置台85中，使基片S旋转90度。
在热处理单元80中，减压干燥单元81被配置成在与第一加热单元82中的基片S的输送方向正交的方向即左右方向上与第一加热单元82并排。
第一输送部86具有可在前后方向和左右方向上伸缩的输送臂86A。第一输送部86从第二处理线4的光致抗蚀剂涂敷单元25将基片S输送到减压干燥单元81。并且，第一输送部86从减压干燥单元81将基片S输送到旋转载置台84。
接口站8的第二输送部8A从旋转载置台85将基片S输送到曝光***60的曝光装置61。
基片处理装置1在第一热处理中如图8所示，利用第一输送部86从第二处理线4的光致抗蚀剂涂敷单元25将基片S输送到减压干燥单元81。图8是表示第二实施方式的基片处理装置1的第一热处理中的基片S的输送路径的图。此外，在图8中为便于说明，省略了第一处理线3的疏水处理线3B。
基片处理装置1利用第一输送部86将经减压干燥单元81干燥的基片S输送到旋转载置台84。基片处理装置1利用旋转载置台84使基片S旋转90度，之后将基片S输送到第一加热单元82。接着，基片处理装置1利用第一加热单元82将基片S加热，并利用第二冷却单元83将基片冷却。
基片处理装置1将经第二冷却单元83冷却的基片S输送到旋转载置台85，在旋转载置台85上使基片S旋转90度。在旋转载置台85的上方，可以设置临时载置基片S的缓冲部。
＜效果＞
基片处理装置1包括减压干燥单元81和第一加热单元82(加热单元之一例)，其中，减压干燥单元81从第二处理线4(涂敷线之一例)接受基片S的输送，对基片S进行减压干燥，第一加热单元82对平流式输送来的基片S进行加热。减压干燥单元81被配置成在与第一加热单元82中的基片S的输送方向正交的方向上与第一加热单元82并排。由此，基片处理装置1能够缩短前后方向上的长度。
(第三实施方式)
＜整体结构＞
接着，参照图9说明第三实施方式的基片处理装置1。图9是表示第三实施方式的基片处理装置1的概略结构的俯视图。这里以与第一实施方式不同之处为中心进行说明，对于与第一实施方式相同的结构，标注与第一实施方式相同的标记省略说明。
在第三实施方式的基片处理装置1中，第三处理线5和第四处理线6等被配置在第一处理线3和第二处理线4的右方。
并且，第三实施方式的基片处理装置1的热处理单元90与第一实施方式不同。
热处理单元90包括减压干燥单元(DP)91、第一加热单元(PE/BAKE)92和第二冷却单元(COL)93。减压干燥单元91被配置成在正X轴方向一侧与第一输送部95相邻。
第一加热单元92被配置成在负X轴方向一侧与第一输送部95相邻。即，第一加热单元92配置在第二处理线4的光致抗蚀剂涂敷单元25与第一输送部95之间。
第一加热单元92在上下方向配置有多层，在第一加热单元92之间，形成有用于从光致抗蚀剂涂敷单元25接受基片S的输送，并将基片S交接到第一输送部95的输送路径96。输送路径96也可以形成在第一加热单元92的上方或下方。即，第一加热单元92(加热单元之一例)与从第二处理线4(涂敷线之一例)接受基片S的输送的输送路径96层叠，对基片S进行加热。
第二冷却单元93使经第一加热单元92加热的基片S冷却。并且，第二冷却单元93使基片S旋转90度。即，第二冷却单元93具有作为旋转载置台的功能。
第一输送部95具有可在前后方向和左右方向上伸缩的输送臂95A(SA)。第一输送部95从输送路径96将基片S输送到减压干燥单元91。并且，第一输送部95从减压干燥单元91将基片S输送到第一加热单元92。并且，第一输送部95从第一加热单元92将基片S输送到第二冷却单元93。
基片处理装置1在第一热处理中如图10所示，对于通过第一输送部95从第二处理线4的光致抗蚀剂涂敷单元25输送到输送路径96的基片S，利用第一输送部95将其从输送路径96输送到减压干燥单元91。图10是表示第三实施方式的基片处理装置1的第一热处理中的基片S的输送路径的图。此外，在图10中为便于说明，省略了第一处理线3的疏水处理线3B。
基片处理装置1利用第一输送部95将经减压干燥单元91干燥的基片S从减压干燥单元91输送到第一加热单元92。基片处理装置1利用第一输送部95将经第一加热单元92加热的基片S从第一加热单元92输送到第二冷却单元93。接着，基片处理装置1利用第二冷却单元93对基片S进行冷却，并使基片S旋转90度。
＜效果＞
基片处理装置1包括与从第二处理线4(涂敷线之一例)接受基片S的搬出的输送路径96层叠的、对基片S进行加热的第一加热单元92(加热单元之一例)。
由此，基片处理装置1能够缩短前后方向上的长度。在基片处理装置1中，在基片S的尺寸较大，导致例如在为了提高减压时的耐久性而增大了减压干燥单元91的尺寸的情况下，能够不与输送路径96层叠地配置减压干燥单元91，并且缩短前后方向的长度。
并且，基片处理装置1能够将图10中虚线表示的区域构成为维护区域，能够容易地进行基片处理装置1的维护。基片处理装置1能够在中央附近设置维护区域，能够容易地进行多个单元的维护。
＜变形例＞
接着，对本实施方式的变形例进行说明。
变形例的基片处理装置1可以是，在热处理单元7中将第一加热单元31和第二冷却单元32配置成不在上下方向上层叠。变形例的基片处理装置1例如可以将第一加热单元31配置在第一输送部15的右侧。该情况下，第一输送部15利用可在前后方向和左右方向上伸缩的输送臂输送基片S。
此外，变形例的基片处理装置1的第二加热单元50可以是板式加热单元。
此外，在变形例的基片处理装置1中，可以代替带式输送单元70～72利用具有输送臂的输送单元来输送基片S。
此外，变形例的基片处理装置1可以进行上述处理的一部分。例如，变形例的基片处理装置1可以在通过第一处理线3对基片S进行了预处理之后，将基片S输送到匣盒站2。此外，变形例的基片处理装置1可以将基片S从匣盒站2输送到第二处理线4而不输送到第一处理线3。
此外，变形例的基片处理装置1可以是，在进行了第三处理线5的处理之后，即利用后清洗线5B的干燥单元42使基片S干燥之后，将基片S输送到检查单元63。该情况下，变形例的基片处理装置1利用第三输送部16将基片S从干燥单元42输送到检查单元63。
像这样，变形例的基片处理装置1可以执行基片S的处理的一部分。由此，变形例的基片处理装置1能够对基片S单独进行各种处理。
说明书公开的实施方式在所有方面都只是例示而不应当认为是限制性的。实际上，上述实施方式能够通过各种方式具体实现。上述实施方式可以在不脱离本发明技术方案的范围及其思想的基础上，以各种方式省略、置换和变更。

Claims (11)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
对基片进行预处理的预处理线；
配置在所述预处理线的下方，在进行了所述预处理的所述基片上涂敷光致抗蚀剂液的涂敷线；
对涂敷了所述光致抗蚀剂液的所述基片进行显影的显影线；和
配置在所述显影线的上方，对显影后的所述基片进行清洗的清洗线。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述预处理线包括：
对所述基片进行清洗的预清洗线；和
与所述预清洗线并排配置，对由所述预清洗线清洗后的所述基片进行疏水处理的疏水处理线。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述涂敷线配置在所述疏水处理线的下方。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述显影线配置在外部装置的上方，其中，进行了曝光的所述基片被输送到所述外部装置。
5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
输送部，其将通过所述外部装置进行处理后的所述基片输送到所述显影线，并输送通过所述清洗线进行清洗后的所述基片。
6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
包括对通过所述清洗线进行清洗后的所述基片进行热处理的、在上下方向上层叠配置的热处理线。
7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
所述热处理线的一部分配置在所述输送部的上方。
8.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括与输送路径层叠的、使所述基片减压干燥的减压干燥单元，其中，所述基片被从所述涂敷线送出到所述输送路径。
9.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括与输送路径层叠的、对所述基片进行加热的加热单元，其中，所述基片被从所述涂敷线送出到所述输送路径。
10.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
使所述基片减压干燥的减压干燥单元，所述基片从所述涂敷线被输送至其中；和
对经所述减压干燥并被平流式输送的所述基片进行加热的加热单元，
所述减压干燥单元在与所述加热单元中的所述基片的输送方向正交的方向上与所述加热单元并排配置。
11.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
利用预处理线对基片进行预处理的步骤；
利用配置在所述预处理线的下方的涂敷线在进行了所述预处理的所述基片上涂敷光致抗蚀剂的步骤；
利用显影线对涂敷了所述光致抗蚀剂的所述基片进行显影的步骤；和
利用配置在所述显影线的上方的清洗线对显影后的所述基片进行清洗的步骤。
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