CN110800117A - 光源装置及发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的光源装置(1)具备：驱动电路(11)；发光元件(30)，其具有位于与驱动电路侧相反的一侧的光出射面，并被配置于驱动电路上，与驱动电路电连接，且由第III族氮化物半导体构成；以及颜色转换层(40)，其与光出射面接触，将自光出射面出射的光的波长进行转换，光出射面由第III族氮化物半导体构成。

Description

光源装置及发光装置
技术领域
本发明是关于光源装置及发光装置。
背景技术
专利文献1公开了一种混色发光元件装置，其在基板上形成有发光元件被像素化的阵列，在发光元件上隔着金属层而配置了萤光体。另外，专利文献2公开了一种发光装置，其在基板上配置有发光元件，在发光元件的上表面处设有包含萤光体的透光性构件。专利文献2所公开的发光装置中，发光元件与透光性构件是通过压接、烧结或利用接着剂进行的接着等公知的方法连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公开专利公报“特开2006-054470号公报(2006年2月23日公开)”
专利文献2：日本公开专利公报“特开2015-126209号公报(2015年7月6日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
专利文献1所公开的混色发光元件装置中，有由于发光元件与萤光体之间存在金属层，因此光提取效率降低，装置整体的尺寸变大的问题。另外，金属层存在的部分的萤光体的厚度与金属层不存在的部分的萤光体的厚度不同，因此在发光元件的表面产生颜色不均。
另外，专利文献2所公开的发光装置中，发光元件与透光性构件是通过压接、烧结或利用接着剂进行的接着等公知的方法连接，因此在发光元件与透光性构件之间可设有接着层。因此，有光提取效率降低，装置整体的尺寸变大的问题。
本发明的一个方式的目的在于，使光源装置的光提取效率以及发光的均匀性提升，减小光源装置的整体的尺寸。
解决问题的方案
为了解决上述问题，本发明的一个方式的光源装置具备：驱动电路；发光元件，其具有位于与该驱动电路侧相反的一侧的光出射面，并被配置于该驱动电路上，与该驱动电路电连接，且由第III族氮化物半导体构成；以及颜色转换层，其与该光出射面接触，将自该光出射面出射的光的波长进行转换，该光出射面由第III族氮化物半导体构成。
另外，本发明的一个方式的光源装置具备：驱动电路；发光元件，其具有位于与该驱动电路侧相反的一侧的光出射面，并被配置于该驱动电路上，与该驱动电路电连接，且由第III族氮化物半导体构成；萤光体层，其与该光出射面接触，将自该光出射面出射的光的波长进行转换；以及滤光片层，其配置于该萤光体层上，该光出射面由第III族氮化物半导体构成。
进而，发明的一个方式的光源装置具备：驱动电路；多个发光元件，其具有位于与该驱动电路侧相反的一侧的光出射面，并被配置于该驱动电路上，与该驱动电路电连接，且由第III族氮化物半导体构成；多层颜色转换层，分别与该多个发光元件一对一地对应，且与所对应的该发光元件的该光出射面接触，将自所对应的该发光元件的该光出射面出射的光的波长进行转换；以及光反射层，其配置于该颜色转换层之间，该光出射面由第III族氮化物半导体构成。
发明效果
根据本发明的一个方式，可发挥如下效果：使光源装置的光提取效率以及发光的均匀性提升，缩小光源装置的整体的尺寸。
附图说明
图1为示出本发明的实施方式1的光源装置的颜色转换层的形状以及光源装置的构造的图。图1的(a)为示出颜色转换层的形状为长方体的情况的图，图1的(b)为示出俯视光源装置的图，图1的(c)为光源装置的侧视图，图1的(d)为示出颜色转换层的下表面的面积大于颜色转换层的上表面的面积的情况的图，图1的(e)为示出颜色转换层的形状是上表面没有角而带有圆度的形状的情况的图。
图2为示出本发明的实施方式1的光源装置的截面及俯视该光源装置的图。图2的(a)为示出光源装置具备颜色转换层的情况的图，图2的(b)为示出光源装置具备树脂的情况的图，图2的(c)为示出俯视图2的(b)所示的光源装置的图。图2的(d)为图2的(c)所示出的光源装置的侧视图，图2的(e)为示出光源装置具备固定树脂的情况的图，图2的(f)为示出光源装置具备三种颜色转换层的情况的图。
图3为示出图2所示的光源装置的制造方法的图。
图4为示出作为图2所示的光源装置的变形例1的光源装置的剖视图。图4的(a)为示出光源装置具备透光性树脂的情况的图，图4的(b)为示出透光性树脂覆盖颜色转换层的侧面及上表面的情形的图，图4的(c)为示出自图4的(a)所示的光源装置除去透光性树脂的光源装置的图。
图5为示出作为图2所示的光源装置的变形例1的光源装置的截面及俯视该光源装置的图。图5的(a)为示出光源装置的各颜色转换层的厚度不同的情况的图，图5的(b)为示出俯视图5的(a)所示的光源装置的图。图5的(c)为图5的(b)所示的光源装置的侧视图，图5的(d)为示出光源装置的各颜色转换层的宽度不同的情况的图。
图6为示出作为图2所示的光源装置的变形例2的光源装置的剖视图。
图7为本发明的实施方式2的光源装置的剖视图。图7的(a)为示出光源装置具备滤光片层的的情况的图，图7的(b)为示出滤光片层的厚度不同的情况的图。图7的(c)为示出滤光片层覆盖颜色转换层的情况的图，图7的(d)为示出颜色转换层的厚度不同的情况的图。
图8为示出本发明的实施方式3的光源装置的截面及俯视该光源装置的图。图8的(a)为示出一层黄色转换层覆盖三个蓝色发光元件的情况的图，图8的(b)为示出各滤光片层的厚度及宽度不同的情况的图，图8的(c)为示出各滤光片层的厚度不同的情况的图。图8的(d)为示出俯视图8的(c)所示的光源装置的图，图8的(e)为图8的(d)所示的光源装置的侧视图，图8的(f)为示出自图8的(c)所示的光源装置改变了颜色转换层的情况的图。
图9为本发明的实施方式4的光源装置的剖视图。
具体实施方式
[实施方式1]
针对本发明的实施方式，若基于图1至图6进行说明，则如下所述。图1为示出本发明的实施方式1的光源装置1的颜色转换层40～42的形状以及光源装置1的构造的图。图2为示出本发明的实施方式1的光源装置1～1c的截面及俯视该光源装置1～1c的图。
如图1的(a)所示，光源装置1具备基板10、电极20、蓝色发光元件30以及颜色转换层40。另外，如图1的(b)及(c)所示，光源装置1各个蓝色发光元件30也可以为在基板10上配置成m×n(m、n为自然数)的格子状的阵列(构造体)。蓝色在阵列中，发光元件30也可以等间隔(等间距)地配置。具体而言，例如，可统一邻接的蓝色发光元件30之间的距离。
基板10可利用以至少其表面可与蓝色发光元件30连接的方式形成布线的构成。基板10例如可由硅、锗、碳化硅或In-Ga-Zn-O系构成。另外，基板10可为单层构造，也可为层叠构造。基板10包含有驱动电路11，例如，可在基板10的上表面设有驱动电路11。驱动电路11控制蓝色发光元件30的导通/截止。在基板10配置有多个蓝色发光元件30时，驱动电路11也可以个别地控制蓝色发光元件30。在基板10的上表面，经由电极20连接有蓝色发光元件30。驱动电路11通过配置于蓝色发光元件30的正下方，可使光源装置1的俯视时的面积减小，可实现更小型的光源装置1(后述的发光装置)。另外，在蓝色发光元件30的正下方配置驱动电路11，由此可缩小蓝色发光元件30与驱动电路11之间的布线电容及电阻，可制造延迟少的光源装置1(发光装置)。
另外，在图2至图9中，为了便于说明，着眼于配置在光源装置1的多个蓝色发光元件30中，接近的三个蓝色发光元件30。如图2的(a)所示，在光源装置1中，也可以在基板10的上表面，经由电极20连接有三个蓝色发光元件30。关于电极20在后面叙述。在光源装置1中，三个蓝色发光元件30的光出射面(上表面)位于大致同一平面上。由此，可容易地将颜色转换层40涂布于蓝色发光元件30的光出射面。
基板10具有用于驱动蓝色发光元件30的电路。通过在基板10上结合电极20与蓝色发光元件30的电极，基板10与蓝色发光元件30电性结合。
作为蓝色发光元件30的一例，可利用公知的构成，具体而言为半导体发光元件，例如第III-V族化合物半导体。其中，作为第III族氮化物半导体的GaN系半导体，由于能够发出可有效率地激发萤光物质的短波长的光，因此作为蓝色发光元件30而较佳。蓝色发光元件30可由第III族氮化物半导体构成，例如也可以由GaN系材料及InGaN系材料构成。蓝色发光元件30例如也可以为以p型GaN层、InGaN层以及具有位于与基板10侧相反的一侧的光出射面的n型GaN层的顺序配置的蓝色LED(Light Emitting Diode)。另外，蓝色发光元件30也可以为蓝色激光。蓝色发光元件30为倒装芯片型。通过使用倒装芯片型的蓝色发光元件30，可施加大电流，可实现高亮度的光源装置1。即，在蓝色发光元件30的光出射面不设有电极，蓝色发光元件30的光出射面也可以由第III族氮化物半导体(例如GaN系材料)构成。
蓝色发光元件30可利用将后述的生长基板18作为蓝宝石基板，并将该蓝宝石基板剥离而形成构成。另外，生长基板18可由硅、GaN、AlN或AlGaN等构成。蓝色发光元件30的发光峰值波长为380～490nm，较佳为440～470nm。蓝色发光元件30为发光芯片，发光面的面积为1500μm2以下(例如，发光面的尺寸为20μm×60μm的芯片或15μm×45μm的芯片)，较佳为450μm2以下(例如，发光面的尺寸为12μm×36μm的芯片或8μm×24μm的芯片，更佳为100μm2以下(例如，发光面的尺寸为5μm×15μm的芯片或2μm×6μm的芯片)。蓝色发光元件30的尺寸越小，越能够制造小型且高精细的光源装置1。另外，蓝色发光元件30之间的距离为20μm以下，较佳为5μm以下，更佳为2μm以下。蓝色发光元件30的尺寸以及蓝色发光元件30间的距离，是通过后述的发光装置所求得的装置的尺寸以及显示图像的分辨率决定。
颜色转换层40与蓝色发光元件30的光出射面直接接触，将自蓝色发光元件30的光出射面出射的光的波长进行转换。具体而言，例如颜色转换层40也可以与蓝色发光元件30的光出射面接触，将从配置于颜色转换层40的正下方的蓝色发光元件30发出的光的波长进行转换，并出射黄色光。即，颜色转换层40也可以为含有作为颜色转换材料的黄色萤光体及/或吸光材料的黄色转换层。吸光材料也可以为如用于液晶显示器用滤光片或影像传感器用颜色抗蚀剂(color resist)的色素等材料。通过使颜色转换层40在萤光体的基础上还含有吸光材料，可进行更细致的光谱的控制。颜色转换层40例如含有Y3A15O12：Ce3+作为黄色萤光体。另外，如图2的(a)所示，在存在三个蓝色发光元件30时，颜色转换层40被配置于三个蓝色发光元件30各自的光出射面。颜色转换层40例如也可以使萤光体揉合(knead)于环氧树脂、硅树脂及丙烯酸系的树脂而形成。上述树脂用于在颜色转换层40中保持萤光体。颜色转换层40所含有的萤光体的材料，例如也可以为以下所示的(1)至(4)。
(1)将以(MI)3-x1Cex1(MII)5O12(MI表示Y、Lu、Gd及La中的至少一中、MII表示Al及Ga中的至少一种，x1满足0.005≦x1≦0.20。)表示的3价铈活化的氧化物萤光体。
(2)将以(MIII)2-x2Eux2SiO4(MIII表示Mg、Ca、Sr及Ba中的至少一种，x2满足0.03≦x2≦0.20。)表示的2价铕活化的硅酸盐萤光体。
(3)将以(MIV)3-x3Cex3Si6N11(MIV表示Lu、Y、La及Gd中的至少一种。x3满足0.01<x3≦0.2。)表示的3价铈活化的氮化物萤光体。
(4)将以[Eux4(MV)1-x4]a1Sib1Alc1Od1Ne1(a1满足0.15≦a1≦1.5、x4满足0≦x4≦1、b1及c1满足b1+c1＝12、d1及e1满足d1+e1＝16。MV表示Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La及Gd中的至少一种。)表示的作为α型SiAlON的2价铕活化的氮氧化物萤光体。
另外，颜色转换层40也可为出射与黄色光不同颜色的光的颜色转换层。颜色转换层40可为含有绿色萤光体或红色萤光体的颜色转换层，也可为混合绿色萤光体与红色萤光体的颜色转换层。再者，在后述的实施方式中，作为发光元件，虽有使用紫色发光元件30a而非蓝色发光元件30的情况，但在该情形下，也可单独使用该等黄色萤光体，或与其他萤光体同时使用而构成颜色转换层。另外，也可使颜色转换层不仅含有萤光体，还含有吸色材料而构成各颜色转换层。
关于颜色转换层40所含有的萤光体及吸光材料等颜色转换材料的尺寸，中位直径为2μm以下，较佳为0.5μm以下，更佳为0.2μm以下。颜色转换层40所含有的萤光体及吸光材料的尺寸小于蓝色发光元件30的发光面。另外，颜色转换层40所含有的萤光体及吸光材料的尺寸小于配置在基板10上的蓝色发光元件30间的距离。颜色转换层40所含有的萤光体及吸光材料的尺寸，若中位直径为0.5μm以下，则布朗运动变得大于重力运动，因此可抑制颜色转换层40所含有的萤光体及吸光材料的自然沉降。另外，颜色转换层40所含有的萤光体及吸光材料的尺寸若中位直径为0.2μm以下，则可在颜色转换层40内紧密地填充萤光体或吸光材料，可使颜色转换层40的厚度变薄。厚度是指沿着自基板10朝向蓝色发光元件30的方向的厚度。颜色转换层40的厚度为30μm以下，较佳为10μm以下，更佳为4μm以下。颜色转换层40的厚度越薄，来自位于该颜色转换层40旁边的颜色转换层40的下方的蓝色发光元件30的发光的影响变得越小。颜色转换层40的宽度与蓝色发光元件30的宽度相同，或大于蓝色发光元件30的宽度。宽度是指沿着与自基板10朝向蓝色发光元件30的方向正交的方向的宽度。
如图1的(a)所示，颜色转换层40的形状也可为长方体的形状。另外，如图1的(d)所示，也可在蓝色发光元件30的光出射面配置颜色转换层41来取代颜色转换层40。颜色转换层41与颜色转换层40相比，形状不同。颜色转换层41的形状为颜色转换层41的下表面的面积大于颜色转换层41的上表面的面积。进而，如图1的(e)所示，在蓝色发光元件30的光出射面配置颜色转换层42来取代颜色转换层40。颜色转换层42与颜色转换层40相比，形状不同。颜色转换层42的形状为于颜色转换层42的上表面没有角而带有圆度的形状。可在蓝色发光元件30的光出射面配置颜色转换层41或颜色转换层42等圆柱、多角柱、截锥、多角截锥及半球的形状的颜色转换层，来取代颜色转换层40。另外，可在蓝色发光元件30的光出射面配置圆柱、多角柱、截锥、多角截锥及半球的形状排列的凹凸形状的颜色转换层。由此，可使朝蓝色发光元件30的正上方出射的光的成分变多。另外，为了使光提取效率提升或控制光取向特性，可在各蓝色发光元件30配置多种形状的颜色转换层。
颜色转换层40的萤光体及光吸收材料的浓度为10wt％以上，较佳为25wt％以上。若可提高颜色转换层40的萤光体及光吸收材料的浓度，则可使颜色转换层40的厚度变薄。通过颜色转换层40的厚度变薄，向旁边的颜色转换层40出射的光的成分变少，因此可减少自其他颜色转换层40出射的光混合的情况。另外，在颜色转换层40内有存在萤光体及吸光材料的浓度梯度的情况，颜色转换层40的下表面侧的萤光体及吸光材料的浓度高时，向蓝色发光元件30的散热路径变短。由此，伴随颜色转换的、自萤光体及吸光材料发出的热的散热性提升，因此可提高萤光体及吸光材料的颜色转换性能。另外，通过使氧化铝、二氧化硅、氧化钛的底部填充剂揉合于颜色转换层，可控制光取向特性，或使光提取效率提升。
另外，光源装置1a如图2的(b)至(d)所示，与光源装置1相比，不同点为具备树脂50(光遮蔽层)。树脂50使蓝色发光元件30及电极20固定在基板10。树脂50具有遮蔽自蓝色发光元件30的侧面出射的光及自颜色转换层40出射的光的光遮蔽功能，可由吸收或反射光的材料构成。树脂50的光遮蔽率较佳为50％以上。若树脂50为吸收光的材料，则树脂50的颜色接近黑色，若树脂50为反射光的材料，则树脂50接近白色。树脂50也被称为底部填充剂，作为一例，可使液状的树脂固化而形成。树脂50被埋入光源装置1a中的、至少包含基板10的上部、蓝色发光元件30的侧面与电极20的侧面的区域。另外，三个蓝色发光元件30的光出射面与树脂50的上表面位于大致同一平面上。
通过于光源装置1a设置树脂50，可获得以下说明的效果。具体而言，各蓝色发光元件30的光于通过各蓝色发光元件30上的颜色转换层而被转换颜色时，蓝色发光元件30被位于该蓝色发光元件30旁边的蓝色发光元件30的上方的颜色转换层转换颜色的机率减少。由此，可获得鲜明的图像。另外，蓝色发光元件30的保持强度提升，可延长光源装置1a的寿命。进而，蓝色发光元件30的光出射面与光遮蔽层的上表面位于大致同一平面，因此可容易地进行颜色转换层的形成。
进而，光源装置1b如图2的(e)所示，与光源装置1a相比，不同点在于具备固定树脂60。固定树脂60使蓝色发光元件30及树脂50固定于颜色转换层40。固定树脂60覆盖颜色转换层40的侧面及上表面与树脂50的上表面。优先提升光提取效率的情形时，较佳相对于自蓝色发光元件30及颜色转换层40出射的光的波长，固定树脂60的透射率为高。另外，在改变光取向特性或改***度的情形时，也可揉合氧化铝、二氧化硅及/或氧化钛的填充剂，可通过设为凹凸形状等的方式改变表面形状而使光提取效率及光取向特性变化。
光源装置1c如图2的(f)所示，与光源装置1a相比，不同点为三个蓝色发光元件30被改变为三个紫色发光元件30a。另外，光源装置1c与光源装置1a相比，不同点为三个颜色转换层40分别被改变为蓝色转换层40a、绿色转换层40b及红色转换层40c。光源装置1中，使用一种颜色转换层，但光源装置1c中，使用三种颜色转换层。例如，蓝色转换层40a含有Sr5(PO4)3Cl：Eu2+作为蓝色萤光体，绿色转换层40b含有(Ba、Sr)2SiO4：Eu2+作为绿色萤光体，红色转换层40c含有Ca2SiO4：Eu2+作为红色萤光体。本发明的一个方式的光源装置能够以转换后的光的波长不同的方式，使用两种以上的颜色转换层。由此，可发出各种各样的光。另外，蓝色转换层40a、绿色转换层40b及红色转换层40c各自的颜色转换材料(萤光体或色素等吸光材料)的浓度可不相同。颜色转换层的颜色转换材料的浓度依每个颜色转换层的种类而不同，由此，例如可对每个颜色设定适当的颜色转换材料的浓度，出射最合适的光。
进而，一个颜色转换层中可含有多个种类的萤光体及/或吸光材料。例如，为了取得光提取效率与发光颜色的平衡，可组合K2SiF6：Mn4+与CaAlSiN3：Eu2+而形成红色转换层40c。K2SiF6：Mn4+具有半值宽度为10nm以下的630nm左右的发光峰值波长，CaAlSiN3：Eu2+具有半值宽度为90～105nm左右的范围的650nm左右的发光峰值波长。如上述，颜色转换层含有多个种类的萤光体及/或吸光材料，由此可形成自颜色转换层出射的光的光谱。
作为紫色发光元件30a的一例，与蓝色发光元件30同样地，可利用公知者，具体而言可利用半导体发光元件。其中，作为第III族氮化物半导体的GaN系半导体，由于能够发出可有效率地激发萤光物质的短波长的光，因此作为紫色发光元件30a而较佳。紫色发光元件30a可由第III族氮化物半导体构成，例如可由GaN系材料及InGaN系材料构成。即，在紫色发光元件30a的光出射面不设置电极，紫色发光元件30a的光出射面可由第III族氮化物半导体构成(例如GaN系材料)构成。紫色发光元件30a例如可为以p型GaN层、InGaN层以及具有位于与基板10侧相反的一侧的光出射面的n型GaN层的顺序配置的紫色LED。紫色发光元件30a的发光峰值波长为365～420nm，较佳为390～420nm。
蓝色转换层40a被配置于三个紫色发光元件30a之一的紫色发光元件30a的光出射面(上表面)，将来自配置于蓝色转换层40a正下方的紫色发光元件30a的发光的波长进行转换，出射蓝色光。蓝色转换层40a所含有的萤光体的材料，例如可为以下所示的(5)至(7)。
(5)活化以(MVI)5-x5Eux5(PO4)3(MVII)(MVI表示Ca、Sr及Ba中的至少一种。MVII表示F、Cl及Br中的至少一种。x5满足0.1≦x5≦1.5。)表示的2价铕的磷氧化物萤光体。
(6)活化以(MVIII)1-x6Eux6MgAl10O17(MVIII表示Sr及Ba中的至少一种。x6满足0.005≦x6≦0.2。)表示的2价铕的铝氧化物萤光体。
(7)活化以(MIX)1-x7Cex7Si3N5(MIX表示Lu、Y、La及Gd中的至少一种。x7满足0.005≦x7≦0.2。)表示的3价铈的氮化物萤光体。
绿色转换层40b被配置于三个紫色发光元件30a之一紫色发光元件30a的光出射面，将来自配置于绿色转换层40b正下方的紫色发光元件30a的发光的波长进行转换，出射绿色光。绿色转换层40b所含有的萤光体的材料，例如可为以下所示的(8)至(15)。
(8)活化以Eux8SifAlgOhNi(0.001≦x8≦0.2)表示的作为β型SiAlON的2价铕的氮氧化物萤光体。
(9)活化以(MX)3-x9Cex9(MXI)5O12(MX表示Lu、Y、La及Gd中的至少一种。MXI表示Al及Ga中的至少一种。x9满足0.005≦x9≦0.3。)表示的具有石榴石型晶体结构的3价铈的氧化物萤光体。
(10)以(MXII)2-x10Eux10SiO4(MXII表示Mg、Ca、Sr及Ba中的至少一种。x10满足0.005≦x10≦0.4。)表示的萤光体(活化2价铕的硅酸盐萤光体)。
(11)活化以(MXIII)3-x11Cex11(MXIV)2Si3O12(MXIII表示Mg、Ca、Sr及Ba中的至少一种。MXIV表示Li、Na、K、Cs、Rb、Mg、Ca、Ba、Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd及Lu中的至少一种。x11满足0.005≦x11≦0.3。)表示的3价铈的硅酸盐萤光体。
(12)活化以(MXV)3-x12Cex12Si6N11(MXV表示Lu、Y、La及Gd中的至少一种。x12满足0.005≦x12≦0.2。)表示的3价铈的氮化物萤光体。
(13)活化以(MXVI)1-y1Euy1Mg1-x13Al10-x13Mnx13+y1O17(MXVI表示Sr及Ba中的至少一种。y1满足0.005≦y1≦0.2、x13及y1满足0.005≦x13+y1≦0.2。)表示的2价铕与2价锰的铝酸盐萤光体。
(14)活化以(MXVII)3-x14Eux14Si6O12N2(MXVII表示Sr及Ba中的至少一种。x14满足0.005≦x14≦0.2。)表示的2价铕与2价锰的硅酸盐萤光体。
(15)活化以(MXVIII)2-x15Eux15SiO4(MXVIII表示Mg、Ca、Sr及Ba中的至少一种、x15满足0.03≦x15≦0.10。)表示的2价铕的硅酸盐萤光体。
红色转换层40c被配置于三个紫色发光元件30a之一的紫色发光元件30a的光出射面，将来自配置于红色转换层40c正下方的紫色发光元件30a的发光的波长进行转换，出射红色光。红色转换层40c所含有的萤光体的材料，例如可为以下所示的(16)至(21)。
(16)活化以(MXIX)1-x16Eux16(MXX)SiN3(MXIX表示Mg、Ca、Sr及Ba中的至少一种。MXX表示Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd及Lu中的至少一种。x16满足0.005≦x16≦0.2。)表示的2价铕的氮化物萤光体。
(17)活化以(MXXI)2-x17Eux17Si5N8(MXXI表示Mg、Ca、Sr及Ba中的至少一种。x17满足0.005≦x17≦0.2。)表示的2价铕的氮化物萤光体。
(18)活化以[Eux18(MXXII)1-x18]a2Sib2Alc2Od2Ne2(a2满足0.15≦a2≦1.5、x18满足0≦x18≦1、b2及c2满足b2+c2＝12、d2及e2满足d2+e2＝16。MXXII表示Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La及Gd中的至少一种。)表示的作为α型SiAlON的2价铕的氮氧化物萤光体。
(19)活化以(MXXIII)2((MXXIV)1-x19Mnx19)F6(MXXIII表示Li、Na、K、Rb及Cs中的至少一种。MXXIV表示Ge、Si、Sn、Ti及Zr中的至少一种。x19满足0.005≦x19≦0.3。)表示的4价锰的氟化金属盐萤光体。
(20)活化以(MXXV)2-x20Eux20O3-y2Sy2(MXXV表示Y、La及Gd中的至少一种。x20满足0.005≦x20≦0.4、y2满足0.0≦y2≦2.0。)表示的3价铕的硫氧化物萤光体。
(21)活化以Ca2-x21Eux21SiO4(x21满足0.5≦x21≦1.5。)表示的2价铕的氧化物萤光体。
另外，后述的实施方式中，作为发光元件，虽有使用蓝色发光元件30而非紫色发光元件30a的情况，但在该情形下，也可使用此处所示的绿色萤光体或红色萤光体。颜色转换层所包含的萤光体不限在上述，可不限于发光颜色且含有多个萤光体而构成各颜色转换层。进而，也可使颜色转换层不仅含有萤光体，还含有吸色材料而构成各颜色转换层。另外，也可在颜色转换层揉合氧化铝、二氧化硅及/或氧化钛的填充剂，或是改变颜色转换层的表面形状，由此控制颜色转换层的光取向特性，或使光提取效率提升。再者，颜色转换层的表面形状可为圆锥形状、多角锥形状、截锥形状、多角截锥形状或半球形状。另外，可为具有圆锥形状、多角锥形状、截锥形状、多角截锥形状或半球形状排列的凹凸的形状。为了使颜色转换层的光提取效率提升或控制光取向特性，可在各蓝色发光元件30配置多种形状的颜色转换层。
(光源装置1的制造方法)
接着，针对光源装置1的制造方法，基于图3进行说明。图3为示出光源装置1的制造方法的图。于针对光源装置1的制造方法进行说明之前，针对电极20及金属布线12进行说明。
电极20例如为由金(Au)或Au-Sn(表面为Au)构成的电极，且用于电连接基板10与蓝色发光元件30者。具体而言，电极20作为电连接金属布线12与设于蓝色发光元件30的表面的金属端子(未图示)的垫电极而发挥功能，也被称为凸块。
金属布线12为至少包含对蓝色发光元件30供给控制电压的控制电路的布线。电极20中连接于金属布线12的第一部分为基板侧电极201，电极20中连接于设置于蓝色发光元件30的表面的金属端子(未图示)的第二部分，为发光元件侧电极202。
(蓝色发光元件30的形成步骤)
首先，如图3的(a)所示，在生长基板18设置蓝色发光元件30。生长基板18为使蓝色发光元件30的半导体层外延生长的基板。作为第III-V族化合物半导体及第III族氮化物半导体中的基板，可利用公知的构成。另外，作为第III-V族化合物半导体及第III族氮化物半导体，可利用公知的构成。
(发光元件侧电极202的形成步骤)
于形成蓝色发光元件30后，如图3的(b)所示，在蓝色发光元件30之上形成多个发光元件侧电极202。其形成使用周知的一般电极形成技术。发光元件侧电极202的代表性的材料，例如为金(Au)。
(分离槽19的形成步骤)
在发光元件侧电极202形成后，如图3的(c)所示，在蓝色发光元件30形成多个分离槽19。其形成使用标准的半导体选择蚀刻程序。图3中，相邻的发光元件侧电极202之间，形成分离槽19。所形成的分离槽19到达生长基板18的表面。通过形成分离槽19，一片蓝色发光元件30于生长基板18的表面被分割为多个的个别的蓝色发光元件30。
(两个基板的位置对准步骤)
于形成分离槽19后，如图3的(d)所示，准备预先形成金属布线12、绝缘层13以及基板侧电极201，且具有驱动电路11的基板10。绝缘层13为通过氧化膜、树脂膜、树脂层构成的绝缘性的层。绝缘层13防止基板10与电极20直接接触。于相对在基板10的基板侧电极201的形成，使用周知的一般电极形成技术。基板侧电极201的代表性的材料，例如为金(Au)。与准备基板10同时进行，如图3的(d)所示，使生长基板18反转。反转后，以各基板侧电极201与各发光元件侧电极202对向的方式，将基板10与生长基板18进行位置对准。
(基板10的贴合步骤)
于位置对准结束后，如图3的(e)所示，贴合基板10与生长基板18。此时，使用既有的贴合技术，以对应的基板侧电极201及发光元件侧电极202结合的方式，通过加压而从上下压制基板10及生长基板18。除此之外，通过在基板10的贴合步骤中对基板10进行加热的处理，提升基板侧电极201及发光元件侧电极202的反应性，或通过基板10的贴合前的电浆处理等，可使电极20的干净表面露出。通过加热基板10的处理及电浆处理，可更为强固地结合对应的基板侧电极201及发光元件侧电极202。如上述，对应的基板侧电极201及发光元件侧电极202被一体化，构成电极20。
(树脂50的形成步骤)
于贴合步骤结束后，在在基板10与生长基板18之间产生的空隙内，填充液状树脂50a。填充后的状态如图3的(f)所示。此时，例如，以贴合后的状态浸于以液状树脂50a填满的容器内即可。液状树脂50的主材料并不特别限定，例如为环氧树脂。再者，液状树脂50a的注入方法除上述的外，也可为以注射针，尤其可为配合基板10与蓝色发光元件30之间产生的空隙的尺寸的微针(microneedle)注入液状树脂50a的方法。作为此情形时的注射针的材料，使用金属制或塑胶制等。
填充步骤中，较佳于50℃～200℃的温度范围内的温度下进行填充。由此，易于将液状树脂50a正常地填充至空隙内。进而，温度范围较佳为80℃～170℃。由此，可减少对树脂50的特性(固化程序后的密接性、散热性等)造成损害之虞。另外，温度范围进一步较佳为100℃～150℃。由此，可减少产生在上述空隙的气泡，可不产生对流等而几乎完全地进行填充，且易于制造光源装置1。
尤其，考虑到将各个蓝色发光元件30的大小设为例如纵宽及横宽为20μm以下，更佳为数μm～10数μm，将蓝色发光元件30的厚度设为10μm左右(2μm～15μm)的微小尺寸的情形。该情形时，在基板剥离及剥离后的步骤中，液状树脂50a作为用于提升固着力的补强构件而更有用地发挥功能。由此，可减小树脂50的制品间的特性的不均，因此易于制造光源装置1。上述制品是指各个蓝色发光元件30的大小于俯视时，纵宽及横宽为20μm以下，更佳为数μm～10数μm的制品。
被填充于空隙内的液状树脂50a，如图3的(f)所示，被完全埋入空隙内。由此，在蓝色发光元件30的侧面、电极20的侧面及阶差面，以及基板10的上部，埋入液状树脂50a。于液状树脂50a填充结束后，使液状树脂50a固化。再者，关于使液状树脂50a固化的方法不特别限定，例如也可通过加热液状树脂50a，或对液状树脂50a照射紫外线，使液状树脂50a固化。
(生长基板18的剥离步骤)
填充步骤结束后，如图3的(g)所示，使生长基板18剥离。于该步骤使用既有的剥离技术。作为既有的剥离技术的一例，可利用使用了激光的照射的剥离技术。例如，将蓝宝石基板等透明基板用于蓝色发光元件30的生长基板，作为发光元件层将第III族氮化物半导体进行晶体生长时，通过自透明基板侧以一定条件照射激光，可减轻对晶体生长层造成的损伤。再者，作为其他手段，也可为使用了湿式蚀刻法、轮磨或研磨法等的生长基板18的剥离。
由于树脂50将电极20及蓝色发光元件30密接固定在基板10，因此可在剥离生长基板18时，防止蓝色发光元件30及电极20被一起剥离。于剥离生长基板18后，蓝色发光元件30的光出射面及树脂50的上表面露出。另外，剥离生长基板18后，蓝色发光元件30的光出射面与树脂50的上表面位于大致同一平面上。
由激光的照射造成的影响，仅波及蓝色发光元件30中的生长基板18侧的数nm～数十nm的部分，其影响相当小。
另外，在剥离生长基板18后，使用CMP(chemical mechanical polishing，化学机械研磨)及/或湿式蚀刻，可使包含剥离后的蓝色发光元件30的光出射面的面的平滑性提升。另外，可在剥离后除去残渣。通过平滑性的提升以及于剥离后除去残渣，下一步骤即颜色转换层40的形成变得更容易，可使自蓝色发光元件30出射的光的光提取率提升。
使用由GaN材料及InGaN系材料构成的蓝色发光元件30的情形时，通过于本剥离步骤剥离生长基板18，形成由GaN系材料构成的光出射面。再者，剥离生长基板18后的蓝色发光元件30的光出射面一般而言由Ga与N构成。其中，通过蓝色发光元件30的制造条件及剥离条件，也可为蓝色发光元件30的光出射面仅由Ga构成的情况以及仅由N构成的情况。本实施方式中，包含光出射面仅由Ga构成的情况以及光出射面仅由N构成的情况，将蓝色发光元件30的光出射面设为由GaN系材料构成的面。
(颜色转换层40的形成步骤)
剥离步骤结束后，可通过以下的(22)～(24)中的一个步骤，形成颜色转换层40。以下的(22)～(24)的步骤为形成颜色转换层40的步骤的一例。
(22)将萤光体物质揉合于感光性固化树脂(光阻剂)，将揉合而成者涂布于蓝色发光元件30的光出射面及树脂50的上表面。通过一般的光刻步骤，残留掺入了必要的萤光体的抗蚀剂，由此形成萤光体图案。
(23)于不残留萤光体图案的位置，使用一般的光化作用(photoprocess)而形成剥离制程(lift-off)用的光阻剂图案。于在该光阻剂图案之上涂布掺入萤光体的树脂后，通过将光阻剂图案进行剥离制程，形成掺入了萤光体的树脂图案(颜色转换层40)。掺入了萤光体的树脂的涂布可通过喷雾进行。
(24)利用一般的印刷技术直接形成掺入了萤光体的油墨。此时，可将色素与萤光体一起掺入油墨。
(固定树脂60的形成步骤)
制作具有与蓝色发光元件30的光出射面相同面积的面的颜色转换层40(板状的颜色转换层)，将该颜色转换层40配置于蓝色发光元件30之上。以树脂(固定树脂60成为固体前的液体状态的树脂)覆盖颜色转换层40的侧面及上表面以及树脂50的上表面，由此使颜色转换层40固定于蓝色发光元件30及树脂50。固定树脂60的形成步骤结束后，结束光源装置1的制造。此处所说明的固定树脂60的形成步骤为一例。
通过上述，在光源装置1的制造中，由于使生长基板18(蓝宝石基板)剥离，因此与包含生长基板18的光源装置相比，可制造薄了生长基板18的厚度(通常为100μm左右)的光源装置1。由此，光源装置1中，颜色转换层40与蓝色发光元件30的光出射面直接接触。即，所有相对于蓝色发光元件30的颜色转换层40的接触面皆与蓝色发光元件30的光出射面直接接触。
颜色转换层40与蓝色发光元件30之间不存在生长基板18，且颜色转换层40与蓝色发光元件30的光出射面直接接触，由此，将颜色转换层的发热进行散热的路径变短，可使散热性提升。由于可减少由生长基板18造成的光的散射，因此可使光提取效率以及发光的均匀性提升。由此，可自颜色转换层40出射高亮度的光。另外，由于除去生长基板18，因此光源装置1的整体的尺寸变小。
本发明的一个方式中，蓝色发光元件30的基板侧电极201，在同一面分别形成有阳极及阴极，在基板侧电极201的基板10侧的面存在阳极及阴极。另外，在与蓝色发光元件30的基板10侧相反的一侧的面，作为蓝色发光元件30的构成元素的In、Ga及N的元素中，仅存在一个乃至多个元素。
本发明的一个方式中，自蓝色发光元件30出射的光，自与蓝色发光元件30的基板10侧相反的一侧的面被提取，在蓝色发光元件30的光出射面不存在电极。因此，自蓝色发光元件30出射的光不于蓝色发光元件30的光出射面反射，可提高光提取效率。
另外，颜色转换层40与蓝色发光元件30的光出射面即不包含电极等金属膜的面直接接触。由此，自蓝色发光元件30出射的光的由电极等金属膜造成的反射的影响极小，光有效率地朝颜色转换层40进入。
通过颜色转换层40直接形成于蓝色发光元件30上，可通过蓝色发光元件30与颜色转换层40之间的边界，缩小蓝色发光元件30与颜色转换层40之间的折射率之差。
于蓝色发光元件30与颜色转换层40之间存在由空气或部分地由其他材料构成的区域，或是由其他材料构成之层的情形时，有发生蓝色发光元件30的光的反射及散射的可能性。上述其他材料是与蓝色发光元件30及颜色转换层40不同的材料。然而，即使是上述情形，本发明的一个方式中，不发生光的反射及散射等，可提高光提取效率。
再者，即使为上述情形，通过其他构成与蓝色发光元件30或颜色转换层40之间的边界，形成具有适当的界面形状或适当的折射率的界面，由此光提取效率也可变高。上述其他构成为空气或部分地由其他材料构成的区域，或是由其他材料构成之层。
另一方面，例如经由接着剂等而于蓝色发光元件30上形成颜色转换层40时，颜色转换层40与颜色转换层40相互接触，并且在颜色转换层40与接着剂的层之间的边界处以及在颜色转换层40与接着剂的层之间的边界处具有不同折射率。由此，有如下情形，即自蓝色发光元件30出射的光于该等边界被折射或反射，由此降低光朝颜色转换层40进入的效率。
另外，由在蓝色发光元件30的一面及与该面对向的面的两者具有电极的上下电极构造构成蓝色发光元件30时，在蓝色发光元件30的光出射面存在电极，也就是金属膜。由此，自蓝色发光元件30出射的光防碍光进入颜色转换层40。
此处，记载有利用在蓝色发光元件30上直接形成颜色转换层40而得之效果。除该效果外，也有可通过在蓝色发光元件30上直接形成颜色转换层40而提升散热性，改善机械性特性的可能性。
上述制造方法终究仅是可制造光源装置1的方法的一例。此处所说明的各步骤是用于使光源装置1易于制造，且构成光源装置1的制造方法的步骤并不限定于该等。
本发明的一个方式中，在蓝色发光元件30与基板10之间形成树脂50。树脂50覆盖基板侧电极201中除了基板10侧的面及发光元件侧电极202侧的面以外的部分。另外，树脂50覆盖发光元件侧电极202中除了蓝色发光元件30侧的面及基板侧电极201侧的面以外的部分。通过树脂50，蓝色发光元件30与基板10的接着力变强，因此蓝色发光元件30与基板10不易剥离，蓝色发光元件30被稳定地保持在基板10上。
例如，在生长基板18的剥离步骤或颜色转换层40的形成步骤中，考虑到蓝色发光元件30受到外力的情况。此情形时，有如下情况，即基板侧电极201与发光元件侧电极202剥离，无法电性驱动蓝色发光元件30，无法使蓝色发光元件30发光。另一方面，树脂50存在于蓝色发光元件30与基板10之间，由此，即使于蓝色发光元件30受到外力的情形时，蓝色发光元件30与基板10剥离的可能性变小，蓝色发光元件30稳定地保持被接着在基板10的状态。
颜色转换层40可为单层，也可为组合吸收率或发光谱彼此不同的多层颜色转换层者。于颜色转换层40为单层时，由于颜色转换层40是以单层设计，因此可简化加工程序。
另外，通过将颜色转换层40重叠多层而形成，可更为高自由度地实现符合利用本发明的一个方式的各发光装置的利用状况的颜色转换层40的特性。例如，在屋外使用发光装置时，由在发光装置的亮度变得更为重要，因此视感度高的发光谱变得重要。另一方面，在电影等影像鉴赏为主要目的时，颜色的鲜明度变得重要，因此较佳为组合了多层吸收率或发光谱彼此不同的颜色转换层的发光装置。此情形时，可实现能够扩大颜色的再现范围的发光谱。进而，考虑到通过将自蓝色发光元件30出射的蓝色的光完全地进行颜色转换而期望更纯粹的发光颜色的情形。该情形时，较佳作为由主要具有颜色转换功能之层以及具有吸收无法完全进行颜色转换的蓝色的光的功能的层等构成的多层而形成光转换层。如上述，可以相对于特定目的或多个目的而同时符合的方式，由多层构成颜色转换层40。
(变形例1)
接着，针对光源装置1的变形例1即光源装置2～2d，基于图4及图5进行说明。图4为示出光源装置1的变形例1即光源装置2～2b的剖视图。图5为示出光源装置1的变形例1即光源装置2c、2d的截面及俯视该光源装置2c、2d的图。
光源装置2如图4的(a)所示，与光源装置1a相比，不同点为三个颜色转换层40分别被改变为透光性树脂c1、绿色转换层40b、红色转换层40c。图4的(a)所示的光源装置2中，例如绿色转换层40b含有(Ba、Sr)2SiO4：Eu2+作为绿色萤光体，红色转换层40c含有Ca2SiO4：Eu2+作为红色萤光体。光源装置2中，在使光源装置2的蓝色光发光的部分的蓝色发光元件30的光出射面，配置透光性树脂c1。另外，绿色转换层40b的萤光体浓度高于红色转换层40c的萤光体浓度。原因在于，斯托克斯位移(Stokes shift)越小，对于光的吸收越不利，因此颜色转换层的颜色越接近蓝色，该颜色转换层的萤光体浓度越高为佳。如上述，本发明的一个方式的光源装置中，多个蓝色发光元件30中，可在至少一个蓝色发光元件30上形成透光性树脂c1。由此，在并非必须在蓝色发光元件30上配置颜色转换层亦可的情形时，可防止灰尘等附着于蓝色发光元件30。
透光性树脂c1被配置于三个蓝色发光元件30之一的蓝色发光元件30的光出射面，使来自配置于透光性树脂c1的正下方的蓝色发光元件30的光透射，将该光出射。透光性树脂c1较佳例如为环氧树脂、硅树脂以及丙烯酸系树脂等。另外，通过对透光性树脂c1赋与感光性，可形成利用了光化作用的透光性树脂c1。
光源装置2a如图4的(b)所示，与光源装置1c相比，不同点为具备透光性树脂c2、于三个蓝色发光元件30之一的蓝色发光元件30的光出射面设有颜色转换层以及紫色发光元件30a被改变为蓝色发光元件30。如图4的(b)所示的光源装置2a中，例如绿色转换层40b含有(Ba、Sr)2SiO4：Eu2+作为绿色萤光体，红色转换层40c含有Ca2SiO4：Eu2+作为红色萤光体。光源装置2a中，三个颜色转换层的正下方分别配置有蓝色发光元件30，因此蓝色/绿色/红色的三色的颜色转换层中，不需蓝色的颜色转换层。
透光性树脂c2使绿色转换层40b及红色转换层40c固定于蓝色发光元件30及树脂50。透光性树脂c2覆盖绿色转换层40b的侧面及上表面以及红色转换层40c的侧面及上表面。另外，透光性树脂c2覆盖树脂50的上表面。由此，可通过透光性树脂c2保护蓝色发光元件30的光出射面、绿色转换层40b、红色转换层40c以及树脂50的上表面。透光性树脂c2使来自绿色转换层40b的光、红色转换层40c的光以及来自配置于透光性树脂c2的正下方的蓝色发光元件30的光透射，将该等光出射。透光性树脂c2较佳例如为环氧树脂、硅树脂以及丙烯酸系树脂等。另外，可使氧化铝、二氧化硅及/或氧化钛的填充剂揉合于透光性树脂c2或改变透光性树脂c2的表面形状。由此，可控制透光性树脂c2的光取向特性，或使透光性树脂c2的光提取效率提升。
光源装置2b如图4的(c)所示，与光源装置1c相比，不同点为于三个蓝色发光元件30之一的蓝色发光元件30的光出射面不设有颜色转换层以及紫色发光元件30a被改变为蓝色发光元件30。如图4的(c)所示的光源装置2b中，例如绿色转换层40b含有(Ba、Sr)2SiO4：Eu2+作为绿色萤光体，红色转换层40c含有Ca2SiO4：Eu2+作为红色萤光体。光源装置2b中，使用蓝色发光元件30作为发光元件，因此蓝色/绿色/红色的三色的颜色转换层中，不需蓝色的颜色转换层。即，多个蓝色发光元件30中，至少一个蓝色发光元件30的光出射面露出。由此，在并非必须在蓝色发光元件30上配置颜色转换层亦可的情形时，可将自蓝色发光元件30出射的光直接往外部出射。另外，可简化制造步骤。
光源装置2c如图5的(a)至(c)所示，在光源装置2中，将透光性树脂c1、绿色转换层40b及红色转换层40c的厚度进行了改变。厚度是指沿着自基板10朝向蓝色发光元件30的方向的厚度。例如，透光性树脂c1的厚度可大于绿色转换层40b的厚度。另外，绿色转换层40b的厚度可大于红色转换层40c的厚度。如上述，颜色转换层的厚度可依据颜色转换层的种类而不同。由此，可使每个像素发出必要颜色的光。
光源装置2d如图5的(d)所示，在光源装置2中，将透光性树脂c1、绿色转换层40b及红色转换层40c的宽度进行了改变。宽度是指沿着与自基板10朝向蓝色发光元件30的方向正交的方向的宽度。例如，绿色转换层40b的宽度可大于红色转换层40c的宽度。另外，红色转换层40c的宽度可大于透光性树脂c1的宽度。如上述，颜色转换层的宽度可依据颜色转换层的种类而不同。例如，考虑到使用了蓝色发光元件30的情况。此情形时，成为于负责蓝色光的蓝色发光元件30上涂布有透光性树脂c1的情况，但为了自蓝色发光元件30提取蓝色光，不需要由颜色转换层进行的颜色转换。即，相当于颜色转换层的透光性树脂c1的宽度小的情况不会成为大问题。另一方面，在负责绿色光的蓝色发光元件30上涂布有绿色转换层40b，但对绿色转换层40b，要求抑制由蓝色光的缺乏造成的颜色再现范围的降低。因此，绿色转换层40b的宽度大者为有利。
如前述，颜色转换层40的厚度可与形成在各蓝色发光元件30上的每个颜色转换层40而不同。一般而言，绿色萤光体的蓝色光的吸收强度低于红色萤光体的蓝色光的吸收强度。因此，较佳包含绿色萤光体的颜色转换层的厚度大于包含红色萤光体的颜色转换层的厚度。
另外，在各蓝色发光元件30存在亮度不均或发光波长不均的情形时，依据该不均，分别改变形成于各蓝色发光元件30上的颜色转换层40的厚度。由此，可通过于蓝色发光元件30上形成颜色转换层40后的状态，实现出射亮度及发光波长无不均的光。
进而，使用光化作用形成颜色转换层40时，较佳以颜色转换层40的厚度依每个颜色转换层40的颜色不同的方式，设计发光装置。
例如，考虑到形成绿色转换层40b与红色转换层40c的情况，此情形时，在蓝色发光元件30上通过旋转涂布或涂刷(squeegee)涂布包含红色萤光体的光阻剂后，使用光罩等而仅对发出红色光的蓝色发光元件30上进行用于使光阻剂固化的光照射。由此，形成红色转换层40c。
接着，通过旋转涂布或刷涂将包含绿色萤光体的光阻剂涂布于蓝色发光元件30上。此时，设为包含绿色萤光体的光阻剂的厚度大于红色转换层40c的厚度。由此，包含绿色萤光体的光阻剂的厚度与红色转换层40c相比厚度更高，且，可以成为均匀的方式涂布包含绿色萤光体的光阻剂。另一方面，若设为于形成红色转换层40c后形成绿色转换层40b，则由于必须设为包含绿色萤光体的光阻剂的厚度成为低于红色转换层40c的厚度的条件，因此难以均匀地涂布绿色转换层40b。之后，使用光罩等而仅对发出绿色光的蓝色发光元件30上进行用于使光阻剂固化的光照射。由此，形成绿色转换层40b。
(变形例2)
针对光源装置1的变形例2即光源装置3，基于图6进行说明。图6为示出光源装置1的变形例2即光源装置3的剖视图。光源装置3如图6所示，与光源装置2c相比，不同点为蓝色发光元件30的光出射面成为凹凸面a1。
凹凸面a1为凹凸的间距为一定间距的面，为残留PSS(Patterned SapphireSubstrate：图案化蓝宝石基板)的部分。即，在蓝色发光元件30的光出射面存在PSS(2μm左右的间距、1μm左右的深度的凹部)。可通过表面研磨或蚀刻削去PSS，且也可使用无PSS的生长基板18来形成蓝色发光元件30。另外，在使用无PSS的生长基板18形成蓝色发光元件30后，也可通过湿式蚀刻及/或干式蚀刻等于蓝色发光元件30的光出射面侧形成凹凸。如上述，在蓝色发光元件30的光出射面形成有凹凸。由此，可自蓝色发光元件30有效率地出射光，可使光提取效率提升。另外，通过凹凸，增大蓝色发光元件30与颜色转换层(或透光性树脂c1)的接着面积，因此可使接着强度提升。凹凸较佳为自光出射面的最上部凹陷的形状，更佳为凹陷是圆锥形状。圆锥的顶点的角度较佳为30度至120度，更佳为50度至110度，进而较佳为70度至100度。另外，通过凹凸，蓝色发光元件30与颜色转换层(或透光性树脂c1)的接着面积变大，因此可使蓝色发光元件30与颜色转换层(或透光性树脂c1)的接着强度提升。
[实施方式2]
若针对本发明的其他实施方式，基于图7进行说明，则如下所述。再者，为了便于说明，对于具有与已通过上述实施方式进行说明的构件相同功能的构件，标注相同符号，并省略其说明。图7为本发明的实施方式2的光源装置4～4c的剖视图。
光源装置4如图7的(a)所示，与光源装置1相比，不同点为具备蓝色滤光片层70a、绿色滤光片层70b及红色滤光片层70c。另外，光源装置4与光源装置1相比，不同点为颜色转换层40被改变为黄色转换层45(萤光体层)。黄色转换层45含有黄色萤光体，例如Y3Al5O12：Ce3+。另外，黄色转换层45也可以含有绿色萤光体与红色萤光体等的方式，通过使黄色转换层45含有不同种类的多个萤光体，将自蓝色发光元件30出射的光转换为黄色光。
蓝色滤光片层70a与黄色转换层45的上表面接触，含有吸光材料，仅使自黄色转换层45出射的光中的蓝色光透射。具体而言，蓝色滤光片层70a配置于黄色转换层45上，仅使配置于蓝色滤光片层70a的正下方的黄色转换层45出射的光中特定的波长的光透射，出射蓝色光。蓝色滤光片层70a的宽度与配置于蓝色滤光片层70a的正下方的黄色转换层45的宽度相同。宽度是指沿着与自基板10朝向蓝色发光元件30的方向正交的方向的宽度。
绿色滤光片层70b与黄色转换层45的上表面接触，含有吸光材料，仅使自黄色转换层45出射的光中的绿色光透射。具体而言，绿色滤光片层70b配置于黄色转换层45上，仅使配置于绿色滤光片层70b的正下方的黄色转换层45出射的光中特定的波长的光透射，出射绿色光。绿色滤光片层70b的宽度与配置于绿色滤光片层70b的正下方的黄色转换层45的宽度相同。
红色滤光片层70c与黄色转换层45的上表面接触，含有吸光材料，仅使自黄色转换层45出射的光中的红色光透射。具体而言，红色滤光片层70c配置于黄色转换层45上，仅使配置于红色滤光片层70c的正下方的黄色转换层45出射的光中特定的波长的光透射，出射红色光。红色滤光片层70c的宽度与配置于红色滤光片层70c的正下方的黄色转换层45的宽度相同。
通过上述，光源装置4中于黄色转换层45上配置滤光片层。由此，可通过选择滤光片层的种类，使必要的颜色的光出射。
(滤光片层的形成方法)
此处，针对滤光片层的形成方法进行说明。通过以下的(4)至(8)的处理，可形成滤光片层。以下的(4)至(8)的处理为用于实现图7的(a)所示的构成的处理的一例。
(4)将红色滤色抗蚀剂涂布于黄色转换层45的上表面。
(5)使用光罩，仅对红色滤色抗蚀剂的、位于蓝色发光元件30上的部分照射紫外线，使红色滤色抗蚀剂固化。
(6)除去红色滤色抗蚀剂的未固化的部分。
(7)将绿色滤色抗蚀剂涂布于黄色转换层45的上表面。也对绿色滤色抗蚀剂实施对于红色滤色抗蚀剂实施的(5)及(6)的处理。
(8)将蓝色滤色抗蚀剂涂布于黄色转换层45的上表面。也对蓝色滤色抗蚀剂实施对于红色滤色抗蚀剂实施的(5)及(6)的处理。
光源装置4a如图7的(b)所示，与光源装置4相比，蓝色滤光片层70a、绿色滤光片层70b以及红色滤光片层70c各自的厚度不同。厚度是指沿着自基板10朝向蓝色发光元件30的方向的厚度。例如，蓝色滤光片层70a的厚度可大于绿色滤光片层70b的厚度。另外，绿色滤光片层70b的厚度可大于红色滤光片层70c的厚度。如上述，滤光片层的厚度可依据滤光片层的种类而不同。由此，可使每个像素发出必要颜色的光。
再者，光源装置4a即图7的(b)所示的构成中，通过前述的(7)的处理，进行与红色滤色抗蚀剂相比，将绿色滤色抗蚀剂更厚地进行涂布的处理。另外，光源装置4a即图7的(b)所示的构成中，通过前述的(8)的处理，进行与绿色滤色抗蚀剂相比，将蓝色滤色抗蚀剂更厚地进行涂布的处理。光源装置4a中，以从薄的滤光片层开始依序形成的方式进行处理。该等处理为一例。
光源装置4b如图7的(c)所示，与光源装置4相比，以下两点不同。第一点为，蓝色滤光片层70a、绿色滤光片层70b以及红色滤光片层70c各自被改变为蓝色滤光片层70d、绿色滤光片层70e以及红色滤光片层70f。第二点为，三个黄色转换层45分别被改变为透光性树脂c1、绿色转换层40b及红色转换层40c。再者，透光性树脂c1的宽度可大于配置在透光性树脂c1的正下方的蓝色发光元件30的宽度，绿色转换层40b的宽度可大于配置在绿色转换层40b的正下方的蓝色发光元件30的宽度。另外，红色转换层40c的宽度可大于配置在红色转换层40c的正下方的蓝色发光元件30的宽度。由此，可减少自蓝色发光元件30出射的光不通过颜色转换层的情况。宽度是指沿着与自基板10朝向蓝色发光元件30的方向正交的方向的宽度。
蓝色滤光片层70d与透光性树脂c1的上表面接触，含有吸光材料，仅使自透光性树脂c1出射的光中的蓝色光透射。具体而言，蓝色滤光片层70d仅使配置于蓝色滤光片层70d内的透光性树脂c1出射的光中特定的波长的光透射，出射蓝色光。蓝色滤光片层70d的宽度与配置于蓝色滤光片层70d内的透光性树脂c1的宽度相同。再者，蓝色滤光片层70d可覆盖透光性树脂c1。
绿色滤光片层70e与绿色转换层40b的上表面接触，含有吸光材料，仅使自绿色转换层40b出射的光中的绿色光透射。具体而言，绿色滤光片层70e仅使配置于绿色滤光片层70e内的绿色转换层40b出射的光中特定的波长的光透射，出射绿色光。绿色滤光片层70e的宽度大于配置于绿色滤光片层70e内的绿色转换层40b的宽度。再者，绿色滤光片层70e可覆盖绿色转换层40b。
红色滤光片层70f与红色转换层40c的上表面接触，含有吸光材料，仅使自红色转换层40c出射的光中的红色光透射。具体而言，红色滤光片层70f仅使配置于红色滤光片层70f内的红色转换层40c出射的光中特定的波长的光透射，出射红色光。红色滤光片层70f的宽度大于配置于红色滤光片层70f内的红色转换层40c的宽度。再者，红色滤光片层70f可覆盖红色转换层40c。
如上述，滤光片层的宽度可大于颜色转换层。由此，可减少自颜色转换层出射的光不通过滤光片层的情形。另外，可使氧化铝、二氧化硅及/或氧化钛的填充剂揉合于滤光片层或改变滤光片层的表面形状，由此可控制滤光片层的光取向特性，或使光提取效率提升。
光源装置4c如图7的(d)所示，与光源装置4相比，以下三点不同。第一点为，在透光性树脂c1的上表面未设有滤光片层。第二点为，三个黄色转换层45分别被改变为透光性树脂c1、绿色转换层40b及红色转换层40c。第三点为，透光性树脂c1、绿色转换层40b及红色转换层40c的厚度各自不同。
光源装置4c中，作为发光元件，使用蓝色发光元件30，在蓝色发光元件30的光出射面配置有透光性树脂c1。因此，蓝色/绿色/红色三色的滤光片层中，不需蓝色的滤光片层。
实施方式2中，可使用紫色发光元件30a取代蓝色发光元件30。于使用紫色发光元件30a时，能够以使颜色转换层同时含有蓝色萤光体及黄色萤光体两者，或同时含有蓝色萤光体、绿色萤光体及红色萤光体三者等方式，组合更多的萤光体而构成颜色转换层。
[实施方式3]
若针对本发明的其他实施方式，基于图8进行说明，则如下所述。再者，为了便于说明，对于具有与已通过上述实施方式进行说明的构件相同功能的构件，标注相同符号，并省略其说明。图8为示出本发明的实施方式3的光源装置5～5c的截面及俯视该光源装置5～5c的图。
光源装置5如图8的(a)所示，与光源装置4相比，不同点为黄色转换层45被改变为黄色转换层80(萤光体层)。一层黄色转换层80被配置于蓝色发光元件30的光出射面及树脂50的上表面。即，一层黄色转换层80与三个蓝色发光元件30的光出射面接触。再者，三个蓝色发光元件30的光出射面与树脂50的上表面位于大致同一平面上。
黄色转换层80将自三个蓝色发光元件30的光出射面出射的光的波长进行转换。被用于黄色转换层80的树脂与用于黄色转换层45的树脂为相同材料。另外，黄色转换层80所含有的萤光体是以与黄色转换层45所含有的萤光体相同的材料形成。于一层黄色转换层80的上表面配置有蓝色滤光片层70a、绿色滤光片层70b及红色滤光片层70c。
蓝色滤光片层70a、绿色滤光片层70b及红色滤光片层70c分别与三个蓝色发光元件30一对一地对应。自蓝色发光元件30的光出射面侧观看光源装置5时，蓝色滤光片层70a的下表面与所对应的蓝色发光元件30的光出射面一致，绿色滤光片层70b的下表面与所对应的蓝色发光元件30的光出射面一致。另外，自蓝色发光元件30的光出射面侧观看光源装置5时，红色滤光片层70c的下表面与所对应的蓝色发光元件30的光出射面一致
通过上述，光源装置5中，使黄色转换层80接触多个蓝色发光元件30的各光出射面，因此变得容易形成黄色转换层80。另外，可一次形成黄色转换层80，因此可获得均匀的光。
光源装置5a如图8的(b)所示，为于光源装置5中，将蓝色滤光片层70a、绿色滤光片层70b及红色滤光片层70c的厚度及宽度进行改变者。厚度是指沿着自基板10朝向蓝色发光元件30的方向的厚度，宽度是指沿着与自基板10朝向蓝色发光元件30的方向正交的方向的宽度。
例如，蓝色滤光片层70a的厚度可大于绿色转换层70b的厚度。另外，绿色转换层70b的厚度可大于红色转换层70c的厚度。
进而，例如绿色转换层70b的宽度可大于红色转换层70c的宽度。另外，红色转换层70c的宽度可大于蓝色滤光片层70a的宽度。
如上述，滤光片层的厚度及宽度可依据滤光片层的种类而不同。由此，可使每个像素发出必要颜色的光。再者，此处虽各滤光片层的厚度及宽度不同，但也可为仅各滤光片层的宽度不同。
光源装置5b如图8的(c)至(e)所示，为于光源装置5中，将蓝色滤光片层70a、绿色滤光片层70b及红色滤光片层70c的厚度进行改变者。厚度是指沿着自基板10朝向蓝色发光元件30的方向的厚度。
例如，蓝色滤光片层70a的厚度可大于绿色转换层70b的厚度。另外，绿色转换层70b的厚度可大于红色转换层70c的厚度。如上述，滤光片层的厚度可依据滤光片层的种类而不同。由此，可使每个像素发出必要颜色的光。
光源装置5c如图8的(f)所示，与光源装置5b相比，不同点为将黄色转换层80改变为颜色转换层80a。颜色转换层80a与黄色转换层80形状相同。于颜色转换层80a含有红色萤光体及绿色萤光体。如上述，可使颜色转换层含有多种萤光体。由此，可更细致地控制自像素发出的光谱。
实施方式3中，可使用紫色发光元件30a取代蓝色发光元件30。于使用紫色发光元件30a时，能够以使颜色转换层同时含有蓝色萤光体及黄色萤光体两者，或同时含有蓝色萤光体、绿色萤光体及红色萤光体三者等方式，组合更多的萤光体而构成颜色转换层。
[实施方式4]
若针对本发明的其他实施方式，基于图9进行说明，则如下所述。再者，为了便于说明，对于具有与已通过上述实施方式进行说明的构件相同功能的构件，标注相同符号，并省略其说明。图9为本发明的实施方式4的光源装置6的剖视图。
光源装置6如图9所示，与光源装置2相比，不同点为具备光吸收层90。光吸收层90被配置于透光性树脂c1、绿色转换层40b及红色转换层40c各自之间。光吸收层90由树脂，例如白色树脂构成。光吸收层90的厚度较佳为颜色转换层的厚度的约一半至约两倍，光吸收层90的吸光率较佳为50％以上。光吸收层90的上表面与透光性树脂c1、绿色转换层40b及红色转换层40c的上表面位于大致同一平面上。即，光吸收层90的厚度与透光性树脂c1、绿色转换层40b及红色转换层40c的厚度相同。厚度是指沿着自基板10朝向蓝色发光元件30的方向的厚度。
另外，光源装置6可具备光反射层取代光吸收层90。光反射层被配置于透光性树脂c1、绿色转换层40b及红色转换层40c各自之间。光反射层由树脂，例如白色树脂构成。光反射层的厚度较佳为颜色转换层的厚度的约一半至约两倍以下，光反射层的光反射率较佳为50％以上。光反射层的上表面与透光性树脂c1、绿色转换层40b及红色转换层40c的上表面位于大致同一平面上。即，光反射层的厚度与透光性树脂c1、绿色转换层40b及红色转换层40c的厚度相同。
通过上述，自透光性树脂c1朝向绿色转换层40b的光的成分变少，自绿色转换层40b朝向透光性树脂c1及红色转换层40c的光的成分变少。另外，自红色转换层40c朝向绿色转换层40b的光的成分变少。由此，可减少自透光性树脂c1出射的光、自绿色转换层40b出射的光及自红色转换层40c出射的光混合的情况。
(光吸收层90的形成方法)
此处，针对光吸收层90的形成方法进行说明。通过以下的(9)至(11)的处理，可形成光吸收层90。以下的(9)至(11)的处理为用于形成光吸收层90的处理的一例。再者，光反射层也可通过与以下的(9)至(11)的处理相同的处理形成。
(9)在基板10经由电极20结合蓝色发光元件30后，以覆盖基板10的上表面及蓝色发光元件30的方式涂布底部填充剂。
(10)去除底部填充剂的位于蓝色发光元件30上的部分。即，形成包围底部填充剂的壁而形成的凹部。
(11)将颜色转换层填充于该凹部。
[关于发光元件及颜色转换层]
蓝色发光元件、紫色发光元件、颜色转换层以及滤光片层，它们的形状不限于长方体，可为圆柱、多角柱、截锥、多角截锥及半球的形状。另外，不同尺寸的蓝色发光元件及紫色发光元件可含有于一个光源装置的中。另外，每个颜色转换层的种类的数量的比，如图2的(f)所示，蓝色：绿色：红色可不为1：1：1，例如蓝色：绿色：红色为1：2：1。
[关于光源装置]
本发明的一个方式的光源装置如前述，各发光元件可为在基板上配置成成m×n(m、n为自然数)的格子状的阵列(构造体)。或者，各发光元件可以锯齿状格子(hound’s tooth)或其他图案配置。光源装置被使用于头戴式显示器或眼镜型装置的显示器等发光装置。在发光装置可搭载一个阵列，也可搭载多个阵列。适合发光装置的显示画面的像素的、光源装置的各发光元件的导通/截止被驱动电路11个别地控制，由此可使对比度提升。
[总结]
本发明的方式1的光源装置(1)具备：驱动电路(11)；发光元件(蓝色发光元件30)，其具有位于与该驱动电路侧相反的一侧的光出射面，并被配置于该驱动电路上，与该驱动电路电连接，且由第III族氮化物半导体构成；以及颜色转换层(颜色转换层40)，其与该光出射面接触，将自该光出射面出射的光的波长进行转换，该光出射面由第III族氮化物半导体构成。
根据上述构成，通过颜色转换层与发光元件的光出射面直接接触，可使光提取效率及发光的均匀性提升。另外，颜色转换层与发光元件的光出射面直接接触，因此光源装置1的整体的尺寸变小。进而，可抑制热的影响及颜色不均。
本发明的方式2的光源装置(1)在上述方式1中，该发光元件(蓝色发光元件30)为至少两个以上，多个该发光元件的该光出射面位于大致同一平面上。
根据上述构成，多个发光元件的光出射面位于大致同一平面上，因此可容易地将颜色转换层涂布于发光元件的光出射面。
本发明的方式3的光源装置(1c)在上述方式2中，该颜色转换层(蓝色转换层40a、绿色转换层40b、红色转换层40c)以转换后的光的波长不同的方式，而可为至少两种以上。
根据上述构成，颜色转换层的种类以转换后的光的波长不同的方式，而为两种以上，因此可发出各种各样的光。
本发明的方式4的光源装置(2)在上述方式2中，也可以在该发光元件(蓝色发光元件30)中，至少一个该发光元件上形成有透光性树脂c1。
根据上述构成，在至少一个发光元件上形成有透光性树脂c1。由此，即使于并非必须在发光元件上配置颜色转换层亦可的情形时，可防止灰尘等附着于发光元件。
本发明的方式5的光源装置(2b)在上述方式2中，该发光元件(蓝色发光元件30)中，至少一个该发光元件的该光出射面可露出。
根据上述构成，多个发光元件中至少一个发光元件的光出射面露出。由此，即使于并非必须在发光元件上配置颜色转换层亦可的情形时，可将自发光元件出射的光直接出射至外部。
本发明的方式6的光源装置(2c)在上述方式2中，该颜色转换层(绿色转换层40b、红色转换层40c)的沿着自该驱动电路(11)朝向该发光元件(蓝色发光元件30)的方向的厚度，可依每个该颜色转换层的种类而不同。
根据上述构成，颜色转换层的、自驱动电路朝向发光元件的方向的厚度，依每个颜色转换层的种类而不同。由此，可使每个像素发出必要颜色的光。
本发明的方式7的光源装置(2d)在上述方式2中，该颜色转换层(绿色转换层40b、红色转换层40c)的沿着与自该驱动电路(11)朝向该发光元件(蓝色发光元件30)的方向正交的方向的宽度，可依每个该颜色转换层的种类而不同。
本发明的方式8的光源装置(1c)在上述方式2中，该颜色转换层(蓝色转换层40a、绿色转换层40b、红色转换层40c)所包含的颜色转换材料的浓度，可依每个该颜色转换层的种类而不同。
根据上述构成，颜色转换层所含有的颜色转换材料的浓度，依每个颜色转换层的种类而不同。由此，可对每个颜色设定适当的颜色转换材料的浓度，出射最合适的光。
本发明的方式9的光源装置(3)在上述方式1中，在该光出射面可形成有凹凸。
根据上述构成，在发光元件的光出射面形成有凹凸。由此，可有效率地自发光元件出射光，可使光提取效率提升。
本发明的方式10的光源装置(1a)在上述方式2中，还具备配置于彼此相邻的该发光元件(蓝色发光元件30)之间的光遮蔽层，该光遮蔽层的与该驱动电路(11)侧相反的一侧的可与该光出射面面位于大致同一平面上。
根据上述构成，在各发光元件的光对各发光元件上的颜色转换层进行激发发光时，对位于该发光元件的旁边的发光元件的上方的颜色转换层进行激发发光的机率减少。由此，可获得鲜明的图像。另外，发光元件的保持强度提升，可延长光源装置的寿命。进而，发光元件的光出射面及光遮蔽层的与基板侧为相反的一侧的面位于大致同一平面上，因此可容易地进行颜色转换层的形成。
本发明的方式11的光源装置(4)具备：驱动电路(11)；发光元件(蓝色发光元件30)，其具有位于与该驱动电路侧相反的一侧的光出射面，并被配置于该驱动电路上，与该驱动电路电连接，且由第III族氮化物半导体构成；萤光体层(黄色转换层45)，其与该光出射面接触，将自该光出射面出射的光的波长进行转换；以及滤光片层(蓝色滤光片层70a、绿色滤光片层70b、红色滤光片层70c)，其配置于该萤光体层上，该光出射面由第III族氮化物半导体构成。
根据上述构成，滤光片层被配置于萤光体层上。由此，通过选择滤光片层的种类，可使必要的颜色的光出射。
本发明的方式12的光源装置(5)在上述方式11中，该发光元件(蓝色发光元件30)可为至少两个以上，该萤光体层(黄色转换层80)可与该发光元件的各光出射面接触。
根据上述构成，萤光体层与多个发光元件的各光出射面接触。由于使颜色转换层与多个发光元件的各光出射面接触，因此颜色转换层的形成变得容易。
本发明的方式13的光源装置(6)具备：驱动电路(11)；多个发光元件(蓝色发光元件30)，其具有位于与该驱动电路侧相反的一侧的光出射面，并被配置于该驱动电路上，与该驱动电路电连接，且由第III族氮化物半导体构成；多层颜色转换层(绿色转换层40b、红色转换层40c)，分别与该多个发光元件一对一地对应，且与所对应的该发光元件的该光出射面接触，将自所对应的该发光元件的该光出射面出射的光的波长进行转换；以及光吸收层(90)或光反射层，其配置于该颜色转换层之间，该光出射面由第III族氮化物半导体构成。
根据上述构成，自颜色转换层朝向其旁边的颜色转换层的光的成分变少。由此，可减少自颜色转换层出射的光与自其旁边的颜色转换层出射的光混合的情况。
本发明的方式14的发光装置在上述方式1、11、13的任一者中，具备该光源装置。
本发明不限定在上述的各实施态，在权利要求所示的范围内可进行各种改变，关于组合分别揭示于不同实施方式的技术性手段而得的实施方式，也包含于本发明的技术性范围。进而，通过组合分别揭示于各实施方式的技术性手段，可形成新的技术性特征。

Claims (14)

1.一种光源装置，其特征在于，具备：
驱动电路；
发光元件，其具有位于与所述驱动电路侧相反的一侧的光出射面，并被配置于所述驱动电路上，与所述驱动电路电连接，且由第III族氮化物半导体构成；以及
颜色转换层，其与所述光出射面接触，将自所述光出射面出射的光的波长进行转换，
所述光出射面由第III族氮化物半导体构成。
2.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，所述发光元件为至少两个以上，多个所述发光元件的所述光出射面位于大致同一平面上。
3.如权利要求2所述的光源装置，其特征在于，所述颜色转换层以转换后的光的波长不同的方式，而为至少两种以上。
4.如权利要求2所述的光源装置，其特征在于，所述发光元件中，在至少一个所述发光元件上形成有透光性树脂。
5.如权利要求2所述的光源装置，其特征在于，所述发光元件中，至少一个所述发光元件的所述光出射面露出。
6.如权利要求2所述的光源装置，其特征在于，所述颜色转换层的沿着自所述驱动电路朝向所述发光元件的方向的厚度，依每个所述颜色转换层的种类而不同。
7.如权利要求2所述的光源装置，其特征在于，所述颜色转换层的沿着与自所述驱动电路朝向所述发光元件的方向正交的方向的宽度，依每个所述颜色转换层的种类而不同。
8.如权利要求2所述的光源装置，其特征在于，所述颜色转换层所包含的颜色转换材料的浓度，依每个所述颜色转换层的种类而不同。
9.如权利要求1所述的光源装置，其特征在于，在所述光出射面形成有凹凸。
10.如权利要求2所述的光源装置，其特征在于，还具有配置于所述发光元件之间的光遮蔽层，
所述光遮蔽层的与所述驱动电路侧相反的一侧的面与所述光出射面位于大致同一平面上。
11.一种光源装置，其特征在于，具备：
驱动电路；
发光元件，其具有位于与所述驱动电路侧相反的一侧的光出射面，并被配置于所述驱动电路上，与所述驱动电路电连接，且由第III族氮化物半导体构成；
萤光体层，其与所述光出射面接触，将自所述光出射面出射的光的波长进行转换；以及
滤光片层，其配置于所述萤光体层上，
所述光出射面由第III族氮化物半导体构成。
12.如权利要求11所述的光源装置，其特征在于，所述发光元件为至少两个以上，
所述萤光体层与所述发光元件的各光出射面接触。
13.一种光源装置，其特征在于，具备：
驱动电路；
多个发光元件，其具有位于与所述驱动电路侧相反的一侧的光出射面，并被配置于所述驱动电路上，与所述驱动电路电连接，且由第III族氮化物半导体构成；
多层颜色转换层，分别与所述多个发光元件一对一地对应，且与所对应的所述发光元件的所述光出射面接触，将自所对应的所述发光元件的所述光出射面出射的光的波长进行转换；以及
光反射层，其配置于所述颜色转换层之间，
所述光出射面由第III族氮化物半导体构成。
14.一种发光装置，其特征在于，具备权利要求1、11、13项中任一项所述的光源装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113451483A (zh) * 2020-05-28 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种颜色转换装置及其制备方法、显示背板

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
US10529696B2 (en) 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
US10651357B2 (en) * 2017-08-03 2020-05-12 Cree, Inc. High density pixelated-led chips and chip array devices
DE102018105884A1 (de) * 2018-03-14 2019-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement mit einer vielzahl licht emittierender bereiche und verfahren zur herstellung des optoelektronischen bauelements
KR102652645B1 (ko) * 2018-09-03 2024-04-02 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
JP7386714B2 (ja) * 2019-01-11 2023-11-27 シチズン時計株式会社 Ｌｅｄ発光装置及びその製造方法
JP2020136672A (ja) 2019-02-21 2020-08-31 シャープ株式会社 発光装置
JP6878640B2 (ja) * 2019-03-14 2021-05-26 シャープ株式会社 発光装置および表示装置
JP7060816B2 (ja) * 2019-03-29 2022-04-27 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7269196B2 (ja) * 2019-04-30 2023-05-08 シャープ株式会社 光源装置および発光装置
EP4052296A1 (en) 2019-10-29 2022-09-07 Creeled, Inc. Texturing for high density pixelated-led chips
TW202119652A (zh) * 2019-10-31 2021-05-16 隆達電子股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
EP4095914A4 (en) * 2020-01-23 2023-01-25 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
KR20220000481A (ko) * 2020-06-26 2022-01-04 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods
TWI776654B (zh) * 2021-08-24 2022-09-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150340346A1 (en) * 2014-05-24 2015-11-26 Chen-Fu Chu Structure of a semiconductor array
US20150362165A1 (en) * 2014-06-14 2015-12-17 Hiphoton Co., Ltd. Light Engine Array
US20160351767A1 (en) * 2015-05-29 2016-12-01 Pun Jae Choi Semiconductor light-emitting device package
KR20170039062A (ko) * 2015-09-30 2017-04-10 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
WO2017094461A1 (ja) * 2015-12-01 2017-06-08 シャープ株式会社 画像形成素子

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5621225A (en) * 1996-01-18 1997-04-15 Motorola Light emitting diode display package
JP3378465B2 (ja) * 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
JP2002280415A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP4139634B2 (ja) * 2002-06-28 2008-08-27 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明装置およびその製造方法
JP2005353649A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ光源およびその製造方法
US7471040B2 (en) 2004-08-13 2008-12-30 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Mixed-color light emitting diode apparatus, and method for making same
EP2023411A1 (en) * 2006-05-01 2009-02-11 Mitsubishi Chemical Corporation Integrated semiconductor light-emitting device and its manufacturing method
CN101485001B (zh) * 2006-05-01 2011-02-02 三菱化学株式会社 集成型半导体发光装置及其制造方法
JP2008262993A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Nikon Corp 表示装置
DE102009037186A1 (de) * 2009-08-12 2011-02-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil
WO2011071559A1 (en) * 2009-12-09 2011-06-16 Nano And Advanced Materials Institute Limited Method for manufacturing a monolithic led micro-display on an active matrix panel using flip-chip technology and display apparatus having the monolithic led micro-display
KR101064036B1 (ko) * 2010-06-01 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
JP2013065726A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
DE102011085645B4 (de) * 2011-11-03 2014-06-26 Osram Gmbh Leuchtdiodenmodul und Verfahren zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls
JP2013196854A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Sharp Corp 蛍光体基板およびこれを備えた表示装置
KR101476207B1 (ko) * 2012-06-08 2014-12-24 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
JP6331389B2 (ja) 2013-12-27 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN103779375A (zh) * 2014-02-19 2014-05-07 京东方科技集团股份有限公司 全彩led显示面板及其制造方法、显示器
CN106063378B (zh) * 2014-03-05 2018-04-03 Lg电子株式会社 使用半导体发光器件的显示器件
JP6303805B2 (ja) * 2014-05-21 2018-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6612565B2 (ja) * 2015-09-11 2019-11-27 アルパッド株式会社 ディスプレイパネル、表示装置およびディスプレイパネルの製造方法
CN106558597B (zh) * 2015-09-30 2020-03-06 三星电子株式会社 发光器件封装件
TWI588984B (zh) * 2016-03-14 2017-06-21 群創光電股份有限公司 顯示裝置
DE102016206524A1 (de) * 2016-04-19 2017-10-19 Osram Gmbh LED zur Emission von Beleuchtungsstrahlung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150340346A1 (en) * 2014-05-24 2015-11-26 Chen-Fu Chu Structure of a semiconductor array
US20150362165A1 (en) * 2014-06-14 2015-12-17 Hiphoton Co., Ltd. Light Engine Array
US20160351767A1 (en) * 2015-05-29 2016-12-01 Pun Jae Choi Semiconductor light-emitting device package
KR20170039062A (ko) * 2015-09-30 2017-04-10 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
WO2017094461A1 (ja) * 2015-12-01 2017-06-08 シャープ株式会社 画像形成素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113451483A (zh) * 2020-05-28 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种颜色转换装置及其制备方法、显示背板

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019009033A1 (ja) 2020-03-19
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