CN110752301B - 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 - Google Patents

复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN110752301B
CN110752301B CN201810818777.7A CN201810818777A CN110752301B CN 110752301 B CN110752301 B CN 110752301B CN 201810818777 A CN201810818777 A CN 201810818777A CN 110752301 B CN110752301 B CN 110752301B
Authority
CN
China
Prior art keywords
salt
zns
composite material
zinc
gallium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810818777.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110752301A (zh
Inventor
何斯纳
吴龙佳
吴劲衡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Technology Group Co Ltd
Original Assignee
TCL Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Technology Group Co Ltd filed Critical TCL Technology Group Co Ltd
Priority to CN201810818777.7A priority Critical patent/CN110752301B/zh
Publication of CN110752301A publication Critical patent/CN110752301A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110752301B publication Critical patent/CN110752301B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括ZnS纳米颗粒以及掺杂在所述ZnS纳米颗粒中的Se元素和Ga元素。该复合材料为受主(Se)‑施主(Ga)共掺的ZnS纳米颗粒，该复合材料中Se‑Ga的掺杂可以提高ZnS的自由载流子浓度，使ZnS的电阻降低，增加电导率，最终提高了复合材料的电子传输能力，将其用作QLED电子传输材料，可以促进电子‑空穴在量子点发光层有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，提高器件及显示性能。

Description

复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
技术领域
本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。
背景技术
半导体量子点具有量子尺寸效应，人们通过调控量子点的大小来实现所需要的特定波长的发光，CdSe QDs的发光波长调谐范围可以从蓝光一直到红光。在传统的无机电致发光器件中电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在发光层复合形成激子发光。宽禁带半导体中导带电子可以在高电场下加速获得足够高的能量撞击QDs使其发光。
近年来，无机半导体作为电子传输层成为比较热的研究内容。纳米ZnO和ZnS是宽禁带半导体材料，由于具有量子限域效应、尺寸效应和优越的荧光特性等优点而吸引了众多研究者的目光。因此，在近十几年里，ZnO和ZnS纳米材料已经在光催化、传感器、透明电极、荧光探针、二极管、太阳能电池和激光器等领域的研究中显示出了巨大的发展潜力。
ZnO是一种直接带隙的n型半导体材料，具有3.37eV的宽禁带和3.7eV的低功函，这种能带结构特点决定了ZnO可成为合适的电子传输层材料。与此同时，ZnS是Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有闪锌矿和纤锌矿两种不同的结构，禁带宽度(3.62eV)化学性质稳定，资源丰富，价格便宜。ZnS的n型掺杂受施主杂质电离能普遍偏高和本征受主缺陷补偿等因素的影响，n型ZnS的掺杂还未取得满意的进展。ZnS中多数施主元素离化能偏大，室温下难以电离成有效施主，因此单一元素掺杂不易制备出性能良好的n型ZnS。因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管，旨在解决现有n型ZnS作为电子传输材料效果不理想的技术问题。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明一方面提供一种复合材料，所述复合材料包括ZnS纳米颗粒以及掺杂在所述ZnS纳米颗粒中的Se元素和Ga元素。
本发明的复合材料为一种受主(Se)-施主(Ga)共掺的ZnS纳米颗粒，该复合材料中，受主(Se)-施主(Ga)共掺的使ZnS中施主能级变浅，有效降低ZnS的导带底，形成性能良好的n型ZnS。当掺入Ga时，掺入的Ga原子以Ga3+的方式发生固溶，Ga3+占据了晶格中Zn2+的位置，Ga的三个价电子中有两个与硫结合形成饱和键，第三个电子从杂质原子上分离出去，形成了1个多余的价电子，此电子的能级位于能隙中稍低于导带底处，在常温下，就能获得足够的能量跃迁到导带上成为自由电子，在外加电场作用下定向运动而导电。因此，掺杂Ga元素的结果是增加了净电子，使ZnS的电阻降低，增加电导率。当掺入Se时，ZnSe的导带底(3.20eV)比ZnS(3.74eV)更低，Se替代S有效降低ZnS的导带底，从而达到施主能级变浅的目的，降低了施主元素的离化能。当Se-Ga共掺杂时，由于能级之间的强耦合作用，施主离化能显著减小，并且由于Se-Ga间存在较强的亲和力，掺杂中不易形成间隙受主缺陷，自补偿能得到较好的抑制，而且Se-Ga的掺杂可使ZnS中电子费米能级移动到导带，使得ZnS的禁带宽度变窄，电子可以比较容易地从杂质能级跃迁进入导带。因此，Se-Ga的掺杂可以提高ZnS的自由载流子浓度，使ZnS的电阻降低，增加电导率，最终提高了复合材料的电子传输能力。
本发明另一方面提供一种复合材料的制备方法，包括如下步骤：
提供锌盐、镓盐、含硒元素前驱体盐和含硫元素前驱体盐；
将所述锌盐、镓盐、含硒元素前驱体盐和含硫元素前驱体盐溶于溶剂中，进行加热处理，得到前驱体溶液；
将所述前驱体溶液进行退火处理，得到所述复合材料。
本发明提供的复合的制备方法中，先利用锌盐、镓盐、含硒元素前驱体盐和含硫元素前驱体盐制备前驱体溶液，然后将前驱体溶液进行退火处理，即得到一种受主(Se)-施主(Ga)共掺的ZnS纳米颗粒的复合材料；该制备方法是一种简单的溶胶-凝胶法，该制备方法简单易行，适合大面积、大规模制备，最终制得的复合材料中，Se-Ga的掺杂可以提高ZnS的自由载流子浓度，使ZnS的电阻降低，增加电导率，最终提高了复合材料的电子传输能力。
最后，本发明提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层，所述阴极和所述量子点发光层之间还设置有电子传输层，其特征在于，所述电子传输层的材料为本发明的上述复合材料。
本发明提供的量子点发光二极管中的电子传输层，由本发明特有的复合材料组成，该复合材料为受主(Se)-施主(Ga)共掺的ZnS纳米颗粒，该复合材料中Se-Ga的掺杂可使ZnS中电子费米能级移动到导带，使得ZnS的禁带宽度变窄，电子可以比较容易地从杂质能级跃迁进入导带，促进电子-空穴在量子点发光层有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，提高器件及显示性能。
附图说明
图1为本发明实施例4中的QLED器件结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一方面，本发明实施例提供了一种复合材料，所述复合材料包括ZnS纳米颗粒以及掺杂在所述ZnS纳米颗粒中的Se元素和Ga元素。
本发明实施例的复合材料为一种受主(Se)-施主(Ga)共掺的ZnS纳米颗粒，该复合材料中，受主(Se)-施主(Ga)共掺的使ZnS中施主能级变浅，有效降低ZnS的导带底，形成性能良好的n型ZnS。当掺入Ga时，掺入的Ga原子以Ga3+的方式发生固溶，Ga3+占据了晶格中Zn2+的位置，Ga的三个价电子中有两个与硫结合形成饱和键，第三个电子从杂质原子上分离出去，形成了1个多余的价电子，此电子的能级位于能隙中稍低于导带底处，在常温下，就能获得足够的能量跃迁到导带上成为自由电子，在外加电场作用下定向运动而导电。因此，掺杂Ga元素的结果是增加了净电子，使ZnS的电阻降低，增加电导率。当掺入Se时，ZnSe的导带底(3.20eV)比ZnS(3.74eV)更低，Se替代S有效降低ZnS的导带底，从而达到施主能级变浅的目的，降低了施主元素的离化能。当Se-Ga共掺杂时，由于能级之间的强耦合作用，施主离化能显著减小，并且由于Se-Ga间存在较强的亲和力，掺杂中不易形成间隙受主缺陷，自补偿能得到较好的抑制，而且Se-Ga的掺杂可使ZnS中电子费米能级移动到导带，使得ZnS的禁带宽度变窄，电子可以比较容易地从杂质能级跃迁进入导带。因此，Se-Ga的掺杂可以提高ZnS的自由载流子浓度，使ZnS的电阻降低，增加电导率，最终提高了复合材料的电子传输能力。
进一步地，本发明实施例的复合材料中：Se元素和Ga元素的总摩尔量与Zn元素的摩尔量之比为(0.001-0.01)：1。具体地，当Se+Ga掺杂量达到一定值(大于10％)后，Se+Ga在ZnS中的固溶度达到饱和，掺杂量继续增大时，Se+Ga会聚集在ZnS晶粒的表面，形成新相，降低了纳米ZnS的有效比表面积，影响其电子传输能力。当Se+Ga掺杂量太低时，则Se+Ga无法实现有效的掺杂，不能有效提高n型ZnS的电子传输性能。其中，Ga元素对于调节ZnS的禁带宽度关键作用，其掺杂量应比Se掺杂量多，优选Se元素和Ga元素的摩尔比为1：(2-3)，调节ZnS的禁带宽度的效果最佳。更优选地，2％Se-5％Ga/ZnS的效果最好。
另一方面，本发明实施例还提供了一种复合材料的制备方法，包括如下步骤：
S01：提供锌盐、镓盐、含硒元素前驱体盐和含硫元素前驱体盐；
S02：将所述锌盐、镓盐、含硒元素前驱体盐和含硫元素前驱体盐溶于溶剂中，进行加热处理，得到前驱体溶液；
S03：将所述前驱体溶液进行退火处理，得到所述复合材料。
本发明实施例提供的复合的制备方法中，先利用锌盐、镓盐、含硒元素前驱体盐和含硫元素前驱体盐制备前驱体溶液，然后将前驱体溶液进行退火处理，即得到一种受主(Se)-施主(Ga)共掺的ZnS纳米颗粒的复合材料；该制备方法是一种简单的溶胶-凝胶法，该制备方法简单易行，适合大面积、大规模制备，最终制得的复合材料中，Se-Ga的掺杂可以提高ZnS的自由载流子浓度，使ZnS的电阻降低，增加电导率，最终提高了复合材料的电子传输能力。
进一步地，在上述步骤S01中，锌盐为可溶性无机锌盐或有机锌盐，选自醋酸锌、硝酸锌、氯化锌、硫酸锌、二水合乙酸锌中的至少一种。所述镓盐选自硝酸镓、氯化镓、硫酸镓中的至少一种；所述含硫元素前驱体盐选自硫化钠、硫化钾、硫脲、硫化胺中的至少一种；所述含硒元素前驱体盐选自硒化钠、硒化钾、硒化铵中的至少一种；所述溶剂选自异丙醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇等有机溶剂中的至少一种。
进一步地，在上述步骤S02中：按Se元素和Ga元素的总摩尔量与Zn元素的摩尔量之比为(0.001-0.01)：1，将所述锌盐、镓盐和含硒元素前驱体盐溶于溶剂中。具体地，混合溶液中锌离子与掺杂离子(Se2-+Ga3+)的摩尔比对后续制备的氧化锌薄膜性能影响较大，优选地，锌离子与掺杂离子的摩尔比控制在1：(0.001-0.1)。当Se+Ga掺杂量达到一定值(大于10％)后，Se+Ga在ZnS中的固溶度达到饱和，掺杂量继续增大时，Se+Ga会聚集在ZnS晶粒的表面，形成新相，降低了纳米ZnS的有效比表面积；Se2-+Ga3+进入ZnS的晶格内部，引起晶格的膨胀，产生较大的晶格畸变和应变能，即掺杂量的增大会引起晶格的突变，形成新的晶格和Ga2S3/SeSx的生成。当Se+Ga掺杂量太低时，则Se+Ga在反应过程中发生损耗，无法实现有效的掺杂。其中，Ga对于调节ZnS的禁带宽度关键作用，其掺杂量应比Se掺杂量多，优选按Se和Ga的摩尔比为1：(2-3)，将所述锌盐、镓盐和含硒元素前驱体盐溶于溶剂中。最优地，2％Se-5％Ga/ZnS的效果最好。
上述加热处理的温度为60-80℃，低于溶剂沸点即可。
更进一步地，将所述锌盐、镓盐、含硒元素前驱体盐和含硫元素前驱体盐溶于溶剂中进行加热处理，得到前驱体溶液的步骤包括：
T01：将所述锌盐、镓盐和含硒元素前驱体盐溶于所述溶剂中，得到第一混合溶液；
T02：将所述含硫元素前驱体盐溶于所述溶剂中，得到第二混合溶液；
T03：将所述第一混合溶液和所述第二混合溶液混合，进行加热处理，得到前驱体溶液。
进一步地，按S元素的摩尔量与Zn元素和Ga元素的总摩尔量之比为(0.8-1.2)：1，将所述第一混合溶液和所述第二混合溶液混合。Se和Ga掺杂ZnS的前驱体溶液中，所述硫与金属离子(锌离子和镓离子)的摩尔比为(0.8-1.2)：1，当硫与金属离子摩尔量之和的比小于0.8：1，前驱体溶液中的金属盐过量，加入的Se+Ga不能完全进行掺杂；大于1.2：1时，含硫元素前驱体盐过量，容易形成杂质化合物，不容易除去。最优地，S元素的摩尔量与Zn元素和Ga元素的总摩尔量之比为(0.8-1.2)：1时，可以后续得到紧实致密的Se-Ga/ZnS薄膜，薄膜表面颗粒分布均匀。
进一步地，在上述步骤S03中：所述退火处理的温度为200-300℃。
最后，本发明实施例提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层，所述阴极和所述量子点发光层之间还设置有电子传输层，其特征在于，所述电子传输层的材料为本发明实施例的上述复合材料。
本发明实施例提供的量子点发光二极管中的电子传输层，由本发明实施例特有的复合材料组成，该复合材料为受主(Se)-施主(Ga)共掺的ZnS纳米颗粒，该复合材料中Se-Ga的掺杂可使ZnS中电子费米能级移动到导带，使得ZnS的禁带宽度变窄，电子可以比较容易地从杂质能级跃迁进入导带，促进电子-空穴在量子点发光层有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，提高器件及显示性能。
具体一优选实施例中，制备一种Se-Ga共掺杂的ZnS纳米材料组成的电子传输层的QLED器件，其制备方法包括如下步骤：
A：首先生长一空穴传输层于基板上；
B：接着沉积量子点发光层于空穴传输层上；
C：最后沉积电子传输层于量子点发光层上，并蒸镀阴极极于电子传输层上，得到发光二极管。
为了得到高质量的Se-Ga共掺杂的ZnS纳米材料(Se-Ga/ZnS)薄膜，ITO基底需要经过预处理过程。基本具体的处理步骤包括：将整片ITO导电玻璃用清洁剂清洗，初步去除表面存在的污渍，随后依次在去离子水、丙酮、无水乙醇、去离子水中分别超声清洗20min，以除去表面存在的杂质，最后用高纯氮气吹干，即可得到ITO正极。
本发明所述空穴传输层可采用本领域常规的空穴传输材料制成，包括但不限于TFB、PVK、Poly-TPD、TCTA、PEDOT：PSS、CBP等或者为其任意组合的混合物，亦可以是其它高性能的空穴传输材料。空穴传输层：将ITO基板置于匀胶机上，用配制好的空穴传输材料的溶液旋涂成膜；通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制膜厚，然后在适当温度下热退火处理。
所述的发光二极管的制备方法，其中，在其上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的量子点为红、绿、蓝三种中的一种量子点。可以为CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS、CuInSe、以及各种核壳结构量子点或合金结构量子点中的至少一种。则为常见的红、绿、蓝三种的任意一种量子点或者其它黄光均可以，该步骤量子点可以为含镉或者不含镉。该材料的量子点发光层具有激发光谱宽并且连续分布，发射光谱稳定性高等特点。发光层的制备：将已旋涂上空穴传输层的基片匀胶机上，将配制好一定浓度的发光物质溶液旋涂成膜，通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制发光层的厚度，约20-60nm，在适当温度下干燥。
所述电子传输层为本发明的Se-Ga共掺杂的ZnS纳米材料(Se-Ga/ZnS)薄膜：将已旋涂上量子点发光层的基片置于匀胶机上，将配制好一定浓度的镉掺杂的氧化锌前驱体溶液旋涂成膜，通过调节溶液的浓度、旋涂速度(优选地，转速在2000～6000rpm之间)和旋涂时间来控制发光层的厚度，约20～60nm，然后在200-300℃(如250℃)温度下退火成膜。此步骤可以在空气中退火、亦可以在氮气氛围中退火，具体根据实际需要选择退火氛围。
接着，将沉积完各功能层的衬底置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层15-30nm的金属银或者铝作为阴极，或者使用纳米Ag线或者Cu线，具有较小的电阻使得载流子能顺利的注入。
进一步的，将得到的QLED进行封装处理，所述封装处理可采用常用的机器封装，也可以采用手动封装。优选的，所述封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于0.1ppm，以保证器件的稳定性。
本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
实施例1
下面以利用氯化锌、硒化钠、氯化镓、乙醇、硫化钠为例，详细介绍Se-Ga/ZnS复合材料的制备方法。
1)将适量的氯化锌、硒化钠和氯化镓加入到50ml乙醇中，形成总浓度为0.5M的溶液，其中锌：硒+镓的摩尔比为1：0.005；硒：镓的摩尔比为1：3。在70℃下搅拌溶解。
2)向上述溶液中加入硫化钠溶解于10ml乙醇的溶液(摩尔比，S2-：Mx+＝1：1，M为锌和镓)。继续在70℃下搅拌4h得到一种均匀的溶液。
3)待溶液冷却后用匀胶机在处理过的ITO上旋涂并在250℃退火。
实施例2
下面以硝酸锌、硒化钾、硝酸镓、丙醇、硫化钾为例，详细介绍Se-Ga/ZnS复合材料的制备方法。
1)将适量的硝酸锌、硒化钾和硝酸镓加入到50ml丙醇中，形成总浓度为0.5M的溶液，其中锌：硒+镓的摩尔比为1：0.005；硒：镓的摩尔比为1：3。在80℃下搅拌溶解。
2)向上述溶液中加入硫化钾溶解于10ml丙醇的溶液(摩尔比，S2-：Mx+＝1.1：1，M为锌和镓)。继续在80℃下搅拌3h得到一种均匀的溶液。
3)待溶液冷却后用匀胶机在处理过的ITO上旋涂并在250℃退火。
实施例3
下面以利用硫酸锌、硒化铵、硫酸镓、甲醇、硫脲为例，详细介绍Se-Ga/ZnS复合材料的制备方法。
1)将适量的硫酸锌、硒化铵和硫酸镓加入到50ml甲醇中，形成总浓度为0.5M的溶液，其中锌：硒+镓的摩尔比为1：0.005；硒：镓的摩尔比为1：3。在70℃下搅拌溶解。
2)向上述溶液中加入硫脲溶解于10ml甲醇的溶液(摩尔比，S2-：Mx+＝1.2：1，M为锌和镓)。继续在60℃下搅拌4h得到一种均匀的溶液。
3)待溶液冷却后用匀胶机在处理过的ITO上旋涂并在250℃退火。
实施例4
一种正型构型的QLED器件，其结构如图1所示，该QLED器件从下而上依次包括衬底1、阳极2、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5、阴极6。其中，衬底1的材料为玻璃片，阳极2的材料为ITO基板，空穴传输层3的材料TFB，电子传输层5的材料Se-Ga共掺杂的ZnS纳米材料(Se-Ga/ZnS)为及阴极6的材料为Al。
该QLED器件的制备方法包括如下步骤：
A：首先生长一空穴传输层于阳极基板上；
B：接着沉积量子点发光层于空穴传输层上；
C：最后沉积电子传输层于量子点发光层上，并蒸镀阴极极于电子传输层上，得到量子点发光二极管。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供锌盐、镓盐、含硒元素前驱体盐和含硫元素前驱体盐；
按Se元素和Ga元素的摩尔比为1：(2-3)、Se元素和Ga元素的总摩尔量与Zn元素的摩尔量之比为(0.001-0.01)：1，将所述锌盐、镓盐和含硒元素前驱体盐溶于溶剂中，得到第一混合溶液；
将所述含硫元素前驱体盐溶于所述溶剂中，得到第二混合溶液；
按S元素的摩尔量与Zn元素和Ga元素的总摩尔量之比为(0.8-1.2)：1，将所述第一混合溶液和所述第二混合溶液混合，进行加热处理，得到前驱体溶液；
将所述前驱体溶液进行退火处理，得到所述复合材料，
其中，所述锌盐选自醋酸锌、硝酸锌、氯化锌、硫酸锌和二水合乙酸锌中的至少一种，
所述镓盐选自硝酸镓、氯化镓和硫酸镓中的至少一种，
所述含硫元素前驱体盐选自硫化钠、硫化钾、硫脲和硫化胺中的至少一种，
所述含硒元素前驱体盐选自硒化钠、硒化钾和硒化铵中的至少一种。
2.如权利要求1任一项所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂选自异丙醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇和己醇中的至少一种。
3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述加热处理的温度为60-80℃；和/或
所述退火处理的温度为200-300℃。
4.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间量子点发光层，所述阴极和所述量子点发光层之间还设置有电子传输层，其特征在于，所述电子传输层的材料为权利要求1-3任一项所述的制备方法得到的复合材料。
CN201810818777.7A 2018-07-24 2018-07-24 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管 Active CN110752301B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810818777.7A CN110752301B (zh) 2018-07-24 2018-07-24 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810818777.7A CN110752301B (zh) 2018-07-24 2018-07-24 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110752301A CN110752301A (zh) 2020-02-04
CN110752301B true CN110752301B (zh) 2020-11-10

Family

ID=69275352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810818777.7A Active CN110752301B (zh) 2018-07-24 2018-07-24 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110752301B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112736214B (zh) * 2021-01-19 2022-05-31 Tcl华星光电技术有限公司 发光层的制备方法及显示面板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1248320C (zh) * 2002-05-15 2006-03-29 住友电气工业株式会社 白色发光元件
CN101313048A (zh) * 2005-11-24 2008-11-26 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有固态荧光材料的显示器件
CN102150287A (zh) * 2009-09-30 2011-08-10 住友电气工业株式会社 发光器件
CN104591260A (zh) * 2013-09-26 2015-05-06 罗门哈斯电子材料有限公司 硫化锌硬度的增加
US9972744B2 (en) * 2016-02-05 2018-05-15 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting diode and display device including the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1248320C (zh) * 2002-05-15 2006-03-29 住友电气工业株式会社 白色发光元件
CN101313048A (zh) * 2005-11-24 2008-11-26 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有固态荧光材料的显示器件
CN102150287A (zh) * 2009-09-30 2011-08-10 住友电气工业株式会社 发光器件
CN104591260A (zh) * 2013-09-26 2015-05-06 罗门哈斯电子材料有限公司 硫化锌硬度的增加
US9972744B2 (en) * 2016-02-05 2018-05-15 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting diode and display device including the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN110752301A (zh) 2020-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110600621A (zh) 电子传输材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN109980126B (zh) 载流子传输材料、载流子传输薄膜及其制备方法和应用
CN110752319B (zh) 核壳纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN109935733B (zh) 一种n型ZnO薄膜及其制备方法与QLED器件
CN110752301B (zh) 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN110838560B (zh) 核壳纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN111384244B (zh) 量子点发光二极管及其制备方法
CN109994653B (zh) 一种薄膜的制备方法与qled器件
CN109970356B (zh) 氧化锌纳米材料及其制备方法、发光器件
CN113130790B (zh) 一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管
CN112397625B (zh) 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN113046077B (zh) 一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法
CN110963535A (zh) 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN109935705B (zh) 空穴注入材料及其制备方法和qled器件
CN110752300B (zh) 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN110739403B (zh) 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN113054118B (zh) 复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法
CN112349870B (zh) 量子点发光二极管及其制备方法
CN113054145B (zh) 复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法
CN110970566A (zh) 核壳纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN112320838B (zh) 纳米材料及其制备方法和应用
CN112397660B (zh) 纳米材料及其制备方法和应用
CN111341921B (zh) 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN112397671B (zh) 一种改性硫化锌及其制备方法与量子点发光二极管
CN113044882B (zh) 纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 516006 TCL technology building, No.17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province

Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd.

Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District

Applicant before: TCL RESEARCH AMERICA Inc.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant