CN110739331A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括：基础基底；薄膜晶体管层，位于基础基底上；绝缘层，位于薄膜晶体管层上；第一电极，位于绝缘层上且位于发光区域中；像素限定层，具有与第一电极的尺寸和形状基本上相同的尺寸和形状的开口，并且位于绝缘层上；发光层，位于第一电极上；以及第二电极，位于发光层上。
Description
技术领域
实施例涉及一种显示装置和一种制造显示装置的方法。
背景技术
最近，已经制造了具有轻重量和小尺寸的显示装置。由于性能和有竞争力的价格已经使用阴极射线管(CRT)显示装置。然而，CRT显示装置具有尺寸或便携性的弱点。因此，诸如等离子体显示装置、液晶显示装置和有机发光显示装置的显示装置由于尺寸小、重量轻和功耗低而已经受到高度重视。
发明内容
实施例涉及一种显示装置，所述显示装置包括：基础基底；薄膜晶体管层，位于基础基底上；绝缘层，位于薄膜晶体管层上；第一电极，位于绝缘层上且位于发光区域中；像素限定层，具有与第一电极的尺寸和形状基本上相同的尺寸和形状的开口，并且位于绝缘层上；发光层，位于第一电极上；以及第二电极，位于发光层上。
第一电极可以位于像素限定层的开口中。
第一电极的在厚度方向上的侧表面可以接触像素限定层的侧表面。
在300nm至500nm的波长范围内，第一电极的光反射率可以高于像素限定层的光反射率和绝缘层的光反射率。
在300nm至500nm的波长范围内，绝缘层的透光率可以低于像素限定层的透光率。
像素限定层可以具有第一高度，显示装置还可以包括间隔件，间隔件具有与像素限定层相同的材料且具有大于第一高度的第二高度。
实施例还涉及一种制造显示装置的方法，所述方法包括下述步骤：在基础基底上形成薄膜晶体管层；在薄膜晶体管层上形成绝缘层；在绝缘层上形成第一电极；在其上形成有第一电极的绝缘层上形成光致抗蚀剂层；曝光光致抗蚀剂层；以及通过显影曝光的光致抗蚀剂层形成具有开口的像素限定层。开口可以具有与第一电极相同的尺寸和形状，并且第一电极可以位于开口中。
在曝光光致抗蚀剂层的步骤中，在发光区域和与发光区域相邻的非发射区域中，对光致抗蚀剂层照射相同的光。
在曝光光致抗蚀剂层的步骤中，在300nm至500nm的范围内的波长处，第一电极的光反射率可以高于光致抗蚀剂层的光反射率和绝缘层的光反射率。
在曝光光致抗蚀剂层的步骤中，在300nm至500nm的波长范围内，绝缘层的透光率可以小于光致抗蚀剂层的透光率。
曝光光致抗蚀剂层的步骤可以包括：在光致抗蚀剂层上设置金属网掩模，其中，金属网掩模可以具有相对于发光区域和与发光区域相邻的非发射区域均匀形成的多个开口；以及通过穿过金属网掩模照射光来曝光光致抗蚀剂层。
在曝光光致抗蚀剂层的步骤中，在300nm至500nm的波长范围内，第一电极的光反射率可以高于光致抗蚀剂层的光反射率和绝缘层的光反射率。
在曝光光致抗蚀剂层的步骤中，在300nm至500nm的波长范围内，绝缘层的透光率可以低于光致抗蚀剂层的透光率。
可以封闭金属网掩模的位于非发射区域中的部分，以阻挡光来形成间隔件。
金属网掩模可以位于光致抗蚀剂层上，以靠近光致抗蚀剂层的上表面。
第一电极的在厚度方向上的侧表面可以接触像素限定层的侧表面。
光致抗蚀剂层可以包括正型光致抗蚀剂组合物。
绝缘层可以包括着色聚合物材料。
所述方法还可以包括在形成像素限定层之后在第一电极上形成发光层以及在发光层上形成第二电极。
实施例还涉及一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在基础基底上形成薄膜晶体管层；在薄膜晶体管层上形成绝缘层；在绝缘层上形成第一电极；在其上形成有第一电极的绝缘层上形成光致抗蚀剂层；使用在第一电极上的光反射来曝光光致抗蚀剂层；以及通过显影曝光的光致抗蚀剂层形成具有开口的像素限定层，其中，开口具有与第一电极相同的尺寸和形状，并且第一电极位于开口中。
附图说明
通过参照附图详细描述示例实施例，特征对于本领域的技术人员将变得明显，其中：
图1示出了根据示例实施例的显示装置的剖视图；
图2A至图2E示出了在制造图1的显示装置的方法中各阶段的剖视图；
图3A至图3E示出了在制造图1的显示装置的另一方法中各阶段的剖视图；
图4示出了根据示例实施例的显示装置的剖视图；
图5A至图5C示出了在制造图4的显示装置的方法中各阶段的剖视图；
图6示出了根据示例实施例的电子装置的框图；
图7A示出了其中图6的电子装置实施为电视的示例的图；以及
图7B示出了其中图6的电子装置实施为智能手机的示例的图。
具体实施方式
在下文中，现在将参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以不同的形式呈现并且不应被解释为限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例，将使得本公开是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达示例实施方式。在附图中，为了说明的清楚，可以夸大层和区域的尺寸。同样的附图标记始终表示同样的元件。
图1是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。
参照图1，显示装置可以包括基础基底100、薄膜晶体管层TFTL、绝缘层110、像素限定层PDL、发光结构120和密封构件130。
基础基底100可以包括透明的绝缘基底。例如，基础基底100可以是具有柔性的透明树脂基底。透明树脂基底可以包括聚酰亚胺类树脂、丙烯酰类树脂、聚丙烯酸酯类树脂、聚碳酸酯类树脂、聚醚类树脂、磺酸类树脂、聚对苯二甲酸乙二醇脂类树脂等。例如，基础基底100可以是聚酰亚胺(PI)树脂膜。
薄膜晶体管层TFTL可以位于基础基底100上。薄膜晶体管层TFTL可以包括有源层、多个布线层、多个绝缘层和电连接到第一电极121的薄膜晶体管。因此，用于驱动显示装置的像素的电路可以位于薄膜晶体管层TFTL中。薄膜晶体管层TFTL可以具有各种结构。构成薄膜晶体管层TFTL的金属布线可以使用低反射金属形成，即，可以使用具有低反射率的金属形成。
绝缘层110可以位于薄膜晶体管层TFTL上。绝缘层110可以包括有机绝缘材料，可以具有基本上平坦的顶表面，同时充分地覆盖薄膜晶体管层TFTL的结构。例如，绝缘层110可以包括诸如聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸树脂和聚酯的有机材料。
绝缘层110可以包括着色的聚合物材料。在示例实施例中，绝缘层110可以包括其中分散或结合有着色材料的非光敏聚合物材料。例如，非光敏聚合物材料可以包括酚醛清漆、聚苯乙烯、聚羟基苯乙烯(PHS)、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇酯、聚乙烯醇醚、聚烯烃、聚降冰片烯、聚酯、聚酰胺、聚碳酸酯等的骨架结构。在曝光工艺中具有活性的官能团(例如，保护基团或离去基团)可以不包括在骨架结构中。
包含在绝缘层110中的着色材料可以包括诸如炭黑的黑色材料或吸光染色材料。在示例实施例中，染色材料可以对波长在约300nm至约500nm范围内的光具有吸光度。
发光结构120可以包括第一电极121、发光层122和第二电极123。
第一电极121可以位于绝缘层110上。第一电极121可以是包括反射材料的反射电极。例如，第一电极121可以使用铝、含铝的合金、氮化铝、银、含银的合金、钨、氮化钨、铜、含铜的合金、镍、含镍的合金、铬、氮化铬、钼、含钼的合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化锶钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铟锌等形成。这些可以单独使用或以它们的组合使用。在示例实施例中，第一电极121可以具有单层结构或多层结构，所述多层结构可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜。例如，第一电极121可以具有ITO/Ag/ITO结构。在300nm至500nm的波长范围内，第一电极121的光反射率可以高于像素限定层PDL的光反射率和绝缘层110的光反射率。
像素限定层PDL可以位于其上设置有第一电极121的绝缘层110上。像素限定层PDL可以使用有机材料形成。例如，像素限定层PDL可以包括光致抗蚀剂、丙烯酰类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。像素限定层PDL可以包括正型光致抗蚀剂组合物。
正型光致抗蚀剂组合物通常指其中除曝光部分之外的部分在曝光后保留为图案的光致抗蚀剂。正型光致抗蚀剂组合物暴露于光，曝光部分在显影后被化学分解并洗掉。
像素限定层PDL可以形成用于暴露第一电极121的开口。开口可以具有与第一电极121相同的尺寸和形状。因此，第一电极121可以位于像素限定层PDL的开口中，且第一电极121在厚度方向上的侧表面可以接触像素限定层PDL的侧表面。
显示装置的发光区域EA和非发射区域NEA可以通过像素限定层PDL的开口来限定。例如，像素限定层PDL的开口所在的部分可以与发光区域EA对应，并且非发射区域NEA可以与像素限定层PDL的与开口相邻的部分对应。开口的尺寸和形状可以与第一电极121的尺寸和形状匹配。因此，发光区域EA可以与第一电极121基本上一致。
另外，在300nm至500nm的波长范围内，绝缘层110的透光率可以低于像素限定层PDL的透光率。在这方面，像素限定层PDL的图案化可以通过无掩模工艺、开口掩模工艺或金属网掩模工艺来执行，下面将参照图2C详细描述该工艺。
发光层122可以位于通过像素限定层PDL的开口而暴露的第一电极121上。另外，发光层122可以在像素限定层PDL的开口的侧壁上延伸。在一些示例实施例中，发光层122可以包括有机发光层(EL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等。在一些示例实施例中，除了有机发射层之外，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层可以公共地形成以与多个像素对应。在一些示例实施例中，多个有机发光层可以使用发光材料形成，其中，所述发光材料根据显示装置的颜色像素产生诸如红色光、绿色光和蓝色光的不同颜色的光。在一些示例实施例中，发光层122的有机发光层可以包括多个堆叠的用于产生红色光、绿色光和蓝色光的发光材料，从而发射白色光。发光层122的元件可以公共地形成为与多个像素对应，并且可以通过滤色器层划分每个像素。
第二电极123可以位于像素限定层PDL和发光层122上。第二电极123可以根据显示装置的发射类型而包括透射材料或反射材料。例如，第二电极123可以使用铝、含铝的合金、氮化铝、银、含银的合金、钨、氮化钨、铜、含铜的合金、镍、含镍的合金、铬、氮化铬、钼、含钼的合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化锶钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铟锌等形成。这些可以单独使用或以它们的组合使用。在示例实施例中，第二电极123也可以具有单层结构或多层结构，所述多层结构可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜。
密封构件130可以位于第二电极123上。密封构件130可以防止湿气和氧从外部渗透。密封构件130可以是薄膜封装层或密封基底。薄膜封装层可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。至少一个无机层和至少一个有机层可以顺序地堆叠。例如，薄膜封装层可以包括两个无机层和位于两个无机层之间的一个有机层。
根据本示例实施例，发光结构的第一电极没有被像素限定层覆盖或没有与像素限定层叠置。因此，与其中第一电极的边缘被像素限定层覆盖的结构相比，发光区域可以增加。
图2A至图2E是示出了制造图1的显示装置的方法的剖视图。
参照图2A，可以在基础基底100上形成薄膜晶体管层TFTL。可以在薄膜晶体管层TFTL上形成绝缘层110。在示例实施例中，绝缘层110可以使用有机聚合物材料通过旋涂工艺形成，且可以具有基本上平坦的顶表面。
在300nm至500nm的波长范围内，绝缘层110的透光率可以小于像素限定层PDL的透光率，将在下文中进行解释。在示例实施例中，绝缘层110可以包括着色聚合物材料。包含在绝缘层110中的着色材料可以包括诸如炭黑的黑色材料或吸光染色材料。在示例实施例中，染色材料可以对波长在约300nm至约500nm范围内的光具有吸光度。
可以在绝缘层110上形成第一电极121。在示例实施例中，第一电极121可以通过在绝缘层110上形成金属层然后使用光刻工艺或使用附加刻蚀掩模的刻蚀工艺图案化金属层来获得。
参照图2B，可以在绝缘层110上形成光致抗蚀剂层PR。光致抗蚀剂层PR可以包括正型光致抗蚀剂组合物。
在示例实施例中，可以通过旋涂工艺将包含光致抗蚀剂聚合物的组合物涂覆在绝缘层110上来形成光致抗蚀剂层PR。
参照图2C，可以通过照射光(由图2C中上面的箭头表示)来曝光光致抗蚀剂层PR。在示例实施例中，所述光可以是峰值波长在300nm至500nm范围内的光。
光致抗蚀剂层PR的与第一电极121叠置的部分可以比未与第一电极121叠置的其他部分具有更大的曝光量。在本示例实施例中，第一电极121是反射电极并且反射光。因此，从曝光装置发射的光穿过光致抗蚀剂层PR的位于第一电极121上的部分之后，作为反射的结果，光被再次提供给光致抗蚀剂层PR的所述部分。因此，光致抗蚀剂层PR的与第一电极121叠置的部分可以比光致抗蚀剂层PR的未与第一电极121叠置的其他部分具有更大的曝光量。
在300nm至500nm的波长范围内，绝缘层110的透光率可以小于光致抗蚀剂层PR的透光率。因此，可以将位于绝缘层110下方的薄膜晶体管层TFTL的结构或绝缘层110的反射最小化。
参照图2D，通过显影工艺，可以去除光致抗蚀剂层PR的曝光部分以形成像素限定层PDL。此时，由于光致抗蚀剂层PR的与第一电极121叠置的部分具有相对大的曝光量，所以可以通过显影工艺去除光致抗蚀剂层PR的与第一电极121叠置的部分，以形成具有与第一电极121相同的尺寸和形状的开口的像素限定层PDL，并且第一电极121位于开口中。
参照图2E，可以在第一电极121上形成发光层122和第二电极123，然后可以形成密封构件130以制造显示装置。发光层122、第二电极123和密封构件130可以通过各种方法形成。
图3A至图3E是示出制造图1的显示装置的另一方法的剖视图。除了在曝光工艺中使用金属网掩模MM之外，该方法与图2A至图2E的方法基本上相同。因此，将省略重复的解释。
参照图3A和图3B，可以在基础基底100上形成薄膜晶体管层TFTL。可以在薄膜晶体管层TFTL上形成绝缘层110。可以在绝缘层110上形成光致抗蚀剂层PR。
参照图3C，可以将金属网掩模MM设置在光致抗蚀剂层PR上。金属网掩模MM可以是其中多个开口相对于发光区域(参照图3E中的EA)和与发光区域相邻的非发射区域(参照图3E中的NEA)均匀地形成的金属掩模。金属网掩模MM的面对光致抗蚀剂层PR的下表面可以具有反射光的性质。
金属网掩模MM可以设置为靠近光致抗蚀剂层PR的上表面。在示例实施例中，金属网掩模MM可以布置为与光致抗蚀剂层PR间隔开。
可以通过穿过金属网掩模MM照射光来曝光光致抗蚀剂层PR，如图3C中上面行的朝下的箭头所示。
光致抗蚀剂层PR的与第一电极121叠置的部分可以比光致抗蚀剂层PR的未与第一电极121叠置的其他部分具有更大的曝光量。根据本示例实施例，第一电极121是反射电极并且反射光。因此，从曝光装置发射的光穿过光致抗蚀剂层PR的位于第一电极121上的部分之后，反射的光被再次提供给光致抗蚀剂层PR的所述部分。另外，光再次在位于光致抗蚀剂层PR上的金属网掩模MM的下表面上反射并且再次入射在光致抗蚀剂层PR的所述部分上。因此，对光致抗蚀剂层PR的所述部分的曝光量可以进一步增加。
参照图3D，通过显影工艺，可以去除光致抗蚀剂层PR的曝光部分以形成像素限定层PDL。光致抗蚀剂层PR的与第一电极121叠置的部分可以具有相对大的曝光量。因此，光致抗蚀剂层PR的所述部分可以通过显影工艺去除。因此，像素限定层PDL可以形成为具有与第一电极121相同的尺寸和形状的开口，并且使第一电极121位于所述开口中。
参照图3E，可以在第一电极121上形成发光层122和第二电极123，然后可以形成密封构件130以制造显示装置。发光层122、第二电极123和密封构件130可以通过各种已知方法形成。
图4是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。
参照图4，除了像素限定层PDL的部分形成为间隔件SPC之外，显示装置可以与图1的显示装置基本上相同。因此，将省略重复的解释。
显示装置可以包括基础基底100、薄膜晶体管层TFTL、绝缘层110、像素限定层PDL、发光结构120和密封构件130。
像素限定层PDL可以具有第一高度h1。像素限定层PDL的部分可以是具有高于第一高度h1的第二高度h2的间隔件SPC。
图5A至图5C是示出制造图4的显示装置的方法的剖视图。
参照图5A，可以在基础基底100上形成薄膜晶体管层TFTL。可以在薄膜晶体管层TFTL上形成绝缘层110。可以在绝缘层110上形成光致抗蚀剂层PR。
接下来，可以将金属网掩模MM设置在光致抗蚀剂层PR上。金属网掩模MM可以是其中多个开口相对于发光区域(参照图3E中的EA)和与发光区域相邻的非发射区域(参照图3E中的NEA)均匀地形成的金属掩模，但是其中，金属掩模与间隔件对应的部分是封闭的(即，封闭部分是金属掩模的正好位于图5B中的间隔件SPC所形成的区域上方的部分)以阻挡光。金属网掩模MM的面对光致抗蚀剂层PR的下表面可以具有反射光的性质。
可以通过穿过金属网掩模MM照射光来曝光光致抗蚀剂层PR，如图5A中上面行的朝下的箭头所示。
光致抗蚀剂层PR的与第一电极121叠置的部分可以比光致抗蚀剂层PR的未与第一电极121叠置的其他部分具有更大的曝光量。另外，光致抗蚀剂层PR的将要形成间隔件的部分的曝光量可以低于光致抗蚀剂层PR的将要以第一高度形成像素限定层(参照图5B中的PDL)的部分的曝光量。
参照图5B，通过显影工艺，可以去除光致抗蚀剂层PR的曝光部分以形成像素限定层PDL。光致抗蚀剂层PR的与第一电极121叠置的部分可以具有相对大的曝光量，使得光致抗蚀剂层PR的所述部分可以通过显影工艺去除。另外，与金属网掩模MM的封闭部分对应的部分可以具有较小的曝光量，使得形成具有大于第一高度h1的第二高度h2的间隔件SPC。
参照图5C，可以在第一电极121上形成发光层122和第二电极123，然后可以形成密封构件130以制造显示装置。发光层122、第二电极123和密封构件130可以通过各种方法形成。
如上所述，根据实施例，可以使用来自第一电极的反射以自对准的方式执行用于形成像素限定层的开口的图案化。因此，用于图案化像素限定层的附加掩模是不必要的，并且可减小像素限定层的关键尺寸(CD)离散。
通常，用于形成第一电极的工艺的CD离散优于通过光工艺图案化像素限定层的工艺的CD离散。根据实施例，与其中使用附加掩模通过曝光和显影形成像素限定层的工艺相比，通过减小像素限定层对每个像素的开口的偏差，可以提高显示质量。
另外，由于在第一电极与像素限定层之间没有叠置部分，所以发光区域与非发射区域的比例能够最大化，这样可以提高显示质量。
图6是示出根据示例实施例的电子装置的框图。图7A是示出其中图6的电子装置被实施为电视的示例的图。图7B是示出其中图6的电子装置被实施为智能手机的示例的图。
参照图6至图7B，电子装置500可以包括处理器510、存储器装置520、存储装置530、输入/输出(I/O)装置540、电源550和显示装置560。显示装置560可与图1的显示装置对应。另外，电子装置500还可以包括用于与显卡、声卡、存储卡、通用串行总线(USB)装置、其他电子装置等通信的多个端口。在示例实施例中，如图7A中所示，电子装置500可以被实施为电视。在另一示例实施例中，如图7B中所示，电子装置500可以被实施为智能手机。在另一示例实施例中，显示装置500可以实施为蜂窝电话、视频电话、智能平板、智能手表、平板PC、汽车导航***、计算机显示器、笔记本计算机、头戴式显示器(HMD)等。
处理器510可以执行各种计算功能。处理器510可以是微处理器、中央处理单元(CPU)、应用处理器(AP)等。处理器510可以经由地址总线、控制总线、数据总线等结合到其他组件。此外，处理器510可以结合到诸如***组件互连(PCI)总线的扩展总线。存储器装置520可以存储用于电子装置500的操作的数据。例如，存储器装置520可以包括至少一个诸如可擦可编程只读存储器(EPROM)装置、电可擦可编程只读存储器(EEPROM)装置、闪存装置、相变随机存取存储器(PRAM)装置、电阻式随机存取存储器(RRAM)装置、纳米浮栅存储器(NFGM)装置、聚合物随机存取存储器(PoRAM)装置、磁性随机存取存储器(MRAM)装置、铁电随机存取存储器(FRAM)装置等的非易失性存储器装置，和/或至少一个诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置、静态随机存取存储器(SRAM)装置、移动DRAM装置等的易失性存储器装置。存储装置530可以包括固态驱动(SSD)装置、硬盘驱动(HDD)装置、CD-ROM装置等。I/O装置540可以包括诸如键盘、小键盘、鼠标装置、触摸板、触摸屏等的输入装置以及诸如打印机、扬声器等的输出装置。电源550可以为电子装置500的操作提供电力。
显示装置560可以经由总线或其他通信链接结合到其他组件。在一些示例实施例中，显示装置560可以包括在I/O装置540中。如上所述，显示装置560可以减小像素限定层对每个像素的开口的偏差，这样可以提高显示质量。在示例实施例中，在第一电极上不存在像素限定层的垂直叠置部分。因此，发光区域和非发射区域的比例可以最大化，这样可以提高显示质量。
实施例可以应用于有机发光显示装置和包括有机发光显示装置的各种电子装置。例如，实施例可以应用于移动电话、智能电话、视频电话、智能平板、智能手表、平板PC、汽车导航***、电视、计算机显示器、笔记本等。
通过总结和回顾的方式，可以通过包括在基底上形成光致抗蚀剂层并且使用掩模曝光和图案化光致抗蚀剂层的方法来制造有机发光显示装置。如果这样形成的图案根据各个像素的掩模和位置而偏离，则显示质量会劣化。通常，用于形成第一电极的工艺的CD离散可优于通过光工艺图案化像素限定层的工艺的CD离散。
如上所述，可以使用第一电极以自对准方式来执行用于形成像素限定层的开口的图案化。可以不使用用于图案化像素限定层的附加掩模，并且可以减小像素限定层的关键尺寸(CD)离散。根据实施例，与其中使用附加掩模通过曝光和显影形成像素限定层的工艺相比，通过减小像素限定层对每个像素的开口的偏差，可以提高显示质量。另外，根据实施例，在第一电极和像素限定层之间不存在叠置部分。因此，发光区域和非发射区域的比例能够最大化，这样可以提高显示质量。
如上所述，实施例涉及可以提供提高的显示质量的显示装置和该显示装置的制造方法。一个或更多个示例实施例可以提供其中提高了显示质量并且简化了制造工艺的显示装置。实施例还提供了制造该显示装置的方法。
这里已经公开了示例实施例，尽管使用了特定的术语，但是它们仅在一般性和描述性意义上使用和解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，自提交本申请起，如对于本领域普通技术人员将清楚的是，除非另外具体指出，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求所阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以对形式和细节进行各种改变。
Claims (10)
1.一种制造显示装置的方法，所述方法包括下述步骤：
在基础基底上形成薄膜晶体管层；
在所述薄膜晶体管层上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成第一电极；
在其上形成有所述第一电极的所述绝缘层上形成光致抗蚀剂层；
曝光所述光致抗蚀剂层；以及
通过使曝光的所述光致抗蚀剂层显影来形成具有开口的像素限定层，其中，所述开口具有与所述第一电极相同的尺寸和形状，并且所述第一电极位于所述开口中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在曝光所述光致抗蚀剂层的步骤中，在发光区域和与所述发光区域相邻的非发射区域中，对所述光致抗蚀剂层照射相同的光。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在曝光所述光致抗蚀剂层的步骤中，在300nm至500nm范围内的波长处，所述第一电极的光反射率高于所述光致抗蚀剂层的光反射率和所述绝缘层的光反射率。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在曝光所述光致抗蚀剂层的步骤中，在300nm至500nm的波长范围内，所述绝缘层的透光率小于所述光致抗蚀剂层的透光率。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，曝光所述光致抗蚀剂层的步骤包括：
在所述光致抗蚀剂层上设置金属网掩模，其中，所述金属网掩模具有相对于发光区域和与所述发光区域相邻的非发射区域均匀形成的多个开口；以及
通过穿过所述金属网掩模照射光来曝光所述光致抗蚀剂层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在曝光所述光致抗蚀剂层的步骤中，在300nm至500nm的波长范围内，所述第一电极的光反射率高于所述光致抗蚀剂层的光反射率和所述绝缘层的光反射率。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，在曝光所述光致抗蚀剂层的步骤中，在300nm至500nm的波长范围内，所述绝缘层的透光率小于所述光致抗蚀剂层的透光率。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，封闭所述金属网掩模的位于所述非发射区域中的部分，以阻挡光来形成间隔件。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极的在厚度方向上的侧表面与所述像素限定层的侧表面接触，
所述光致抗蚀剂层包括正型光致抗蚀剂组合物，并且
所述绝缘层包括着色聚合物材料。
10.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
在形成所述像素限定层之后，在所述第一电极上形成发光层；以及
在所述发光层上形成第二电极。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |