CN110676155B - 一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法，采用荧光灯作为灯源，所使用的荧光灯灯源有一定的透射力，与人眼呈45‑60度下的反射光源，可有效的辨识出一些表面浅在的缺陷，从而防止漏检的发生，为客户提供更高质量的抛光硅片；由于荧光灯源为冷色调灯源，所以该光源对人体眼睛几乎没有伤害；在现有的暗室条件下增设荧光灯源即可进行操作，简单培训，即可上岗检测；可谓简单、安全、有效。

Description

一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法
技术领域
本发明涉及单晶硅片，具体涉及检测抛光硅片表面浅在缺陷的一种方法，可适用于硅片领域。
背景技术
近年来，IC芯片(Integrated Circuit Chip)向高集成、浅结化、高性能、低功耗的方向迅速发展，随着小型化、高精度化的逐渐普及。整个IC产业对其产品控制技术的要求越来越高。故而对衬底供应商的抛光硅片质量提出达到零缺陷的要求。
在实际最终暗室检查(预清洗后)的过程中，一些表面浅在(500-1000A)深度的缺陷，如暗伤、机械伤、抛光痕迹等缺陷在聚光灯或强光灯下，人眼不易检测，存在一定的漏检风险。聚光灯或强光灯源与人眼在60-90度下直视时，会对人眼造成一定的光源反射伤害。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法，采用荧光灯作为灯源，所使用的荧光灯灯源有一定的透射力，与人眼呈45-60度下的反射光源，可有效的辨识出一些表面浅在的缺陷。从而防止漏检的发生，为客户提供更高质量的抛光硅片。由于荧光灯源为冷色调灯源，所以该光源对人体眼睛几乎没有伤害。在现有的暗室条件下增设荧光灯源即可进行操作，简单培训，即可上岗检测。可谓简单、安全、有效。
本发明的技术方案是：一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法，具体步骤如下：
步骤一、清洗抛光硅片；
步骤二、暗室下增设一台荧光灯,要求如下：色温与亮度在2000-3000K，***域；荧光灯功率40-50瓦；
步骤三、打开荧光灯与抛光硅片正表面呈45-60度角，观察硅片正表面浅在缺陷；打开荧光灯与抛光硅片背表面呈45-60度角，观察硅片背表面浅在缺陷；
步骤四、记录缺陷种类、位置、尺寸或长度。
进一步的，步骤一中所述清洗抛光硅片，使用氨水、双氧水和去离子水的混合液配比对抛光硅片进行清洗。
进一步的，步骤二中荧光灯标配接入220V电源。
进一步的，步骤三中，打开荧光灯与抛光硅片正表面呈50度角，观察硅片正表面浅在缺陷。
进一步的，步骤三中，打开荧光灯与抛光硅片背表面呈50度角，观察硅片背表面浅在缺陷。
本发明的有益效果是：
1、本发明所使用的荧光灯灯源有一定的透射力，与人眼呈45-60度下的反射光源，可有效的辨识出一些表面浅在的缺陷，如暗伤、机械伤等，从而防止漏检的发生，提供更高质量的抛光硅片。
2、由于荧光灯源为冷色调灯源，所以该光源对人体眼睛几乎没有伤害，安全保障。
3、在现有的暗室条件下增设荧光灯源即可进行操作，简单培训，即可上岗检测。可谓简单、安全、有效。
附图说明
图1为荧光灯照射下，抛光硅片表面存在抛光痕迹的图片；
图2为荧光灯照射下，抛光硅片表面存在划伤的图片；
图3为荧光灯照射下，抛光硅片表面存在暗伤的图片。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的说明。
实施例1
取一片抛光硅片，检测抛光硅片表面浅在缺陷，具体步骤如下：
1.使用氨水、双氧水和去离子水的混合液配比对抛光硅片进行清洗。
2.暗室下增设一台荧光灯,配220V电源，要求如下：
2.1色温与亮度在2000K(开尔文温度)，***域。
2.2荧光灯功率40瓦。
2.3标配接入220V电源。
3.打开荧光灯与抛光硅片正表面呈45度角，观察硅片正表面浅在缺陷。能够清楚的观察到该抛光硅片正表面存在抛光痕迹，如图1所示。
4.打开荧光灯与抛光硅片背表面呈45度角，观察硅片背表面浅在缺陷。
5.记录缺陷种类、位置、尺寸或长度。
实施例2
取一片抛光硅片，检测抛光硅片表面浅在缺陷，具体步骤如下：
1.使用氨水、双氧水和去离子水的混合液配比对抛光硅片进行清洗。
2.暗室下增设一台荧光灯,配220V电源，要求如下：
2.1色温与亮度在3000K(开尔文温度)，***域。
2.2荧光灯功率50瓦。
2.3标配接入220V电源。
3.打开荧光灯与抛光硅片正表面呈60度角，观察硅片正表面浅在缺陷。
4.打开荧光灯与抛光硅片背表面呈60度角，观察硅片背表面浅在缺陷。能够清楚的观察到该抛光硅片背表面存在划伤，如图2所示。
5.记录缺陷种类、位置、尺寸或长度。
实施例3
取一片抛光硅片，检测抛光硅片表面浅在缺陷，具体步骤如下：
1.使用氨水、双氧水和去离子水的混合液配比对抛光硅片进行清洗。
2.暗室下增设一台荧光灯,配220V电源，要求如下：
2.1色温与亮度在2500K(开尔文温度)，***域。
2.2荧光灯功率45瓦。
2.3标配接入220V电源。
3.打开荧光灯与抛光硅片正表面呈50度角，观察硅片正表面浅在缺陷。
4.打开荧光灯与抛光硅片背表面呈50度角，观察硅片背表面浅在缺陷。
5.记录缺陷种类、位置、尺寸或长度。能够清楚的观察到该抛光硅片存在如图3所示的暗伤。
本发明中所使用的荧光灯灯源有一定的透射力，与人眼呈45-60度下的反射光源，可有效的辨识出一些表面浅在的缺陷。从而防止漏检的发生，为客户提供更高质量的抛光硅片。由于荧光灯源为冷色调灯源，所以该光源对人体眼睛几乎没有伤害。在现有的暗室条件下增设荧光灯源即可进行操作，简单培训，即可上岗检测。可谓简单、安全、有效。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (2)

1.一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法，其特征在于：具体步骤如下：
步骤一、清洗抛光硅片；
步骤二、暗室下增设一台荧光灯,要求如下：色温与亮度在2000-3000K，***域；荧光灯功率40-50瓦；
步骤三、打开荧光灯与抛光硅片正表面呈50度角，观察硅片正表面浅在缺陷；打开荧光灯与抛光硅片背表面呈50度角，观察硅片背表面浅在缺陷；
步骤四、记录缺陷种类、位置或尺寸。
2.根据权利要求1所述的一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法，其特征在于：步骤二中荧光灯标配接入220V电源。
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