CN110676155B - 一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法,采用荧光灯作为灯源,所使用的荧光灯灯源有一定的透射力,与人眼呈45‑60度下的反射光源,可有效的辨识出一些表面浅在的缺陷,从而防止漏检的发生,为客户提供更高质量的抛光硅片;由于荧光灯源为冷色调灯源,所以该光源对人体眼睛几乎没有伤害;在现有的暗室条件下增设荧光灯源即可进行操作,简单培训,即可上岗检测;可谓简单、安全、有效。
Description
技术领域
本发明涉及单晶硅片,具体涉及检测抛光硅片表面浅在缺陷的一种方法,可适用于硅片领域。
背景技术
近年来,IC芯片(Integrated Circuit Chip)向高集成、浅结化、高性能、低功耗的方向迅速发展,随着小型化、高精度化的逐渐普及。整个IC产业对其产品控制技术的要求越来越高。故而对衬底供应商的抛光硅片质量提出达到零缺陷的要求。
在实际最终暗室检查(预清洗后)的过程中,一些表面浅在(500-1000A)深度的缺陷,如暗伤、机械伤、抛光痕迹等缺陷在聚光灯或强光灯下,人眼不易检测,存在一定的漏检风险。聚光灯或强光灯源与人眼在60-90度下直视时,会对人眼造成一定的光源反射伤害。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明提供一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法,采用荧光灯作为灯源,所使用的荧光灯灯源有一定的透射力,与人眼呈45-60度下的反射光源,可有效的辨识出一些表面浅在的缺陷。从而防止漏检的发生,为客户提供更高质量的抛光硅片。由于荧光灯源为冷色调灯源,所以该光源对人体眼睛几乎没有伤害。在现有的暗室条件下增设荧光灯源即可进行操作,简单培训,即可上岗检测。可谓简单、安全、有效。
本发明的技术方案是:一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法,具体步骤如下:
步骤一、清洗抛光硅片;
步骤二、暗室下增设一台荧光灯,要求如下:色温与亮度在2000-3000K,***域;荧光灯功率40-50瓦;
步骤三、打开荧光灯与抛光硅片正表面呈45-60度角,观察硅片正表面浅在缺陷;打开荧光灯与抛光硅片背表面呈45-60度角,观察硅片背表面浅在缺陷;
步骤四、记录缺陷种类、位置、尺寸或长度。
进一步的,步骤一中所述清洗抛光硅片,使用氨水、双氧水和去离子水的混合液配比对抛光硅片进行清洗。
进一步的,步骤二中荧光灯标配接入220V电源。
进一步的,步骤三中,打开荧光灯与抛光硅片正表面呈50度角,观察硅片正表面浅在缺陷。
进一步的,步骤三中,打开荧光灯与抛光硅片背表面呈50度角,观察硅片背表面浅在缺陷。
本发明的有益效果是:
1、本发明所使用的荧光灯灯源有一定的透射力,与人眼呈45-60度下的反射光源,可有效的辨识出一些表面浅在的缺陷,如暗伤、机械伤等,从而防止漏检的发生,提供更高质量的抛光硅片。
2、由于荧光灯源为冷色调灯源,所以该光源对人体眼睛几乎没有伤害,安全保障。
3、在现有的暗室条件下增设荧光灯源即可进行操作,简单培训,即可上岗检测。可谓简单、安全、有效。
附图说明
图1为荧光灯照射下,抛光硅片表面存在抛光痕迹的图片;
图2为荧光灯照射下,抛光硅片表面存在划伤的图片;
图3为荧光灯照射下,抛光硅片表面存在暗伤的图片。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的说明。
实施例1
取一片抛光硅片,检测抛光硅片表面浅在缺陷,具体步骤如下:
1.使用氨水、双氧水和去离子水的混合液配比对抛光硅片进行清洗。
2.暗室下增设一台荧光灯,配220V电源,要求如下:
2.1色温与亮度在2000K(开尔文温度),***域。
2.2荧光灯功率40瓦。
2.3标配接入220V电源。
3.打开荧光灯与抛光硅片正表面呈45度角,观察硅片正表面浅在缺陷。能够清楚的观察到该抛光硅片正表面存在抛光痕迹,如图1所示。
4.打开荧光灯与抛光硅片背表面呈45度角,观察硅片背表面浅在缺陷。
5.记录缺陷种类、位置、尺寸或长度。
实施例2
取一片抛光硅片,检测抛光硅片表面浅在缺陷,具体步骤如下:
1.使用氨水、双氧水和去离子水的混合液配比对抛光硅片进行清洗。
2.暗室下增设一台荧光灯,配220V电源,要求如下:
2.1色温与亮度在3000K(开尔文温度),***域。
2.2荧光灯功率50瓦。
2.3标配接入220V电源。
3.打开荧光灯与抛光硅片正表面呈60度角,观察硅片正表面浅在缺陷。
4.打开荧光灯与抛光硅片背表面呈60度角,观察硅片背表面浅在缺陷。能够清楚的观察到该抛光硅片背表面存在划伤,如图2所示。
5.记录缺陷种类、位置、尺寸或长度。
实施例3
取一片抛光硅片,检测抛光硅片表面浅在缺陷,具体步骤如下:
1.使用氨水、双氧水和去离子水的混合液配比对抛光硅片进行清洗。
2.暗室下增设一台荧光灯,配220V电源,要求如下:
2.1色温与亮度在2500K(开尔文温度),***域。
2.2荧光灯功率45瓦。
2.3标配接入220V电源。
3.打开荧光灯与抛光硅片正表面呈50度角,观察硅片正表面浅在缺陷。
4.打开荧光灯与抛光硅片背表面呈50度角,观察硅片背表面浅在缺陷。
5.记录缺陷种类、位置、尺寸或长度。能够清楚的观察到该抛光硅片存在如图3所示的暗伤。
本发明中所使用的荧光灯灯源有一定的透射力,与人眼呈45-60度下的反射光源,可有效的辨识出一些表面浅在的缺陷。从而防止漏检的发生,为客户提供更高质量的抛光硅片。由于荧光灯源为冷色调灯源,所以该光源对人体眼睛几乎没有伤害。在现有的暗室条件下增设荧光灯源即可进行操作,简单培训,即可上岗检测。可谓简单、安全、有效。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法,其特征在于:具体步骤如下:
步骤一、清洗抛光硅片;
步骤二、暗室下增设一台荧光灯,要求如下:色温与亮度在2000-3000K,***域;荧光灯功率40-50瓦;
步骤三、打开荧光灯与抛光硅片正表面呈50度角,观察硅片正表面浅在缺陷;打开荧光灯与抛光硅片背表面呈50度角,观察硅片背表面浅在缺陷;
步骤四、记录缺陷种类、位置或尺寸。
2.根据权利要求1所述的一种检测抛光硅片表面浅在缺陷的方法,其特征在于:步骤二中荧光灯标配接入220V电源。
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