CN110672202A - 平板探测器像素电路、平板探测***及平板探测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种平板探测器像素电路、平板探测***及平板探测方法，包括：连接于复位信号与光敏二极管阴极之间的复位开关，控制端连接复位控制信号；光敏二极管的阳极连接偏置电压；连接于工作电压与选择开关之间的源极跟随器，控制端连接光敏二极管阴极；连接源极跟随器的补偿开关，输出补偿电流，控制端连接复位控制信号；所述的第一端连接源极跟随器的选择开关，输出曝光前后电流变化值，控制端连接选择信号。本发明通过数据处理扣除阈值电压漂移对输出电流变化值的影响，提升平板探测器的成像质量；具有较高的场效应迁移率、较低的关态电流、较好的均一性，可以实现4T APS的集成、获得较高的信噪比和大尺寸。

Description

平板探测器像素电路、平板探测***及平板探测方法
技术领域
本发明涉及平板探测领域，特别是涉及一种平板探测器像素电路、平板探测***及平板探测方法。
背景技术
平板探测器尺寸可达数十厘米，像素单元阵列可达百万乃致数千万个像素单元，每个像素单元电路由开关及光敏二极管等器件组成。平板探测器可应用于医疗辐射成像、工业探伤、安检等多个领域。在X射线辐射成像中，平板探测器面积可达43cm×43cm，目前该领域主要采用非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)技术。
平板探测器由上百万乃至上千万个像素点所组成。一般地，间接型平板探测器的每个像素点包含一个光敏二极管和至少一个薄膜晶体管。通常地，像素电路可分为无源像素传感器(Passive Pixel Sensor，PPS)和有源像素传感器(Active Pixel Sensor，APS)结构。PPS像素结构一般由一个光敏二极管和一个开关所组成；而APS像素结构一般包含3个以上开关，相较于只包含1个开关的PPS像素结构更为复杂。且与PPS像素结构相比，APS像素结构具有更高的信噪比。另外，由于APS像素结构中具有源极跟随器，工作在饱和区，具有放大输出电流信号变化值的作用，导致其所需的曝光剂量较低。
但是，由于源极跟随器的存在，APS像素结构的输出信号会受到源极跟随器阈值电压的漂移影响，造成干扰，导致输出图像质量差。
因此，如何减小APS像素结构输出信号的干扰、提高图像质量，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种平板探测器像素电路、平板探测***及平板探测方法，用于解决现有技术中APS像素结构的输出信号受干扰导致图像质量差的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种平板探测器像素电路，所述平板探测器像素电路至少包括：
复位开关、光敏二极管、源极跟随器、补偿开关及选择开关；
所述复位开关的第一端连接复位信号，控制端连接复位控制信号，第二端连接所述光敏二极管的阴极，所述光敏二极管的阳极连接偏置电压；
所述源极跟随器的第一端连接工作电压，控制端连接所述光敏二极管的阴极；
所述补偿开关的第一端连接所述源极跟随器的第二端，控制端连接所述复位控制信号，第二端输出补偿电流；
所述选择开关的第一端连接所述源极跟随器的第二端，控制端连接选择信号，第二端输出曝光前后的电流变化值。
可选地，所述复位开关、所述源极跟随器、所述补偿开关及所述选择开关采用非晶氧化物薄膜晶体管。
更可选地，所述非晶氧化物包括非晶铟镓锌氧化物、非晶铟锌氧化物、非晶铟镓氧化物、非晶铟钨氧化物、非晶铟锡锌氧化物或非晶铝锌氧化物。
所述平板探测器像素电路、所述复位开关、所述源极跟随器、所述补偿开关及所述选择开关采用N型晶体管或P型晶体管。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明还提供一种平板探测***，所述平板探测***至少包括：
平板探测器，包括上述平板探测器像素电路；
驱动电路，连接所述平板探测器；
补偿电流读出电路，连接所述平板探测器的输出端，用于读出补偿电流；
曝光前后的电流变化值读出电路，连接所述平板探测器的输出端，用于读出曝光前后的电流变化值；
数据处理电路，连接于所述补偿电流读出电路及所述曝光前后的电流变化值读出电路的输出端，基于所述补偿电流计算得到源极跟随器阈值电压的实际值，将所述阈值电压的实际值与初始值进行比较，并基于比较结果对所述曝光前后的电流变化值进行补偿。
可选地，所述平板探测***还包括图像显示器，连接于所述数据处理电路的输出端，基于所述数据处理电路的输出信号显示采集到的图像。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明还提供一种平板探测方法，采用如权利要求1～4任意一项所述的平板探测器像素电路，所述平板探测方法至少包括：
复位阶段：关闭选择开关，打开复位开关和补偿开关，光敏二极管的阴极接收复位信号，所述光敏二极管处于反偏状态，并将所述复位信号经过源极跟随器放大后输出，得到补偿电流；
曝光阶段：关闭选择开关、复位开关和补偿开关，源极跟随器工作于饱和区，完成曝光，所述光敏二极管的阴极电压发生变化；
读取阶段：打开选择开关，关闭复位开关和补偿开关，将所述光敏二极管的阴极电压变化值经由所述源极跟随器放大后输出，得到曝光前后的电流变化值。
可选地，所述平板探测方法还包括：数据处理阶段：基于所述补偿电流计算得到源极跟随器阈值电压的实际值，将所述阈值电压的实际值与初始值进行比较，并基于比较结果对所述曝光前后的电流变化值进行补偿。
更可选地，所述补偿电流满足如下关系式：
ICP＝1/2·μN·Cox·W/L·(VGS-VTH)2＝1/2·μN·Cox·W/L·(VRST-VTH)2，
其中，ICP为补偿电流，μN为所述源极跟随器的场效应迁移率，Cox为所述源极跟随器单位面积栅绝缘层的电容值，W/L为所述源极跟随器的宽长比，VGS为所述源极跟随器的栅源电压，VTH为所述源极跟随器阈值电压，VRST为复位信号的电压值。
更可选地，所述曝光前后的电流变化值满足如下关系式：
ΔIOUT＝μN·Cox·W/L·((VGS-VTH)ΔVGS+ΔVGS 2/2)≈μN·Cox·W/L·(VRST-VTH)ΔVGS，
其中，应使VGS-VTH>>△VGS/2，ΔIOUT为曝光前后的电流变化值，μN为所述源极跟随器的场效应迁移率，Cox为所述源极跟随器单位面积栅绝缘层的电容值，W/L为所述源极跟随器的宽长比，ΔVGS为曝光前后所述源极跟随器的栅源电压变化值，VGS为所述源极跟随器的栅源电压，VTH为所述源极跟随器阈值电压，VRST为复位信号的电压值。
如上所述，本发明的平板探测器像素电路、平板探测***及平板探测方法，具有以下有益效果：
1、本发明的平板探测器像素电路、平板探测***及平板探测方法采用4T APS像素电路，基于补偿开关在对光敏二极管进行复位时，可同时读取源极跟随器的输出电流，从而可以通过数据处理得到源极跟随器的阈值电压值及其漂移状况。
2、本发明的平板探测器像素电路、平板探测***及平板探测方法在复位阶段，可读取源极跟随器的阈值电压值并判断其漂移状况，保存阈值电压漂移相关数据；在读取阶段时，通过数据处理扣除阈值电压漂移对输出电流变化值的影响，提升平板探测器的成像质量。
3.本发明采用非晶氧化物薄膜晶体管来制备APS像素电路，具有较高的场效应迁移率、较低的关态电流、较好的均一性，可以实现4T APS的集成、获得较高的信噪比和大尺寸。
附图说明
图1显示为本发明的平板探测器像素电路的结构示意图。
图2显示为本发明的平板探测方法复位阶段的原理示意图。
图3显示为本发明的平板探测方法曝光阶段的原理示意图。
图4显示为本发明的平板探测方法读取阶段的原理示意图。
图5显示为本发明的平板探测***的结构示意图。
元件标号说明
1 平板探测器
11 平板探测器像素电路
2 驱动电路
3 补偿电流读出电路
4 曝光前后的电流变化值读出电路
5 数据处理电路
6 图像显示器
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1～图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
如图1所示，本实施例提供一种平板探测器像素电路11，所述平板探测器像素电路11包括：复位开关TRST、光敏二极管PD、源极跟随器TSF、补偿开关TCP及选择开关TSEL。
其中，所述复位开关TRST的第一端连接复位信号VRST，控制端连接复位控制信号VGRST，第二端连接所述光敏二极管PD的阴极，所述光敏二极管PD的阳极连接偏置电压VCOM；
所述源极跟随器TSF的第一端连接工作电压VDD，控制端连接所述光敏二极管PD的阴极；
所述补偿开关TCP的第一端连接所述源极跟随器TSF的第二端，控制端连接所述复位控制信号VGRST，第二端输出补偿电流ICP；
所述选择开关TSEL的第一端连接所述源极跟随器TSF的第二端，控制端连接选择信号VSEL，第二端输出曝光前后的电流变化值ΔIOUT。
需要说明的是，所述光敏二极管PD包括结电容CPD，所述结电容CPD为所述光敏二极管PD内部的电容，在实际使用中不独立于所述光敏二极管PD的外部，图1中为了便于说明，示意为所述结电容CPD。
具体地，在本实施例中，所述复位开关TRST、所述源极跟随器TSF、所述补偿开关TCP及所述选择开关TSEL采用非晶氧化物薄膜晶体管。进一步，所述非晶氧化物包括非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)。非晶铟镓锌氧化物是东京工业大学细野秀雄研究小组于2004年提出的一种非晶态氧化物半导体材料，与非晶硅薄膜晶体管相比较，非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管具有更高的场效应迁移率，其场效应迁移率可达非晶硅薄膜晶体管的十几乃至几十倍。另外，非晶铟镓锌氧化物材料具有更宽的禁带宽度，约为3.4eV，而非晶硅材料的禁带宽度仅为1.7-1.8eV；因此，非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管具有更低的关态电流，其值可达fA级别，低于非晶硅薄膜晶体管的关态电流(几十至上百fA级别)，因此，与非晶硅探测器相比较，非晶铟镓锌氧化物探测器具有更高的帧率和更低的噪声。
需要说明的是，所述复位开关TRST、所述源极跟随器TSF、所述补偿开关TCP及所述选择开关TSEL的材质可根据需要设置，包括但不限于非晶铟锌氧化物、非晶铟镓氧化物、非晶铟钨氧化物、非晶铟锡锌氧化物或非晶铝锌氧化物，不以本实施例为限。
具体地，在本实施例中，所述复位开关TRST、所述源极跟随器TSF、所述补偿开关TCP及所述选择开关TSEL均采用N型晶体管；控制端接收高电平则各开关导通，控制端接收低电平则各开关关断。
需要说明的是，各开关可均采用P型晶体管；各开关也可根据需要部分设置为N型晶体管，部分设置为P型晶体管；不限于一种半导体材料，不以本实施例为限。
实施例二
如图2～图4所示，本实施例提供一种平板探测方法，在本实施例中，所述平板探测方法基于实施例一的平板探测器像素电路11实现，在实际使用中可基于任意能实现本方法的电路结构，不限于本实施例。所述平板探测方法包括：
1)复位阶段：光敏二极管PD的阴极接收复位信号VRST，所述光敏二极管PD处于反偏状态，并将所述复位信号VRST经过源极跟随器放大后输出，得到补偿电流ICP。根据补偿电流ICP与源极跟随器TSF的阈值电压VTH之间满足的关系，可以得到TSF此时的VTH值。
具体地，如图2所示，在本实施例中，所述复位控制信号VGRST设置为高电平，所述复位开关TRST及所述补偿开关TCP导通(工作在线性区)，所述复位信号VRST为高电平，所述光敏二极管PD的阴极被充电至所述复位信号VRST的电平。所述偏置电压VCOM设置为负电压，在本实施例中，电压范围为-4至-10V，所述光敏二极管PD处于反偏状态。所述选择信号VSEL设置为低电平，所述选择开关TSEL关断。所述源极跟随器TSF工作于饱和区，所述光敏二极管PD的阴极电压(所述复位信号VRST的电平)可通过所述源极跟随器TSF及所述补偿开关TCP读取，得到相应的补偿电流ICP，所述补偿电流ICP满足如下关系式：
ICP＝1/2·μN·Cox·W/L·(VGS-VTH)2＝1/2·μN·Cox·W/L·(VRST-VTH)2 (1)，
其中，ICP为补偿电流，μN为所述源极跟随器TSF的场效应迁移率，Cox为所述源极跟随器TSF单位面积栅绝缘层的电容值，W/L为所述源极跟随器TSF的宽长比，VGS为所述源极跟随器TSF的栅源电压，VTH为所述源极跟随器TSF的阈值电压，VRST为复位信号的电压值。
根据上式，可得ICP与VTH之间的关系，从而可以计算得到源极跟随器TSF此时的VTH值。
2)曝光阶段：所述源极跟随器TSF此时处于打开状态，工作在饱和区。完成曝光后，所述光敏二极管PD的阴极(源极跟随器的栅极)电压发生变化。
具体地，如图3所示，在本实施例中，所述复位控制信号VGRST设置为低电平，所述复位开关TRST及所述补偿开关TCP关断。所述选择信号VSEL设置为低电平，所述选择开关TSEL关断。曝光前，所述光敏二极管的阴极电压为所述复位信号VRST的电平，曝光后，X光转化为可见光，此时所述光敏二极管PD处于反偏状态，曝光导致所述结电容CPD上的电荷量变化值为△QPixel，从而引起所述光敏二极管PD的阴极(源极跟随器的栅极)电压变化值为△VG。
3)读取阶段：将所述光敏二极管PD的阴极(源极跟随器的栅极)电压变化值经由所述源极跟随器TSF放大后输出，可得到曝光前后的电流变化值ΔIOUT。
具体地，如图4所示，在本实施例中，所述复位控制信号VGRST设置为低电平，所述复位开关TRST及所述补偿开关TCP关断。所述选择信号VSEL设置为高电平，所述选择开关TSEL打开(工作于线性区)，X光曝光前后所述光敏二极管PD的阴极(源极跟随器的栅极)电压变化值△VG通过所述源极跟随器TSF(工作于饱和区)放大，再经所述选择开关TSEL读取，得到相应的曝光前后的电流变化值ΔIOUT，所述曝光前后的电流变化值ΔIOUT满足如下关系式：
ΔIOUT＝μN·Cox·W/L·((VGS-VTH)ΔVGS+ΔVGS 2/2)≈μN·Cox·W/L·(VRST-VTH)ΔVGS (2)，
其中，为了保证所述曝光前后的电流变化值ΔIOUT与所述光敏二极管PD的阴极电压变化值△VG的线性关系，应使VGS-VTH>>△VGS/2。ΔIOUT为曝光前后的电流变化值，μN为所述源极跟随器的场效应迁移率，Cox为所述源极跟随器单位面积栅绝缘层的电容值，W/L为所述源极跟随器的宽长比，ΔVGS为曝光前后所述源极跟随器的栅源电压变化值，VGS为所述源极跟随器的栅源电压，VTH为所述源极跟随器阈值电压，VRST为复位信号高电平时的电压值。
需要说明的是，各信号的电平高低可基于具体器件类型进行设定，不以本实施例为限。
作为本实施例的一种实现方式，所述平板探测方法还包括4)数据处理阶段：基于所述补偿电流ICP计算得到源极跟随器TSF阈值电压VTH的实际值，将所述阈值电压VTH的实际值与初始值进行比较，并基于比较结果对所述曝光前后的电流变化值ΔIOUT进行补偿。
具体地，基于上式(1)计算得到所述源极跟随器TSF阈值电压VTH的实际值，再基于所述阈值电压VTH的实际值与初始值的比较来判断其阈值电压漂移状况以及阈值电压漂移对输出电流变化的影响，将影响从所述曝光前后的电流变化值ΔIOUT中去除，进而减少干扰，得到较为准确的X光曝光前后所产生的输出电流的变化值。
实施例三
如图5所示，本实施例提供一种平板探测***，所述平板探测***包括：
平板探测器1，驱动电路2，补偿电流读出电路3，曝光前后的电流变化值读出电路4及数据处理电路5。
如图5所示，所述平板探测器1包括实施例一的平板探测器像素电路11，各所述平板探测器像素电路11以阵列形式排列，组成探测面板。
如图5所示，所述驱动电路2连接所述平板探测器1。
具体地，所述驱动电路2用于提供驱动信号，包括但不限于所述复位信号VRST，所述偏置电压VCOM，所述选择信号VSEL及所述复位控制信号VGRST。
如图5所示，所述补偿电流读出电路3连接所述平板探测器1的输出端，用于读出补偿电流ICP。
具体地，所述补偿电流读出电路3包括多个补偿电流读出单元，分别连接于同一列(或同一行)平板探测器像素电路11中各补偿开关TCP的第二端，以读出各补偿电流ICP。
如图5所示，所述曝光前后的电流变化值读出电路4连接所述平板探测器1的输出端，用于读出曝光前后的电流变化值ΔIOUT。
具体地，所述曝光前后的电流变化值读出电路4包括多个曝光前后的电流变化值读出单元，分别连接于同一列(或同一行)平板探测器像素电路11中各源极跟随器TSF的第二端，以读出各曝光前后的电流变化值ΔIOUT。
如图5所示，所述数据处理电路5连接于所述补偿电流读出电路3及所述曝光前后的电流变化值读出电路4的输出端，基于所述补偿电流ICP计算得到源极跟随器TSF阈值电压VTH的实际值，将所述阈值电压VTH的实际值与初始值进行比较，并基于比较结果对所述曝光前后的电流变化值ΔIOUT进行补偿。
具体地，所述数据处理电路5接收所述补偿电流ICP，计算所述源极跟随器TSF阈值电压VTH的实际值并保存；并对所述曝光前后的电流变化值ΔIOUT进行补偿。
作为本实施例的一种实现方式，所述平板探测***还包括图像显示器6，所述图像显示器6连接于所述数据处理电路5的输出端，基于所述数据处理电路5的输出信号显示采集到的图像。
本实施例的平板探测***首先通过补偿电流ICP计算得到源极跟随器TSF的阈值电压VTH并保存该值。之后，再通过曝光前后的电流变化值读出电路4读取曝光所产生的曝光前后的电流变化值ΔIOUT。经过数据处理，将阈值电压漂移对曝光前后的电流变化值ΔIOUT的影响扣除，最后完成图像的显示。
本发明的平板探测器像素电路、平板探测***及平板探测方法形成一种新型的4TAPS像素电路，来扣除源极跟随器的阈值电压漂移对输出电流信号变化值的影响，提高平板探测器的抗干扰性能；可较大范围地对源极跟随器的阈值电压漂移进行补偿，可实现实时在线补偿，降低干扰，保证成像质量；另外，采用非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管，可实现较高的集成度、较高的帧率、较高的信噪比和大尺寸。
综上所述，本发明提供一种平板探测器像素电路、平板探测***及平板探测方法，包括：复位开关、光敏二极管、源极跟随器、补偿开关及选择开关；所述复位开关的第一端连接复位信号，控制端连接复位控制信号，第二端连接所述光敏二极管的阴极，所述光敏二极管的阳极连接偏置电压；所述源极跟随器的第一端连接工作电压，控制端连接所述光敏二极管的阴极；所述补偿开关的第一端连接所述源极跟随器的第二端，控制端连接所述复位控制信号，第二端输出补偿电流；所述选择开关的第一端连接所述源极跟随器的第二端，控制端连接选择信号，第二端输出曝光前后的电流变化值。本发明的平板探测器像素电路、平板探测***及平板探测方法采用4T APS像素电路，基于复位开关在对光敏二极管进行复位时，经补偿开关同时读取源极跟随器的输出电流，从而可以通过数据处理得到源极跟随器的阈值电压值并判断其漂移状况，保存阈值电压漂移相关数据；在读取阶段时，通过数据处理扣除阈值电压漂移对输出电流变化值的影响，提升平板探测器的成像质量；另外，具有较高的场效应迁移率、较低的关态电流、较好的均一性，可以实现4T APS的集成、获得较高的信噪比、帧率和较大的尺寸。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种平板探测器像素电路，其特征在于，所述平板探测器像素电路至少包括：
复位开关、光敏二极管、源极跟随器、补偿开关及选择开关；
所述复位开关的第一端连接复位信号，控制端连接复位控制信号，第二端连接所述光敏二极管的阴极，所述光敏二极管的阳极连接偏置电压；
所述源极跟随器的第一端连接工作电压，控制端连接所述光敏二极管的阴极；
所述补偿开关的第一端连接所述源极跟随器的第二端，控制端连接所述复位控制信号，第二端输出补偿电流；
所述选择开关的第一端连接所述源极跟随器的第二端，控制端连接选择信号，第二端输出曝光前后的电流变化值。
2.根据权利要求1所述的平板探测器像素电路，其特征在于：所述复位开关、所述源极跟随器、所述补偿开关及所述选择开关采用非晶氧化物薄膜晶体管。
3.根据权利要求2所述的平板探测器像素电路，其特征在于：所述非晶氧化物包括非晶铟镓锌氧化物、非晶铟锌氧化物、非晶铟镓氧化物、非晶铟钨氧化物、非晶铟锡锌氧化物或非晶铝锌氧化物。
4.根据权利要求1所述的平板探测器像素电路，其特征在于：所述平板探测器像素电路、所述复位开关、所述源极跟随器、所述补偿开关及所述选择开关采用N型晶体管或P型晶体管。
5.一种平板探测***，其特征在于，所述平板探测***至少包括：
平板探测器，包括如权利要求1～4任意一项所述的平板探测器像素电路；
驱动电路，连接所述平板探测器；
补偿电流读出电路，连接所述平板探测器的输出端，用于读出补偿电流；
曝光前后的电流变化值读出电路，连接所述平板探测器的输出端，用于读出曝光前后的电流变化值；
数据处理电路，连接于所述补偿电流读出电路及所述曝光前后的电流变化值读出电路的输出端，基于所述补偿电流计算得到源极跟随器阈值电压的实际值，将所述阈值电压的实际值与初始值进行比较，并基于比较结果对所述曝光前后的电流变化值进行补偿。
6.根据权利要求5所述的平板探测***，其特征在于：所述平板探测***还包括图像显示器，连接于所述数据处理电路的输出端，基于所述数据处理电路的输出信号显示采集到的图像。
7.一种平板探测方法，采用如权利要求1～4任意一项所述的平板探测器像素电路，其特征在于，所述平板探测方法至少包括：
复位阶段：关闭选择开关，打开复位开关和补偿开关，光敏二极管的阴极接收复位信号，所述光敏二极管处于反偏状态，并将所述复位信号经过源极跟随器放大后输出，得到补偿电流；
曝光阶段：关闭选择开关、复位开关和补偿开关，源极跟随器工作于饱和区，完成曝光，所述光敏二极管的阴极电压发生变化；
读取阶段：打开选择开关，关闭复位开关和补偿开关，将所述光敏二极管的阴极电压变化值经由所述源极跟随器放大后输出，得到曝光前后的电流变化值。
8.根据权利要求7所述的平板探测方法，其特征在于：所述平板探测方法还包括：数据处理阶段：基于所述补偿电流计算得到源极跟随器阈值电压的实际值，将所述阈值电压的实际值与初始值进行比较，并基于比较结果对所述曝光前后的电流变化值进行补偿。
9.根据权利要求7或8所述的平板探测方法，其特征在于：所述补偿电流满足如下关系式：
ICP＝1/2·μN·Cox·W/L·(VGS-VTH)2＝1/2·μN·Cox·W/L·(VRST-VTH)2，
其中，ICP为补偿电流，μN为所述源极跟随器的场效应迁移率，Cox为所述源极跟随器单位面积栅绝缘层的电容值，W/L为所述源极跟随器的宽长比，VGS为所述源极跟随器的栅源电压，VTH为所述源极跟随器阈值电压，VRST为复位信号的电压值。
10.根据权利要求7或8所述的平板探测方法，其特征在于：所述曝光前后的电流变化值满足如下关系式：
ΔIOUT＝μN·Cox·W/L·((VGS-VTH)ΔVGS+ΔVGS 2/2)≈μN·Cox·W/L·(VRST-VTH)ΔVGS，
其中，应使VGS-VTH>>△VGS/2，ΔIOUT为曝光前后的电流变化值，μN为所述源极跟随器的场效应迁移率，Cox为所述源极跟随器单位面积栅绝缘层的电容值，W/L为所述源极跟随器的宽长比，ΔVGS为曝光前后所述源极跟随器的栅源电压变化值，VGS为所述源极跟随器的栅源电压，VTH为所述源极跟随器阈值电压，VRST为复位信号的电压值。
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