CN110663174B - 弹性波滤波器装置、多工器以及复合滤波器装置 - Google Patents
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 206010067482 No adverse event Diseases 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02858—Means for compensation or elimination of undesirable effects of wave front distortion
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
- H03H9/6496—Reducing ripple in transfer characteristic
-
- H—ELECTRICITY
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02881—Means for compensation or elimination of undesirable effects of diffraction of wave beam
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14517—Means for weighting
- H03H9/1452—Means for weighting by finger overlap length, apodisation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/1457—Transducers having different finger widths
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14573—Arrow type transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/542—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
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- H03H9/725—Duplexers
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- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
- H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
- H03H9/6476—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes the tracks being electrically parallel
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
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Abstract
本发明提供一种不易产生由横模纹波造成的滤波器特性的劣化的弹性波滤波器装置。弹性波滤波器装置(1)具备至少一个串联臂谐振器(S1、S2)以及至少一个并联臂谐振器(P1、P2),串联臂谐振器(S1、S2)以及并联臂谐振器(P1、P2)由弹性波谐振器构成,串联臂谐振器(S1、S2)的IDT电极为实施了交叉宽度加权的变迹型IDT电极,在并联臂谐振器(P1、P2)的IDT电极中,交叉部具有中央区域和设置在中央区域的两外侧的低声速区域,低声速区域中的弹性波的声速被设得比中央区域中的弹性波的声速低,在各低声速区域的外侧设置有弹性波的声速比低声速区域高的高声速区域。
Description
技术领域
本发明涉及具有至少一个串联臂谐振器以及并联臂谐振器的弹性波滤波器装置、具有该弹性波滤波器装置的多工器以及复合滤波器装置。
背景技术
以往,为了抑制横模纹波,已知有利用了活塞模式的梯型滤波器。例如,在下述的专利文献1记载的梯型滤波器中,串联臂谐振器以及并联臂谐振器具有利用了活塞模式的IDT电极。在该IDT电极中,交叉部具有中央区域和在交叉部内位于中央区域的一侧以及另一侧的低声速区域。与中央区域的声速相比,低声速区域的声速被降低。进而,在交叉宽度方向上,在低声速区域的更外侧设置有高声速区域。在专利文献1记载的梯型滤波器中,在具有上述IDT电极的弹性波谐振器中利用了洛夫波。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:WO2015/182521
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1记载的梯型滤波器中,能够减小洛夫波的横模纹波。然而,在具有上述IDT电极的弹性波谐振器中,还出现瑞利波的横模响应。在梯型滤波器的串联臂谐振器以及并联臂谐振器之中,若在串联臂谐振器中产生了该瑞利波的横模响应,则纹波出现在梯型滤波器的通带低频侧的频带。因此,存在滤波器特性变差这样的问题。
本发明的目的在于,提供一种不易产生由横模纹波造成的滤波器特性的劣化的弹性波滤波器装置和具有该弹性波滤波器装置的多工器以及复合滤波器装置。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的弹性波滤波器装置具备:至少一个串联臂谐振器,配置在连结输入端和输出端的串联臂;以及并联臂谐振器,配置在连结所述串联臂和接地电位的至少一个并联臂,所述串联臂谐振器以及所述并联臂谐振器由具有压电基板和设置在所述压电基板上的IDT电极的弹性波谐振器构成,至少一个所述串联臂谐振器的所述IDT电极为实施了交叉宽度加权的变迹型IDT电极,在所述并联臂谐振器的所述IDT电极中,在多根第一电极指和多根第二电极指在弹性波传播方向上相互重叠的交叉部中,该交叉部具有中央区域和在与弹性波传播方向正交的方向上设置在所述中央区域的两外侧的低声速区域,所述低声速区域中的弹性波的声速被设得比所述中央区域中的弹性波的声速低,在与弹性波传播方向正交的方向上,在各所述低声速区域的外侧设置有弹性波的声速比所述低声速区域高的高声速区域。
在本发明涉及的弹性波滤波器装置中,优选地,全部的所述串联臂谐振器具有所述变迹型IDT电极。在该情况下,能够更进一步有效地抑制由横模造成的纹波。
在本发明涉及的弹性波滤波器装置的其他的特定的方面中,具有所述变迹型IDT电极的所述串联臂谐振器具有:第一汇流条、第二汇流条;多根第一电极指,一端与所述第一汇流条的内侧端缘连接;多根第二电极指,一端与所述第二汇流条的内侧端缘连接;多根第一虚设电极指,一端与所述第二汇流条连接,前端与所述多根第一电极指的前端分别对置;以及多根第二虚设电极指,一端与所述第一汇流条连接,前端与所述多根第二电极指的前端分别对置,所述第一汇流条、所述第二汇流条的分别连接有所述第一电极指、所述第二电极指的各所述内侧端缘具有与弹性波传播方向不平行的部分。
在本发明涉及的弹性波滤波器装置的另一个特定的方面中,利用了洛夫波。在该情况下,至少一个串联臂谐振器具有变迹型IDT电极,因此能够有效地抑制瑞利波的横模纹波。
在本发明涉及的弹性波滤波器装置的又一个特定的方面中,所述压电基板由LiNbO3构成。
在本发明涉及的弹性波滤波器装置的又一个特定的方面中,作为本发明的弹性波滤波器装置而提供梯型滤波器。
也可以是,在本发明涉及的弹性波滤波器装置中,还具备配置在所述串联臂的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器。
本发明涉及的多工器是如下的多工器,其具备:按照本发明而构成的弹性波滤波器装置;以及第二弹性波滤波器装置,由带通型滤波器构成,一端与所述弹性波滤波器装置公共连接。
本发明涉及的复合滤波器装置具备按照本发明而构成的弹性波滤波器装置和一端与所述弹性波滤波器装置公共连接的多个滤波器。
发明效果
根据本发明涉及的弹性波滤波器装置,至少一个串联臂谐振器具有变迹型IDT电极,因此不易产生由横模纹波造成的滤波器特性的劣化。因此,能够提供一种滤波器特性优异的弹性波滤波器装置和具有该弹性波滤波器装置的多工器以及复合滤波器装置。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波滤波器装置的电路图。
图2是作为串联臂谐振器S1的弹性波谐振器的俯视图。
图3是示出并联臂谐振器P1的电极构造的俯视图。
图4是示出在第一实施方式的弹性波滤波器装置中使用的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的电极构造的示意性俯视图。
图5是示出图4所示的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的电极构造的一部分的部分切除俯视图。
图6是在第二实施方式的弹性波滤波器装置中使用的弹性波谐振器的俯视图。
图7是示出实施例1以及实施例2的弹性波谐振器以及比较例1的弹性波谐振器的通过特性的图。
图8是示出实施例3的弹性波滤波器装置、实施例4的弹性波滤波器装置以及比较例2的弹性波滤波器装置的滤波器特性的图。
图9是示出应用本发明的梯型滤波器的一个例子的电路图。
图10是复合滤波器装置的电路图。
图11是示出作为多工器的一个例子的双工器的电路图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明,由此明确本发明。
另外,预先指出的是,在本说明书记载的各实施方式是例示性的,能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波滤波器装置的电路图。弹性波滤波器装置1具有输入端子2和输出端子3。在连结输入端子2和输出端子3的串联臂中,串联地连接有串联臂谐振器S1、S2。在连结串联臂谐振器S1、S2间的连接点和接地电位的并联臂,配置有并联臂谐振器P1。在串联臂谐振器S2与输出端子3之间,连接有纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11。在连结串联臂谐振器S2与纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11之间的连接点、和接地电位的并联臂,设置有并联臂谐振器P2。
纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11具有第一纵向耦合谐振器型弹性波滤波器部12、第二纵向耦合谐振器型弹性波滤波器部13。第一纵向耦合谐振器型弹性波滤波器部12和第二纵向耦合谐振器型弹性波滤波器部13被并联地连接。第一纵向耦合谐振器型弹性波滤波器部12、第二纵向耦合谐振器型弹性波滤波器部13分别为具有五个IDT电极的5IDT型的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器。
串联臂谐振器S1、S2以及并联臂谐振器P1、P2分别由弹性波谐振器构成。在弹性波滤波器装置1中,具有串联臂谐振器S1、S2以及并联臂谐振器P1、P2的梯型滤波器和纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11被连接。由此,构成了Band8的接收滤波器。Band8的接收频带为925MHz~960MHz。
弹性波滤波器装置1的特征在于,串联臂谐振器S1、S2如后所述那样具有变迹型(apodized)IDT电极,作为剩余的谐振器的并联臂谐振器P1、P2以及纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11具有利用了活塞模式的IDT电极,IDT电极未被变迹。由此,如后所述,能够有效地抑制横模纹波。
在弹性波滤波器装置1中,作为弹性波而利用了洛夫波。串联臂谐振器S1、S2以及并联臂谐振器P1、P2和纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11作为压电基板而使用了Y切割的LiNbO3基板。此外,在压电基板上层叠有SiO2膜。在该SiO2膜上,从下起按顺序设置有由具有NiCr膜/Pt膜/Ti膜/AlCu膜的层叠金属膜构成的IDT电极。此外,作为保护膜而依次层叠有SiO2膜以及SiN膜,使得覆盖IDT电极。
另外,LiNbO3基板的切割角优选为-4°以上且+4°以下的范围,更优选为0°附近。在该情况下,能够充分减小作为无用波的瑞利波的机电耦合系数,能够增大洛夫波的机电耦合系数。
图2是作为串联臂谐振器S1的弹性波谐振器的俯视图。另外,在图2中,图示出除去了前述的作为保护膜的SiO2膜以及SiN膜的状态。
串联臂谐振器S1具有压电基板20。如前所述,压电基板20由Y切割的LiNbO3基板构成。不过,在本发明中,压电基板也可以由LiTaO3等其它压电单晶构成。此外,压电基板也可以具有在支承基板上层叠了压电膜的构造。
在压电基板20上层叠有SiO2膜21。在该SiO2膜21上设置有IDT电极23以及反射器24、25。由此,构成了单端口型的声表面波谐振器。
IDT电极23是变迹型IDT电极。IDT电极23具有第一汇流条26、第二汇流条27。在第一汇流条26连接有多根第一电极指28的一端。在第二汇流条27连接有多根第二电极指29的一端。与第一电极指28的前端隔开间隙地配置有第一虚设电极指30。第一虚设电极指30的一端与第二汇流条27连接。此外,配置有第二虚设电极指31,使得与第二电极指29的前端隔开间隙。第二虚设电极指31的一端与第一汇流条26连接。
多根第一电极指28和多根第二电极指29相互交替***。与第一电极指28、第二电极指29延伸的方向正交的方向为弹性波传播方向。在IDT电极23中,实施交叉宽度加权而做成为变迹型IDT电极。更详细地,在弹性波传播方向上观察时,第一电极指28和第二电极指29相互重叠的部分为交叉部。该交叉部的第一电极指28、第二电极指29延伸的方向上的尺寸为交叉宽度。在IDT电极23中,交叉宽度沿着弹性波传播方向变化。
由此,实施了交叉宽度加权。
因为具有实施了交叉宽度加权的变迹型IDT电极23,所以如后所述,能够减小由瑞利波造成的横模的响应。
另外,在反射器24、25中,多根电极指的两端被短路。在一端侧分别设置有汇流条24a、25a。另一侧的汇流条与IDT电极23的第二汇流条27公共化。
虽然对串联臂谐振器S1的构造进行了说明,但是串联臂谐振器S2也具有与串联臂谐振器S1相同的构造。
图3是示出并联臂谐振器P1的电极构造的俯视图。在并联臂谐振器P1中,在IDT电极41的弹性波传播方向两侧配置有反射器42、43。因此,并联臂谐振器P1也还是单端口型声表面波谐振器。
不过,在并联臂谐振器P1中,未对IDT电极41实施交叉宽度加权。即,IDT电极41不是变迹型IDT电极。
IDT电极41为了构成利用了活塞模式的弹性波谐振器而设置。IDT电极41具有第一汇流条44、第二汇流条45。在第一汇流条44连接有多根第一电极指46的一端。在第二汇流条45连接有多根第二电极指47的一端。第一电极指46和第二电极指47相互交替***。
第一电极指46和第二电极指47在弹性波传播方向上相互重叠的部分为交叉部A0。该交叉部A0具有位于与弹性波传播方向正交的方向上的中央的中央区域A1、和配置在中央区域A1的与弹性波传播方向正交的方向外侧的第一低声速区域A2、第二低声速区域A3。为了降低第一低声速区域A2、第二低声速区域A3中的弹性波的声速,在第一电极指46设置有宽幅部46a、46b。在第二电极指47中,也设置有宽幅部47a、47b。
在上述交叉部A0的与弹性波传播方向正交的方向外侧,设置有声速与中央区域A1相同的第一高声速区域A4、第二高声速区域A5。
第一汇流条44具有内侧汇流条部44a和外侧汇流条部44b。连结部44c被设置为连结内侧汇流条部44a和外侧汇流条部44b。连结部44c、44c之间被设为开口部。连结部44c的宽度被设为与第一电极指46以及第二电极指47的中央区域A1中的宽度相同。
在第二汇流条45中,也设置有内侧汇流条部45a、外侧汇流条部45b以及连结部45c。
在设置有内侧汇流条部44a、45a的区域中,弹性波的声速比第一低声速区域A2、第二低声速区域A3降低。此外,在设置有上述连结部44c、45c的区域中,弹性波的声速与中央区域A1相等。进而,在设置有外侧汇流条部44b、45b的区域中,弹性波的声速与设置有内侧汇流条部44a、45a的部分同样地成为低声速。
像上述的那样,在IDT电极41中,设置有中央区域A1和声速比中央区域A1低的第一低声速区域A2、第二低声速区域A3,在第一低声速区域A2、第二低声速区域A3的外侧设置有第一高声速区域A4、第二高声速区域A5。因此,在利用了洛夫波的弹性波谐振器中,能够有效地抑制由洛夫波造成的横模纹波。
另外,并联臂谐振器P2与并联臂谐振器P1同样地构成。
接着,参照图4以及图5对纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11中的第一纵向耦合谐振器型弹性波滤波器部12的电极构造进行说明。
如图4所示,第一纵向耦合谐振器型弹性波滤波器部12具有第一IDT电极12a~第五IDT电极12e。在设置有第一IDT电极12a~第五IDT电极12e的区域的弹性波传播方向两侧,设置有反射器12f、12g。
另外,本发明中的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器中的IDT电极的数目并不限定于5。也可以使用3IDT型、7IDT型等的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器。
在第一纵向耦合谐振器型弹性波滤波器部12中,也与并联臂谐振器P1同样地,为了利用活塞模式,设置有中央区域、第一低声速区域、第二低声速区域以及配置在第一低声速区域、第二低声速区域的外侧的第一高声速区域、第二高声速区域。参照图5对此进行说明。
图5是将图4中的IDT电极12e和反射器12g相邻的部分的一部分放大示出的部分切除俯视图。
在第一汇流条51连接有多根第一电极指53的一端。与图3所示的IDT电极41的情况同样地,第一汇流条51具有内侧汇流条部51a、外侧汇流条部51b以及连结部51c。在内侧汇流条部51a连接有多根第一电极指53的一端。多根第一电极指53和多根第二电极指54和彼此相互交替***。第一电极指53以及第二电极指54具有宽幅部53a、54a。即,因为设置有宽幅部53a、54a,所以在与弹性波传播方向正交的方向上,在中央区域的外侧设置有低声速区域。在图5中未图示的第二汇流条侧,也在中央区域的外侧为了设置低声速区域而设置有宽幅部。即,在IDT电极12e中,与图3所示的IDT电极41同样地,在中央区域的两侧设置有第一低声速区域、第二低声速区域。在第一低声速区域、第二低声速区域的外侧分别设置有第一高声速区域、第二高声速区域。其它IDT电极12a~12d也具有同样的构造。此外,图1所示的第二纵向耦合谐振器型弹性波滤波器部13也具有与第一纵向耦合谐振器型弹性波滤波器部12同样的电极构造。因而,因为纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11也利用了活塞模式,所以能够通过上述声速差有效地抑制洛夫波的横模纹波。
在利用了洛夫波的弹性波滤波器装置中,有时在通带内产生成为无用波的瑞利波的响应。在该情况下,通过将压电基板的切割角设为0°附近,从而能够姑且抑制瑞利波的响应。然而,根据IDT电极的膜厚条件,即使选择Y切割的切割角,也未能充分地抑制由瑞利波造成的响应。
IDT电极的膜厚的条件由滤波器的要求特性所决定。为了得到充分的反射系数,不得不将膜厚增厚。因此,难以仅从抑制瑞利波的响应的观点来选择IDT电极的膜厚。另一方面,近年来,伴随着无线通信的调制方式复杂化,要求良好的EVM(Error VectorMagnitude,误差矢量幅度)特性,但是出现在通带内的纹波却使该EVM特性变差。因此,产生更进一步充分地抑制由上述瑞利波造成的响应的需要。
在弹性波滤波器装置1中,并联臂谐振器P1、P2以及纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11具有利用了活塞模式的IDT电极,因此能够抑制由洛夫波的横模造成的响应。除此以外,因为串联臂谐振器S1、S2具有变迹型IDT电极,所以能够有效地抑制由瑞利波造成的横模。基于具体的实施例对此进行说明。
作为串联臂谐振器S1的实施例,按以下的设计参数制作了实施例1的弹性波谐振器。为了比较,作为比较例1的弹性波谐振器,制作了具有利用了活塞模式的IDT电极的并联臂谐振器P1的弹性波谐振器。
另外,在实施例1以及比较例1中的任一者中,LiNbO3基板的切割角均设为0°。此外,IDT电极的层叠构造设为如下。
NiCr膜/Pt膜/Ti膜/AlCu膜的厚度依次设为10nm/70nm/60nm/200nm。此外,位于IDT电极的下方的SiO2膜的厚度设为20nm。
作为保护膜的SiO2膜以及SiN膜的厚度分别设为1500nm以及20nm。
在实施例1的弹性波谐振器中,如图2所示,实施了交叉宽度加权。另一方面,在比较例1的弹性波谐振器中,如图3所示,将IDT电极41设置为第一低声速区域A2、第二低声速区域A3以及第一高声速区域A4、第二高声速区域A5位于中央区域A1的外侧。
另外,IDT电极的电极指的对数均设为90对。此外,反射器的电极指的根数均设为10根。此外,关于由IDT电极的电极指间距确定的波长,串联臂谐振器S1设为3.81μm,串联臂谐振器S2设为3.83μm,并联臂谐振器P1设为3.98μm,并联臂谐振器P2设为4.00μm。在图7中示出上述实施例1以及比较例1的弹性波谐振器的通过特性。
图7的虚线示出实施例1的结果,单点划线示出比较例1的结果。如图7所示,在比较例1中,在Band8的接收滤波器的通带内,特别是,在该通带的低频侧,出现了用箭头B1~B3示出的纹波。相对于此,在实施例1的弹性波谐振器中,并未出现用箭头B1~B3示出的纹波。在该频带出现的用箭头B1~B3示出的纹波起因于由瑞利波的横模造成的响应。
因而,可知通过使用具有变迹型IDT电极的实施例1的弹性波谐振器,能够有效地抑制起因于瑞利波的横模的纹波。
按以下的要领制作了作为上述的弹性波滤波器装置1的实施例3的弹性波滤波器装置以及比较例2的弹性波滤波器装置。
实施例3的弹性波滤波器装置:使用上述实施例1的弹性波谐振器作为串联臂谐振器S1、S2,使用比较例1的弹性波谐振器作为并联臂谐振器P1、P2。利用了活塞模式的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11的设计参数设为如下。
纵向耦合谐振器型弹性波滤波器11的设计参数:IDT电极12a的对数22对、波长4.04μm;IDT电极12b的对数11.5对、波长4.02μm;IDT电极12c的对数8.5对、波长3.87μm;IDT电极12d的对数11.5对、波长3.97μm;IDT电极12e的对数14对、波长3.98μm;反射器12f、12g的电极指的根数27根。
在比较例2的弹性波滤波器装置中,除了将串联臂谐振器S1、S2设为与并联臂谐振器P1、P2同样地利用了活塞模式的弹性波谐振器以外,设为与实施例3的弹性波滤波器装置相同。
图8的虚线示出实施例3的弹性波滤波器装置的滤波器特性,单点划线示出比较例2的弹性波滤波器装置的滤波器特性。
根据图8可明确,在比较例2的弹性波滤波器装置中,用箭头C1~C3示出的纹波出现在通带内的低频侧。相对于此,在实施例3的弹性波滤波器装置中,能够有效地抑制这些纹波。
图6是在第二实施方式的弹性波滤波器装置中使用的具有变迹型IDT电极的弹性波谐振器的俯视图。
弹性波谐振器61是与图2所示的串联臂谐振器S1同样地具有变迹型IDT电极的弹性波谐振器。不同之处在于,在弹性波谐振器61中,第一汇流条62、第二汇流条63的内侧端缘62a、63a具有与弹性波传播方向在倾斜方向上交叉的部分,即,与弹性波传播方向不平行的部分。
此外,在反射器24、25中,汇流条的内侧端缘也与第一汇流条62、第二汇流条63同样地设为与弹性波传播方向不平行。
其它结构与串联臂谐振器S1相同。因此,通过对同一部分标注同一参照编号,从而省略其说明。
像弹性波谐振器61那样,在本发明中使用的具有变迹型IDT电极的弹性波谐振器中,第一汇流条62、第二汇流条63的内侧端缘62a、63a也可以与弹性波传播方向不平行。如果不平行,则在弹性波传播方向上第一虚设电极指30、第二虚设电极指31所占的区域变少。因此,也能够有效地抑制由瑞利波的纵模造成的纹波。基于具体的实施例对此进行说明。
作为第二实施方式的上述弹性波谐振器61的实施例,制作了以下的实施例2的弹性波谐振器。
在实施例2的弹性波谐振器61中,除了第一汇流条62、第二汇流条63的内侧端缘62a、63a如图6所示那样构成为具有与包络线X1、X2平行的部分、即与弹性波传播方向不平行的部分以外,设为与实施例1的弹性波谐振器相同。
在图7中用实线示出上述实施例2的弹性波谐振器的通过特性。如图7所示,在实施例1和比较例1的弹性波谐振器中,如箭头C所示,在924MHz附近出现了纹波。这是由瑞利波的纵模造成的纹波。相对于此,在实施例2的弹性波谐振器中,并未出现由该瑞利波的纵模造成的纹波。如图7所示,虽然由瑞利波的纵模造成的纹波位于通带的外侧,但是由于靠近通带,因此对滤波器特性带来不良影响。因而,优选对用该箭头C示出的纹波也进行抑制。
在第二实施方式中,串联臂谐振器S1、S2使用上述弹性波谐振器61构成,因此由瑞利波的纵模造成的纹波的影响也能够有效地抑制。参照图8对此进行说明。
像以下那样得到了实施例4的弹性波滤波器装置。使用实施例2的弹性波谐振器61构成了串联臂谐振器S1、S2。其它结构设为与实施例3的弹性波滤波器装置相同。在图8中用实线示出这样构成的实施例4的弹性波滤波器装置的滤波器特性。根据图8可明确,在用箭头C4示出的部分,虽然在比较例2以及实施例3中出现了由瑞利波的纵模所引起的响应造成的不良影响,但是在实施例4中,并未出现由该瑞利波的纵模所引起的响应造成的不良影响。因此,根据实施例4的弹性波滤波器装置,能够更进一步改善滤波器特性。
像上述的那样,在第一实施方式、第二实施方式的弹性波滤波器装置中,串联臂谐振器S1、S2双方具有变迹型IDT电极。在本发明中,未必一定要全部的串联臂谐振器具有变迹型IDT电极。即,只要至少一个串联臂谐振器具有变迹型IDT电极即可。由此,能够抑制由瑞利波的横模造成的纹波,能够抑制滤波器特性的劣化。不过,优选的是,全部的串联臂谐振器具有变迹型IDT电极。由此,能够更进一步有效地抑制由瑞利波的横模造成的响应。
图9是示出应用本发明的梯型滤波器的一个例子的电路图。图9所示的弹性波滤波器装置71具有串联臂谐振器S11~S14以及并联臂谐振器P11~P13。即,弹性波滤波器装置71是梯型滤波器。本发明的弹性波滤波器装置也可以是不具有纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的梯型滤波器。此外,关于梯型滤波器的级数,也没有特别限定。
在弹性波滤波器装置71中,也只要是串联臂谐振器S11~S14中的至少一个串联臂谐振器具有变迹型IDT电极即可。此外,剩余的串联臂谐振器也可以具有利用了活塞模式的IDT电极。
此外,本发明涉及的弹性波滤波器装置也可以用于图10所示的复合滤波器装置72。在复合滤波器装置72中,多个滤波器74~76的一端公共连接于与天线连接的公共端子73。本发明涉及的弹性波滤波器装置也可以用于该滤波器74~76中的至少一个。
此外,本发明的弹性波滤波器装置也可以用于图11所示的双工器77。在双工器77中,在一个片式部件80内设置有作为带通型滤波器的第一滤波器装置78、第二滤波器装置79。第一滤波器装置78、第二滤波器装置79的一端被公共连接。本发明的弹性波滤波器装置能够用于该第一滤波器装置78、第二滤波器装置79中的至少一者。不过,优选的是,第一滤波器装置78、第二滤波器装置79为本发明的第一弹性波滤波器装置、第二弹性波滤波器装置。另外,虽然选取双工器为例进行了说明,但是本发明也可以应用于具有三个以上的滤波器装置的多工器。
附图标记说明
1:弹性波滤波器装置;
2:输入端子;
3:输出端子;
11:纵向耦合谐振器型弹性波滤波器;
12、13:第一纵向耦合谐振器型弹性波滤波器部、第二纵向耦合谐振器型弹性波滤波器部;
12a~12e:IDT电极;
12f、12g:反射器;
20:压电基板;
21:SiO2膜;
23:IDT电极;
24、25:反射器;
24a、25a:汇流条;
26、27:第一汇流条、第二汇流条;
28、29:第一电极指、第二电极指;
30、31:第一虚设电极指、第二虚设电极指;
41:IDT电极;
42、43:反射器;
44、45:第一汇流条、第二汇流条;
44a、45a:内侧汇流条部;
44b、45b:外侧汇流条部;
44c、45c:连结部;
46、47:第一电极指、第二电极指;
46a、46b、47a、47b:宽幅部;
51:第一汇流条;
51a:内侧汇流条部;
51b:外侧汇流条部;
51c:连结部;
53、54:第一电极指、第二电极指;
53a、54a:宽幅部;
61:弹性波谐振器;
62、63:第一汇流条、第二汇流条;
62a、63a:内侧端缘;
71:弹性波滤波器装置;
72:复合滤波器装置;
73:公共端子;
74~76:滤波器;
77:双工器;
78、79:第一滤波器装置、第二滤波器装置;
80:片式部件;
P1、P2、P11~P13:并联臂谐振器;
S1、S2、S11~S14:串联臂谐振器。
Claims (7)
1.一种弹性波滤波器装置,具备:
至少一个串联臂谐振器,配置在连结输入端和输出端的串联臂;
并联臂谐振器,配置在连结所述串联臂和接地电位的至少一个并联臂;以及
纵向耦合谐振器型弹性波滤波器,配置在所述串联臂,
所述串联臂谐振器、所述并联臂谐振器以及所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器由具有压电基板和设置在所述压电基板上的IDT电极的弹性波谐振器构成,至少一个所述串联臂谐振器的所述IDT电极为实施了交叉宽度加权的变迹型IDT电极,在所述并联臂谐振器以及所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的所述IDT电极中,在多根第一电极指和多根第二电极指在弹性波传播方向上相互重叠的交叉部中,该交叉部具有中央区域和在与弹性波传播方向正交的方向上设置在所述中央区域的两外侧的低声速区域,所述低声速区域中的弹性波的声速被设得比所述中央区域中的弹性波的声速低,在与弹性波传播方向正交的方向上,在各所述低声速区域的外侧设置有弹性波的声速比所述低声速区域高的高声速区域,
具有所述变迹型IDT电极的所述串联臂谐振器具有:
第一汇流条、第二汇流条;
多根第一电极指,一端与所述第一汇流条的内侧端缘连接;
多根第二电极指,一端与所述第二汇流条的内侧端缘连接;
多根第一虚设电极指,一端与所述第二汇流条连接,前端与所述多根第一电极指的前端分别对置;以及
多根第二虚设电极指,一端与所述第一汇流条连接,前端与所述多根第二电极指的前端分别对置,
所述第一汇流条、所述第二汇流条的分别连接有所述第一电极指、所述第二电极指的各所述内侧端缘具有与弹性波传播方向不平行的部分。
2.根据权利要求1所述的弹性波滤波器装置,其中,
全部的所述串联臂谐振器具有所述变迹型IDT电极。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波滤波器装置,其中,
所述弹性波滤波器装置利用了洛夫波。
4.根据权利要求1或2所述的弹性波滤波器装置,其中,
所述压电基板由LiNbO3构成。
5.根据权利要求1或2所述的弹性波滤波器装置,其中,
所述弹性波滤波器装置是梯型滤波器。
6.一种多工器,具备:
权利要求1~5中的任一项所述的弹性波滤波器装置;以及
第二弹性波滤波器装置,由带通型滤波器构成,一端与所述弹性波滤波器装置公共连接。
7.一种复合滤波器装置,具备:
权利要求1~5中的任一项所述的弹性波滤波器装置;以及
多个滤波器,一端与所述弹性波滤波器装置公共连接。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017111804 | 2017-06-06 | ||
JP2017-111804 | 2017-06-06 | ||
PCT/JP2018/021208 WO2018225650A1 (ja) | 2017-06-06 | 2018-06-01 | 弾性波フィルタ装置、マルチプレクサ及び複合フィルタ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110663174A CN110663174A (zh) | 2020-01-07 |
CN110663174B true CN110663174B (zh) | 2023-12-29 |
Family
ID=64566663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880031748.4A Active CN110663174B (zh) | 2017-06-06 | 2018-06-01 | 弹性波滤波器装置、多工器以及复合滤波器装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11496116B2 (zh) |
JP (1) | JP6766961B2 (zh) |
KR (1) | KR102332100B1 (zh) |
CN (1) | CN110663174B (zh) |
WO (1) | WO2018225650A1 (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102472455B1 (ko) * | 2018-03-14 | 2022-11-30 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
JP7168066B2 (ja) * | 2019-03-11 | 2022-11-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2020262388A1 (ja) | 2019-06-24 | 2020-12-30 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置 |
JP7268747B2 (ja) * | 2019-08-30 | 2023-05-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
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-
2018
- 2018-06-01 JP JP2019523509A patent/JP6766961B2/ja active Active
- 2018-06-01 CN CN201880031748.4A patent/CN110663174B/zh active Active
- 2018-06-01 WO PCT/JP2018/021208 patent/WO2018225650A1/ja active Application Filing
- 2018-06-01 KR KR1020197033434A patent/KR102332100B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-11-04 US US16/672,563 patent/US11496116B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018225650A1 (ja) | 2018-12-13 |
US11496116B2 (en) | 2022-11-08 |
JP6766961B2 (ja) | 2020-10-14 |
CN110663174A (zh) | 2020-01-07 |
KR102332100B1 (ko) | 2021-11-29 |
US20200067489A1 (en) | 2020-02-27 |
JPWO2018225650A1 (ja) | 2020-01-16 |
KR20190133052A (ko) | 2019-11-29 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |