CN110610852A - 一种金属表面残胶的去除方法 - Google Patents

一种金属表面残胶的去除方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110610852A
CN110610852A CN201910923048.2A CN201910923048A CN110610852A CN 110610852 A CN110610852 A CN 110610852A CN 201910923048 A CN201910923048 A CN 201910923048A CN 110610852 A CN110610852 A CN 110610852A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal
residual glue
sulfuric acid
glue
removing residual
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910923048.2A
Other languages
English (en)
Inventor
唐红梅
杨亚峰
王毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yangzhou Yangjie Electronic Co Ltd
Original Assignee
Yangzhou Yangjie Electronic Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yangzhou Yangjie Electronic Co Ltd filed Critical Yangzhou Yangjie Electronic Co Ltd
Priority to CN201910923048.2A priority Critical patent/CN110610852A/zh
Publication of CN110610852A publication Critical patent/CN110610852A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

一种金属表面残胶的去除方法。涉及一种半导体制造技术分立器件制造技术领域，尤其涉及一种金属表面残胶的去除方法。提供了一种将Ag金属表面的残胶去除干净，同时又不损伤金属表面的一种金属表面残胶的去除方法。本发明中使用98%的浓硫酸来去除Ag表面的残胶。硫酸为强酸，加热情况下，能和几乎所有金属发生化学反应（除了金与铂）。高浓度的硫酸有强烈的吸水性，可用作脱水剂，该处就使用低温的浓硫酸使Ag表面的残胶碳化脱落，从而达到去除的目的。本发明具有方法简便，能将Ag金属表面的残胶去除干净等特点。

Description

一种金属表面残胶的去除方法
技术领域
本发明涉及一种半导体制造技术分立器件制造技术领域，尤其涉及一种金属表面残胶的去除方法。
背景技术
在分立器件制造技术中，常规的金属Ag、Al表面上的光刻胶，使用有机去胶液去胶，有机去胶液为中性或弱碱性化剂，对金属表面影响不大。当出现异常时，如：烘烤时间过长、胶过厚，使用去胶液一次无法去除干净时，再选择有机去胶液二次去胶也无法去除干净。Al金属表面这时可以选择干法去胶，Ag金属这样的残胶无法使用干法去胶，干法去胶使用O2，Ag和O2易氧化生成黑色的氧化银，和金属发生化学反应。
现需要将Ag金属表面的残胶去除干净，同时又不损伤金属。
发明内容
本发明针对以上问题，提供了一种将Ag金属表面的残胶去除干净，同时又不损伤金属表面的一种金属表面残胶的去除方法。
本发明的技术方案是：
1.1）在无尘室内，将常温下浓度为98%的浓硫酸倒入清洗槽中；
1.2）将有残胶的Ag金属产品放置步骤1.1）的清洗槽中进浸泡；
1.3）将步骤1.2）中浸泡后的Ag金属产品取出，放入大量的水中冲洗表面的酸液，祛除表面的残胶。
2、根据权利要求1所述的一种金属表面残胶的去除方法，其特征在于，所述步骤1.2）中浸泡时间为5min。
本发明中使用98%的浓硫酸来去除Ag表面的残胶。硫酸为强酸，加热情况下，能和几乎所有金属发生化学反应（除了金与铂）。高浓度的硫酸有强烈的吸水性，可用作脱水剂，该处就使用低温的浓硫酸使Ag表面的残胶碳化脱落，从而达到去除的目的。本发明具有方法简便，能将Ag金属表面的残胶去除干净等特点。
具体实施方式
本发明一种金属表面残胶的去除方法，
1.1）在无尘室内，将常温下浓度为98%的浓硫酸倒入清洗槽中；
1.2）将有残胶的Ag金属产品放置步骤1.1）的清洗槽中进浸泡；
1.3）将步骤1.2）中浸泡后的Ag金属产品取出，放入大量的水中冲洗表面的酸液，祛除表面的残胶。
所述步骤1.2）中浸泡时间为5min。
本发明的目的：金属Ag表面的残胶，无法去除干净，现使用98%的浓硫酸来去除Ag表面的残胶。硫酸为强酸，加热情况下，能和几乎所有金属发生化学反应（除了金与铂）。高浓度的硫酸有强烈的吸水性，可用作脱水剂，本案就使用常温的浓硫酸使Ag表面的残胶碳化脱落，从而达到去除的目的。
对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：
（1）、本案所公开的实施例只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；
（2）、在不冲突的情况下，本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例；
以上，仅为本案所公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (2)

1.一种金属表面残胶的去除方法，其特征在于，
1.1）在无尘室内，将常温下浓度为98%的浓硫酸倒入清洗槽中；
1.2）将有残胶的Ag金属产品放置步骤1.1）的清洗槽中进浸泡；
1.3）将步骤1.2）中浸泡后的Ag金属产品取出，放入大量的水中冲洗表面的酸液，祛除表面的残胶。
2.根据权利要求1所述的一种金属表面残胶的去除方法，其特征在于，所述步骤1.2）中浸泡时间为5min。
CN201910923048.2A 2019-09-27 2019-09-27 一种金属表面残胶的去除方法 Pending CN110610852A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910923048.2A CN110610852A (zh) 2019-09-27 2019-09-27 一种金属表面残胶的去除方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910923048.2A CN110610852A (zh) 2019-09-27 2019-09-27 一种金属表面残胶的去除方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110610852A true CN110610852A (zh) 2019-12-24

Family

ID=68893627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910923048.2A Pending CN110610852A (zh) 2019-09-27 2019-09-27 一种金属表面残胶的去除方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110610852A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111729893A (zh) * 2020-05-20 2020-10-02 宁夏隆基硅材料有限公司 一种半导体废料除胶方法及装置
CN112080786A (zh) * 2020-09-08 2020-12-15 东莞领杰金属精密制造科技有限公司 一种金属表层异色深度还原液及还原方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050191584A1 (en) * 2004-02-27 2005-09-01 Kevin Shea Surface treatment of a dry-developed hard mask and surface treatment compositions used therefor
JP2012146690A (ja) * 2009-03-31 2012-08-02 Kurita Water Ind Ltd 電子材料洗浄方法及び電子材料洗浄装置
CN102751397A (zh) * 2011-04-22 2012-10-24 比亚迪股份有限公司 一种蓝宝石图形衬底激光剥离的方法
CN102856431A (zh) * 2012-08-12 2013-01-02 安阳市凤凰光伏科技有限公司 太阳能电池碎片的残胶处理方法
CN103545171A (zh) * 2012-07-17 2014-01-29 北大方正集团有限公司 一种大功率器件表面保护材料去除方法
US9070636B2 (en) * 2010-09-27 2015-06-30 Fujifilm Corporation Cleaning agent for semiconductor substrate, cleaning method using the cleaning agent, and method for producing semiconductor element
CN104779180A (zh) * 2014-01-14 2015-07-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光阻胶清洗腔室和去除超厚金属层上残余光阻胶的方法
CN108508711A (zh) * 2017-02-28 2018-09-07 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种正性光刻胶的去除方法
CN109950137A (zh) * 2019-04-11 2019-06-28 江苏美科硅能源有限公司 一种用于处理切割带胶条碎片料处理方法
CN110148555A (zh) * 2019-06-05 2019-08-20 扬州扬杰电子科技股份有限公司 一种用于势垒前的氢氟酸雾清洗工艺
CN209303407U (zh) * 2018-12-18 2019-08-27 苏州市晶协高新电子材料有限公司 一种玻璃晶片脱胶装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050191584A1 (en) * 2004-02-27 2005-09-01 Kevin Shea Surface treatment of a dry-developed hard mask and surface treatment compositions used therefor
JP2012146690A (ja) * 2009-03-31 2012-08-02 Kurita Water Ind Ltd 電子材料洗浄方法及び電子材料洗浄装置
US9070636B2 (en) * 2010-09-27 2015-06-30 Fujifilm Corporation Cleaning agent for semiconductor substrate, cleaning method using the cleaning agent, and method for producing semiconductor element
CN102751397A (zh) * 2011-04-22 2012-10-24 比亚迪股份有限公司 一种蓝宝石图形衬底激光剥离的方法
CN103545171A (zh) * 2012-07-17 2014-01-29 北大方正集团有限公司 一种大功率器件表面保护材料去除方法
CN102856431A (zh) * 2012-08-12 2013-01-02 安阳市凤凰光伏科技有限公司 太阳能电池碎片的残胶处理方法
CN104779180A (zh) * 2014-01-14 2015-07-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光阻胶清洗腔室和去除超厚金属层上残余光阻胶的方法
CN108508711A (zh) * 2017-02-28 2018-09-07 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种正性光刻胶的去除方法
CN209303407U (zh) * 2018-12-18 2019-08-27 苏州市晶协高新电子材料有限公司 一种玻璃晶片脱胶装置
CN109950137A (zh) * 2019-04-11 2019-06-28 江苏美科硅能源有限公司 一种用于处理切割带胶条碎片料处理方法
CN110148555A (zh) * 2019-06-05 2019-08-20 扬州扬杰电子科技股份有限公司 一种用于势垒前的氢氟酸雾清洗工艺

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
万积庆: "解剖进口集成电路时去黑胶的方法", 《半导体技术》 *
刘宜霖等: "基于阴离子表面活性剂的铜CMP后清洗新型碱性清洗液 ", 《微纳电子技术》 *
潘桂忠: "《MOS集成电路工艺与制造技术》", 30 June 2012 *
陈鸿彬: "《高纯试剂提纯与制备》", 31 May 1983 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111729893A (zh) * 2020-05-20 2020-10-02 宁夏隆基硅材料有限公司 一种半导体废料除胶方法及装置
CN112080786A (zh) * 2020-09-08 2020-12-15 东莞领杰金属精密制造科技有限公司 一种金属表层异色深度还原液及还原方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102343352B (zh) 一种太阳能硅片的回收方法
JP2005512271A5 (zh)
CN110610852A (zh) 一种金属表面残胶的去除方法
CN102296369B (zh) 一种多晶硅酸法制绒工艺
CN111508824A (zh) 一种制绒清洗方法及异质结电池
CN103422110A (zh) 一种金属零部件表面清洗方法
CN104009125B (zh) 多晶硅片的制绒工艺
CN104218122A (zh) 一种降低金刚线切割的多晶硅反射率的制绒方法
CN105002564A (zh) 一种环保型蓝宝石膜层退镀液及其使用方法
CN109537039A (zh) 一种铝腐蚀箔前处理工艺
CN101490627B (zh) 用于去除刻蚀残留物的组合物
CN101968610A (zh) 一种全湿刻蚀后去胶的方法
CN103400901A (zh) 一种太阳能电池表面的二次腐蚀制绒工艺
CN104393094B (zh) 一种用于hit电池的n型硅片清洗制绒方法
CN104726853A (zh) 一种光学用铜表面消光发黑处理方法
CN102364697B (zh) 一种去除rie制绒后晶体硅表面的微损伤层的方法
CN106833954A (zh) 单晶硅片制绒预清洗液的添加剂及其应用
CN108493270A (zh) 一种碱清洗干法制绒工艺
CN104613732A (zh) 一种外延前抛光片清洗后的快速干燥方法
CN112706241A (zh) 一种生产办公家具用弯曲工艺
CN108511316A (zh) 半导体晶片的清洗方法
CN106948000A (zh) 一种提高中高压腐蚀箔腐蚀层强度的腐蚀工艺方法
CN106571411B (zh) 一种晶体硅片的刻蚀方法
US20150079786A1 (en) Method and solution for cleaning metal residue
CN112746277A (zh) 不锈钢表面清洗剂及清洗方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20191224