CN110579832A - 光学构件和包括该光学构件的显示器 - Google Patents

光学构件和包括该光学构件的显示器 Download PDF

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Abstract

本发明提供光学构件和包括该光学构件的显示器。一种光学构件包括导光板；低折射层，其设置在导光板上并且具有小于导光板的折射率的折射率；低折射底层，其设置在低折射层和导光板之间并且具有小于低折射层的厚度的厚度；以及波长转换层，其设置在低折射层上。

Description

光学构件和包括该光学构件的显示器
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年6月8日提交的韩国专利申请No.10-2018-0066151的优先权和权益，其因此通过引用并入本文用于所有目的，如同在本文充分阐述一样。
技术领域
本发明的示例性实施方式总体涉及光学构件，并且更具体地涉及包括该光学构件的显示器。
背景技术
液晶显示器通常接收来自背光组件的光并显示图像。一些背光组件包括光源和导光板。导光板可以接收来自光源的光，并将光导向显示面板。在一些产品中，光源提供白光，并且白光通过显示面板的滤色器过滤以实现颜色。
最近，已经对应用波长转换膜以改善图像质量(例如液晶显示器的颜色再现性)进行了研究。通常，蓝光源用作光源，并且波长转换膜设置在导光板上以将蓝光转换成白光。波长转换膜通常包括波长转换颗粒。由于波长转换颗粒通常易受水分影响，因此它们用阻挡膜保护。然而，阻挡膜是昂贵的并且可能增加装置的总厚度。此外，由于波长转换膜应该层压在导光板上，因此可能需要复杂的组装过程。
在背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据本发明的示例性实施方式的具有层压结构的光学构件和包括该光学构件的显示装置能够提供改善的光透射效率。
本发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将从该描述中显而易见，或者可以通过本发明构思的实践来了解。
根据示例性实施方式的光学构件包括导光板；低折射层，其设置在导光板上并且具有小于导光板的折射率的折射率；低折射底层，其设置在低折射层和导光板之间并且具有小于低折射层的厚度的厚度；以及波长转换层，其设置在低折射层上。
根据另一示例性实施方式的光学构件包括导光板；低折射层，其设置在导光板上并且具有小于导光板的折射率的折射率；波长转换层，其设置在低折射层上；以及低折射覆盖层，其设置在低折射层和波长转换层之间并且具有小于低折射层的厚度的厚度。
根据又一示例性实施方式的光学构件包括导光板；低折射层，其设置在导光板上并且具有小于导光板的折射率的折射率；波长转换层，其设置在低折射层上；低折射底层，其设置在低折射层和导光板之间；以及低折射覆盖层，其设置在低折射层和波长转换层之间。
根据又一示例的显示器包括光学构件、光源和显示面板，所述光学构件包括导光板；低折射层，其设置在导光板上并且具有小于导光板的折射率的折射率；低折射底层，其设置在低折射层和导光板之间；以及波长转换层，其设置在低折射层上，所述光源设置在导光板的至少一个侧面上，并且所述显示面板设置在光学构件上。
根据又一示例性实施方式的显示器包括光学构件、光源和显示面板，所述光学构件包括导光板；低折射层，其设置在导光板上并且具有小于导光板的折射率的折射率；波长转换层，其设置在低折射层上；以及低折射覆盖层，其设置在低折射层和波长转换层之间，所述光源设置在导光板的至少一个侧面上，并且所述显示面板设置在光学构件上。
应理解，前面的一般性描述和以下的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的示例性实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明构思。
图1是根据示例性实施方式的光学构件和光源的透视图。
图2是沿图1中的线II-II'截取的截面图。
图3和图4是根据示例性实施方式的低折射层的截面图。
图5A是示出根据示例性实施方式的波长转换底层的表格，并且图5B是示出透射率相对于导光板上的硅氮化物(SiNx)的厚度的变化的曲线图。
图6A、图6B、图6C和图6D是示出用于针对图5A的每种情况确保最大透射率的层压结构和厚度的表格。
图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13和图14是根据示例性实施方式的波长转换底层的截面图。
图15A是示出根据示例性实施方式的波长转换覆盖层的表格，并且图15B是示出透射率相对于波长转换层上的硅氮化物(SiNx)的厚度的变化的曲线图。
图16A、图16B和图16C是表示用于针对图15A的每种情况确保最大透射率的层压结构和厚度的表格。
图17、图18、图19和图20是根据示例性实施方式的波长转换覆盖层的截面图。
图21、图22和图23是根据示例性实施方式的光学构件的截面图。
图24是根据示例性实施方式的显示器的截面图。
图25是根据示例性实施方式的显示器的截面图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻理解。如本文所使用的，“实施例”和“实施方式”是可互换的词，其是采用本文公开的一个或多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者利用一个或多个等同布置来实践各种示例性实施方式。在其他情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种示例性实施方式。此外，各种示例性实施方式可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，示例性实施方式的特定形状、配置和特性可以在另一示例性实施方式中使用或实现。
除非另有说明，否则所示出的示例性实施方式应被理解为提供可以在实践中实现本发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则各种实施方式的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文中单独地或统称为“元件”)可以在不脱离本发明构思的情况下另外组合、分离、互换和/或重新布置。
通常提供在附图中使用交叉影线和/或阴影来阐明相邻元件之间的边界。因此，除非另有说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不会传达或表明对元件的特定材料、材料特性、尺寸、比例、图示元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可放大元件的尺寸和相对大小。当示例性实施方式可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定处理顺序。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。而且，相同的附图标记表示相同的元件。
当诸如层的元件被称为在另一元件或层“上”、“连接到”另一元件或层或“耦接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上，直接连接到另一元件或层或耦接到另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在另一元件或层上”、“直接连接到”另一元件或层或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指物理、电气和/或流体连接、具有或不具有中间元件。此外，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴(例如x轴，y轴和z轴)，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，如例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。
尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
空间相对术语，例如“下方”、“之下”、“低于”、“更低”、“上方”、“高于”、“之上”、“更高”、“侧面”(例如，“侧壁”)等可以在本文中用于描述目的，并且由此描述附图中所示的一个元件与其他元件(一个或多个)的关系。除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在涵盖使用、操作和/或制造中的设备的不同取向。例如，如果图中的设备被翻转，则描述为在其他元件或特征“之下”或“下方”的元件将被定向在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“之下”可以包括上方和下方的两个取向。此外，该设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或在其他取向)，并且因此，本文使用的空间相对描述符相应地被解释。
本文使用的术语是为了描述特定实施方式的目的，而不旨在限制。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确说明。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”指定所述特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。还应注意，如本文所使用的，术语“基本上”、“约”和其他类似术语用作近似项而不是程度项，并且因此用于考虑本领域普通技术人员将认识到的测量的、计算的和/或提供的值中的固有偏差。
本文参考截面图和/或分解图描述了各种示例性实施方式，所述截面图和/或分解图是理想化示例性实施方式和/或中间结构的示意图。因此，可以预期由于例如制造技术和/或公差导致的图示形状的变化。因此，本文公开的示例性实施方式不应一定被解释为限于特定示出的区域形状，而是包括由例如制造导致的形状偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，并且因此不一定旨在限制。
除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。诸如在常用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应该以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文明确地如此定义。
图1是根据示例性实施方式的光学构件100和光源400的透视图。图2是沿图1中的线II-II'截取的截面图。
参考图1和图2，光学构件100可以包括导光板10、设置在导光板10上的波长转换底层70、设置在波长转换底层70上的波长转换层50，以及设置在波长转换层50上的波长转换覆盖层60。波长转换底层70可以包括低折射底层20、设置在低折射底层20上的低折射层30，和设置在低折射层30上的低折射覆盖层40。
导光板10可以引导光路。导光板10通常可以具有大致多边形的柱形状。导光板10的平面形状可以是大致矩形，但是本发明构思不限于此。在示例性实施方式中，导光板10可以具有大致六面柱形状，其具有矩形平面形状，并且可以包括上表面10a、下表面10b和四个侧表面10S1、10S2、10S3和10S4。在下文中，导光板10的四个侧表面将分别表示为10S1、10S2、10S3和10S4，并且四个侧面中的一个通常表示为10S。
在示例性实施方式中，导光板10的上表面10a和下表面10b中的每一个可以设置在相应的平面上。更具体地，其上设置有上表面10a的平面可以与其上设置有下表面10b的平面基本平行，使得导光板10的总厚度是均匀的。然而，上表面10a或下表面10b可以由多个平面形成，或者其上设置有上表面10a的平面可以与其上设置有下表面10b的平面相交。例如，导光板10可以从一个侧表面(例如，光入射表面)朝向面向该一个侧表面的另一个侧表面(例如，相对表面)变薄，如楔形导光板。可替代地，下表面10b可以从一个侧表面(例如，光入射表面)朝向面向该一个侧表面的另一个侧表面(例如，相对表面)向上倾斜直到预定距离，使得导光板10变薄直到预定距离，并且然后超过预定距离具有基本均匀的厚度。
在根据示例性实施方式的光学构件100中，光源400可以与导光板10的至少一个侧表面10S相邻地设置。在图1中，多个发光二极管(LED)光源410安装在印刷电路板420上，并且与导光板10的侧表面10S1相邻地设置。然而，本发明构思不限于此，并且例如，LED光源410可以沿着两个长侧面与侧表面10S1和10S3相邻地设置，或者可以沿着一个短侧面与侧表面10S2或10S4相邻地设置，或者设置成与两个短侧面处的侧表面10S2和10S4相邻。如图1所示，导光板10的与光源400相邻的侧表面10S1可以是光入射表面，光源400的光直接入射到该光入射表面，并且面向侧表面10S1的另一长侧面处的侧表面10S3可以是相对表面。
导光板10可以包括无机材料。例如，导光板10可以由玻璃制成。
光学界面可以形成在光学构件100的层20、30、40、50和60彼此相遇的表面处。光学构件100可以包括多个光学界面30a、30b、50a和50b。每个光学界面30a、30b、50a和50b可以基本平行于导光板10的上表面10a。
波长转换底层70设置在导光板10的上表面10a上。波长转换底层70可以包括低折射层30、低折射底层20和低折射覆盖层40。波长转换底层70可以直接形成在导光板10的上表面10a上，以接触导光板10的上表面10a。波长转换底层70***在导光板10和波长转换层50之间，以有助于光学构件100的全反射。
更具体地，为了使导光板10有效地将来自光入射表面10S1的光导向相对表面10S3，应在导光板10中发生有效的全内反射。在导光板10中可以发生全内反射的一个条件是导光板10的折射率大于与导光板10形成光学界面的介质的折射率。当与导光板10形成光学界面的介质的折射率较低时，全反射临界角较小，导致更多的全内反射。
例如，当导光板10由折射率约为1.5的玻璃制成时，导光板10的下表面10b上可以发生足够的全反射，因为下表面10b暴露于折射率约为1的空气层，并且因此与空气层形成光学界面。
另一方面，由于其他光学功能层整体层压在导光板10的上表面10a上，因此与下表面10b相比，可能难以在上表面10a上实现足够的全反射。例如，如果在导光板10的上表面10a上层压折射率为1.5或更大的材料层，则在导光板10的上表面10a上不会发生全反射。此外，如果具有例如约1.49的折射率(其略小于导光板10的折射率)的材料层被层压在导光板10的上表面10a上，尽管在导光板10的上表面10a上可以发生全内反射，但由于增大的临界角，可能不会发生足够的全反射。层压在导光板10的上表面10a上的波长转换层50通常具有约1.5的折射率。如果该波长转换层50直接层压在导光板10的上表面10a上，则在导光板10的上表面10a上可能难以具有足够的全反射。
***在导光板10和波长转换层50之间以与导光板10的上表面10a形成界面的低折射层30具有比导光板10的折射率低的折射率，因此可以在导光板10的上表面10a上发生全反射。另外，低折射层30具有小于波长转换层50的折射率的折射率，波长转换层50是设置在低折射层30上的材料层，使得与在波长转换层50直接设置在导光板10的上表面10a上时相比，可以发生更多的全反射。
当低折射底层20设置在导光板10上时，由于导光板10与低折射底层20之间的折射率差异，也可以在导光板10和低折射底层20之间的界面处发生全反射。然而，以小于全反射临界角的角度入射在界面上的光可以朝向低折射底层20行进。然后，光可以在低折射底层20和低折射层30之间的界面处再次被反射或折射。当低折射层30的折射率小于低折射底层20的折射率时，在界面处也可以发生全反射。当光学构件100包括低折射底层20时，低折射底层20***在导光板10和低折射层30之间。然而，导光板10和低折射层30之间的折射率差异最终确定全反射的临界角。由于折射率差异随着低折射层30的折射率变小而增加，所以全反射临界角可以变小，导致更多的全反射。
***在导光板10和波长转换层50之间以与导光板10的上表面10a形成界面的波长转换底层70可以包括低折射层30。低折射层30具有小于导光板10的折射率的折射率，使得在低折射层30的下表面30b上可以发生全反射。此外，低折射层30具有小于波长转换层50的折射率的折射率，波长转换层50是设置在低折射层30上的材料层，使得与当波长转换层50直接设置在导光板10的上表面10a上时相比，可以发生更多的全反射。
导光板10的折射率与低折射层30的折射率之间的差异可以是0.2或更大。当低折射层30的折射率比导光板10的折射率小0.2或更多时，在低折射层30的下表面30b上可以发生足够的全反射。导光板10的折射率与低折射层30的折射率之间的差异没有上限。然而，考虑到导光板10的典型材料和低折射层30的典型折射率，导光板10的折射率和低折射层30的折射率之间的差异可以是1或更小。低折射层30的折射率可以在1.2至1.4的范围内。通常，随着固体介质的折射率变得接近1，制造成本呈指数增加。当低折射层30的折射率为1.2或更大时，可以防止制造成本的过度增加。另外，折射率为1.4或更小的低折射层30在充分降低导光板10的上表面10a的全反射临界角方面是有利的。在示例性实施方式中，可以应用具有约1.25的折射率的低折射层30。
为了具有上述低折射率，低折射层30可以包括空隙。空隙可以由真空制成，或者可以填充空气层、气体等。空隙的空间可以由颗粒或基质限定，这将在下面参考图3和图4更详细地描述。
图3和图4是根据示例性实施方式的低折射层的截面图。
在示例性实施方式中，低折射层30可以包括多个颗粒PT、围绕颗粒PT并形成为单片的基质MX，以及多个空隙VD，如图3所示。颗粒PT可以是调节低折射层30的折射率和机械强度的填料。
颗粒PT可以分散在低折射层30的基质MX内，并且空隙VD可以形成在基质MX的开口部分中。例如，在颗粒PT和基质MX在溶剂中混合之后，并且当混合物干燥和/或固化时，可以蒸发溶剂。此时，空隙VD可以形成在基质MX的部分之间。
在示例性实施方式中，低折射层30可以包括基质MX和空隙VD而没有颗粒，如图4所示。例如，低折射层30可以包括形成为单片的基质MX(如泡沫树脂)，以及设置在基质MX中的多个空隙VD。
当低折射层30包括空隙VD时，如图3和图4所示，低折射层30的总折射率可以具有在颗粒PT/基质MX的折射率和空隙VD的折射率之间的值。当空隙VD填充有折射率为1的真空，或折射率为约1的空气层或气体时，即使使用折射率为1.4或更大的材料作为颗粒PT/基质MX，低折射层30的总折射率也可以具有1.4或更小的值，例如，大约1.25。在示例性实施方式中，颗粒PT可以由无机材料(例如SiO2、Fe2O3或MgF2)制成，并且基质MX可以由有机材料(例如聚硅氧烷)制成。然而，本发明构思不限于此，并且可以使用其他有机材料或无机材料。
返回参考图1和图2，低折射层30可以具有0.4μm至2μm的厚度。当低折射层30的厚度为0.4μm或更大(其是可见光波长范围)时，低折射层30可以形成有效的光学界面。因此，根据斯涅尔定律(Snell’s law)的全反射可以很好地发生在低折射层30的下表面30b上。太厚的低折射层30可以不利于光学构件100的变薄，增加材料成本，并且破坏光学构件100的发光性。因此，低折射层30可以形成为具有2μm或更小的厚度。在示例性实施方式中，低折射层30的厚度可为约1μm。
低折射底层20可以设置在导光板10和低折射层30之间。低折射底层20可以直接形成在导光板10的上表面10a上以接触导光板10的上表面10a。另外，低折射底层20可以接触低折射层30的下表面30b。低折射底层20可以***在导光板10和低折射层30之间。低折射底层20的折射率可以大于低折射层30的折射率。低折射底层20可以具有单层结构，并且包括低折射材料和高折射材料中的任何一种。可替代地，低折射底层20可以具有多层结构，其中低折射材料和高折射材料交替层压。低折射材料的折射率可以是1.3至1.7。高折射材料的折射率可以是1.5至2.2。在示例性实施方式中，低折射材料可以是硅氧化物(SiOx)，并且高折射材料可以是硅氮化物(SiNx)。然而，低折射材料和高折射材料可以是满足上述折射率的各种其他材料。
由于光的相长干涉或相消干涉的影响根据低折射底层20的层压材料和层压厚度而变化，因此可以改变光透射率。即，可以通过控制低折射底层20的层压材料和层压厚度来调节光透射率。另外，当低折射底层20包括无机层时，无机层可以用作保护层，以防止水分/氧气渗透到低折射层30中。
低折射覆盖层40可以设置在低折射层30和波长转换层50之间。低折射覆盖层40可以直接形成在低折射层30的上表面上以接触低折射层30的上表面。另外，低折射覆盖层40可以接触波长转换层50的下表面。低折射覆盖层40可以***在低折射层30和波长转换层50之间。低折射覆盖层40的折射率可以大于低折射层30的折射率。低折射覆盖层40有助于引起从低折射层30的上表面朝向波长转换层50的全反射。低折射覆盖层40可以具有包括低折射材料和高折射材料中的任何一种的单层结构。可替代地，低折射覆盖层40可以具有多层结构，其中低折射材料和高折射材料交替层压。如在低折射底层20中那样，低折射材料的折射率可以是1.2至1.7。高折射材料的折射率可以是1.5至2.2。在示例性实施方式中，低折射材料可以是硅氧化物(SiOx)，并且高折射材料可以是硅氮化物(SiNx)。然而，低折射材料和高折射材料可以包括满足上述折射率的各种其他材料。
由于光的相长干涉或相消干涉的影响根据低折射覆盖层40的层压材料和层压厚度而改变，因此可以改变光透射率。也就是说，可以通过控制低折射覆盖层40的层压材料和层压厚度来调节光透射率。此外，低折射覆盖层40可以提高光学构件100的光学效率。当透射通过低折射层30的光进入波长转换层50并遇到分散的散射颗粒时，随着其波长的改变，光被散射。这里，部分散射光可以朝向导光板10返回。如果低折射覆盖层40具有高于低折射层30的折射率的折射率，则光可以在低折射覆盖层40和低折射层30之间的界面处全反射，并且可以向上返回反射，从而提高显示器的光学效率，例如亮度。
低折射覆盖层40可以与低折射层30完全重叠，以防止水分和/或氧气渗透到低折射层30中。也就是说，低折射覆盖层40可以防止低折射层30的变形，并且通过增加硬度来确保结构稳定性。另外，包括无机层的低折射覆盖层40可以防止水分和/或氧气渗透到设置在低折射覆盖层40上的波长转换层50和设置在低折射覆盖层40下方的低折射层30中。
可以通过诸如沉积和涂覆的方法形成波长转换底层70。波长转换底层70可以按照低折射底层20、低折射层30和低折射覆盖层40的顺序形成在导光板10上。在示例性实施方式中，低折射底层20和低折射覆盖层40可以通过使用化学气相沉积方法由包括无机材料的无机层形成。低折射层30可以通过使用涂覆方法由包括有机材料的有机层形成。涂覆方法的示例包括狭缝涂覆、旋转涂覆、滚动涂覆、喷雾涂覆和喷墨。然而，本发明构思不限于特定的涂覆方法，并且可以应用各种其他层压方法。
波长转换层50设置在波长转换底层70上。在示例性实施方式中，当波长转换底层70包括低折射覆盖层40时，波长转换层50可以设置在低折射覆盖层40的上表面上。在示例性实施方式中，当波长转换底层70不包括低折射覆盖层40时，波长转换层50可以设置在低折射层30的上表面上。波长转换层50可以包括粘合剂层和分散在粘合剂层中的波长转换颗粒。除了波长转换颗粒之外，波长转换层50还可以进一步包括分散在粘合剂层中的散射颗粒。
粘合剂层是波长转换颗粒被分散到的介质，并且可以由通常称为粘合剂的各种树脂组合物制成。然而，本发明构思不限于此，并且可以将波长转换颗粒和/或散射颗粒可以分散到的任何介质称为粘合剂层，而不管其名称、附加的其他功能、构成材料等。
波长转换颗粒是转换入射光的波长的颗粒。例如，波长转换颗粒可以是量子点、荧光材料或磷光材料。具体地，作为波长转换颗粒的示例的量子点是具有几纳米尺寸的晶体结构的材料。量子点由数百至数千个原子组成，并且表现出量子限制效应，其中能带隙由于量子点的小尺寸而增加。当具有比带隙更高能量的波长的光入射到量子点上时，量子点通过吸收光而变为激发态，并且在发射特定波长的光的同时下降到基态。发射的特定波长的光具有对应于带隙的值。通过控制量子点的大小和组合物，可以调节来自量子限制效应的量子点的发光特性。
量子点可以包括II-VI族化合物、II-V族化合物、III-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物和II-IV-V族化合物中的至少一种。
量子点可以包括核和覆盖核的壳。核可以是但不限于例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InP、InAs、InSb、SiC、Ca、Se、In、P、Fe、Pt、Ni、Co、Al、Ag、Au、Cu、FePt、Fe2O3、Fe3O4、Si和Ge中的至少一种。壳可以包括但不限于例如ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe和PbTe中的至少一种。
波长转换颗粒可以包括将入射光转换成具有不同波长的光的多个波长转换颗粒。例如，波长转换颗粒可以包括将特定波长的入射光转换为第一波长的光并发射第一波长的光的第一波长转换颗粒，以及将特定波长的入射光转换为第二波长的光并发射第二波长的光的第二波长转换颗粒。在示例性实施方式中，从光源400发射并且然后入射在波长转换颗粒上的光可以是蓝波长的光，第一波长可以是绿波长，并且第二波长可以是红波长。例如，蓝波长可以是具有420nm至470nm的峰值的波长，绿波长可以是具有520nm至570nm的峰值的波长，并且红波长可以是具有620nm至670nm的峰值的波长。然而，本发明构思不限于此，并且可以使用可以被识别为蓝、绿和红的所有波长范围。
在上述示例性实施方式中，当入射在波长转换层50上的蓝光穿过波长转换层50时，一部分蓝光可以入射在第一波长转换颗粒上以转换成绿波长，并且作为绿波长的光发射，蓝光的另一部分可以入射在第二波长转换颗粒上以转换成红波长并且作为红波长的光发射，并且蓝光的剩余部分可以被发射，因为其没有进入第一波长转换颗粒和第二波长转换颗粒。因此，已经穿过波长转换层50的光包括所有蓝波长的光、绿波长的光和红波长的光。如果适当地调节不同波长的发射光的比率，则可以显示白光或其他颜色的出射光。由波长转换层50转换的光集中在窄的特定波长范围内，并具有窄半宽的锐利光谱。因此，当使用滤色器过滤这种光谱的光以实现颜色时，可以改善色彩再现性。
与上述示例性实施方式不同，入射光可以是具有短波长的光，例如紫外光，并且用于将入射光转换成蓝、绿和红波长的三种类型的波长转换颗粒可以设置在波长转换层50中以发射白光。
波长转换层50还可以包括散射颗粒。散射颗粒可以是没有波长转换功能的非量子点颗粒。散射颗粒可以散射入射光以使更多的入射光进入波长转换颗粒。另外，散射颗粒可以均匀地控制每个波长的光的输出角度。具体地，当进入波长转换颗粒的入射光的一部分在其波长被波长转换颗粒转换之后被发射时，该部分入射光的发射方向具有随机散射特性。如果在波长转换层50中没有散射颗粒，则在与波长转换颗粒碰撞后发射的绿波长和红波长可以具有散射发光特性，但是在不与波长转换颗粒碰撞的情况下发射的蓝波长可以不具有散射发光特性。因此，蓝/绿/红波长的发射量可以根据输出角度而变化。散射颗粒甚至可以对在不与波长转换颗粒碰撞的情况下发射的蓝波长提供散射发光特性，从而将每个波长的光的输出角度控制为相似。散射颗粒可以由TiO2或SiO2制成。
波长转换层50可以比低折射层30厚。波长转换层50的厚度可以为约10μm至50μm。在示例性实施方式中，波长转换层50的厚度可以为约10μm。
波长转换层50可以通过诸如涂覆的方法形成。例如，波长转换层50可以通过如下形成：在具有波长转换底层70的导光板10上狭缝涂覆波长转换组合物，并干燥和固化波长转换组合物。然而，本发明构思不限于形成波长转换层50的特定方法，并且可以应用各种其他层压方法。
波长转换覆盖层60可以设置在波长转换层50上。波长转换覆盖层60可以是防止水分和/或氧气(下文中，称为“水分/氧气”)渗透的钝化层。波长转换覆盖层60可以包括多个层压层。每个层压层可以包括无机层或有机层。波长转换覆盖层60可以包括至少一个无机层。也就是说，波长转换覆盖层60可以包括单个无机层、多个无机层，或层压的有机层和无机层。
每个层压的层可以包括高折射材料、低折射材料和/或透明有机材料。波长转换覆盖层60可以具有包括低折射材料、高折射材料或透明有机材料的单层结构，或者可以具有多层结构，其中具有不同折射率的材料被层压。在示例性实施方式中，高折射材料和低折射材料可以是氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈或氮氧化硅。在示例性实施方式中，高折射材料可以是硅氮化物(SiNx)，并且低折射材料可以是硅氧化物(SiOx)。透明有机材料可以是硅树脂、丙烯酸树脂或环氧树脂。
波长转换覆盖层60可以与波长转换层50完全重叠并且覆盖波长转换层50的上表面。在示例性实施方式中，波长转换覆盖层60可以仅覆盖波长转换层50的上表面。然而，在示例性实施方式中，波长转换覆盖层60可以进一步向外延伸，以便覆盖波长转换层50的侧表面和波长转换底层70的侧表面。
波长转换覆盖层60的厚度可以是0.1μm至5μm。在示例性实施方式中，当波长转换覆盖层60不包括有机层时，波长转换覆盖层60的厚度可以是0.15μm至0.5μm。在示例性实施方式中，当波长转换覆盖层60包括有机层时，波长转换覆盖层60的厚度可以是1μm至5μm。波长转换覆盖层60的厚度可以小于波长转换层50的厚度。如果波长转换覆盖层60的厚度为0.1μm或更大，则波长转换覆盖层60可以施加显著的水分/氧气渗透防止功能。厚度为2μm或更小的波长转换覆盖层60在变薄和透射率方面是有利的。然而，本发明构思不限于波长转换覆盖层60的特定厚度，并且波长转换覆盖层60可以具有各种厚度。波长转换覆盖层60的层压材料的折射率和厚度可以影响通过上表面提取的光量，即透射率。这将在后面详细描述。
可以通过诸如涂覆和沉积的方法形成波长转换覆盖层60。例如，可以通过使用化学气相沉积方法在导光板10上形成包括无机材料的无机层，在导光板10上依次形成波长转换底层70和波长转换层50。可以通过涂覆方法在导光板10上形成包括有机材料的有机层。然而，本发明构思不限于形成波长转换覆盖层60的特定方法，并且可以应用各种其他层压方法。
如上所述，光学构件100可以同时执行光引导功能和波长转换功能。光学构件100可以包括波长转换底层70和波长转换覆盖层60。波长转换底层70可以包括低折射层30、低折射底层20和低折射覆盖层40。低折射底层20和低折射覆盖层40可以包括折射率高于低折射层30的折射率的材料。由于低折射底层20和低折射覆盖层40改变了入射在光学构件100上的光的相长干涉或相消干涉的影响，因此它们可以提高光透射率。波长转换覆盖层60可以包括由高折射材料和低折射材料中的至少一种制成的层。另外，波长转换覆盖层60可以是进一步包括透明有机材料的多层。波长转换覆盖层60完全覆盖波长转换层50以防止水分/氧气的渗透。另外，波长转换覆盖层60允许透过波长转换层50的光有效地输出到光学构件100的外部，从而提高光学效率。
另外，与作为单独膜提供的波长转换膜相比，设置在光学构件100的波长转换层50上的波长转换覆盖层60可以降低制造成本并减小厚度。例如，波长转换膜包括附着到波长转换层50的上表面和下表面的阻挡膜。阻挡膜不仅昂贵而且还具有100μm或更大的厚度。因此，波长转换膜的总厚度可以为约270μm。另一方面，根据示例性实施方式的光学构件100的除了导光板10之外的总厚度可以保持在约12μm至13μm。因此，可以减小采用光学构件100的显示器的厚度。另外，由于可以从光学构件100中省略昂贵的阻挡膜，因此可以将制造成本控制在低于使用波长转换膜时的水平。
现在将描述用于获得最大光透射率的波长转换底层70的层压结构和厚度。当光穿过具有不同折射率的介质时，光的反射和折射发生在具有不同折射率的介质相遇的点处。如果可以识别介质的折射率和厚度，则可以使用与光的反射和折射有关的菲涅耳方程获得层压结构的透射率。也就是说，可以执行用于根据波长转换底层70的层压结构和厚度来获得透射率的模拟。
图5A是示出根据示例性实施方式的波长转换底层的表格。图5B是示出透射率相对于导光板上的硅氮化物(SiNx)的厚度的变化的曲线图。图6A至图6D是示出在图5A的波长转换底层的每个层压情况下确保最大透射率的层压结构和厚度的表格。
图5A是示出用于执行模拟的条件的表。在图5A中，将作为示例描述低折射底层和低折射覆盖层中的每一个具有两层的情况。当省略低折射底层和低折射覆盖层或仅提供其中一层时，省略的一层或多层将表示为具有0μm的厚度。
参考图2和图5A，波长转换底层70以低折射底层20、低折射层30和低折射覆盖层40的顺序层压在导光板10上。波长转换底层70可以***在导光板10和波长转换层50之间。低折射底层20和低折射覆盖层40可以各自包括两层或更少层。
在模拟条件下，每层的厚度选择在0μm至0.2μm的范围内。如上所述，0μm的厚度表示不包括相应的层。在模拟条件下，低折射层30的厚度设定为1μm。包括在低折射底层20和低折射覆盖层40中的层可以由高折射材料和低折射材料制成。在示例性实施方式中，高折射材料可以是硅氮化物(SiNx)，并且低折射材料可以是硅氧化物(SiOx)。高折射材料将在下文中描述为硅氮化物(SiNx)，并且低折射材料将在下文中描述为硅氧化物(SiOx)。包括高折射材料的层和包括低折射材料的层可以交替层压。高折射材料和低折射材料的折射率可以大于低折射层30的折射率。用于获得波长转换底层70的光透射率的条件可以根据层压结构分成四个条件。
参考图5A，情况1的波长转换底层包括以高折射材料和低折射材料的顺序层压在导光板上的低折射底层20，以及以高折射材料和低折射材料的顺序层压在低折射层上的低折射覆盖层40。
情况2的波长转换底层包括以低折射材料和高折射材料的顺序层压在导光板上的低折射底层20，以及以高折射材料和低折射材料的顺序层压在低折射层上的低折射覆盖层40。
情况3的波长转换底层包括以高折射材料和低折射材料的顺序层压在导光板上的低折射底层20，以及以低折射材料和高折射材料的顺序层压在低折射层上的低折射覆盖层40。
情况4的波长转换底层包括以低折射材料和高折射材料的顺序层压在导光板上的低折射底层20，以及以低折射材料和高折射材料的顺序层压在低折射层上的低折射覆盖层40。
图5B是示出根据在情况1中的设置在导光板上的低折射底层的硅氮化物(SiNx)厚度的每个层压条件下的透射率的变化的曲线图。图5B是模拟结果的示例，并且具有其他情况的层压结构的波长转换底层的透射率也可以以与图5B中相同的方式获得。这里，透射率表示透过下波长转换底层的蓝光与从光源入射的蓝光的比率。在图5B的曲线图中，硅氮化物(SiNx)是指高折射材料，并且硅氧化物(SiOx)是指低折射材料。
参考图2和图5B，在其上执行图5B的模拟的波长转换底层70具有上述情况1的结构。情况1的波长转换底层70包括以硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的顺序层压的低折射底层20，以及以硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的顺序层压的低折射覆盖层40。低折射底层20的硅氮化物(SiNx)对应于与图5B的曲线图的X轴相对应的硅氮化物(SiNx)厚度。也就是说，在该曲线图中，低折射底层20的硅氮化物(SiNx)的厚度具有可变值，并且低折射底层20的硅氧化物(SiOx)的厚度和低折射覆盖层40的硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的厚度具有指定值。图5B示出了三个曲线图G1、G2和G3，其示出了当低折射底层20的硅氧化物(SiOx)的厚度分别为0.06μm、0.08μm和0.2μm时透射率相对于低折射底层20的硅氮化物(SiNx)厚度的变化。这里，低折射覆盖层40的硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)的厚度均为0μm，表明波长转换底层70不包括低折射覆盖层40。
G1是示出当低折射底层20的硅氧化物(SiOx)的厚度为0.06μm时透射率的变化的曲线图。G2是示出当低折射底层20的硅氧化物(SiOx)的厚度为0.08μm时透射率的变化的曲线图。G3是示出当低折射底层20的硅氧化物(SiOx)的厚度为0.2μm时透射率的变化的曲线图。当低折射底层20的硅氮化物(SiNx)厚度为约0.1μm时，G1具有最大透射率。当低折射底层20的硅氮化物(SiNx)厚度为约0.02μm或约0.14μm时，G2具有最大透射率。当低折射底层20的硅氮化物(SiNx)厚度为约0.1μm时，G3具有最大透射率。也就是说，当改变层压结构(如层压顺序和层压厚度)时，透射率也会改变。因此，可以识别每个层压条件下的最大透射率，并且因此，可以确定具有最大透射率的每个层压条件。
图6A至图6D是示出在波长转换底层的每个层压情况下确保最大蓝光透射率的层压结构和厚度的表格。在图6A至图6D中，针对每个层压情况示出了具有高透射率的三个结果值。1.5T的玻璃表示导光板具有1.5mm的厚度。结果值是在低折射层为1μm并且波长转换层为10μm的情况下执行的模拟的结果。在图6A至图6D中，硅氧化物(SiOx)是低折射材料的示例，并且硅氮化物(SiNx)是高折射材料的示例。
参考图2和图6A，情况1的结果3是根据图5B中描述的G1的结果值。情况1的结果3示出了包括低折射底层20并且包括硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiOx)为0μm的低折射覆盖层40的波长转换底层70的透射率，在低折射底层20中，0.1μm的硅氮化物(SiNx)和0.06μm的硅氧化物(SiOx)依次层压在导光板上，也就是说，不包括低折射覆盖层40。结果3的波长转换底层70具有81.3％的蓝光透射率。如果像这样获得每种情况下的最大蓝光透射率，则所有四种情况都可以具有约81.4％的最大透射率。现在将参考图7至图14详细描述根据各种示例性实施方式的波长转换底层的层压结构。
图7至图14是根据示例性实施方式的波长转换底层71至78的截面图。图7至图14示出了可以不同地布置波长转换底层的元件。波长转换底层71至78可以各自包括低折射层30，并且还可以包括低折射底层20(参见图2)和低折射覆盖层40(参见图2)。在一些示例性实施方式中，波长转换底层不包括低折射底层或低折射覆盖层。然而，为了有效地引起全反射并提高光透射率，波长转换底层71至78可以各自包括低折射底层20(参见图2)和低折射覆盖层40(参见图2)中的至少一个。低折射底层20(参见图2)和低折射覆盖层40(参见图2)可具有单层结构或多层结构，在多层结构中，高折射材料和低折射材料交替层压。硅氮化物(SiNx)将在下文中被描述为高折射材料的示例，并且硅氧化物(SiOx)将在下文中被描述为低折射材料的示例。然而，本发明构思不限于上述示例。
在图7中，波长转换底层71的低折射底层21和低折射覆盖层41具有单层结构。图7的波长转换底层71是对应于图6B中的情况2的结果2的结构。也就是说，在图7的波长转换底层71中，低折射底层21是由高折射材料制成的单层，并且低折射覆盖层41是由低折射材料制成的单层。在示例性实施方式中，低折射底层21由硅氮化物(SiNx)制成并且具有0.06μm的厚度。低折射覆盖层41由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.1μm的厚度。根据所示示例性实施方式的波长转换底层71的蓝光透射率为81.3％。
在图8中，波长转换底层72的低折射底层22a和22b包括具有不同折射率的交替层压的材料，并且低折射覆盖层42是单层结构。图8的波长转换底层72是对应于图6A中的情况1的结果1和结果2的结构。也就是说，在图8的波长转换底层72中，低折射底层22a和22b可以是包括具有不同折射率的第一低折射底层22a和第二低折射底层22b的多层，并且低折射覆盖层42可以是低折射材料的单层。第一低折射底层22a的折射率可以大于第二低折射底层22b的折射率。第二低折射底层22b可以包括与低折射覆盖层42相同的材料。在示例性实施方式中，第一低折射底层22a由硅氮化物(SiNx)制成并且具有0.02μm的厚度。第二低折射底层22b由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.06μm的厚度。低折射覆盖层42由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.04μm的厚度，硅氧化物(SiOx)是低折射材料。因此，波长转换底层72的蓝光透射率为81.4％。根据示例性实施方式的波长转换底层72在层压材料方面与上述示例性实施方式的波长转换底层72相同，但是每层的厚度不同。第一低折射底层22a的厚度为0.02μm。第二低折射底层22b的厚度为0.08μm。低折射覆盖层42的厚度为0.14μm。因此，波长转换底层72的蓝光透射率为81.4％。
在图9中，波长转换底层73的低折射底层23a和23b包括具有不同折射率的交替层压的材料，并且低折射覆盖层43具有单层结构。图9的波长转换底层73是对应于图6B中的情况2的结果1和结果3的结构。也就是说，在图9的波长转换底层73中，低折射底层23a和23b可以是包括具有不同折射率的第一低折射底层23a和第二低折射底层23b的多层，并且低折射覆盖层43可以是低折射材料的单层。图9的波长转换底层73可以包括与图8中相同数量的层。然而，在图9所示的示例性实施方式中，第一低折射底层23a的折射率可以小于第二低折射底层23b的折射率。另外，第一低折射底层23a可以包括与低折射覆盖层43相同的材料。在示例性实施方式中，第一低折射底层23a由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.06μm的厚度。第二低折射底层23b由硅氮化物(SiNx)制成并且具有0.08μm的厚度。低折射覆盖层43由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.02μm的厚度。因此，波长转换底层73的蓝光透射率为81.4％。根据示例性实施方式的波长转换底层73在层压材料方面与上述示例性实施方式的波长转换底层73相同，但是每层的厚度不同。第一低折射底层23a的厚度为0.04μm。第二低折射底层23b的厚度为0.08μm。低折射覆盖层43的厚度为0.02μm。因此，波长转换底层73的蓝光透射率为81.3％。
在图10中，波长转换底层74不包括低折射底层，并且低折射覆盖层44a和44b具有多层结构。图10的波长转换底层74是对应于图6D中的情况4的结果3的结构。也就是说，在图10的波长转换底层74中，未提供低折射底层，也就是说，低折射底层具有0μm的厚度，并且低折射覆盖层44a和44b可以是包括具有不同折射率的第一低折射覆盖层44a和第二低折射覆盖层44b的多层。第一低折射覆盖层44a的折射率可以小于第二低折射覆盖层44b的折射率。在示例性实施方式中，第一低折射覆盖层44a由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.06μm的厚度。第二低折射覆盖层44b由硅氮化物(SiNx)制成并且具有0.1μm的厚度。因此，波长转换底层74的蓝光透射率为81.3％。
在图11中，波长转换底层75的低折射底层25是单层结构，并且低折射覆盖层45a和45b是多层结构，其中具有不同折射率的材料交替层压。图11的波长转换底层75是与图6C中的情况3的结果1相对应的结构。也就是说，在图11的波长转换底层75中，低折射底层25可以具有包括高折射材料的单层结构，并且低折射覆盖层45a和45b可以是包括具有不同折射率的第一低折射覆盖层45a和第二低折射覆盖层45b的多层。第一低折射覆盖层45a的折射率可以小于第二低折射覆盖层45b的折射率。低折射底层25可以由与第二低折射覆盖层45b相同的材料制成。在示例性实施方式中，低折射底层25由硅氮化物(SiNx)制成并且具有0.02μm的厚度。第一低折射覆盖层45a由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.06μm的厚度。第二低折射覆盖层45b由硅氮化物(SiNx)制成并且具有0.04μm的厚度。因此，波长转换底层75的蓝光透射率为81.4％。
在图12中，波长转换底层76的低折射底层26具有单层结构，并且低折射覆盖层46a和46b具有多层结构，其中具有不同折射率的材料交替层压。图12的波长转换底层76是对应于图6D中的情况4的结果1和结果2的结构。也就是说，在图12的波长转换底层76中，低折射底层26可以具有包括高折射材料的单层结构，并且低折射覆盖层46a和46b可以是包括具有不同折射率的第一低折射覆盖层46a和第二低折射覆盖层46b的多层。第一低折射覆盖层46a的折射率可以小于第二低折射覆盖层46b的折射率。图12中的波长转换底层76可以包括与图11中相同数量的层。然而，在图12的示例性实施方式中，低折射底层26可以由低折射材料制成。另外，低折射底层26可以由与第一低折射覆盖层46a相同的材料制成。在示例性实施方式中，低折射底层26由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.06μm的厚度。第一低折射覆盖层46a由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.08μm的厚度。第二低折射覆盖层46b由硅氮化物(SiNx)制成并且具有0.02μm的厚度。因此，波长转换底层76的蓝光透射率为81.4％。根据示例性实施方式的波长转换底层76在层压材料方面与上述示例性实施方式的波长转换底层76相同，但是每层的厚度不同。低折射底层26的厚度为0.04μm。第一低折射覆盖层46a的厚度为0.08μm。第二低折射覆盖层46b的厚度为0.02μm。因此，波长转换底层76的蓝光透射率为81.3％。
在图13中，波长转换底层77的低折射底层27a和27b以及低折射覆盖层47a和47b具有多层结构，其中具有不同折射率的材料交替层压。图13的波长转换底层77是对应于图6C中的情况3的结果2和结果3的结构。也就是说，在图13的波长转换底层77中，低折射底层27a和27b可以是包括具有不同折射率的第一低折射底层27a和第二低折射底层27b的多层，并且低折射覆盖层47a和47b可以是包括具有不同折射率的第一低折射覆盖层47a和第二低折射覆盖层47b的多层。第一低折射底层27a的折射率可以大于第二低折射底层27b的折射率。第一低折射覆盖层47a的折射率可以小于第二低折射覆盖层47b的折射率。另外，第一低折射底层27a可以由与第二低折射覆盖层47b相同的材料制成，并且第二低折射底层27b可以由与第一低折射覆盖层47a相同的材料制成。在示例性实施方式中，第一低折射底层27a由硅氮化物(SiNx)制成并且具有0.02μm的厚度。第二低折射底层27b由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.02μm的厚度。第一低折射覆盖层47a由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.04μm的厚度。第二低折射覆盖层47b由硅氮化物(SiNx)制成并且具有0.06μm的厚度。因此，波长转换底层77的蓝光透射率为81.4％。根据实施方式的波长转换底层77在层压材料方面与上述示例性实施方式的波长转换底层77相同，但是每层的厚度不同。第一低折射底层27a的厚度为0.02μm。第二低折射覆盖层47b的厚度为0.04μm。第一低折射覆盖层47a的厚度为0.02μm。第二低折射覆盖层47b的厚度为0.08μm。因此，波长转换底层77的蓝光透射率为81.4％。
在图14中，与图10相反，波长转换底层78不包括低折射覆盖层，并且低折射底层28a和28b具有多层结构。图14的波长转换底层78是对应于图6A中的情况1的结果3的结构。也就是说，在图14的波长转换底层78中，未提供低折射覆盖层，也就是说，低折射覆盖层具有0μm的厚度，并且低折射底层28a和28b可以是包括具有不同折射率的第一低折射底层28a和第二低折射底层28b的多层。第一低折射底层28a的折射率可以大于第二低折射底层28b的折射率。在示例性实施方式中，第一低折射底层28a由硅氮化物(SiNx)制成并且具有0.1μm的厚度。第二低折射底层28b由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.06μm的厚度。因此，波长转换底层78的蓝光透射率为81.3％。
图15A是示出波长转换覆盖层的层压情况的表格，并且图15B是示出透射率相对于波长转换层上的硅氮化物(SiNx)的厚度的变化的曲线图。
参考图2和图15A，该表格示出了用于执行模拟的条件。波长转换覆盖层60可以设置在波长转换层50上。波长转换覆盖层60可以包括高折射材料、低折射材料和透明有机材料。在示例性实施方式中，高折射材料可以是硅氮化物(SiNx)，并且低折射材料可以是硅氧化物(SiOx)。高折射材料将在下文中被描述为硅氮化物(SiNx)，并且低折射材料将在下文中被描述为硅氧化物(SiOx)。图15A中OC是指透明有机材料。透明有机材料可以是硅树脂、丙烯酸树脂或环氧树脂。包括高折射材料或低折射材料的每个层可以具有0至0.2μm的厚度。包括透明有机材料的层可以具有0μm至5μm的厚度。0μm的厚度表示不包括相应的层。根据包括高折射材料、低折射材料和透明有机材料的层的层压结构，可以存在总共六个条件。在下文中，将在下面描述表现出相当高的光透射率的三个条件。
情况1的波长转换覆盖层60可以具有这样的结构，其中包括高折射材料、低折射材料和透明有机材料的层以该顺序依次层压在波长转换层50上。
情况2的波长转换覆盖层60可以具有这样的结构，其中包括高折射材料、透明有机材料和低折射材料的层以该顺序依次层压在波长转换层50上。
情况3的波长转换覆盖层60可以包括这样的结构，其中包括透明有机材料、高折射材料和低折射材料的层以该顺序依次层压在波长转换层50上。
图15B是示出在图15A的情况2中的透射率相对于设置在波长转换层50上的硅氮化物(SiNx)的厚度的变化的曲线图。图15B是模拟结果的示例，并且具有其他情况的层压结构的波长转换覆盖层60的透射率也可以以与图15B中相同的方式获得。这里，透射率表示透过下波长转换覆盖层60的白光与入射通过波长转换层50的白光的比率。在图15B的曲线图中，硅氮化物(SiNx)是指高折射材料，并且硅氧化物(SiOx)是指低折射材料。
参考图15B，可以看出，波长转换覆盖层60的透射率随着波长转换覆盖层60的硅氮化物(SiNx)的厚度的变化而变化。由于光的相长干涉或相消干涉的影响根据硅氮化物(SiNx)的厚度而变化，因此光透射率也变化。随着硅氮化物(SiNx)的厚度增加，由于材料对光的吸收，最大光透射率的值趋于降低。当硅氮化物(SiNx)厚度为约0.1μm时，根据情况2的波长转换覆盖层60具有最大透射率。以此方式，可以通过根据图15A所示的情况1至情况3改变层压结构(例如波长转换覆盖层60的层压顺序和层压厚度)，可以获得每个层压条件下的最大透射率。
图16A至图16C是示出用于在波长转换覆盖层的每个层压情况下确保最大透射率的层压结构和厚度的表格。在图16A至图16C中，针对每个层压情况示出了具有高透射率的三个结果值。在图16A至图16C中，硅氮化物(SiNx)是高折射材料的示例，并且硅氧化物(SiOx)是低折射材料的示例。OC是指透明有机材料。如果获得每种情况下的最大光透射率，则波长转换覆盖层60可具有87.5％至88.2％的最大光透射率。现在将参考图17至图20详细描述根据各种示例性实施方式的波长转换覆盖层60的层压结构。
图17至图20是根据示例性实施方式的波长转换覆盖层61至64的截面图。图17至图20中的波长转换覆盖层示出了可以不同地布置波长转换覆盖层的元件。为了有效地透射光并防止水分/氧气渗透到波长转换层50中，波长转换覆盖层61至64可以各自具有多层结构，其中包括高折射材料、低折射材料和透明有机材料中的至少两种的层被层压。
在图17中，波长转换覆盖层61a和61b设置在波长转换层50上，并且具有包括第一波长转换覆盖层61a和第二波长转换覆盖层61b的多层结构。图17的波长转换覆盖层61a和61b是对应于图16A中的情况1的结果1至结果3的结构。也就是说，图17的波长转换覆盖层61a和61b可以不包括高折射材料，并且可以是包括具有不同折射率的第一波长转换覆盖层61a和第二波长转换覆盖层61b的多层。第一波长转换覆盖层61a的折射率可以大于第二波长转换覆盖层61b的折射率。在示例性实施方式中，第一波长转换覆盖层61a由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.1μm的厚度。第二波长转换覆盖层61b由透明有机材料制成并且具有2μm的的厚度。因此，波长转换覆盖层61a和61b的白光透射率为87.9％。根据示例性实施方式的波长转换覆盖层61a和61b在层压材料方面与上述示例性实施方式的波长转换覆盖层61a和61b相同，但是每层的厚度不同。第一波长转换覆盖层61a的厚度为0.1μm。第二波长转换覆盖层61b的的厚度为3.5μm。因此，波长转换覆盖层61a和61b的白光透射率为87.7％。根据示例性实施方式的波长转换覆盖层61a和61b在层压材料方面与上述示例性实施方式的波长转换覆盖层61a和61b相同，但是每层的厚度不同。第一波长转换覆盖层61a的厚度为0.1μm。第二波长转换覆盖层61b的的厚度为4.5μm。因此，波长转换覆盖层61a和61b的白光透射率为87.5％。
在图18中，波长转换覆盖层62a和62b设置在波长转换层50上，并且具有包括第一波长转换覆盖层62a和第二波长转换覆盖层62b的多层结构。图18的波长转换覆盖层62a和62b是与图16B中的情况2的结果1至结果3相对应的结构。也就是说，图18的波长转换覆盖层62a和62b可以不包括透明有机材料，并且可以是包括具有不同折射率的第一波长转换覆盖层62a和第二波长转换覆盖层62b的多层。第一波长转换覆盖层62a的折射率可以大于第二波长转换覆盖层62b的折射率。在示例性实施方式中，第一波长转换覆盖层62a由硅氮化物(SiNx)制成并且具有0.1μm的厚度。第二波长转换覆盖层62b由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.05μm的厚度。因此，波长转换覆盖层62a和62b的白光透射率为88.2％。根据示例性实施方式的波长转换覆盖层62a和62b在层压材料方面与上述示例性实施方式的波长转换覆盖层62a和62b相同，但是每层的厚度不同。第一波长转换覆盖层62a的厚度为0.1μm。第二波长转换覆盖层62b的厚度为0.2μm。因此，波长转换覆盖层62a和62b的白光透射率为87.9％。根据示例性实施方式的波长转换覆盖层62a和62b在层压材料方面与上述示例性实施方式的波长转换覆盖层62a和62b相同，但是每层的厚度不同。第一波长转换覆盖层62a的厚度为0.1μm。第二波长转换覆盖层62b的厚度为0.35μm。因此，波长转换覆盖层62a和62b的白光透射率为87.7％。
在图19中，波长转换覆盖层63a和63b设置在波长转换层50上，并且具有包括第一波长转换覆盖层63a和第二波长转换覆盖层63b的多层结构。图19的波长转换覆盖层63a和63b是对应于图16C中的情况3的结果1的结构。也就是说，图19的波长转换覆盖层63a和63b可以不包括低折射材料，并且可以是包括具有不同折射率的第一波长转换覆盖层63a和第二波长转换覆盖层63b的多层。第一波长转换覆盖层63a的折射率可以小于第二波长转换覆盖层63b的折射率。在示例性实施方式中，第一波长转换覆盖层63a由透明有机材料制成并且具有1μm的厚度。第二波长转换覆盖层63b由硅氮化物(SiNx)制成并且具有0.05μm的厚度。因此，波长转换覆盖层63a和63b的白光透射率为88.2％。
在图20中，波长转换覆盖层64a、64b和64c设置在波长转换层50上，并且具有包括第一波长转换覆盖层64a、第二波长转换覆盖层64b和第三波长转换覆盖层64c的多层结构。图20的波长转换覆盖层64a、64b和64c是对应于图16C中的情况3的结果2和结果3的结构。也就是说，图20的波长转换覆盖层64a、64b和64c可以是包括具有不同折射率的第一波长转换覆盖层64a、第二波长转换覆盖层64b和第三波长转换覆盖层64c的多层。第一波长转换覆盖层64a的折射率可以是最小的，并且第二波长转换覆盖层64b的折射率可以是最大的。第三波长转换覆盖层64c的折射率可以大于第一波长转换覆盖层64a的折射率并且小于第二波长转换覆盖层64b的折射率。在示例性实施方式中，第一波长转换覆盖层64a由透明有机材料制成并且具有1μm的厚度。第二波长转换覆盖层64b由硅氮化物(SiNx)制成并且具有0.05μm的厚度。第三波长转换覆盖层64c由硅氧化物(SiOx)制成并且具有0.05μm的厚度。因此，波长转换覆盖层64a、64b和64c的白光透射率为88.2％。根据示例性实施方式的波长转换覆盖层64a、64b和64c在层压材料方面与上述示例性实施方式的波长转换覆盖层64a、64b和64c相同，但每层的厚度不同。第一波长转换覆盖层64a的厚度为1μm。第二波长转换覆盖层64b的厚度为0.05μm。第三波长转换覆盖层64c的厚度为0.3μm。因此，波长转换覆盖层64a、64b和64c的白光透射率为88.2％。
图21至图23是根据示例性实施方式的光学构件101至103的截面图。图21至图23的光学构件101示出了可以不同地组合的上述波长转换底层70和波长转换覆盖层60。以上参考图7至图14描述的八个波长转换底层71至78的结构以及上面参考图17和图20描述的四个波长转换覆盖层61至64的结构可以根据示例性实施方式组合以产生32个光学构件(101,102,103)。然而，光学构件的层压结构不限于上述示例，并且可以应用各种其他层压结构。在根据示例性实施方式的光学构件中，以上参考图7至图14描述的波长转换底层71至78可以划分为不包括低折射底层20的波长转换底层74、不包括低折射覆盖层40的波长转换底层78，以及包括低折射底层和低折射覆盖层两者的波长转换底层71、72、73、75、76和77。波长转换覆盖层60可以是以上参考图17和图20描述的四个波长转换覆盖层61至64中的任何一个。
光学构件100的最终光透射率可以通过将波长转换底层70的蓝光透射率乘以波长转换覆盖层60的白光透射率来获得。
参考图21，根据示例性实施方式的光学构件101可以包括波长转换底层70和波长转换覆盖层60a。波长转换底层70可以包括低折射层30和低折射覆盖层40a，但是可以不包括低折射底层。波长转换底层70可以是图10中描述的波长转换底层74。也就是说，波长转换底层70可以是不包括低折射底层并且包括具有多层结构的低折射覆盖层40a的波长转换底层。波长转换覆盖层60a可以具有多层结构，其中包括无机或有机材料的层被层压。
参考图22，根据示例性实施方式的光学构件102可以包括波长转换底层70和波长转换覆盖层60b。波长转换底层70可以包括低折射底层20b和低折射层30，但是可以不包括低折射覆盖层。波长转换底层70可以是图14中描述的波长转换底层78。也就是说，波长转换底层70可以是不包括低折射覆盖层并且包括具有多层结构的低折射底层20b的波长转换底层。波长转换覆盖层60b可以具有多层结构，其中包括无机材料或有机材料的层被层压。
参考图23，根据示例性实施方式的光学构件103可以包括波长转换底层70和波长转换覆盖层60c。波长转换底层70可以包括低折射底层20c、低折射层30和低折射覆盖层40c。波长转换底层70可以是上面参考图7至图14描述的波长转换底层71到78中除了图10和图14的波长转换底层74和78之外的根据示例性实施方式的波长转换底层71、72、73、75、76和77中的任何一个。也就是说，波长转换底层70可以包括具有单层结构或多层结构的低折射底层20c，以及具有单层结构或多层结构的低折射覆盖层40c。波长转换覆盖层60c可以是多层结构，其中包括无机材料或有机材料的层被层压。
图24是根据示例性实施方式的显示器1000的截面图。
参考图24，显示器1000包括光源400、设置在光源400的发光路径上的光学构件100，以及设置在光学构件100上方的显示面板300。
根据上述示例性实施方式的所有光学构件均可以用作光学构件100。在图24中，显示器1000将被描述为包括图2的光学构件100作为示例。
光源400设置在光学构件100的侧面上。光源400可以与光学构件100的导光板10的光入射表面10S1相邻地设置。光源400可以包括多个点光源或线光源。点光源可以是LED光源410。LED光源410可以安装在印刷电路板420上。LED光源410可以发射蓝波长的光。
如图24所示，LED光源410可以是通过其顶表面发光的顶部发光LED。在这种情况下，印刷电路板420可以设置在壳体500的侧壁520上。
从LED光源410发射的蓝波长的光入射在光学构件100的导光板10上。光学构件100的导光板10引导光并通过上表面10a或下表面10b输出光。光学构件100的波长转换层50将从导光板10入射的蓝波长的光的一部分转换成其他波长，例如绿波长和红波长的光。绿波长的光和红波长的光与未转换的蓝波长的光一起向上朝向显示面板300发射。
散射图案80可以设置在导光板10的下表面10b上。散射图案80通过全反射改变在导光板10中传播的光的角度，并且将具有改变的角度的光输出到导光板10的外侧。
在示例性实施方式中，散射图案80可以作为单独的层或单独的图案提供。例如，可以在导光板10的下表面10b上形成包括突出图案和/或凹槽图案的图案层，或者可以在导光板10的下表面10b上形成印刷图案以用作散射图案80。
在示例性实施方式中，散射图案80可以由导光板10自身的表面形状形成。例如，凹槽可以形成在导光板10的下表面10b上，以用作散射图案80。
散射图案80的布置密度可以根据区域而不同。例如，在与提供有相对大量光的光入射表面10S1相邻的区域中，散射图案80的布置密度可以低，并且在与提供有相对少量的光的相对表面10S3相邻的区域中，散射图案80的布置密度可以高。
显示器1000还可以包括设置在光学构件100下方的反射构件90。反射构件90可以包括反射膜或反射涂层。反射构件90将从光学构件100的导光板10的下表面10b输出的光反射回到导光板10中。
显示面板300设置在光学构件100上方。显示面板300接收来自光学构件100的光并显示屏幕。接收光并显示屏幕的这种光接收显示面板的示例包括液晶显示面板和电泳面板。在下文中，显示面板300将被描述为包括液晶显示面板，但是本发明构思不限于此，并且可以应用各种其他光接收显示面板作为显示面板300。
显示面板300可以包括第一基板310、面向第一基板310的第二基板320，以及设置在第一基板310和第二基板320之间的液晶层。第一基板310和第二基板320相互重叠。在示例性实施方式中，第一基板310和第二基板320中的任何一个可以比另一个基板大，并且比另一个基板更向外突出。图24示出了设置在第一基板310上的第二基板320较大并且在设置光源400的侧面上突出。第二基板320的突出区域可以提供安装驱动芯片或外部电路板的空间。与上述示例不同，设置在第二基板320下方的第一基板310的尺寸可以大于第二基板320，并且可以向外突出。除了显示面板300中的突出区域之外的第一基板310和第二基板320的重叠区域可以与光学构件100的导光板10的侧表面10S基本对齐。
光学构件100可以通过模块间耦接构件610耦接到显示面板300。模块间耦接构件610可以在平面视图中成形为类似四边形框架。模块间耦接构件610可以位于显示面板300和光学构件100的边缘部分处。
在示例性实施方式中，模块间耦接构件610的下表面设置在光学构件100的波长转换覆盖层60的上表面上。模块间耦接构件610的下表面可以设置在波长转换覆盖层60上以仅与波长转换层50的上表面重叠并且不与波长转换层50的侧表面重叠。
模块间耦接构件610可以包括聚合物树脂或胶粘剂或胶带。
在示例性实施方式中，模块间耦接构件610还可以执行光透射阻挡功能。例如，模块间耦接构件610可以包括光吸收材料(例如黑色颜料或染料)，或者可以包括反射材料以执行光透射阻挡功能。
显示器1000还可以包括壳体500。壳体500具有开放表面，并且包括底表面510和连接到底表面510的侧壁520。光源400、彼此附接的光学构件100和显示面板300、以及反射构件90可以容纳在由底表面510和侧壁520限定的空间中。光源400、反射构件90以及彼此附接的光学构件100和显示面板300设置在壳体500的底表面510上。壳体500的侧壁520的高度可以与壳体500内部的彼此附接的光学构件100和显示面板300的高度基本相同。显示面板300可以与壳体500的每个侧壁520的上端相邻地设置，并且可以通过壳体耦接构件620耦接到壳体500的每个侧壁520的上端。壳体耦接构件620可以在平面视图中成形为类似四边形框架。壳体耦接构件620可以包括聚合物树脂或胶粘剂或胶带。
显示器1000还可以包括至少一个光学膜200。一个或多个光学膜200可以容纳在由光学构件100和显示面板300之间的模块间耦接构件610包围的空间中。一个或多个光学膜200的侧表面可以与模块间耦接构件610的内侧表面接触并附接到模块间耦接构件610的内侧表面。尽管图24示出了在光学膜200和光学构件100之间存在间隙，并且在光学膜200和显示面板300之间存在间隙，但间隙不是必需的并且可以省略。
光学膜200可以是棱镜膜、扩散膜、微透镜膜、透镜状膜、偏振膜、反射偏振膜或延迟膜。显示器1000可以包括相同类型或不同类型的多个光学膜200。当应用多个光学膜200时，光学膜200可以放置成彼此重叠，并且光学膜200的侧表面可以与模块间耦接构件610的内侧表面接触并附接到模块间耦接构件610的内侧表面。光学膜200可以彼此分离，并且空气层可以设置在光学膜200之间。
在根据图24的示例性实施方式的显示器1000中，光学构件100和显示面板300以及进一步的光学膜200通过模块间耦接构件610彼此集成，并且显示面板300和壳体500通过壳体耦接构件620彼此耦接。因此，即使省略模具框架，也能够稳定地耦接各种构件，从而减轻了显示器1000的重量。另外，由于导光板10和波长转换层50彼此集成在一起，因此可以减小显示器1000的厚度。此外，由于显示面板300的侧表面通过壳体耦接构件620耦接到壳体500的侧壁520，因此可以消除或最小化显示屏侧面的边框空间。
图25是根据示例性实施方式的显示器1001的截面图。
参考图25，显示器1001包括光源400、设置在光源400的发射路径上的光学构件100_1，以及设置在光学构件100_1上方的显示面板300。与图24的显示器1000不同，在图25中示出的显示器1001包括光学构件100_1，其中波长转换覆盖层60_1覆盖波长转换层50_1的上表面和侧表面以及波长转换底层70_1的侧表面。
波长转换层50_1(特别是包括在波长转换层50_1中的波长转换颗粒)易受水分/氧气的影响。在波长转换膜的情况下，阻挡膜层压在波长转换层的上表面和下表面上，以防止水分/氧气渗透到波长转换层中。然而，在所示的示例性实施方式中，由于波长转换层50_1直接设置而没有阻挡膜，因此需要用于保护波长转换层50_1的密封结构。密封结构可以通过波长转换覆盖层60_1和导光板10_1实现。
水分可以通过其渗透到波长转换层50_1中的出入口是波长转换层50_1的上表面、侧表面和下表面。如上所述，由于波长转换层50_1的上表面和侧表面被波长转换覆盖层60_1覆盖和保护，因此可以阻止或至少减少水分/氧气的渗透。
另一方面，波长转换层50_1的下表面与波长转换底层70_1的上表面接触。如果波长转换底层70_1包括空隙VD或者由有机材料制成，则波长转换底层70_1中的水分的移动是可能的。因此，可以通过波长转换底层70_1将水分/氧气引入波长转换层50_1的下表面中。然而，由于根据示例性实施方式的波长转换底层70_1也具有密封结构，因此可以在源处阻挡水分/氧气渗透穿过波长转换层50_1的下表面。
具体地，由于波长转换底层70_1的侧表面被波长转换覆盖层60_1覆盖并保护，因此可以阻挡/减少水分/氧气渗透穿过波长转换底层70_1的侧表面。即使波长转换底层70_1比波长转换层50_1更突出，使得上表面的一部分暴露，但由于暴露部分被波长转换覆盖层60_1覆盖和保护，因此可以阻挡/减少水分/氧气渗透穿过暴露部分。波长转换底层70_1的下表面与导光板10_1接触。当导光板10_1由诸如玻璃的无机材料制成时，它可以像波长转换覆盖层60_1一样阻挡/减少水分/氧气的渗透。也就是说，由于波长转换底层70_1和波长转换层50_1的层压的表面被波长转换覆盖层60_1和导光板10_1包围并密封，即使在波长转换底层70_1的内部形成水分/氧气移动路径，也可以通过上述密封结构阻挡/减少水分/氧气的渗透。因此，可以防止或至少减轻由于水分/氧气引起的波长转换颗粒的劣化。
根据示例性实施方式的光学构件可以同时执行光导功能和波长转换功能，同时通过具有不同折射率的层压结构的材料来提高光透射效率。根据示例性实施方式的光学构件相对薄并且可以通过最大化光透射效率来改善显示器的光学特性。
尽管本文已描述了某些示例性实施例和实施方式，但是根据该描述，其他实施方式和修改将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这些实施方式，而是限于所附权利要求的更宽范围以及对本领域普通技术人员而言将是显而易见的各种明显的修改和等同布置。

Claims (61)

1.一种光学构件，包括：
导光板；
低折射层，其设置在所述导光板上并且具有小于所述导光板的折射率的折射率；
低折射底层，其设置在所述低折射层和所述导光板之间并且具有小于所述低折射层的厚度的厚度；和
波长转换层，其设置在所述低折射层上。
2.根据权利要求1所述的光学构件，其中：
所述低折射底层的下表面接触所述导光板的上表面；且
所述低折射底层的上表面接触所述低折射层的下表面。
3.根据权利要求2所述的光学构件，其中所述低折射底层包括折射率为1.3至1.7的低折射材料和折射率为1.5至2.2的高折射材料中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的光学构件，其中所述低折射底层的折射率大于所述低折射层的折射率。
5.根据权利要求4所述的光学构件，其中所述低折射底层包括设置在所述导光板上的第一低折射底层和设置在所述第一低折射底层上的第二低折射底层。
6.根据权利要求5所述的光学构件，其中所述第一低折射底层和所述第二低折射底层中的一个包括所述低折射材料，并且所述第一低折射底层和所述第二低折射底层中的另一个包括所述高折射材料。
7.根据权利要求6所述的光学构件，其中所述第一低折射底层和所述第二低折射底层中的每一个具有0.2μm或更小的厚度。
8.根据权利要求6所述的光学构件，其中所述低折射材料包括硅氧化物，并且所述高折射材料包括硅氮化物。
9.根据权利要求1所述的光学构件，其中所述导光板和所述低折射层之间的折射率差异为0.2或更大。
10.根据权利要求9所述的光学构件，其中所述低折射层包括空隙。
11.根据权利要求9所述的光学构件，其中所述低折射层的所述折射率为1.2至1.3。
12.根据权利要求11所述的光学构件，其中所述低折射层的厚度为0.8μm至1.2μm。
13.根据权利要求1所述的光学构件，进一步包括设置在所述波长转换层上的波长转换覆盖层。
14.根据权利要求13所述的光学构件，其中所述波长转换覆盖层的下表面平行于所述导光板的上表面。
15.根据权利要求14所述的光学构件，其中所述波长转换覆盖层包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
16.根据权利要求15所述的光学构件，其中所述波长转换覆盖层包括：
设置在所述波长转换层上的第一波长转换覆盖层；和
设置在所述第一波长转换覆盖层上的第二波长转换覆盖层。
17.根据权利要求16所述的光学构件，其中所述第一波长转换覆盖层和所述第二波长转换覆盖层中的一个包括透明有机材料，并且所述第一波长转换覆盖层和所述第二波长转换覆盖层中的另一个包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
18.根据权利要求17所述的光学构件，其中：
所述第一波长转换覆盖层包括硅氧化物；和
所述第二波长转换覆盖层包括透明有机材料。
19.根据权利要求16所述的光学构件，其中所述第一波长转换覆盖层和所述第二波长转换覆盖层中的一个包括硅氧化物，并且所述第一波长转换覆盖层和所述第二波长转换覆盖层中的另一个包括硅氮化物。
20.根据权利要求16所述的光学构件，其中所述波长转换覆盖层进一步包括设置在所述第二波长转换覆盖层上的第三波长转换覆盖层。
21.根据权利要求20所述的光学构件，其中所述第一波长转换覆盖层包括透明有机材料。
22.根据权利要求21所述的光学构件，其中所述第二波长转换覆盖层和所述第三波长转换覆盖层中的一个包括硅氧化物，并且所述第二波长转换覆盖层和所述第三波长转换覆盖层中的另一个包括硅氮化物。
23.根据权利要求1所述的光学构件，其中所述导光板包括玻璃。
24.根据权利要求23所述的光学构件，其中所述导光板的上表面平行于所述低折射层的下表面。
25.一种光学构件，包括：
导光板；
低折射层，其设置在所述导光板上并且具有小于所述导光板的折射率的折射率；
波长转换层，其设置在所述低折射层上；和
低折射覆盖层，其设置在所述低折射层和所述波长转换层之间并且具有小于所述低折射层的厚度的厚度。
26.根据权利要求25所述的光学构件，其中所述低折射覆盖层包括折射率为1.3至1.7的低折射材料和折射率为1.5至2.2的高折射材料中的至少一种。
27.根据权利要求26所述的光学构件，其中所述低折射覆盖层的折射率大于所述低折射层的折射率。
28.根据权利要求27所述的光学构件，其中所述低折射覆盖层包括：
设置在所述低折射层上的第一低折射覆盖层；和
设置在所述第一低折射覆盖层上的第二低折射覆盖层。
29.根据权利要求28所述的光学构件，其中所述第一低折射覆盖层和所述第二低折射覆盖层中的一个包括所述低折射材料，并且所述第一低折射覆盖层和所述第二低折射覆盖层中的另一个包括所述高折射材料。
30.根据权利要求29所述的光学构件，其中所述第一低折射覆盖层和所述第二低折射覆盖层中的每一个具有0.2μm或更小的厚度。
31.根据权利要求30所述的光学构件，其中所述低折射材料包括硅氧化物，并且所述高折射材料包括硅氮化物。
32.根据权利要求25所述的光学构件，进一步包括设置在所述波长转换层上的波长转换覆盖层。
33.根据权利要求32所述的光学构件，其中所述波长转换覆盖层包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
34.根据权利要求33所述的光学构件，其中所述波长转换覆盖层包括：
设置在所述波长转换层上的第一波长转换覆盖层；和
设置在所述第一波长转换覆盖层上的第二波长转换覆盖层。
35.根据权利要求34所述的光学构件，其中所述第一波长转换覆盖层和所述第二波长转换覆盖层中的一个包括透明有机材料，并且所述第一波长转换覆盖层和所述第二波长转换覆盖层中的另一个包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
36.根据权利要求35所述的光学构件，其中：
所述第一波长转换覆盖层包括硅氧化物；且
所述第二波长转换覆盖层包括透明有机材料。
37.根据权利要求34所述的光学构件，其中所述波长转换覆盖层进一步包括设置在所述第二波长转换覆盖层上的第三波长转换覆盖层。
38.一种光学构件，其包括：
导光板；
低折射层，其设置在所述导光板上并且具有小于所述导光板的折射率的折射率；
波长转换层，其设置在所述低折射层上；
低折射底层，其设置在所述低折射层和所述导光板之间；和
低折射覆盖层，其设置在所述低折射层和所述波长转换层之间。
39.根据权利要求38所述的光学构件，其中：
所述低折射底层包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种；且
所述低折射底层的折射率大于所述低折射层的折射率。
40.根据权利要求39所述的光学构件，其中所述低折射底层包括：
设置在所述导光板上的第一低折射底层；和
设置在所述第一低折射底层上的第二低折射底层。
41.根据权利要求40所述的光学构件，其中所述第一低折射底层和所述第二低折射底层中的每一个具有0.2μm或更小的厚度。
42.根据权利要求38所述的光学构件，其中：
所述低折射覆盖层包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种；和
所述低折射覆盖层的折射率大于所述低折射层的折射率。
43.根据权利要求42所述的光学构件，其中所述低折射覆盖层包括：
设置在所述低折射层上的第一低折射覆盖层；和
设置在所述第一低折射覆盖层上的第二低折射覆盖层。
44.根据权利要求43所述的光学构件，其中所述第一低折射覆盖层和所述第二低折射覆盖层中的每一个具有0.2μm或更小的厚度。
45.根据权利要求38所述的光学构件，进一步包括设置在所述波长转换层上的波长转换覆盖层，
其中所述波长转换覆盖层包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
46.根据权利要求45所述的光学构件，其中所述波长转换覆盖层包括：
设置在所述波长转换层上的第一波长转换覆盖层；和
设置在所述第一波长转换覆盖层上的第二波长转换覆盖层。
47.根据权利要求46所述的光学构件，其中所述第一波长转换覆盖层和所述第二波长转换覆盖层中的一个包括透明有机材料，并且所述第一波长转换覆盖层和所述第二波长转换覆盖层中的另一个包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
48.根据权利要求47所述的光学构件，其中：
所述第一波长转换覆盖层包括硅氧化物；和
所述第二波长转换覆盖层包括透明有机材料。
49.根据权利要求46所述的光学构件，其中所述波长转换覆盖层进一步包括设置在所述第二波长转换覆盖层上的第三波长转换覆盖层。
50.一种显示器，包括：
光学构件，其包括导光板；低折射层，其设置在所述导光板上并且具有小于所述导光板的折射率的折射率；低折射底层，其设置在所述低折射层和所述导光板之间；和波长转换层，其设置在所述低折射层上；
光源，其设置在所述导光板的至少一个侧面上；和
显示面板，其设置在所述光学构件上。
51.根据权利要求50所述的显示器，其中：
所述低折射底层包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种；且
所述低折射底层的折射率大于所述低折射层的折射率。
52.根据权利要求51所述的显示器，其中：
所述低折射底层包括：设置在所述导光板上的第一低折射底层；和
设置在所述第一低折射底层上的第二低折射底层。
53.根据权利要求50所述的显示器，进一步包括设置在所述波长转换层上的波长转换覆盖层，
其中所述波长转换覆盖层包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
54.根据权利要求53所述的显示器，其中：
所述波长转换覆盖层包括：设置在所述波长转换层上的第一波长转换覆盖层；和
设置在所述第一波长转换覆盖层上的第二波长转换覆盖层。
55.根据权利要求54所述的显示器，其中所述波长转换覆盖层进一步包括设置在所述第二波长转换覆盖层上的第三波长转换覆盖层。
56.根据权利要求50所述的显示器，其中所述光学构件进一步包括设置在所述低折射层和所述波长转换层之间的低折射覆盖层。
57.根据权利要求56所述的显示器，其中：
所述低折射覆盖层包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种；和
所述低折射覆盖层的折射率大于所述低折射层的折射率。
58.根据权利要求57所述的显示器，进一步包括设置在所述波长转换层上的波长转换覆盖层，
其中所述波长转换覆盖层包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
59.一种显示器，包括：
光学构件，其包括导光板；低折射层，其设置在所述导光板上并且具有小于所述导光板的折射率的折射率；波长转换层，其设置在所述低折射层上；和低折射覆盖层，其设置在所述低折射层和所述波长转换层之间；
光源，其设置在所述导光板的至少一个侧面上；和
显示面板，其设置在所述光学构件上。
60.根据权利要求59所述的显示器，其中：
所述低折射覆盖层包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种；和
所述低折射覆盖层的折射率大于所述低折射层的折射率。
61.根据权利要求60所述的显示器，进一步包括设置在所述波长转换层上的波长转换覆盖层，
其中所述波长转换覆盖层包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
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