CN110571144B - 一种半导体栅极的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种新型半导体栅极的制作方法，包括：在势垒层上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层上沉积第一金属层；对第一金属层、第二光刻胶层和第一光刻胶层进行电子束光刻并显影，形成台阶状第一区域；进行干法刻蚀形成势垒凹槽，在第一光刻胶层上形成Y型斜边；在势垒凹槽内进行栅金属沉积形成第一结构，所述第一结构包括Y型栅；采用剥离工艺得到凹槽型浮空Y型栅。本发明通过较为简单的工艺方法能够制作出形状规整的凹槽型浮空Y型栅金属，能够更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT，同时减小了势垒层厚度，避免了短沟道效应对器件的影响。
Description
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，具体涉及一种半导体栅极的制作方法。
背景技术
高频晶体管有两大类型：一类是作小信号放大的高频小功率管，对它们的主要要求是高增益和低噪声；另一类为高频功率管，其在高频工作时允许有较大管耗，且输出功率较大。高频晶体管的两个重要指标是饱和电流截止频率fT和最大增益截止频率fmax，而要提高饱和电流截止频率fT和最大增益截止频率fmax的方法主要有改变栅极结构和栅下势垒变化等。现有的栅极结构主要有Y型栅，高频器件的Y型栅的栅脚长度一般都是在200nm以下，即与势垒层接触部分的栅长较小，保证了器件具有较高的饱和电流截止频率fT，而栅头部分比较大，使栅的横截面积增大从而减小栅极寄生电阻，可以更好的提高最大增益截止频率fmax。
一般Y型栅的制作是首先制作出Y型胶层结构，再通过刻蚀得到凹槽，而Y型胶层结构的制作采用涂覆一层光刻胶，然后通过不同的电子束曝光剂量来得到Y型栅。如文件“Yshape gate formation in single layer of ZEP520A using 3D electronbeamlithography”中所示，该种方法中，首先需要通过模拟计算软件进行电子浓度计量的计算，还需要通过大量实验才能在胶层上形成所需要的Y型胶层结构。此外，现有技术中，进行栅金属沉积之后，栅金属的边缘与涂覆的光刻胶粘连，在剥离时栅金属容易脱落，导致形成的Y型栅结构不规整，导致栅极寄生电容增加，不能有效的提高饱和电流截止频率fT。
发明内容
为了克服上述现有技术中存在的问题。本发明提供了一种半导体栅极的制作方法，具体的实施方式如下：
本发明实施例提供一种半导体栅极的制作方法，包括：
在势垒层上形成第一光刻胶层；
在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；
在所述第二光刻胶层上沉积第一金属层；
对所述第一金属层、所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层进行电子束光刻并显影，形成台阶状第一区域，所述台阶状第一区域的底面为所述势垒层的上表面，所述电子束光刻包括第一电子束和第二电子束，所述第一电子束与所述第二电子束的电子浓度不同；
进行干法刻蚀，在所述台阶状第一区域的底面上形成势垒凹槽，在所述第一光刻胶层上形成Y型斜边，所述势垒凹槽的深度小于所述势垒层的厚度；
在所述势垒凹槽内进行栅金属沉积形成第一结构，所述第一结构包括Y型栅，所述Y型栅的高度大于所述第一光刻胶层的高度，小于所述第二光刻胶层的高度；
对所述第一结构进行剥离，得到所述凹槽型浮空Y型栅。
在一个具体的实施例中，所述台阶状第一区域包括：
在所述第一金属层上形成的第一空区、在所述第二光刻胶层上形成的第二空区和在所述第一光刻胶层上形成的第三空区，其中，所述第一空区、所述第二空区和所述第三空区同轴线，且所述第一空区小于所述第二空区，大于所述第三空区。
在一个具体的实施例中，所述第二光刻胶层的光刻敏感度高于所述第一光刻胶层的光刻敏感度。
在一个具体的实施例中，所述第二光刻胶层与所述第一光刻胶层溶于同一种显影液，且所述第一光刻胶层为PMMA胶，所述第二光刻胶层为PMMA-MAA胶。
在一个具体的实施例中，所述第一电子束分布于所述第二电子束***，所述第二电子束的电子浓度大于所述第一电子束的电子浓度。
在一个具体的实施例中，所述第一金属层的厚度小于6nm。
在一个具体的实施例中，所述第一金属层的材料为Al、Ti、W、Au、Pt中的任意一种。
在一个具体的实施例中，对所述第一结构进行剥离，得到所述凹槽型浮空Y型栅，包括：
非超声状态下将所述第一结构在丙酮中浸泡24小时；
将所述第一结构置于60℃光刻剥离液中水浴加热10min；
非超声状态下将所述第一结构在异丙醇中浸泡30min；
采用超纯水冲洗2min；
氮气吹干，得到所述凹槽型浮空Y型栅。
本发明的有益效果为：
1、本发明实施例采用了两层光刻胶和一层金属层的三层结构，两层光刻胶可以使用相同的显影液，电子束可以将金属层打成不连续的碎片，随着光刻胶混合在显影液中，一次曝光一次显影即可完成，极大地降低了工艺复杂度。
2、现有技术是通过复杂运算技术和大量实验来确定电子束的电子浓度的渐变控制，然后通过电子束光刻来形成Y型结构，而本发明实施例采用适合第二光刻胶层的低浓度电子束和适合第一光刻胶层的高浓度电子束进行曝光，能够得到形貌规整的台阶状第一区域，电子束的电子浓度与光刻胶的光敏感度相关，无需复杂计算，然后通过干法刻蚀，对第一光刻胶层和势垒层进行刻蚀，在第一光刻胶层上形成Y型斜边，在势垒层上形成势垒凹槽，最终得到Y型结构，该种方法工艺简单，且不需要复杂的计算，成品率高。
3、本发明实施例在电子束光刻时，会对电子束进行背面散射，并且电子束自身也存在散射电子，该些散射电子能够对处于第一金属层下方的第二光刻胶层形成光刻作用，这样就使得第一空区小于第二空区，也即形成undercut结构，该种结构使得沉积的Y型栅金属的侧边不会与第二光刻胶层的侧壁粘连，避免了在剥离时，使Y型栅脱落。
附图说明
图1为本发明实施例的工艺流程图；
图2(a)为势垒层示意图；
图2(b)为势垒层上沉积第一光刻胶层的示意图；
图2(c)为第一光刻胶层上沉积第二光刻胶层的示意图；
图2(d)为在第二光刻胶层上沉积第一金属层的示意图；
图2(e)为电子束光刻的示意图；
图2(f)为显影后的示意图；
图2(g)为干法刻蚀势垒凹槽和Y型斜边的示意图；
图2(h)为沉积栅金属的示意图；
图2(i)为最终形成的凹槽型浮空Y型栅的示意图。
附图标记说明：
势垒层001、第一光刻胶层002、第二光刻胶层003、第一金属层004、势垒凹槽005、Y型斜边006、栅金属007、第一电子束20，第二电子束10。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
实施例一
如图1-图2(i)所示，图1为本发明实施例的工艺流程图；图2(a)为势垒层示意图；图2(b)为势垒层上沉积第一光刻胶层的示意图；图2(c)为第一光刻胶层上沉积第二光刻胶层的示意图；图2(d)为在第二光刻胶层上沉积第一金属层的示意图；图2(e)为电子束光刻的示意图；图2(f)为显影后的示意图；图2(g)为干法刻蚀势垒凹槽和Y型斜边的示意图；图2(h)为沉积栅金属的示意图；图2(i)为最终形成的凹槽型浮空Y型栅的示意图。本发明实施例提供一种半导体栅极的制作方法，首先需要说明的是，由于高频Y型栅的栅脚长度一般都在200nm以下，已经超出了传统的光学光刻工艺设备的极限，因此，本实施例中采用电子束光刻机，电子束光刻需要使用专用的光刻胶，本实施例中的第一光刻胶层和第二光刻胶层003的材料均为电子束光刻专用的光刻胶。
具体的，势垒层001是指半导体的PN结由于电子、空穴的扩散所形成的阻挡层，阻挡层两侧存在电位差，称为势垒，势垒层001的材料可以是AlGaN，厚度为20nm，图2(a)为势垒层示意图。
在势垒层上形成第一光刻胶层；包括：
如图2(b)所示，在势垒层材料上涂覆第一光刻胶，第一光刻胶优选为PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯Polymethyl methacrylate，简称PMMA)，然后进行烘烤，烘烤温度范围为180-210℃，烘烤时间在10min左右，具体根据烘烤温度确定，烘烤温度越低，烘烤时间越长，烘烤温度过高容易发生光刻胶干裂，烘烤温度过低容易发生胶层互溶，本实施例中，经过多次反复试验优选的烘烤温度为200℃，烘烤时间为10min，在该种条件下进行烘烤使得第一光刻胶层的固化度较好，不易发生胶层互溶现象。最终形成第一光刻胶层002。第一光刻胶层002的涂覆厚度需要根据器件性能要求来选择，因为第一光刻胶层002的厚度对最终形成的Y型栅的高度具有较大的影响，一般为120nm左右。其中，PMMA光刻胶敏感度低，需要高剂量曝光，且不具有抗刻蚀性。
在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；包括：
如图2(c)所示，在上述第一光刻胶层002涂覆第二光刻胶003，第二光刻胶优选为PMMA-MAA(聚甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸，简称PMMA-MAA)，第二光刻胶层003与第一光刻胶层002的材料一般选用成分接近的光刻胶种类，以能够使得两种光刻胶溶于一种显影液中，第二光刻胶层003的烘烤温度范围也为180-210℃，烘烤时间在10min左右，需要说明的是，第二光刻胶层003的烘烤温度低于第一胶层的烘烤温度，通过不同的烘烤温度使得第一光刻胶层002和第二光刻胶层003处于不同的状态，从而达到减少第一光刻胶层002与第二光刻胶层003互溶的效果，本实施例中，经过多次反复试验优选的烘烤温度为195℃，烘烤时间为10min，在该种烘烤条件下，第二光刻胶层003与第一光刻胶层002的互溶程度最小。进一步的，第二光刻胶层003的厚度需要根据器件性能要求来选择，因为第二光刻胶层003的厚度对最终形成的Y型栅的高度具有较大的影响，具体来讲，Y型栅的最高位置要低于第二光刻胶层003，第二光刻胶层003的厚度一般为500nm左右。进一步的，第二光刻胶层003的光刻敏感度高于第一光刻胶层002的光刻敏感度，这样进行曝光时，第一光刻胶层002和第二光刻胶层003就能够形成不同的光刻深度，从而为Y型栅的沉积提供基础构型。PMMA-MAA光刻胶敏感度高，需要低剂量曝光。并且PMMA-MAA与PMMA在曝光后可以使用相同的显影液进行溶解。
在所述第二光刻胶层上沉积第一金属层；包括：
如图2(d)所示，利用溅射或蒸镀在上述第二光刻胶层003上沉积第一金属，第一金属可以采用Al、Ti、W、Au、Pt中的任意一种，第一金属层004的厚度小于6nm，第一金属层004的厚度过大，会耗费大量的电子束能量，这样可能使得光刻胶层曝光不彻底，本实施例中，第一金属层004的材料采用Al，溅射厚度为3nm，最终形成第一金属层。
需要说明的是，由于电子束光刻机是利用电子枪发射的电子束流进行曝光的，所以对于导电性不好的势垒层材料，容易造成电荷积累，电荷释放从而导致图形产生形变和胶开裂等情况，通过设置第一金属层004可以有效的将电荷释放掉而不对曝光的图形产生影响。
对所述第一金属层004、所述第二光刻胶层003和所述第一光刻胶层002进行电子束光刻并显影，形成台阶状第一区域，所述台阶状第一区域的底面为所述势垒层001的上表面，所述电子束光刻包括第一电子束和第二电子束，所述第一电子束与所述第二电子束的电子浓度不同；包括：
如图2(e)所示，电子束光刻采用不同的曝光剂量一次曝光完成，在设计光刻版图时，将栅脚与栅头的图形分开设计，曝光时，部分曝光电子束浓度设置为适合第二光刻胶层003的低浓度，部分曝光电子束浓度设置为适合第一光刻胶层002的高浓度，具体的本实施例中的电子束光刻包括第一电子束和第二电子束，电子束是利用电子枪中阴极所产生的电子在阴阳极间的高压(25-300kV)加速电场作用下被加速至很高的速度(0.3-0.7倍光速)，经透镜会聚作用后，形成密集的高速电子流，具有高能量密度。本实施例中的第一电子束和第二电子束，不存在次序上的先后，仅用于实现区分。
具体的，本实施例中的一种实施方式为第一电子束分布于第二电子束***，第二电子束的曝光剂量大于第一电子束的曝光剂量。如图2(f)所示，形成台阶状第一区域，其中，第一电子束用于击穿第二光刻胶层003，第二电子束用于击穿第一光刻胶层002；第一电子束分布在第二电子束的两侧，在曝光时，第一电子束和第二电子束能将第一金属层004打成不连续的碎片。第一电子束和第二电子束的电子浓度的设置与采用的电子束光刻机型号、分别对应的光刻胶层的材料以及厚度有关。
本实施例中，采用NB5电子束光刻机时，第一光刻胶层PMMA对应的最佳电子束能量为7.5C/m2。第二光刻胶层PMMA-MAA对应的最佳电子束能量为2.3C/m2。
电子束光刻之后进行显影，显影液采用MIBK(甲基异丁基(甲)酮,甲基异丁酮，4-甲基-2-戊酮)与异丙醇比例为1:3的溶液，显影速率一般为3nm/s，显影时，被电子束轰击形成的不连续的金属碎片随着光刻胶混合在显影液中，第一光刻胶层PMMA和第二光刻胶层PMMA-MAA可以溶于该同一种显影液中，因此，整个制作工艺采用一次曝光一次显影的方法，可以极大地减小工艺复杂度，最终形成如图2(f)所示的台阶状第一区域。
所述台阶状第一区域包括：在所述第一金属层004上形成的第一空区、在所述第二光刻胶层上形成的第二空区和在所述第一光刻胶层002上形成的第三空区，其中，所述第一空区、所述第二空区和所述第三空区同轴线，且所述第一空区小于所述第二空区，大于所述第三空区。具体的如图2(f)所示，在电子束光刻和显影之后，第一金属层004上形成第一空区，第二光刻胶层形成第二空区，第一光刻胶层形成第三空区，在电子束轰击时，第一光刻胶层会对电子束进行背面散射，并且电子束自身也存在散射电子，该些散射电子能够对处于第一金属层004下方的第二光刻胶层形成光刻作用，从而形成第二空区大于第一空区，第二光刻胶层相对于第一金属层004上的第一空区分别凹进的情况，也即形成undercut结构，该种结构使得沉积的Y型栅金属的侧边不会与第二光刻胶层的侧壁粘连，避免了在剥离时，使Y型栅脱落。对应的，第一空区还必须大于第三空区，这样才能够将第三空区的势垒层裸露出来，以较好地沉积栅金属。需要说明的是，第一空区、第二空区和第三空区同轴线。台阶状第一区域的该种结构形式在后续沉积Y型栅金属时，Y型栅金属的边缘与第一空区的边缘在一个纵轴线上，由于第二空区大于第一空区，这样Y型栅金属的边缘就不会与第二光刻胶层的侧壁粘连，这样在进行后续的剥离工艺时，能够快速剥离，且不会对Y型栅金属造成影响，保证Y型栅金属的边缘形貌规整，能够有效减小寄生电容，提高饱和电流截止频率fT。
进一步的，第一电子束还可以是在第二电子束的外侧围成一圈，形成环状，第一电子束和第二电子束的分布结构，决定曝光后的台阶状第一区域的截面形状。
进行干法刻蚀，在所述台阶状第一区域的底面上形成势垒凹槽，在所述第一光刻胶层上形成Y型斜边，所述势垒凹槽的深度小于所述势垒层的厚度；具体为：
由于随着器件的小型化，器件等比例缩小后，栅长明显减小，短沟道效应则开始显著，这严重影响了器件的频率性能，为了能够有效抑制短沟道效应，在栅长较小时提高器件的频率特性，本实施例对势垒层进行减薄处理，如图2(g)所示，通过干法刻蚀在势垒层上形成势垒凹槽005，从而减薄势垒层，有效的抑制短沟道效应；同时，第一光刻胶层和第二光刻胶层均不抗刻蚀，第一金属层004可以对第二光刻胶层形成保护，而第一空区和第三空区构成的台阶状第一区域将第一光刻胶层裸露出棱角，在干法刻蚀中，干法刻蚀气体会对第一光刻胶层的上表面和位于第三空区的侧壁进行刻蚀，从而在第一光刻胶层上形成Y型斜边006，需要说明的是，Y型斜边006的倾斜角度通过控制刻蚀气体的浓度和刻蚀时间来控制，也就是通过一次干法刻蚀可以得到势垒凹槽005和Y型斜边006。降低了工艺复杂度。上述方法内容中，通过电子束光刻和干法刻蚀不需要复杂的模拟计算和大量实验，就可以获得形貌规整的Y型结构，工艺简单，且成本低。
进一步的，对上述显影得到的台阶状第一区域进行干法刻蚀，干法刻蚀具体为利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。本实施例中，刻蚀气体采用Cl2和O2的混合气体，势垒凹槽005的刻蚀深度根据势垒层的厚度和器件性能要求来选择，具体的，本实施例中，势垒层的厚度为20nm，优选的势垒凹槽005的深度为9nm。势垒凹槽005的深度要小于势垒层的厚度，需要避免将势垒层贯穿。
在所述势垒凹槽内进行栅金属沉积形成第一结构，所述第一结构包括Y型栅，所述Y型栅的高度大于所述第一光刻胶层的高度，小于所述第二光刻胶层的高度；包括：
采用电子束蒸镀(Electron Beam Evaporation)的方法在势垒凹槽005上进行Y型栅金属沉积，得到第一结构，如图2(h)所示，第一结构包括势垒层、经过电子束光刻后的第一光刻胶层、第二光刻胶层、第一金属层以及沉积栅金属后，在第一金属层上沉积的栅金属和在势垒凹槽内沉积形成的Y型栅。Y型栅的形成是在第一光刻胶层形成的Y型斜边006的基础上进行的。其中，在Y型斜边006上沉积形成Y型栅的栅头，对应的，Y型栅的厚度大于第一光刻胶层厚度和势垒凹槽005的深度的总和，否则无法形成Y型栅，同时，Y型栅的厚度小于第一光刻胶层和第二光刻胶层的厚度之和，也即沉积好的Y型栅最高点低于第二光刻胶层，而高于第一光刻胶层的Y型斜边006的最低点。具体的Y型栅的厚度可以根据器件性能要求来选择。
对所述第一结构进行剥离，得到所述凹槽型浮空Y型栅，具体为：
采用剥离工艺去掉势垒层上的第一光刻胶层、第一光刻胶层上的第二光刻胶层、第二光刻胶层上的第一金属层，以及第一金属层上沉积的栅金属007，留下淀积在势垒层凹槽上的凹槽型浮空Y型栅，也就是将第一结构中的Y型栅和势垒层之外的部分去除，保留下呈浮空状、带有凹槽的Y型栅结构。
现有技术中，在进行剥离时，均采用超声处理方式，但是超声处理会对已经成型的Y型栅造成破坏，导致Y型栅金属从势垒层上脱落，为了解决该技术问题，申请人专门设计了一种去除光刻胶层和金属层的剥离方法，具体为，将第一结构在丙酮中浸泡24小时，浸泡过程不进行超声处理；然后将第一结构置于60℃光刻剥离液中水浴加热10min；光刻剥离液能将第一光刻胶层和第二光刻胶层从势垒层表面剥离，附着在第二光刻胶层上的第一金属层随着光刻胶层溶于光刻剥离液中，进一步的依然在非超声状态，将第一结构在异丙醇中浸泡30min；然后使用超纯水将势垒层和势垒凹槽上形成的凹槽型浮空Y型栅金属表面附着的药剂冲洗2min，最后用氮气吹干，得到凹槽型浮空Y型栅。
综上可知，利用本发明可以制作出形状规整的凹槽型浮空Y型栅，避免了现有技术中的模拟计算过程和大量实验过程，且在电子束光刻后，在第一金属层下方的第二光刻胶层形成凹进结构，这样在沉积栅金属时，栅金属的边缘不会与第二光刻胶层的边缘粘连，便于剥离，能够避免剥离过程中对Y型栅结构的破坏，保证Y型栅的结构规整，更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT，同时减小了势垒层厚度，避免了短沟道效应对器件的影响，提高了跨导从而达到提高fT和fmax的目的。
实施例二
在上述实施例一的基础上，本实施例特别提出以下内容：
在势垒层上形成第一光刻胶层，包括：
烘烤温度为210℃，烘烤时间为8min；
在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；包括：
烘烤温度为200℃，烘烤时间为8min；
在所述第二光刻胶层上沉积第一金属层；包括：
第一金属层的材料为Ti，厚度为4nm。
本实施例二的其余内容与上述实施例一的内容相同，不再赘述。
综上所述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方案及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，本发明的保护范围应以所附的权利要求书为准。
Claims (7)
1.一种半导体栅极的制作方法，其特征在于，包括：
在势垒层上形成第一光刻胶层；
在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；
在所述第二光刻胶层上沉积第一金属层；
对所述第一金属层、所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层进行电子束光刻并显影，形成台阶状第一区域，所述台阶状第一区域的底面为所述势垒层的上表面，所述电子束光刻包括第一电子束和第二电子束，所述第一电子束与所述第二电子束的电子浓度不同；
其中，形成台阶状第一区域时，第一电子束用于击穿第二光刻胶层，第二电子束用于击穿第一光刻胶层；第一电子束分布在第二电子束的两侧，在曝光时，第一电子束和第二电子束能将第一金属层打成不连续的碎片；
所述台阶状第一区域包括：在所述第一金属层上形成的第一空区、在所述第二光刻胶层上形成的第二空区和在所述第一光刻胶层上形成的第三空区，其中，所述第一空区、所述第二空区和所述第三空区同轴线，且所述第一空区的左侧和右侧之间的距离小于所述第二空区的左侧和右侧之间的距离，大于所述第三空区的左侧和右侧之间的距离；
进行干法刻蚀，在所述台阶状第一区域的底面上形成势垒凹槽，在所述第一光刻胶层上形成Y型斜边，所述势垒凹槽的深度小于所述势垒层的厚度；干法刻蚀气体会对第一光刻胶层的上表面和位于第三空区的侧壁进行刻蚀，从而在第一光刻胶层上形成Y型斜边；通过一次干法刻蚀得到势垒凹槽和Y型斜边；
在所述势垒凹槽内进行栅金属沉积形成第一结构，所述第一结构包括Y型栅，所述Y型栅的高度大于所述第一光刻胶层的高度，小于所述第二光刻胶层的高度；
对所述第一结构进行剥离，得到凹槽型浮空Y型栅。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述第二光刻胶层的光刻敏感度高于所述第一光刻胶层的光刻敏感度。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述第二光刻胶层与所述第一光刻胶层溶于同一种显影液，且所述第一光刻胶层为PMMA胶，所述第二光刻胶层为PMMA-MAA胶。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述第一电子束分布于所述第二电子束***，所述第二电子束的电子浓度大于所述第一电子束的电子浓度。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述第一金属层的厚度小于6nm。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述第一金属层的材料为Al、Ti、W、Au、Pt中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一结构进行剥离，得到所述凹槽型浮空Y型栅，包括：
非超声状态下将所述第一结构在丙酮中浸泡24小时；
将所述第一结构置于60℃光刻剥离液中水浴加热10min；
非超声状态下将所述第一结构在异丙醇中浸泡30min；
采用超纯水冲洗2min；
氮气吹干，得到所述凹槽型浮空Y型栅。
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