CN110514503A - 一种纯铜试样的制备方法 - Google Patents

一种纯铜试样的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110514503A
CN110514503A CN201910972970.0A CN201910972970A CN110514503A CN 110514503 A CN110514503 A CN 110514503A CN 201910972970 A CN201910972970 A CN 201910972970A CN 110514503 A CN110514503 A CN 110514503A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing
preparation
pure copper
sample
copper samples
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910972970.0A
Other languages
English (en)
Inventor
毛泽宁
钱锟
王嘉畅
韩波
沈明强
赵卫华
刘晓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Baoye Group Corp Ltd
Shanghai Baoye Engineering Technology Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Baoye Group Corp Ltd
Shanghai Baoye Engineering Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Baoye Group Corp Ltd, Shanghai Baoye Engineering Technology Co Ltd filed Critical Shanghai Baoye Group Corp Ltd
Priority to CN201910972970.0A priority Critical patent/CN110514503A/zh
Publication of CN110514503A publication Critical patent/CN110514503A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/32—Polishing; Etching
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/34—Purifying; Cleaning
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20008—Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
    • G01N23/2005—Preparation of powder samples therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
    • G01N2001/2866—Grinding or homogeneising

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

本发明属于金属件试样的制备领域，特别涉及一种纯铜试样的制备方法，其制备方法包括如下步骤，机械磨抛：将纯铜试样磨光处理，直至打磨表面无肉眼可见划痕为止；机械抛光：电解抛光：将试样为阳极、同材质纯铜为阴极，用导线连接直流稳压电源，然后将两极同时浸入到电解抛光液中进行电解抛光；抛光极距10‑30mm，抛光时间5‑10min；清洗；二次机械抛光；二次电解抛光。本发明在去除表面残余应力层目的的同时，有效去除表面浮突、麻点、凹坑等缺陷，获得光洁平整的表面。通过本发明制备的纯铜试样，减少了后续的EBSD分析测试时的缺陷处无法产生衍射花样情况的发生，大大提高了菊池花样的标定率，花样标定率≥95％。

Description

一种纯铜试样的制备方法
技术领域
本发明属于金属件试样的制备领域，特别涉及一种纯铜试样的制备方法。
背景技术
金属铜在国民经济各个领域占据着十分重要的应用地位。在金属纯铜组织观察时，抛光处理可以去除金相试样表面划痕缺陷，获得光洁平整的金相表面，从而得到最佳的组织观测结果。现有技术中使用最多的技术手段是机械抛光，但是由于纯铜质地较软，抛光后的纯铜金相表面会残存有细小的机械抛痕，且由于切削受力，抛光后的表面会有留有一层残余应力层。该应力层的存在一方面会影响到表面显微硬度测量的准确性；另一方面在EBSD(电子背散射衍射)测试分析时，难以得到能够有效标定的清晰衍射花样，严重降低花样标定率，影响测试结果。
为解决这一问题，一般会在机械抛光后进行电解抛光，以达到去除金相表面抛痕及残余应力层的目的。但传统直流电解抛光时，电压偏低会使纯铜样品表面很容易产生表面浮突、麻点、凹坑等缺陷，电压过高时样品表面又会产生过抛光波浪状起伏表面，从而难以获得平整光洁的大面积表面，对纳米压痕、EBSD测试分析结果产生影响。此外电解抛光液成分种类较为复杂，有甲醇、硫酸等有害、强酸性成分，对环境和实验操作人员具有一定风险性。
发明内容
本发明的目的是提供一种纯铜试样的制备方法，在去除表面残余应力层目的的同时，有效去除试样表面浮突、麻点、凹坑等缺陷，获得光洁平整的表面，使得试样可以更好地用于纳米压痕测试、EBSD测试等的后续检测。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
一种纯铜试样的制备方法，其制备方法包括如下步骤，
(1)、机械磨抛：将纯铜试样磨光处理，直至打磨表面无肉眼可见划痕为止；
优选的，可用400#、800#、1000#碳化硅金相砂纸进行不同道次的磨光处理。
(2)、机械抛光：
将研磨膏或抛光膏涂抹在抛光布表面，于试样内测滴加清水以保持抛光面湿润，同时沿磨盘转动逆向缓慢移动试样；
优选的，磨盘转速为600-1000r/min。进一步优选的，磨盘转速为1000r/min。若转速过高，会增大摩擦生热的速度，不利于抛光面的散热，从而造成表面氧化变暗，而且转速过高还会使抛光面划痕增多，难以去除。转速过低会增大抛光时间，加大抛光去划痕过程的难度。
优选的，所述研磨膏为，粒度为0.5μm的金刚石研磨膏；所述抛光膏为粒径小于1μm的Al2O3抛光膏。抛光过程是通过研磨膏颗粒对试样面的机械切削作用，使表面光洁平整。纯铜较软，若选取研磨膏粒度过大，抛光面上会残留较粗大的明显机械抛痕。相反，若粒度过小，则会使抛光时间过长。
(3)、电解抛光：
将步骤(2)中的试样为阳极、同材质纯铜为阴极，用导线连接直流稳压电源，然后将两极同时浸入到电解抛光液中进行电解抛光；抛光极距10-30mm，抛光时间5-10min；
优选的，所述直流稳压电压为2.8V；抛光极距20mm，抛光时间10min。通过选用合适的电压、抛光极距、抛光时间，可以降低阳极反应的剧烈程度，有效避免高电压抛光引起的波浪状表面起伏以及各种复杂的表面缺陷。抛光极距过大会在抛光初期影响阳极电化学反应的启动响应，导致电解液对试样产生化学腐蚀，使得样品表面氧化变暗。过小的极距会造成电流不稳定，影响抛光质量。
电解抛光液为H3PO4和去离子水的混合液。进一步优选的，所述电解抛光液为H3PO4和去离子水按照体积比为7:1的混合液，H3PO4的浓度大于85％。该电解抛光液的组分配比简单，安全无害，不易挥发无刺激性，可长期保存并多次使用，大大降低了成本。
为了配合本发明特有的电抛工艺，本发明所采用的电解抛光液仅采用H3PO4和去离子水混合液作为电解抛光液，组分配比简单，安全无害，不易挥发无刺激性，可长期保存并多次使用。而且本发明的电解抛光液和去离子水按照体积比为7:1是技术效果最好的，如果体积比高与7:1，那么不利于流动，如果体积比低于7:1，那么电抛效果差。
(4)、清洗：
迅速取出电解抛光试样，先用清水冲洗，后置于乙醇中进行清洗，冷风吹干；
(5)、二次机械抛光：
重复步骤(2)的过程；优选的，研磨膏选用粒度为0.1μm的金刚石研磨膏，磨盘转速度为600r/min。此时样品表面已为较低粗糙度的抛光面，二次机械抛光选用粒径更为细小的研磨膏不会对严重延长抛光时间。此时目的是为了精抛，在终抛过程中尽可能减小残留抛痕的深度。
(6)、二次电解抛光：
重复步骤(3)的过程，并清洗试样即可。优选的，所述抛光时间为5min。此时电解抛光亦为精抛作业，目的是去除表面应力层，抛光时间应适当减小，以免过抛光引起表面质量变差。
本发明的有益效果是：
1、本发明采用二次机械抛光和二次电解抛光，去除表面残余应力层目的的同时，有效去除表面浮突、麻点、凹坑等缺陷，获得光洁平整的表面。
本发明通过引入二次机械精抛光、二次电解精抛光过程，实现的对试样表面的进一步精细修正，通过选用合适的抛光参数，使得抛光面质量得到进一步提高，同时未明显增加制样操作的时间。
2、通过本发明制备的纯铜试样，减少了后续的EBSD分析测试时的缺陷处无法产生衍射花样情况的发生，大大提高了菊池花样的标定率，花样标定率≥95％。
3、本发明配合特殊的电抛工艺所采用的电解抛光液仅采用H3PO4和去离子水混合液作为电解抛光液，组分配比简单，安全无害，不易挥发无刺激性，可长期保存并多次使用，大大降低了成本。
4、本发明操作简便，控制容易，效果好，所用设备简单易得，实验时间较短，实验要求较低，实验步骤较简便。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明作进一步说明：
实施例1：
1)机械磨抛：将切割好的10×10×8mm3无氧纯铜TU1试样依次用400#、800#、1000#碳化硅金相砂纸进行不同道次的打磨，直至表面无肉眼可见划痕。
2)机械抛光：选取粒度为0.5μm的金刚石研磨膏涂抹在抛光布表面，涂抹至抛光布表面，选取磨盘转速1000r/min，抛光的同时沿磨盘转动逆向缓慢移动试样，并滴加清水，直至获得光亮的镜像抛光面；
3)电解抛光：向烧杯内加入40ml组分体积比为H3PO4(分析纯)∶H2O＝7:1的电解抛光液，以待抛试样为阳极，同材质纯铜为阴极，在2.8V直流电压下室温抛光10min。抛光时需将两极同时浸入电解抛光液中，抛光极距20mm。
4)清洗：抛光结束后，迅速取出试样用清水冲洗，再用乙醇清洗。
5)二次机械抛光：与步骤2)机械抛光中的方法相同，仅仅是：研磨膏改为粒度为0.1μm的金刚石研磨膏，抛光机转速600r/min。
6)二次电解抛光：与步骤3)中的电解抛光中的方法相同，仅仅是抛光时间改为5min。电解抛光结束后取出试样分别用清水、乙醇清洗，冷风吹干保存即可。
对比例1
1)机械磨抛：将切割好的10×10×8mm3无氧纯铜TU1试样依次用400#、800#、1000#碳化硅金相砂纸进行不同道次的打磨，直至表面无肉眼可见划痕。
2)机械抛光：选取粒度为0.5μm的金刚石研磨膏涂抹在抛光布表面，涂抹至抛光布表面，选取磨盘转速1000r/min，抛光的同时沿磨盘转动逆向缓慢移动试样，并滴加清水，直至获得光亮的镜像抛光面；
3)电解抛光：向烧杯内加入40ml组分体积比为H3PO4(分析纯)∶H2O＝7:1的电解抛光液，以待抛试样为阳极，同材质纯铜为阴极，在2.8V直流电压下室温抛光10min。抛光时需将两极同时浸入电解抛光液中，抛光极距20mm。
4)清洗：抛光结束后，迅速取出试样用清水冲洗，再用乙醇清洗，冷风吹干保存。
通过白光共聚焦显微镜观察试样抛光面质量并测量表面粗糙度，同时使用SEM进行EBSD测试，探测菊池花样并记录标定率，结果见下表1。
表1：
以上数据对比可以看出，使用本发明设计的纯铜抛光制样方法，可以获得兼顾表面光洁平整及去除表面残余应力层特性的纯铜金相试样，同时表面光洁无缺陷，大大提高了EBSD菊池花样的标定率。
以上所述为本发明的较佳实施例而已，但本发明不应该局限于该实施例所公开的内容。所以凡是不脱离本发明所公开的精神下完成的等效或修改，都落入本发明保护的范围。

Claims (7)

1.一种纯铜试样的制备方法，其制备方法包括如下步骤，
(1)、机械磨抛：将纯铜试样磨光处理，直至打磨表面无肉眼可见划痕为止；
(2)、机械抛光：
将研磨膏或抛光膏涂抹在抛光布表面，于试样内侧滴加清水以保持抛光面湿润，同时沿磨盘转动逆向缓慢移动试样；
(3)、电解抛光：
将步骤(2)中的试样为阳极、同材质纯铜为阴极，用导线连接直流稳压电源，然后将两极同时浸入到电解抛光液中进行电解抛光；抛光极距10-30mm，抛光时间5-10min；
(4)、清洗：
迅速取出电解抛光试样，先用清水冲洗，后置于乙醇中进行清洗，冷风吹干；
(5)、二次机械抛光：
重复步骤(2)的过程；
(6)、二次电解抛光：
重复步骤(3)的过程，并清洗试样即可。
2.根据权利要求1所述的纯铜试样的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的磨盘转速为600-1000r/min。
3.根据权利要求2所述的纯铜试样的制备方法，其特征在于：所述研磨膏为0.5μm粒度的金刚石研磨膏；所述抛光膏为粒径小于1μm的Al2O3抛光膏。
4.根据权利要求1所述的纯铜试样的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的直流电压为2.8V；电解抛光液为H3PO4和去离子水的混合液。
5.根据权利要求4所述的纯铜试样的制备方法，其特征在于，所述电解抛光液为H3PO4和去离子水按照体积比为7:1的混合液，H3PO4的浓度大于85％。
6.根据权利要求1所述的纯铜试样的制备方法，其特征在于，步骤(5)中选用粒度为0.1μm的金刚石研磨膏，磨盘转速度为600r/min。
7.根据权利要求1所述的纯铜试样的制备方法，其特征在于，所述步骤(6)中的抛光时间为5min。
CN201910972970.0A 2019-10-14 2019-10-14 一种纯铜试样的制备方法 Pending CN110514503A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910972970.0A CN110514503A (zh) 2019-10-14 2019-10-14 一种纯铜试样的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910972970.0A CN110514503A (zh) 2019-10-14 2019-10-14 一种纯铜试样的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110514503A true CN110514503A (zh) 2019-11-29

Family

ID=68633337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910972970.0A Pending CN110514503A (zh) 2019-10-14 2019-10-14 一种纯铜试样的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110514503A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110967356A (zh) * 2019-12-18 2020-04-07 浙江华电器材检测研究所有限公司 一种提高塑性金属电子背散射衍射样品表面质量的方法
CN111351694A (zh) * 2020-04-30 2020-06-30 上海宝冶工程技术有限公司 一种无渗水污损边缘显微组织的金相试样制备方法
CN111521462A (zh) * 2020-05-06 2020-08-11 中国航发成都发动机有限公司 一种涂层的金相制备方法
CN111826706A (zh) * 2020-07-16 2020-10-27 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺
CN112924255A (zh) * 2021-01-29 2021-06-08 上海微谱化工技术服务有限公司 一种阳性样品微孔加工方法及其应用
CN114892258A (zh) * 2022-05-23 2022-08-12 浙江工业大学 一种电解抛光装置与减薄平板拉伸试样的方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1544929A (zh) * 2003-11-27 2004-11-10 中国科学院长春应用化学研究所 形状可控的纳米级金微带电极的制备方法
CN103063496A (zh) * 2013-01-08 2013-04-24 上海宝冶工程技术有限公司 一种黄铜抗脱锌试样制备方法
CN103792245A (zh) * 2014-02-19 2014-05-14 中国科学院上海硅酸盐研究所 通过背散射电子衍射测试方法判断铜导线熔痕的方法
CN106198226A (zh) * 2016-09-19 2016-12-07 中国科学院地质与地球物理研究所 结合原位电子背散射衍射技术表征晶粒应变的方法
CN106346344A (zh) * 2015-07-15 2017-01-25 宁波江丰电子材料股份有限公司 铜靶材表面的处理方法
CN106498484A (zh) * 2016-10-25 2017-03-15 河北工业大学 一种复杂黄铜的电解抛光方法
CN108181156A (zh) * 2016-12-08 2018-06-19 北京有色金属研究总院 一种用于ebsd测试的铜合金试样制备方法
CN109778298A (zh) * 2019-03-19 2019-05-21 常州华森医疗器械有限公司 一种电解抛光液、抛光装置及抛光方法
CN109839393A (zh) * 2019-03-22 2019-06-04 南京理工大学 铅锡及其复合材料或其合金电子背散射衍射样品制备工艺
CN110076209A (zh) * 2019-05-13 2019-08-02 浙江力博实业股份有限公司 一种继电器用铜带的制备方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1544929A (zh) * 2003-11-27 2004-11-10 中国科学院长春应用化学研究所 形状可控的纳米级金微带电极的制备方法
CN103063496A (zh) * 2013-01-08 2013-04-24 上海宝冶工程技术有限公司 一种黄铜抗脱锌试样制备方法
CN103792245A (zh) * 2014-02-19 2014-05-14 中国科学院上海硅酸盐研究所 通过背散射电子衍射测试方法判断铜导线熔痕的方法
CN106346344A (zh) * 2015-07-15 2017-01-25 宁波江丰电子材料股份有限公司 铜靶材表面的处理方法
CN106198226A (zh) * 2016-09-19 2016-12-07 中国科学院地质与地球物理研究所 结合原位电子背散射衍射技术表征晶粒应变的方法
CN106498484A (zh) * 2016-10-25 2017-03-15 河北工业大学 一种复杂黄铜的电解抛光方法
CN108181156A (zh) * 2016-12-08 2018-06-19 北京有色金属研究总院 一种用于ebsd测试的铜合金试样制备方法
CN109778298A (zh) * 2019-03-19 2019-05-21 常州华森医疗器械有限公司 一种电解抛光液、抛光装置及抛光方法
CN109839393A (zh) * 2019-03-22 2019-06-04 南京理工大学 铅锡及其复合材料或其合金电子背散射衍射样品制备工艺
CN110076209A (zh) * 2019-05-13 2019-08-02 浙江力博实业股份有限公司 一种继电器用铜带的制备方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
上传者：YIRAN909: "铜及铜合金制样技术", 《小木虫论坛学术科研互动平台》 *
王春芳 等: "钢铁材料EBSD样品电解抛光制备方法", 《物理测试》 *
顾佳磊 等: "电解抛光技术在现场金相检测中的应用探索", 《金属热处理》 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110967356A (zh) * 2019-12-18 2020-04-07 浙江华电器材检测研究所有限公司 一种提高塑性金属电子背散射衍射样品表面质量的方法
CN111351694A (zh) * 2020-04-30 2020-06-30 上海宝冶工程技术有限公司 一种无渗水污损边缘显微组织的金相试样制备方法
CN111521462A (zh) * 2020-05-06 2020-08-11 中国航发成都发动机有限公司 一种涂层的金相制备方法
CN111521462B (zh) * 2020-05-06 2023-07-18 中国航发成都发动机有限公司 一种涂层的金相制备方法
CN111826706A (zh) * 2020-07-16 2020-10-27 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺
CN111826706B (zh) * 2020-07-16 2023-01-17 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺
CN112924255A (zh) * 2021-01-29 2021-06-08 上海微谱化工技术服务有限公司 一种阳性样品微孔加工方法及其应用
CN112924255B (zh) * 2021-01-29 2023-08-15 上海微谱化工技术服务有限公司 一种阳性样品微孔加工方法及其应用
CN114892258A (zh) * 2022-05-23 2022-08-12 浙江工业大学 一种电解抛光装置与减薄平板拉伸试样的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110514503A (zh) 一种纯铜试样的制备方法
CN102230210B (zh) 一种不锈钢无铬电解抛光液及其表面抛光处理工艺
CN104762622B (zh) 一种铜镍合金管材表面光亮化的处理方法
CN102890027A (zh) 一种含Ti的无间隙原子钢冷轧薄板金相组织显示方法
CN109839393A (zh) 铅锡及其复合材料或其合金电子背散射衍射样品制备工艺
CN102435485B (zh) 用于扫描电镜观测钢中夹杂物的样品预处理方法
CN102230211A (zh) 一种用于改善Ni5at.%W合金基带表面质量的电解抛光液及其使用方法
CN107462456A (zh) 金相组织显示方法
CN109297998A (zh) 一种室温下快速制备钛及钛合金ebsd试样的方法
CN110954388A (zh) 一种含稀土钛合金激光熔覆层金相腐蚀剂及组织显示方法
CN106637377B (zh) 镍基合金电解抛光液及其抛光方法
CN109537041B (zh) 一种用于电子背散射衍射测试的表面纳米化Cu及Cu合金的抛光方法
CN106769354B (zh) 用于铝合金金相试样的抛光方法
TWI602956B (zh) 提高鋼材顯微組織鑑別度之分析方法
CN102851720A (zh) 一种铝酸盐电解液及其在制备镁合金微弧氧化膜中的应用
CN110132696A (zh) 一种高温合金的金相腐蚀方法
CN108866601B (zh) 一种基于热处理的Ti5111合金的微弧氧化方法
CN1167257A (zh) 冷轧退火无间隙原子钢金相组织显示方法
CN102108538A (zh) 基于微弧氧化的汽车空调配件的表面改性方法
CN102703886A (zh) 一种制备镁合金超疏水表面的方法
CN101775602B (zh) 一种硬质合金刀具表面氮铝钛涂层浸蚀剂及其使用方法
CN114686789B (zh) 通过增加共格孪晶界比例提高纯铜晶界腐蚀抗力的方法
CN115683771A (zh) 一种钽及钽合金ebsd样品的制备方法
US3647654A (en) Beryllium-copper electropolishing solution
CN103913362A (zh) 一种制备铸态铅或铅合金ebsd样品的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20191129

RJ01 Rejection of invention patent application after publication