CN110494804B - 纳米压印模具及其制造方法、使用纳米压印模具的图案转印方法 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及纳米压印模具。纳米压印模具可以包括衬底基板。衬底基板可以包括主区域和围绕主区域的次区域。主区域可以包括模具结构，并且模具结构可以包括多个第一凹部和多个第一凸部。次区域可以包括栅结构，并且栅结构可以包括多个第二凹部和多个第二凸部。第二凸部中的至少一个的高度大于第一凸部中的至少一个的高度。
Description
技术领域
本公开涉及纳米压印技术，更具体地，涉及纳米压印模具、其制造方法、以及使用纳米压印模具的图案转印方法。
背景技术
近年来，半导体集成电路正变得更加精细并且集成度更高。纳米压印转印方法作为以低成本执行精细图案形成的技术之一，获得了广泛的关注。在该方法中，首先将具有与期望在衬底上形成的凹凸图案相同的凹凸图案的模具冲压在衬底表面上所形成的抗蚀膜层上，从而将预定图案转印至衬底上。
发明内容
本公开的一个示例是一种纳米压印模具。纳米压印模具可以包括衬底基板。衬底基板可以包括主区域和围绕主区域的次区域。主区域可以包括模具结构，其可以包括多个第一凹部和多个第一凸部。次区域可以包括栅结构，其可以包括多个第二凹部和多个第二凸部。第二凸部中的至少一个的高度大于第一凸部中的至少一个的高度。
本公开的另一示例是一种制造纳米压印模具的方法。所述方法可以包括：在衬底基板上形成金属层，衬底基板包括主区域和次区域；在金属层上形成第一光刻胶的层；通过电子束直写方法在次区域中形成第一光刻胶的栅图案；通过第一光刻胶的栅图案蚀刻金属层以在次区域中形成金属层的栅图案；在暴露的衬底基板和金属层的栅图案上形成第二光刻胶的层；通过电子束直写方法在衬底基板和金属层的栅图案上形成第二光刻胶的栅图案；通过第二光刻胶的栅图案蚀刻衬底基板；以及，移除第二光刻胶的栅图案以形成主区域中的模具结构和次区域中的栅结构。模具结构包括多个第一凹部和多个第一凸部，栅结构包括多个第二凹部和多个第二凸部。第二凸部中的至少一个的高度大于第一凸部中的至少一个的高度。
本公开的另一个示例是一种图案转印方法。所述图案转印方法包括：使用根据本公开的一个实施例的纳米压印模具在衬底的第一区域中形成第一纳米结构并且在衬底的第二区域中形成第二纳米结构。
附图说明
在说明书结论处的权利要求书中具体地指出并清楚地要求视为本发明的主题。根据结合附图给出的以下详细描述，本发明的前述内容和其它目的、特征和优点是显而易见的，在附图中：
图1示出了相关技术中的纳米压印模具的示意顶视图；
图2a至图2e示出了相关技术中通过纳米压印模具在衬底上形成抗蚀层的图案的示意图示；
图3a示出了根据本公开的一些实施例的纳米压印模具的示意顶视图；
图3b示出了图3a中的纳米压印模具沿线BB’的示意截面示图；
图4a至图4i示出了根据本公开的一些实施例的制造纳米压印模具的方法的示意图示；
图5a至图5f示出了根据本公开的一些实施例的图案转印方法的示意图示；
图6示出了根据本公开的一些实施例的在衬底上形成多个纳米结构的示意图示；和
图7示出了根据本公开的一些实施例的在衬底上形成相邻两个压印胶图案的示意图示。
具体实施方式
将参照附图和实施例更具体地描述本公开，以提供本领域技术人员对本公开技术方案的更好的理解。在本公开的整个描述内容中，对图1至图7进行参考。当参考附图时，以相似附图标记表示整个附图中的相似结构和元素。
在本说明书中，可以添加术语“第一”、“第二”等作为前缀。然而，添加这些前缀仅仅是为了区分各术语，并且不具有比如顺序或相对优点之类的特定含义。在本公开的描述内容中，除非另有具体限定，否则“多个”的含义是两个或更多个。
在本说明书的描述内容中，对术语“一些实施例”、“一个实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“具体示例”、“一些示例”等的参考旨在表示结合实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一些实施例或示例中。术语的示意性表达不必指相同实施例或示例。此外，所描述的具体特征、结构、材料或特性可以以任何适当方式包括在任意一个或多个实施例或示例中。本文中由“约”所修饰的数量表示该数量可以改变其10％。
纳米压印模具通常具有小尺寸。为了在大区域中形成纳米结构，纳米压印模具首先需要重复地冲压在衬底的表面上的抗蚀膜层上，以形成抗蚀膜层的图案。随后，抗蚀膜层的图案在后续步骤(诸如蚀刻)中用作掩膜，以形成纳米结构。因此，对于在后续步骤中在衬底上形成均匀的纳米结构而言，抗蚀膜层的图案的质量非常重要。然而，在纳米压印处理期间，由于通过纳米压印模具的周边区域施加到抗蚀膜层的抗蚀剂上的力不均衡，导致纳米压印模具的周边区域中的过量抗蚀剂会快速向外溢出，从而在抗蚀膜层的图案中形成缺陷区域。
图1示出了相关技术中的纳米压印模具的示意图示。如图1所示，纳米压印模具12包括主区域(MA)和围绕主区域的周边区域(PA)。
图2a至图2e示出了相关技术中使用纳米压印模具在衬底上形成抗蚀层的图案的示意图示。图2a还示出了图1的纳米压印模具14沿线AA’的部分的截面示图。在纳米压印处理期间，首先在衬底1上形成抗蚀层2。随后，将纳米压印模具压在抗蚀层上。如图2b所示，对于与纳米压印模具的MA对应的区域中的抗蚀剂的凸部，从抗蚀剂的凸部的两侧作用的力F1和F2实质上相同。然而，对于与纳米压印模具的PA对应的区域中的抗蚀剂的凸部，从抗蚀剂的凸部的两侧作用的力F3和F4不同。即，向外推的力F3大于向内推的力F4。结果，过量抗蚀剂向外溢出至相邻区域，从而导致用于第二纳米压印的相邻区域中的抗蚀层更厚，如图2c所示。此外，由于与纳米压印模具的PA对应的区域中的抗蚀剂的凸部上的力不均衡，导致难以形成完全均匀的纳米压印图案。即，与纳米压印模具的PA对应的区域中的抗蚀剂的凸部的高度低于与纳米压印模具的MA对应的区域中的抗蚀剂的凸部的高度，如图2c所示。
图2d示出了使用相关技术中的纳米压印模具在衬底上通过两次纳米压印处理形成的相邻两个抗蚀层的图案的示意截面示图。如图2d所示，对于左侧的由第一纳米压印形成的抗蚀层的图案，与纳米压印模具的PA对应的区域中的凸部的高度短于与纳米压印模具的MA对应的区域中的凸部的高度。此外，右侧的由第二纳米压印形成的抗蚀层的图案的底部层更厚。例如，如图2d所示，抗蚀层的第二图案的底部层的厚度h3大大高于抗蚀层的第一图案的底部层的厚度h1。因此，与纳米压印模具的PA对应的区域中的抗蚀层的第一图案的凸部和具有更厚底部层的抗蚀层的第二图案的凸部构成相邻两个纳米结构的缺陷区域，如图2e所示。该缺陷区域相对宽，并且可具有至少15μm的宽度S1。
图3a示出了根据本公开的一个实施例的纳米压印模具100的顶视图。如图3a所示，纳米压印模具100包括主区域(MA)和围绕主区域的次区域(SA)。主区域(MA)可以具有宽度L1，并且次区域(SA)可以具有宽度L2，L1＞L2。在一个实施例中，L1可以在约2英寸至约12英寸的范围内，L2可以在约0.3μm至约2.5μm的范围内。
图3b示出了图3a中的纳米压印模具沿线BB’的示意截面示图。如图3b所示，纳米压印模具包括衬底基板10。衬底基板包括主区域(MA)和围绕主区域的次区域(SA)。主区域包括模具结构16，并且模具结构16可以包括多个第一凹部18和多个第一凸部20。次区域包括栅结构22，并且栅结构22包括多个第二凹部24和多个第二凸部26。第二凸部中的至少一个的高度H2大于第一凸部中的至少一个的高度H1。在一些实施例中，如图3b所示，所述多个第一凸部20中的每一个具有实质上相同的高度H1。所述多个第二凸部26中的每一个具有实质上相同的高度H2。所述多个第二凸部的高度H2大于所述多个第一凸部的高度H1。
在一些实施例中，第二凸部中的至少一个的高度H2在约120nm至约550nm的范围内，优选地，在约160nm至约420nm的范围内。在一些实施例中，第一凸部中的至少一个的高度H1在约60nm至约300nm的范围内，优选地，在约120nm至约200nm的范围内。栅结构的宽度(即，SA的宽度L2)可以在约0.3μm至约2.5μm的范围内，优选地，在约0.5μm至约1.5μm的范围内。在一个实施例中，栅结构的宽度为约1μm。
在一些实施例中，如图3b所示，第二凸部中的每一个包括底部262和顶部264。顶部264和底部262可以由不同材料制成。第二凸部中的每一个的底部262、衬底基板和第一凸部可以由相同材料制成。在一个实施例中，第二凸部中的每一个的底部262、衬底基板10和第一凸部20可以由诸如Ni的第一金属、诸如Si、石英或玻璃的第一无机材料、或者诸如聚二甲基硅氧烷的第一聚合物制成。在一些实施例中，第二凸部中的每一个的顶部264由诸如Mo或Ti的第二金属或者诸如SiNx或SiOx的第二无机材料制成。
所述多个第二凸部26可以具有相同的宽度或不同的宽度。在一些实施例中，第二凸部中的每一个的宽度在约50nm至约100nm的范围内。每个第二凸部的宽度可以相同或不同。在一些实施例中，第二凹部中的每一个的宽度在约100nm至约200nm的范围内。在一些实施例中，第一凸部中的每一个的宽度在约150nm至约200nm的范围内，并且第一凹部中的每一个的宽度在约170nm至220nm的范围内。本文中，特征的宽度指的是在与纳米压印模具的衬底基板的顶部大表面平行的方向上测得的该特征的长度。
根据本公开的一些实施例，通过在压印模具的次区域处增加栅结构，在纳米压印期间，在与相关技术中纳米压印模具的PA对应的区域中从抗蚀剂的凸部的两侧作用的力F3和F4实质上相同。结果，可以显著抑制相关技术中与纳米压印模具的PA对应的衬底区域中纳米压印抗蚀剂的溢出，并且可以显著改善与纳米压印模具的PA对应的衬底区域中图案的形貌。此外，相邻区域中的抗蚀层的厚度将不会显著增加。因此，显著减少了抗蚀层的图案的缺陷区域(特别是在两个纳米压印位置之间的接合区域处的缺陷区域)。
图4a至图4i示出了根据本公开的一些实施例的制造纳米压印模具的方法的示意图示。在一些实施例中，如图4a所示，该制造方法包括在衬底基板51上形成金属层53。衬底基板51可以包括用于在其上形成模具结构的主区域和用于在其上形成栅结构的次区域。次区域位于主区域的***并且围绕主区域。金属层可以由诸如Mo或Ni之类的金属形成，并且可以通过蒸镀沉积技术形成在衬底基板上。衬底基板可以由诸如Ni之类的第一金属、诸如Si、石英或玻璃之类的第一无机材料、或者诸如聚二甲基硅氧烷之类的第一聚合物形成。
在一些实施例中，如图4b所示，在形成金属层之后，所述制造方法还可以包括在金属层53上形成第一光刻胶的层55。第一光刻胶的组分可以包括酚醛树脂、敏化剂、丙二醇甲醚乙酸酯和其他添加剂。在一个实施例中，第一光刻胶中的酚醛树脂、敏化剂和丙二醇甲醚乙酸酯的含量可以分别为第一光刻胶的组分的约15wt％至约30wt％、约2wt％至约10wt％和约50wt％至约70wt％。可以通过诸如旋涂之类的涂覆技术在金属层上形成第一光刻胶的层55。
在一些实施例中，如图4c所示，在金属层53上形成第一光刻胶的层之后，所述制造方法还包括例如通过电子束直写方法、激光直写方法或激光干涉方法在次区域中形成第一光刻胶的栅图案57。第一光刻胶的栅图案包括在金属层上间隔分布的第一光刻胶的多个凸部。在这些凸部之中，电子束直写方法可以形成各自具有若干纳米或更多纳米的宽度的多个凸部。激光直写方法和激光干涉方法可以形成各自具有几百纳米或更多纳米的宽度的多个凸部。第一光刻胶的栅图案57将在后续步骤中用作用于蚀刻下方的金属层53以形成栅结构的掩膜。
在一些实施例中，如图4d和图4e所示，在形成第一光刻胶的栅图案57之后，所述制造方法还可以包括通过将第一光刻胶的栅图案作为掩膜来蚀刻金属层以在次区域中形成金属层的栅图案59。可以通过干法蚀刻技术来蚀刻金属层。如图4d所示，通过蚀刻处理完全移除了主区域中的金属层，这是因为在主区域中不存在作为掩膜的第一光刻胶的栅图案57。金属层53的栅图案包括金属层的多个凸部。金属层的多个凸部中的每一个对应于第一光刻胶的多个凸部中的一个。在蚀刻金属层之后，通过例如剥离技术或灰化技术移除第一光刻胶的多个凸部，如图4e所示。因此，形成了次区域中的金属层的栅图案59。
在一些实施例中，如图4f所示，在形成次区域中的金属层的栅图案59之后，所述制造方法还可以包括在暴露的衬底基板和金属层的栅图案59上形成第二光刻胶的层61。第二光刻胶的层61覆盖主区域中的暴露的衬底基板和次区域中的金属层的栅图案。第二光刻胶的层61的厚度大于金属层的栅图案的多个凸部的高度。第二光刻胶的组分可以与第一光刻胶的组分相同或相似。当然，第二光刻胶的组分也可以不同于第一光刻胶的组分。
在一些实施例中，如图4g所示，在形成第二光刻胶的层之后，所述制造方法还可以包括通过电子束直写方法、激光直写方法或激光干涉方法在衬底基板和金属层的栅图案上形成第二光刻胶的栅图案63。第二光刻胶的栅图案63包括主区域中的第二光刻胶的多个凸部，其将在后续步骤中用作掩膜以经由蚀刻在主区域中形成模具结构。第二光刻胶的栅图案还包括次区域中的多个凸部，其分别位于金属层的多个凸部的顶部上。次区域中的第二光刻胶的多个凸部还将在后续步骤中用作掩膜以经由蚀刻在次区域中形成栅结构。
在一些实施例中，如图4h所示，在形成第二光刻胶的栅图案63之后，所述制造方法还可以包括通过第二光刻胶的栅图案63蚀刻衬底基板以形成主区域中的模具结构16和次区域中的栅结构22。即，利用第二光刻胶的栅图案作为掩膜来蚀刻衬底基板。在一个实施例中，通过干法蚀刻技术来蚀刻衬底基板。
在一些实施例中，如图4i所示，在蚀刻衬底基板之后，所述制造方法还可以包括移除位于主区域的模具结构和次区域中的栅结构上的第二光刻胶的栅图案63。可以例如通过剥离技术或灰化技术来执行移除第二光刻胶的栅图案。模具结构16包括多个第一凹部和多个第一凸部。栅结构22包括多个第二凹部和多个第二凸部。第二凸部中的每一个包括底部和顶部。底部与衬底基板由相同材料制成。次区域中的第二凸部中的至少一个的高度(其是底部的高度和顶部的高度之和)大于主区域中的第一凸部中的至少一个的高度。
图5a至图5f示出了根据本公开的一些实施例的图案转印方法的示意图示。在一些实施例中，图案转印方法可以包括：使用根据本公开的一个实施例的纳米压印模具在衬底的第一区域中形成第一纳米结构。
在一些实施例中，如图5a所示，所述图案转印方法包括在衬底71上顺序地形成金属层73和压印胶的层75。衬底可以由玻璃制成。金属层可以包括诸如Al的金属。在一个实施例中，压印胶是丙烯酸基树脂或环氧基树脂。压印胶可以包括光引发剂和其它添加剂。
在一些实施例中，如图5b和图5c所示，所述图案转印方法还包括：将根据本公开的一个实施例的纳米压印模具100与压印胶的层75对准并压到压印胶的层75中，从而在衬底的第一区域中形成压印胶的图案77。在一些实施例中，压印胶的层的厚度大于纳米压印模具的栅结构的任意一个第二凸部的高度。
在一些实施例中，如图5d所示，所述图案转印技术还包括将纳米压印模具从衬底移除或分离，从而在衬底的第一区域中的金属层73上形成压印胶的图案77。压印胶的图案77包括多个凸部和多个凹部。压印胶的薄层仍然存在于金属层上的压印胶的凹部的底部处。即，即使在压印胶的凹部中，下方的金属层也未暴露于空气。
在一些实施例中，如图5e所示，在将纳米压印模具从衬底分离之后，所述图案转印方法还包括蚀刻处理。在一个实施例中，蚀刻处理包括：使用压印胶的图案77作为掩膜，在电感耦合等离子体(ICP)气氛中对压印胶进行第一蚀刻，从而移除位于金属层上的压印胶的凹部的底部处的压印胶的薄层。电感耦合等离子体(ICP)气氛中的对压印胶的第一蚀刻的条件可以包括压力为1.0-10.0mT的氧气(O2)、40-100℃的温度和200-1500W的功率。结果，下方的金属层暴露在压印胶的凹部中。随后，使用压印胶的图案作为掩膜，对下方的金属层执行第二蚀刻以形成金属层的第一纳米结构80。可以例如通过ICP技术执行对金属层的第二蚀刻。电感耦合等离子体(ICP)气氛中的对金属层的第二蚀刻的条件可以包括压力为1.0-15.0mT的Cl2、Cl3、CH4和N2、40-100℃的温度和300-2500W的功率。
在一些实施例中，如图5f所示，在蚀刻金属层之后，所述图案转印方法还包括移除第一纳米结构80上的压印胶的图案77，从而获得衬底的第一区域中的第一纳米结构80。可以例如通过剥离技术或灰化技术来移除压印胶的图案77。如图5f所示，与纳米压印模具的主区域(MA)对应的区域中的第一纳米结构80的所有凸部具有实质上相同的高度，并且因此非常均匀。与纳米压印模具的主区域(MA)对应的区域中的缺陷区域很小或没有缺陷区域。
在一些实施例中，图案转印方法还包括：使用根据本公开的一些实施例的纳米压印模具在衬底的第二区域中形成第二纳米结构。第二区域邻近于第一区域。第一区域和第二区域之间的距离可以在50nm至15μm的范围内，优选地，在100nm至10μm的范围内。形成第二纳米结构的处理可以类似于上述形成第一纳米结构的处理，并且在此不再重复。类似地，上述纳米压印处理可以重复多次，从而在衬底上形成多个纳米结构。
图6示出了根据本公开的一个实施例的在衬底上形成多个纳米结构的示意图示。在一些实施例中，为了在衬底的大区域上形成整体的纳米结构，重复执行形成第一纳米结构的处理，从而将多个纳米结构形成在衬底的不同区域上。所述多个纳米结构可以彼此毗邻并且其间具有诸如L3的较短距离，如图6所示。L3可以在约100nm至10μm的范围内。P是在纳米压印处理期间纳米压印模具在衬底1上的移动路线。P可以具有S曲线或其它类型。因此，所述多个纳米结构可以在衬底的大区域中构成整体的纳米结构。
根据本公开的一些实施例，由于纳米压印模具的次区域中的栅结构的存在，衬底的第一区域中的主区域的边缘处的压印胶经历相同的内推力和外推力。因此，显著抑制了第一纳米压印期间衬底的第一区域中的过量压印胶溢出。因此，在第一纳米压印之后，主区域中(特别是主区域的边缘处)的压印胶的图案是均匀的。此外，用于第二纳米压印的邻近于第一区域的区域中的压印胶的厚度也未显著增加。因此，相邻两个压印胶的图案之间的缺陷区域显著减小。结果，使用相邻两个压印胶的图案作为掩膜而形成的相邻两个纳米结构之间的缺陷区域显著减小。
图7示出了根据本公开的一个实施例的通过图案转印方法形成的相邻两个压印胶的图案的截面示图的示意图示。图7可以为沿图6的CC’线的截面示图。如图7所示，第一区域中的压印胶的第一图案的主区域中的凸部非常均匀。由于抑制了第一纳米压印期间从第一区域向相邻区域的压印胶的溢出，因此显著减小了具有较厚底部层的压印胶的第二图案的凸部的区域。如图7所示，相邻两个压印胶的图案之间的缺陷区域的宽度显著减小。在一个实施例中，缺陷区域可具有在5μm至8μm的范围内的宽度S2。在一个实施例中，S2可以为约5μm。
本公开的另一示例是通过根据本公开的一个实施例的图案转印方法产生的纳米结构。本公开的另一示例是显示面板，其包括根据本公开的一个实施例形成的纳米结构。
在本说明书中阐述了本公开的原理和实施例。本公开的实施例的描述仅用于帮助理解本公开的方法及其核心构思。同时，对于本领域普通技术人员而言，本公开涉及本公开的范围，并且实施例不限于技术特征的特定组合，并且还应该覆盖通过在不脱离本发明构思的情况下组合技术特征或技术特征的等同特征而形成的其他实施例。例如，可以通过将本公开中所公开的上述特征替换为类似特征而获得实施例。
Claims (17)
1.一种纳米压印模具，包括：
衬底基板，所述衬底基板包括主区域和围绕所述主区域的次区域；
其中，所述主区域包括模具结构，并且所述模具结构包括多个第一凹部和多个第一凸部，所述次区域包括栅结构，所述栅结构包括多个第二凹部和多个第二凸部，并且
所述多个第二凸部中的至少一个的高度大于所述多个第一凸部中的至少一个的高度,所述多个第一凸部靠近衬底基板的一端、所述多个第二凸部靠近衬底基板的一端位于同一平面上；
所述多个第二凸部中的每一个包括底部和顶部，所述顶部和所述底部由不同材料制成，并且所述多个第二凸部中的每一个的底部、所述衬底基板和所述多个第一凸部由相同材料制成。
2.根据权利要求1所述的纳米压印模具，其中，所述多个第二凸部中的至少一个的高度在约160nm至约420nm的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的纳米压印模具，其中，所述多个第一凸部中的至少一个的高度在约120nm至约200nm的范围内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的纳米压印模具，其中，所述栅结构的宽度在约0.5μm至约1.5μm的范围内。
5.根据权利要求1所述的纳米压印模具，其中，所述多个第二凸部中的每一个的底部、所述衬底基板和所述多个第一凸部由第一金属、第一无机材料或第一聚合物制成。
6.根据权利要求5所述的纳米压印模具，其中，所述第一金属是Ni；所述第一无机材料是Si、石英、或玻璃；并且所述第一聚合物是聚二甲基硅氧烷。
7.根据权利要求1所述的纳米压印模具，其中，所述多个第二凸部中的每一个的顶部由第二金属或第二无机材料制成。
8.根据权利要求7所述的纳米压印模具，其中，所述第二金属是Mo或Ti，并且所述第二无机材料是SiNx或SiOx。
9.根据权利要求1所述的纳米压印模具，其中，所述多个第二凸部中的每一个的宽度在约50nm至约100nm的范围内，并且所述多个第二凹部中的每一个的宽度在约100nm至约200nm的范围内。
10.根据权利要求1所述的纳米压印模具，其中，所述多个第一凸部中的每一个的宽度在约150nm至约200nm的范围内，并且所述多个第一凹部中的每一个的宽度在约170nm至约220nm的范围内。
11.一种制造纳米压印模具的方法，包括:
在衬底基板上形成金属层，所述衬底基板包括主区域和次区域；
在所述金属层上形成第一光刻胶的层；
通过电子束直写方法在所述次区域中形成所述第一光刻胶的栅图案；
通过所述第一光刻胶的所述栅图案蚀刻所述金属层以在所述次区域中形成所述金属层的栅图案；
在暴露的所述衬底基板和所述金属层的所述栅图案上形成第二光刻胶的层；
通过电子束直写方法在所述衬底基板和所述金属层的所述栅图案上形成所述第二光刻胶的栅图案；
通过所述第二光刻胶的所述栅图案蚀刻所述衬底基板；以及
移除所述第二光刻胶的所述栅图案以形成所述主区域中的模具结构和所述次区域的栅结构；
其中，所述模具结构包括多个第一凸部和多个第一凹部，所述栅结构包括多个第二凸部和多个第二凹部，并且所述多个第二凸部中的至少一个的高度大于所述多个第一凸部中的至少一个的高度,所述多个第一凸部靠近衬底的一端、所述多个第二凸部靠近衬底的一端位于同一平面上；
所述多个第二凸部中的每一个包括底部和顶部，所述顶部和所述底部由不同材料制成，并且所述多个第二凸部中的每一个的底部、所述衬底基板和所述多个第一凸部由相同材料制成。
12.一种利用权利要求1所述的纳米压印模具的图案转印方法，包括：
利用所述纳米压印模具在衬底的第一区域中形成第一纳米结构。
13.根据权利要求12所述的图案转印方法，其中，在所述衬底的所述第一区域中形成所述第一纳米结构包括：
在所述衬底上形成金属层；
在所述金属层上形成压印胶的层；
将所述纳米压印模具压在所述衬底的所述第一区域中的所述压印胶的层上；
将所述纳米压印模具移除以在所述衬底的所述第一区域中的所述金属层上形成压印胶的图案；
通过所述压印胶的图案蚀刻所述金属层；以及
移除所述压印胶的图案以获得所述衬底的所述第一区域中的所述第一纳米结构。
14.根据权利要求13所述的图案转印方法，其中，所述纳米压印模具中的所述多个第二凸部中的至少一个的高度小于或等于所述压印胶的层的厚度。
15.根据权利要求13所述的图案转印方法，其中，通过剥离处理或灰化处理执行移除所述压印胶的图案。
16.根据权利要求12所述的图案转印方法，还包括：
利用所述纳米压印模具在所述衬底的第二区域中形成第二纳米结构；
其中，所述第一纳米结构的与所述纳米压印模具的所述次区域对应的区域和所述第二纳米结构的与所述纳米压印模具的所述次区域对应的区域毗邻。
17.根据权利要求16所述的图案转印方法，其中，所述第一纳米结构包括位于所述衬底上的多个第三凹部和多个第三凸部；
所述第二纳米结构包括位于所述衬底上的多个第四凹部和多个第四凸部；并且
所述多个第三凸部和所述多个第四凸部具有实质上相同的高度。
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