CN110488543A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置包含基板和电极阵列。基板上包含显示区和周边区。电极阵列配置于基板上并位于显示区内。电极阵列包含多条扫描线、多条数据线、多个共通电极和多个第一传送电极。扫描线和数据线交错定义出多个子像素。每个子像素至少包含一像素电极。共通电极分别配置于子像素中。第一传送电极和共通电极为电性独立。像素电极配置于任意两个第一传送电极之间。

Description

显示装置
技术领域
本发明是关于一种显示装置，且特别是一种可检测3D手势的显示装置。
背景技术
随着科技发展，显示装置的需求越来越广泛。传统上，3D近场技术是使用玻璃式叠构设计，面板模块的厚度较大。而当面板的尺寸越大，触控等效电容对触控手势判别的灵敏度影响越明显。
因此，如何减少面板模块的厚度，以及减少触控等效电容，是目前设计的考量和挑战。
发明内容
本发明的一种实施方式关于一种显示装置，包含基板和电极阵列。基板上包含显示区和周边区。电极阵列配置于基板上并位于显示区内。电极阵列包含多条扫描线和多条数据线、多个共通电极和多个第一传送电极。扫描线和数据线交错定义出多个子像素。每个子像素至少包含一像素电极。共通电极分别配置于子像素中。第一传送电极和共通电极为电性独立。像素电极配置于任意两个第一传送电极之间。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为根据本发明的部分实施例所示的一种显示装置的剖面示意图。
图2为根据本发明部分实施例所示的一种显示装置的示意图。
图3为根据本发明部分实施例所示的一种显示装置的示意图。
图4A为根据本发明部分实施例所示的一种显示装置的局部放大示意图。
图4B为根据图4A的实施例所示的一种显示装置的立体示意图。
图5A为根据本发明部分实施例所示的另一种显示装置的局部放大示意图。
图5B为根据图5A的实施例所示的一种显示装置的立体示意图。
图6A为图5A的实施例中的显示装置沿切线A5-A5’的剖面示意图。
图6B为图5A的实施例中的显示装置沿切线B5-B5’的剖面示意图。
图7A为根据本发明部分实施例所示的另一种显示装置的局部放大示意图。
图7B为根据图7A的实施例所示的一种显示装置的立体示意图。
图8A为图7A的实施例中的显示装置沿切线A7-A7’的剖面示意图。
图8B为图7A的实施例中的显示装置沿切线B7-B7’的剖面示意图。
图9A为根据本发明部分实施例所示的另一种显示装置的局部放大示意图。
图9B为根据图9A的实施例所示的一种显示装置的立体示意图。
图10A为图9A的实施例中的显示装置沿切线A9-A9’的剖面示意图。
图10B为图9A的实施例中的显示装置沿切线B9-B9’的剖面示意图。
图11A和图11B为根据本发明部分实施例分别示出另一种显示装置的示意图。
图12A和图12B为根据本发明部分实施例分别示出一种的信号时序示意图。
其中，附图标记：
100：显示装置
104：扫描线
106：数据线
108：触控导线
110、190：基板
120：驱动电路
140：显示区
142：第一传送电极
160：周边区
162：第一感应电极
180：电极阵列
PX、PX_R、PX_G、PX_B：子像素
PXe：像素电极
Vcom：共通电极
TP：触控电极
TP_TX：第二传送电极
TP_RX：第二感应电极
TFT：电晶体
LC：显示介质层
AS：半导体层
GI、BP1、BP2、BP3、PL：绝缘层
M1、M2、M21、M22、M3、M3_1、M3_2、G_M3：金属层
ITO1、ITO2、G_ITO1、C_ITO1：导电薄膜层
NPX、N41、N42、N43、N44、N51、N52、N53、N54、N71、N72、N73、N74、N92、N93：开口
X、Y、Z：方向
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
下文举实施例配合附图作详细说明，但所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用来限定本发明，而结构操作的描述非用以限制其执行顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本发明所涵盖的范围。
请参考图1。图1为根据本发明部分实施例所示的一种显示装置100的剖面示意图。如图1所示，显示装置100包含下基板110、显示介质层LC和上基板190。显示介质层LC位于下基板110和上基板190之间。在下基板110和显示介质层LC之间，显示装置100依序包含第一金属层M1、第二金属层M2、第三金属层M3、第一导电薄膜层ITO1和第二导电薄膜层ITO2。在部分实施例中，根据干蚀刻或湿蚀刻的不同方式，M3和ITO1的顺序亦可更改。
在部分实施例中，显示介质层LC可为液晶层或电泳层。基板可由玻璃基板、塑胶基板或其他合适的硬式或柔性基板据以实施。举例来说，下基板110可为阵列基板。显示装置100可包含主动元件(例如电晶体)、被动元件(例如电容、电阻)或其它合适的元件配置于下基板110和显示介质层LC之间。上基板190可为对向基板。显示装置100可包含彩色滤光片或其他合适的元件配置于显示介质层LC和上基板190之间。
为便于说明起见，本发明的显示装置100的电路及元件分别示出于图2和图3中。请参考图2。图2为根据本发明部分实施例示出一种显示装置100的示意图。如图2所示，显示装置100包含基板110、驱动电路120和电极阵列180。基板110上包含显示区140和周边区160。驱动电路120配置于基板110上并位于周边区160内。电极阵列180配置于基板110上并位于显示区140内。电极阵列180包含多条扫描线104、多条数据线106和多个子像素PX。扫描线104和数据线106彼此交错定义出多个子像素PX。每个子像素PX至少包含一个像素电极(图2中未示出)。
在部分实施例中，扫描线104配置于图1中的金属层M1，数据线106配置于图1中的金属层M2。构成子像素PX的像素电极配置于图1中的导电薄膜层ITO2。在部分实施例中，驱动电路120可由显示驱动器整合晶片(Touch with Display Driver，TDDI)据以实施，但并不以此为限。
接着，请参考图3。图3为根据本发明部分实施例所示的一种显示装置100的示意图。如图3所示，显示装置100包含多个第一传送电极142、多个第二接收电极162和共通电极(图3中未示出)。第一传送电极142配置于基板110上并位于显示区140内。第二接收电极162配置于基板110上并位于周边区160内。
值得注意的是，图2和图3仅为方便说明的示意图，并非用以表示迭层架构上的配置关系，且其元件数量仅用于示意，并不以此为限。关于像素电极、共通电极及第一传送电极142之间的配置细节将于后续段落中进行说明。
请参考图4A和图4B。图4A为根据本发明部分实施例所示的一种显示装置100的局部放大示意图。图4B为根据图4A的实施例所示的一种显示装置100的立体示意图。为了凸显本发明的显示装置100的特征，在图4A和图4B中仅示意性地示出金属层M1、M2、M3、电晶体TFT、像素电极PXe、共通电极Vcom和第一传送电极142。在本实施例中，扫描线104配置于金属层M1，数据线106配置于金属层M2。第一传送电极142的导线配置于金属层M3。共通电极Vcom和第一传送电极142配置于导电薄膜层ITO1。像素电极配置于导电薄膜层ITO2。
如图4A所示，配置于金属层M1的扫描线104和配置于金属层M2的数据线106彼此交错定义出多个像素。在部分实施中，像素可包含三个子像素PX_R、PX_G、PX_B。每个子像素PX_R、PX_G、PX_B至少包含一个像素电极PXe。在部分实施例中，在垂直投影方向(即，Z方向)上，金属层M3和金属层M2重叠。第一传送电极142配置于金属层M2、M3的上方。具体而言，从垂直投影方向(即，Z方向)上来看，第一传送电极142和像素电极PXe沿着X方向交错排列。换言之，像素电极PXe配置于多个第一传送电极142中的任意两个第一传送电极之间。
在部分实施例中，一或多个像素电极PXe构成一个子像素PX。共通电极Vcom配置于子像素PX之中。第一传送电极142和共通电极Vcom彼此电性独立。具体而言，换言之，如图4A所示，第一传送电极142和共通电极Vcom彼此不相接触。于实务上，共通电极Vcom可经由图案化制程而形成。在部分实施例中，共通电极Vcom可包含多个相互不接触的部分。这些相互不接触的部分在不同时间点中可作为触控单元中的各个电极。详细相关内容将于后续段落中进行说明。
在部分实施例中，共通电极Vcom通过导电薄膜层ITO1相互连接。第一传送电极142通过金属层M3相互连接。举例来说，如图4B所示，多个第一传送电极142分别通过开口N41、N42、N43、N44与多个配置于金属层M3的导线相互连接。
请参考图5A和图5B。图5A为根据本发明部分实施例所示的另一种显示装置100的局部放大示意图。图5B为根据图5A的实施例所示的一种显示装置的立体示意图。在图5A和图5B中，与图4A、图4B中相似的元件已于先前段落说明者，于此不再赘述。为便于说明起见，在图5A的实施例中仅标示出共通电极Vcom、第一传送电极142和第一传送电极142所连接的金属层M3_1。在本实施例中，共通电极Vcom和第一传送电极142配置于第一导电薄膜层ITO1。如图5B所示，共通电极Vcom通过第一导电薄膜层ITO1相互连接。第一传送电极142通过第三金属层M3相互连接。举例来说，第一传送电极142通过开口N51、N52、N53、N54分别与各个金属层M3_1相互连接。
具体而言，请参考图6A。图6A为图5A的实施例中的显示装置100沿切线A5-A5’的剖面示意图。在图6A中，示出了基板110、金属层M1、M2、M3_1、半导体层AS、绝缘层GI、BP1、BP2、BP3、PL、导电薄膜层ITO1和ITO2在XZ平面上的相对关系。
结构上，如图6A所示，金属层M1配置于基板110上。绝缘层GI配置于基板110与金属层M1上，且绝缘层GI覆盖至少部分的金属层M1。半导体层AS配置于绝缘层GI上。金属层M21、M22配置于绝缘层GI之上，金属层M21、M22分别接触半导体层AS，而金属层M21和M22彼此不相接触。绝缘层BP1配置于半导体层AS、金属层M21和M22上，且绝缘层BP1覆盖至少部分的导体层M22。绝缘层PL于绝缘层BP1之上以形成一平坦层。金属层M3_1配置于绝缘层PL上。绝缘层BP2配置于绝缘层PL上，且绝缘层BP2覆盖至少部分的金属层M3_3。导电薄膜层ITO1位于绝缘层BP2上。绝缘层BP3配置于绝缘层BP2与导电薄膜层ITO1上，且绝缘层BP3覆盖至少部分的导电薄膜层ITO1。导电薄膜层ITO2位于绝缘层BP3上。
进一步来说，绝缘层BP1、PL、BP2和BP3被蚀刻而形成开口NPX，使得部分的金属层M22于开口NPX处未被绝缘层覆盖。因此导电薄膜层ITO2可经由开口NPX接触金属层M22。此外，绝缘层BP2被蚀刻而形成开口N51、N52，使得各部分的金属层M3_1分别于开口N51、N52处未被绝缘层BP2覆盖。因此，作为第一传送电极142的薄膜导电层G_ITO1可经由开口N51、N52分别接触金属层M3_1。
接着，请参考图6B。图6B为图5A的实施例中的显示装置沿切线B5-B5’的剖面示意图。在图6B中，与图6A中相似的元件以相同的元件符号表示，其相对关已于先前段落说明者，于此不再赘述。结构上，如图6B所示，在X方向上，作为像素电极PXe的薄膜导电层ITO2位于作为第一传送电极142的二或多个薄膜导电层G_ITO1之间。在本实施例中，像素电极PXe具有狭缝，但并不以此为限。此外，作为第一传送电极142的薄膜导电层G_ITO1和作为共通电极Vcom的薄膜导电层C_ITO1配置于同一平面或同一绝缘层上但相互不接触。各个金属层M3_1皆为沿Y方向延伸的连接导线，且各个金属层M3_1相应作为不同位置的第一传送电极142的连接导线。
如此一来，一部分的导电薄膜层ITO1作为共通电极Vcom，另一部分的导电薄膜层ITO1作为第一传送电极142，这两部分的导电薄膜层ITO1互不相接触。共通电极Vcom通过导电薄膜层ITO1便能相互连接，而第一传送电极142通过金属层M3便能相互连接。
请参考图7A和图7B。图7A为根据本发明部分实施例所示的另一种显示装置100的局部放大示意图。图7B为根据图7A的实施例所示的一种显示装置100的立体示意图。在图7A的实施例中，与图5A所示实施例相似，共通电极Vcom和第一传送电极142皆配置于导电薄膜层ITO1。像素电极PXe配置于多个第一传送电极142中任意两者之间。与图5A所示实施例相比，在本实施例中，第一传送电极142通过金属层的第一部份M3_1相互连接，而共通电极Vcom通过金属层的第二部份M3_2相互连接。其中，第二部分M3_2相异于第一部分M3_1。举例来说，如图7B所示，第一传送电极142通过开口N71、N74与金属层的第一部份M3_1相互连接。共通电极Vcom通过开口N72、N73与金属层的第二部份M3_2相互连接。在部分实施例中，共通电极Vcom亦可通过导电薄膜层ITO1相互连接。
具体而言，请参考图8A。图8A为图7A的实施例中额显示装置沿切线A7-A7’的剖面示意图。在图8A中，与图6A中相似的元件以相同的元件符号表示，其相对关系已于先前段落说明者，于此不再赘述。结构上，和图6A所示实施例相比，在本实施例中，第一传送电极142通过开口N71与金属层M3_1相互连接。共通电极Vcom通过开口N72与金属层M3_2相互连接。
进一步说明，在垂直投影方向(即，Z方向)上，位于金属层M3_1之下的绝缘层BP2被蚀刻而形成开口N71，使得部分的金属层M3_1于开口N71处未被绝缘层BP2覆盖。因此，如图8A所示，作为第一传送电极142的薄膜导电层G_ITO1可经由开口N71接触金属层M3_1。相似地，在垂直投影方向(即，Z方向)上，位于金属层M3_2之下的绝缘层BP2被蚀刻而形成开口N72，使得部分的金属层M3_2于开口N72处未被绝缘层BP2覆盖。因此，作为共通电极Vcom的薄膜导电层C_ITO1可经由开口N72接触金属层M3_2。
接着，请参考图8B。图8B为图7A的实施例中额显示装置沿切线B7-B7’的剖面示意图。在图8B中，与图6B、图8A中相似的元件以相同的元件符号表示，其相对关系已于先前段落说明者，于此不再赘述。结构上，和图6B所示实施例相比，在本实施例中，薄膜导电层G_ITO1用以作为第一传送电极142，而金属层M3_1作为第一传送电极142的连接导线。薄膜导电层C_ITO1用以作为共通电极Vcom，而金属层M3_2作为共通电极Vcom的连接导线。金属层M3_1、M3_2皆为沿Y方向延伸的连接导线。
如此一来，藉由一部分的金属层M3作为第一传送电极142的连接导线，另一部份的金属层M3作为共通电极Vcom的连接导线，使得共通电极Vcom和第一传送电极142在保持电性独立的状况下能够分别通过不同部分的金属层M3相互连接。
请参考图9A和图9B。图第9A为根据本发明部分实施例所示的另一种显示装置100的局部放大示意图。图第9B为根据图9A的实施例所示的一种显示装置100的立体示意图。与图5A、图7A所示实施例相比，在图9A的实施例中，共通电极Vcom配置于导电薄膜层ITO1，而第一传送电极142配置于金属层G_M3。像素电极PXe配置于多个第一传送电极142中的二者之间。此外，共通电极Vcom可通过导电薄膜层ITO1相互连接，或者通过金属层的第二部分M3_2相互连接。举例来说，如图9B所示，共通电极Vcom通过开口N92、N93与金属层的第二部份M3_2相互连接。
具体而言，请参考图10A。图10A为图9A的实施例中额显示装置沿切线A9-A9’的剖面示意图。在图10A中，与图6A、图8A中相似的元件以相同的元件符号表示，其相对关系已于先前段落说明者，于此不再赘述。结构上，和图8A所示实施例相比，在本实施例中，金属层G_M3被绝缘层BP2覆盖。因此，作为第一传送电极142的金属层G_M3与导电薄膜层ITO1相互不连接。换言之，作为第一传送电极142的金属层G_M3与作为共通电极Vcom的导电薄膜层ITO1彼此电性独立。此外，在垂直投影方向(即，Z方向)上，位于金属层M3_2之下的绝缘层BP2被蚀刻而形成开口N92，使得部分的金属层M3_2于开口N92处未被绝缘层BP2覆盖。因此，作为共通电极Vcom的薄膜导电层C_ITO1可经由开口N92接触金属层M3_2。
接着，请参考图10B。图10B为图9A的实施例中的显示装置沿切线B9-B9’的剖面示意图。在图10B中，与图6B、图8B、图10A中相似的元件以相同的元件符号表示，其相对关系已于先前段落说明者，于此不再赘述。结构上，和图8B所示实施例相比，在本实施例中，金属层G_M3用以作为第一传送电极142，而金属层G_M3在垂直投影方向(即，Z方向)上未被薄膜导电层ITO1或ITO2重迭。换言之，金属层M3_1作为第一传送电极142以及第一传送电极142的连接导线。此外，与第8B图所示实施例相似，薄膜导电层C_ITO1用以作为共通电极Vcom，而金属层M3_2作为共通电极Vcom的连接导线。
如此一来，一部分的金属层M3作为第一传送电极142，而配置于导电薄膜层ITO1的共通电极Vcom藉由另一部分的金属层M3作为共通电极Vcom的连接导线。
值得注意的是，在上述图5A～图10B图的部分实施例中，位于显示区140内的共通电极Vcom可完全相连，用以提供参考电压至所有子像素PX。在其他部分实施例中，位于显示区140内的共通电极Vcom可划分为多个电极，并各自连接相应的触控导线，用以接收触控感测信号进行触控检测。具体内容说明如下。
请参考图11A和图11B。图11A和图11B为根据本发明部分实施例分别所示的另一种显示装置100的示意图。在本实施例中，电极阵列180包含自容式的触控电极阵列。如图11A所示，显示装置100包含多个触控电极TP和多条触控导线108。触控电极TP配置于基板110上并位于显示区140内。每个触控电极TP各自通过相应的触控导线108连接至驱动电路120。在部分实施例中，触控电极TP可由上述共通电极Vcom据以实施。换言之，共通电极Vcom可用以显示和/或用以进行2D触控检测。
具体而言，在显示区140内的共通电极Vcom可被划分为多个区域，每个区域中的共通电极Vcom相互连接以形成一个触控电极TP。此外，各个区域内的共通电极Vcom的触控导线108可由上述金属层M3据以实施，详细内容已于图5A～图10B说明，在此不再赘述。
在其他部分实施例中，电极阵列180包含互容式的触控电极阵列。如图11B所示，显示装置100包含一或多个触控传送电极TP_TX、多个触控感应电极TP_RX和多条触控导线108。触控传送电极TP_TX和触控感应电极TP_RX配置于基板110上并位于显示区140内，且触控传送电极TP_TX和触控感应电极TP_RX彼此电性独立。触控传送电极TP_TX和触控感应电极TP_RX通过相应的触控导线108各自连接至驱动电路120。
具体而言，触控传送电极TP_TX和触控感应电极TP_RX可由上述共通电极Vcom据以实施。举例来说，在显示区140内的共通电极Vcom可被划分为多个区域。多个区域中之一者的共通电极Vcom相互连接以分别形成一个触控传送电极TP_TX。其余多个区域中的共通电极Vcom各自相互连接以分别形成多个触控感应电极TP_RX。此外，各个区域内的共通电极Vcom的触控导线108可由上述金属层M3据以实施，详细内容已于图5A～图10B说明，在此不再赘述。
值得注意的是，图11A和图11B中所示的触控导线108仅为方便说明起见的示例，其大小或数量并非用以限制本发明，每个触控电极可连接一或多条触控导线。而图11A中所示的触控电极TP和图11B中所示的触控传送电极TP_TX和触控感应电极TP_RX亦仅为方便说明起见的示例，其大小或数量并非用以限制本发明，每个区域中包含的共通电极Vcom的形状或面积大小可视实际需求进行设计。此外，在部分实施例中，位于显示区140内的共通电极Vcom亦可不作划分。换言之，共通电极Vcom仅用于显示。
然，当共通电极Vcom仅用于显示时，显示装置100仍可搭配外挂式触控感应器(例如：on-cell触控感测器或out-cell触控感测器)，以达到触控和手势的整合。举例来说，如图5A所示实施例中，共通电极Vcom仅用于显示时提供参考电压至子像素PX。因此，在图5A的实施例中，显示装置100仅用以执行显示和/或3D手势检测，但可藉由外挂式触控感应器达到检测2D触控的功能。
请参考图12A和图12B。图12A和图12B为根据本发明部分实施例分别所示一种的信号时序示意图。如图12A所示，在显示期间Dis，显示装置100用以进行显示。在手势感测期间Ges，当3D手势感测功能被致能时，显示装置100用以进行3D手势检测。具体而言，在期间P1，显示装置100的共通电极Vcom用以提供参考电压至子像素PX。在期间P2，显示装置100的共通电极Vcom亦用以提供参考电压至子像素PX，而第一传送电极142用以接收手势感测信号并根据手势感测信号产生电场以进行手势检测。第一接收电极162用以根据电场变化对手势进行识别及动作追踪。
换言之，由于第一传送电极142和共通电极Vcom互不相连，因此，在同一期间(如：期间P2)，显示装置100可同时进行显示及检测3D手势。
此外，在触控感测期间Tou，显示装置100用以进行检测2D触控。具体而言，在第三期间P3，显示装置100的共通电极Vcom用以接收触控感测信号以进行2D触控检测。在部分实施例中，触控感测期间Tou可配置在无法进行显示的垂直空白间隙(Vertical BlankInterval，VBI)。
在其他部分实施例中，如图12B所示，当3D手势感测功能被禁能时，显示装置100用以进行显示及检测2D触控。具体而言，由于共通电极Vcom亦作为触控电极TP，因此，在显示期间Dis(如：期间P1)，所有区域的共通电极Vcom用以提供同一参考电压至子像素PX。在触控感测期间Tou(如：期间P3)，不同区域的共通电极Vcom用以接收相应的触控感测信号进行2D触控检测。举例来说，在期间P3，作为第二传送电极TP_TX的部分共通电极Vcom用以输出高低电位交错的触控感测信号，而作为第二感应电极TP_RX的部分共通电极Vcom用以检测电容变化以进行2D触控检测。另外，作为第二感应电极TP_RX的部分共通电极Vcom亦可再进行划分，以依据不同时序依序分区进行2D触控检测。
需要说明的是，在不冲突的情况下，在本发明各个附图、实施例及实施例中的特征与电路可以相互组合。附图中所示的电路仅为示例之用，简化以使说明简洁并便于理解，并非用以限制本案。此外，上述各实施例中的各个装置、单元及元件可以由各种类型的数位或类比电路实现，亦可分别由不同的集成电路晶片实现，或整合至单一晶片。上述仅为例示，本发明并不以此为限。
综上所述，本案通过应用上述各个实施例中，藉由配置及连接设计，使得第一传送电极142和共通电极Vcom可整合在in-cell面板内且彼此电性独立，让显示装置能够同时进行显示及3D手势检测。另外，藉由部分的薄膜导电层可依不同时序分别作为共通电极Vcom和触控电极TP，使得在不需要增加面板厚度便能够包含2D触控和3D手势检测的功能。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包含：
一基板，该基板上包含一显示区和一周边区；以及
一电极阵列，配置于该基板上并位于该显示区内，该电极阵列包含：
多条扫描线和多条数据线，彼此交错定义出多个子像素，每个子像素至少包含一像素电极；
多个共通电极，分别配置于该些子像素中；以及
多个第一传送电极，该些第一传送电极和该些共通电极彼此为电性独立，其中该像素电极配置于该些第一传送电极中的任意二者之间。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该显示装置更包含一显示介质层，该显示介质层与该基板之间依序包含：
一第一金属层；
一第二金属层；
一第三金属层；
一第一导电薄膜层；以及
一第二导电薄膜层，其中该些扫描线配置于该第一金属层，该些数据线配置于该第二金属层。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，该些共通电极和该些第一传送电极配置于该第一导电薄膜层。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中该些第一传送电极通过该第三金属层相互连接，该些共通电极通过该第一导电薄膜层相互连接。
5.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，该些第一传送电极通过该第三金属层的一第一部分相互连接，该些共通电极通过该第三金属层的一第二部分相互连接，其中该第三金属层的该第二部分相异于该第三金属层的该第一部分。
6.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，该些共通电极配置于该第一导电薄膜层，该些第一传送电极配置于该第三金属层。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在同一期间，该些共通电极用以提供一参考电压至该些子像素，该些第一传送电极用以接收一手势感测信号进行手势检测。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在一第一期间，该些共通电极用以提供一参考电压至该些子像素，在相异于该第一期间的一第二期间，该些共通电极用以接收一触控感测信号进行触控检测。
9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，显示装置更包含一第一感应电极，该第一感应电极配置于该基板上并位于该周边区。
10.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该些共通电极包含一第二传送电极和一第二感应电极，该第二传送电极和该第二感应电极彼此电性独立。
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