CN110462557A - 显示装置及显示装置基板 - Google Patents

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Abstract

本发明的显示装置具备：第1基板，具有第1面；第2基板，具有与上述第1面对置的第2面；以及显示功能层，位于上述第1基板与上述第2基板之间。在上述第1基板的上述第1面上至少设置有具备有效显示区域和将上述有效显示区域包围的边框区域的黑矩阵、第1导电配线、第2导电配线、多个第1有源元件、第1天线单元、第2天线单元、第1触摸感测配线单元和第2触摸感测配线单元。在上述第2基板的上述第2面上至少设置有第3导电配线、第4导电配线、驱动上述显示功能层的多个第2有源元件、与上述第2有源元件电气地连接的栅极配线及源极配线、第3天线单元和第4天线单元。上述第1天线单元与上述第3天线单元重叠的第1重叠部具有触摸感测信号的收发功能。上述第2天线单元与上述第4天线单元重叠的第2重叠部具有电力信号的受送功能。在以从上述第1基板朝向上述第2基板的方向进行观察的俯视时，上述第1重叠部及上述第2重叠部被配置在上述边框区域内。

Description

显示装置及显示装置基板
技术领域
本发明涉及显示装置及显示装置基板。
背景技术
能够用手指或指示器直接向显示画面进行输入的显示装置、例如具备静电电容方式的触摸感测功能的智能电话及平板电脑终端等正在普及。作为触摸感测，已知有在液晶或有机EL(有机电致发光)等的显示器表面上粘贴触摸面板的外嵌(on－cell)方式、以及使液晶或有机EL的显示装置的内侧拥有触摸感测功能的内嵌(in－cell)方式。近年来，正在从外嵌方式向内嵌方式转移。
作为内嵌方式的代表性的技术，可以举出专利文献1所公开的技术。如专利文献1的权利要求1所述那样，形成有将特定区域(第3区域)横穿的导电性路径，导电性路径形成为将上述区域中的电路元件电气地旁通，在触摸屏中使用的第1线段及第2线段被电气地连接。这样，在专利文献1中采用了极其复杂的结构。
不得不采用这样的复杂的结构的理由是因为，在形成有触摸屏的基板的相同面上设置有以矩阵状配置的晶体管、以及驱动这些晶体管的多个栅极线及多个源极线。所以，在触摸屏中使用的配线的一部分需要通过旁通等的配线构造来避免相对于栅极线或源极线电气性的接触。
此外，在驱动液晶等的薄膜晶体管的形成面上形成一部分的触摸配线的以往的内嵌技术中，担心在触摸配线的周围产生不易设想到的寄生电容而触摸感测的S/N比下降。换言之，在存在于晶体管形成面的沿X方向及Y方向延伸的栅极配线及源极配线与大致平行于X方向及Y方向地延伸的触摸配线之间容易产生寄生电容。
寄生电容的产生如上述那样会导致S/N比的下降而难以得到充分的触摸感测分辨率。例如，难以识别出触摸感测面积较大的“手指”与触摸感测面积较小的笔。除此以外，以往的内嵌技术由于不能得到充分的分辨率，所以存在难以在指纹认证等的个人认证技术中应用触摸屏的问题。因而，需要将指纹认证专门的设备设置到与显示画面不同的地方。
为了减小在触摸配线与驱动晶体管的栅极线及源极线之间产生的寄生电容，优选的是确保形成有第1触摸感测单元及第2触摸感测单元的面与形成有栅极线及源极线的面之间的空间上的距离。在专利文献2中公开了确保了这样的空间上的距离的结构。如专利文献2的图12及图13所示，具备触摸感测功能的显示基板22与具备薄膜晶体管的阵列基板23被液晶层24在空间上隔开。在专利文献2中，公开了使用以铜为主材的合金层来形成作为触摸配线的金属层图案的技术。
在专利文献2公开的结构中，设置于显示基板22的多个金属层图案(相当于第1触摸感测配线)的端子部61和设置于显示基板22的多个透明电极图案(相当于第2触摸感测配线)的端子部与位于阵列基板的液晶密封部的连接端子导通。但是，为了扩大有效显示区域，阵列基板的液晶密封部被窄边框化，很难将金属层图案及透明电极图案的端子部与液晶密封部导通。
在使用金属球或金属珠等导电粒子使上述端子部与阵列基板的液晶密封部的连接端子导通的情况下，难以使超过几百或几千的根数的微细的端子部在厚度方向上均匀地与液晶密封部的连接端子导通。只有显示装置的端子部所存在的边能够通过使基板延长、使用FPC等柔性的电路基板来获得导通，但在这样的导通构造中不能得到窄边框。近年来，作为在显示装置的有效显示区域的周围设置的遮光性的边框区域的宽度，被要求是5mm以下的较窄的宽度。
为了除了由手指进行的触摸输入以外还能够实现由笔进行的触摸输入或指纹认证，例如需要提高沿X方向及Y方向分别延伸的多个触摸配线的配线密度的构造。在该情况下，需要与高精细的液晶显示装置同程度、例如2100像素×3800像素这样的像素数。此外，为了实现如上述那样能够实施由笔进行的触摸输入的触摸屏，需要提高沿X方向及Y方向分别延伸的多个触摸配线的配线密度的构造。进而，还需要能够应用于上述的窄边框构造的构造。
在专利文献3中，公开了作为挠性基板的第1基板具有第1天线、作为挠性基板的第3基板具有第2天线、第1天线和第2天线夹着第3基板重叠的结构。第1基板及第2基板具有在像素部与对置电极之间夹入液晶的结构。在专利文献3中，没有公开在第1基板侧具备触摸感测功能。没有公开在使源极配线或栅极配线相对于触摸感测配线接近的情况下的寄生电容的产生及与触摸感测有关的S/N比下降等的不良影响。
在专利文献4中，公开了配置在面板的外周部而检测向面板靠近的物体的坐标位置的环形线圈、以及检测物体的坐标位置的传感器矩阵。在专利文献3及专利文献4中，没有公开由被限制在边框区域的宽度范围内的天线单元供给与触摸感测有关的信号及对触摸感测功能部供电的技术。也没有公开将铜合金层用导电性金属氧化物层夹持而成的3层结构的导电配线的技术。在专利文献3及专利文献4中，也没有公开将第1触摸感测配线单元和第2触摸感测配线单元仅配设在显示装置整面的第1基板(对置基板)的一方的面上的结构。
在专利文献5中，公开了在基板210的一方的面上用氧化物半导体的TFT电路来形成触摸面板驱动电路250的技术。此外，在专利文献5的[0070]、[0071]段落中，作为实施例3而公开了包括形成有用于构成触摸面板的电极群和触摸面板驱动电路250的滤色器基板、以及进而层叠于该滤色器基板的对置电极260的内嵌构造的触摸面板。
但是，关于对触摸面板及触摸面板驱动电路以怎样的手段来供给触摸驱动电压或电力，并没有明述。没有明述触摸位置检测的信号经过什么路径、实际的触摸位置的检测在哪里被处理的。在专利文献5的[0074]段落至[0077]段落中，作为实施例4而公开了在TFT玻璃基板310形成触摸面板驱动电路250的例子。在专利文献5的实施例5中，在[0077]段落中，通过将金属珠等混入到密封材料中，能够实现CF玻璃基板215与TFT玻璃基板310的电气性的连接(导通的转移)。
但是，在上述那样的实现由笔进行的触摸输入的高密度触摸配线构造中，没有明述通过将金属珠等混入到密封材料中是否能够稳定地进行许多根的触摸配线的导通的转移。在专利文献5中，没有公开由被限制在边框区域的宽度范围内的天线单元来供给与触摸感测有关的信号及对触摸感测功能部供电的技术。专利文献5中也没有公开将铜合金层用导电性金属氧化物层夹持而成的3层结构的导电配线的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第6016286号
专利文献2：日本特许第6020571号
专利文献3：日本特许第5917748号
专利文献4：日本特许第4915232号
专利文献5：国际公开2014/042248号小册子
发明内容
发明要解决的课题
本发明是基于上述的课题而做成的，提供一种实现能够实施由手指进行的触摸输入及由笔进行的触摸输入的较高分辨率的显示装置及显示装置基板。进而，本发明提供一种能够在具备触摸感测配线单元的基板与配设有用于驱动液晶层或有机EL层等显示功能层的有源元件的基板之间容易且非接触地实现信号的收发及电力供给的显示装置及显示装置基板。
用于解决课题的手段
本发明的第1技术方案的显示装置具备：第1基板，具有第1面；第2基板，具有与上述第1面对置的第2面；以及显示功能层，位于上述第1基板与上述第2基板之间；在上述第1基板的上述第1面上，至少设置有具备矩形状的有效显示区域和将上述有效显示区域包围的边框区域的黑矩阵、第1导电配线、第2导电配线、多个第1有源元件、第1天线单元、第2天线单元、第1触摸感测配线单元和第2触摸感测配线单元，在上述第2基板的上述第2面上，至少设置有第3导电配线、第4导电配线、驱动上述显示功能层的多个第2有源元件、与上述第2有源元件电气地连接的栅极配线及源极配线、第3天线单元和第4天线单元，在上述有效显示区域内，上述第1触摸感测配线单元包括沿第1方向延伸的相互平行的多个第5导电配线，上述第2触摸感测配线单元包括沿与上述第1方向正交的第2方向延伸的相互平行的多个第6导电配线，上述第5导电配线位于与上述第1导电配线相同的层，具有与上述第1导电配线相同的层结构，上述第6导电配线位于与上述第2导电配线相同的层，具有与上述第2导电配线相同的层结构，上述第1导电配线、上述第1天线单元、上述第2天线单元和第1触摸感测配线单元通过在上述第1基板的厚度方向上由第1导电性金属氧化物层和第2导电性金属氧化物层夹持铜层或铜合金层而成的3层结构的导电层构成，并位于相同的层，上述第2导电配线隔着第1基板侧绝缘层以覆盖上述3层结构的上述导电层的方式被层叠，通过由第3导电性金属氧化物层和第4导电性金属氧化物层夹持铜层或铜合金层而成的3层结构的导电层构成，上述第1天线单元及上述第2天线单元分别具有1个以上的环形天线，在上述环形天线的内侧设置有第1连接用焊盘，上述第1连接用焊盘经由设置于上述第1基板侧绝缘层的导通孔而与上述第2导电配线的一部分连接，上述第3导电配线、上述第3天线单元和上述第4天线单元通过在上述第2基板的厚度方向上由第5导电性金属氧化物层和第6导电性金属氧化物层夹持铜层或铜合金层而成的3层结构的导电层构成，并位于相同的层，上述第4导电配线隔着第2基板侧绝缘层以覆盖上述3层结构的上述导电层的方式被层叠，通过由第7导电性金属氧化物层和第8导电性金属氧化物层夹持铜层或铜合金层而成的3层结构的导电层构成，上述第3天线单元及上述第4天线单元分别具有1个以上的环形天线，在上述环形天线的内侧设置有第2连接用焊盘，上述第2连接用焊盘经由设置于上述第2基板侧绝缘层的导通孔而与上述第4导电配线的一部分连接，在以从上述第1基板朝向上述第2基板的方向进行观察的俯视时，上述第1天线单元与上述第3天线单元在形成有上述环形天线的部分以±3μm以内的位置精度重叠，上述第2天线单元与上述第4天线单元在形成有上述环形天线的部分以±3μm以内的位置精度重叠，上述第1天线单元与上述第3天线单元重叠的第1重叠部具有触摸感测信号的收发功能，上述第2天线单元与上述第4天线单元重叠的第2重叠部具有电力信号的受送功能，在以从上述第1基板朝向上述第2基板的方向进行观察的俯视时，上述第1重叠部及上述第2重叠部被配置在上述边框区域内，上述第1导电配线的一部分、上述第2导电配线的一部分和上述多个第1有源元件构成对触摸感测进行控制的电路。
在此，所述的“对触摸感测进行控制的电路”，是指向第1触摸感测配线单元及第2触摸感测配线单元中的某一方的配线单元施加触摸驱动电压、从另一方的配线单元提取与触摸检测有关的信号的电路，是形成在第1基板的第1面上的电路。
在本发明的第1技术方案的显示装置中，也可以是，上述第1天线单元及上述第2天线单元的上述环形天线分别包括卷绕方向相互相反且匝数为2以上的环形天线对，上述第3天线单元及上述第4天线单元的上述环形天线分别包括卷绕方向相互相反且匝数为2以上的环形天线对。
本发明的第1技术方案的显示装置中，也可以是，具有将上述第1天线单元及上述第2天线单元的周围局部地包围、且由上述第1导电性金属氧化物层和上述第2导电性金属氧化物层夹持着铜层或铜合金层的导体图案。
本发明的第1技术方案的显示装置中，也可以是，具有将上述第3天线单元及上述第4天线单元的周围局部地包围、且由上述第3导电性金属氧化物层和上述第4导电性金属氧化物层夹持着铜层或铜合金层的导体图案。
在本发明的第1技术方案的显示装置中，也可以是，上述第1有源元件具有由氧化物半导体构成的沟道层。
在本发明的第1技术方案的显示装置中，也可以是，上述氧化物半导体含有氧化铟、氧化镓，还含有从由氧化铵、氧化铋、氧化锌构成的群中选择的1种以上。
在本发明的第1技术方案的显示装置中，也可以是，上述铜合金层含有固溶于铜的第1元素、以及与铜及上述第1元素相比电负性较小的第2元素，上述第1元素及上述第2元素是添加到铜中的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素，上述铜合金层的电阻率处于1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。
本发明的第2技术方案的显示装置基板具备：在第1面上至少具备具有矩形状的有效显示区域和将上述有效显示区域包围的边框区域的黑矩阵、第1导电配线、第2导电配线、多个第1有源元件、第1天线单元、第2天线单元、第1触摸感测配线单元和第2触摸感测配线单元，在上述有效显示区域内，上述第1触摸感测配线单元包括沿第1方向延伸的相互平行的多个第5导电配线，上述第2触摸感测配线单元包括沿与上述第1方向正交的第2方向延伸的相互平行的多个第6导电配线，上述第5导电配线位于与上述第1导电配线相同的层，并具有与上述第1导电配线相同的层结构，上述第6导电配线位于与上述第2导电配线相同的层，并具有与上述第2导电配线相同的层结构，上述第1导电配线、上述第1天线单元、上述第2天线单元和第1触摸感测配线单元通过在上述显示装置基板的厚度方向上由第1导电性金属氧化物层和第2导电性金属氧化物层夹持铜层或铜合金层而成的3层结构的导电层构成，并位于相同的层，上述第2导电配线隔着绝缘层以覆盖上述3层结构的上述导电层的方式被层叠，通过由第3导电性金属氧化物层和第4导电性金属氧化物层夹持铜层或铜合金层而成的3层结构的导电层构成，上述第1天线单元及上述第2天线单元分别具有1个以上的环形天线，在上述环形天线的内侧设置有第1连接用焊盘，上述第1连接用焊盘经由设置于上述绝缘层中的导通孔而与上述第2导电配线的一部分连接，上述第1天线单元和上述第2天线单元位于上述边框区域内，在形成有上述第1导电配线、上述第1天线单元、上述第2导电配线及上述第2天线单元的上述第1面中，上述有效显示区域被透明树脂层覆盖。
本发明的第2技术方案的显示装置基板中，也可以是，具有将上述第1天线单元及上述第2天线单元的周围局部地包围、且由上述第1导电性金属氧化物层和上述第2导电性金属氧化物层夹持着铜层或铜合金层的导体图案。
在本发明的第2技术方案的显示装置基板中，也可以是，上述第1天线单元及上述第2天线单元的上述环形天线分别包括卷绕方向相互相反且匝数为2以上的环形天线对。
在本发明的第2技术方案的显示装置基板中，也可以是，第1触摸感测配线单元包括沿上述第1方向延伸的多个第1触摸感测配线，第2触摸感测配线单元包括沿上述第2方向延伸的多个第2触摸感测配线。
发明效果
根据本发明的技术方案，能够从设置有具备许多根导电配线(触摸感测配线)的触摸感测配线单元的第1基板对第2基板经由天线单元以非接触的方式进行信号(触摸感测信号/电力信号)的收发。此外，关于形成于第1基板的许多根导电配线与第2基板之间的电气性的连接，不需要采用例如使用金属珠等导电性粒子进行连接这样的高难度的技术。
附图说明
图1是表示构成本发明的第1实施方式的显示装置的控制部(影像信号控制部、***控制部及触摸感测控制部)及显示部的框图。
图2是局部地表示本发明的第1实施方式的显示装置的剖视图。
图3是表示在构成本发明的第1实施方式的显示装置的显示装置基板形成的、第1导电配线、第2导电配线、第1天线单元、第2天线单元、控制部等的电路的俯视图。
图4是表示在构成本发明的第1实施方式的显示装置的阵列基板形成的、第3天线单元、第4天线单元、源极信号开关电路、栅极信号开关电路等电路的俯视图。
图5是表示在构成本发明的第1实施方式的显示装置的显示装置基板的第1面形成的第1导电配线的剖视图。
图6是放大表示在构成本发明的第1实施方式的显示装置的显示装置基板形成的第1天线单元的局部俯视图。
图7是表示在构成本发明的第1实施方式的显示装置的显示装置基板形成的第1天线单元的图，是沿着图6的A－A’线的剖视图。
图8是表示在构成本发明的第1实施方式的显示装置的显示装置基板形成的第1天线单元与在阵列基板形成的第3天线单元的重叠的立体图。
图9是用于说明将环形天线的周围用导体包围的情况下涡电流的产生的说明图。
图10是局部地表示在构成本发明的第1实施方式的显示装置的显示装置基板形成的有源元件的剖视图。
图11是局部地表示在构成本发明的第1实施方式的显示装置的阵列基板形成的有源元件的剖视图。
图12是本发明的第2实施方式的显示装置的剖视图。
图13是局部地表示构成本发明的第2实施方式的显示装置的阵列基板的剖视图，是在阵列基板形成的有源元件及有机EL的发光层的说明图。
图14是表示在构成本发明的第2实施方式的显示装置的显示装置基板形成的第1天线单元与在阵列基板形成的第3天线单元的重叠的立体图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
在以下的说明中，对相同或实质上相同的功能及构成要素赋予相同的标号而省略或简化其说明，或仅在需要的情况下进行说明。在各图中，为了使各构成要素成为在图面上能够识别之程度的大小，使各构成要素的尺寸及比率与实际适当地不同。此外，根据需要，省略难以图示的要素、例如构成显示装置的绝缘层、缓冲层、形成半导体的沟道层的多层的结构、形成导电层的多层的结构、对液晶层赋予初始取向的取向膜、偏光膜、相位差膜等光学膜、保护用的覆盖玻璃、背光灯等的图示。
作为在本发明的实施方式的第1基板或第2基板等中能够使用的基板，可以使用：玻璃基板；石英基板；蓝宝石基板；陶瓷基板；硅、碳化硅、硅锗等的半导体基板；或者塑料基板等。
例如，能够作为第1基板而使用玻璃基板等可视域透明的基板、作为第2基板而使用硅基板等来构成反射型的显示装置。
在第1基板及第2基板中使用的“第1”及～“第2”的序数词、在第1导电配线～第6导电配线中使用的“第1”～“第6”等的序数词、在第1导电性金属氧化物层～第8导电性金属氧化物层等中使用的“第1”～“第8”等的序数词是为了避免构成要素的混淆而赋予的，并不限定数量。第1导电配线～第6导电配线在以下的记载中有时仅称作导电配线。第1导电性金属氧化物层～第8导电性金属氧化物层在以下的记载中有时仅称作导电性金属氧化物层。
本发明的实施方式的显示装置能够具有静电电容方式的触摸感测功能。如后述那样，第1导电配线及第2导电配线等的导电配线能够作为触摸感测检测配线或触摸感测驱动配线而使用。在以下的记载中，有时将与触摸感测相关的导电配线、电极及信号仅称作触摸配线、触摸驱动配线、触摸检测配线、触摸电极及触摸驱动信号。将向触摸感测配线为了触摸感测的驱动而施加的电压称作触摸驱动电压，将为了作为显示功能层的液晶层的驱动而向共通电极与像素电极之间施加的电压称作液晶驱动电压。将驱动有机EL层的电压称作有机EL驱动电压。有时将连接到共通电极的导电配线称作共用配线。在本发明的实施方式的显示功能层中，可以采用被称作微型LED的发光元件。
(第1实施方式)
(显示装置DSP1的功能结构)
以下，参照图1至图11说明本发明的第1实施方式的显示装置DSP1。
在以下所述的各实施方式中，对特征性的部分进行说明，例如关于没有在通常的液晶显示装置中使用的构成要素与本实施方式的显示装置的差异的部分省略说明。
在本发明的实施方式的显示装置DSP1中，显示功能层是液晶层，第2有源元件是薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)，驱动液晶层。
此外，本发明的实施方式的显示装置使用内嵌(in－cell)方式。在此，所谓的“内嵌方式”，是指触摸感测功能被内置在液晶显示装置中的显示装置、或将触摸感测功能与显示装置一体化的显示装置。通常，在经由液晶层将显示装置基板与阵列基板(TFT基板)贴合的液晶显示装置中，在显示装置基板及阵列基板各自的外侧的面上粘贴着偏光膜。换言之，本发明的实施方式的内嵌方式的液晶显示装置，是在位于相互对置的2个偏光膜之间并且在厚度方向上构成液晶显示装置的某个部位具备触摸感测功能的液晶显示装置。另外，作为在本发明中使用的技术用语，有时将作为形容词的“触摸感测”仅简称作“触摸”。
图1是表示本发明的第1实施方式的显示装置DSP1的框图。如图1所示，本实施方式的显示装置DSP1具备显示部110和用于对显示部110及触摸感测功能进行控制的控制部120。
控制部120具有周知的构成，具备影像信号控制部121(第一控制部)、触摸感测控制部122(第二控制部)和***控制部123(第三控制部)。在触摸感测控制部122与***控制部123之间设置有天线单元11～14。
影像信号控制部121将设置于阵列基板200的共通电极设为定电位，并且向设置于阵列基板200的栅极配线33(后述，扫描线)及源极配线31(后述，信号线)传送信号。通过影像信号控制部121向共通电极与像素电极49(后述)之间施加显示用的液晶驱动电压，从而，在阵列基板200上产生电场，液晶分子沿着电场旋转，液晶层4被驱动。由此，在阵列基板200上显示图像。对于多个像素电极49的各自，经由源极配线(信号线)分别独立地施加例如矩形波的影像信号。此外，作为矩形波，可以是正或负的直流矩形波或交流矩形波。影像信号控制部121将这样的影像信号向源极配线传送。
触摸感测控制部122向触摸感测驱动配线施加触摸感测驱动电压，检测在触摸感测驱动配线与触摸感测检测配线之间产生的静电电容的变化，进行触摸感测。触摸感测控制部122包括后述的电力接受部15、电源控制部16、触摸驱动控制部17、触摸驱动开关电路18、触摸检测开关电路19、触摸信号收发控制部20、以及检波/AD变换部30。
***控制部123对影像信号控制部121及触摸感测控制部122进行控制，能够交替地、即时分割地进行液晶驱动和静电电容的变化的检测。此外，***控制部123也可以具有使液晶驱动频率与触摸感测驱动频率不同、或者用不同的电压驱动液晶的功能。
在具有这样的功能的***控制部123中，例如也可以检测显示装置DSP1拾取的来自外部环境的噪声的频率，选择与噪声频率不同的触摸感测驱动频率。由此，能够减轻噪声的影响。此外，在这样的***控制部123中，也能够选择与手指或笔等的指示器的扫描速度匹配的触摸感测驱动频率。
在具有图1所示的结构的显示装置DSP1中，控制部120同时拥有向像素电极49施加显示用的液晶驱动电压而驱动液晶的功能、以及检测在触摸感测驱动配线与触摸感测检测配线之间产生的静电电容的变化的触摸感测功能。本发明的实施方式的触摸感测配线能够由导电率较好的金属层形成，所以能够降低触摸感测配线的电阻值而提高触摸敏感度(后述)。
控制部120优选具有在影像显示的稳定期间及影像显示后的黑显示稳定期间的至少一方的稳定期间中进行触摸感测驱动的功能。
(显示装置DSP1的构造)
本实施方式的液晶显示装置具备后述的实施方式的显示装置基板。此外，以下所记载的“俯视”，是指以从第1基板朝向上述第2基板的方向观看的俯视，即，是指观察者从观察液晶显示装置的显示面(显示装置基板的平面)的方向看到的平面。本发明的实施方式的液晶显示装置的显示部的形状、或规定像素的像素开口部的形状、构成液晶显示装置的像素数没有被限定。但是，在以下详述的实施方式中，俯视时，将像素开口部的短边的方向规定为X方向，将长边的方向(长度方向)规定为Y方向，进而将透明基板的厚度方向规定为Z方向，来说明液晶显示装置。在以下的实施方式中，也可以将如上述那样规定的X方向和Y方向替换，来构成液晶显示装置。
图2是局部地表示本发明的第1实施方式的显示装置的剖视图。
显示装置DSP1具备：显示装置基板100(第1基板)，具备具有第1面101的第1透明基板1；阵列基板200(第2基板)，具备具有与第1面101对置的第2面201的第2透明基板2；以及液晶层4(显示功能层)，位于第1透明基板1与第2透明基板2之间。换言之，显示装置DSP1具有以第1透明基板1与第2透明基板2相面对的方式将显示装置基板100与阵列基板200夹着液晶层4贴合的构造。
在显示装置基板100中，在第1透明基板1的第1面101上，至少层叠有黑矩阵3、下部绝缘层41、第1导电配线21、第1基板侧绝缘层42(栅极绝缘层)、第2导电配线22、上部绝缘层43(透明树脂层)等。在第1透明基板1的外周部，设置有后述的触摸驱动开关电路18。在显示装置基板100中，设置有构成第1触摸感测配线单元的多个第5导电配线55和构成第2触摸感测配线单元的多个第6导电配线56。在形成有第1导电配线21、第1天线单元11、第2导电配线22及第2天线单元12的第1面101，有效显示区域71被上部绝缘层43覆盖。
形成于第1透明基板1的第5导电配线55是使用第1导电配线21的一部分作为触摸感测配线的配线。形成于第1透明基板1的第6导电配线56是使用第2导电配线22的一部分作为触摸感测配线的配线。将平行的多个第5导电配线55称作第1触摸感测配线单元，将平行的多个第6导电配线56称作第2触摸感测配线单元。
本发明中的“第1触摸感测配线单元”，是指平行于第1方向而延伸的许多根数的导电配线。本发明中的“第2触摸感测配线单元”，是指平行于与第1方向正交的第2方向而延伸的许多根数的导电配线。第1触摸感测配线单元及第2触摸感测配线单元被用于基于静电电容变化检测手指等指示器的位置的触摸感测。
在有效显示区域71内，多个第5导电配线55(第1触摸感测配线)相互平行，沿X方向(第1方向)延伸，多个第6导电配线56(第2触摸感测配线)相互平行，沿与X方向正交的Y方向(第2方向)延伸。与触摸感测有关的静电电容C1在第5导电配线55与第6导电配线56之间产生。根据静电电容C1的变化来检测触摸的有无及触摸位置。触摸配线优选的是在触摸检测之后或一定周期的触摸驱动之后相对于显示装置的壳体接地而将与触摸有关的静电电容复位。
在阵列基板200中，在第2透明基板2的第2面201上，层叠有栅极配线33(栅极电极、第3导电配线23)、第2基板侧绝缘层44(栅极绝缘层)、源极配线31(第4导电配线24)、绝缘层45、46等(参照图11)。在第2透明基板2的外周部，设置有后述的栅极信号开关电路27。在阵列基板200的外端，设置有FPC。在FPC连接着对包括触摸感测在内的显示装置整体进行控制的CPU(控制部120，参照图1，在图2中没有图示)、供给电源的电池等。显示装置基板100和阵列基板200夹着液晶层4及取向膜(未图示)贴合。
(显示装置基板100)
图3是表示构成本发明的第1实施方式的显示装置的显示装置基板100的俯视图。另外，图3是从观察者观察显示装置基板100的俯视图，但以将具有遮光性的黑矩阵3透视的方式示出了显示装置基板100的构成要素。
如图3所示，在显示装置基板100中的第1透明基板1的第1面101上，设置有黑矩阵3、第1导电配线21、第2导电配线22、第1天线单元11、第2天线单元12、电力接受部15、电源控制部16、触摸驱动控制部17、触摸驱动开关电路18、触摸检测开关电路19、触摸信号收发控制部20及检波/AD变换部30。将第1天线单元11、第2天线单元12、触摸驱动开关电路18、触摸检测开关电路19等电路电气地连接的引绕配线使用第1导电配线21的一部分及第2导电配线22的一部分。黑矩阵3具备矩形状的有效显示区域71和将有效显示区域71包围的边框区域72。图3所示的电力接受部15、电源控制部16、触摸驱动控制部17、触摸驱动开关电路18、触摸检测开关电路19、触摸信号收发控制部20、检波/AD变换部30等是指本发明的“对触摸感测进行控制的电路”。此外，第1导电配线21的一部分、第2导电配线22的一部分和第1有源元件构成对触摸感测进行控制的电路。电力接受部15将接收电压平滑化、定电压化后作为触摸驱动电压向电源控制部16输出。
另外，第1导电配线21、第2导电配线22、第1天线单元11、第2天线单元12、触摸信号收发控制部20、触摸驱动开关电路18、触摸检测开关电路19等也可以并不一定配设在黑矩阵3上。在该情况下，例如能够将第1导电配线21及第2导电配线22作为触摸感测配线形成在有效显示区域内的黑矩阵3上，在边框的外侧的没有形成黑矩阵3的玻璃面(第1基板的第1面101)上形成触摸信号收发控制部20、触摸驱动开关电路18、触摸检测开关电路19等。另外，第1导电配线21和第2导电配线22的一部分可以夹着下部绝缘层41用于第1天线单元11及第2天线单元12的2层的导电配线构造。第1天线单元11及第2天线单元12包括卷绕方向相互相反且匝数为2以上的环形天线对。
黑矩阵3例如能够由分散有黑色的色材的着色树脂来形成。或者，也可以使用低反射率的金属氧化物或金属氮氧化物来形成黑矩阵3。作为黑色的色材，可以应用碳、碳纳米管、碳纳米角或多个有机颜料的混合物。例如，以相对于色材整体的量为51质量％以上的比例、即作为主要的色材而使用碳。为了调整反射色，可以将蓝或红等的有机颜料添加到黑色的色材中而使用。例如，通过调整在作为原始材料的感光性黑色涂敷液中含有的碳的浓度(降低碳浓度)，能够得到中性的黑色及低反射率。通过实施这样的精心设计，黑矩阵3与玻璃等的第1透明基板1之间的界面处的可视光的反射率被抑制为约3％以下，能够得到较高的视觉辨认性。
(阵列基板200)
图4是表示构成本发明的第1实施方式的显示装置的阵列基板200的俯视图。
如图4所示，在阵列基板200中的第2透明基板2的第2面201上，设置有第3天线单元13、第4天线单元14、源极信号开关电路26、栅极信号开关电路27、电力送出部28、信号收发部29等的电路及FPC。在阵列基板200中在相当于像素开口部10的位置设置有薄膜晶体管。第3天线单元13及第4天线单元14包括卷绕方向相互相反且匝数为2以上的环形天线对。
在将显示装置基板100与阵列基板200贴合时，第1天线单元11和第3天线单元13在俯视时以重叠的方式配置(第1重叠部51)。此外，第2天线单元12和第4天线单元14在俯视时以重叠的方式配置(第2重叠部52)。第1重叠部51具有触摸感测信号的收发功能，第2重叠部52具有电力信号的受送功能。形成第1重叠部51的第1天线单元11和第3天线单元13、以及形成第2重叠部52的第2天线单元12和第4天线单元14配置在边框区域72内。
(导电配线)
接着，对上述的第1导电配线21、第2导电配线22、第5导电配线55及第6导电配线56、以及后述的第3导电配线23及第4导电配线24的构造进行说明。作为这些导电配线中的代表，参照第1导电配线21对导电配线的构造进行说明。第1导电配线21的构造及构成材料能够应用于第2导电配线22、第3导电配线23、第4导电配线24、第5导电配线55及第6导电配线56。
如图5所示，在第1透明基板1上形成有黑矩阵3，在黑矩阵3上形成有下部绝缘层41，在下部绝缘层41上形成有第1导电配线21。第1导电配线21具有由第1导电性金属氧化物层7和第2导电性金属氧化物层9夹持铜合金层8(或铜层)的结构。第1导电性金属氧化物层7及第2导电性金属氧化物层9的各自的膜厚例如能够从10nm至100nm的范围中选择。铜合金层8的膜厚例如能够从50nm至500nm的范围中选择。作为这些导电性金属氧化物层7、9及铜合金层8的成膜方法，优选的是使用溅射等的真空成膜法。在铜合金层8的形成中也使用镀层法的情况下，也可以形成得比上述膜厚厚。
这样的配线构造不仅是形成于第1透明基板1的第1导电配线21，对于形成于第2透明基板2上的各种配线也能够应用。此外，在与第3导电配线23对应的栅极配线33(参照图2、图11)、与第4导电配线24对应的源极配线31(参照图2、图11)或共用配线(未图示)等中，也能够采用与上述配线构造相同的配线构造。例如，能够采用通过由与第1导电性金属氧化物层7及第2导电性金属氧化物层9相同的材料形成的金属氧化物层对具有与上述铜合金层8相同组成的铜合金层进行夹持的配线构造。
接着，对铜合金层8具体地进行说明。
铜合金层8含有固溶于铜的第1元素、以及与铜及第1元素相比电负性小的第2元素。第1元素及上述第2元素是添加于铜的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素。铜合金层的电阻率处于1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。在本实施方式中，与铜固溶的元素，例如能够换言之是在包括面向车载的电子设备的使用范围即－(负)40℃至+(正)80℃的温度区域中相对于铜能够得到稳定的置换型固溶的元素。此外，元素(也可以是多种)向铜的添加量只要是其铜合金的电阻率(与电阻率同义)不超过6μΩcm的范围就可以。在将矩阵母材设为铜的情况下，相对于铜拥有较宽的固溶域的金属可以例示金(Au)、镍(Ni)、锌(Zn)、镓(Ga)、钯(Pd)、锰(Mn)。虽然不宽，但铝(Al)相对于铜具有固溶域。
电阻率较小的元素(铜的合金元素)能够举出钯(Pd)、镁(Mg)、铍(Be)、金(Au)、钙(Ca)、镉(Cd)、锌(Zn)、银(Ag)。这些元素在向纯铜添加了1at％时电阻率的增加大致为1μΩcm以下。钙(Ca)、镉(Cd)、锌(Zn)、银(Ag)由于其电阻率的增加是0.3μΩcm/at％以下，所以作为合金元素是优选的。如果考虑经济性及环境负荷，则优选的是使用锌及钙作为合金元素。作为向铜的合金元素，锌及钙能够分别添加至5at％为止。
也可以基于上述添加量的范围，增加钙的添加量，或减少锌的添加量，或增减锌及钙的添加量。关于锌及钙向铜的添加所带来的效果，分别在0.2at％以上的添加量能得到显著的效果。
向纯铜以合计0.4at％添加了锌及钙的铜合金的电阻率为约1.9μΩcm。因而，本发明的实施方式的铜合金层8的电阻率的下限为1.9μΩcm。另外，在使用钙(Ca)、镉(Cd)、锌(Zn)、银(Ag)作为合金元素的情况下，如果向铜的添加量超过5at％，则铜合金的电阻率显著地增加，所以优选的是至少5at％以下的添加量。
锌在100℃以下的温度时相对于铜具有至少30at％的固溶区域。锌具有与铜置换固溶而在铜的晶粒(晶体颗粒)中抑制铜的运动、抑制铜的扩散的效果。
电负性是原子(元素)吸引电子的强度的相对尺度。该值越小的元素，越容易成为阳离子。铜的电负性是1.9。氧的电负性是3.5。电负性较小的元素可以举出碱土类元素、钛族元素、铬族元素等。碱元素的电负性也较小，但如果在铜的附近存在碱元素或水分，则铜的扩散会被增长。因此，钠及钾等的碱元素不能作为铜的合金元素使用。
钙的电负性较小为1.0。在使用钙作为铜的合金元素的情况下，在热处理时等钙比铜先被氧化，成为氧化钙，能够抑制铜的扩散。在本发明的实施方式的导电配线中，能够在未被导电性金属氧化物层覆盖的铜合金层的露出面、铜合金层与导电性金属氧化物层的界面选择性地形成钙氧化物。特别是，在未被导电性金属氧化物层覆盖的铜合金层的露出面形成钙氧化物，有助于铜的扩散的抑制及可靠性的提高。本发明的实施方式的导电配线及铜合金层的导电率通过热处理等退火而提高。上述的电负性由鲍林电负性(Paulingelectronegativity)的值进行了表示。在本发明的实施方式的导电配线中，优选的是通过导电配线的热处理工序等，将第2元素比铜及第1元素先氧化而形成氧化物。此外，优选的是防止氢、氧向铜及铜合金的混入。
另外，在本发明的实施方式中，也可以是“第1元素”与铜相比电负性较小。也可以是“第2元素”相对于铜拥有固溶域。在使用具有与铜相比电负性较小且相对于铜拥有固溶域这样的2个性质的2种以上元素的情况下，将2种以上元素中的电负性较小的元素设为“第2元素”。
例如，可以举出第1元素是锌，第2元素是钙。关于铜合金层8的具体的组成，铜合金层8使用钙2at％、锌0.5at％、其余部为铜的铜合金。铜合金层8的电阻率是2.6μΩcm。
铜合金层8的电阻率根据铜合金层8的成膜方法及退火条件，可能有±30％左右的变化。例如，在玻璃基板等直接形成了铜合金层的结构中，由于成膜时的热处理、进而由于成膜后的热处理，导致铜合金层被氧化(形成CuO、氧化铜)，电阻值恶化。此外，在构成铜合金层的合金元素被以较低的浓度添加的铜合金、即低合金中，随着氧化铜的形成，铜合金的晶粒变得过大。因此，形成了具有间隙的粗大的晶界(晶体颗粒边界)，同时铜合金层的表面***糙，有时会导致电阻值恶化。
在本发明的实施方式中，采用了将铜合金层8用第1导电性金属氧化物层7和第2导电性金属氧化物层9夹持的结构。在该结构中，多数情况下通过热处理(退火)会改善电阻率。换言之，在本发明的实施方式中，通过将铜合金层8用导电性金属氧化物覆盖，抑制了铜合金层8的表面氧化。此外，通过利用在铜合金层8的表面及背面形成的导电性金属氧化物层进行限制(锚定(anchors))，铜合金层8的晶粒不会极度粗大化，铜合金层8的表面不会变得粗糙。即使是构成铜合金层8的合金元素被以较低的浓度(例如，0.2at％左右)添加的铜合金层8，晶体颗粒(晶粒)也不易变大，能够抑制由粗大化的晶界造成的载流子散乱(电阻率的恶化)。
关于抑制电阻率的恶化的效果，特别在添加到铜中的合金元素的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素的情况下、且由第1导电性金属氧化物层7和第2导电性金属氧化物层9夹持铜合金层8的结构的情况下，容易得到显著的效果。本实施方式与铜合金层暴露在大气环境、氮环境、氧环境、氢环境等中的情况完全不同，通过利用在铜合金层的表面及背面形成的导电性金属氧化物层进行限制(锚定)，使得铜合金层中的致密的晶粒的再结晶化发展，铜合金层容易低电阻化。
在本发明的实施方式的触摸感测配线中，有时会在铜合金层8与第1导电性金属氧化物层7的界面、以及铜合金层8与第2导电性金属氧化物层9的界面、此外铜合金层8的侧面形成钙氧化物的情况。钙氧化物多数情况下在后述的低温退火及热处理中形成。通过在铜合金层8的表面及与导电性金属氧化物层的界面形成钙氧化物，抑制了铜的扩散，有助于可靠性的提高。
此外，在本发明的实施方式的铜合金层中，不需要有意地含有氧(O)。含有较多氧的铜合金层例如有可能因水或碱的存在而使铜合金层产生气孔，可能导致铜合金层的可靠性下降。
因此，将第1导电性金属氧化物层、铜合金层和第2导电性金属氧化物层这3层例如以室温(25℃)至不到200℃的基板温度进行连续成膜。进而，在形成沟道层的图案后的后工序中，实施例如200℃～300℃的低温退火。或者，也可以实施超过300℃且600℃以内的高温退火。由此，能够实现包括电阻率在内的电气特性改善。
本发明的实施方式的铜合金层是Cu－Ca合金系的合金。在Cu－Ca合金系中，钙难以固溶于铜。例如，在作为铜合金层的原始材料的溅射靶中，容易作为Cu5Ca等的析出物分散到溅射靶中。在Cu－Ca－Zn合金中也同样，钙难以固溶于铜。
Cu5Ca及在热处理时在铜合金的表面或导电性金属氧化物与铜合金的界面形成的CaO等抑制铜的扩散，有助于铜配线的可靠性的提高。
通过将锌添加到铜合金中，从而，锌固溶于铜，使锌置换到铜的晶粒中的格子位置而抑制铜的运动，主要能够防止铜的迁移。
通过将钙添加到铜合金中，主要能够通过形成CaO或Cu5Ca等的析出物而防止铜的扩散。
在本发明的实施方式中，夹持铜合金层的导电性金属氧化物层具有如下功能：对于铜合金薄膜的紧贴性的提高；电气安装中的欧姆接触的改善；耐擦伤性的提高；铜迁移的防止；由铜合金层及导电性金属氧化物层的层叠构造带来的可靠性的提高；等等。
(导电性金属氧化物层)
接着，对上述的第1导电性金属氧化物层7及第2导电性金属氧化物层9、以及后述的第3导电性金属氧化物层、第4导电性金属氧化物层、第5导电性金属氧化物层及第6导电性金属氧化物层的构造进行说明。以下，将第1～第6导电性金属氧化物层仅称作导电性金属氧化物层。
作为导电性金属氧化物层的材料，例如能够采用包含从氧化铟、氧化锌、氧化铵、氧化镓、氧化锡中选择的2种以上金属氧化物的复合氧化物。
导电性金属氧化物层中含有的铟(In)的量需要比80at％更多地含有。铟(In)的量优选的是比80at％多。铟(In)的量更优选的是比90at％多。在铟(In)的量比80at％少的情况下，形成的导电性金属氧化物层的电阻率变大，是不好的。如果锌(Zn)的量超过20at％，则导电性金属氧化物(混合氧化物)的耐碱性下降，所以是不好的。在上述的导电性金属氧化物层中，都是混合氧化物中的金属元素的原子百分比(不计数氧元素，仅计数金属元素)。氧化铵由于金属铵难以形成与铜的固溶域，抑制了层叠结构中的铜的扩散，所以可以向上述导电性金属氧化物层添加。在混合氧化物中，也可以少量添加钛、锆、镁、铝、锗等其他元素。
铜层或铜合金层相对于透明树脂及玻璃基板(在第1透明基板、第2透明基板中使用)的紧贴性较低。因此，在将铜层或铜合金层原样应用于显示装置基板的情况下，难以实现实用性的显示装置基板。但是，上述的复合氧化物相对于黑矩阵、透明树脂及玻璃基板等充分地具有紧贴性，并且相对于铜层及铜合金层的紧贴性也充分。因此，在将使用了上述复合氧化物的铜层或铜合金层应用于显示装置基板的情况下，能够实现实用性的显示装置基板。
铜、铜合金、银、银合金或它们的氧化物、氮化物通常相对于玻璃等透明基板、黑矩阵BM等不具有充分的紧贴性。因此，在没有设置导电性金属氧化物层的情况下，在导电配线与玻璃等透明基板的界面、或者导电配线与黑矩阵或由SiO2等形成的绝缘层的界面很可能会产生剥离。在作为具有较细的配线图案的导电配线而使用铜或铜合金的情况下，在没有形成导电性金属氧化物层作为导电配线的基底层的显示装置基板中，除了由剥离造成的不良以外，有时还会在显示装置基板的制造工序的途中在导电配线产生因静电破坏造成的不良，不是实用性的。这样的静电破坏是如下现象：由于将滤色器层叠于基板上这样的后工序、将显示装置基板与阵列基板贴合的工序、清洗工序等而在配线图案中积蓄静电，因静电破坏而产生图案缺失及断线等。
除此以外，在铜层及铜合金层的表面，随着时间经过而形成不具有导电性的铜氧化物，有时电气性的接触变困难。另一方面，氧化铟、氧化锌、氧化铵、氧化镓、氧化锡等的复合氧化物层能够实现稳定的欧姆接触，在使用这样的复合氧化物的情况下，能够容易地进行导通转移(迁移)及经由接触孔的电气安装。
(天线单元)
接着，参照图6～图10对图3所示的第1天线单元11的具体构造进行说明。
图6是放大表示在本发明的第1实施方式的显示装置基板100形成的第1天线单元的局部俯视图。图7是沿着图6的A－A’线的剖视图。图8是表示在显示装置基板100形成的第1天线单元11与在阵列基板200形成的第3天线单元13的重叠的立体图。图9是用于说明在将环形天线的周围用导体包围的情况下涡电流的产生的说明图。图10是局部地表示在显示装置基板100形成的有源元件的剖视图。
在以下的说明中，作为第1天线单元11、第2天线单元12、第3天线单元13及第4天线单元14中的代表，对第1天线单元11的构造进行说明，但在其他的天线单元中也能够采用同样的构造。此外，在以下的说明中，有时仅称作“天线单元”。
本发明中的“天线单元”是指，以触摸感测信号的收发、电力的接受及供电等为目的而将1个以上的天线配置在基板上的结构。作为天线单元的结构，在天线是环(形成在同一平面中的线圈、螺旋状的图案)形状的天线的情况下，从通信的稳定性确保的观点来看，优选使向相互相反方向卷绕的2个天线邻接的结构。也可以使向相反方向卷绕的天线以2个以上交替地邻接，选择使用其中1组天线。
如图8所示，显示装置基板100的第1天线单元11和阵列基板200的第3天线单元13在俯视时是相同的环形天线形状，位置被对准而重叠(第1重叠部51)。同样，显示装置基板100的第2天线单元12和阵列基板200的第4天线单元14在俯视时是相同的环形天线形状，位置被对准而重叠(第2重叠部52)。
在第1重叠部51及第2重叠部52中要求形成天线的导电配线的线宽是例如1μm至20μm这样的较细的线宽、以及将天线单元限制在较窄的边框区域72内，所以天线的位置精度优选的是±3μm以内的精度。如果位置对准的精度变高，则能够效率良好地进行信号的发送及接收。通过将2个以上的环形天线并联连接，能够实现天线的小型化和非接触数据转发的高速化。另外，在图6～图8中，省略了用于形成第1天线单元11和第2天线单元12的每个与第3天线单元13和第4天线单元14的每个的共振电路的电容器及其他部件的图示。
作为形成天线的导电配线的构造，能够使用上述的用导电性金属氧化物层夹持铜合金层的3层结构的导电配线。例如，第1天线单元11和第2天线单元12能够在与第1导电配线21相同的层中用相同的工序形成。第3天线单元13和第4天线单元14能够在与第3导电配线23(或第4导电配线24)相同的层中用相同的工序形成。
第1天线单元11、第2天线单元12、第3天线单元13及第4天线单元14分别由反向卷绕的环形天线对构成。反向卷绕的环形天线的磁场的产生方向为相反方向，从而能够进行噪声产生较少的稳定的收发。换言之，在反向卷绕的环形天线中，通过方向分别不同的磁场的形成，能得到外部磁场的遮蔽效果，能够降低外部噪声的影响。
环形天线的匝数优选的是2以上或3以上。在天线的外形为5mm以下较小的尺寸的情况下，能够将匝数设为3以上20以下。第1实施方式中的匝数为3匝。在此，匝数为2以上的环形天线的俯视形状成为在同一平面上随着旋绕而接近中心的曲线。典型地能够例示线间大致为等间隔的阿基米德螺旋。
通常，以RFID为代表的环形天线为了获得较长的通信距离，需要以下3点等。
(a)增加匝数增加；
(b)以例如13.56MHz等的频率为前提确保卡尺寸等的较大的天线径长；
(c)确保导电配线的导电率。
其中，所谓天线径长以天线的俯视时的长轴和短轴的平均值为基准。另一方面，本发明的实施方式的环形天线的通信距离是在有机EL层中使用的封固层的厚度、液晶层的厚度，例如是0.5μm～5μm程度的较短的距离就可以，所以几乎没有上述的限制。换言之，本发明的实施方式的环形天线的通信距离与通常的RFID不同，是0.5μm至5μm程度的较短的距离就可以，所以能够极度减少对液晶层等的驱动电路的噪声影响。本发明的实施方式的环形天线的远方放射强度较小，几乎不受到通常的天线的共振频率法则的限制。
本发明的实施方式的环形天线的共振频率例如作为触摸感测驱动频率的n倍(n是1以上的整数)而能够选择适合于触摸感测的频率。
相反，为了减少从液晶层等的驱动电路、背光灯单元驱动电路、100V等的外部电源等受到的噪声的影响，在本实施方式中利用图6及图8所示的大致U字形状的导体图案25A、25B将天线单元11、12、13、14平面地包围。
另外，在作为导体图案的形状而采用例如图9所示那样的电气地闭合的形状W(电气地相连的形状)的情况下，在导体图案中流动与在环形天线中流动的电流反向地流动的电流，导致环形天线的效率下降。因此，作为导体图案25A、25B的形状，不是利用环状的导电图案将天线单元包围，而优选的是利用大致U字形状的导电图案将天线单元(环形天线)的周围局部地包围。导体图案25A、25B优选接地到显示装置的壳体等。
作为导体图案25A、25B的构造，如上述那样，优选的是由第1导电性金属氧化物层和第2导电性金属氧化物层将铜层或铜合金层夹持的结构。
例如，天线单元11、12、13、14分别能够在俯视时成为反向卷绕方向的天线对。所谓的反向卷绕能够定义为图6所示的上下的配置(或左右的配置)的环形天线164、165相对于中心166在俯视时呈线对称的卷绕方向。
在第1天线单元11与第3天线单元13的重叠部(第1重叠部51)，例如进行来自CPU的触摸驱动信号的接收、或从触摸检测开关电路19经过触摸信号收发控制部20输出的触摸检测信号的发送。触摸驱动信号经过触摸驱动控制部17而驱动触摸驱动开关电路18。换言之，第1天线单元11与第3天线单元13的第1重叠部51具有触摸感测信号的收发功能。
在第2天线单元12与第4天线单元14的重叠部(第2重叠部52)，例如第2天线单元12从第4天线单元14接受通过共振频率的电磁波的产生而产生的电力。换言之，第2天线单元12与第4天线单元14的第2重叠部52具有电力信号的受送功能。
另外，第1天线单元11与第3天线单元13的重叠部的作用、以及第2天线单元12与第4天线单元14的重叠部的作用可以替换。
如图7所示，在第1透明基板1上形成有黑矩阵3，在黑矩阵3上形成有下部绝缘层41，在下部绝缘层41上形成有第1天线单元11及第2天线单元12。将图3、图5及图7比较可知，在下部绝缘层41上形成有第1导电配线21、第5导电配线55、第1天线单元11及第2天线单元12。即，第1导电配线21、第5导电配线55、第1天线单元11及第2天线单元12位于相同层。
如果更具体地说明，则在下部绝缘层41上成膜出第1导电性金属氧化物层7、铜合金层8(或铜层)及第2导电性金属氧化物层9(3层结构的导电层)后，用周知的光刻法对3层结构的导电层进行图案形成，由此，形成第1导电配线21、第5导电配线55、第1天线单元11及第2天线单元12各自的图案。即，本发明中的“位于相同层”，是指在将3层结构的导电层形成在基板上之后，利用图案形成而将各自的配线层(导电配线、天线单元)配设为相同层，是指配线及天线等以相同层结构、相同材料设置在相同层中。
由相同层结构的导电配线(第1导电配线21)形成的第1天线单元11、第2天线单元12分别经由第1连接用焊盘60、61与不同的导电配线(第2导电配线22)电气地连接。此外，例如构成第1有源元件38的栅极电极54(栅极配线，参照图10)处于与相同层结构的导电配线(第1导电配线)相同的层中，构成第1有源元件38的源极配线53和源极电极58位于与第2导电配线22相同的层。此外，第1触摸感测配线单元由位于与第1导电配线相同的层的第5导电配线55形成，第2触摸感测配线单元由第6导电配线56形成。如上述那样，在本发明的实施方式中，将第1导电配线21和第2导电配线22的2层配线用于天线及有源元件。
在后述的触摸驱动开关电路18及栅极信号开关电路27等中，包括有源元件(薄膜晶体管)及第1导电配线和第2导电配线的2层配线，但在图2及图12中省略了其详细情况。
(第1有源元件38)
在显示装置基板100形成的电力接受部15、电源控制部16、触摸驱动控制部17、触摸驱动开关电路18、触摸检测开关电路19、触摸信号收发控制部20及检波/AD变换部30作为开关元件而具备第1有源元件38。
如图10所示，第1有源元件38具有底栅构造，形成于第1透明基板1的边框区域72。第1有源元件38隔着黑矩阵3和下部绝缘层41而形成于第1透明基板1的第1面101。另外，形成第1有源元件38的部位也可以省去基底的黑矩阵3而形成于下部绝缘层41上。
在第1有源元件38中，栅极电极54由与第1导电配线21相同结构的导电配线形成，在与第1导电配线21相同的工序中形成。在栅极电极54上，层叠着栅极绝缘层42(第1基板侧绝缘层)、沟道层59及漏极电极57、源极电极58。栅极电极54与连接于栅极电极54的栅极配线电气地相连，源极电极58与源极配线53电气地相连。
由多个第1有源元件38、以及通过导电性金属氧化物层或氧化物半导体的膜的图案形成而形成的电阻元件，构成了图3所示的触摸驱动开关电路18、触摸检测开关电路19、触摸信号收发控制部20、检波/AD变换部30、电力接受部15、电源控制部16、触摸驱动控制部17等的电路。第1天线单元11及第2天线单元12等所需要的电容器能够在形成第1导电配线21及第2导电配线22时形成。具体而言，对具有与第1导电配线21及第2导电配线22相同结构且位于相同层的导电层进行图案形成而使其在第1基板侧绝缘层42的上下具有所需的大小，从而能够形成电容器。构成第1有源元件38的沟道层35由氧化物半导体构成。
(氧化物半导体)
氧化物半导体例如至少含有氧化铟、氧化镓。进而，氧化物半导体含有氧化铵、氧化铋、氧化锌中的任1种以上。这样的氧化物半导体通过与上述同样的200℃～350℃的低温退火，使结晶化发展，能够使半导体特性稳定化。这样的低温工艺提高了对于以有机树脂或有机颜料为基体的滤色器、聚酰亚胺树脂或聚酰胺树脂等的树脂基板的适合性。例如，有时在基板上形成碳分散于树脂中的黑矩阵，进而形成作为沟道层而使用了氧化物半导体的有源元件。在该情况下同样具有能够实施上述黑矩阵拥有耐热性的200℃～300℃的范围的低温退火、能够提高氧化物半导体的可靠性的优点。
氧化物半导体通过从非晶质变化为结晶质，能够实现载流子迁移率的改善及可靠性的提高。氧化铟及氧化镓的氧化物的熔点较高。氧化铵(Sb2O3)及氧化铋(Bi2O3)的熔点都是1000℃以下，氧化物的熔点较低。例如，在采用了氧化铟(In2O3)、氧化镓(Ga2O3)和氧化铵的3元系复合氧化物的情况下，通过熔点较低的氧化铵的效果，能够使该复合氧化物的结晶化温度变低。换言之，能够提供容易从非晶质状态结晶化为微结晶状态等的氧化物半导体。氧化物半导体通过提高其结晶性，能够使载流子迁移率提高。所谓的微结晶的氧化物半导体膜，是通过TEM等的观察方法能够观察到至少1nm至3nm左右、或比3nm大的晶体颗粒的氧化物半导体膜。
氧化物半导体由于在后工序的湿式蚀刻中被要求易溶性，所以能够使用富含氧化锌、氧化镓或氧化铵的复合氧化物。例如，作为在溅射中使用的金属氧化物靶的金属元素的原子比(不计数氧的原子比)，能够例示In：Ga：Sb＝1：2：2，In：Ga：Sb＝1：3：3，In：Ga：Sb＝2：1：1，In：Ga：Sb＝1：1：1，或In：Ga：Sb＝1：0.25：1。在此，Sb例如能够替换为Zn(锌)或Bi(铋)。
此外，也可以以In：Sb＝1：1的原子比，做成氧化铟及氧化铵的2元系复合氧化物。例如，也可以以In：Bi＝1：1的原子比，做成氧化铟及氧化铋的2元系复合氧化物。此外，在上述原子比中，也可以进一步增加In的含有量。
例如，也可以对上述的复合氧化物还添加Sn。在该情况下，得到包括包含In2O3、Ga2O3、Sb2O3及SnO2在内的4元系组成的复合氧化物，或得到包括包含In2O3、Sb2O3及SnO2在内的3元系组成的复合氧化物，能够调节载流子浓度。与In2O3、Ga2O3、Sb2O3、Bi2O3价数不同的SnO2起到载流子掺杂剂的作用。
作为沟道层而使用了氧化物半导体的有源元件(薄膜晶体管)电气性的耐压极高。能够承受因第3天线单元与第4天线单元之间的噪声引起的电压变动、以及伴随触摸配线从外部拾取的噪声而产生的电压变动，作为沟道层而使用了氧化物半导体的有源元件(薄膜晶体管)的与触摸感测有关的电路形成是优选的。
通过使用这些氧化物半导体作为沟道层，使用对本发明的实施方式的导电配线加以应用的源极电极、漏极电极及栅极电极，能够提供n型的薄膜晶体管(有源元件)。通过使沟道层为p型，能够提供p型的薄膜晶体管。
(第2有源元件48)
接着，对在阵列基板200的有效显示区域71形成的第2有源元件48进行说明。图11是局部地表示在阵列基板200形成的第2有源元件48的剖视图。
第2有源元件48具有底栅构造，具备栅极电极33(栅极配线)、源极配线31、源极电极32、沟道层35、漏极电极37。栅极配线及源极配线与第2有源元件48电气地连接。第2有源元件48的漏极电极37经由接触孔90与像素电极49电气地连接，进行液晶层4的驱动。在阵列基板200中，具有与第2有源元件48相同结构的有源元件也形成于阵列基板200的边框区域中。在阵列基板200的边框区域，由多个第2有源元件48、以及通过导电性金属氧化物层或氧化物半导体的膜的图案形成而形成的电阻元件，构成了图4所示的源极信号开关电路26、栅极信号开关电路27、电力送出部28、信号收发部29。电力送出部28驱动第4天线单元14，对第2天线单元12送电。信号收发部29驱动第3天线单元13，在第1天线单元11与第3天线单元13之间进行触摸信号的收发。
为了提高视觉辨认性，优选的是在有效显示区域的外侧通过遮光性的黑矩阵形成边框。但是，不需要在边框区域的全部中形成边框，在形成触摸驱动开关电路等的第1有源元件的区域中，也可以省去通过遮光性的黑矩阵形成边框。此外，也可以在作为观察面的第1透明基板1的表面上作为保护玻璃而层叠的覆盖玻璃的背面等形成边框状的遮光图案。
另外，在阵列基板200的边框区域形成的、源极信号开关电路26、栅极信号开关电路27、电力送出部28、信号收发部29的电源经由FPC，借助未图示的电池或适配器而与100V等的外部电源连接。
此外，也可以在第1透明基板1的像素开口部10或第2透明基板2的像素开口部10配设例如红滤色器、绿滤色器、蓝滤色器等滤色器。
另外，在第1实施方式中，在沟道层35中使用的氧化物半导体使用In：Ga：Sb＝1：0.25：1的元素比的复合氧化物，进行280℃的低温退火，做成微结晶的氧化物半导体。在第1实施方式的铜合金层中使用In：Ca：Zn＝97.5：2：0.5的元素比的铜合金。
(触摸感测)
也可以不将第1触摸感测配线单元及第2触摸感测配线单元中包含的触摸感测配线的全部用于触摸感测。也可以进行剔除驱动(thinned-out driving)。对使触摸感测配线进行剔除驱动的情况进行说明。首先，将全部的触摸感测配线划分为多个组。组的数量比全部的触摸感测配线的数量少。假设构成一个组的配线数例如是6根。在此，在全部的配线(配线数是6根)中，例如选择2根配线(比全部的配线根数少的根数，2根<6根)。在一个组中，使用所选择的2根配线进行触摸感测，其余的4根配线的电位被设定为浮动电位。能够按照定义了触摸感测的功能的每个组进行触摸感测。
触摸所使用的指示器是手指的情况与是笔的情况，触摸或接近的指示器的面积及电容不同。根据这样的指示器的大小，能够调整剔除的配线的根数。在笔或针尖等的尖端较细的指示器中，可以减少配线的剔除根数而使用高密度的触摸感测配线的矩阵。在指纹认证时能够作为高密度的触摸感测配线进行触摸感测。通过剔除驱动，能够减少与触摸感测有关的耗电。
也可以以时分割地来进行触摸感测驱动和液晶驱动。也可以与被要求的触摸输入的速度相应地调整触摸驱动的频率。触摸驱动频率能够采用比液晶驱动频率高的频率。手指等的指示器对显示装置的观察者侧的表面触摸或接近的定时是不定期，且是短时间，所以触摸驱动频率优选较高。使触摸驱动频率与液晶驱动频率不同的方法可以举出一些。例如，在常断的液晶驱动中，也可以在黑显示(断开)时背光灯也断开，在该黑显示的期间(对液晶显示没有影响的期间)进行触摸感测。在该情况下，能够各种各样地选择触摸驱动的频率。
(通过有源元件的电路形成)
在上述的实施方式中，能够通过将导电性金属氧化物层或氧化物半导体的膜形成为希望的图案来形成电阻元件。此外，能够在阵列基板200上形成以多晶硅半导体为沟道层的薄膜晶体管(有源元件)的矩阵后，在绝缘层形成导通孔，经由导通孔层叠作为上述沟道层而使用了氧化物半导体的薄膜晶体管(有源元件)的矩阵。
通过使用电阻元件及n型的薄膜晶体管的周知的技术，能够构成逆变器电路及SRAM。同样，能够构成ROM电路、NAND电路、NOR电路、触发器、移位寄存器等逻辑电路。氧化物半导体由于泄漏电流极少，所以能够形成低耗电的电路。此外，由于具有硅半导体所没有的记忆性(电压保持性)，所以能够提供良好的存储器元件。或者，在阵列基板200中，也可以通过将以多晶硅半导体为沟道层的有源元件的矩阵形成在第1层、将作为沟道层而使用了氧化物半导体的有源元件的矩阵形成在第2层的层叠结构来形成上述存储器或逻辑电路。根据需要，也可以将沟道层用多晶硅半导体或非晶硅半导体形成。
(第2实施方式)
以下，参照图12至图14说明本发明的第2实施方式的显示装置DSP2。
在第2实施方式中，对于与第1实施方式相同的部件赋予相同的标号，省略或简化其说明。
图12是局部地表示本发明的第2实施方式的显示装置DSP2的剖视图。图13是局部地表示构成本发明的第2实施方式的显示装置DSP2的阵列基板的剖视图，是在阵列基板形成的有源元件及有机EL的发光层的说明图。图14是表示在构成本发明的第2实施方式的显示装置DSP2的显示装置基板形成的第1天线单元与在阵列基板形成的第3天线单元的重叠的立体图。
如图12所示，显示装置DSP2是隔着作为粘接层的透明树脂层97将第1透明基板1与第2透明基板2贴合的有机电致发光(以下称作有机EL)显示装置。
在本发明的实施方式的显示装置DSP2中，显示功能层是发光层92(有机EL层)及空穴注入层91，第2有源元件是薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)，驱动发光层92。
俯视时的显示装置DSP2的构造与第1实施方式是同样的，所以省略了图示。与第1实施方式同样，也可以在像素开口部10配设红滤色器、绿滤色器、蓝滤色器等滤色器。
在显示装置基板100中的第1透明基板1的边框区域，没有形成黑矩阵3，而使用有源元件(未图示)等在下部绝缘层41上形成了触摸驱动开关电路18等的电路。这样的电路形成与第1实施方式是同样的，所以省略说明。
在第1透明基板1的第1面101具备在X方向(第1方向)上由第5导电配线55构成的第1触摸感测配线单元、以及在Y方向(第2方向)上由第6导电配线56构成的第2触摸感测配线单元。这些触摸感测配线单元与第1实施方式同样，作为对触摸感测进行控制的电路的构成要素而包括第1有源元件38、第1导电配线21和第2导电配线22。另外，第1导电配线21和第5导电配线55是相同的导电配线的构造且形成为相同层。第2导电配线22和第6导电配线56是相同的导电配线的构造且形成为相同层。
在图12中，在触摸驱动开关电路的纸面里侧，在第1透明基板1的第1面101配设有未图示的第1天线单元11和第2天线单元12。在图12中未图示的有机EL驱动开关电路、第3天线单元13及第4天线单元14被配设在与第1透明基板1相面对的基板2的面。
如图14所示，构成第1天线单元11、第2天线单元12、第3天线单元13及第4天线单元14的、环形天线的匝数都为5匝。为了缓和来自外部的噪声影响，在各天线单元的3侧，形成有大致U字形状的导体图案25A、25B。显示装置基板100的第1天线单元11和阵列基板200的第3天线单元13在俯视时是相同的环形天线形状，位置被对准而重叠(第1重叠部51)。同样，显示装置基板100的第2天线单元12和阵列基板200的第4天线单元14在俯视时是相同的环形天线形状，位置被对准而重叠(第2重叠部52)。
形成天线的导电配线的线宽是6μm，位置精度(校准精度)为±2μm以内。这些导电配线的构造与第1实施方式同样，是将铜合金层用导电性金属氧化物层夹持而成的3层结构。
与第1实施方式同样，在第1天线单元11与第3天线单元13的重叠部(第1重叠部51)，例如进行来自CPU的触摸驱动信号的接收、或从触摸检测开关电路19经由触摸信号收发控制部20输出的触摸检测信号的发送。触摸驱动信号经由触摸驱动控制部17而驱动触摸驱动开关电路18。
在第2天线单元12与第4天线单元14的重叠部(第2重叠部52)，例如第2天线单元12接受从第4天线单元14通过共振频率的电磁波的产生而产生的电力。电力接受部15使接收电压平滑化、定电压化后作为触摸驱动电压向电源控制部16输出。
第1天线单元11和第2天线单元12具有与第1导电配线21相同的结构并且位于相同层。在第1天线单元11和第2天线单元12各自的内侧设置有第1连接用焊盘60、61。在第1天线单元11和第2天线单元12各自的内侧形成有第1连接用焊盘60、61。经由在第1连接用焊盘60、61上的绝缘层42(第1基板侧绝缘层)设置的导通孔，第1天线单元11和第2天线单元12分别与第2导电配线22的一部分连接。第1导电配线21及第2导电配线22构成隔着绝缘层42(第1基板侧绝缘层)的2层的导电配线构造。
第3天线单元13和第4天线单元14具有与第3导电配线23相同的结构并且位于相同层。在第3天线单元13和第4天线单元14各自的内侧设置有第2连接用焊盘62、63。在第3天线单元13和第4天线单元14各自的内侧形成有第2连接用焊盘62、63。经由在第2连接用焊盘62、63上的绝缘层113(第2基板侧绝缘层)设置的导通孔，第3天线单元13和第4天线单元14分别与第4导电配线24的一部分连接。第3导电配线23及第4导电配线24形成隔着绝缘层的2层配线构造。
接着，使用图12及图13对构成第2实施方式的显示装置的第2透明基板2的构造进行说明。
作为阵列基板300的基板，并不需要限定于透明基板，例如能够使用玻璃基板、陶瓷基板、石英基板、蓝宝石基板、或硅、碳化硅及硅锗等半导体基板、以及塑料基板等。例如，能够作为显示装置基板100的基板而使用玻璃基板等的透明基板，作为阵列基板300的基板而使用硅基板，来构成反射型的显示装置。
在阵列基板300中，在基板2上依次层叠：下部绝缘层114、形成于下部绝缘层114上的有源元件68(第2有源元件)、以将下部绝缘层114及有源元件68覆盖的方式形成的绝缘层(第2基板侧绝缘层)113、以与有源元件68的沟道层65对置的方式形成在绝缘层113上的栅极电极95、以将绝缘层113及栅极电极95覆盖的方式形成的上部绝缘层112、以及形成于上部绝缘层112上的平坦化层96。沟道层65由氧化物半导体形成。
在平坦化层96，在与有源元件68的漏极电极66对应的位置形成有接触孔93。此外，在平坦化层96，在与沟道层65对应的位置形成有突起(bank)94。在剖视时相互相邻的突起94之间的区域、即俯视时被突起94包围的区域，以将平坦化层96的上表面、接触孔93的内部及漏极电极66覆盖的方式形成有下部电极88(像素电极)。
另外，下部电极88也可以不形成于突起94的上表面。
进而，以将下部电极88、突起94及平坦化层96覆盖的方式形成有空穴注入层91。在空穴注入层91上，依次层叠着发光层92、上部电极87及封固层109。
下部电极88如后述那样，具有银或银合金层被导电性金属氧化物层夹持的结构。
上部电极87例如是膜厚11nm的银合金层被膜厚40nm的复合氧化物夹持的透明导电膜。下部电极88具有膜厚250nm的银合金层被膜厚30nm的复合氧化物夹持的结构。另外，优选采用将上述复合氧化物层对导电性金属氧化物层应用、将银合金层的膜厚设定为例如9nm至15nm的范围、由导电性金属氧化物层夹持着银合金层的3层层叠构造。在该情况下，能够实现高透射率的透明导电膜。
此外，也可以采用将上述复合氧化物层应用于导电性金属氧化物层、将银合金层的膜厚设定为例如100nm至250nm的范围内或300nm以上的膜厚、由导电性金属氧化物层夹持着银合金层的3层层叠构造。在该情况下，能够实现对于可视光具有较高的反射率的反射电极。
作为突起94的材料，可以使用丙烯树脂、聚酰亚胺树脂、线性酚醛树脂等有机树脂。在突起94上也可以还层叠氧化硅、氮氧化硅等无机材料。
作为平坦化层96的材料，也可以使用丙烯树脂、聚酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂、聚酰胺树脂等。还能够使用低介电常数材料(low－k材料)。
另外，为了提高视觉辨认性，也可以是平坦化层96、封固层109或基板的某个具有光散射的功能。或者，也可以在基板的上方形成光散射层。
图13是局部地表示本发明的第2实施方式的显示装置的放大图。此外，图13示出了作为与像素电极连接的有源元件68而使用的具有顶栅构造的薄膜晶体管(TFT)的构造的一例。另外，在图13中省略了第1透明基板1和封固层109。
有源元件68具备沟道层65、与沟道层65的一端(第一端，图13中的沟道层65的左端)连接的漏极电极66、与沟道层65的另一端(第2端，图13中的沟道层65的右端)连接的源极电极64、以及隔着绝缘层113而与沟道层65对置配置的栅极电极95。如后述那样，沟道层65由氧化物半导体构成，与栅极绝缘层接触。有源元件68驱动发光层。
图13示出了在下部绝缘层114上形成有构成有源元件68的沟道层65、漏极电极66及源极电极64的构造，但本发明并不限定于这样的构造。也可以不设置下部绝缘层114，而在基板上直接形成有源元件68。此外，也可以采用底栅构造的薄膜晶体管。
在第2实施方式中，使用第3导电配线23的一部分形成源极配线67、源极电极64及漏极电极66。源极配线67、源极电极64、漏极电极66及第3导电配线23位于相同层。
此外，使用第4导电配线24，形成栅极配线69及栅极电极95。栅极配线69、栅极电极95及第4导电配线24位于相同层。
如上述那样，第3导电配线23及第4导电配线24都具有将铜层或铜合金层用导电性金属氧化物层夹持而成的3层结构。
位于栅极电极95的下部的绝缘层113(第2基板侧绝缘层)也可以是具有与栅极电极95相同宽度的绝缘层。在该情况下，例如将栅极电极95用作掩模的干式蚀刻，将栅极电极95的周围的绝缘层113除去。由此，能够形成具有与栅极电极95相同宽度的绝缘层。将栅极电极95用作掩模通过干式蚀刻对绝缘层进行加工的技术通常被称作自对准。
另外，在第2实施方式中，沟道层65所使用的氧化物半导体使用In：Ga：Sb＝1：1：1的元素比的复合氧化物，进行280℃的低温退火，做成微结晶的氧化物半导体。在第1实施方式中的铜合金层中，使用In：Ca：Zn＝97：2.5：0.5的元素比的铜合金。
例如，上述实施方式的显示装置能够进行各种应用。作为上述实施方式的显示装置能够应用的电子设备，可以举出便携电话、便携型游戏设备、便携信息终端、个人计算机、电子书、摄像机、数字静相照相机、头戴式显示器、车导航***、音响再现装置(汽车音响、数字音频播放器等)、复印机、传真机、打印机、打印复合机、自动售货机、现金自动存取机(ATM)、个人认证设备、光通信设备等。上述各实施方式可以自由地组合而使用。
上述说明了本发明的优选的实施方式，但应理解的是，这些是本发明的例示性的实施方式，而不应被认为是限定的。追加、省略、替换及其他变更能够不脱离本发明的范围而进行。因而，本发明不应被看作是由上述的说明限定的，而由权利要求书限制。
标号说明
1 第1透明基板
2 第2透明基板(基板)
3 黑矩阵
4 液晶层
7 第1导电性金属氧化物层
8 铜合金层
9 第2导电性金属氧化物层
10 像素开口部
11 第1天线单元
12 第2天线单元
13 第3天线单元
14 第4天线单元
15 电力接受部
16 电源控制部
17 触摸驱动控制部
18 触摸驱动开关电路
19 触摸检测开关电路
20 触摸信号收发控制部
21 第1导电配线
22 第2导电配线
23 第3导电配线
24 第4导电配线
25A、25B 导体图案
26 源极信号开关电路
27 栅极信号开关电路
28 电力送出部
29 信号收发部
30 检波/AD变换部
31、53、67 源极配线
32、58、64 源极电极
33 栅极配线(栅极电极)
34、95、54 栅极电极
35、59、65 沟道层
37、57、66 漏极电极
38 第1有源元件
41、114 下部绝缘层
42 第1基板侧绝缘层(栅极绝缘层)
43、112 上部绝缘层
44 第2基板侧绝缘层(栅极绝缘层)
45、46 绝缘层
48 第2有源元件
49 像素电极
51 第1重叠部
52 第2重叠部
55 第5导电配线
56 第6导电配线
60、61 第1连接用焊盘
62、63 第2连接用焊盘
68 有源元件(第2有源元件)
69 栅极配线
71 有效显示区域
72 边框区域
87 上部电极
88 下部电极
90、93 接触孔
91 空穴注入层
92 发光层
94 突起
96 平坦化层
97 透明树脂层
100 显示装置基板
101 第1面
109 封固层
110 显示部
113 绝缘层(第2基板侧绝缘层)
120 控制部
121 影像信号控制部
122 触摸感测控制部
123 ***控制部
164、165 环形天线
166 中心
200、300 阵列基板
201 第2面
DSP1、DSP2 显示装置。

Claims (11)

1.一种显示装置，其中，
具备：
第1基板，具有第1面；
第2基板，具有与上述第1面对置的第2面；以及
显示功能层，位于上述第1基板与上述第2基板之间；
在上述第1基板的上述第1面上至少设置有具备矩形状的有效显示区域和将上述有效显示区域包围的边框区域的黑矩阵、第1导电配线、第2导电配线、多个第1有源元件、第1天线单元、第2天线单元、第1触摸感测配线单元和第2触摸感测配线单元，
在上述第2基板的上述第2面上至少设置有第3导电配线、第4导电配线、驱动上述显示功能层的多个第2有源元件、与上述第2有源元件电气地连接的栅极配线及源极配线、第3天线单元和第4天线单元，
在上述有效显示区域内，上述第1触摸感测配线单元包括沿第1方向延伸的相互平行的多个第5导电配线，上述第2触摸感测配线单元包括沿与上述第1方向正交的第2方向延伸的相互平行的多个第6导电配线，
上述第5导电配线位于与上述第1导电配线相同的层，具有与上述第1导电配线相同的层结构，
上述第6导电配线位于与上述第2导电配线相同的层，具有与上述第2导电配线相同的层结构，
上述第1导电配线、上述第1天线单元、上述第2天线单元和第1触摸感测配线单元通过在上述第1基板的厚度方向上由第1导电性金属氧化物层和第2导电性金属氧化物层夹持铜层或铜合金层而成的3层结构的导电层构成，并位于相同的层，
上述第2导电配线隔着第1基板侧绝缘层以覆盖上述3层结构的上述导电层的方式被层叠，通过由第3导电性金属氧化物层和第4导电性金属氧化物层夹持铜层或铜合金层而成的3层结构的导电层构成，
上述第1天线单元及上述第2天线单元分别具有1个以上的环形天线，在上述环形天线的内侧设置有第1连接用焊盘，
上述第1连接用焊盘经由设置于上述第1基板侧绝缘层的导通孔而与上述第2导电配线的一部分连接，
上述第3导电配线、上述第3天线单元和上述第4天线单元通过在上述第2基板的厚度方向上由第5导电性金属氧化物层和第6导电性金属氧化物层夹持铜层或铜合金层而成的3层结构的导电层构成，并位于相同的层，
上述第4导电配线隔着第2基板侧绝缘层以覆盖上述3层结构的上述导电层的方式被层叠，通过由第7导电性金属氧化物层和第8导电性金属氧化物层夹持铜层或铜合金层而成的3层结构的导电层构成，
上述第3天线单元及上述第4天线单元分别具有1个以上的环形天线，在上述环形天线的内侧设置有第2连接用焊盘，
上述第2连接用焊盘经由设置于上述第2基板侧绝缘层的导通孔而与上述第4导电配线的一部分连接，
在以从上述第1基板朝向上述第2基板的方向进行观察的俯视时，
上述第1天线单元与上述第3天线单元在形成有上述环形天线的部分以±3μm以内的位置精度重叠，
上述第2天线单元与上述第4天线单元在形成有上述环形天线的部分以±3μm以内的位置精度重叠，
上述第1天线单元与上述第3天线单元重叠的第1重叠部具有触摸感测信号的收发功能，
上述第2天线单元与上述第4天线单元重叠的第2重叠部具有电力信号的受送功能，
在以从上述第1基板朝向上述第2基板的方向进行观察的俯视时，
上述第1重叠部及上述第2重叠部被配置在上述边框区域内，
上述第1导电配线的一部分、上述第2导电配线的一部分和上述多个第1有源元件构成对触摸感测进行控制的电路。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，
上述第1天线单元及上述第2天线单元的上述环形天线分别包括卷绕方向相互相反且匝数为2以上的环形天线对，
上述第3天线单元及上述第4天线单元的上述环形天线分别包括卷绕方向相互相反且匝数为2以上的环形天线对。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，
具有将上述第1天线单元及上述第2天线单元的周围局部地包围、且由上述第1导电性金属氧化物层和上述第2导电性金属氧化物层夹持着铜层或铜合金层的导体图案。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，
具有将上述第3天线单元及上述第4天线单元的周围局部地包围、且由上述第3导电性金属氧化物层和上述第4导电性金属氧化物层夹持着铜层或铜合金层的导体图案。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，
上述第1有源元件具有由氧化物半导体构成的沟道层。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，
上述氧化物半导体含有氧化铟、氧化镓，还含有从由氧化铵、氧化铋、氧化锌构成的群中选择的1种以上。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，
上述铜合金层含有固溶于铜的第1元素、以及与铜及上述第1元素相比电负性较小的第2元素，
上述第1元素及上述第2元素是添加到铜中的情况下的电阻率上升率为1μΩcm/at％以下的元素，
上述铜合金层的电阻率处于1.9μΩcm至6μΩcm的范围内。
8.一种显示装置基板，其中，
在第1面上至少具备具有矩形状的有效显示区域和将上述有效显示区域包围的边框区域的黑矩阵、第1导电配线、第2导电配线、多个第1有源元件、第1天线单元、第2天线单元、第1触摸感测配线单元和第2触摸感测配线单元，
在上述有效显示区域内，上述第1触摸感测配线单元包括沿第1方向延伸的相互平行的多个第5导电配线，上述第2触摸感测配线单元包括沿与上述第1方向正交的第2方向延伸的相互平行的多个第6导电配线，
上述第5导电配线位于与上述第1导电配线相同的层，并具有与上述第1导电配线相同的层结构，
上述第6导电配线位于与上述第2导电配线相同的层，并具有与上述第2导电配线相同的层结构，
上述第1导电配线、上述第1天线单元、上述第2天线单元和第1触摸感测配线单元通过在上述显示装置基板的厚度方向上由第1导电性金属氧化物层和第2导电性金属氧化物层夹持铜层或铜合金层而成的3层结构的导电层构成，并位于相同的层，
上述第2导电配线隔着绝缘层以覆盖上述3层结构的上述导电层的方式被层叠，通过由第3导电性金属氧化物层和第4导电性金属氧化物层夹持铜层或铜合金层而成的3层结构的导电层构成，
上述第1天线单元及上述第2天线单元分别具有1个以上的环形天线，在上述环形天线的内侧设置有第1连接用焊盘，
上述第1连接用焊盘经由设置于上述绝缘层的导通孔而与上述第2导电配线的一部分连接，
上述第1天线单元和上述第2天线单元配置于上述边框区域内，
在形成有上述第1导电配线、上述第1天线单元、上述第2导电配线及上述第2天线单元的上述第1面中，上述有效显示区域被透明树脂层覆盖。
9.如权利要求8所述的显示装置基板，其中，
具有将上述第1天线单元及上述第2天线单元的周围局部地包围、且由上述第1导电性金属氧化物层和上述第2导电性金属氧化物层夹持着铜层或铜合金层的导体图案。
10.如权利要求8所述的显示装置基板，其中，
上述第1天线单元及上述第2天线单元的上述环形天线分别包括卷绕方向相互相反且匝数为2以上的环形天线对。
11.如权利要求8所述的显示装置基板，其中，
第1触摸感测配线单元包括沿上述第1方向延伸的多个第1触摸感测配线，
第2触摸感测配线单元包括沿上述第2方向延伸的多个第2触摸感测配线。
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