CN110429115B - 显示面板及显示装置 - Google Patents
显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110429115B CN110429115B CN201910667220.2A CN201910667220A CN110429115B CN 110429115 B CN110429115 B CN 110429115B CN 201910667220 A CN201910667220 A CN 201910667220A CN 110429115 B CN110429115 B CN 110429115B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- transparent electrode
- electrode
- display panel
- thinning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 202
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/1626—Constructional details or arrangements for portable computers with a single-body enclosure integrating a flat display, e.g. Personal Digital Assistants [PDAs]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
- G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
- G06F1/1684—Constructional details or arrangements related to integrated I/O peripherals not covered by groups G06F1/1635 - G06F1/1675
- G06F1/1686—Constructional details or arrangements related to integrated I/O peripherals not covered by groups G06F1/1635 - G06F1/1675 the I/O peripheral being an integrated camera
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1601—Constructional details related to the housing of computer displays, e.g. of CRT monitors, of flat displays
- G06F1/1605—Multimedia displays, e.g. with integrated or attached speakers, cameras, microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明提供一种显示面板及显示装置，在制作第一电极的时候，通过在所述显示面板区域沉积所述第一透明电极层、所述第一金属层以及所述第二透明电极层，将所述减薄区将第一透明电极层及第一金属层及第二透明电极层蚀刻掉。之后再次沉积所述第三透明电极层、所述第二金属层以及所述第四透明电极层形成所述显示面板的第一电极，实现所述减薄区的第一电极薄化的效果，可以增大所述减薄区的光学透过率，最终提高所述摄像模块的拍摄性能。当在使用所述摄像模块时，所述摄像模块正上方的显示面板并不显示；当不使用所述摄像模块时，所述显示装置可以正常显示的技术，实现真正的全面屏技术。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其是涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)由于其重量轻、自发光、广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低以及响应速度快等优点，应用范围越来越广泛。是柔性OLED显示装置具有可弯折易携带的特点，成为显示技术领域研究和开发的主要领域。目前手机一般会将屏幕摄像头位置挖孔，使得摄像头区域透光，但这种技术会影响屏占比，并且画面体验不佳，所以急需开发一种摄像头置于屏幕下方，不对屏幕进行切割，在使用摄像头时，摄像头正上方屏幕不显示，不使用摄像头时，屏幕正常显示的技术，该技术可增大屏占比。
因此，有必要提出一种新的显示面板，提高显示面板的屏占比及光学透过率，提升画面体验，实现真正的全面屏技术。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种显示面板及显示装置，通过对所述减薄区的第一电极进行减薄，可以增大所述减薄区的光学透过率，最终提高所述摄像模块的拍摄性能。
本发明提供一种显示装置，包括透光区、减薄区以及非减薄区，所述减薄区至少覆盖所述透光区，所述显示面板包括：基板；薄膜晶体管层，设于所述基板上；第一电极，设于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧；所述第一电极在所述减薄区的厚度小于所述第一电极在所述非减薄区的厚度。
进一步地，在所述减薄区，所述第一电极包括：第一透明电极层；第一金属层，设于所述第一透明电极层上；第二透明电极层，设于所述金属层远离所述第一透明电极层的一侧。
进一步地，在所述减薄区以及非减薄区，所述第一电极还包括：第三透明电极层；第二金属层，设于所述第三透明电极层上；第四透明电极层，设于所述第二金属层远离所述第三透明电极层的一侧。
进一步地，所述第一金属层的厚度为40nm～140nm；所述第二金属层的厚度为5nm～80nm。
进一步地，所述第一金属层以及所述第二金属层的材料包括金属铜、金属银、银合金、金属铝及铝合金；所述第一透明电极层、所述第二透明电极层、所述第三透明电极层以及所述第四透明电极层的材料包括氧化铟锡。
进一步地，所述减薄区为所述透光区；或所述减薄区为沿所述显示面板长边方向的长方形区域且所述长方形区域覆盖所述透光区。
进一步地，所述薄膜晶体管层包括：半导体层，设于所述基板上；第一栅极绝缘层，设于所述基板以及所述半导体层上；第一栅极，设于所述第一栅极绝缘层远离所述基板的一侧；第二栅极绝缘层，设于所述第一栅极绝缘层以及所述第一栅极上；第二栅极，设于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层上；层间绝缘层，设于所述第二栅极以及所述第二栅极绝缘层上；第三金属层，设于所述层间绝缘层远离所述第二栅极绝缘层的一侧；
进一步地，所述第一电极电性连接所述第三金属层。
进一步地，还包括像素限定层，设于所述薄膜晶体管层以及所述第一电极上，所述像素限定层具有一开槽，所述第一电极暴露于所述开槽中。
本发明还提供一种显示装置，包括前文所述的显示面板，所述显示装置还包括一摄像模块，所述摄像模块设于所述显示面板下且对应所述透光区。
本发明的有益效果是：本发明提供一种显示面板及显示装置，在制作第一电极的时候，通过在所述显示面板区域沉积所述第一透明电极层、所述第一金属层以及所述第二透明电极层，将所述减薄区将第一透明电极层及第一金属层及第二透明电极层蚀刻掉。之后再次沉积所述第三透明电极层、所述第二金属层以及所述第四透明电极层形成所述显示面板的第一电极，实现所述减薄区的第一电极薄化的效果，可以增大所述减薄区的光学透过率，最终提高所述摄像模块的拍摄性能。当在使用所述摄像模块时，所述摄像模块正上方的显示面板并不显示；当不使用所述摄像模块时，所述显示装置可以正常显示的技术，实现真正的全面屏技术。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图1为现有技术显示面板的平面图；
图2为本发明提供的显示面板的平面图；
图3为本发明提供的显示面板的结构图；
图4为本发明提供的非减薄区第一电极的结构示意图；
图5为本发明提供的减薄区第一电极的结构示意图；
图6为本发明提供的显示装置的结构示意图；
显示面板100；显示装置20；
减薄区110；非减薄区120；透光区130；
基板101；薄膜晶体管层102；第一电极103；
像素限定层104；开槽105；半导体层1021；
第一栅极绝缘层1022；第一栅极1023；第二栅极绝缘层1024；
第二栅极1025；层间绝缘层1026；源漏极层1027；
平坦化层1028；基层1011；阻隔层1012；
缓冲层1013；第一透明电极层1031；第一金属层1032；
第二透明电极层1033；第三透明电极层1034；第二金属层1035；
第四透明电极层1036。
具体实施方式
以下是各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可以用实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如上、下、前、后、左、右、内、外、侧等，仅是参考附图式的方向。本发明提到的元件名称，例如第一、第二等，仅是区分不同的元部件，可以更好的表达。在图中，结构相似的单元以相同标号表示。
本文将参照附图来详细描述本发明的实施例。本发明可以表现为许多不同形式，本发明不应仅被解释为本文阐述的具体实施例。本发明提供这些实施例是为了解释本发明的实际应用，从而使本领域其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改方案。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图2所示，本发明提供一种显示面板100，包括减薄区110、非减薄区120以及透光区130。所述减薄区110以及非减薄区120都可以进行画面显示，实现真正的全面屏。所述减薄区110至少覆盖屏下摄像头对应的透光区130。
所述减薄区110一般对应如图1所示的传统显示面板10的开孔11位置。所述减薄区110也可以覆盖传统显示面板10的开孔11位置并且向传统开孔11***扩展。在本发明中，所述减薄区110的形状为方形，所述减薄区110的宽度大于传统开孔11的直径，而所述减薄区110的长度为所述显示面板100的长度。
总的来说，所述减薄区110可以为所述屏下摄像头对应的透光区130，或者，所述减薄区110为沿所述显示面板长边方向的长方形区域且所述长方形区域覆盖所述屏下摄像头对应的透光区130。
如图3所示，所述显示面板100包括：基板101、薄膜晶体管层102、第一电极103以及像素限定层104。
所述基板101包括基层1011、阻隔层1012以及缓冲层1013。所述基层1011的材料为聚酰亚胺。
所述阻隔层1012设于所述基层1011上，所述缓冲层1013设于所述则隔层远离所述基层1011的一侧。
所述薄膜晶体管层102设于所述基板101上。
所述薄膜晶体管层102包括：半导体层1021、第一栅极绝缘层1022、第一栅极1023、第二栅极绝缘层1024、第二栅极1025、层间绝缘层1026、第三金属层1027以及平坦化层1028。
所述半导体层1021设于所述缓冲层1013远离所述阻隔层1012的一侧；所述半导体层1021的材料为多晶硅或单晶硅。
所述第一栅极绝缘层1022设于所述缓冲层1013以及所述半导体层1021上；所述第一栅极绝缘层1022主要起到将相邻的金属层之间绝缘，防止影响工作。
所述第一栅极1023设于所述第一栅极绝缘层1022远离所述缓冲层1013的一侧；所述第二栅极绝缘层1024设于所述第一栅极1023以及所述第一栅极绝缘层1022上；所述第二栅极1025设于所述第二栅极绝缘层1024远离所述第一栅极绝缘层1022的一侧。
所述层间绝缘层1026设于所述第二栅极绝缘层1024以及第二栅极1025上；所述第三金属层1027设于所述层间绝缘层1026远离所述第二栅极绝缘层1024的一侧。
所述平坦化层1028设于所述第三金属层1027以及所述层间绝缘层1026上。
所述第一电极103设于所述薄膜晶体管层远离所述基板101的一侧。所述第一电极103电性连接所述第三金属层。
所述第一电极103在所述减薄区110的厚度小于所述第一电极103在所述非减薄区120的厚度。
如图4所示，在所述非减薄区120，所述第一电极103包括：第一透明电极层1031、第一金属层1032以及第二透明电极层1033。
所述第一透明电极层1031的材料为氧化铟锡。
所述第一金属层1032设于所述第一透明电极层1031上；所述第一金属层1032的厚度为40nm～140nm。
所述第一金属层1032的材料包括金属铜、金属银、银合金、金属铝及铝合金，本发明优选为金属银材料。
所述第二透明电极层1033设于所述金属层远离所述第一透明电极层1031的一侧。所述第二透明电极层1033的材料为氧化铟锡。
同时参照图4及图5所示，在所述减薄区110以及非减薄区120，所述第一电极103还包括：第三透明电极层1034、第二金属层1035以及第四透明电极层1036。
在所述非减薄区120，所述第三透明电极层1034设于所述第二透明电极层1033远离所述第一金属层1032的一侧；在所述减薄区110，所述第三透明电极层1034设于所述薄膜晶体管层102上。
所述第三透明电极层1034的材料包括氧化铟锡。
所述第二金属层1035设于所述第三透明电极层1034上；所述第二金属层1035的厚度为5nm～80nm。
所述第二金属层1035的材料包括具有导电性的金属铜或金属银，本发明优选为金属银材料。
所述第四透明电极层1036设于所述第二金属层1035远离所述第三透明电极层1034的一侧。所述第四透明电极层1036的材料为氧化铟锡。
所述第一透明电极层1031、所述第二透明电极层1033、所述第三透明电极层1034以及所述第四透明电极层1036厚度并不做具体限定，可以相同。
本发明具体地第一电极103制作步骤，首先在所述显示面板100区域沉积所述第一透明电极层1031、所述第一金属层1032以及所述第二透明电极层1033，并在所述减薄区110刻蚀掉三层结构，接着在所述非减薄区120以及减薄区110再次沉积所述第三透明电极层1034、所述第二金属层1035以及所述第四透明电极层1036形成所述显示面板100的第一电极103，进而实现对所述减薄区110的第一电极103进行减薄，可以增大所述减薄区110的光学透过率。
所述像素限定层104设于所述薄膜晶体管层以及第一电极103上，所述像素限定层104具有一开槽105，所述第一电极103暴露于所述开槽105中。
对于所述减薄区110的所述第一电极103减薄可通过后期调试来调整所述显示面板100的均一性。
如图6所示，本发明还提供一种显示装置20，包括所述的显示面板100以及摄像模块21，所述摄像模块21设于所述显示面板100底面且对应所述减薄区110。所述摄像模块21设置于所述减薄区110的其中一端。
本发明提供一种显示面板100及显示装置20，在制作第一电极103的时候，通过在所述显示面板100区域沉积所述第一透明电极层1031、所述第一金属层1032以及所述第二透明电极层1033，并在所述减薄区110刻蚀掉上述三层结构，接着在所述非减薄区120以及减薄区110再次沉积所述第三透明电极层1034、所述第二金属层1035以及所述第四透明电极层1036形成所述显示面板100的第一电极103，进而实现对所述减薄区110的第一电极103进行减薄，可以增大所述减薄区110的光学透过率，最终提高所述摄像模块的拍摄性能。
当在使用所述摄像模块21时，所述摄像模块21正上方的显示面板100并不显示；当不使用所述摄像模块时，所述显示装置10可以正常显示，通过此设计实现真正的全面屏技术。
上述实施例仅仅作为本发明的说明，而不是对发明的限制。总之，本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。
Claims (9)
1.一种显示面板，其特征在于，包括透光区、减薄区以及非减薄区，所述减薄区至少覆盖所述透光区，
所述显示面板包括：
基板；
薄膜晶体管层，设于所述基板上；
第一电极，设于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧；
所述第一电极在所述减薄区的厚度小于所述第一电极在所述非减薄区的厚度；在所述非减薄区，所述第一电极包括：
第一透明电极层；
第一金属层，设于所述第一透明电极层上；
第二透明电极层，设于所述金属层远离所述第一透明电极层的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述减薄区以及非减薄区，所述第一电极还包括：
第三透明电极层，设于所述非减薄区的第二透明电极层和所述减薄区的薄膜晶体管层上；
第二金属层，设于所述第三透明电极层上；
第四透明电极层，设于所述第二金属层远离所述第三透明电极层的一侧。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一金属层的厚度为40nm～140nm；
所述第二金属层的厚度为5nm～80nm。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一金属层以及所述第二金属层的材料包括金属铜、金属银、银合金、金属铝及铝合金；
所述第一透明电极层、所述第二透明电极层、所述第三透明电极层以及所述第四透明电极层的材料包括氧化铟锡。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述减薄区为所述透光区；或
所述减薄区为沿所述显示面板长边方向的长方形区域且所述长方形区域覆盖所述透光区。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述薄膜晶体管层包括：
半导体层，设于所述基板上；
第一栅极绝缘层，设于所述基板以及所述半导体层上；
第一栅极，设于所述第一栅极绝缘层远离所述基板的一侧；
第二栅极绝缘层，设于所述第一栅极绝缘层以及所述第一栅极上；
第二栅极，设于所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层上；
层间绝缘层，设于所述第二栅极以及所述第二栅极绝缘层上；
第三金属层，设于所述层间绝缘层远离所述第二栅极绝缘层的一侧。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极电性连接所述第三金属层。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括像素限定层，设于所述薄膜晶体管层以及所述第一电极上，所述像素限定层具有一开槽，所述第一电极暴露于所述开槽中。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～8所述的显示面板，所述显示装置还包括一摄像模块，所述摄像模块设于所述显示面板下且对应所述透光区。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910667220.2A CN110429115B (zh) | 2019-07-23 | 2019-07-23 | 显示面板及显示装置 |
| US16/754,632 US11329194B2 (en) | 2019-07-23 | 2019-08-16 | Display panel and display device |
| PCT/CN2019/101007 WO2021012333A1 (zh) | 2019-07-23 | 2019-08-16 | 显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910667220.2A CN110429115B (zh) | 2019-07-23 | 2019-07-23 | 显示面板及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110429115A CN110429115A (zh) | 2019-11-08 |
| CN110429115B true CN110429115B (zh) | 2021-04-27 |
Family
ID=68411937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910667220.2A Active CN110429115B (zh) | 2019-07-23 | 2019-07-23 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11329194B2 (zh) |
| CN (1) | CN110429115B (zh) |
| WO (1) | WO2021012333A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111349887A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-06-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 异形掩模板、其显示屏幕、及其显示屏幕制造方法 |
| CN111755623B (zh) * | 2020-06-17 | 2022-07-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 用于屏下摄像头的显示面板及其制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105789260A (zh) * | 2016-04-26 | 2016-07-20 | Tcl集团股份有限公司 | 一种透明显示面板及其制备方法 |
| CN108807487A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-13 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN109683740A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN109868452A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-06-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 冷却板和真空蒸镀装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3768789B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2006-04-19 | アルプス電気株式会社 | 超音波振動子及びウエット処理用ノズル並びにウエット処理装置 |
| KR20120039946A (ko) * | 2010-10-18 | 2012-04-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101782557B1 (ko) * | 2010-10-25 | 2017-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101679252B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2016-12-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판과 그 제조방법 및 그를 이용한 디스플레이 장치 |
-
2019
- 2019-07-23 CN CN201910667220.2A patent/CN110429115B/zh active Active
- 2019-08-16 US US16/754,632 patent/US11329194B2/en active Active
- 2019-08-16 WO PCT/CN2019/101007 patent/WO2021012333A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105789260A (zh) * | 2016-04-26 | 2016-07-20 | Tcl集团股份有限公司 | 一种透明显示面板及其制备方法 |
| CN108807487A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-13 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN109683740A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN109868452A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-06-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 冷却板和真空蒸镀装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021012333A1 (zh) | 2021-01-28 |
| US20210098652A1 (en) | 2021-04-01 |
| CN110429115A (zh) | 2019-11-08 |
| US11329194B2 (en) | 2022-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE49604E1 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing an organic light emitting display device | |
| US10026790B2 (en) | Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same | |
| JP7482631B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、アレイ基板、表示装置 | |
| CN111162090B (zh) | 显示设备 | |
| US9647052B2 (en) | Flexible display substrate, flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same | |
| US11056509B2 (en) | Display device having a plurality of thin-film transistors with different semiconductors | |
| US10957750B2 (en) | Electroluminescent display device | |
| EP3029733A1 (en) | Organic light emitting display device | |
| US11665940B2 (en) | Display substrate for avoiding breaks and preparation method thereof, bonding method of display panel and display apparatus | |
| KR20170107124A (ko) | 표시 장치 | |
| TWI606283B (zh) | 顯示裝置 | |
| WO2019242600A1 (zh) | 有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| CN110429115B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| US11839131B2 (en) | Semiconductor device, display apparatus, imaging apparatus, electronic apparatus, illumination apparatus, moving object, and photoelectric conversion apparatus | |
| KR20160010165A (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| WO2021155627A1 (zh) | Oled 显示装置 | |
| CN114256314A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| KR20180085850A (ko) | 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 | |
| KR20210086247A (ko) | 표시 장치 | |
| TWI297210B (en) | System for displaying images including electroluminescent device and method for fabricating the same | |
| TW202234695A (zh) | 顯示裝置 | |
| US20240224758A1 (en) | Light emitting display device | |
| US20220077269A1 (en) | Display device | |
| US20220328580A1 (en) | Display device | |
| CN116093118A (zh) | 显示面板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |