CN110392499A - 电子设备壳体及其制作方法和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供了电子设备壳体及其制作方法和电子设备，该电子设备壳体包括：壳体本体，所述壳体本体包括壳体本体，所述壳体本体具有图文区域和高透过区域，所述高透过区域位于所述图文区域的四周；图文层，所述图文层设置在所述壳体本体的第一表面上，且所述图文层在所述壳体本体上的正投影与所述图文区域在所述壳体本体上的正投影重叠；其中，所述高透过区域的透过率大于或等于50％。该电子设备壳体可以有效消除图文层边缘阴影效果，用户观看到的图文层清楚、边界清晰，明显提高了电子设备壳体的外观效果。

Description

电子设备壳体及其制作方法和电子设备

技术领域

本申请涉及电子设备技术领域，具体的，涉及电子设备壳体及其制作方法和电子设备。

背景技术

目前，电子设备壳体的外观面上通常需要设置一些标识信息或装饰图案，但目前设置装饰图案或者标识信息时，容易在其周围出现阴影，使得装饰图案和标识信息外观效果不佳，影响用户体验。

因而，目前的电子设备壳体相关技术仍有待改进。

申请内容

本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

本申请是基于发明人的以下发现和认识而发现的：

相关技术中，在电子设备壳体上形成图文层后，在实际使用过程中图文层的四周存在外观阴影，使得用户观看图文层时存在模糊不清、边界不清晰等问题，影响用户体验。发明人发现该问题后，进行了深入研究，发现出现外观阴影主要是因为壳体本体1具有一定透过率(具体可以为2％～50％)，图文层2在光源3照射下产生倒影4，倒影4经过壳体本体底面12反射，重新回到壳体本体表面11出现阴影5，具体原理图参照图1。基于该发现，发明人提出可以降低图文层四周的镜面反射效果，削弱成像则可有效消除阴影效果。

有鉴于此，本申请的目的在于提出一种图文层不存在阴影、外观效果较佳的电子设备壳体及其制作方法和电子设备。

在本申请的一个方面，本申请提供了一种电子设备壳体。根据本申请的实施例，该电子设备壳体包括：壳体本体，所述壳体本体具有图文区域和高透过区域，所述高透过区域位于所述图文区域的四周；图文层，所述图文层设置在所述壳体本体的第一表面上，且所述图文层在所述壳体本体上的正投影与所述图文区域在所述壳体本体上的正投影重叠；其中，所述高透过区域的透过率大于或等于50％。该电子设备壳体中，通过使得高透过区域的透过率大于或等于50％，当外界光线照射到高透过区域时，反射作用较弱，使得照射到高透过区域的光线成像能力大大减弱，从而可以有效消除阴影效果，用户观看到的图文层清楚、边界清晰，明显提高了电子设备壳体的外观效果。

在本申请的第二方面，本申请提供了一种制备电子设备壳体的方法。根据本申请的实施例，该方法包括：提供壳体本体，所述壳体本体具有图文区域和高透过区域，所述高透过区域位于所述图文区域的四周；在所述壳体本体的第一表面上形成图文层，所述图文层在所述壳体本体上的正投影与所述图文区域重叠；对位于所述高透过区域中的所述第一表面进行减反射处理，使得所述高透过区域的透过率大于或等于50％。通过该方法，可以方便快速的制备得到外观效果较佳的电子设备壳体，步骤简单、操作方便，易于工业化生产，且当外界光线照射至制备获得的电子设备壳体时，高透过区域的光线反射作用弱，从而使得照射到高透过区域的光线成像能力显著减弱，从而可以有效消除阴影效果，用户观看到的图文层清楚、边界清晰，提高了电子设备壳体的外观效果。

在本申请的第三方面，本申请提供了一种电子设备。根据本申请的实施例，该电子设备包括前面所述的电子设备壳体，所述电子设备壳体中限定有容纳空间，所述图文层背离所述容纳空间设置；及显示屏，所述显示屏设置在所述容纳空间中，且所述显示屏的出光面朝向远离所述壳体的一侧。该电子设备中的壳体，可以有效消除图文层的阴影效果，用户观看到的图文层清楚、边界清晰，明显提高了电子设备的外观效果。

附图说明

图1是相关技术中电子设备壳体的图文层产生阴影的原理示意图。

图2a是本申请一个实施例的电子设备壳体的平面结构示意图。

图2b是图2a中A-A线的剖面结构示意图。

图3是本申请一个实施例的电子设备壳体的平面结构示意图。

图4是本申请另一个实施例的电子设备壳体的平面结构示意图。

图5是本申请一个实施例的电子设备壳体的剖面结构示意图。

图6是本申请另一个实施例的电子设备壳体的剖面结构示意图。

图7a是本申请一个实施例的电子设备壳体的平面结构示意图。

图7b是本申请另一个实施例的电子设备壳体的平面结构示意图。

图7c是本申请另一个实施例的电子设备壳体的平面结构示意图。

图8是本申请另一个实施例的电子设备壳体的平面结构示意图。

图9是本申请另一个实施例的电子设备壳体的剖面结构示意图。

图10是本申请一个实施例的制备电子设备壳体的方法的流程示意图。

图11是本申请另一个实施例的制备电子设备壳体的方法的流程示意图。

图12是本申请另一个实施例的制备电子设备壳体的方法的流程示意图。

图13是本申请另一个实施例的制备电子设备壳体的方法的流程示意图。

图14是本申请一个实施例的电子设备的结构示意图。

图15是本申请实施例1得到的壳体的图文层的照片。

图16是本申请对比例1得到的壳体的图文层的照片。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。

在本申请的一个方面，本申请提供了一种电子设备壳体。根据本申请的实施例，参照图2a和图2b，该电子设备壳体100包括：壳体本体10，所述壳体本体10具有图文区域116和高透过区域112，所述高透过区域112位于所述图文区域的四周；图文层20，所述图文层设置在所述壳体本体10的第一表面11上，且所述图文层20在所述壳体本体10上的正投影与所述图文区域116在所述壳体本体10上的正投影重叠；其中，所述高透过区域112的透过率大于或等于50％(具体如50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％、85％、90％、95％等)。该电子设备壳体，接受外界光线照射时，高透过区域反射作用较弱，使得照射到高透过区域的光线成像能力大大减弱，从而可以有效消除阴影效果，用户观看到的图文层清楚、边界清晰，明显提高了电子设备壳体的外观效果。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。另外，本申请中采用的描述方式“高透过区域位于图文区域的四周”是指图文区域任意边缘位置处远离图文层的一侧，如果图文层包括一个或者多个实心图形(仅存在一条边缘线，且该边缘线首尾相连，构成封闭的环线)，以图2a所示的圆形图文层为例，则高透过区域围绕每个圆形图文层设置；而如果图文层包括一个或者多个空心图形(即在实心图形的基础上，图形中存在至少一个镂空图形，空心图形存在至少两条边缘线，每条边缘线首尾相连构成封闭的环线)，以图3所示的圆环形(即在实心圆形的内部具有一个同心的镂空圆形)的图文层为例，则高透过区域设置在圆环形的图文区域的外边缘线22远离图文层的一侧，和圆环形的图文区域的内边缘线24远离图文层的一侧(即位于镂空圆形中)，而位于图文区域内边缘线24远离图文层的一侧的高透过区域112远离图文层的一侧可以根据需要设置***区域114(参照图4)，或者不设置***区域114(参照图3)。而本领域技术人员可以理解，图2a、图3和图4仅是示例性说明本申请的电子设备壳体的结构和形状，不能理解为对本申请的限制，其他可替换的结构和形状也在本申请的保护范围之内。

可以理解，如果壳体本体的透过率很大，反射形成阴影的光线较少，成像能力较弱，此时阴影效果相对不是很明显；如果壳体本体的透过率很小，光线从第一表面照射进入壳体本体的光线也很少，进一步经基材的第二表面反射回来用于形成阴影的光线则更少，此时阴影效果也相对不是很明显；而如果壳体本体的透过率不是特别大也不是特别小的情况，则有一定的光线能够形成阴影，对外观的效果影响则比较明显，因此，具体的，当壳体本体的透过率小于50％，具体可以为2％～50％，更具体可以为2％～40％、2％～20％等，例如2％、5％、10％、15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％等，改善阴影的效果更佳。

可以理解，上述壳体本体的材质可以为陶瓷。具体的，陶瓷通常具有一定的透过率，外界光线照射到陶瓷基材上会发生透射和反射，由此图文层极易产生阴影问题，而通过设置高透过区域，可以使得外界光线照射到高透过区域后，反射作用较弱，透射作用较强，从而破坏阴影的形成条件，有效消除阴影效果。具体的，陶瓷基材可以为氧化锆陶瓷基材，颜色可以白色等。

可以理解，使得高透过区域的透过率大于或等于50％的具体方法没有特别限制，只要能够减弱高透过区域的反射作用、增强透射作用即可。一些具体实施例中，可以通过在基材上设置减反射膜使得高透过区域的反射率降低，透射率提高。具体的，一些实施例中，参照图5，所述壳体本体10包括：基材110；第一减反射膜120，所述第一减反射膜120设置在所述基材110朝向所述图文层20的第二表面上，所述第一减反射膜120在所述壳体本体10上的正投影与所述高透过区域112在所述壳体本体10上的正投影重叠。另一些实施例中，参照图6，所述壳体本体10还可以包括：第二减反射膜130，所述第二减反射膜130设置在所述第二表面上，所述第二减反射膜130在所述壳体本体上的正投影与所述图文区域在所述壳体本体上的正投影重叠。由此，第一减反射膜可以减弱高透过区域的反射率，削弱高透过区域的成像能力，进而消除阴影效果。

具体的，第一减反射膜和第二减反射膜可以各自独立的为单层减反射膜也可以为多层减反射膜。一些具体实施例中，第一减反射膜和第二减反射膜可以各自独立的为多层减反射膜，第一减反射膜和第二减反射膜的材料可以各自独立的包括但不限于硅、二氧化硅、一氧化硅、二氧化钛等，具体可以为交替层叠设置的硅层和二氧化硅层，每层的具体厚度可以根据想要达到的反射率进行调整。一个具体实施例中，第一减反射膜和第二减反射膜均包括依次层叠设置的厚度为37.1nm的二氧化硅层、厚度为42.7nm的硅层、厚度为11.1nm的二氧化硅层、厚度为85.8nm的硅层、厚度为19.7nm的二氧化硅层、厚度为28nm的硅层和厚度为109.4nm的二氧化硅层。由此，减反射的效果较佳，图文层的边界更加清晰，电子设备壳体的外观效果更佳。

可以理解，形成有第一减反射膜的高透过区域的反射率可以根据实际使用要求进行调整。具体的，所述高透过区域的反射率可以小于10％(具体如9％、8％、7％、6％、5％、4％、3％、2％、1％、0％等)。由此，外界光线在高透过区域反射较少，透射较多，无法成像，从而可以有效消除边缘阴影。

可以理解，高透过区域的具体尺寸只要可以使得人眼能够看到图文层边界清晰即可，可以根据壳体本体的反射率等灵活调整。例如，位于图文层外侧的高透过区域可以根据图文层的外边缘线向外扩展，而位于图文层中镂空图形中的高透过区域则可以根据镂空图形的边缘线向内收缩，而向外扩展或向内收缩的具体尺寸可以为恰好使得人眼可以清晰分辨图文层的边界的预定尺寸，也可以比上述预定尺寸稍大。具体的，可以根据图文层为基准，向内收缩或向外扩展10％～20％，(具体如10％、11％、12％、13％、14％、15％、16％、17％、18％、19％、20％等)，在该范围内，人眼可以清晰分辨图文层的边界，没有边缘阴影效果。

一些具体实施例中，参照图7a，所述图文层20可以包括实心图形22，所述高透过区域112围绕所述实心图形22设置，且所述高透过区域112远离所述实心图形22的外边缘线1121构成的第一图形1122与所述实心图形22为相似图形，且所述第一图形1122的面积为所述实心图形22的面积的110％～120％。

另一些具体实施例中，参照图7b，所述图文层20可以包括空心图形24，所述高透过区域112包括第一子区域115和第二子区域116，其中，所述第一子区域115围绕所述空心图形24设置，所述第一子区域115远离所述空心图形24的外边缘线1151构成的第二图形1152和所述空心图形24靠近所述第一子区域115的外边缘线241构成的第三图形242为相似图形，所述第二图形1152的面积是所述第三图形242的面积的110％～120％；所述第二子区域116位于所述空心图形24中的镂空图形243中，所述第二子区域116远离所述空心图形24的内边缘线1161构成的第四图形1162和所述镂空图形243为相似图形，且所述镂空图形243的面积为所述第四图形1162的面积的110％～120％。

另一些具体实施例中，参照图7c，所述图文层20可以包括空心图形24，所述高透过区域112包括第一子区域115和第二子区域116，其中，所述第一子区域115围绕所述空心图形24设置，所述第一子区域115远离所述空心图形24的外边缘线1151构成的第二图形1152和所述空心图形24靠近所述第一子区域115的外边缘线241构成的第三图形242为相似图形，所述第二图形1152的面积是所述第三图形242的面积的110％～120％；所述第二子区域116在所述壳体本体10上的正投影与所述镂空图形24在所述壳体本体10上的正投影重叠。

可以理解，只要图文层边界位置的壳体本体的透过率较高，即可破坏阴影的形成条件，因此，高透过区域可以仅设置在图文层的邻近位置处，即至少部分所述高透过区域的四周具有***区域，如前文所述的情形；此时，高透过区域和***区域的反射率存在差异，具体的，***区域的反射率可以大于等于2％且小于等于20％(具体如2％、3％、4％、5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％、16％、17％、18％、19％、20％等)，由此可以使得该电子设备壳体上高透过区域和***区域对应的位置处表现出两种外观效果，且界限清晰，无触觉段差，视觉冲击力较强，可以满足用户越来越高的外观要求。当然，也可以除了图文区域之外，壳体本体的其他区域即为高透过区域，即壳体本体由图文区域和高透过区域构成，结构示意图参照图8。

可以理解，图文层的具体形状、尺寸、材质、颜色等等没有特别限制要求，具体的，图文层可以是用于装饰外观的装饰图案层，具体形状可以根据需要灵活选择，具体如几何图形、装饰线条、人物图案、动物图案、卡通图案、风景图案、植物图案等等，也可以是标识信息层(如生产厂商标识、型号标识等)，其尺寸、材质和颜色可以根据电子设备壳体的尺寸、材质和想要实现的外观效果进行选择，在此不再一一赘述。

可以理解，图文层可以为单层结构也可以为多层结构，且形成图文层的具体材料可以根据需要进行选择，具体的，可以采用银色膜系形成图文层，该银色膜系包括层叠设置的二氧化锆层和铬层，其中，二氧化锆层的厚度可以为10～15纳米(具体如10纳米、11纳米、12纳米、13纳米、14纳米、15纳米等)，铬层的厚度可以为20～60纳米(具体如20纳米、25纳米、30纳米、35纳米、40纳米、45纳米、50纳米、55纳米、60纳米等)；也可以采用金色膜系形成图文层，该金色膜系包括层叠设置的第一二氧化硅层、二氧化钛层和第二二氧化硅层，其中，第一二氧化硅层的厚度可以为15纳米，二氧化钛层的厚度可以为20纳米，第二二氧化硅层的厚度可以为18纳米。

可以理解，参照图9，该电子设备壳体还可以包括防指纹层30，该防指纹层30设置在所述壳体本体10上，且覆盖所述图文层20。由此，可以增加电子设备壳体的爽滑感，改善用户手感的同时，避免指纹脏污。

可以理解，上述防指纹层可以为本领域常规的防指纹层，例如可以为全氟聚醚防指纹层等，其厚度可以为10～30纳米(具体如10纳米、15纳米、20纳米、25纳米、30纳米等)，具体制备工艺可根据常规技术进行，在此不再一一赘述。

在本申请的第二方面，本申请提供了一种制备电子设备壳体的方法。根据本申请的实施例，参照图10，该方法包括：

(1)提供壳体本体，所述壳体本体具有图文区域和高透过区域，所述高透过区域位于所述图文区域的四周。

(2)在所述壳体本体的第一表面上形成图文层，所述图文层在所述壳体本体上的正投影与所述图文区域重叠。

可以理解，形成图文层的步骤可以为：在所述壳体本体的第一表面上形成遮蔽层，所述遮蔽层具有开口；在所述开口暴露出的壳体本体的表面上形成图文层，然后去除遮蔽层。

可以理解，在形成遮蔽层之前，可以对壳体本体进行清洁处理，具体的，可以将壳体本体依次进行超声清洗和烘干处理。由此，可以有效去除壳体本体的表面污渍，提高壳体本体表面清洁程度，进而提高遮蔽层的附着力。

可以理解，遮蔽层可以为油墨层，具体可以为水性油墨层。一些具体实施例中，遮蔽层可以通过丝印水性油墨形成，丝印油墨的厚度可以为5～20微米或8～15微米(具体如5微米、8微米、10微米、12微米、15微米、18微米、20微米等)，丝印后在100～150摄氏度(具体如100摄氏度、110摄氏度、120摄氏度、130摄氏度、140摄氏度、150摄氏度等)条件下进行烘烤20～40分钟(具体如20分钟、25分钟、30分钟、35分钟、40分钟等)。在上述厚度范围内，既能够保证较好的遮蔽效果，且利于提高加工步骤的经济性，如果厚度过薄，遮蔽效果相对较差，如果厚度过厚，则加工过程中会浪费能量，导致能耗和成本较高。

可以理解，图文层的具体形成方法可以根据实际需要选择，包括但不限于真空镀膜方法，真空镀膜方法是指在真空设备中通过高温蒸发化合物使得化合物附着于基底材料上，实现分子级别的物质堆叠，或者通过高能粒子冲击单质靶材，使得靶材逸出单质原子，在基底材料附近与目标气体相遇生成化合物，通过控制气体含量控制生成物的方法。具体的，可以将形成有遮蔽层的壳体本体放入真空镀膜设备中，根据需要设计膜系进行镀膜，例如可以选择不同的材质多次镀膜，得到多个材质不同的膜层层叠设置的图文层，具体的操作步骤和镀膜参数均可以按照常规技术进行，在此不再一一详细说明。

可以理解，可以采用剥离、刻蚀、清洗等方式去除遮蔽层，具体的，遮蔽层为水溶性油墨层时，可以通过超声清洗的方法去除遮蔽层。由此，操作简单、方便、快捷，且成本较低。

(3)对位于所述高透过区域中的所述第一表面进行减反射处理，使得所述高透过区域的透过率大于或等于50％。

可以理解，减反射处理可以通过设置减反射膜进行。具体的，壳体本体的高透过区域的表面上可以设置有减反射膜。该减反射膜可以通过涂覆、真空镀膜、溅射等方法形成，具体的操作步骤和参数均可以根据常规技术进行，在此不再一一赘述。

一些具体实施例中，参照图11，所述壳体本体10包括基材110和设置在所述基材110的第二表面上的第一减反射膜120，该制备电子设备壳体的方法可以包括：在所述壳体本体的第一表面上形成第一遮蔽层40，所述第一遮蔽层具有第一开口42，所述第一开口42在所述壳体本体10上的正投影与所述高透过区域112在所述壳体本体10上的正投影重叠；在所述第一开口暴露出的所述第二表面上形成第一减反射膜120，并去除所述第一遮蔽层40；在形成有所述第一减反射膜的所述壳体本体朝向所述图文层的表面上形成第二遮蔽层50，所述第二遮蔽层50具有第二开口52，所述第二开口52在所述壳体本体10上的正投影与所述图文层20在所述壳体本体10上的正投影重叠；在所述第二开口52暴露出的所述第二表面11上形成所述图文层20，并去除所述第二遮蔽层50。

一些具体实施例中，参照图12，所述壳体本体10包括基材110和设置在所述基材110的第二表面11上的第一减反射膜120和第二减反射膜130，该制备电子设备壳体的方法可以包括：在所述第二表面上形成第三遮蔽层60，所述第三遮蔽层60具有第三开口62，所述第三开口62在所述壳体本体10上的正投影与所述高透过区域112和所述图文层20在所述壳体本体10上的正投影之和重叠；在所述第三开口62暴露出的所述第二表面上形成第一减反射膜120和第二减反射膜130，并去除所述第三遮蔽层60，其中，所述第一减反射膜在所述壳体本体上的正投影与所述高透过区域在所述壳体本体上的正投影重叠，所述第二减反射膜在所述壳体本体上的正投影与所述图文区域在所述壳体本体上的正投影重叠；在形成有所述第一减反射膜和所述第二减反射膜的所述壳体本体朝向所述图文层的表面上形成第四遮蔽层70，所述第四遮蔽层70具有第四开口72，所述第四开口72在所述壳体本体10上的正投影与所述图文层20在所述壳体本体10上的正投影重叠；在所述第四开口72暴露出的所述第二减反射膜130上形成所述图文层20，并去除所述第四遮蔽层70。

可以理解，参照图13，该方法还包括在所述壳体本体10上形成防指纹层30，所述方指纹层30覆盖所述图文层20。具体的，防指纹层可以通过真空镀膜的方式形成，具体的操作步骤和参数可以通过常规方法进行，在此不再过多赘述。可以理解，在形成防指纹层之前，可以先形成过渡层，用于增加防指纹层和壳体本体的结合强度，以及增强防指纹层的耐磨性等。具体的，可以采用二氧化硅形成过渡层，厚度可以为10～30纳米(具体如10纳米、15纳米、20纳米、25纳米、30纳米等)，然后在过渡层上形成防指纹层，厚度可以为10～30纳米(具体如10纳米、15纳米、20纳米、25纳米、30纳米等)，防指纹层的材质可以为常规防指纹层材质，如全氟聚醚等，在此不再一一赘述。

通过该方法，可以方便快速的制备得到外观效果较佳的电子设备壳体，步骤简单、操作方便，易于工业化生产，且当外界光线照射至制备获得的电子设备壳体时，照射到高透过区域的光线更多的发生透射，反射的光线较少，从而使得照射到高透过区域的光线成像能力显著减弱，从而可以有效消除阴影效果，用户观看到的图文层清楚、边界清晰，提高了电子设备壳体的外观效果。可以理解，该方法可以用于制备前面所述的电子设备壳体。

在本申请的第三方面，本申请提供了一种电子设备。根据本申请的实施例，参照图14，该电子设备包括壳体100，所述壳体100中具有容纳空间，所述壳体100中的图文层背离所述容纳空间设置；显示屏200，所述显示屏200设置在所述容纳空间中，且所述显示屏200的出光面(即用户观看到显示画面的表面)朝向远离所述壳体100的一侧。该电子设备中的壳体，可以有效消除图文层的阴影效果，用户观看到的图文层清楚、边界清晰，明显提高了电子设备的外观效果。

其中，需要说明的是，图14是以手机为例对电子设备的结构进行示例性说明，并不能理解为对本申请的限制，可以理解，该电子设备的具体种类没有特别限制，例如包括但不限于手机、笔记本电脑、平板电脑、游戏机、可穿戴设备等等。且本领域技术人员还可以理解，处理前面所述的壳体和显示屏之外，该电子设备还可以包括常规电子设备所必备的结构和部件，例如以手机为例，其还可以包括CPU、触控屏、前盖板、摄像模组、指纹模组、电池、电声模组等等常规手机所具备的结构和部件，在此不再一一赘述。

下面详细描述本申请的实施例。

实施例1

具体制备步骤(参照图12)：

1、先对陶瓷壳本体超声清洗，烘干，以去除表面污渍，提高陶瓷表面清洁程度从而提升水溶性油墨附着力；

2、在陶瓷壳本体的第一表面上丝印厚度为8～15微米的水溶性油墨层，并将得到的油墨层在100～150℃条件下进行烘烤保温20～40min，得到具有第三开口的第三遮蔽层；

3、将设置有油墨层的陶瓷壳本体置于真空镀膜设备中，在第三开口暴露的陶瓷壳本体表面上形成减反射膜(具体的，依次形成厚度为37.1nm的二氧化硅层、厚度为42.7nm的硅层、厚度为11.1nm的二氧化硅层、厚度为85.8nm的硅层、厚度为19.7nm的二氧化硅层、厚度为28nm的硅层和厚度为109.4纳米的二氧化硅层)，然后将形成有减反射膜的陶瓷壳本体放入水中超声清洗，去除水溶性油墨层；

4、在形成有减反射膜的陶瓷壳本体上丝印厚度为8～15微米的水溶性油墨层，并将得到的油墨层在100～150℃条件下进行烘烤保温20～40min，得到具有第四开口的第四遮蔽层；

5、将设置有油墨层的陶瓷壳本体置于真空镀膜设备中，在第四开口暴露的陶瓷壳本体表面上形成图文层(具体包括层叠设置的SiO₂(15nm)+TiO₂(20nm)+SiO₂(18nm)三层结构)，然后将形成有图文层的陶瓷壳本体放入水中超声清洗，去除水溶性油墨层；

6、对形成有图文层的陶瓷壳本体上真空镀厚度为10～30nm的二氧化硅层作为打底层，然后在打底层的表面上真空镀厚度为10～30nm的抗指纹层(即AF膜)，以增加壳体爽滑程度和抗指纹脏污性能，得到的壳体结构示意图参照图9，图文层的照片见图15，其中，得到的壳体中减反射膜对应位置处的反射率为7％-9％，未形成减反射膜的陶瓷壳本体的反射率为14％～16％，其中，反射率采用上海善可精密仪器有限公司，日本岛津紫外可见分光光度计UV1800进行测试，具体测试方法参照设备说明书进行。

对比例1

具体制备方法同实施例1，区别在于省略形成减反射膜的步骤，得到的壳体的图文层的照片见图16。

通过图15和图16的对比可见，本申请通过改变图文层四周的反射率，明显降低了反射，增加了透射，从而有效消除了图文层的边缘阴影，使得用户观看时图文层清楚、边界清晰，且具有更强的视觉冲击力，从而具有更好的观感体验。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (14)

1.一种电子设备壳体，其特征在于，包括：

壳体本体，所述壳体本体具有图文区域和高透过区域，所述高透过区域位于所述图文区域的四周；

图文层，所述图文层设置在所述壳体本体的第一表面上，且所述图文层在所述壳体本体上的正投影与所述图文区域在所述壳体本体上的正投影重叠；

其中，所述高透过区域的透过率大于或等于50％。

2.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述壳体本体包括：

基材；

第一减反射膜，所述第一减反射膜设置在所述基材朝向所述图文层的第二表面上，所述第一减反射膜在所述壳体本体上的正投影与所述高透过区域在所述壳体本体上的正投影重叠。

3.根据权利要求2所述的电子设备壳体，其特征在于，还包括：

第二减反射膜，所述第二减反射膜设置在所述第二表面上，所述第二减反射膜在所述壳体本体上的正投影与所述图文区域在所述壳体本体上的正投影重叠。

4.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述图文层包括实心图形，所述高透过区域围绕所述实心图形设置，且所述非图文区域远离所述实心图形的外边缘线构成的第一图形与所述实心图形为相似图形，且所述第一图形的面积为所述实心图形的面积的110％～120％。

5.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述图文层包括空心图形，所述非图文区域包括第一子区域和第二子区域，其中，

所述第一子区域围绕所述空心图形设置，所述第一子区域远离所述空心图形的外边缘线构成的第二图形和所述空心图形靠近所述第一子区域的外边缘线构成的第三图形为相似图形，所述第二图形的面积是所述第三图形的面积的110％～120％；

所述第二子区域位于所述空心图形中的镂空图形中，所述第二子区域远离所述空心图形的内边缘线构成的第四图形和所述镂空图形为相似图形，且所述镂空图形的面积为所述第四图形的面积的110％～120％。

6.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述图文层包括空心图形，所述非图文区域包括第一子区域和第二子区域，其中，

所述第一子区域围绕所述空心图形设置，所述第一子区域远离所述空心图形的外边缘线构成的第二图形和所述空心图形靠近所述第一子区域的外边缘线构成的第三图形为相似图形，所述第二图形的面积是所述第三图形的面积的110％～120％；

所述第二子区域在所述壳体本体上的正投影与所述镂空图形在所述壳体本体上的正投影重叠。

7.根据权利要求1～6任一项所述的电子设备壳体，其特征在于，所述壳体本体由所述图文区域和所述高透过区域构成；或者

所述壳体本体还包括***区域，所述***区域位于至少部分所述高透过区域的四周。

8.根据权利要求2所述的电子设备壳体，其特征在于，所述基材的透过率为2％～40％；

任选地，所述基材的材质包括陶瓷。

9.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，还包括：

防指纹层，所述防指纹层设置在所述壳体本体上，且覆盖所述图文层。

10.一种制作电子设备壳体的方法，其特征在于，包括：

提供壳体本体，所述壳体本体具有图文区域和高透过区域，所述高透过区域位于所述图文区域的四周；

在所述壳体本体的第一表面上形成图文层，所述图文层在所述壳体本体上的正投影与所述图文区域重叠；

对位于所述高透过区域中的所述第一表面进行减反射处理，使得所述高透过区域的透过率大于或等于50％。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述壳体本体包括基材和设置在所述基材朝向所述图文层的第二表面上的第一减反射膜，所述方法包括：

在所述第二表面上形成第一遮蔽层，所述第一遮蔽层具有第一开口，所述第一开口在所述壳体本体上的正投影与所述高透过区域在所述壳体本体上的正投影重叠；

在所述第一开口暴露出的所述第二表面上形成所述第一减反射膜，并去除所述第一遮蔽层；

在形成有所述第一减反射膜的所述壳体本体朝向所述图文层的表面上形成第二遮蔽层，所述第二遮蔽层具有第二开口，所述第二开口在所述壳体本体上的正投影与所述图文层在所述壳体本体上的正投影重叠；

在所述第二开口暴露出的所述第二表面上形成所述图文层，并去除所述第二遮蔽层。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述壳体本体包括基材和设置在所述基材朝向所述图文层的第二表面上的第一减反射膜和第二减反射膜，所述方法包括：

在所述第二表面上形成第三遮蔽层，所述第三遮蔽层具有第三开口，所述第三开口在所述壳体本体上的正投影与所述高透过区域和所述图文区域在所述壳体本体上的正投影之和重叠；

在所述第三开口暴露出的所述第二表面上形成所述第一减反射膜和第二减反射膜，并去除所述第三遮蔽层，其中，所述第一减反射膜在所述壳体本体上的正投影与所述高透过区域在所述壳体本体上的正投影重叠，所述第二减反射膜在所述壳体本体上的正投影与所述图文区域在所述壳体本体上的正投影重叠；

在形成有所述第一减反射膜和所述第二减反射膜的所述壳体本体朝向所述图文层的表面上形成第四遮蔽层，所述第四遮蔽层具有第四开口，所述第四开口在所述壳体本体上的正投影与所述图文层在所述壳体本体上的正投影重叠；

在所述第四开口暴露出的所述第二减反射膜上形成所述图文层，并去除所述第四遮蔽层。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述壳体本体上形成防指纹层，所述方指纹层覆盖所述图文层。

14.一种电子设备，其特征在于，包括：

权利要求1～9中任一项所述的电子设备壳体，所述电子设备壳体中限定有容纳空间，所述图文层背离所述容纳空间设置；及

显示屏，所述显示屏设置在所述容纳空间中，且所述显示屏的出光面朝向远离所述壳体的一侧。