CN110391139B - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供晶片的加工方法，不会导致器件品质降低。晶片的加工方法至少包含如下工序：聚酯系片敷设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口中而在晶片的背面和框架的外周敷设聚酯系片；一体化工序，对聚酯系片进行加热并进行热压接而通过聚酯系片使晶片和框架一体化；分割起点形成工序，将激光光线的聚光点定位于第一分割预定线和第二分割预定线而进行照射，形成分割起点；第一分割工序，将按压刃定位于第一分割预定线并赋予外力而对第一分割预定线进行分割；以及第二分割工序，将按压刃定位于第二分割预定线并赋予外力而对第二分割预定线进行分割，通过该第一分割工序和该第二分割工序将晶片分割成各个器件。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法，将晶片分割成各个器件。
背景技术
由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI、LED等多个器件的晶片通过切割装置、激光加工装置等分割成各个器件，并被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
激光加工装置存在下述类型：将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而进行照射，形成改质层来作为分割的起点的类型(例如，参照专利文献1)；将对于晶片具有吸收性的波长的激光光线的聚光点定位于分割预定线的上表面而进行照射，通过烧蚀而在正面上形成槽来作为分割的起点的类型(例如，参照专利文献2)。
在通过上述的激光加工装置沿着分割预定线形成分割的起点之后，对晶片实施赋予外力等的分割工序而分割成各个器件。经过了分割工序的晶片在被分割成各个器件之后，在被保持于划片带而保持晶片形态的状态下被搬送至拾取工序，因此投入至激光加工装置的晶片通过定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口并将晶片的背面和框架粘贴在涂布糊剂等而形成有粘接层的划片带的粘接层侧，从而成为与划片带和框架实现了一体化的状态。由此，经过了分割工序的晶片能够在各个分割得到的器件不从划片带脱离而保持晶片的形态的状态下搬送至拾取工序。
专利文献1：日本特许第3408805号公报
专利文献2：日本特开平10-305420号公报
在将按压刃定位于形成有分割起点的分割预定线并赋予外力而对将晶片的背面和框架定位并粘贴于划片带的粘接层侧而借助划片带支承于框架的晶片进行分割的情况下，在将按压刃定位于沿第一方向形成的第一分割预定线并赋予外力而进行了分割之后，将按压刃定位于沿与第一方向交叉的第二方向形成的第二分割预定线并赋予外力而进行分割。此时，先分割的第一分割预定线能够整洁地分割。但是，当沿着第一分割预定线的分割起点进行分割而形成分割线时，粘接层进入至该分割线等而导致尚未分割的第二分割预定线略微弯曲行进，从而难以沿着第二分割预定线精密地定位按压刃，当在此情况下对按压刃进行定位并赋予外力而对第二分割预定线进行分割时，存在如下的问题：产生器件的缺损等而导致品质的降低。近年来，要求器件的小尺寸(2mm见方以下)化，特别是0.5mm见方、0.25mm见方、0.15mm见方等，器件的尺寸越小，该第二分割预定线的略微的弯曲行进的影响越显著。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供晶片的加工方法，即使将按压刃定位于分割预定线并赋予外力而将晶片分割成各个器件，也不会导致器件的品质的降低。
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供晶片的加工方法，将晶片分割成各个器件，该晶片由沿第一方向形成的第一分割预定线和沿与该第一方向交叉的第二方向形成的第二分割预定线划分并在正面上形成有多个器件，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：聚酯系片敷设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口中而在晶片的背面和框架的外周敷设聚酯系片；一体化工序，对聚酯系片进行加热并进行热压接而通过聚酯系片使晶片和框架一体化；分割起点形成工序，将激光光线的聚光点定位于第一分割预定线和第二分割预定线而进行照射，形成分割起点；第一分割工序，将按压刃定位于第一分割预定线并赋予外力而对第一分割预定线进行分割；以及第二分割工序，将按压刃定位于第二分割预定线并赋予外力而对第二分割预定线进行分割，通过该第一分割工序和该第二分割工序将晶片分割成各个器件。
可以使在该分割起点形成工序中所照射的激光光线的波长对于晶片具有透过性，将该激光光线的聚光点定位于第一分割预定线和第二分割预定线的内部而形成作为分割起点的改质层。另外，也可以使在该分割起点形成工序中所照射的激光光线的波长对于晶片具有吸收性，将该激光光线的聚光点定位于第一分割预定线和第二分割预定线的上表面而通过烧蚀形成作为分割起点的槽。
优选该聚酯系片选自聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片中的任意片。另外，该晶片可以由硅基板、蓝宝石基板、碳化硅基板、玻璃基板中的任意基板构成。
本发明的晶片的加工方法将晶片分割成各个器件，该晶片由沿第一方向形成的第一分割预定线和沿与该第一方向交叉的第二方向形成的第二分割预定线划分并在正面上形成有多个器件，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：聚酯系片敷设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口中而在晶片的背面和框架的外周敷设聚酯系片；一体化工序，对聚酯系片进行加热并进行热压接而通过聚酯系片使晶片和框架一体化；分割起点形成工序，将激光光线的聚光点定位于第一分割预定线和第二分割预定线而进行照射，形成分割起点；第一分割工序，将按压刃定位于第一分割预定线并赋予外力而对第一分割预定线进行分割；以及第二分割工序，将按压刃定位于第二分割预定线并赋予外力而对第二分割预定线进行分割，通过该第一分割工序和该第二分割工序将晶片分割成各个器件，因此不会像使用具有粘接层的划片带粘贴晶片的情况那样粘接层的一部分进入至对第一分割预定线进行了分割的区域而引发偏移，在对第一分割预定线进行分割之后，能够将按压刃精密地定位于第二分割预定线，克服使器件的品质降低的问题。
附图说明
图1是示出本实施例的聚酯系片敷设工序的实施方式的立体图。
图2是示出在图1所示的聚酯系片敷设工序中将聚酯系片载置于卡盘工作台的方式的立体图。
图3的(a)和(b)是示出本实施例的一体化工序的实施方式的立体图。
图4是示出本实施例的切断工序的实施方式的立体图。
图5的(a)和(b)是示出本实施例的分割起点形成工序的一个实施方式的立体图。
图6的(a)和(b)是示出本实施例的分割起点形成工序的其他实施方式的立体图。
图7是示出本实施例的分割工序的实施方式的侧视图。
标号说明
10：晶片；12A：第一分割预定线；12B：第二分割预定线；14：器件；20：卡盘工作台；21：吸附卡盘；30：聚对苯二甲酸乙二醇酯片；40：热风吹送单元；50：加热辊单元；52：加热辊；60：切断单元；62：刀具切割器；70、70’：激光加工装置；72：聚光器；80：分割装置；82：按压刃；83：一对支承部；100：改质层；110：槽；130：分割线。
具体实施方式
以下，按顺序对根据本发明构成的晶片的加工方法的各工序进行说明。
(聚酯系片敷设工序)
参照图1和图2，对聚酯系片敷设工序进行说明。在图1中示出聚酯系片敷设工序的实施方式的立体图。在实施聚酯系片敷设工序时，首先如图1所示，准备作为加工对象物的晶片10、具有能够对晶片10进行收纳的开口Fa的环状框架F、以及用于实施聚酯系片敷设工序的卡盘工作台20。晶片10例如由硅(Si)基板构成，器件14形成于由沿箭头X所示的第一方向形成的第一分割预定线12A以及沿与第一方向呈直角交叉的箭头Y所示的第二方向形成的第二分割预定线12B划分的正面10a上。
卡盘工作台20包含：圆盘形状的吸附卡盘21，其由具有通气性的多孔质的多孔陶瓷构成；以及圆形框部22，其围绕吸附卡盘21的外周，卡盘工作台20与未图示的吸引单元连接而能够对载置于吸附卡盘21的上表面(保持面)的晶片10进行吸引保持。
若准备了晶片10、框架F以及卡盘工作台20，则如图所示，相对于吸附卡盘21的保持面，使晶片10的正面10a侧朝下而载置于吸附卡盘21的中心。若将晶片10载置于吸附卡盘21上，则一边将晶片10定位于开口Fa的中心一边将框架F载置于吸附卡盘21上。由图可理解，框架F的开口Fa的尺寸形成得比晶片10大，以便对晶片10进行收纳，另外，吸附卡盘21的保持面的尺寸形成得比框架F的外形略大，设定成吸附卡盘21的保持面在框架F的外侧露出的大小。
如图2所示，准备圆形的聚酯系片例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)片30，该聚酯系片按照将晶片10的背面10b、框架F以及吸附卡盘21覆盖的方式设定，被载置于吸附卡盘21上。聚酯系片优选以20μm～100μm的厚度形成。由图2可理解，本实施例的聚对苯二甲酸乙二醇酯片30至少比吸附卡盘21的直径大，优选按照比卡盘工作台20的圆形框部22的外形略小的直径形成。由此，吸附卡盘21的整个保持面被聚对苯二甲酸乙二醇酯片30覆盖。另外，在聚对苯二甲酸乙二醇酯片30的载置于晶片10和框架F的载置面侧未形成糊剂等粘接层。
若将晶片10、框架F以及聚对苯二甲酸乙二醇酯片30载置于卡盘工作台20的吸附卡盘21上，则使包含吸引泵等的未图示的吸引单元进行动作而将吸引力Vm作用于吸附卡盘21，从而对晶片10、框架F以及聚对苯二甲酸乙二醇酯片30进行吸引。如上所述，通过聚对苯二甲酸乙二醇酯片30覆盖吸附卡盘21的整个上表面(保持面)，因此吸引力Vm作用于晶片10、框架F以及聚对苯二甲酸乙二醇酯片30的整体，将它们吸引保持于吸附卡盘21上，并且对残留于晶片10、框架F以及聚对苯二甲酸乙二醇酯片30之间的空气进行吸引而使它们紧贴。通过以上，完成聚酯系片敷设工序。
(一体化工序)
若实施了上述的聚酯系片敷设工序，则接着实施一体化工序。参照图3对一体化工序进行说明。
在图3的(a)中示出用于实施一体化工序的第一个实施方式。在实施一体化工序时，如图所示，将用于对聚对苯二甲酸乙二醇酯片30进行加热的热风吹送单元40(仅示出一部分)定位于对晶片10、框架F以及聚对苯二甲酸乙二醇酯片30作用吸引力Vm而进行吸引保持的状态的卡盘工作台20的上方。省略详细内容，热风吹送单元40构成为在与卡盘工作台20侧对置的出口侧(图中下侧)配设具有恒温器等温度调整单元的加热器部，在相反的一侧(图中上侧)配设通过电动机等进行驱动的风扇部，通过对该加热器部和风扇部进行驱动而朝向卡盘工作台20吹送热风L。若将热风吹送单元40定位于卡盘工作台20的上方，则通过热风吹送单元40至少对载置有聚对苯二甲酸乙二醇酯片30所覆盖的晶片10和框架F的整个区域吹送热风L，按照成为熔点附近的250℃～270℃、或从该熔点附近的温度至比该熔点附近的温度低50℃左右的温度的范围的方式对聚对苯二甲酸乙二醇酯片30进行加热。通过该加热，聚对苯二甲酸乙二醇酯片30发生软化，在聚对苯二甲酸乙二醇酯片30与晶片10的背面10b和框架F紧贴的状态下进行热压接，从而使晶片10、框架F以及聚对苯二甲酸乙二醇酯片30一体化。另外，实施对聚对苯二甲酸乙二醇酯片30进行加热并与晶片10进行热压接的一体化工序的单元不限于图3的(a)所示的热风吹送单元40，也可以选择其他单元。参照图3的(b)，对其他单元(第二个实施方式)进行说明。
作为实施上述一体化工序的其他单元，可以选择图3的(b)所示的加热辊单元50(仅示出一部分)。更具体而言，将用于对聚对苯二甲酸乙二醇酯片30进行加热并进行按压的加热辊单元50定位于对晶片10、框架F以及聚对苯二甲酸乙二醇酯片30作用吸引力Vm而进行吸引保持的状态的卡盘工作台20的上方。省略详细内容，加热辊单元50具有内置未图示的加热器的加热辊52以及用于使加热辊52旋转的未图示的旋转轴，加热辊52的表面被实施氟树脂加工。若将加热辊52定位于卡盘工作台20的上方，则使内置于加热辊52的该加热器进行动作，对聚对苯二甲酸乙二醇酯片30所覆盖的晶片10的背面10b和框架F侧整体进行按压并使加热辊52一边向箭头R1所示的方向旋转一边在箭头X方向上移动。在聚对苯二甲酸乙二醇酯片30成为熔点附近的250℃～270℃、或从该熔点附近的温度至比该熔点附近的温度低50℃左右的温度的范围内对内置于加热辊52的该加热器进行调整。通过该加热和按压，与上述热风吹送单元40同样地，能够在聚对苯二甲酸乙二醇酯片30与晶片10的背面10b和框架F紧贴于的状态下进行热压接，从而使晶片10、框架F以及聚对苯二甲酸乙二醇酯片30一体化。另外，作为实施一体化工序的加热辊单元50的变形例，也可以代替上述的加热辊52，而采用具有加热器的平板状的按压部件，对聚对苯二甲酸乙二醇酯片30进行加热、按压，而将聚对苯二甲酸乙二醇酯片30热压接于晶片10和框架F。另外，进行热压接的单元不限于上述的各单元，例如也可以通过照射红外线而对聚对苯二甲酸乙二醇酯片30进行加热从而与框架10和框架F进行热压接。
在本实施例中，在上述的一体化工序之后，考虑到后续工序，实施切断工序，将聚对苯二甲酸乙二醇酯片30沿着框架F切断。另外，该切断工序未必是必须的工序，但实施该切断工序则与聚对苯二甲酸乙二醇酯片30一体化的晶片10和框架F更容易操作，有利于进行后续工序。以下，参照图4对切断工序进行说明。
(切断工序)
如图4所示，将切断单元60(仅示出一部分)定位于卡盘工作台20上，该卡盘工作台20对通过一体化工序而一体化的晶片10、框架F以及聚对苯二甲酸乙二醇酯片30进行吸引保持。切断单元60具有用于将聚对苯二甲酸乙二醇酯片30切断的圆盘形状的刀具切割器62(用双点划线示出)以及用于使刀具切割器62在箭头R2所示的方向上旋转驱动的未图示的电动机，将刀具切割器62的刃尖定位于框架F上的宽度方向的大致中央。若将刀具切割器62定位于框架F上，则将刀具切割器62按照聚对苯二甲酸乙二醇酯片30的厚度进行切入进给，使卡盘工作台20在箭头R2所示的方向上旋转。由此，能够将聚对苯二甲酸乙二醇酯片30沿着沿框架F的切断线C切断而将从切断线C探出的聚对苯二甲酸乙二醇酯片30的外周切除。另外，聚对苯二甲酸乙二醇酯片30被热压接于晶片10的背面10b和框架F，从而能够维持晶片10、框架F以及聚对苯二甲酸乙二醇酯片30一体化的状态。通过以上，完成切断工序。
(分割起点形成工序)
若通过该切断工序将聚对苯二甲酸乙二醇酯片30的外周切断，则利用激光加工装置实施分割起点形成工序。作为实施分割起点形成工序的激光加工方法，例如可以选择如下的方法：使激光光线的波长为对于晶片具有透过性的波长，将激光光线的聚光点定位于第一分割预定线12A和第二分割预定线12B的内部而形成作为分割起点的改质层的方法；或使激光光线的波长为对于晶片具有吸收性的波长，将激光光线的聚光点定位于第一分割预定线12A和第二分割预定线12B的上表面而通过烧蚀形成作为分割起点的槽的方法。
参照图5，对在晶片10的第一分割预定线12A和第二分割预定线12B的内部形成作为分割起点的改质层的激光加工的实施方式进行说明。
当在第一分割预定线12A和第二分割预定线12B的内部形成作为分割起点的改质层时，从晶片10的背面10b侧照射激光光线。因此，如图5的(a)所示，使在上述一体化工序中与框架F实现了一体化的晶片10的背面10b侧朝向上方，使聚对苯二甲酸乙二醇酯片30侧成为上方而搬送至图5的(b)所示的激光加工装置70(仅示出一部分)。
图5的(b)所示的激光加工装置70是周知的激光加工装置，省略详细内容，激光加工装置70具有未图示的卡盘工作台以及包含聚光器72的激光光线照射单元等。搬送至激光加工装置70的晶片10按照聚对苯二甲酸乙二醇酯片30成为上方的方式载置并保持于该卡盘工作台。接着，通过具有未图示的红外线拍摄单元的对准单元，进行该激光光线照射单元的聚光器72的激光光线LB的照射位置与晶片10的被加工位置、即第一分割预定线12A和第二分割预定线12B的对位(对准工序)。若结束该对准工序，则如图5的(b)所示，将激光光线LB的聚光点定位于晶片10的内部，使聚光器72和晶片10在箭头X所示的方向上相对地移动而穿过聚对苯二甲酸乙二醇酯片30进行照射，沿着第一分割预定线12A形成作为分割起点的改质层100。若通过使该卡盘工作台适当移动而沿着所有的第一分割预定线12A形成改质层100，则使该卡盘工作台旋转90度而与第一分割预定线12A同样地，沿着第二分割预定线12B在晶片10的内部形成改质层100。通过实施以上的激光加工，完成分割起点形成工序。
另外，上述的形成作为分割起点的改质层100的激光加工装置70的激光加工条件例如如下设定。
本发明的分割起点形成工序不限于上述的单元，例如也可以使用图6所示的激光加工装置70’来实施。以下，参照图6对使用激光加工装置70’来实施分割起点形成工序的其他实施方式进行说明。
作为实施分割起点形成工序的其他实施方式，如图6所示，照射对于晶片10具有吸收性的波长的激光光线LB’，将激光光线LB’的聚光点沿着第一分割预定线12A和第二分割预定线12B定位于晶片10的上表面(正面10a侧)上，通过烧蚀来形成作为分割起点的槽。
当沿着第一分割预定线12A和第二分割预定线12B在晶片10的正面10a上形成作为分割起点的槽时，如图6的(a)所示，使在上述的一体化工序中与框架F一体化的晶片10的正面10a侧成为上方而搬送至图6的(b)所示的激光加工装置70’(仅示出一部分)。
激光加工装置70’是周知的激光加工装置，省略详细内容，激光加工装置70’具有未图示的卡盘工作台和包含聚光器72’的激光光线照射单元等，搬送至激光加工装置70’的晶片10按照晶片10的正面10a成为上方的方式载置并吸引保持于该卡盘工作台。接着，通过具有未图示的拍摄单元的对准单元，进行该激光光线照射单元的聚光器72’的照射位置与晶片10的加工位置、即第一分割预定线12A和第二分割预定线12B的对位(对准工序)。若结束对准工序，则如图6的(b)所示，将激光光线LB’的聚光点定位于晶片10的正面10a上，一边使聚光器72’和晶片10在箭头X所示的方向上相对地移动一边照射激光光线LB’而实施烧蚀加工。通过使该卡盘工作台适当移动而沿着第一分割预定线12A和第二分割预定线12B形成作为分割起点的槽110。通过以上的激光加工，完成分割起点形成工序。
另外，上述的形成作为分割起点的槽110的激光加工装置70’的激光加工条件例如如下设定。
本发明的分割起点形成工序不限于实施上述的激光加工方法，也可以选择其他方式。例如，也可以是从背面10b侧将对于晶片10具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片10的内部而进行照射，沿着第一分割预定线12A和第二分割预定线12B形成由细孔和围绕细孔的非晶质构成的盾构隧道而作为分割的起点。
(分割工序)
若如上所述实施了分割起点形成工序，则实施分割工序。另外，对在通过实施上述的分割起点形成工序而沿着第一分割预定线12A和第二分割预定线12B在晶片10的内部形成作为分割起点的改质层100之后实施以下所说明的分割工序的情况进行说明。
本实施例的分割工序至少包含：对第一分割预定线12A赋予外力而对第一分割预定线进行分割的第一分割工序；以及对第二分割预定线12B赋予外力而对第二分割预定线12B进行分割的第二分割工序。参照图7，对使用分割装置80而实施的分割工序进行说明。
图7所示的分割装置80至少具有按压刃82、一对支承部83以及未图示的拍摄单元。当实施第一分割工序时，使晶片10的正面10a朝向下方而将晶片10载置于一对支承部83。该拍摄单元构成为能够从载置于一对支承部83的晶片10的正面10a侧、即下方侧对晶片10进行拍摄，通过该拍摄单元对晶片10的第一分割预定线12A进行拍摄，从而将形成有改质层100的第一分割预定线12A准确地定位于一对支承部83之间且定位于按压刃82的正下方。一对支承部83在一个方向(在图7中为与纸面垂直的Y方向)上延伸，按照俯视时夹着沿该一个方向定位的第一分割预定线12A的方式进行定位。定位于一对支承部83的上方的按压刃82也与一对支承部83同样地在该一个方向上延伸，通过未图示的按压机构而在箭头Z所示的上下方向上移动。
如图7所示，使按压刃82沿着箭头Z下降至晶片10侧，从而以改质层100为分割起点而沿着第一分割预定线12A对晶片10进行分割，形成分割线130。接着，在箭头X所示的方向上使按压刃82与一对支承部83和晶片10相对地移动而进行加工进给，从而将未分割的第一分割预定线12A移动至按压刃82的正下方且移动至一对支承部83之间，重复进行同样的分割加工，将按压刃82按压至所有的第一分割预定线12A并赋予外力而形成分割线130。并且，使晶片10旋转90度，使用该拍摄单元，将形成有改质层100的第二分割预定线12B准确地定位于按压刃82的正下方且定位于一对支承部83之间，通过与对上述第一分割预定线12A进行分割的工序同样的工序进行分割而形成分割线130。通过以上，将晶片10分割成各个器件14，完成分割工序。另外，对在沿着第一分割预定线12A和第二分割预定线12B在晶片10的内部形成作为分割起点的改质层100之后实施上述的分割工序的情况进行了说明，但在分割起点形成工序中，在第一分割预定线12A和第二分割预定线12B的正面10a上通过烧蚀形成作为分割起点的槽110的情况下，也能够通过与上述同样的单元进行分割。
若完成了该分割工序，则与对晶片10进行保持的框架F一起搬送至拾取工序，从聚对苯二甲酸乙二醇酯片30拾取各个器件14，搬送至接合工序或收纳于收纳托盘等而搬送至后续工序。
根据上述的本实施例的晶片的加工方法，对于晶片10、框架F以及聚酯系片(聚对苯二甲酸乙二醇酯片30)，没有通过在聚酯系片表面涂布糊剂等而形成的粘接层来进行一体化，而是至少对聚酯系片进行加热并进行热压接而对晶片10和框架F进行一体化。由此，不会像具有粘接层的划片带的情况那样产生由于粘接层的一部分进入至分割的区域(分割线)而引发偏移等的问题，在对第一分割预定线12A进行分割之后，能够将按压刃82精密地定位于第二分割预定线12B，不会使器件的品质降低。
另外，根据本发明，不限于上述实施方式，可提供各种变形例。在上述的实施例中，选择聚对苯二甲酸乙二醇酯片30作为聚酯系片，但本发明不限于此，可以从聚酯系片中适当选择。作为其他聚酯系片，例如可以为聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)片。
在上述的实施例中，将一体化工序中的加热温度设定在熔点附近的250℃～270℃、或从该熔点附近的温度至比该熔点附近的温度低50℃左右的温度的范围内，但本发明不限于此，优选根据所选择的聚酯系片的种类来调整加热温度。例如在选择聚萘二甲酸乙二醇酯片作为聚酯系片的情况下，优选将加热温度设定在熔点附近的160℃～180℃、或从该熔点附近的温度至比该熔点附近的温度低50℃左右的温度的范围内。
在上述的实施例中，使作为加工对象物的晶片为硅(Si)基板，但本发明不限于此，也可以构成为由其他材料例如蓝宝石(Al2O2)基板、碳化硅(SiC)基板、玻璃(SiO2)基板构成。

Claims (5)

1.一种晶片的加工方法，将晶片分割成各个器件，该晶片由沿第一方向形成的第一分割预定线和沿与该第一方向交叉的第二方向形成的第二分割预定线划分并在正面上形成有多个器件，其中，
该晶片的加工方法至少包含如下的工序：
聚酯系片敷设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口中而在晶片的背面和框架的外周直接敷设聚酯系片，所述聚酯系片在对晶片进行粘贴的载置面侧不具有粘接层，并且在晶片被分割成各个器件时所述聚酯系片没有被分割；
一体化工序，对聚酯系片进行加热，使晶片及框架与聚酯系片成为紧贴的状态并进行热压接而通过聚酯系片使晶片和框架一体化；
分割起点形成工序，将激光光线的聚光点定位于第一分割预定线和第二分割预定线而进行照射，形成分割起点；
第一分割工序，将按压刃定位于第一分割预定线并赋予外力而对第一分割预定线进行分割；以及
第二分割工序，将按压刃定位于第二分割预定线并赋予外力而对第二分割预定线进行分割，
通过该第一分割工序和该第二分割工序将晶片分割成各个器件。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该分割起点形成工序中所照射的激光光线的波长对于晶片具有透过性，将该激光光线的聚光点定位于第一分割预定线和第二分割预定线的内部而形成作为分割起点的改质层。
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该分割起点形成工序中所照射的激光光线的波长对于晶片具有吸收性，将该激光光线的聚光点定位于第一分割预定线和第二分割预定线的上表面而通过烧蚀来形成作为分割起点的槽。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的晶片的加工方法，其中，
该聚酯系片选自聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片中的任意片。
5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片由硅基板、蓝宝石基板、碳化硅基板、玻璃基板中的任意基板构成。
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