CN110391135B - 去除光刻胶残留的方法及半导体器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种去除光刻胶残留的方法及半导体器件的制造方法，所述去除光刻胶残留的方法包括：提供一晶圆，所述晶圆具有中间区和包围所述中间区的边缘区，所述晶圆的中间区和边缘区上形成有光刻胶层；至少涂覆亲水性的有机溶剂于所述边缘区的所述光刻胶层上；以及，采用去边工艺去除所述边缘区上的所述光刻胶层和所述有机溶剂。本发明的技术方案使得晶圆的边缘区上的光刻胶层被完全去除，进而避免光刻胶残留而影响后续工艺。

Description

去除光刻胶残留的方法及半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种去除光刻胶残留的方法及半导体器件的制造方法。
背景技术
在半导体芯片的加工制造过程中，通常需要对晶圆边缘进行修剪(trimming)，以消除晶圆边缘缺陷对后续键合(bonding)工艺的影响。例如，在背照式CMOS图像传感器(Backside Illuminated CMOS Imaging Sensor，简称BSI CIS)的制造过程中，在键合工艺前通常需要对晶圆边缘进行修剪去除部分的厚度，以避免导致在键合工艺中晶圆边缘剥落等不良。
而在晶圆边缘修剪工艺之后，在晶圆上继续形成膜层结构(例如金属互连结构等)的工艺过程中需要进行光刻工艺时，在旋涂光刻胶的过程中，多余的光刻胶会被离心力推到晶圆的边缘，其中大部分被甩离晶圆，但是有一部分会残留在晶圆边缘，尤其在晶圆边缘修剪的交界处更加容易产生环状的光刻胶残留，如图1a所示，晶圆边缘修剪后在修剪的交界处形成一个台阶，台阶的阶顶为W1，台阶的阶底为W2，在台阶的阶顶W1的边缘处凸起的位置D1为残留的光刻胶。在现有技术中，通常采用边缘光刻胶去除技术(edge bead remove，简称EBR)冲洗去除残留的这部分光刻胶，但是，在冲洗去除这部分光刻胶的过程中，边缘光刻胶去除技术仅能去除厚度约10μm的光刻胶，而在图1a中的位置D1处的残留的光刻胶的最厚处(例如位置D1处的靠近凸起位置的最高点处)远远大于10μm。因此，在边缘光刻胶去除工艺之后仍有部分厚度的光刻胶残留，如图1b所示，靠近台阶的阶顶W1的边缘处的厚度较小的光刻胶已被冲洗去除完全，原位置D1中的位置D2处仍有部分厚度的光刻胶未被去除。并且，在采用边缘光刻胶去除技术冲洗去除台阶的阶顶W1的边缘处的光刻胶时，部分光刻胶会被冲洗堆积在台阶的拐角(trimming corner)处，且堆积的光刻胶的厚度也远远超过10μm，如图1c所示，位置D3处为台阶的阶底W2上的拐角处堆积的光刻胶，此部分光刻胶在后续工艺中经过高温烘烤后会脱落，成为颗粒异物而污染晶圆上的膜层结构，从而导致产品不良。
因此，如何将晶圆边缘修剪工艺之后的光刻工艺中残留在晶圆边缘的光刻胶完全去除，以避免影响产品良率成为目前亟需解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种去除光刻胶残留的方法及半导体器件的制造方法，使得晶圆的边缘区上的光刻胶层被完全去除，进而避免光刻胶残留而影响后续工艺。
为实现上述目的，本发明提供了一种去除光刻胶残留的方法，用于去除某光刻工艺下的晶圆边缘残留的光刻胶，所述去除光刻胶残留的方法包括：
提供一晶圆，所述晶圆具有中间区和包围所述中间区的边缘区，所述晶圆的中间区和边缘区上形成有光刻胶层；
至少涂覆亲水性的有机溶剂于所述边缘区的所述光刻胶层上；以及，
采用去边工艺去除所述边缘区上的所述光刻胶层和所述有机溶剂。
可选的，提供的所述晶圆的所述边缘区相对所述中间区呈台阶状。
可选的，采用去边工艺去除所述边缘区上的所述光刻胶层和所述有机溶剂的步骤包括：采用化学去边方法，对所述边缘区上的所述光刻胶层和所述有机溶剂进行冲洗，冲洗的方向与所述晶圆表面之间的夹角小于45°。
可选的，在采用去边工艺去除所述边缘区上的所述光刻胶层和所述有机溶剂之后还包括：采用曝光剂量不低于1000mW/cm2的边缘曝光工艺对所述边缘区进行边缘曝光和显影，以去除所述边缘区上的光刻胶残留。
可选的，采用所述边缘曝光工艺去除所述边缘区上的光刻胶残留的步骤包括：先采用边缘传感器定位所述边缘区上的光刻胶残留的所在区域，再对定位到的所述边缘区上的所述光刻胶残留的所在区域进行激光曝光。
可选的，在采用去边工艺之后且在采用所述边缘曝光工艺之前，还检测所述去边工艺后的所述边缘区上的光刻胶残留的情况，当所述边缘区上的光刻胶残留未超出规格要求时，直接进行晶圆制作的下一步工序，所述下一步工序包括对所述中间区上的所述光刻胶层依次进行曝光、前烘和显影；当所述边缘区上的光刻胶残留超出规格要求时，再执行所述边缘曝光工艺。
可选的，在采用所述边缘曝光工艺对所述边缘区上的所述光刻胶层进行边缘曝光之后以及显影之前，对所述中间区上的所述光刻胶层进行曝光、前烘和显影。
可选的，当所述边缘区上的光刻胶残留未超出规格要求时，在对所述中间区上的所述光刻胶层进行所述下一步工序的曝光之前，先对所述中间区上的所述光刻胶层进行软烘烤；当所述边缘区上的光刻胶残留超出规格要求时，在采用所述边缘曝光工艺对所述边缘区上的所述光刻胶层进行边缘曝光之前，对所述中间区上的所述光刻胶层和所述边缘区上的所述光刻胶残留进行软烘烤。
可选的，所述边缘曝光工艺的曝光剂量为1800mW/cm2～2400mW/cm2。
可选的，所述有机溶剂的材质包括亲水性的抗反射材料。
本发明还提供了一种半导体器件的制造方法，包括：采用本发明提供的所述去除光刻胶残留的方法，去除一覆盖有光刻胶层的晶圆的边缘区上的光刻胶层，并在所述晶圆的中间区上形成图案化的光刻胶层；以及，
以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述晶圆的中间区进行刻蚀，以将所述图案化的光刻胶层中的图案转移到所述晶圆的中间区上。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
1、本发明的去除光刻胶残留的方法，通过至少涂覆亲水性的有机溶剂于晶圆的边缘区的光刻胶层上，使得边缘区上的所述光刻胶层更加亲水，以尽可能多地被去边工艺去除，由此可以使得去边工艺后的边缘区上没有光刻胶残留或者仅具有较少的光刻胶残留；进一步地，采用高曝光剂量的边缘曝光工艺对所述边缘区上的所述光刻胶层依次进行边缘曝光和显影，以使得所述边缘区上的光刻胶残留被完全去除，进而避免光刻胶残留而影响后续工艺。
2、本发明的半导体器件的制造方法，由于采用本发明提供的所述去除光刻胶残留的方法将边缘区上的光刻胶层去除，避免了边缘区上大量的光刻胶残留而影响后续工艺的问题，进而使得产品的良率得到提高。
附图说明
图1a是晶圆边缘修剪的交界处的光刻胶残留的扫描电子显微镜图；
图1b是台阶的阶顶残留的部分厚度的光刻胶的扫描电子显微镜图；
图1c是台阶的拐角处堆积的光刻胶的扫描电子显微镜图；
图2是本发明一实施例的去除光刻胶残留的方法的流程图；
图3是本发明一实施例的具有台阶状边缘区的晶圆的俯视示意图；
图4a～4d是图2所示的去除光刻胶残留的方法中的器件示意图。
其中，附图1a～4d的附图标记说明如下：
10-晶圆；11-中间区；12-边缘区；121-阶顶；122-侧壁；123-阶底；13-光刻胶层；14-有机溶剂层。
具体实施方式
为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图2～4d对本发明提出的去除光刻胶残留的方法及半导体器件的制造方法作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明一实施例提供一种去除光刻胶残留的方法，用于去除某光刻工艺下的晶圆边缘残留的光刻胶，参阅图2，图2是本发明一实施例的去除光刻胶残留的方法的流程图，所述去除光刻胶残留的方法的步骤包括：
步骤S11、提供一晶圆，所述晶圆具有中间区和包围所述中间区的边缘区，所述晶圆的中间区和边缘区上形成有光刻胶层；
步骤S12、至少涂覆亲水性的有机溶剂于所述边缘区的所述光刻胶层上；
步骤S13、采用去边工艺去除所述边缘区上的所述光刻胶层和所述有机溶剂。
下面参阅图3～4d更为详细的介绍本实施例提供的去除光刻胶残留的方法，图3是本发明一实施例的具有台阶状边缘区的晶圆的俯视示意图，图4a～4d是图2所示的去除光刻胶残留的方法中的器件示意图，图4a～4d也是器件的纵向截面示意图。
参阅图3和图4a，按照步骤S11，提供一晶圆10，所述晶圆10具有中间区11和包围所述中间区11的边缘区12，所述晶圆10的中间区11和边缘区12上形成有光刻胶层13。所述中间区11为功能区，即用于器件制造的有效区域；所述边缘区12为非功能区，即用于器件制造的无效区域。在对晶圆10上的某一膜层结构进行光刻过程中，需要先在此膜层结构上旋涂一层光刻胶，而在光刻胶旋涂的过程中，除了旋涂在所述晶圆10的中间区11上之外，多余的光刻胶会在离心力的作用下被推到所述晶圆10的边缘区12上，因此，除了在所述中间区11上形成所述光刻胶层13之外，也在所述边缘区12上形成了所述光刻胶层13。但是，仅位于所述中间区11上的所述光刻胶层13为有效区域，用于对所述晶圆10的中间区11的膜层结构(未图示)进行光刻和刻蚀，以得到所需的膜层结构，例如金属互连结构等。而位于所述边缘区12上的所述光刻胶层13为无效区域(即不用于形成所述膜层结构)，由于所述边缘区12的气流相对速度很大，导致所述边缘区12上的所述光刻胶层13很快固化，形成***的边缘，从而影响后续的工艺，因此，需要将所述边缘区12上的所述光刻胶层13去除。
另外，提供的所述晶圆10的所述边缘区12相对所述中间区11可以呈台阶状。具有台阶状的边缘区12的所述晶圆10可以通过对所述边缘区12进行修剪或刻蚀形成。例如，在生产单片的所述晶圆10的后段工艺中，需要对所述晶圆10的边缘区12进行修剪，以避免所述晶圆10的边缘区12上的缺陷对后续工艺产生影响，而修剪后的所述晶圆10的边缘区12呈台阶状；或者，对于背照式CMOS图像传感器(BSI CIS)，其后段工艺主要是将载有图像传感器电路的CIS晶圆与承载晶圆作键合并完成对外互连层的工艺，在CIS晶圆与承载晶圆键合之前，需要将CIS晶圆的边缘区12做修剪处理，目的是为了防止由CIS晶圆翘曲造成晶圆键合不全引起的剥落，而修剪后的CIS晶圆的边缘区12呈台阶状。其中，台阶状的所述边缘区12可以为一层台阶，也可以为至少两层台阶。并且，对于台阶状的所述边缘区12，所述光刻胶层13可以仅形成于所述边缘区12的台阶的阶顶121上(如图4a所示)，也可同时形成于所述边缘区12的台阶的阶顶121和阶底123上(未图示)。
参阅图4b，按照步骤S12，至少涂覆亲水性的有机溶剂于所述边缘区12的所述光刻胶层13上。根据上述步骤S11所述，所述边缘区12上的所述光刻胶层13需要被去除，但是，若直接采用常规的去边工艺去除所述边缘区12上的所述光刻胶层13，仅能去除厚度约10μm的所述光刻胶层13，而所述边缘区12上的所述光刻胶层13的部分区域的厚度远大于10μm，因此，为了将所述边缘区12上的所述光刻胶层13尽可能多地去除，需要至少在所述边缘区12的所述光刻胶层13上涂覆亲水性的所述有机溶剂，即形成有机溶剂层14，以增大所述光刻胶层13的亲水性，进而使得在去除所述边缘区12上的所述光刻胶层13时，所述边缘区12上的厚度大于10μm的所述光刻胶层13也能够被尽可能多地去除，由此可以使得去边工艺后的边缘区12上没有光刻胶残留或者仅具有较少的光刻胶残留。所述有机溶剂层14可以仅形成于所述边缘区12的所述光刻胶层13上，也可以同时形成于所述中间区11和所述边缘区12的所述光刻胶层13上，即至少使得所述边缘区12上的所述光刻胶层13的亲水性增大即可。因此，所述有机溶剂的材质可以包括亲水性的抗反射材料，例如可以为全氟烷烃酸类化合物、聚氟化烷基醚类化合物和聚四氟乙烯基类化合物中的任意一种或至少两种的混合物。
参阅图4c，按照步骤S13，采用去边工艺去除所述边缘区12上的所述光刻胶层13和所述有机溶剂(即有机溶剂层14)。所述去边工艺即边缘光刻胶去除技术(edge beadremove，简称EBR)。根据上述步骤S12中的描述，可以采用去边工艺去除所述边缘区12上的所述光刻胶层13，且由于至少在所述边缘区12的所述光刻胶层13上涂覆有亲水性的所述有机溶剂，使得所述边缘区12上的所述光刻胶层13能够被尽可能多地去除。采用去边工艺去除所述边缘区12上的所述光刻胶层13和所述有机溶剂的步骤可以包括：采用化学去边方法，对所述边缘区12上的所述光刻胶层13和所述有机溶剂进行冲洗，冲洗的方向与所述晶圆10表面之间的夹角可以小于45°。其中，冲洗的方向与所述晶圆10表面之间的夹角越小，则所述中间区11与所述边缘区12交界处的所述边缘区12上的所述光刻胶层13越有可能被完全去除。
但是，采用去边工艺也可能无法将所述边缘区12上的所述光刻胶层13完全去除，尤其当所述晶圆10的边缘区12呈台阶状时，由于采用去边工艺冲洗去除所述边缘区12上的所述光刻胶层13和所述有机溶剂的过程中，从台阶状的所述边缘区12的阶顶121上去除的部分的所述光刻胶层13的材料可能会被冲洗堆积在台阶的拐角处(即台阶的侧壁122和阶底123组成的夹角处，如图4c所示)，堆积在台阶的拐角处的此部分光刻胶在后续工艺中经过高温烘烤后会脱落，成为颗粒异物而污染所述晶圆10上的膜层结构，从而导致产品不良。也就是说，对于台阶状的所述边缘区12，在采用去边工艺去除所述边缘区12上的所述光刻胶层13和所述有机溶剂之后，除了所述边缘区12的阶顶121上可能会有未被完全去除的光刻胶残留之外，在所述边缘区12的台阶的拐角处还可能会产生新的光刻胶残留。
因此，在采用去边工艺去除所述边缘区12上的所述光刻胶层13和所述有机溶剂之后还包括：采用曝光剂量不低于1000mW/cm2的边缘曝光工艺对所述边缘区12进行边缘曝光和显影，以去除所述边缘区12上的光刻胶残留，进而避免光刻胶残留而影响后续工艺。尤其对于台阶状的所述边缘区12，若在所述边缘区12的台阶的拐角处堆积了很厚的光刻胶残留，则需要采用更高曝光剂量的边缘曝光工艺对所述边缘区12的台阶的拐角处的光刻胶残留进行边缘曝光，使得台阶的拐角处残留的光刻胶能够充分反应，其中，所述边缘曝光工艺的曝光剂量可以为1800mW/cm2～2400mW/cm2(例如为1900mW/cm2、2300mW/cm2等)，进而可以在显影过程中采用显影液将残留的光刻胶完全去除，如图4d所示。并且，在采用所述边缘曝光工艺对所述边缘区12上的所述光刻胶层13进行边缘曝光之后以及显影之前，对所述中间区11上的所述光刻胶层13进行曝光、前烘和显影，或者，对所述边缘区12上残留的光刻胶和所述中间区11上的所述光刻胶层13的显影可以同时进行，即同时将所述边缘区12上残留的光刻胶和所述中间区11上被曝光的所述光刻胶层13采用显影液去除。
当然，在采用去边工艺之后且在采用所述边缘曝光工艺之前，可以先检测所述去边工艺后的所述边缘区12上的光刻胶残留的情况。当所述边缘区12上的光刻胶残留未超出规格要求时，可以不用执行所述边缘曝光工艺，直接进行晶圆制作的下一步工序，所述下一步工序包括对所述中间区11上的所述光刻胶层13依次进行曝光、前烘和显影，以在所述中间区11上形成图案化的光刻胶层，并以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述晶圆10的中间区11进行刻蚀后形成所需的膜层结构，前烘的目的是使被曝光的所述光刻胶层13进行充分的化学反应，以使得被曝光的图形更加均匀。而当所述边缘区12上的光刻胶残留超出规格要求时，则执行所述边缘曝光工艺，并在执行所述边缘曝光工艺之后进行晶圆制作的下一步工序。
另外，采用所述边缘曝光工艺去除所述边缘区12上的光刻胶残留的步骤可以包括：先采用边缘传感器定位所述边缘区12上的光刻胶残留的所在区域，再对定位到的所述边缘区12上的所述光刻胶残留的所在区域进行激光曝光。尤其当所述边缘区12为台阶状时，若台阶的拐角处堆积了很厚的光刻胶，更加需要采用边缘传感器先对台阶的拐角处进行精准定位，再结合高剂量的边缘曝光工艺以及显影工艺，才能将拐角处残留的光刻胶完全去除。
另外，当所述边缘区12上的光刻胶残留未超出规格要求时，在对所述中间区11上的所述光刻胶层13进行所述下一步工序的曝光之前，先对所述中间区11上的所述光刻胶层13进行软烘烤；当所述边缘区12上的光刻胶残留超出规格要求时，在采用所述边缘曝光工艺对所述边缘区12上的所述光刻胶层13进行边缘曝光之前，对所述中间区11上的所述光刻胶层13和所述边缘区12上的所述光刻胶残留进行软烘烤。所述软烘烤的目的是蒸发所述光刻胶层13中的溶剂，并控制所述光刻胶层13的敏感度以及后续在所述中间区11上形成的图案化的光刻胶层对应的膜层结构的线宽，同时也将所述光刻胶层13中的残余内应力释放。
综上所述，本发明提供的去除光刻胶残留的方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆具有中间区和包围所述中间区的边缘区，所述晶圆的中间区和边缘区上形成有光刻胶层；至少涂覆亲水性的有机溶剂于所述边缘区的所述光刻胶层上；以及，采用去边工艺去除所述边缘区上的所述光刻胶层和所述有机溶剂。本发明的去除光刻胶残留的方法使得晶圆的边缘区上的光刻胶层被完全去除，进而避免光刻胶残留而影响后续工艺。
本发明一实施例提供一种半导体器件的制造方法，包括：
步骤S21、采用本发明提供的所述去除光刻胶残留的方法，去除一覆盖有光刻胶层的晶圆的边缘区上的光刻胶层，并在所述晶圆的中间区上形成图案化的光刻胶层；
步骤S22、以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述晶圆的中间区进行刻蚀，以将所述图案化的光刻胶层中的图案转移到所述晶圆的中间区上。
下面对所述半导体器件的制造方法进行详细说明：
按照步骤S21，采用本发明提供的所述去除光刻胶残留的方法，去除一覆盖有光刻胶层的晶圆的边缘区上的光刻胶层，并在所述晶圆的中间区上形成图案化的光刻胶层。所述中间区为功能区，即用于器件制造的有效区域；所述边缘区为非功能区，即用于器件制造的无效区域。从上述步骤S11的描述，仅位于所述中间区上的所述光刻胶层为有效区域，用于对所述晶圆的中间区的膜层结构(未图示)进行光刻和刻蚀，以得到所需的膜层结构。而位于所述边缘区上的所述光刻胶层为无效区域(即不用于形成所述膜层结构)，且所述边缘区上的所述光刻胶层会影响后续的工艺，因此，需要将所述边缘区上的所述光刻胶层去除。
根据上述步骤S12至步骤S13的描述，通过至少在所述边缘区的所述光刻胶层上涂覆亲水性的有机溶剂，使得所述光刻胶层的亲水性增大，进而使得所述边缘区上的所述光刻胶层能够被尽可能多地去除，由此使得去边工艺后的边缘区上没有光刻胶残留或者仅具有较少的光刻胶残留。若检测到所述边缘区上有光刻胶残留，则继续采用高曝光剂量的边缘曝光工艺对所述边缘区进行边缘曝光和显影，以去除所述边缘区上残留的光刻胶，进而避免光刻胶残留而影响后续工艺，从而使得产品的良率得到提高。否则，残留的光刻胶在后续工艺中经过高温烘烤后会脱落，成为颗粒异物而污染所述晶圆上的膜层结构，从而导致产品不良。
在去除所述边缘区上的所述光刻胶层的过程中，可以同时对所述中间区上的所述光刻胶层进行曝光和显影，进而在所述晶圆的中间区上形成图案化的光刻胶层。
按照步骤S22，以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述晶圆的中间区进行刻蚀，以将所述图案化的光刻胶层中的图案转移到所述晶圆的中间区上，进而得到所需的晶圆上的膜层结构，例如金属互连层等。
综上所述，本发明提供的半导体器件的制造方法，包括：采用本发明提供的所述去除光刻胶残留的方法，去除一覆盖有光刻胶层的晶圆的边缘区上的光刻胶层，并在所述晶圆的中间区上形成图案化的光刻胶层；以及，以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述晶圆的中间区进行刻蚀，以将所述图案化的光刻胶层中的图案转移到所述晶圆的中间区上。本发明的半导体器件的制造方法避免了边缘区上大量的光刻胶残留而影响后续工艺的问题，使得产品的良率得到提高。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (10)

1.一种去除光刻胶残留的方法，用于去除某光刻工艺下的晶圆边缘残留的光刻胶，其特征在于，所述去除光刻胶残留的方法包括：
提供一晶圆，所述晶圆具有中间区和包围所述中间区的边缘区，所述晶圆的中间区和边缘区上形成有光刻胶层，所述边缘区相对所述中间区呈台阶状；
至少涂覆亲水性的有机溶剂于所述边缘区的所述光刻胶层上；以及，
采用去边工艺冲洗去除所述边缘区的台阶的阶顶上的所述光刻胶层和所述有机溶剂，所述阶顶上的所述光刻胶层的厚度大于10μm，且从所述阶顶上去除的部分所述光刻胶层被冲洗堆积在所述边缘区的台阶的侧壁和阶底的夹角处；
采用边缘曝光工艺对所述边缘区进行边缘曝光和显影，以去除所述边缘区的台阶的侧壁和阶底的夹角处的光刻胶。
2.如权利要求1所述的去除光刻胶残留的方法，其特征在于，采用去边工艺去除所述边缘区上的所述光刻胶层和所述有机溶剂的步骤包括：采用化学去边方法，对所述边缘区上的所述光刻胶层和所述有机溶剂进行冲洗，冲洗的方向与所述晶圆表面之间的夹角小于45°。
3.如权利要求1所述的去除光刻胶残留的方法，其特征在于，采用曝光剂量不低于1000mW/cm2的边缘曝光工艺对所述边缘区进行边缘曝光和显影。
4.如权利要求1所述的去除光刻胶残留的方法，其特征在于，采用所述边缘曝光工艺去除所述边缘区上的光刻胶残留的步骤包括：先采用边缘传感器定位所述边缘区上的光刻胶残留的所在区域，再对定位到的所述边缘区上的所述光刻胶残留的所在区域进行激光曝光。
5.如权利要求1所述的去除光刻胶残留的方法，其特征在于，在采用去边工艺之后且在采用所述边缘曝光工艺之前，还检测所述去边工艺后的所述边缘区上的光刻胶残留的情况，当所述边缘区上的光刻胶残留超出规格要求时，执行所述边缘曝光工艺。
6.如权利要求3至5中任一项所述的去除光刻胶残留的方法，其特征在于，在采用所述边缘曝光工艺对所述边缘区上的所述光刻胶层进行边缘曝光之后以及显影之前，对所述中间区上的所述光刻胶层进行曝光、前烘和显影。
7.如权利要求5所述的去除光刻胶残留的方法，其特征在于，当所述边缘区上的光刻胶残留超出规格要求时，在采用所述边缘曝光工艺对所述边缘区上的所述光刻胶层进行边缘曝光之前，对所述中间区上的所述光刻胶层和所述边缘区上的所述光刻胶残留进行软烘烤。
8.如权利要求3至5中任一项所述的去除光刻胶残留的方法，其特征在于，所述边缘曝光工艺的曝光剂量为1800mW/cm2～2400mW/cm2。
9.如权利要求1所述的去除光刻胶残留的方法，其特征在于，所述有机溶剂的材质包括亲水性的抗反射材料。
10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：采用权利要求1至9中任一项所述的去除光刻胶残留的方法，去除一覆盖有光刻胶层的晶圆的边缘区上的光刻胶层，并在所述晶圆的中间区上形成图案化的光刻胶层；以及，
以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述晶圆的中间区进行刻蚀，以将所述图案化的光刻胶层中的图案转移到所述晶圆的中间区上。
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