CN105324845A - 具有led芯片的led模块 - Google Patents
具有led芯片的led模块 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105324845A CN105324845A CN201480035415.0A CN201480035415A CN105324845A CN 105324845 A CN105324845 A CN 105324845A CN 201480035415 A CN201480035415 A CN 201480035415A CN 105324845 A CN105324845 A CN 105324845A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led chip
- led
- emitting surface
- light
- gravity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 122
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 51
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 15
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 14
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 12
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 11
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- OAMXSIGLYGOOCC-UHFFFAOYSA-N O-trihydroxysilylhydroxylamine Chemical compound NO[Si](O)(O)O OAMXSIGLYGOOCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2113/00—Combination of light sources
- F21Y2113/10—Combination of light sources of different colours
- F21Y2113/13—Combination of light sources of different colours comprising an assembly of point-like light sources
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2113/00—Combination of light sources
- F21Y2113/10—Combination of light sources of different colours
- F21Y2113/13—Combination of light sources of different colours comprising an assembly of point-like light sources
- F21Y2113/17—Combination of light sources of different colours comprising an assembly of point-like light sources forming a single encapsulated light source
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种LED模块(1),所述LED模块具有多个第一颜色的第一LED芯片(2a,c)和多个第二颜色的第二LED芯片(2b),其中第一LED芯片(2a,c)的光放射面(3a,c)总计比第二LED芯片(2b)的总计的光放射面(3b)更大,并且第二LED芯片(2b)设有较小的相应的、然而较大数量的光放射面(3b),以便实现更均匀的分布。
Description
技术领域
本发明涉及一种具有多个第一LED芯片和多个第二LED芯片的LED模块。
背景技术
与传统的白炽灯或者还有荧光灯相比,目前研发的光电子光源的特征例如能够在于改进的能量效率。术语“LED”在本公开的范围中通常涉及发射辐射的、例如由半导电的材料构成的光电子器件、例如涉及有机发光二极管或者优选无机发光二极管。在设计具有多个LED的发光机构、即所谓的LED模块时的挑战,除了例如设定特定的色坐标外,例如也能够在于:实现特定的光密度分布,即优化发射的光的角分布和面分布。
本发明基于如下技术问题:提出一种尤其有利的LED模块。
发明内容
根据本发明,一种具有多个自身未封装的第一LED芯片和多个自身未封装的第二LED芯片的LED模块解决该问题,所述第一LED芯片分别设计用于在相应的光放射面处发射第一颜色的光,所述第二LED芯片设计用于在相应的光放射面上(也仅称为“放射面”)发射与第一颜色不同的第二颜色的光,其中LED芯片共同地设置在一个壳体中并且第二LED芯片的相应的光放射面比第一LED芯片的相应的光放射面小至少25%,由此第一LED芯片的光放射面的总和(“总放射面”)比第二LED芯片的光放射面的总和大至少50%。
因此,在根据本发明的LED模块中,至少设有第一和第二LED芯片,更确切地说,分别以一定数量(分别至少两个、通常显著更多)设置;在此,第一LED芯片在LED模块运行时发射第一颜色的光,并且第二LED芯片发射第二颜色的光。由LED模块整体发射的光是通过混合分别由各个LED芯片发射的光而获得的、具有相应的混合颜色的混合光。
因此,具体而言,第一LED芯片例如能够发射绿色光或者红色光并且第二LED芯片发射蓝色光,并且混合光在这种情况下例如能够获得青绿色或者紫色的混合颜色。这应仅说明在下文中详细阐述的发明思想的一般性;然而一个优选的应用情况涉及白色的混合光。
因此,本发明现在涉及这种LED模块,更确切地说,特别是涉及第二LED芯片的相应的光放射面的尺寸设计,或者说,涉及其在第二LED芯片的总放射面不改变的情况下引起相同的结果而适配调整第二LED芯片的数量。简言之,同样大小的第一和第二LED芯片不像通常那样集成到LED模块中,而是设有相对更小的第二LED芯片,以便能够获得和设置相应更大数量的第二LED芯片。
就此而言,这例如能够提供如下优点:(与具有同样大小的第一和第二LED芯片的参考情况相比)更大数量的第二LED芯片可更均匀地分配到设置面上。通过更大数量的第二LED芯片,在分配时存在更多的自由度;相应地,第二颜色的光能够更均匀地分配到设置面之上,并且与其它(多个)颜色的光的混匀能够被改进。
在总放射面不同的情况下,因此,当第一LED芯片的总放射面比第二LED芯片的总放射面大至少50%、以如下顺序递增优选为至少100%、150%、200%、250%、300%、350%、400%、450%或500%时,根据本发明相对于第一LED芯片“缩小”第二LED芯片是令人感兴趣的。因此,如果第一和第二LED芯片如通常那样设有相同的大小,那么第一LED芯片的数量能是第二芯片的数量的数倍、例如甚至5或者10倍。
即使在白色的混合光的情况下第一LED芯片的总放射面也能够与第二LED芯片的放射面不同的原因能够在于不同颜色的LED芯片的不同的效率。如果例如InGaN-LED设置作为蓝色的第二LED芯片并且具有绿色的发光材料的InGaN-LED设置作为绿色的第一LED芯片,那么对于设定白色的混合光(与红色的第三LED一起)所必需的绿色的第一LED芯片的总放射面比InGaN-LED的总放射面更大。因此,绿色的LED芯片的色坐标在许多情况下例如与蓝色的LED芯片的色坐标相比更靠近混合光的期望的色坐标;简言之,因此必须混入更多的绿色光。
设有绿色的发光材料的InGaN-LED的该实例此外说明:只要在本公开的范围内将“在光放射面处发射的光的颜色”作为参考,这就不必强制性地涉及原本由外延层发射的光;然而颜色说明例如也能够(只要设有的话)与由施加到相应的LED芯片上的发光材料层所发射的光相关。因此,随后发光材料层的与LED芯片相反的一侧是“放射面”,并且发光材料层就此而言是相应的LED芯片的一部分;光在此能够仅仅是由发光材料发射的转换光(全转换)或者是由此与例如由外延层原本发射的光的混合(部分转换)。
为了简单起见,替代于“一种颜色的光”或其混合,也仅谈及LED芯片的颜色或者LED模块的混合颜色或者也进一步简化地仅将“红色的”、“绿色的”或者“蓝色的”LED芯片作为参考。
由于不同的总放射面,在任何情况下虽然可能将大数量的第一芯片设置在设置面上,然而由于仅非常小数量的第二LED芯片(例如也仅一个唯一的第一LED芯片,参见第一实施例)仅在最小范围内实现“交替的”相邻性。首先,第一LED芯片可能(由于其大的数量)彼此相邻地并且例如围绕唯一的第二LED芯片编组。因此,可能由设置面的在任何情况下均非常小的面区域发射第二颜色的光从而为了混匀光而因此必须以在LED下游设置的方式设有相应强散射的散射机构,然而这会提高光损失进而减少效率。
与此相对,通过根据本发明以相应更大的数量设置更小的第二LED芯片,可改进混匀并且例如设有不易引起损失的散射机构或即使在完全没有散射机构的情况下也实现充分的混匀,这提高了模块的能量效率。
第二LED芯片的光放射面因此比第一LED芯片的光放射面小至少25%、以如下顺序递增优选为至少35%、45%、55%、65%、75%、85%或95%。这种关系对于第二LED芯片中的至少两个是满足的、即对于通过较大的LED芯片的假设的“划分”所产生的至少两个第二LED芯片(并且在参考情况下在设计上为一个)是满足的;优选所有的第二LED芯片满足所述关系。
此外,第二LED芯片另一方面分别与至少一个、优选与每个第一LED芯片满足相互关系。尤其优选的是,第一和第二LED芯片在此彼此分别具有相同的大小(并且第一/第二LED芯片的光放射面彼此分别是同样大的)。
因此,除了第一/第二LED芯片之间的大小差异之外,放射面的大小(进而最终芯片大小)尽可能小地改变。其原因是:不同大小的LED芯片会提高生产耗费,例如在装配承载LED芯片的载体板时提高生产耗费;这例如能够是下述情况:不同大的LED芯片不能够借助相同的工具拾取和放置(pickandplace)。因此,原则上就此而言致力于设有尽可能同样大的LED芯片。
与因数量增大而改进的光混匀无关,设定特定数量的一种颜色的LED芯片也能够关于同时对LED支路进行供电的共同的驱动电子装置提供优点,其中所述LED芯片共同地作为“支路”例如以串联连接的方式运行。因此,借助放射面的根据本发明的大小调整,能够将每个支路的串联连接的LED芯片的数量设定为,使得对于每个支路大致存在存在相同的电压降。
然而,通常根据本发明的数量增加显然不受限于该驱动器设计。一种颜色的LED芯片例如也能够并联连接;通过对支路上的并联连接的LED芯片进行数量调整,因此对于各个支路而言能够实现大致相同的电流。驱动电子装置能够与之相对应地对各个支路用大致相同的电流供电,并且于是例如可通过脉宽调制来设定光色。
例如在之前提到的“电压调整”的背景下,本发明就此而言与独立权利要求的特征无关也涉及一种具有多个本身未封装的第一LED芯片和多个本身未封装的第二LED芯片的LED模块,其中所述第一LED芯片分别设计用于在相应的光放射面处发射第一颜色的光,其中所述第二LED芯片分别设计用于在相应的光放射面处发射与第一颜色不同的第二颜色的光,其中LED芯片共同地设置在一个壳体中,并且第二LED芯片的相应的光放射面比第一LED芯片的相应的光放射面小至少25%。因此,在其相应的放射面中被调整的LED芯片的设置也应明确地与第一和第二LED芯片的总放射面的比例无关地被公开,因为总放射面至少大致不改变落在支路上的电压。
然而,其余在本申请的范围中公开的特征、例如关于放射面的大小比例的优选的区间极限、关于多少LED芯片满足相互关系的说明、或者优选的空间设置可能性,也应明确地适用于在之前段落中所提到的(与总放射面无关的)具有大小不同的相应的放射面的实施方式。在上述段落的术语中保持不变的情况下,于是,第二LED芯片例如能够是红色的LED芯片并且第一LED芯片是绿色的LED芯片(并且就此而言针对红色/绿色LED的公开内容的特性也在该上下文中公开)。
通常,在根据本发明的LED模块中共同封装的LED芯片本身未封装,因此,所述LED芯片例如并非之前单独地设置到各一个固有的壳体中并且分别单独地例如以硅酮来囊封;而是代替于此,LED芯片共同地被封装,即例如设置到共同的载体板上、被电连接并且随后用包套材料来包覆、即例如填充、例如用硅酮来填充。“填充”例如也能够通过印刷和喷射进行,其中通过(借助于压力或者无压力的)浇注进行的填充是尤其优选的。LED芯片关于主放射方向优选由一件式的(单片的)包套材料遮盖,所述包套材料尤其优选接触放射面并且必要时也接触LED芯片的侧面(的区域)。
载体板能够提供印制导线,LED芯片与所述印制导线或者经由所述印制导线导电连接,例如借助于键合连接和/或焊接连接。因此,术语“本身未封装”涉及前端生产后的LED芯片,所述LED芯片并非单独地被处理,而是与LED模块的其它LED芯片共同地在后端生产期间被处理(封装)。因此,在根据本发明的LED模块中,被封装的LED不构建为“成品器件”,这在模块制造中会是普遍的方式,因为被封装的LED已经被保护并且能够通过仅焊接连接集成到模块中。与此相应,当前的构建未封装的LED芯片的方法途径需要后端生产的领域中的附加的、模块制造商通常不具有的知识。
然而,术语“未封装”显然不应排除在前端处理期间例如施加到外延层上的层序列的存在;因此,显然在LED芯片上通常设有金属化层和/或钝化层。
优选地,在根据本发明的LED模块中,LED芯片中的至少两个之间的、尤其优选在所有LED芯片之间的设置面的区域设置作为“高反射率”的区域;因此,所述区域能够具有以如下顺序递增的、优选至少为50%、60%、70%、80%、85%或90%的反射率(关于光谱的可见范围)。
相应的反射率例如能够通过施加到设置表面上的或者形成该设置表面的银镜和/或铝镜来设定。此外,设置在LED芯片之间的具有嵌入的颗粒的基体材料例如也能够决定反射率,例如硅酮材料,例如具有嵌入的二氧化钛颗粒。基体材料或通常设置面的提供反射率的覆层优选应伸出LED芯片不超过25%、15%或5%(关于具有最小高度的LED芯片的在主伸展方向所取的高度)、尤其优选其完全不伸出LED芯片。
优选地,LED芯片(与在其间的反射性的区域的设置无关)在设置面上还算“紧密填塞”;因此,两个相邻最近的LED芯片之间的最小间距于是以如下顺序递增优选为不超过5mm、4mm、3mm、2mm或1mm(从边到边)。这分别成对地适用于最近的相邻者、适用于优选至少25%、50%、75%、95%的LED芯片或者所有的LED芯片。
如果在本公开的范围中参考光的传播或混匀,那么这显然不应包括:为了满足主题也必须进行相应的光传播或光混匀,而是仅描述为此而设计的模块。
其它优选的设计方案也在从属权利要求和接下来的描述中得到;在此,还不详细地在不同的类别之间进行解释并且本公开在任何情况下被认为在LED模块和其制造或使用方面是暗含的。
迄今为止,首先详细探讨具有两个颜色的LED芯片的LED模块;通过相应地选择两个颜色可在静态上针对混合光实现特定的色坐标。
然而,为了能够实现色坐标可控的LED模块、即对于其混合光而言色坐标能够通过不同颜色的LED芯片的不同的通电来设定的LED模块,需要另一第三颜色。如在实施例的范围中仍将详细阐述的那样,通过三个颜色例如能够制造白光源,所述白光源的色坐标能够沿着普朗克曲线改变,其中所述三个颜色占混合光的份额可改变。因此,通过通电能够选择性地设定例如暖白色的光(色温<3300K);中性白色的光(色温从3300K至5300K)和日光白光(色温>5300K)(本发明尤其也针对这种应用)。
因此,本发明尤其也涉及一种(除了第一和第二LED芯片还)具有第三LED芯片的LED模块,所述第三LED芯片在相应的光放射面上发射第三颜色的光;第三颜色与第一和第二颜色不同。通常,“不同的颜色”具有不同的色坐标,优选在CIE标准色表中在量值上相隔至少0.05、进一步优选至少0.1的色坐标。
第三LED芯片的相应的光放射面优选大于第二LED芯片的相应的光放射面(优选这适用于所有的第三LED芯片,尤其优选与所有的第二LED芯片交替);“大于”就此而言例如是指:以如下顺序递增优选为比第二LED芯片的相应较小的光放射面大至少10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%或90%。
在一个优选的实施方式中,第三LED芯片(优选每个第三LED芯片)的相应的光放射面同时小于第一LED芯片(优选每个第一LED芯片)的相应的光放射面,更确切地说,小至少10%,以如下顺序递增优选为小至少15%、20%、25%、30%、35%、40%或45%。因此,在这种设计方案中,一个第三LED芯片的光放射面大致为一个第一LED芯片的光放射面的一半大并且大约为第二LED芯片的光放射面的两倍大。
当第一、第二和第三LED芯片由共同的驱动器供电时,具有第一、第二和第三LED芯片的“分级的”光放射面的该实施方式尤其能够是令人感兴趣的(并且在相应的应用方面详尽地公开)。在此,LED芯片能够以划分到例如三个支路上的方式设置,即:能够分别在一个支路上共同地设置多个第一LED芯片、多个第二LED芯片和多个第三LED芯片能够(如通常例如也能够设有第四LED芯片,那么第四或其它的支路显然也是可行的)。
支路能够由驱动器并行地、即同时供电;例如每个支路中的LED芯片串联连接的情况下,在此能够有利的是,对于每个支路存在相同的电压降,因此,每个支路的相应的电压与平均电压(落在各个支路上的电压的平均值)的差别不超过10%或5%。因此,更大的电压差别在其它情况下能够导致提高的损失功率。
通过第三LED芯片的相应的大小调整,对于如下情况可实现落在各个支路上的电压的期望的均匀的分布:第一和第二LED芯片分别以相同的正向电压运行,然而第三LED芯片的正向电压更小。对此一个实例是InGaN-LED,其原本蓝色的光在第二LED芯片的情况下被直接使用并且所述InGaN-LED设有相应的发光材料元件作为第一LED芯片来提供绿色光;红色的第三LED芯片在这种情况下例如能够是InGaAlP-LED,其大约2伏的正向电压小于InGaN-LED的大约3伏的正向电压。
为了使落在具有红色的第三LED芯片的支路上的电压大致对应于落在其它支路上的电压,必须将大致多一半数量的、红色的第三LED芯片串联连接。因为当然不需要相应大份额的红色光,所以第三LED芯片的相应的放射面以之前所描述的方式减小,这基本上不改变落在支路上的电压(落在LED芯片上的电压至少近似与其大小无关)。
在另一优选的实施方式中,第三LED芯片、优选每个第三LED芯片的相应的放射面基本上设置为与第一LED芯片、优选每个第一LED芯片的相应的光放射面一样大。因此,在这种情况下,放射面彼此相差不超过7.5%、5%或者2.5%,由此能够实现之前对于同样大小的LED的这种情况所提到的生产优点。
因此,根据本发明的因“放射面减小”引起的“数量增大”只有在确有必要时才实行;因此,除了所提到的相同大小的LED芯片的优点,原则上也寻求:不设置大小过小的LED芯片。因此,过于精细的划分,除了提高的布线耗费外,也提高了以面积计的LED芯片的成本(每个放射面单位的价格),因为沿着LED芯片的边棱通常保持一定区域在光方面不被使用(锯框)从而光方面的面使用在更大的LED芯片中是更好的。
第三LED芯片的光放射面的总和优选比第二LED芯片的放射面的总和大至少50%(对于第一LED芯片所公开的优选的区间极限也应对第二LED芯片公开);因此,第二LED芯片的总放射面比第一LED芯片的总放射面小并且优选也比第三LED芯片的总放射面小,其中所述第二LED芯片的相应的放射面根据本发明被减小以增大数量。
因此,发明人已经确定:在具有三个颜色的LED芯片的LED模块中为了设定例如白色的混合光通常仅三个颜色中的一个的面份额是明显更小的(参见图4a和所属的描述);“面份额”是相应的总放射面占所有的放射面总和、即“总放射面”的份额。因此也仅针对该颜色实行根据本发明的“数量增大”。
在优选的设计方案中,第一颜色是绿色色调,第二颜色是蓝色色调并且优选设置的第三颜色是红色色调。在此,分别在以如下顺序递增优选为(+/-0.2)、(+/-0.1)或者(+/-0.0.5)的区间之内,“绿色色调”是指在CIE标准比色表中大约0.15的X值和0.06的Y值的色值,并且“红色色调”是指大约0.65的X值和0.33的Y值的色值。
“蓝色色调”能够是在大约0.15的X值和0.06的Y值的相应的区间中的“传统的”蓝色色调;另一方面,也能够将大约0.22的X值和0.25的Y值区间中的青白色设置为蓝色色调。在色坐标可控的LED模块中,青白色色调例如能够由于显色指数与所设定的色温的较小的相关性而是优选的;因此,在传统的蓝色色调中,关于高的色温,显色指数能够急剧下降,这根据照明目的能够是不利的(参见图4b和5以及所属的描述)。
实施例说明:在青白色色调的情况下,LED芯片的面份额虽然能够更大(参见图6a和b与图4a和所属的阐述的相比),然而在任何情况下在色温低于4000K时,该LED芯片的面份额仍总是明显小于具有绿色色调的LED芯片的面份额,其中所述色温在多种应用中是唯一令人感兴趣的或者优先令人感兴趣的。
在具有绿色的第一LED芯片和蓝色的第二LED芯片的LED模块的一个优选的改进方案中,蓝色的LED芯片的数量通过根据本发明进行的放射面减小来提高,使得绿色的LED芯片的数量是不大于4倍、进一步优选不大于3倍或2倍。因此,蓝色的总放射面被划分到大小较小的多个LED芯片上,使得其数量接近绿色的LED芯片的数量从而简化了混匀。
其它优选的设计方案涉及第二LED芯片、例如蓝色的LED芯片的根据本发明在其数量中增大的设置。因此,所述设置优选进行为,使得第二LED芯片距光放射面重心具有相应的间距并且这些相应的间距与作为这些相应的间距的平均值形成的平均间距相差不超过10%、优选不超过5%。
不是所有的第二LED芯片都必须明确地满足该间距条件,而是例如仅至少2个、3个、4个、5个或6个第二LED也能够作为第二LED芯片的子组满足所述条件。在此,也能够设有多个这种分别本身满足间距条件的子组,参见根据图3的实施例。在多个子组的情况下,分别最相邻的子组的平均间距于是(关于分别较小的平均间距)例如能够相差至少50%、75%或100%。
之前参考的“光放射面重心”作为LED模块的所有LED芯片的放射面的面重心形成,更确切地说,在考虑放射面彼此间的间距的情况下。因此,两个放射面之间的间距在确定放射面重心的情况下对“质量”没有贡献,然而引起放射面重心的移动,其类似于杠杆作用。在对称的构造这种优选的情况下,产生放射面重心作为对称点,例如在旋转对称的情况下出自旋转轴线或者作为两个对称轴线的交点,关于所述旋转轴线或者交叉点,LED芯片的设置分别是镜面对称的。
在一个优选的改进方案中,子组的LED芯片(也能够仅提供唯一的这种子组)于是关于环周方向围绕放射面重心基本上等距地设置。因此,关于环周方向最近的相邻者分别与作为顶点的放射面重心具有如下角间距,所述角间距与作为相应的角间距的平均值形成的平均角间距相差不超过10%、优选不超过5%。
如果通常参考LED芯片的间距/角间距,那么这详细地涉及分别相邻的LED芯片的放射面的面重心之间的间距/角间距。
一个优选的实施方式涉及一种LED模块,其中第一光放射面重心(所述第一光放射面重心作为所有第一LED芯片的放射面的面重心在考虑第一LED芯片的相应的放射面彼此间的间距的情况下形成)和第二光放射面重心(所述第二光放射面相应地形成)基本上是重合的和/或其中第一LED芯片距第一放射面重心的平均间距基本上对应于第二LED芯片距第二放射面重心的平均间距。
如果设有第三(或其它)LED芯片,那么优选其第三/其它放射面重心也与第一和第二放射面重心一致。替选地或者优选与之组合地,此外第三/其它LED芯片与第三/其它放射面重心的平均间距也能够基本上对应于第一和第二LED芯片与其相应的放射面重心的平均间距。
通常,第一、第二(或者第三/其它)放射面重心以之前针对全局的放射面重心所描述的方式形成(后者是指,就不具有加注“第一、……”的“放射面重心”而言)。在下面的段落中,出于概览的原因,仅参考第一和第二放射面重心,然而同样的说明也应详尽地对第三和每个其它的放射面重心公开。
第一和第二放射面重心优选“基本上是重合的”,因此,连接这两个放射面重心的连接线应具有不超出LED模块的光放射面布置的、即LED模块的发光区域的沿着连接线的方向所取的扩展的10%、5%、2.5%或1%的长度。此外,(相应所有的)第一和第二LED芯片与相应的第一或第二放射面重心的平均间距应基本上是同样大的,因此,优选与作为平均间距的平均值形成的总平均值相差不超过10%、优选不超过5%。
如开始时就已经提到的那样,由相应的LED芯片发射的光不强制性(仅仅)是例如由其外延层发射的光。一个优选的设计方案涉及如下LED模块,其中在第一LED芯片数量的LED芯片上分别设有仅仅覆盖相应的LED芯片的发光材料层;相应的发光材料层随后形成相应的LED芯片的光放射面。
这种以芯片方式设置的发光材料层在优选的设计方案中(至少)针对第一LED芯片设置、即针对如下LED芯片,所述LED芯片的面份额是最大的;然而逻辑顺序是相反的;因为具有相应的发光材料层的LED芯片的色坐标通常必须最接近所期望的混合光的色坐标并且与之相应地必须混入该LED芯片的许多光,所以其面份额是较大的。
通常借助于以芯片的方式设置的发光材料层提供绿色色调,例如通过转换原本蓝色的光来提供。因此,原本设计用于发射蓝色光的LED芯片能够设有绿色的发光材料层设置作为绿色的LED芯片并且在没有发光材料层的情况下设置作为蓝色的LED芯片。相应的原本蓝色的LED芯片例如能够是InGaN-LED,所述InGaN-LED作为绿色的LED芯片例如覆层有YAG:Ce。
以芯片的方式设置的发光材料层也能够已经在将相应的LED芯片装入到模块中之前就设置在该LED芯片上;另一方面,LED芯片例如也能够在没有相应的发光材料层的情况下设置在载体板上并且例如在以包套材料浇注之前才设有发光材料层。
一个优选的实施方式涉及设置在所有的LED芯片下游设置的“全局的”发光材料元件、优选与设置在LED芯片的一部分上的单独的发光材料层(“局部的”发光材料层)组合,所述实施方式此外也独立于独立权利要求的特征(与第一LED芯片的相应的光放射面的减小无关)视作为本发明并且应以这种形式公开。
全局的发光材料层的特点就此而言在于:其也能够设置在如下LED芯片下游,所述LED芯片的光完全不应被转换;这例如能够在制造方面提供优点,因为随后不是每个第二LED芯片(其光应被转换)都必须分别单独地如之前所描述的那样设有发光材料层。例如可节省或简化工作步骤;这例如能够过度补偿缺点、例如过渡补偿在光产量中的一定损失(即使由第一/第三LED芯片发射的光不由发光材料元件转换时,也能够进行一定散射)。
通常不应排除:通过发光材料元件影响由第一LED芯片(或者只要设有的话由第三LED芯片)发射的光的光谱特性;发光材料元件正好优先地、但不强制性仅转换第二LED芯片的光。因此,发光材料元件、尤其青白色的发光材料元件例如转换第二LED芯片、即优选蓝色的LED芯片的光的至少30%、优选至少40%和进一步优选至少50%;另一方面,发光材料元件、尤其青白色的发光材料元件例如转换第一LED芯片、即尤其绿色的LED芯片的光的至多15%、优选至多10%。
在一个优选的实施方式中,设有全局的发光材料元件结合根据本发明在其相应的面中减小的第二LED芯片,因此,所述全局的发光材料元件用于转换由这些相对小的LED芯片发射的光。小的LED芯片的光放射面也能够大致仅为其余的大的LED芯片的光放射面的1/4,例如相对于1mm2为0.25mm2,并且在生产方面尤其有利的是,小的第一LED芯片不必分别单独地覆层。
在优选的设计方案中,根据本发明的放射面减小涉及蓝色的LED芯片,其尤其优选的青白色色调进一步优选(由于蓝色的LED芯片的小的面)借助全局的发光材料元件设定。因此,由小的InGaN-LED发射的蓝色光例如能够通过短波的石榴石发光材料、例如LuAGaG,或者(次氨基)正硅酸盐发光材料部分地转换,恰好转换为青白色;在此发光材料设置作为全局的发光材料元件。
该实施方式的优点因此一方面是良好的显色特性,即使在高的色温中也是如此,并且另一方面是由于全局的发光材料元件产生的良好的可制造性,也在批量生产时如此。全局的发光材料元件随后由根据本发明在其数量中增大的第二LED芯片相对均匀地照明,并且转换光相应均匀地放射。尤其优选地,于是也能够弃用附加的散射机构。
在发光材料元件的一个优选的设计方案中,该发光材料元件设置作为具有嵌入其中的发光材料颗粒的基体材料;该基体材料包覆模块的所有的LED芯片。因此,发光材料颗粒例如能够提供到硅酮材料中并且LED芯片以该硅酮材料封装。通常,通过基体材料的“包覆”至少涉及覆盖LED芯片的上侧、优选也涉及覆盖其侧面;LED芯片的背侧通常安装在载体板上。
通常需注意的是,“放射面”在本公开的范围中不必强制性地设置作为唯一的放射面,而是LED芯片也能够在其它的面、例如侧面上输出光。此外,该术语如下也能够被理解为:在任何情况下由于LED模块中的封装部,光放射在光放射面处进行;因此,LED芯片原本为了光输出例如能够设置在下侧上,借助于所述下侧,所述LED芯片安装在载体板上,并且向上在放射面处的光输出由于在载体板处的反射才进行(倒装芯片安装)。
在全局的发光材料元件的另一优选的实施方式中,模块的所有的LED芯片借助包覆体包覆并且发光材料元件层状地施加到该包覆体上。通常,包覆体在此例如也能够是之前所描述的、具有嵌入其中的发光材料颗粒的基体材料,因此,层状的全局的发光材料元件与之前所描述的发光材料元件组合;然而,优选地,在包覆体中不嵌入发光材料并且层状的发光材料元件设作为唯一的全局的发光材料元件。
通常,优选能够将“设置在所有LED芯片下游”理解为:至少由每个单独的LED芯片沿着相应的主扩展方向输出的光射到发光材料元件上,所述主扩展方向对于每个LED芯片作为根据功率加权的放射方向的平均值形成;尤其优选的是,所有由LED芯片发射的光射到全局的发光材料元件上。
刚刚描述的“层状的”全局的发光材料元件沿着横向于、优选垂直于LED芯片的主放射方向的面方向具有如下延伸部,所述延伸部与垂直于其的延伸部(沿着高度方向,通常主放射方向沿着所述高度方向取向)相比大数倍、例如至少5倍、10倍或者15倍。
另一个优选的实施方式涉及一种经由填充空气的中间空间与模块的LED芯片间隔开的发光材料元件;LED芯片在此优选以包覆体、例如硅酮材料来包覆,并且填充空气的中间空间位于该包覆体和发光材料元件之间。关于相应的放射面和发光材料元件之间的、在所有的LED芯片上取平均的、分别相应沿着主放射方向所取的间距,填充空气的中间空间(同样在所有的LED芯片上取平均)优选延伸超出该间距的至少10%、进一步优选至少20%、30%、40%或50%。
因为在对于全局的发光材料元件优选的、成为青白色的部分转换中转换度能够是相对小的,所以发光材料元件的经由气隙间隔开的设置是尤其良好可行的;因此,斯托克斯位移是相对小的,即仅经受小的损失功率并且发光材料元件与之相应地不必为了冷却目的而大面积地被束缚。
本发明也涉及在上文中所描述的LED模块的用于通过设定第一LED芯片和第二LED芯片的通电来设定由LED模块整体发射的光的色坐标的应用。一个尤其优选的应用涉及借助在上文中所描述的共同地给如下支路供电的驱动电子装置来设定色坐标,在所述支路中将一个颜色的LED芯片分别串联连接。
附图说明
在下文中,根据实施例详细阐述本发明,其中各个特征也能够在其它的组合中对于本发明是重要的,并且如已经提到的那样,应关于所有的类别是公开的。
详细地示出:
图1示出具有四个根据本发明在其面中减小的从而其数量中增多的LED芯片的第一LED模块;
图2示出具有同样四个根据本发明在其数量中增多的LED芯片的LED模块,
图3示出具有十个根据本发明在其数量中增多的LED芯片的LED模块,
图4a示出LED芯片的通电以在第一色三角的情况下设定色温;
图4b示出与不同的色三角的色温相关的显色性曲线;
图5示出CIE标准色表中的不同的色三角;
图6示出在另外的第二色三角的情况下对于设定相应的色温必要的电流;
图7示出具有全局的发光材料元件的LED模块的示意性的剖视图;
图8示出具有在其大小中分级的第一、第二和第三LED芯片的根据本发明的LED模块。
具体实施方式
图1示出LED模块1的示意简化的俯视图。在该LED模块中,不同的、本身分别未封装的LED芯片2a、b、c共同地被封装,因此设置在载体板4上并且以硅酮材料封装。
第一LED芯片2a设计用于发射绿色色调的光,更确切地说,在其相应的放射面3a处发射。此外,第二LED芯片2b设置用于在其相应的光放射面3b处发射蓝色光并且第三LED芯片3c在其相应的光放射面3c处发射红色光。关于红色的、绿色的和蓝色的光的色坐标的相应的位置参照图5。
在相应的放射面3a、b、c旁边,在俯视图中对于每个LED芯片2a、b、c还示出各一个用于借助于焊线电接触的焊盘5a、b、c;各LED芯片2a、b、c相应的第二接触部设置在背侧,载体板4上的相应的布线出于概览的原因未示出(还有焊线连接部也未示出)。
在放射面3下游、即沿着朝向光传播的方向紧随其后设有未示出的散射机构,所述散射机构将由在空间上分布式地设置在设置面4上的LED芯片2发射的光在一定范围中通过散射混匀;在散射机构下游存在白色的混合光。
为了改进LED模块1的效率,令人感兴趣的是,将散射保持得尽可能小。因此,LED芯片2设置为,使得由于在空间上在设置面4上的分布,在放射面3下游已经进行光混合。
如接下来根据图4a将详细阐述的那样,蓝色的放射面3b的面份额最小。可能仅须设置一个唯一的在其面中对应于绿色的LED芯片2a和红色的LED芯片2c的面的蓝色的LED芯片2b。
然而,根据本发明,设有四个蓝色的LED芯片代替唯一的蓝色的LED芯片2b,即设有面积分别为0.25mm2的四个LED芯片代替面积为1mm2的LED芯片;放射面基本上随着芯片面缩放。因此,蓝色的LED芯片2b的放射面3b的大小仅确定为其余的LED芯片2a、c中的一个的放射面3a、c的大约25%,并且为了补偿设有多个蓝色的LED芯片2b。总放射面相对于具有一个唯一的更大的蓝色的光放射面的参考情况保持不变。
因此,通过详细地在其相应的放射面3b中减小的LED芯片2b以更大的数量设置的方式,这些LED芯片能够更均匀地分布到设置面4上。
蓝色的LED芯片2b相对于放射面重心6基本上等距地设置。例如由于布线的原因,在此能够必要的是,各个LED芯片2b相对于其理论上最佳的位置错开一段。然而,蓝色的LED芯片2b(其放射面3b的面重心)和放射面重心6之间的相应的间距与如下平均值相差小于5%,所述平均值通过在这种情况下为四个的相应间距上取平均得到。
图2示出另一LED模块1,然而其中设有十二个绿色的LED芯片2a和五个红色的LED芯片2c,更确切地说,又连同四个根据本发明在其相应的放射面3b中减小的蓝色的LED芯片2b。也如在图1中的LED模块1中那样,绿色的LED芯片2a是InGaN-LED,在其上分别设有(未示出的)发光材料层,所述发光材料层将原本蓝色的光转换为绿色的光。在红色的LED芯片2c的情况下,在没有进一步的转换的情况下使用由为此设置的InGaAlP-LED原本以红色色调发射的光。
在其数量中增大的蓝色的LED芯片2b相对于放射面重心6又基本上等距地分布;此外,蓝色的LED芯片2b关于环周方向21也基本上等距地分布,因此,分别由两个在环周方向21上相邻的蓝色的LED芯片2b关于放射面重心6展开的角22基本上同样大。
图3示出另一LED模块1,所述另一LED模块具有在这种情况下28个绿色的LED芯片2a(具有绿色的YAG:Ce发光材料的InGaN-LED)、十个蓝色的LED芯片2b(InGaN-LED)以及十二个红色的LED芯片2c(InGaAlP-LED)。蓝色的LED芯片2b根据本发明又分别设有减小的放射面3b和与之相应增大的数量。
十个蓝色的LED芯片2b以如下形式均匀地设置在载体板4上:四个内部的蓝色的LED芯片2b作为第一子组相对于放射面重心6基本上等距地设置;此外该第一子组的LED芯片2b关于环周方向21也基本上等距地分布,因此,该子组的相邻的LED芯片2b之间的角22相应为大致90°。
其余六个蓝色的LED芯片2b关于放射面重心6设置在第一子组外部作为第二子组。外部的子组的平均间距与内部的子组的平均间距相比(关于后者)大近似150%。外部的子组的LED芯片2b相对于面放射重心6也基本上等距地设置。
整体上,能够通过这种设置实现由绿色的、蓝色的和红色的LED芯片2a、b、c发射的不同颜色的光的良好的混匀,因此,对于LED模块1必须与之相应地仅设有弱散射的散射盘(未示出)或者必要时也能够完全弃用这种散射盘。
图4a针对由作为绿色的LED芯片2a的具有发光材料层的InGaN-LED、作为蓝色的LED芯片2b的InGaN-LED和作为红色的LED芯片2c的InGaAlP-LED构成的组合示出:绿色的、蓝色的和红色的LED芯片2a、b、c必须以何种比例(前提是相同的总放射面)通电,以便设定期望的在2700K和6000K之间的相应的色温TC。图表所基于的实例以作为绿色的发光材料的YAG:Ce发光材料和InGaN-LED(所述InGaN-LED部分地设置作为具有发光材料的绿色的LED芯片2b)的460nm的主波长以及InGaAlP-LED的615nm的主波长为基础,并且针对80℃的运行温度执行。
在图4a中随后以相同的最大运行电流Imax归一化的方式,分别、即针对绿色的LED芯片2a、蓝色的LED芯片2b和红色的LED芯片2c示出待设定的运行电流,以实现相应的在x轴上绘制的色温。通过相应的通电或者改变通电,LED模块1的色坐标能够沿着在图6中示出的普朗克曲线移动,因此,可设定不同的白色色调。
显然,LED芯片2a、b、c理论上可能也能够设有相同的总放射面,并且色坐标仅仅通过通电来设定;然而,在这种情况下,例如设有蓝色的LED芯片2b的不必要大的总放射面并且与之相应产生不必要高的成本。
从图4a中也可以看出:甚至在冷白色中、即在6000K的色温中,即当所需要的蓝色光的份额最大时,对于蓝色的LED芯片2b的运行必要的电流总计大致仅为对于绿色的LED芯片2a必要的电流的1/5。与之相应地,蓝色的放射面3b占LED模块的总放射面的份额能够减小,因此(以相同大小的LED芯片为前提)关于五个绿色的LED芯片2a仅须设有一个蓝色的LED芯片2b;这原则上借助根据图1的LED模块1实现,其中所述一个蓝色的LED芯片2b被划分为四个较小的LED芯片2b。
在根据图2的实施方式中,绿色的总放射面与蓝色的总放射面的比例大致为12:1;然而,与之相应地,仅可良好地设定直至大约4000K的色温,然而这对于多个应用是足够的。
图4b针对根据图4a的实施例还示出与色温相关的显色指数CRI;在图表中位于下部的、以“I”表示的图在此描述根据图4a详细阐述的LED组合。该LED组合的缺点是朝向较高的色温明显下降的显色指数CRI。因此,简言之,当设定较高的色温时,被照明的对象的颜色越来越显得不自然。
必要时,通过优化芯片波长和发光材料即使直至大约4000K也可实现在90附近的显色指数;然而这种***需要非常窄的公差范围并且在生产方面与之相应是耗费的。
其原因根据在图5中示出的CIR标准色表中可见。原则上,通过相应地给LED芯片通电,能够设定由绿色色调51a、蓝色色调51b和红色色调51c展开的色三角内部的每个色坐标。特别地,因此能够沿着普朗克曲线52设定不同的白色值;在此,仅普朗克曲线的位于相应的色三角内部的区域是可接近的,由此仅能够设定超过2700K的色温(绿色色调51a和红色色调51c之间的连接线与普朗克曲线52在大约2700K中相交)。
在图5中此外可以看出,在变型形式“I”的蓝色色坐标51b的情况下,普朗克曲线52即使在非常高的色温中也位于色三角外部。当然,即使在仍位于色三角内部的色温中,红色光的份额朝向较高的色温也已经渐趋于零,由此在混合光的光谱组成中缺少红色光份额并且与之相应地使显色性变差。
由于变型形式“I”的蓝色色坐标51b的这个缺点,其中所述蓝色色坐标仅仅通过原本由InGaN-LED发射的蓝色光提供,一个优选的设计方案涉及变型形式“II”/“III”的青白色色调51b。青白色色调通过蓝色的InGaN-光的部分转换沿着朝向绿色色调的方向移动,其中在变型形式“II”的情况下,设有短波的石榴石发光材料、即LuAGaG,并且在变型形式“III”的情况下,设置次氨基正硅酸盐作为绿色的发光材料。在这两种情况下,普朗克曲线的大部分位于相应的色三角内部。普朗克曲线52与之相应地在色温高的情况下也远离绿色色坐标51a和蓝色色坐标51b之间的连接线一段;因此,仍须混入一定份额的红色光,这改进显色性。
改进的显色性也根据在图4b中示出的图表可见;在这两个青白色变型形式“II”和“III”的情况下,显色指数的朝向较高的色温的下降是明显更小的。
图6a和6b类似于图4a说明在变型形式“II”和“III”的情况下对于设定相应的色温TC必要的电流。原则上,由于部分转换,需要较高份额的蓝色光;特别地,在对于多个应用足够的低于4000K的色温中,然而电流仍显著小于绿色的LED芯片2a的电流。因此,蓝色的LED芯片2b的面份额仍明显设定得更小。
图7a至c示出为LED模块1设置全局的发光材料元件的不同的可行性;该全局的发光材料元件用于由小的蓝色的LED芯片2b发射的光的部分转换、即实现青白色色调。发光材料元件全局地设置、即不是单独地施加到蓝色的LED芯片2b上,因为根据本发明小的蓝色的LED芯片2b的个体的覆层可能是过于耗费的。
由于该原因,不能够像针对绿色的LED芯片2a那样设有分别自身的发光材料层71a;在绿色的LED芯片2a的情况下,该以芯片的方式设置的发光材料层71a转换由InGaN-LED发射的蓝色光,并且引起绿色光。
对于青白色色坐标而言,为了转换由蓝色的LED芯片2b提供的光设置有全局的发光材料元件,因此,所述全局的发光材料元件也能够由其余的LED芯片2a、c的光透射。
在图7a中示出的变型形式的情况下,发光材料元件是基体材料72、即硅酮材料,其中嵌入有发光材料颗粒,更确切地说,要么是LuAGaG颗粒(变型形式“II”)要么是次氨基正硅酸盐颗粒(变型形式“III”)。
在根据图7b的实施方式中,LED芯片2a、b、c同样以硅酮材料74来封装,然而在该硅酮材料中不嵌入发光材料颗粒73。替代于此,在硅酮材料74上施加全局的发光材料元件作为发光材料层75;所述全局的发光材料元件又由所有LED芯片2a、b、c的光透射。
在根据图7c的变型形式中,设有经由填充空气的中间区域76与LED芯片2a、b、c间隔开的发光材料元件77(远程荧光)。LED芯片2a、b、c在该变型形式中也嵌入到硅酮材料74中。
此外在图7c中也示出载体板4,在所述载体板上安装有LED芯片2a、b、c;围绕LED芯片2a、b、c的阻挡部78施加到载体板4上,所述阻挡部在制造时侧向地对随后由硅酮材料74填充的腔限界。载体板4的表面79是高反射性的并且在可见光谱范围中具有超过90%的反射率;为此银镜形成设置有LED芯片2a、b、c的表面79。
在类似于图1至3的视图中,图8示出LED模块1的俯视图,在所述LED模块的设置面4上设置有具有相应的放射面3a、b、c的十五个绿色的第一LED芯片2a、十四个蓝色的第二LED芯片2b和十九个红色的第三LED芯片2c。
LED芯片分布在设置面上,使得第一、第二和第三放射面重心81a、b、c几乎一致;在相应成对地观察放射面重心81a、b、c的情况下,相应对的间距小于LED模块1的沿着连接所述对的连接线所取的宽度的1%,确切地说,小于设置面4的装配有LED芯片的区域的宽度的1%。
此外,第一、第二和第三LED芯片2a、b、c距其相应的第一、第二或第三放射面重心81a、b、c的相应的平均间距也几乎同样大;相应的平均间距与由第一、第二和第三平均间距构成的总平均值相差不超过5%。
LED芯片借助共同的驱动器并行地供电。在这种驱动设计中,尤其有利的是,在三个支路(第一、第二和第三LED芯片2a、b、c分别以串联连接的方式组成为各相应的支路)中的每一个上大致落有相同的电压。
对于绿色的第一LED芯片2a和蓝色的第二LED芯片2b分别设有InGaN-LED(在绿色的LED芯片2a具有单独的发光材料覆层的情况下),由此落在每个单独的LED芯片上的电压大致同样大并且大致为3伏。因此,在理想情况下,绿色的和蓝色的LED芯片2a、b以相同的数量设置。然而,对于刚刚所参考的驱动电子装置的运行而言需要供电电压,由此设有附加的绿色的LED芯片2a;落在其上的电压用于给驱动电子装置供电。作为红色的LED芯片2c,设有InGAlP-LED,在所述InGAlP-LED上分别落有仅大约2伏的电压。与之相应地,多个红色的LED芯片2c必须串联连接,以便使落在该支路上的电压接近分别落在其余两个支路上的电压。因此,在该实例中设有19个红色的LED芯片2c,这产生近似38伏的电压;然而,在相对于蓝色的LED芯片2b相同的数量的情况下,可能引起仅28伏的电压,所述电压明显低于蓝色的支路的电压(42伏)。
因此,((关于绿色的LED芯片)以具有相同大的LED芯片的参考情况为出发点)与对于产生期望的混合光所必要的红色的LED芯片相比,设有更多个红色的LED芯片2c。因此,红色的LED芯片2c的相应的放射面3c相对于绿色的LED芯片2a的相应的放射面3a以根据本发明的方式减小。红色的LED芯片2c的相应的放射面3c大致是蓝色的LED芯片2b的相应的放射面3b的两倍大,并且绿色的LED芯片2a的相应的放射面3a又是后者的两倍大从而大致是前者的四倍大。因此,通过第一、第二和第三LED芯片2a、b、c设有大小分别匹配的放射面3、b、c并且与之相应地以分别匹配的(尤其增大)的数量来设置的方式,不仅能够改进光的混匀,而且能够使相应的支路与驱动电子装置相协调。
Claims (15)
1.一种LED模块(1),所述LED模块具有:
多个本身未封装的第一LED芯片(2a,c),所述第一LED芯片分别设计用于在相应的光放射面(3a,c)处发射第一颜色的光,
和多个本身未封装的第二LED芯片(2b),所述第二LED芯片分别设计用于在相应的光放射面(3b)处发射与第一颜色不同的第二颜色的光,
其中这些LED芯片(2a,b,c)共同地设置在壳体中,并且
一个第二LED芯片(2b)的相应的所述光放射面(3b)比一个第一LED芯片(2a,c)的相应的所述光放射面(3a,c)小至少25%,
其中这些第一LED芯片(2a,c)的所述光放射面(3a,c)的总和比这些第二LED芯片(2b)的所述光放射面(3b)的总和大至少50%。
2.根据权利要求1所述的LED模块(1),所述LED模块具有多个本身未封装的第三LED芯片(2c),这些第三LED芯片共同地与其余的所述LED芯片(2a、b)设置在壳体中并且设计用于在相应的光放射面(3c)处发射与第一颜色和第二颜色不同的第三颜色的光,其中优选一个第三LED芯片(2c)的、尤其优选每个第三LED芯片(2c)的相应的所述光放射面(3c)比一个第二LED芯片(2a)的、优选每个第二LED芯片(2a)的相应的所述光放射面(2a)更大。
3.根据权利要求2所述的LED模块(1),其中这些第三LED芯片(2c)的所述光放射面(3c)的总和比所述第二LED芯片(2b)的所述光放射面(3b)的总和大至少50%。
4.根据上述权利要求中任一项所述的LED模块(1),其中所述第一颜色是绿色色调,所述第二颜色是蓝色色调,只要设有第三颜色,那么所述第三颜色是红色色调。
5.根据权利要求4所述的LED模块(1),其中第一LED芯片(2a)的数量不超过第二LED芯片(2b)的数量的3倍。
6.根据上述权利要求中任一项所述的LED模块(1),其中第二LED芯片(2b)分别距光放射面重心(6)具有相应的间距,并且相应的所述间距与作为相应的所述间距的平均值形成的平均间距相差不超过10%,其中所述光放射面重心在考虑所述放射面(3a,b,c)彼此间的间距的情况下作为所有LED芯片(2a,b,c)的放射面的面重心形成。
7.根据权利要求6所述的LED模块(1),其中距所述光放射面重心(6)的间距与作为相应的间距的平均值形成的平均间距相差不超过10%的第二LED芯片(2b),关于围绕所述放射面重心(6)的环周方向(21)基本上等间距地设置。
8.根据上述权利要求中任一项所述的LED模块(1),其中第一光放射面重心(81a)和第二光放射面重心(81b)中的至少一个基本上是重合的,其中所述第一光放射面重心在考虑第一LED芯片(2a)的相应的放射面(3a)彼此间的间距的情况下作为所有第一LED芯片的所述放射面(3a)的面重心形成,其中所述第二光放射面重心在考虑第二LED芯片(2b)的相应的放射面(3b)彼此间的间距的情况下作为所有第二LED芯片的所述放射面(3b)的面重心形成,
并且
所述第一LED芯片(2a)与所述第一放射面重心(81a)的平均间距基本上对应于所述第二LED芯片(2b)与所述第二放射面重心(81b)的平均间距。
9.根据上述权利要求中任一项所述的LED模块(1),其中在所述LED芯片(2a、b、c)的所有的光放射面(3a、b、c)下游设有发光材料元件,然而所述发光材料元件优先用于转换由所述第二LED芯片(2b)发射的光。
10.根据权利要求9所述的LED模块(1),其中所述第二LED芯片(2b)发射具有蓝色色调的光,并且所述发光材料元件具有绿色的发光材料,所述绿色的发光材料部分地转换所述具有蓝色色调的光。
11.根据权利要求10所述的LED模块(1),其中所述第二LED芯片(2b)是InGaN-LED,并且所述绿色的发光材料是石榴石发光材料和正硅酸盐发光材料中的一种。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的LED模块(1),其中所述发光材料元件是具有其中嵌入有发光材料颗粒(73)的基体材料(72),并且所述基体材料(72)包覆所述LED模块(1)的所有的LED芯片(2a、b、c)。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的LED模块(1),其中所述LED模块(1)的所有的LED芯片(2a、b、c)由包覆体(74)包覆,并且所述发光材料元件(75)层状地位于所述包覆体(74)上。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的LED模块(1),其中所述发光材料元件(77)经由填充有空气的中间空间(76)与所述LED芯片(2a、b、c)间隔开地设置,优选与包覆体(74)间隔开地设置,借助所述包覆体包覆所述LED模块(1)的所有的LED芯片(2a、b、c)。
15.一种根据上述权利要求中任一项所述的LED模块(1)的应用,以用于通过设定所述第一LED芯片(2a)和所述第二LED芯片(2b)的通电来设定由所述LED模块(1)整体发射的光的色坐标。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013211525.3 | 2013-06-19 | ||
DE201310211525 DE102013211525A1 (de) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | LED-Modul mit LED-Chips |
PCT/EP2014/062257 WO2014202461A1 (de) | 2013-06-19 | 2014-06-12 | Led-modul mit led-chips |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105324845A true CN105324845A (zh) | 2016-02-10 |
Family
ID=51059419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480035415.0A Pending CN105324845A (zh) | 2013-06-19 | 2014-06-12 | 具有led芯片的led模块 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9653436B2 (zh) |
CN (1) | CN105324845A (zh) |
DE (1) | DE102013211525A1 (zh) |
WO (1) | WO2014202461A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110291632A (zh) * | 2017-02-09 | 2019-09-27 | 欧司朗光电半导体有限公司 | Led单元 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160063514A (ko) * | 2014-11-26 | 2016-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 표시장치 |
JP2018032501A (ja) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び、照明装置 |
JP2018037171A (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び、照明装置 |
JP6823800B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2021-02-03 | 東芝ライテック株式会社 | 発光モジュールおよび照明装置 |
DE102017121575A1 (de) * | 2017-04-10 | 2018-10-11 | Osram Gmbh | Lichtemittierende baugruppe und verfahren zum betreiben einer lichtemittierenden baugruppe |
US10964851B2 (en) * | 2017-08-30 | 2021-03-30 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Single light emitting diode (LED) structure |
US10900839B2 (en) | 2019-05-06 | 2021-01-26 | Behr Process Corporation | Systems and methods for illuminating paint color chip locations within a display assembly |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110233565A1 (en) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Hybrid combination of substrate and carrier mounted light emitting devices |
CN102217065A (zh) * | 2008-11-13 | 2011-10-12 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子半导体器件 |
US20110305021A1 (en) * | 2010-06-15 | 2011-12-15 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting device with different illumination parameters at different regions of an emitter array |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1794640B1 (en) * | 2004-09-24 | 2014-02-26 | Koninklijke Philips N.V. | Illumination system |
JP4935004B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2012-05-23 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
TWI557875B (zh) * | 2010-07-19 | 2016-11-11 | 晶元光電股份有限公司 | 多維度發光裝置 |
JP2014503117A (ja) * | 2010-12-29 | 2014-02-06 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 広帯域出力及び制御可能な色を有する遠隔蛍光体ledデバイス |
-
2013
- 2013-06-19 DE DE201310211525 patent/DE102013211525A1/de not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-06-12 US US14/899,163 patent/US9653436B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-12 CN CN201480035415.0A patent/CN105324845A/zh active Pending
- 2014-06-12 WO PCT/EP2014/062257 patent/WO2014202461A1/de active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102217065A (zh) * | 2008-11-13 | 2011-10-12 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子半导体器件 |
US20110233565A1 (en) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Hybrid combination of substrate and carrier mounted light emitting devices |
US20110305021A1 (en) * | 2010-06-15 | 2011-12-15 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting device with different illumination parameters at different regions of an emitter array |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110291632A (zh) * | 2017-02-09 | 2019-09-27 | 欧司朗光电半导体有限公司 | Led单元 |
CN110291632B (zh) * | 2017-02-09 | 2024-03-01 | 欧司朗光电半导体有限公司 | Led单元 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160133612A1 (en) | 2016-05-12 |
DE102013211525A1 (de) | 2014-12-24 |
WO2014202461A1 (de) | 2014-12-24 |
US9653436B2 (en) | 2017-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105324845A (zh) | 具有led芯片的led模块 | |
EP1815534B1 (en) | Composite LED modules | |
US9341318B2 (en) | Lighting device and light source device | |
CN102687294B (zh) | 包括多个发光器的固态发光器封装 | |
CN102667320B (zh) | 具有限定的光谱能量分布的照明装置 | |
US9611985B2 (en) | Light emitting device, lighting device | |
CN102932986B (zh) | 使用开关的led灯的色温调节 | |
EP2334147B1 (en) | Illumination device | |
CN108352436A (zh) | 固态发光器件和方法 | |
WO2011132716A1 (ja) | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 | |
CN106133909B (zh) | 发出混合光的led模块及其制造方法,以及照明装置 | |
CN103828487A (zh) | 具有可选择和/或可调节色点的半导体发光器件以及相关方法 | |
CN106662308A (zh) | 灯具 | |
US20140268737A1 (en) | Direct view optical arrangement | |
KR20130079541A (ko) | 멀티칩 발광 다이오드 디바이스들 | |
CN104396036A (zh) | 光发射器封装、***、以及方法 | |
JP6759556B2 (ja) | 照明装置 | |
JP2009065137A (ja) | 発光装置 | |
CN102760819A (zh) | 发光装置及包括这种发光装置的照明设备 | |
US9013097B2 (en) | Light-emitting module, lighting device, and lighting fixture | |
JP2017017059A (ja) | 照明用光源及び照明装置 | |
US9857042B2 (en) | Light source module and lighting device having same | |
CN109904300A (zh) | 一种车灯光源器件和车灯模组 | |
EP2348244A2 (en) | Light-emitting unit and illumination fixture using the same | |
US20130271974A1 (en) | Light-emitting diode module with a first component and a second component and method for the production thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
AD01 | Patent right deemed abandoned |
Effective date of abandoning: 20181109 |
|
AD01 | Patent right deemed abandoned |