CN110262197B - 一种黑色光阻衬底雾状的清洗方法 - Google Patents

一种黑色光阻衬底雾状的清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110262197B
CN110262197B CN201910406978.0A CN201910406978A CN110262197B CN 110262197 B CN110262197 B CN 110262197B CN 201910406978 A CN201910406978 A CN 201910406978A CN 110262197 B CN110262197 B CN 110262197B
Authority
CN
China
Prior art keywords
black
substrate
layer
substrate layer
light resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910406978.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110262197A (zh
Inventor
李思拥
郑运松
曾一鑫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Truly Opto Electronics Ltd
Original Assignee
Truly Opto Electronics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Truly Opto Electronics Ltd filed Critical Truly Opto Electronics Ltd
Priority to CN201910406978.0A priority Critical patent/CN110262197B/zh
Publication of CN110262197A publication Critical patent/CN110262197A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110262197B publication Critical patent/CN110262197B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种黑色光阻衬底雾状的清洗方法，步骤如下：提供一黑色光阻衬底，所述黑色光阻衬底包括衬底层和形成于所述衬底层上的黑色光阻图案层，所述黑色光阻图案层具有镂空区域和光阻区域，制作所述黑色光阻图案层的黑色光阻材料中含有碳黑；采用流体对所述衬底层在所述镂空区域中的露出部分进行冲洗，其中，所述流体对所述衬底层上残留的碳黑的剥离力大于所述碳黑对所述衬底层的附着力。该清洗方法可以有效地对黑色光阻衬底的雾状现象进行改善。

Description

一种黑色光阻衬底雾状的清洗方法
技术领域
本发明涉及衬底清洗技术，尤其涉及一种黑色光阻衬底雾状的清洗方法。
背景技术
黑色光阻是一种用于制作遮光图案的光阻材料，经常被使用于光电产品中，比如显示屏的黑色矩阵、镜头的黑色遮光环等，也经常被使用于光刻工艺中对电路层或其他功能层进行选择性刻蚀，以制作所需的电路图案层或其他功能图案层，比如芯片的电路、显示屏的TFT等。
如图1所示，黑色光阻衬底包括衬底层1和形成于所述衬底层1上的黑色光阻图案层2，其制作步骤为：先在所述衬底层1上涂布黑色光阻材料，然后对所述黑色光阻材料进行预烘烤形成黑色光阻层，接着对所述黑色光阻层进行曝光显影形成所述黑色光阻图案层2。其中所述黑色光阻层中已曝光而去除的区域形成所述黑色光阻图案层2的镂空区域21，所述黑色光阻层中未曝光而留下的区域形成所述黑色光阻图案层2的光阻区域22。
所述衬底层1在所述镂空区域21中的露出部分会存在雾状现象。现有技术中，技术人员认为雾状现象的产生原因是：在对所述黑色光阻层进行曝光显影形成所述黑色光阻图案层2后，显影液未能及时清除而对所述衬底层1在所述镂空区域21中的露出部分造成腐蚀，致使所述衬底层1在该露出部分的表面凹凸不平，进而对光线产生漫反射。因此，在现有技术中，技术人员一般通过缩短曝光显影的时间，或者，改用对所述衬底层1腐蚀力较低的显影液来改善雾状现象，但是，雾状现象的改善效果却一直很不理想。
本案发明人创造性地发现：雾状现象的产生原因并非是显影液对所述衬底层1腐蚀所致，而是所述黑色光阻材料中含有碳黑23，所述碳黑23对所述衬底层1的附着力较大，在曝光显影并进行清洗后，所述衬底层1在所述镂空区域21中的露出部分的表面上残留有碳黑23，残留的碳黑23导致了雾状现象。
发明内容
为了解决上述现有技术的不足，本发明提供一种黑色光阻衬底雾状的清洗方法，可以有效地对黑色光阻衬底的雾状现象进行改善。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
一种黑色光阻衬底雾状的清洗方法，步骤如下：
提供一黑色光阻衬底，所述黑色光阻衬底包括衬底层和形成于所述衬底层上的黑色光阻图案层，所述黑色光阻图案层具有镂空区域和光阻区域，制作所述黑色光阻图案层的黑色光阻材料中含有碳黑；
采用流体对所述衬底层在所述镂空区域中的露出部分进行冲洗，其中，所述流体对所述衬底层上残留的碳黑的剥离力大于所述碳黑对所述衬底层的附着力。
进一步地，所述流体为液体或气体。
进一步地，所述流体为高压或超高压。
进一步地，所述流体的压强为70Mpa-150Mpa。
进一步地，所述黑色光阻衬底的制作步骤为：先在所述衬底层上涂布所述黑色光阻材料，然后对所述黑色光阻材料进行预烘烤形成黑色光阻层，接着对所述黑色光阻层进行曝光显影形成所述黑色光阻图案层。
进一步地，所述黑色光阻图案层的镂空区域对应于所述黑色光阻层中已曝光而去除的区域，所述黑色光阻图案层的光阻区域对应于所述黑色光阻层中未曝光而留下的区域。
进一步地，在采用流体对所述衬底层在所述镂空区域中的露出部分进行冲洗之后，还包括：
检测所述衬底层上残留的碳黑是否已冲洗干净。
进一步地，检测所述衬底层上残留的碳黑是否已冲洗干净的步骤如下：
对所述衬底层在所述镂空区域中的露出部分进行局部擦拭；
判断所述衬底层的擦拭处和未擦拭处之间是否存在颜色断层；
若不存在颜色断层，则所述衬底层上残留的碳黑已冲洗干净。
进一步地，判断是否存在颜色断层在黑背景和2000照度的条件下进行。
进一步地，检测所述衬底层上残留的碳黑是否已冲洗干净的步骤如下：
对所述衬底层在所述镂空区域中的露出部分进行擦拭；
在所述衬底层露出的部分内制作无机非金属氧化物透明层；
判断所述衬底层露出的部分是否存在色差；
若不存在色差，则所述衬底层上残留的碳黑已冲洗干净。
本发明具有如下有益效果：该清洗方法基于所述黑色光阻衬底的雾状现象是由黑色光阻材料中的碳黑残留导致的这一创造性发现，采用高压或超高压流体对所述衬底层上残留的碳黑进行冲洗，可以有效地对所述黑色光阻衬底的雾状现象进行改善。
附图说明
图1为现有的黑色光阻衬底的示意图；
图2为本发明提供的黑色光阻衬底雾状的清洗方法的步骤框图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
如图2所示，一种黑色光阻衬底雾状的清洗方法，步骤如下：
S101：提供如图1所示的一黑色光阻衬底，所述黑色光阻衬底包括衬底层1和形成于所述衬底层1上的黑色光阻图案层2，所述黑色光阻图案层2具有镂空区域21和光阻区域22，制作所述黑色光阻图案层2的黑色光阻材料中含有碳黑23；
所述黑色光阻衬底的制作步骤为：先在所述衬底层1上涂布黑色光阻材料，然后对所述黑色光阻材料进行预烘烤形成黑色光阻层，接着对所述黑色光阻层进行曝光显影形成所述黑色光阻图案层2。其中所述黑色光阻图案层2的镂空区域21对应于所述黑色光阻层中已曝光而去除的区域，所述黑色光阻图案层2的光阻区域22对应于所述黑色光阻层中未曝光而留下的区域；光线可透过所述镂空区域21，而无法透过所述光阻区域22。
其中，所述衬底层1在所述镂空区域21中的露出部分会存在雾状现象。现有技术中，技术人员认为雾状现象的产生原因是：在对所述黑色光阻层进行曝光显影形成所述黑色光阻图案层2后，显影液未能及时清除而对所述衬底层1在所述镂空区域21中的露出部分造成腐蚀，致使所述衬底层1在该露出部分的表面凹凸不平，进而对光线产生漫反射。因此，在现有技术中，技术人员一般通过缩短曝光显影的时间，或者，改用对所述衬底层1腐蚀力较低的显影液来改善雾状现象，但是，雾状现象的改善效果却一直很不理想。
本案发明人创造性地发现：雾状现象的产生原因并非是显影液对所述衬底层1腐蚀所致，而是所述黑色光阻材料中含有碳黑23，所述碳黑23对所述衬底层1的附着力较大，在曝光显影并进行清洗后，所述衬底层1在所述镂空区域21中的露出部分的表面上残留有碳黑23，残留的碳黑23导致了雾状现象。
所述衬底层1依据不同的产品而有所不同，可以为玻璃基板、彩色滤光片、硅晶圆或光学透镜等。
S102：采用流体对所述衬底层1在所述镂空区域21中的露出部分进行冲洗，其中，所述流体对所述衬底层1上残留的碳黑23的剥离力大于所述碳黑23对所述衬底层1的附着力；
优选地，在该步骤S102中，所述流体为液体或气体，具有压强为70Mpa-150Mpa之间的高压或超高压。
在采用流体对所述衬底层1在所述镂空区域21中的露出部分进行冲洗之后，还包括：
S103：检测所述衬底层1上残留的碳黑23是否已冲洗干净。
在一实施例中，检测所述衬底层1上残留的碳黑23是否已冲洗干净的步骤如下：
采用无尘布对所述衬底层1在所述镂空区域21中的露出部分进行局部擦拭，来回擦拭两次左右；
在黑背景和2000照度左右的条件下，通过肉眼观察并判断所述衬底层1的擦拭处和未擦拭处之间是否存在颜色断层；
若不存在颜色断层，则所述衬底层1上残留的碳黑23已冲洗干净。
在另一实施例中，检测所述衬底层1上残留的碳黑23是否已冲洗干净的步骤如下：
采用毛刷对所述衬底层1在所述镂空区域21中的露出部分进行擦拭；
在所述衬底层1露出的部分内制作无机非金属氧化物透明层，所述无机非金属氧化物透明层可以但不限于为SiO2层；
通过肉眼观察并判断所述衬底层1露出的部分是否存在色差；
若不存在色差，则所述衬底层1上残留的碳黑23已冲洗干净。
当然，上述两种检测方法也可同时使用，以检测所述衬底层1上残留的碳黑23是否冲洗干净。
该清洗方法基于所述黑色光阻衬底的雾状现象是由黑色光阻材料中的碳黑23残留导致的这一创造性发现，采用高压或超高压流体对所述衬底层1上残留的碳黑23进行冲洗，可以有效地对所述黑色光阻衬底的雾状现象进行改善。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种黑色光阻衬底雾状的清洗方法，其特征在于，步骤如下：
提供一黑色光阻衬底，所述黑色光阻衬底包括衬底层和形成于所述衬底层上的黑色光阻图案层，所述黑色光阻图案层具有镂空区域和光阻区域，制作所述黑色光阻图案层的黑色光阻材料中含有碳黑；
采用流体对所述衬底层在所述镂空区域中的露出部分进行冲洗，其中，所述流体对所述衬底层上残留的碳黑的剥离力大于所述碳黑对所述衬底层的附着力；
所述流体为高压或超高压，压强为70Mpa-150Mpa。
2.根据权利要求1所述的黑色光阻衬底雾状的清洗方法，其特征在于，所述流体为液体或气体。
3.根据权利要求1所述的黑色光阻衬底雾状的清洗方法，其特征在于，所述黑色光阻衬底的制作步骤为：先在所述衬底层上涂布所述黑色光阻材料，然后对所述黑色光阻材料进行预烘烤形成黑色光阻层，接着对所述黑色光阻层进行曝光显影形成所述黑色光阻图案层。
4.根据权利要求3所述的黑色光阻衬底雾状的清洗方法，其特征在于，所述黑色光阻图案层的镂空区域对应于所述黑色光阻层中已曝光而去除的区域，所述黑色光阻图案层的光阻区域对应于所述黑色光阻层中未曝光而留下的区域。
5.根据权利要求1所述的黑色光阻衬底雾状的清洗方法，其特征在于，在采用流体对所述衬底层在所述镂空区域中的露出部分进行冲洗之后，还包括：
检测所述衬底层上残留的碳黑是否已冲洗干净。
6.根据权利要求5所述的黑色光阻衬底雾状的清洗方法，其特征在于，检测所述衬底层上残留的碳黑是否已冲洗干净的步骤如下：
对所述衬底层在所述镂空区域中的露出部分进行局部擦拭；
判断所述衬底层的擦拭处和未擦拭处之间是否存在颜色断层；
若不存在颜色断层，则所述衬底层上残留的碳黑已冲洗干净。
7.根据权利要求6所述的黑色光阻衬底雾状的清洗方法，其特征在于，判断是否存在颜色断层在黑背景和2000照度的条件下进行。
8.根据权利要求5-7中任一所述的黑色光阻衬底雾状的清洗方法，其特征在于，检测所述衬底层上残留的碳黑是否已冲洗干净的步骤如下：
对所述衬底层在所述镂空区域中的露出部分进行擦拭；
在所述衬底层露出的部分内制作无机非金属氧化物透明层；
判断所述衬底层露出的部分是否存在色差；
若不存在色差，则所述衬底层上残留的碳黑已冲洗干净。
CN201910406978.0A 2019-05-15 2019-05-15 一种黑色光阻衬底雾状的清洗方法 Active CN110262197B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910406978.0A CN110262197B (zh) 2019-05-15 2019-05-15 一种黑色光阻衬底雾状的清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910406978.0A CN110262197B (zh) 2019-05-15 2019-05-15 一种黑色光阻衬底雾状的清洗方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110262197A CN110262197A (zh) 2019-09-20
CN110262197B true CN110262197B (zh) 2023-03-10

Family

ID=67913261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910406978.0A Active CN110262197B (zh) 2019-05-15 2019-05-15 一种黑色光阻衬底雾状的清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110262197B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW446856B (en) * 1999-04-01 2001-07-21 United Microelectronics Corp A cleaning method of removing exposed photo-resists on a semiconductor wafer
CN1892436A (zh) * 2005-06-30 2007-01-10 台湾积体电路制造股份有限公司 浸润式光刻的方法及其处理***
CN101055849A (zh) * 2006-04-12 2007-10-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 去除光阻残留的清洗方法以及铜制程的双镶嵌工艺
CN101071273A (zh) * 2006-05-09 2007-11-14 虹创科技股份有限公司 制造薄膜图案层的方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8053368B2 (en) * 2008-03-26 2011-11-08 International Business Machines Corporation Method for removing residues from a patterned substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW446856B (en) * 1999-04-01 2001-07-21 United Microelectronics Corp A cleaning method of removing exposed photo-resists on a semiconductor wafer
CN1892436A (zh) * 2005-06-30 2007-01-10 台湾积体电路制造股份有限公司 浸润式光刻的方法及其处理***
CN101055849A (zh) * 2006-04-12 2007-10-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 去除光阻残留的清洗方法以及铜制程的双镶嵌工艺
CN101071273A (zh) * 2006-05-09 2007-11-14 虹创科技股份有限公司 制造薄膜图案层的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110262197A (zh) 2019-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100968697B1 (ko) 그레이 톤 마스크 블랭크 및 그레이 톤 마스크의 제조방법
KR102052229B1 (ko) 레티클 열화를 검출하기 위한 반사맵 및 투과맵의 사용
US8657966B2 (en) Combinatorial approach to the development of cleaning formulations for glue removal in semiconductor applications
CN102486604B (zh) 相位移掩模版及其制造方法、雾状缺陷检测方法
CN110262197B (zh) 一种黑色光阻衬底雾状的清洗方法
JP2002162729A (ja) パターン検査方法、パターン検査装置およびマスクの製造方法
JPWO2010016214A1 (ja) ガラス基板再生装置
US9726990B2 (en) Lithography mask repair methods
US6893780B1 (en) Photomask and method for reducing electrostatic discharge on the same with an ESD protection pattern
KR102085058B1 (ko) 유리 재생 처리 방법 및 재생 유리 기판과 그것을 사용한 포토마스크 블랭크와 포토마스크
JP2005107340A (ja) フォトマスク版およびその作成方法
JP2010256686A (ja) カラーフィルタ基板用ガラス基板再生装置及び再生方法
KR20120056925A (ko) 포토마스크의 배면 리페어 방법
JP2012099567A (ja) 洗浄方法および露光装置
TWI418928B (zh) 定義光阻圖案倒線規則之模型，及用以改善光阻圖案倒線之光罩佈局、半導體基板及方法
TW588180B (en) Process for re-providing a useful transparent common electrode in manufacturing a liquid crystal display
CN106597803A (zh) 衰减相移掩膜及其制造方法
JP2010190947A (ja) カラーフィルタ用ガラス基板の再生装置
JP2008028156A (ja) ガラス基板端部のレジスト除去方法
JP2006284217A (ja) カラーフィルタの外観検査方法及び外観検査装置
KR0163528B1 (ko) 마킹용 마스크의 제조방법
JP2007094311A (ja) 露光・現像・洗浄方法および露光・現像・洗浄装置
JP2010210773A (ja) アライメントマークの形成方法
JP2004279615A (ja) リソグラフィ用マスクの製造方法
JP5104605B2 (ja) カラーフィルタ用ガラス基板の再生方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant