CN110214378A - 显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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唐国强
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汪杨鹏
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BOE Technology Group Co Ltd
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Abstract

本公开提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域。该显示面板包括：基板、在基板上的像素结构层和在像素结构层的远离基板的一侧的传感器层。该像素结构层包括多个子像素。该多个子像素中的至少一个子像素被配置为发出第一光。该传感器层包括光电转换器件。该光电转换器件被配置为接收在第一光被外部物体反射后产生的第二光，并将该第二光转换为电信号。本公开有利于实现大屏化乃至全屏化的指纹识别功能。

Description

显示面板及其制造方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着经济和科技的发展，以手机为代表的消费类电子产品快速普及。目前，超高屏占比的产品或者全屏无边框的产品将是未来发展的趋势。AMOLED(Active Matrix OrganicLight Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示屏作为显示领域的前沿技术和高端产品的代表，将面对市场需求趋势带来的技术挑战。此外，例如手机等终端的一个重要功能是指纹识别功能。
发明内容
根据本公开实施例的一个方面，提供了一种显示面板，包括：基板；在所述基板上的像素结构层，所述像素结构层包括多个子像素，所述多个子像素中的至少一个子像素被配置为发出第一光；在所述像素结构层的远离所述基板的一侧的传感器层，所述传感器层包括光电转换器件，所述光电转换器件被配置为接收在所述第一光被外部物体反射后产生的第二光，并将所述第二光转换为电信号。
在一些实施例中，所述像素结构层还包括像素界定层；每个子像素包括功能层，其中，不同子像素的功能层被所述像素界定层间隔开；其中，所述光电转换器件在所述基板上的正投影位于所述像素界定层在所述基板上的正投影的内部。
在一些实施例中，所述子像素包括绿色子像素，其中，所述光电转换器件被设置在与所述绿色子像素的功能层相邻的像素界定层的上方。
在一些实施例中，所述光电转换器件包括有机光电三极管，所述有机光电三极管包括：薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管电连接的有机光电结构。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：在所述传感器层与所述像素结构层之间的封装层。
在一些实施例中，所述薄膜晶体管包括：栅极；覆盖所述栅极的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上的第一有机半导体层；在所述第一有机半导体层上的第一保护层；分别与所述第一有机半导体层连接的源极和漏极，其中，所述源极覆盖在所述第一保护层的一部分和所述第一有机半导体层的一部分上，所述漏极覆盖在所述第一保护层的另一部分和所述第一有机半导体层的另一部分上；在所述封装层与所述栅极之间的第二绝缘层；以及在所述源极、所述漏极和所述第一保护层上的第三绝缘层。
在一些实施例中，所述有机光电结构包括：与所述源极或所述漏极电连接的第一电极层；在所述第一电极层上的有机光电转换层；和在所述有机光电转换层上的第二保护层。
在一些实施例中，所述传感器层还包括触控器件；所述触控器件包括：在所述封装层上方的触控电极层；所述触控电极层包括间隔开的第一触控电极和第二触控电极；其中，所述第一触控电极和所述第二触控电极均与所述栅极处于同层；或者，所述第一触控电极与所述栅极处于同层，所述第二触控电极在所述第一触控电极的上方或下方。
在一些实施例中，所述传感器层还包括触控器件；所述触控器件包括：在所述封装层上方的触控电极层；所述触控电极层包括间隔开的第一触控电极和第二触控电极；其中，所述第一触控电极和所述第二触控电极均与所述源极和所述漏极处于同层；或者，所述第一触控电极与所述源极和所述漏极处于同层，所述第二触控电极在所述第一触控电极的上方或下方。
在一些实施例中，所述触控器件还包括：在所述封装层上的第四绝缘层，所述第四绝缘层与所述第二绝缘层处于同层；在所述第四绝缘层上的第五绝缘层，所述第五绝缘层与所述第一绝缘层处于同层；在所述第五绝缘层上的第二有机半导体层，所述第二有机半导体层与所述第一有机半导体层处于同层；在所述第二有机半导体层上的第三保护层，所述第三保护层与所述第一保护层处于同层；以及覆盖所述第三保护层的第六绝缘层，所述第六绝缘层与所述第三绝缘层处于同层。
根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种显示装置，包括：如前所述的显示面板。
根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种显示面板的制造方法，包括：在基板上形成像素结构层，所述像素结构层包括多个子像素，其中，所述多个子像素中的至少一个子像素被配置为发出第一光；以及在所述像素结构层的远离所述基板的一侧形成传感器层，所述传感器层包括光电转换器件，其中，所述光电转换器件被配置为接收在所述第一光被外部物体反射后产生的第二光，并将所述第二光转换为电信号。
在一些实施例中，所述光电转换器件包括有机光电三极管；所述有机光电三极管包括：薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管电连接的有机光电结构；所述传感器层还包括触控器件；形成所述传感器层的步骤包括：形成所述有机光电三极管的薄膜晶体管和有机光电结构，以及形成所述触控器件。
在一些实施例中，在形成传感器层之前，所述制造方法还包括：在所述像素结构层上形成封装层；其中，所述光电转换器件形成在所述封装层的远离所述像素结构层的一侧。
在一些实施例中，形成所述有机光电三极管的薄膜晶体管的步骤包括：在所述封装层上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成栅极；形成覆盖所述栅极的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一有机半导体层；在所述第一有机半导体层上形成第一保护层；形成分别与所述第一有机半导体层连接的源极和漏极，其中，所述源极覆盖在所述第一保护层的一部分和所述第一有机半导体层的一部分上，所述漏极覆盖在所述第一保护层的另一部分和所述第一有机半导体层的另一部分上；以及在所述源极、所述漏极和所述第一保护层上形成第三绝缘层。
在一些实施例中，形成所述有机光电三极管的有机光电结构的步骤包括：形成与所述源极或所述漏极电连接的第一电极层；在所述第一电极层形成有机光电转换层；和在所述有机光电转换层上形成第二保护层。
在一些实施例中，形成所述触控器件的步骤包括：在所述封装层上方形成触控电极层，所述触控电极层包括间隔开的第一触控电极和第二触控电极；其中，所述第一触控电极和所述第二触控电极均与所述栅极利用同一构图工艺形成；或者，所述第一触控电极与所述栅极利用同一构图工艺形成，所述第二触控电极形成在所述第一触控电极的上方或下方。
在一些实施例中，形成所述触控器件的步骤包括：在所述封装层上方形成触控电极层；所述触控电极层包括间隔开的第一触控电极和第二触控电极；其中，所述第一触控电极和所述第二触控电极均与所述源极和所述漏极利用同一构图工艺形成；或者，所述第一触控电极与所述源极和所述漏极利用同一构图工艺形成，所述第二触控电极形成在所述第一触控电极的上方或下方。
在一些实施例中，形成所述触控器件的步骤还包括：在所述封装层上形成第四绝缘层，所述第四绝缘层与所述第二绝缘层一体形成；在所述第四绝缘层上形成第五绝缘层，所述第五绝缘层与所述第一绝缘层一体形成；在所述第五绝缘层上形成第二有机半导体层，所述第二有机半导体层与所述第一有机半导体层利用同一构图工艺形成；在所述第二有机半导体层上形成第三保护层，所述第三保护层与所述第一保护层利用同一构图工艺形成；以及形成覆盖所述第三保护层的第六绝缘层，所述第六绝缘层与所述第三绝缘层一体形成。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：
图1是示出根据本公开一个实施例的显示面板的截面示意图；
图2是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的截面示意图；
图3是示出根据本公开一个实施例的显示面板的子像素的开口顶视图；
图4是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的截面示意图；
图5是示出根据本公开一个实施例的触控器件的触控电极层的顶视图；
图6是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的截面示意图；
图7是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的截面示意图；
图8是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的截面示意图；
图9是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的截面示意图；
图10是示出根据本公开一个实施例的显示面板的制造方法的流程图；
图11A是示出根据本公开一个实施例的显示面板的制造过程中一个阶段的结构的截面示意图；
图11B是示出根据本公开一个实施例的显示面板的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图；
图12A是示出根据本公开一个实施例的用于显示面板的有机光电三极管的制造过程中一个阶段的结构的截面示意图；
图12B是示出根据本公开一个实施例的用于显示面板的有机光电三极管的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图；
图12C是示出根据本公开一个实施例的用于显示面板的有机光电三极管的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图；
图12D是示出根据本公开一个实施例的用于显示面板的有机光电三极管的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图；
图13A是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的制造过程中一个阶段的结构的截面示意图；
图13B是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图；
图13C是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图；
图14A是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的制造过程中一个阶段的结构的截面示意图；
图14B是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图；
图14C是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的制造过程中另一个阶段的结构的截面示意图。
应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不必须按照实际的比例关系绘制。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本公开中，当描述到特定器件位于第一器件和第二器件之间时，在该特定器件与第一器件或第二器件之间可以存在居间器件，也可以不存在居间器件。当描述到特定器件连接其它器件时，该特定器件可以与所述其它器件直接连接而不具有居间器件，也可以不与所述其它器件直接连接而具有居间器件。
本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
本公开的发明人发现，在AMOLED显示领域，目前已经具有较为成熟的背面局部指纹识别技术。在该技术中，将指纹识别模组集成在显示区域下方，从而在显示面板背面实现指纹识别功能。但是，利用这种技术，只能实现局部的指纹识别功能，而几乎无法实现大屏化的指纹识别功能以及全屏化的指纹识别功能。
鉴于此，本公开的实施例提供了一种显示面板，该显示面板可以在其出光侧实现指纹识别功能。下面结合附图详细描述根据本公开一些实施例的显示面板。
图1是示出根据本公开一个实施例的显示面板的截面示意图。
如图1所示，该显示面板包括基板100、在该基板100上的像素结构层20和在该像素结构层20的远离基板100的一侧的传感器层30。该像素结构层20可以包括多个子像素200。该多个子像素200中的至少一个子像素被配置为发出第一光510。该传感器层30在像素结构层20的上方。该传感器层30包括光电转换器件300。该光电转换器件300被配置为接收在第一光510被外部物体500反射后产生的第二光520，并将该第二光520转换为电信号。
例如，该外部物体500可以包括指纹。光电转换器件300产生的电信号可以被传输到处理电路(图中未示出)中。该处理电路被配置为对该电信号进行信号处理(例如读取和运算处理等)以获得指纹信息。这样在显示面板的出光面实现了指纹识别功能。
至此，提供了根据本公开一些实施例的显示面板。该显示面板包括基板、在基板上的像素结构层和在像素结构层的远离基板的一侧的传感器层。该传感器层包括光电转换器件。该光电转换器件设置在显示面板的出光侧。这样，像素结构层中的子像素发出的第一光被外部物体(例如指纹)反射后产生第二光，而光电转换器件接收该第二光并将该第二光转换为电信号(或者说，根据第二光产生电信号)。在对该电信号进行信号处理后即可得到外部物体的相关信息，例如指纹信息。由于光电转换器件设置在显示面板的出光侧，可以在显示面板中设置较多的光电转换器件，从而有利于实现大屏化乃至全屏化的指纹识别功能。
在一些实施例中，如图1所示，该显示面板还可以包括在传感器层30与像素结构层20之间的封装层400。光电转换器件300设置在封装层400的远离像素结构层20的一侧。例如，光电转换器件300设置在该封装层400上。
在一些实施例中，如图1所示，该显示面板还可以包括在传感器层30的远离基板100的一侧的盖板413。例如该盖板413的材料可以包括玻璃。
图2是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的截面示意图。
在一些实施例中，如图2所示，像素结构层20还可以包括像素界定层225。该像素界定层225具有开口。每个子像素200可以包括功能层232。不同子像素的功能层232被像素界定层225间隔开。该功能层232在像素界定层225的开口中。光电转换器件300在基板100上的正投影位于像素界定层225在基板100上的正投影的内部。光电转换器件300在基板100上的正投影与功能层232在基板100上的正投影不重叠。在该实施例中，将光电转换器件设置在不同子像素之间的不发光的位置。这样既不影响显示面板的显示效果，也有利于使得子像素发出的光被指纹等外部物体反射后进入光电转换器件，从而实现指纹识别功能。
在一些实施例中，子像素200可以包括绿色子像素。光电转换器件300被设置在与该绿色子像素的功能层相邻的像素界定层的上方。例如，在与每个绿色子像素的功能层相邻的像素界定层的上方设置一个光电转换器件300。在该实施例中，通过将光电转换器件设置在绿色子像素旁边的像素界定层的上方，既保证了光电转换器件处于子像素之间不发光的位置，又可以满足指纹成像分辨率的需求，从而在显示面板中实现指纹识别功能。
在一些实施例中，光电转换器件300可以包括有机光电三极管(OrganicPhotoelectric Triode，简称为OPT)。利用有机光电三极管作为光电转换器件，有利于在柔性屏幕中实现大屏化乃至全屏化的指纹识别功能。再者，由于有机光电三极管的柔性比较好，因此其制造过程可以与柔性显示面板的制程兼容。
另外，本领域技术人员可以理解，本公开实施例的光电转换器件并不仅限于有机光电三极管。例如，该光电转换器件可以包括利用无机材料(例如砷化镓)制造的光电转换器件。
在一些实施例中，如图2所示，该有机光电三极管可以包括：薄膜晶体管310和与该薄膜晶体管310电连接的有机光电结构320。该薄膜晶体管310位于封装层400的远离像素结构层20(例如像素结构层的子像素200)的一侧。例如，该薄膜晶体管310在封装层400上。
在一些实施例中，如图2所示，该薄膜晶体管310可以包括栅极311。该栅极311在封装层400上方。例如，该栅极311可以直接在封装层400上。又例如，在封装层400与栅极311之间还可以具有第二绝缘层(后面将描述)。该薄膜晶体管310还可以包括覆盖栅极311的第一绝缘层312。例如，该第一绝缘层312的材料可以包括二氧化硅或氮化硅等。该薄膜晶体管310还可以包括在第一绝缘层310上的第一有机半导体层313。例如，该第一有机半导体层313的材料可以包括：P3HT:PC61BM BHJ(poly(3-hexylthiophene):phenyl-C61-butyricacid methyl ester bulk heterojunction，3-己基取代聚噻吩:(6,6)-苯基C61-丁酸甲酯体异质结)等。该薄膜晶体管310还可以包括分别与第一有机半导体层313连接的源极(可以称为第一源极)314和漏极(可以称为第一漏极)315。这里，在薄膜晶体管中采用有机半导体层，有利于提高显示面板的柔性。
在一些实施例中，如图2所示，薄膜晶体管310还可以包括：在源极314、漏极315和第一有机半导体层313上的第三绝缘层316。
在一些实施例中，如图2所示，有机光电结构320可以包括与源极314或漏极315电连接的第一电极层321。例如，该第一电极层321可以通过第一导电过孔325与漏极315(或源极314)电连接。这里，第一导电过孔325包括穿过第三绝缘层316并露出漏极315或源极314的通孔和在该通孔内的导电材料层(例如金属层)。
在一些实施例中，如图2所示，该有机光电结构320还可以包括在第一电极层321上的有机光电转换层322。例如，该有机光电转换层322的材料可以包括：MEH-PPV:PC61BM BHJ(poly(2-methoxy-5(2'-ethylhexyloxy)phenylenevinylene):phenyl-C61-butyric acidmethyl ester bulk heterojunction，聚甲氧基乙基己氧基对苯撑乙烯:(6,6)-苯基C61-丁酸甲酯体异质结)等。当光照射到有机光电转换层上后，光子可以将其能量传递给有机光电转换层内的电子使得电子运动，从而形成电流。这样实现了有机光电转换层的光电转换功能。在有机光电结构中采用有机光电转换层，有利于提高显示面板的柔性。
在一些实施例中，如图2所示，该有机光电结构320还可以包括在有机光电转换层322上的第二保护层323。例如，该第二保护层323的材料包括感光有机聚合物(例如光刻胶)。这里，第二保护层可以对有机光电转换层起到保护作用。另外，采用感光有机聚合物材料作为第二保护层，可以提高该第二保护层的弯折性能。
在上述有机光电三极管中，当光信号(例如第二光)进入有机光电结构320的有机光电转换层后，该有机光电转换层将该光信号转换为电信号，并将该电信号通过薄膜晶体管310传输到处理电路中。该处理电路对该电信号进行信号处理以获得相关信息(例如指纹信息)。这样在显示面板的出光面即可实现指纹识别功能。
在一些实施例中，如图2所示，基板100可以包括基板层101和在该基板层101上的缓冲层102。子像素200位于该缓冲层102上。例如，该基板层可以包括柔性基板层。例如，该缓冲层的材料包括二氧化硅或氮化硅等。
在一些实施例中，子像素200可以包括驱动晶体管以及与该驱动晶体管电连接的发光器件。
在一些实施例中，如图2所示，该驱动晶体管可以包括在缓冲层102上的半导体层(例如可以称为第三半导体层)213。例如该半导体层213的材料可以包括多晶硅等。该驱动晶体管还可以包括覆盖该半导体层213的第一电介质层221。例如该第一电介质层221的材料可以包括二氧化硅或氮化硅等。该驱动晶体管还可以包括在该第一电介质层221上的控制电极211。例如，该控制电极可以为栅极(可以称为第二栅极)。该驱动晶体管还可以包括覆盖该控制电极211的第二电介质层222。例如该第二电介质层222的材料可以包括二氧化硅或氮化硅等。
在一些实施例中，如图2所示，子像素200还可以包括在第二电介质层222上的电极板层212。该电极板层212和上述控制电极211可以作为电容器的两个电极板。
在一些实施例中，如图2所示，该驱动晶体管还可以包括覆盖电极板层212的第三电介质层223。例如该第三电介质层223的材料可以包括二氧化硅或氮化硅等。该驱动晶体管还可以包括在第三电介质层223上的源极(可以称为第二源极)214和漏极(可以称为第二漏极)215。该源极214通过第二导电过孔216从而与半导体层213电连接。这里，第二导电过孔216穿过第三电介质层223、第二电介质层222和第一电介质层221从而与半导体层213电连接。该第二导电过孔216包括穿过第三电介质层223、第二电介质层222和第一电介质层221的通孔和在该通孔内的导电材料层(例如金属层)。该漏极215通过第三导电过孔217从而与半导体层213电连接。这里，第三导电过孔217穿过第三电介质层223、第二电介质层222和第一电介质层221从而与半导体层213电连接。该第三导电过孔217包括穿过第三电介质层223、第二电介质层222和第一电介质层221的通孔和在该通孔内的导电材料层(例如金属层)。
在一些实施例中，如图2所示，该驱动晶体管还可以包括覆盖源极214和漏极215的平坦化层224。该平坦化层224的材料包括绝缘材料，例如感光有机聚合物。例如，感光有机聚合物可以包括光刻胶等。如图2所示，像素界定层225在平坦化层224上。
在一些实施例中，上述发光器件可以包括在平坦化层224上的第二电极层(例如阳极层)231。该第二电极层231通过第四导电过孔234从而与漏极215(或者源极214)电连接。该第四导电过孔234包括穿过平坦化层224并暴露漏极215(或源极214)的通孔和在该通孔内的导电材料层(例如金属层)。该发光器件还可以包括在像素界定层225的开口中且在第二电极层231上的功能层232。例如，该功能层232可以包括：电子传输层、空穴传输层和发光层等。该发光器件还可以包括在功能层232上的第三电极层(例如阴极层)233。在一些实施例中，如图2所示，封装层400覆盖在该第三电极层233上。
在上述实施例中，在子像素工作期间，驱动晶体管可以向发光器件传输驱动电流，以驱动发光器件发光。例如，该发光器件发出的第一光被外部物体(例如指纹)反射后产生第二光，而光电转换器件接收该第二光并将该第二光转换为电信号。在对该电信号进行信号处理后即可得到外部物体的相关信息，例如指纹信息。
在一些实施例中，如图2所示，显示面板还可以包括覆盖有机光电结构320的第四电介质层324。该第四电介质层324可以包括二氧化硅或氮化硅等。
在一些实施例中，如图2所示，显示面板还可以包括：在第四电介质层324上的的偏光片(polarizer，简称为POL)层412。盖板413在该POL层412上。例如，该POL层可以包括聚乙烯醇(PVA)层、三醋酸纤维素(TAC)层、压敏胶膜(PSA film)、离型膜(Release film)和保护膜(Protective film)等。
图3是示出根据本公开一个实施例的显示面板的子像素的开口顶视图。图3示出了用于第一绿色子像素G1的第一开口2001、用于第二绿色子像素G2的第二开口2002、用于红色子像素R的第三开口2003和用于蓝色子像素B的第四开口2004。这里的开口是指像素界定层225的开口。在该开口中具有相应子像素的功能层。另外，图3还示出了与每个子像素连接的连接件2006以及与相应的连接件2006连接的接触焊盘2007。
如图3所示，光电转换器件300被设置在不同子像素之间的不发光的位置。例如，光电转换器件300被设置在与绿色子像素(例如第一绿色子像素G1和第二绿色子像素G2)的功能层相邻的像素界定层的部分的上方。可以在与每个绿色子像素的功能层相邻的像素界定层的上方设置一个光电转换器件300。这样可以保证光电转换器件处于子像素之间不发光的位置，而且可以满足指纹成像分辨率的需求，从而在显示面板中实现了指纹识别功能。
图4是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的截面示意图。
在一些实施例中，传感器层30还可以包括触控器件600。例如，如图4所示，该触控器件600可以包括在封装层400上方的触控电极层610。
图5是示出根据本公开一个实施例的触控器件的触控电极层的顶视图。例如，如图5所示，该触控电极层610可以包括间隔开的第一触控电极611和第二触控电极612。例如图4中的触控电极层610是以图5中的线A-A’截取的结构的截面图。
在一些实施例中，结合图4和图5所示，第一触控电极611和第二触控电极612均与栅极311处于同层。这样便于显示面板的制造。需要说明的是，“同层”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的。这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
在另一些实施例中，第一触控电极611与栅极311处于同层，第二触控电极612在第一触控电极611的上方或下方(后面将结合附图描述)。第一触控电极611与第二触控电极612被隔离开。
在本公开的一些实施例中，当手指按压屏幕时，第一触控电极和第二触控电极所形成的电容发生变化，从而引起这两个触控电极之间的电压发生变化。通过检测该电压的变化情况即可获得触控操作或触控位置，从而实现触控功能。
在一些实施例中，如图4所示，触控器件600还可以包括覆盖触控电极层610的第五绝缘层625。例如，该第五绝缘层625的材料与第一绝缘层312的材料相同。该第五绝缘层625与第一绝缘层312处于同层。例如，该第五绝缘层625与第一绝缘层312连接。这样便于显示面板的制造。
在一些实施例中，如图4所示，触控器件600还可以包括在第五绝缘层625上的第二有机半导体层622。该第二有机半导体层622与第一有机半导体层313处于同层。例如，该第二有机半导体层622的材料与第一有机半导体层313的材料相同。这样便于显示面板的制造。
在一些实施例中，如图4所示，触控器件600还可以包括覆盖第二有机半导体层622的第六绝缘层626。例如，该第六绝缘层626的材料与第三绝缘层316的材料相同。该第六绝缘层626与第三绝缘层316处于同层。例如，该第六绝缘层626与第三绝缘层316连接。这样便于显示面板的制造。
图6是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的截面示意图。图6中示出了显示面板中的薄膜晶体管310和触控器件6001。为了示出的方便，图6中没有示出显示面板的其他结构。
如图6所示，该薄膜晶体管310包括栅极311、第一绝缘层312、第一有机半导体层313、源极314和漏极315。
在一些实施例中，如图6所示，薄膜晶体管310还可以包括在第一有机半导体层313上的第一保护层318。该第一保护层318露出第一有机半导体层313的两部分。源极314覆盖在第一保护层318的一部分和第一有机半导体层313的一部分上，漏极315覆盖在第一保护层318的另一部分和第一有机半导体层313的另一部分上。例如，该第一保护层318的材料可以包括光刻胶等。在制造过程中，该第一保护层可以用于在通过刻蚀工艺形成源极和漏极时有效地保护第一有机半导体层313。
在一些实施例中，如图6所示，薄膜晶体管310还可以包括在封装层400与栅极311之间的第二绝缘层317。例如该第二绝缘层317的材料可以包括氮化硅等。该第二绝缘层317可以起到缓冲层的作用。
在一些实施例中，如图6所示，薄膜晶体管310还可以包括在源极314、漏极315和第一保护层318上的第三绝缘层316。该第三绝缘层316覆盖源极314、漏极315、第一保护层318和第一绝缘层312等。例如，该第三绝缘层316的材料可以包括氮化硅等。
如图6所示，该触控器件6001包括触控电极层610。该触控电极层610可以包括如图5所示的间隔开的第一触控电极611和第二触控电极612。
在一些实施例中，如图6所示，该触控器件6001还可以包括在封装层400上的第四绝缘层624。该第四绝缘层624与第二绝缘层317处于同层。
该触控器件6001还可以包括在第四绝缘层624上的第五绝缘层625。该第五绝缘层625与第一绝缘层312处于同层。
该触控器件6001还可以包括在第五绝缘层625上的第二有机半导体层622。该第二有机半导体层622与第一有机半导体层313处于同层。
该触控器件6001还可以包括在第二有机半导体层622上的第三保护层628。该第三保护层628与第一保护层318处于同层。例如，该第三保护层628的材料可以包括光刻胶等。
该触控器件6001还可以包括覆盖第三保护层628的第六绝缘层626。例如，该第六绝缘层626可以直接覆盖该第三保护层628。又例如，在第六绝缘层626与第三保护层628之间还可以存在其他结构层，从而使得第六绝缘层626可以间接覆盖第三保护层628。该第六绝缘层626与第三绝缘层316处于同层。
在上述实施例中，在触控器件中设置上述层结构，便于在形成薄膜晶体管310的过程中形成触控器件，从而便于显示面板的制造。
图7是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的截面示意图。
与图6类似地，图7示出了显示面板中的薄膜晶体管310和触控器件6002。该触控器件6002包括触控电极层610。该触控电极层610包括间隔开的第一触控电极611和第二触控电极612。例如，第一触控电极611与栅极311处于同层。第二触控电极612在第一触控电极611的下方。在另一些实施例中，第二触控电极612可以在第一触控电极611的上方(图中未示出)。如图7所示，第一触控电极611与第二触控电极612被第七绝缘层629隔离开。
在一些实施例中，薄膜晶体管310还可以包括在第二绝缘层317与栅极311之间的第八绝缘层319。该第八绝缘层319与该第七绝缘层629处于同层。例如，该第八绝缘层319与该第七绝缘层629连接。此外，对于图7中示出的其他层结构，前面已经详细描述，这里不再赘述。
图8是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的截面示意图。
与图6类似地，图8示出了显示面板的薄膜晶体管310和触控器件6003。该触控器件6003包括在封装层400上方的触控电极层610。该触控电极层610可以包括如图5所示的间隔开的第一触控电极611和第二触控电极612。该第一触控电极611和该第二触控电极612均与源极314和漏极315处于同层。这样方便显示面板的制造。此外，将第一触控电极和第二触控电极设计为均与源极和漏极处于同层，可以使得第一触控电极和第二触控电极均与子像素的第三电极层(例如阴极层)的距离比较远，使得触控器件与第三电极层之间形成的寄生电容比较小。这可以使得触控器件受到第三电极层信号的影响比较小，因此可以减少噪声，提高触控器件的信噪比。
此外，对于图8中示出的其他层结构，前面已经描述，这里不再赘述。
图9是示出根据本公开另一个实施例的显示面板的截面示意图。
与图7类似地，图9示出了显示面板的薄膜晶体管310和触控器件6004。该触控器件6004包括在封装层400上方的触控电极层610。该触控电极层610可以包括间隔开的第一触控电极611和第二触控电极612。该第一触控电极611与源极314和漏极315处于同层。该第二触控电极612在第一触控电极611的上方。在另一些实施例中，该第二触控电极612可以在第一触控电极611的下方(图中未示出)。此外，将第一触控电极设计为与源极和漏极处于同层，且第二触控电极在第一触控电极的上方或下方，可以使得第一触控电极和第二触控电极均与子像素的第三电极层(例如阴极层)比较远，使得触控器件与第三电极层之间形成的寄生电容比较小。这可以使得触控器件受到第三电极层信号的影响比较小，因此可以减少噪声，提高触控器件的信噪比。
在一些实施例中，如图9所示，第一触控电极611与第二触控电极612被第六绝缘层626隔离开。该第六绝缘层626覆盖第一触控电极611，第二触控电极612在该第六绝缘层626上。
在一些实施例中，显示面板还可以包括覆盖第二触控电极612的第九绝缘层630和覆盖第三绝缘层316的第十绝缘层330。例如，该第九绝缘层630的材料与该第十绝缘层330的材料相同。例如，该第九绝缘层630和该第十绝缘层330的材料可以均包括二氧化硅或氮化硅等。该第九绝缘层630与该第十绝缘层330处于同层。例如，该第九绝缘层630与该第十绝缘层330连接。这样方便显示面板的制造。此外，图9中示出的其他层结构前面已经描述，这里不再赘述。
需要说明的是，源极314和漏极315的形状可以是图2或图4中所示的形状，也可以是图6、图7、图8或图9中所示的形状。因此，本公开实施例的范围并不仅限于这里所公开的源极314和漏极315的形状。
在本公开的一些实施例中，还提供了一种显示装置。该显示装置可以包括如前所述的显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
图10是示出根据本公开一个实施例的显示面板的制造方法的流程图。如图10所示，该制造方法包括S1002至S1004。图11A、图11B和图1是示出根据本公开一些实施例的显示面板的制造过程中若干阶段的结构的截面示意图。下面结合图10以及图11A、图11B、图1详细描述根据本公开一些实施例的显示面板的制造方法。
如图10所示，在步骤S1002，在基板上形成像素结构层，该像素结构层包括多个子像素。例如，如图11A所示，在基板100上形成像素结构层20。该像素结构层20包括多个子像素200。该多个子像素中的至少一个子像素200被配置为发出第一光。
回到图10，在步骤S1004，在像素结构层的远离基板的一侧形成传感器层，该传感器层包括光电转换器件。
例如，如图11B所示，在像素结构层20上形成封装层400。接下来，如图1所示，在像素结构层20的远离基板100的一侧形成传感器层30。例如，在封装层400上形成传感器层30。该传感器层30包括光电转换器件300。该光电转换器件300形成在封装层400的远离像素结构层20的一侧。例如，该光电转换器件300形成在封装层400上。该光电转换器件300被配置为接收在第一光510被外部物体500反射后产生的第二光520，并将该第二光520转换为电信号。
至此，提供了根据本公开一个实施例的显示面板的制造方法。在该制造方法中，在基板上形成像素结构层，该像素结构层包括多个子像素；以及在该像素结构层的远离基板的一侧形成传感器层，该传感器层包括光电转换器件。这样，可以在显示面板的出光侧形成光电转换器件。由此，可以在显示面板中设置较多的光电转换器件，从而有利于实现大屏化乃至全屏化的指纹识别功能。
在一些实施例中，该光电转换器件包括有机光电三极管。该有机光电三极管包括薄膜晶体管和与薄膜晶体管电连接的有机光电结构。上述传感器层还可以包括触控器件。在一些实施例中，上述形成传感器层的步骤可以包括：形成有机光电三极管的薄膜晶体管和有机光电结构，以及形成触控器件。
图12A至图12D是示出根据本公开一些实施例的用于显示面板的有机光电三极管的制造过程中若干阶段的结构的截面示意图。下面结合图12A至图12D详细描述有机光电三极管的制造过程。
首先，如图12A所示，例如通过沉积等工艺，在封装层400上形成第二绝缘层317。
接下来，如图12A所示，例如通过沉积和图案化等工艺，在第二绝缘层317上形成栅极311。
接下来，如图12A所示，例如通过沉积等工艺，形成覆盖栅极311的第一绝缘层312。
接下来，如图12B所示，例如可以通过涂覆、曝光和显影等工艺，在第一绝缘层312上形成第一有机半导体层313。
接下来，如图12B所示，在第一有机半导体层313上形成第一保护层318。例如可以对第一保护层318执行灰化(Ashing)工艺，使得该第一保护层318露出第一有机半导体层313的两部分，以便于形成分别与第一有机半导体层313连接的源极和漏极。
接下来，如图12C所示，例如通过沉积和图案化等工艺，形成分别与第一有机半导体层313连接的源极314和漏极315。在图案化过程中，上述第一保护层318可以对第一有机半导体层313起到保护作用。该源极314覆盖在第一保护层318的一部分和第一有机半导体层313的一部分(即第一有机半导体层313的被露出部分的一部分)上，该漏极315覆盖在第一保护层318的另一部分和第一有机半导体层313的另一部分(即第一有机半导体层313的被露出部分的另一部分)上。
接下来，如图12C所示，例如通过沉积等工艺，在源极314、漏极315和第一保护层318上形成第三绝缘层316。
通过上面所述的步骤，形成了有机光电三极管的薄膜晶体管。
接下来，如图12D所示，形成与源极314或漏极315电连接的第一电极层321。例如，可以通过图案化和沉积等工艺形成穿过第三绝缘层316的第一导电过孔325。该第一导电过孔325与漏极315(或源极314)连接。然后，通过沉积和图案化等工艺在第三绝缘层316上形成第一电极层321，该第一电极层321与第一导电过孔325连接。
接下来，如图12D所示，例如可以通过涂覆、曝光和显影等工艺，在第一电极层321形成有机光电转换层322。
接下来，如图12D所示，例如可以通过沉积(例如化学气相沉积)等工艺，在有机光电转换层322上形成第二保护层323。
通过上面所述的步骤，形成了有机光电三极管的有机光电结构。
至此，形成了根据本公开一些实施例的用于显示面板的有机光电三极管。在该实施例的有机光电三极管制造过程中，在薄膜晶体管中采用有机半导体层，以及在有机光电结构中采用有机光电转换层，均有利于提高显示面板的柔性。
在一些实施例中，形成触控器件的步骤可以包括：在封装层上方形成触控电极层。该触控电极层包括间隔开的第一触控电极和第二触控电极。例如，该第一触控电极和该第二触控电极均与栅极(例如栅极311)利用同一构图工艺形成。又例如，该第一触控电极与栅极(例如，薄膜晶体管310的栅极311)利用同一构图工艺形成，第二触控电极形成在该第一触控电极的上方或下方。
需要说明的是，同一构图工艺是指采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成层结构。需要说明的是，根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺。而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的。这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
在一些实施例中，形成触控器件的步骤还可以包括：在封装层上形成第四绝缘层；在第四绝缘层上形成第五绝缘层；在第五绝缘层上形成第二有机半导体层；在第二有机半导体层上形成第三保护层；以及形成覆盖第三保护层的第六绝缘层。
图13A至图13C以及图6是示出根据本公开另一些实施例的显示面板的制造过程中若干阶段的结构的截面示意图。下面结合图13A至图13C以及图6详细描述根据本公开另一些实施例的显示面板的制造过程。在该制造过程中，主要描述了形成有机光电三极管的薄膜晶体管和触控器件的过程。
首先，如图13A所示，在封装层400上形成第二绝缘层317，并且在封装层400上形成第四绝缘层624。例如，第四绝缘层624与第二绝缘层317一体形成。
接下来，如图13A所示，在第二绝缘层317上形成栅极311，并且在第四绝缘层624上(即在封装层400上方)形成触控电极层610。该触控电极层610可以包括间隔开的第一触控电极611和第二触控电极612(可以参考前面图5所示)。例如，该第一触控电极611和该第二触控电极612均与栅极311利用同一构图工艺形成。
接下来，如图13B所示，形成覆盖栅极311的第一绝缘层312，并且在第四绝缘层624上形成第五绝缘层625。该第五绝缘层覆盖触控电极层610。例如，该第五绝缘层625与第一绝缘层312一体形成。
接下来，如图13B所示，在第一绝缘层312上形成第一有机半导体层313，并且在第五绝缘层625上形成第二有机半导体层622。例如，该第二有机半导体层622与第一有机半导体层313利用同一构图工艺形成。
接下来，如图13C所示，在第一有机半导体层313上形成第一保护层318，并且在第二有机半导体层622上形成第三保护层628。例如，该第三保护层628与第一保护层318利用同一构图工艺形成。
接下来，如图6所示，形成分别与第一有机半导体层313连接的源极314和漏极315。
接下来，如图6所示，在源极314、漏极315和第一保护层318上形成第三绝缘层316，并且形成覆盖第三保护层628的第六绝缘层626。例如，该第六绝缘层626与该第三绝缘层316一体形成。
至此，提供了根据本公开另一些实施例的显示面板的制造方法。在该制造方法中，在形成有机光电三极管的薄膜晶体管过程中也形成了触控器件。通过将这两个器件的制造工艺整合，可以方便显示面板的制造。另外，上述制造方法可以减少在分别制造有机光电三极管和触控器件的情况下所带来的额外的曝光、显影和刻蚀等工艺。因此，上述制造方法可以节约制造成本。
上面结合图13A至图13C以及图6描述了在第一触控电极和第二触控电极均与栅极同层的情况下的薄膜晶体管和触控器件的制造过程。在另一些实施例中，第一触控电极可以与栅极利用同一构图工艺形成，而且可以在形成第一触控电极之后或之前形成与第一触控电极间隔开的第二触控电极，从而在第一触控电极的上方或下方形成第二触控电极。
在另一些实施例中，形成触控器件的步骤包括：在封装层上方形成触控电极层。该触控电极层包括间隔开的第一触控电极和第二触控电极。例如，第一触控电极和第二触控电极均与源极(例如源极314)和漏极(例如漏极315)利用同一构图工艺形成。又例如，第一触控电极与源极(例如源极314)和漏极(例如漏极315)利用同一构图工艺形成，第二触控电极形成在该第一触控电极的上方或下方。
图14A至图14C以及图8是示出根据本公开另一些实施例的显示面板的制造过程中若干阶段的结构的截面示意图。下面结合图14A至图14C以及图8详细描述根据本公开另一些实施例的显示面板的制造过程。在该制造过程中，主要描述了形成有机光电三极管的薄膜晶体管和触控器件的过程。
首先，如图14A所示，在封装层400上形成第二绝缘层317，并且在封装层400上形成第四绝缘层624。例如，第四绝缘层624与第二绝缘层317一体形成。
接下来，如图14A所示，在第二绝缘层317上形成栅极311。
接下来，如图14A所示，形成覆盖栅极311的第一绝缘层312，并且在第四绝缘层624上形成第五绝缘层625。例如，该第五绝缘层625与第一绝缘层312一体形成。
接下来，如图14A所示，在第一绝缘层312上形成第一有机半导体层313，并且在第五绝缘层625上形成第二有机半导体层622。例如，该第二有机半导体层622与第一有机半导体层313利用同一构图工艺形成。
接下来，如图14B所示，在第一有机半导体层313上形成第一保护层318，并且在第二有机半导体层622上形成第三保护层628。例如，该第三保护层628与第一保护层318利用同一构图工艺形成。这两个保护层可以在形成源极和漏极的过程中起到对第一有机半导体层和第二有机半导体层的保护作用。
接下来，如图14C所示，形成分别与第一有机半导体层313连接的源极314和漏极315，并且在第三保护层628上(即在封装层上方)形成触控电极层610。该触控电极层610包括间隔开的第一触控电极611和第二触控电极612(可以参考图5所示)。例如，第一触控电极611和第二触控电极612均与源极314和漏极315利用同一构图工艺形成。
接下来，如图8所示，在源极314、漏极315和第一保护层318上形成第三绝缘层316，并且形成覆盖第三保护层628的第六绝缘层626。这里，第六绝缘层覆盖了第三保护层628的侧面。该第六绝缘层还覆盖在触控电极层610上。例如，该第六绝缘层626与该第三绝缘层316一体形成。
至此，提供了根据本公开另一些实施例的显示面板的制造方法。在该制造方法中，可以形成有机光电三极管的薄膜晶体管过程中形成触控器件。通过将这两个器件的制造工艺整合，即有机光电三极管的制造过程可以与FSLOC(Flexible single layer on cell柔性单层屏上触控)工艺兼容，可以方便显示面板的制造，从而节约制造成本。
上面图14A至图14C以及图8描述了在第一触控电极和第二触控电极均与源极和漏极同层的情况下的薄膜晶体管和触控器件的制造过程。在另一些实施例中，第一触控电极与源极和漏极可以利用同一构图工艺形成，而且可以在形成第一触控电极之后或之前形成与第一触控电极间隔开的第二触控电极，从而在第一触控电极的上方或下方形成第二触控电极。
至此，已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (17)

1.一种显示面板，包括：
基板；
在所述基板上的像素结构层，所述像素结构层包括多个子像素，所述多个子像素中的至少一个子像素被配置为发出第一光；
在所述像素结构层的远离所述基板的一侧的传感器层，所述传感器层包括光电转换器件，所述光电转换器件被配置为接收在所述第一光被外部物体反射后产生的第二光，并将所述第二光转换为电信号。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述像素结构层还包括像素界定层；
每个子像素包括功能层，其中，不同子像素的功能层被所述像素界定层间隔开；
其中，所述光电转换器件在所述基板上的正投影位于所述像素界定层在所述基板上的正投影的内部。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，
所述子像素包括绿色子像素，其中，所述光电转换器件被设置在与所述绿色子像素的功能层相邻的像素界定层的上方。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述光电转换器件包括有机光电三极管，所述有机光电三极管包括：薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管电连接的有机光电结构。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，
所述显示面板还包括：在所述传感器层与所述像素结构层之间的封装层；
所述薄膜晶体管包括：
栅极；
覆盖所述栅极的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上的第一有机半导体层；
在所述第一有机半导体层上的第一保护层；
分别与所述第一有机半导体层连接的源极和漏极，其中，所述源极覆盖在所述第一保护层的一部分和所述第一有机半导体层的一部分上，所述漏极覆盖在所述第一保护层的另一部分和所述第一有机半导体层的另一部分上；
在所述封装层与所述栅极之间的第二绝缘层；以及
在所述源极、所述漏极和所述第一保护层上的第三绝缘层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述有机光电结构包括：
与所述源极或所述漏极电连接的第一电极层；
在所述第一电极层上的有机光电转换层；和
在所述有机光电转换层上的第二保护层。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其中，
所述传感器层还包括触控器件；
所述触控器件包括：在所述封装层上方的触控电极层；所述触控电极层包括间隔开的第一触控电极和第二触控电极；
其中，所述第一触控电极和所述第二触控电极均与所述栅极处于同层；或者，所述第一触控电极与所述栅极处于同层，所述第二触控电极在所述第一触控电极的上方或下方。
8.根据权利要求5所述的显示面板，其中，
所述传感器层还包括触控器件；
所述触控器件包括：在所述封装层上方的触控电极层；所述触控电极层包括间隔开的第一触控电极和第二触控电极；
其中，所述第一触控电极和所述第二触控电极均与所述源极和所述漏极处于同层；或者，所述第一触控电极与所述源极和所述漏极处于同层，所述第二触控电极在所述第一触控电极的上方或下方。
9.根据权利要求7或8所述的显示面板，其中，所述触控器件还包括：
在所述封装层上的第四绝缘层，所述第四绝缘层与所述第二绝缘层处于同层；
在所述第四绝缘层上的第五绝缘层，所述第五绝缘层与所述第一绝缘层处于同层；
在所述第五绝缘层上的第二有机半导体层，所述第二有机半导体层与所述第一有机半导体层处于同层；
在所述第二有机半导体层上的第三保护层，所述第三保护层与所述第一保护层处于同层；以及
覆盖所述第三保护层的第六绝缘层，所述第六绝缘层与所述第三绝缘层处于同层。
10.一种显示装置，包括：如权利要求1至9任意一项所述的显示面板。
11.一种显示面板的制造方法，包括：
在基板上形成像素结构层，所述像素结构层包括多个子像素，其中，所述多个子像素中的至少一个子像素被配置为发出第一光；以及
在所述像素结构层的远离所述基板的一侧形成传感器层，所述传感器层包括光电转换器件，其中，所述光电转换器件被配置为接收在所述第一光被外部物体反射后产生的第二光，并将所述第二光转换为电信号。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，
所述光电转换器件包括有机光电三极管；所述有机光电三极管包括：薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管电连接的有机光电结构；
所述传感器层还包括触控器件；
形成所述传感器层的步骤包括：形成所述有机光电三极管的薄膜晶体管和有机光电结构，以及形成所述触控器件。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，
在形成传感器层之前，所述制造方法还包括：在所述像素结构层上形成封装层；其中，所述光电转换器件形成在所述封装层的远离所述像素结构层的一侧；
形成所述有机光电三极管的薄膜晶体管的步骤包括：
在所述封装层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成栅极；
形成覆盖所述栅极的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第一有机半导体层；
在所述第一有机半导体层上形成第一保护层；
形成分别与所述第一有机半导体层连接的源极和漏极，其中，所述源极覆盖在所述第一保护层的一部分和所述第一有机半导体层的一部分上，所述漏极覆盖在所述第一保护层的另一部分和所述第一有机半导体层的另一部分上；以及
在所述源极、所述漏极和所述第一保护层上形成第三绝缘层。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，形成所述有机光电三极管的有机光电结构的步骤包括：
形成与所述源极或所述漏极电连接的第一电极层；
在所述第一电极层形成有机光电转换层；和
在所述有机光电转换层上形成第二保护层。
15.根据权利要求13所述的制造方法，其中，形成所述触控器件的步骤包括：
在所述封装层上方形成触控电极层，所述触控电极层包括间隔开的第一触控电极和第二触控电极；
其中，所述第一触控电极和所述第二触控电极均与所述栅极利用同一构图工艺形成；或者，所述第一触控电极与所述栅极利用同一构图工艺形成，所述第二触控电极形成在所述第一触控电极的上方或下方。
16.根据权利要求13所述的制造方法，其中，形成所述触控器件的步骤包括：
在所述封装层上方形成触控电极层；所述触控电极层包括间隔开的第一触控电极和第二触控电极；
其中，所述第一触控电极和所述第二触控电极均与所述源极和所述漏极利用同一构图工艺形成；或者，所述第一触控电极与所述源极和所述漏极利用同一构图工艺形成，所述第二触控电极形成在所述第一触控电极的上方或下方。
17.根据权利要求15或16所述的制造方法，其中，形成所述触控器件的步骤还包括：
在所述封装层上形成第四绝缘层，所述第四绝缘层与所述第二绝缘层一体形成；
在所述第四绝缘层上形成第五绝缘层，所述第五绝缘层与所述第一绝缘层一体形成；
在所述第五绝缘层上形成第二有机半导体层，所述第二有机半导体层与所述第一有机半导体层利用同一构图工艺形成；
在所述第二有机半导体层上形成第三保护层，所述第三保护层与所述第一保护层利用同一构图工艺形成；以及
形成覆盖所述第三保护层的第六绝缘层，所述第六绝缘层与所述第三绝缘层一体形成。
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