CN110212879A - 回退效率增强的变压器并联合成功率放大器 - Google Patents

回退效率增强的变压器并联合成功率放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN110212879A
CN110212879A CN201910416161.1A CN201910416161A CN110212879A CN 110212879 A CN110212879 A CN 110212879A CN 201910416161 A CN201910416161 A CN 201910416161A CN 110212879 A CN110212879 A CN 110212879A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power
primary coil
output
power amplifier
parallel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910416161.1A
Other languages
English (en)
Inventor
徐鸿涛
殷韵
熊亮
李通
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fudan University
Original Assignee
Fudan University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fudan University filed Critical Fudan University
Priority to CN201910416161.1A priority Critical patent/CN110212879A/zh
Publication of CN110212879A publication Critical patent/CN110212879A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/537—A transformer being used as coupling element between two amplifying stages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明属于无线通信技术领域，具体为一种回退效率增强的变压器并联合成功率放大器。本发明的功率放大器包括晶体管级有源部分和基于变压器并联合成的无源网络部分；有源部分采用电压模的纯模拟、数模混合或全数字类型的功率放大器实现；无源部分实现并联功率合成、负载阻抗调制以及差分到单端的转换。与包络跟踪功率放大器相比，省去了电源调制器模块，对于宽带应用不需要远高于信号带宽的处理能力；与传统回退效率增强的功率放大器相比，不需要四分之一波长传输线或多个变压器做阻抗变换，仅需占用单个变压器面积。本发明结构简洁、面积紧凑，能够在0‑18dB的输出功率范围内维持较高的效率，满足5G等通信应用的低成本、高效率需求。

Description

回退效率增强的变压器并联合成功率放大器
技术领域
本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种功率放大器电路。
背景技术
无线通信技术的迅速发展极大地改变了人们的生活，目前支持2G/3G/4G/5G移动通信、无线局域网（WLAN）、蓝牙（Bluetooth）等应用的智能手机和平板电脑已经成为人们日常生活的标准配置。随着电子设备的用户体验提升，人们对数据传输速率的需求越来越高，无线通信标准向更宽带宽和更复杂调制方向发展，如802.11ac/ax，LTE-A/LTE-pro，这给无线发射机尤其射频功率放大器（PA）的设计带来了较大挑战。例如，802.11ax标准支持的信道带宽从802.11n的40MHz增大到160MHz，调制方式更是从64QAM增加到1024QAM。更宽的信道带宽和更复杂的调制方式对发射机的线性度性能提出了更高的要求。通常，为了满足较高发射功率时的线性度要求，PA需要工作在功率回退状态，造成了发射效率急剧恶化。
功率放大器是射频前端芯片中的关键电路模块，也是整个芯片中最消耗功耗的模块。随着CMOS工艺向深亚微米和纳米尺寸缩小，射频前端芯片已经逐步与数字基带芯片实现全集成，使得整个***的成本显著降低。但是，受限于CMOS工艺的高衬底损耗、低电源电压、低击穿电压等问题，高效率的功率放大器集成一直是业界的研究难点。
目前，国内外学术界和工业界在高效率的功率放大器方面提出了多种解决方案，大致分为两类：电源调制和负载调制。电源调制技术包括包络跟踪、Class-G双电源调制等。电源调制技术通常需要实现一个线性的电源调制器，同样会遇到效率和线性度和折衷。此外，宽带应用对电源调制器的跟踪速度提出了较高要求。Doherty PA是一种负载调制技术，它通过主、从PA配合来改变不同输出功率时的负载阻抗，能够在较宽的输出功率范围内实现较高的效率。为实现主、从PA的功率合成和负载变换，Doherty PA通常需要片上集成四分之一波长传输线或至少两个变压器，因而耗费较大的芯片面积，增加应用成本。
针对上述架构存在的问题，本发明提出一种基于变压器并联合成的紧凑型功率放大器结构。与传统回退效率增强技术相比，本发明提出的功率放大器采用变压器并联合成结构，仅需占用单个变压器面积就能实现并联功率合成、负载阻抗调制以及差分到单端的转换。除峰值功率点外，还具有三个额外的回退效率峰值点，从而提高平均发射效率。
发明内容
本发明的目的在于提出一种低成本、高效率的深回退效率增强的变压器并联合成功率放大器。
本发明提出的变压器并联合成功率放大器，具有结构紧凑的特点，仅占用单个变压器面积就能实现并联功率合成、负载阻抗调制以及差分到单端的转换。除峰值功率点外，还具有三个额外的回退效率峰值点，提高了平均发射效率且缩小了芯片面积。
本发明提出的变压器并联合成功率放大器，由晶体管级有源部分和基于变压器并联合成的无源网络部分组成；其中，有源部分采用电压模的纯模拟，数模混合或全数字类型的功率放大器实现；无源部分采用变压器并联合成器完成功率合成、负载阻抗调制以及差分到单端的转换。
本发明中，有源部分包含三个完全相同的差分PA（分别记为PA2（111）、PA3（112）、PA4（113））以及一个可以实现从差分到单端工作的PA1（110）；无源网络部分由变压器并联合成器（210）和匹配电路元件（211）组成，匹配电路元件（211）接输出负载（310）；其中，变压器并联合成器（210）包含初级线圈1、初级线圈2、初级线圈3、初级线圈4和次级线圈，初级线圈1、初级线圈2、初级线圈3和初级线圈4均并联耦合到次级线圈，初级线圈与次级线圈的匝数比取决于功率放大器的最优阻抗； PA1（110）的正端输出与PA4（113）的负端输出通过初级线圈1相连接， PA4（113）的正端输出与PA2（111）的负端输出通过初级线圈2相连接，PA2（111）的正端输出与PA3（112）的负端输出通过初级线圈3相连，PA3（112）的正端输出与PA1（110）的负端输出通过初级线圈4相连接最终在次级线圈处完成功率合成，并通过匹配电路元件（211）传递给输出负载（310）。
本发明提出的回退效率增强的功率放大器，具有四个效率峰值点，分别位于峰值功率、6dB功率回退、12dB功率回退和18dB功率回退处：当处于峰值功率时，PA1（110）、PA2（111）、PA3（112）和PA4（113）均完全开启且处于满摆幅状态，此时PA1（110）、PA2（111）、PA3（100）和PA4（101）的负载阻抗相同；当处于6dB回退功率时，PA1（110）和PA2（111）完全开启，PA3（112）和PA4（113）完全关闭且输出端处于高阻态并通过差分端的开关SW3和SW4导通，此时PA1（110）和PA2（111）的负载阻抗增大为其峰值功率时的2倍，输出电流减小为峰值功率时的1/2，从而产生一个额外的6dB回退效率峰值点；当处于12dB功率回退时，PA1（110）完全开启，PA2（111）、PA3（112）和PA4（113）完全关闭且输出端处于高阻态并通过差分端的开关SW2、SW3和SW4导通，此时PA1（110）的负载阻抗增大为其峰值功率时的4倍，输出电流减小为峰值功率时的1/4从而产生一个额外的12dB回退效率峰值点；当处于18dB功率回退时，PA1（110）的差分正端支路完全开启而负端支路连接到地，PA2（111）、PA3（112）和PA4（113）完全关闭且输出端处于高阻态并通过差分端的开关SW2、SW3和SW4导通，此时PA1（110）的负载阻抗增大为其峰值功率时的8倍，输出电流减小为峰值功率时的1/8从而产生一个额外的18dB回退效率峰值点。
因此，当处于6dB回退功率时，本发明提出的回退效率增强的功率放大器的输出功率和直流功耗均减小为峰值时的1/4，可以产生一个额外的6dB回退效率峰值点，参见图3所示；当处于12dB回退功率时，本发明提出的回退效率增强的功率放大器的输出功率和直流功耗均减小为峰值时的1/16，可以产生一个额外的12dB回退效率峰值点，参见图4所示；当处于18dB回退功率时，本发明提出的回退效率增强的功率放大器的输出功率和直流功耗均减小为峰值时的1/64，可以产生一个额外的18dB回退效率峰值点，参见图5所示。与传统Class-B功率放大器相比，本发明提出的变压器并联合成回退效率增强的功率放大器显著提高了功率回退效率，且能够在较宽的输出功率范围内维持较高的效率，从而满足NB-IoT、LTE、WLAN、5G等高峰均比通信应用的需求。
本发明提出的变压器并联功率合成回退效率增强的功率放大器具有结构紧凑的特点，仅占用单个变压器面积就能完成并联功率合成、负载阻抗调制以及差分到单端的转换。根据阻抗转换比例，该变压器并联功率合成器有多种实现方式，图6给出一种对称的实现方式。初级线圈1、初级线圈2、初级线圈3和初级线圈4具有对称性，PA1（110）、PA2（111）、PA3（112）和PA4（113）放置于变压器并联合成器的四个对称角落，使得初级线圈1、初级线圈2、初级线圈3和初级线圈4电流方向同相，用以增强电磁，提高功率合成器的初级线圈品质因子，降低损耗。
有益效果
本发明提出的变压器并联合成回退效率增强技术功率放大器具有结构紧凑的特点，仅占用单个变压器面积就能实现并联功率合成、负载阻抗调制以及差分到单端的转换。除峰值功率点外，还具有三个额外的回退效率峰值点，提高了平均发射效率且缩小了芯片面积。
本发明的优点在于与目前较多采用的包络跟踪功率放大器相比，省去了电源调制器模块，对于宽带应用，不需要远高于信号带宽的处理能力。同时，与传统回退效率增强技术的功率放大器相比，不需要四分之一波长传输线或多个变压器做阻抗变换，仅占用单个变压器面积就能实现并联功率合成、负载阻抗调制以及差分到单端的转换。因此，本发明提出的变压器并联合成回退效率增强技术功率放大器结构简洁，面积紧凑，能够在较宽的输出功率范围内维持较高的效率，满足NB-IoT、LTE、WLAN、5G等高峰均比通信应用的低成本、高效率需求。
本发明提出的全数字深回退功率放大器，为射频芯片全集成提供了有效的解决方案，特别适用于低成本的无线通信应用场景，例如可用于全数字发射***中。
附图说明
图1：变压器并联合成回退效率增强的功率放大器结构图——峰值功率。
图2：变压器并联合成回退效率增强的功率放大器结构图——6dB回退功率。
图3：变压器并联合成回退效率增强的功率放大器结构图——12dB回退功率。
图4：变压器并联合成回退效率增强的功率放大器结构图——18dB回退功率。
图5：变压器并联合成回退效率增强的功率放大器效率曲线及与传统Class-B功率放大器比较。
图6：变压器并联功率合成器的实现方式示例。
图7：数字功率放大器应用于数字发射机***场景示例。
具体实施方式
如图1所示，变压器并联合成回退效率增强技术功率放大器由有源部分和无源部分组成。有源部分包含三个完全相同的差分PA,分别为PA2（111）、PA3（112）、PA4（113）以及一个可以实现从差分到单端工作的PA1（110）；无源网络部分由变压器并联合成器（210）和匹配电路元件（211）组成，匹配电路元件（211）接输出负载（310）；其中，变压器并联合成器（210）包含初级线圈1、初级线圈2、初级线圈3、初级线圈4和次级线圈，初级线圈1、初级线圈2、初级线圈3和初级线圈4均并联耦合到次级线圈，初级线圈与次级线圈的匝数比取决于功率放大器的最优阻抗； PA1（110）的正端输出与PA4（113）的负端输出通过初级线圈1相连接， PA4（113）的正端输出与PA2（111）的负端输出通过初级线圈2相连接，PA2（111）的正端输出与PA3（112）的负端输出通过初级线圈3相连，PA3（112）的正端输出与PA1（110）的负端输出通过初级线圈4相连接最终在次级线圈处完成功率合成，并通过匹配电路元件（211）传递给输出负载（310）。当处于峰值功率时，PA1（110）、PA2（111）、PA3（112）和PA4（113）均完全开启且处于满摆幅状态，此时PA1（110）、PA2（111）、PA3（100）和PA4（101）的负载阻抗相同。
如图2所示，当处于6dB回退功率时，PA1（110）和PA2（111）完全开启，PA3（112）和PA4（113）完全关闭且输出端处于高阻态并通过差分端的开关SW3和SW4导通，此时PA1（110）和PA2（111）的负载阻抗增大为其峰值功率时的2倍，输出电流减小为峰值功率时的1/2，从而产生一个额外的6dB回退效率峰值点。
如图3所示，当处于12dB功率回退时，PA1（110）完全开启，PA2（111）、PA3（112）和PA4（113）完全关闭且输出端处于高阻态并通过差分端的开关SW2、SW3和SW4导通，此时PA1（110）的负载阻抗增大为其峰值功率时的4倍，输出电流减小为峰值功率时的1/4从而产生一个额外的12dB回退效率峰值点。
如图4所示，当处于18dB功率回退时，PA1（110）的差分正端支路完全开启而负端支路连接到地，PA2（111）、PA3（112）和PA4（113）完全关闭且输出端处于高阻态并通过差分端的开关SW2、SW3和SW4导通，此时PA1（110）的负载阻抗增大为其峰值功率时的8倍，输出电流减小为峰值功率时的1/8从而产生一个额外的18dB回退效率峰值点。
如图5所示，与传统Class-B功率放大器相比，本发明提出的变压器并联合成回退效率增强技术功率放大器具有峰值功率、6dB回退功率、12dB回退功率和18dB回退功率四个效率峰值点，能够在很宽的输出功率范围内维持较高的效率，从而满足NB-IoT、LTE、WLAN、5G等高峰均比通信应用的需求。
实施例
本发明提出的变压器并联合成回退效率增强技术功率放大器结构紧凑，仅占用单个变压器面积就能实现并联功率合成器。根据阻抗转换比例，变压器并联功率合成器有多种实现方式，图6给出一种对称的实现方式。初级线圈1、初级线圈2、初级线圈3和初级线圈4具有对称性，PA1（110）、PA2（111）、PA3（112）和PA4（113）放置于变压器并联合成器的四个对称角落，使得初级线圈1、初级线圈2、初级线圈3和初级线圈4电流方向同相，用以增强电磁，提高功率合成器的初级线圈品质因子，降低损耗。
在无线通信技术和集成电路工艺快速发展的今天，采用数字化技术开展射频电路设计已经是不可阻挡的趋势，因此本发明提出的全数字深回退功率放大器为射频芯片全集成提供了有效的解决方案，特别适用于低成本的无线通信应用场景。据图如图7所示。从基带传出的IQ数字信号不需要经过其他额外的处理，直接和基带信号处理模块（10）的各个模块相连接，IQ基带信号先经过数字预失真模块（11），紧接着连接上采样模块（12），在经过数字滤波器模块（13），最终的信号送入到极坐标转换模块（14）进行最后的转换处理，得到所需要的幅度信号和相位信号，幅度信号经过幅度调制模块（20），相位信号经过相位调制模块（21），最终的信号直接和本发明提出的数字功率放大器（30）相连，构成完整的全数字发射***。
因此，本发明提出了一种低成本、高效率的变压器并联合成回退效率增强的功率放大器，仅占用单个变压器面积实现并联功率合成、负载阻抗调制以及差分到单端的转换。除峰值功率点外，还具有三个额外的回退效率峰值点，提高了平均发射效率且缩小了芯片面积。与目前较多采用的包络跟踪功率放大器相比，省去了电源调制器模块，对于宽带应用，不需要远高于信号带宽的处理能力。与传统回退效率增强技术的功率放大器相比，不需要四分之一波长传输线或多个变压器做阻抗变换，仅需占用单个变压器面积。因此，本发明提出的变压器并联合成回退效率增强技术功率放大器结构简洁，面积紧凑，能够在较宽的输出功率范围内维持较高的效率，适用于NB-IoT、LTE、WLAN、5G等高峰均比通信应用的低成本、高效率需求。

Claims (3)

1.一种回退效率增强的变压器并联合成功率放大器，其特征在于，由晶体管级有源部分和基于变压器并联合成的无源网络部分组成；其中，有源部分采用电压模的纯模拟、数模混合或全数字类型的功率放大器实现；无源部分采用变压器并联合成器完成功率合成、负载阻抗调制以及差分到单端的转换；其中：
有源部分包含三个完全相同的差分PA以及一个可以实现从差分到单端工作的差分PA1（110），三个差分PA分别记为PA2（111）、PA3（112）、PA4（113）；无源网络部分由变压器并联合成器（210）和匹配电路元件（211）组成，匹配电路元件（211）接输出负载（310）；其中，变压器并联合成器（210）包含第一初级线圈（1）、第二初级线圈（2）、第三初级线圈（3）、第四初级线圈（4）和次级线圈，第一初级线圈（1）、第二初级线圈（2）、第三初级线圈（3）和第四初级线圈（4）均并联耦合到次级线圈，四个初级线圈与次级线圈的匝数比取决于功率放大器的最优阻抗； PA1（110）的正端输出与PA4（113）的负端输出通过第一初级线圈（1）相连接， PA4（113）的正端输出与PA2（111）的负端输出通过第二初级线圈（2）相连接，PA2（111）的正端输出与PA3（112）的负端输出通过第三初级线圈（3）相连，PA3（112）的正端输出与PA1（110）的负端输出通过第四初级线圈（4）相连接最终在次级线圈处完成功率合成，并通过匹配电路元件（211）传递给输出负载（310）。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，具有四个效率峰值点，分别位于峰值功率、6dB功率回退、12dB功率回退和18dB功率回退处：当处于峰值功率时，PA1（110）、PA2（111）、PA3（112）和PA4（113）均完全开启且处于满摆幅状态，此时PA1（110）、PA2（111）、PA3（112）和PA4（113）的负载阻抗相同；当处于6dB回退功率时，PA1（110）和PA2（111）完全开启，PA3（112）和PA4（113）完全关闭且输出端处于高阻态，并通过差分端的开关SW3和SW4导通，此时PA1（110）和PA2（111）的负载阻抗增大为其峰值功率时的2倍，输出电流减小为峰值功率时的1/2，从而产生一个额外的6dB回退效率峰值点；当处于12dB回退功率时，PA1（110）完全开启，PA2（111）、PA3（112）和PA4（113）完全关闭且输出端处于高阻态，并通过差分端的开关SW2、SW3和SW4导通，此时PA1（110）的负载阻抗增大为其峰值功率时的4倍，输出电流减小为峰值功率时的1/4，从而产生一个额外的12dB回退效率峰值点；当处于18dB回退功率时，PA1（110）的差分正端支路完全开启而负端支路连接到地，PA2（111）、PA3（112）和PA4（113）完全关闭且输出端处于高阻态，并通过差分端的开关SW2、SW3和SW4导通，此时PA1（110）的负载阻抗增大为其峰值功率时的8倍，输出电流减小为峰值功率时的1/8从而产生一个额外的18dB回退效率峰值点。
3.根据权利要求2所述的功率放大器，其特征在于，为对称形式：第一初级线圈（1）、第二初级线圈（2）、第三初级线圈（3）和第四初级线圈（4）具有对称性，PA1（110）、PA2（111）、PA3（112）和PA4（113）放置于变压器并联合成器的四个对称角落，使得第一初级线圈（1）、第二初级线圈（2）、第三初级线圈（3）和第四初级线圈（4）电流方向同相，用以增强电磁，提高功率合成器的初级线圈品质因子，降低损耗。
CN201910416161.1A 2019-05-20 2019-05-20 回退效率增强的变压器并联合成功率放大器 Pending CN110212879A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910416161.1A CN110212879A (zh) 2019-05-20 2019-05-20 回退效率增强的变压器并联合成功率放大器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910416161.1A CN110212879A (zh) 2019-05-20 2019-05-20 回退效率增强的变压器并联合成功率放大器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110212879A true CN110212879A (zh) 2019-09-06

Family

ID=67787804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910416161.1A Pending CN110212879A (zh) 2019-05-20 2019-05-20 回退效率增强的变压器并联合成功率放大器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110212879A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113746432A (zh) * 2020-05-27 2021-12-03 电子科技大学 功率放大器及其回退效率提升控制方法
CN115051661A (zh) * 2022-08-15 2022-09-13 广东工业大学 一种基于动态功率控制的高集成度异相功率放大器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015108492A1 (en) * 2014-01-14 2015-07-23 Aselsan Elektronik Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi Doherty amplifier with a wideband in-phase power combiner
CN108649905A (zh) * 2018-04-20 2018-10-12 复旦大学 变压器并联合成功率放大器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015108492A1 (en) * 2014-01-14 2015-07-23 Aselsan Elektronik Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi Doherty amplifier with a wideband in-phase power combiner
CN108649905A (zh) * 2018-04-20 2018-10-12 复旦大学 变压器并联合成功率放大器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LIANG XIONG, ET AL: "A Broadband Switched-Transformer Digital Power Amplifier for Deep Back-Off Efficiency Enhancement", 《2019 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE（ISSCC）》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113746432A (zh) * 2020-05-27 2021-12-03 电子科技大学 功率放大器及其回退效率提升控制方法
CN115051661A (zh) * 2022-08-15 2022-09-13 广东工业大学 一种基于动态功率控制的高集成度异相功率放大器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104160550B (zh) 用于rf功率放大器的线性行阵列集成功率合成器
CN103795353B (zh) 包含有效高线性度功率放大器的射频前端模块电路
CN107204785B (zh) 一种可配置低功耗全数字发射机
CN107040275A (zh) 含集成谐波滤波器的射频电路和含晶体管的射频电路
Yin et al. A compact dual-band digital polar Doherty power amplifier using parallel-combining transformer
Yin et al. A compact dual-band digital Doherty power amplifier using parallel-combining transformer for cellular NB-IoT applications
CN106877828B (zh) 变压器正交合成功率放大器
CN104170267B9 (zh) 基于cmos的tx/rx开关
CN111416578B (zh) 基于低Q输出网络的宽带集成Doherty功率放大器
Hung et al. A quadrature class-G complex-domain Doherty digital power amplifier
Bechthum et al. A CMOS polar class-G switched-capacitor PA with a single high-current supply, for LTE NB-IoT and eMTC
Yin et al. A compact transformer-combined polar/quadrature reconfigurable digital power amplifier in 28-nm logic LP CMOS
Shen et al. A fully-integrated digital-intensive polar Doherty transmitter
CN108649905A (zh) 变压器并联合成功率放大器
CN110212879A (zh) 回退效率增强的变压器并联合成功率放大器
CN105811893A (zh) 一种包络跟踪射频功率放大器的电路结构
Choi et al. Power amplifiers and transmitters for next generation mobile handsets
Lee et al. Fully monolithic BiCMOS reconfigurable power amplifier for multi-mode and multi-band applications
CN111342787A (zh) 一种负载调制差分功率放大器、基站和移动终端
Li et al. A fully monolithic BiCMOS envelope-tracking power amplifier with on-chip transformer for broadband wireless applications
Walling The switched-capacitor power amplifier: A key enabler for future communications systems
Kim et al. A quasi-Doherty SOI CMOS power amplifier with folded combining transformer
CN112019169A (zh) 一种宽带高增益的Doherty功率放大器及其实现方法
Bechthum et al. A CMOS polar single-supply class-G SCPA for LTE NB-IoT and Cat-M1
Zhu et al. A compact 2.4 GHz polar/quadrature reconfigurable digital power amplifier in 28nm logic LP CMOS

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20190906