CN110181177A - 基底切割装置 - Google Patents

Abstract

提供一种基底切割装置。所述基底切割装置包括：基体部分；台，位于基体部分上；分隔构件，与台间隔开；以及排气结构，在单元基底下方并被构造为排出气态物质。台具有被构造为支撑单元基底的顶表面和垂直于顶表面的连接表面，分隔构件面向连接表面并被构造为支撑单元基底。

Description

基底切割装置

此专利申请要求于2018年2月22日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0021132号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开的实施例的各方面涉及一种基底切割装置。

背景技术

通常，显示装置包括有机发光显示(OLED)面板、液晶显示(LCD)面板、电泳显示(ED)面板、表面传导电子发射显示(SED)面板或真空荧光显示(VFD)面板等。

显示装置可用于移动装置(例如，智能电话、平板个人电脑、膝上型电脑、数码相机、便携式摄像机和移动信息终端)或其它电子产品(例如，超薄电视机、展览显示装置和广告牌)中。

近来，已经对制造具有减小的厚度的显示装置进行了各种研究。此外，由于其便携性和对各种装置的适用性，柔性显示装置作为下一代显示装置已经引起了关注。

制造显示装置的工艺可包括切割工艺。在切割工艺中，可能从基底(例如，从切割基底)产生污染物质。

发明内容

本公开的实施例提供了一种被构造为容易地去除(或排出)在基底切割工艺期间产生的污染物质的基底切割装置。

根据本公开的实施例，一种基底切割装置包括：基体部分；台，位于基体部分上；分隔构件，与台间隔开；以及排气结构，在单元基底下方并被构造为排出气态物质。台具有被构造为支撑单元基底的顶表面和垂直于顶表面的连接表面，分隔构件面向连接表面并被构造为支撑单元基底。

排气结构可以位于连接表面中，并且可以被构造为产生朝向分隔构件流动的气流。

排气结构可以位于台与分隔构件之间，并且可以被构造为产生朝向分隔构件流动的气流。

分隔构件可以包括彼此间隔开的多个分隔构件。

当在垂直于连接表面的方向上观看时，排气结构可以位于分隔构件中的相邻分隔构件之间。

当在垂直于连接表面的方向上观看时，排气结构可以与分隔构件中的两个相邻的分隔构件部分叠置。

当在垂直于连接表面的方向上观看时，排气结构可以与多个分隔构件叠置。

分隔构件可以具有被构造为支撑单元基底的第一表面、位于基体部分上并面向第一表面的第二表面以及在第一表面与第二表面之间延伸的侧表面。

第一表面和第二表面中的每个可以具有由至少三个顶点和连接所述至少三个顶点的边所限定的多边形形状。

当在平面图中观看时，第一表面的来自第一表面的至少三个顶点之中的第一顶点可以与第二表面的来自第二表面的至少三个顶点中的第二顶点叠置，并且第一顶点和第二顶点可以面向连接表面。

侧表面的面向连接表面的至少一部分可以具有弯曲的形状。

台的顶表面可以与分隔构件的第一表面基本上共面。

分隔构件可以具有：顶表面，被构造为支撑单元基底的外部；内表面，连接到顶表面，面向连接表面，并且围绕台的***；外表面，连接到顶表面并且面向内表面；以及穿透开口，穿透内表面和外表面并且被构造为使气态物质通过穿透开口排出到分隔构件的外部。

基底切割装置还可以包括倾斜图案。倾斜图案可以与台间隔开并且可以具有高度随距台的距离增大而增大的倾斜表面，分隔构件位于倾斜图案与台之间。气态物质可以沿倾斜表面被排出到外部。

分隔构件和台中的至少一个可以具有吸入开口，气态物质通过吸入开口将被吸入，并且单元基底可以通过吸入开口以真空吸入方式固定到分隔构件和台中的至少一个。

基底切割装置还可以包括切割构件。切割构件可以被构造为沿切割线切割单元基底，并且切割线可以位于台与分隔构件之间。

当在平面图中观看时，排气结构可以包括与切割线叠置的多个排气结构。

根据本公开的实施例，一种基底切割装置包括：基体部分，具有第一区域和围绕第一区域的***的第二区域；台，位于第一区域上；切割构件，被构造为沿切割线切割单元基底；分隔构件，位于第一区域上并与台间隔开；以及排气结构，位于第一区域中并且被构造为朝向单元基底下方的区域排出气态物质并产生从第一区域朝向第二区域流动的气流。台具有被构造为支撑单元基底的顶表面和垂直于顶表面的连接表面，分隔构件面向连接表面并被构造为支撑单元基底。

基底切割装置还可以包括倾斜图案。倾斜图案可以与台间隔开，分隔构件位于倾斜图案与台之间，并且倾斜图案可以具有高度随距台的距离增大而增大的倾斜表面。可以产生气流以沿倾斜表面在向外方向上排出气态物质。

当在平面图中观看时，排气结构可以包括与切割线叠置的多个排气结构。

附图说明

通过以下结合附图的简要描述，示例实施例将被更清楚地理解。附图表示如这里所描述的非限制性示例实施例。

图1A是示出根据本公开的实施例的基底切割装置的示意图。

图1B是示出根据本公开的实施例的单元基底的剖视图。

图2A是示出根据本公开的实施例的基底切割装置的透视图。

图2B是沿图2A的线I-I'截取的剖视图。

图2C是沿图2A的线II-II'截取的剖视图。

图3A至图3C中的每个是示出根据本公开的实施例的基底切割装置的一部分的放大图。

图4A和图4B是示出根据本公开的一些实施例的分隔构件的示例形状的透视图。

图5A是示出根据本公开的实施例的基底切割装置的透视图。

图5B是示出图5A中所示的基底切割装置的一部分的放大图。

图6A是示出根据本公开的实施例的基底切割装置的透视图。

图6B是沿图6A中的线III-III'截取的剖视图。

图7A是示出根据本公开的实施例的基底切割装置的透视图。

图7B是沿图7A中的线IV-IV'截取的剖视图。

图8A是示出根据本公开的实施例的基底切割装置的透视图。

图8B是沿图8A中的线V-V'截取的剖视图。

图9是示出根据本公开的实施例通过排气结构排出的气态物质的流动的剖视图。

应当注意，这些图意图示出某些示例实施例中使用的方法、结构、构造和/或材料的一般特性，并将补充下面提供的书面描述。然而，这些附图不是按比例绘制的，并且不会精确地反映任何给定实施例的结构或性能特性，因此不应被解释为限定或限制由本公开包含的值或性能的范围。例如，为了清楚，在图中可以减小或夸大层、区域和/或结构元件的相对厚度和位置。在各个图中使用相似或相同的附图标记意图表示存在相似或相同的元件或特征。

具体实施方式

现在将参照附图更充分地描述本公开的示例实施例，在附图中示出了示例实施例。然而，本公开的实施例可以以许多不同的形式实现，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例；相反，提供这些示例实施例使得此公开将是彻底的和完整的，并且将把本公开的构思充分地传达给本领域普通技术人员。

将理解的是，当元件被称为“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以直接连接或结合到所述另一元件，或者可以存在中间元件。当元件被称为“直接连接”或“直接结合”到另一元件时，不存在中间元件。用于描述元件或层之间的关系的其它词语应以类似的方式(例如，“在……之间”与“直接在……之间”、“相邻”与“直接相邻”、“在……上”与“直接在……上”)解释。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何组合和所有组合。此外，当描述本公开的实施例时，使用的“可以”涉及“本公开的一个或更多个实施例”。当诸如“……中的至少一个”的表述在一列元件之后时，修饰整列元件，而不修饰该列的个别元件。

将理解的是，虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

为了便于描述，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，除了图中所描绘的方位之外，空间相对术语意图包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或在其它方位处)，并且应当相应地解释这里使用的空间相对描述符。

这里使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，而不意图限制示例实施例。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也意图包括复数形式。还将理解的是，如在这里使用的术语“具有”、“包括”及其变型和/或“包含”及其变型时说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开的示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在这里明确地如此定义，否则诸如在通用词典中定义的那些术语的术语应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的意义来被解释。

根据这里描述的本公开的实施例的控制单元(或控制器)和/或任何其它相关装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件和/或软件、固件和硬件的合适组合来实现。例如，控制单元的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或形成在单独的IC芯片上。此外，控制单元的各种组件可以实现在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在与控制单元相同的基底上。此外，控制单元的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中的一个或更多个处理器上运行、执行计算机程序指令并且与其它***组件交互以执行这里描述的各种功能的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可以被实现在使用诸如以随机存取存储器(RAM)为例的标准存储器装置的计算装置中。计算机程序指令也可以存储在诸如以CD-ROM或闪存驱动器等为例的其它非暂时性计算机可读介质中。另外，本领域技术人员应该认识到，在不脱离本公开的示例性实施例的范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以分布在一个或更多个其它计算装置上。

图1A是示出根据本公开的实施例的基底切割装置的示意图。图1B是示出根据本公开的实施例的单元基底的剖视图。图2A是示出根据本公开的实施例的基底切割装置的透视图，图2B是沿图2A的线I-I'截取的剖视图，图2C是沿图2A的线II-II'截取的剖视图。在下文中，将参照图1A至图2C来描述根据本公开的实施例的基底切割装置。

可以设置(例如，在制造装置中)多个基底切割装置1000。为了方便，下面的描述将涉及一个基底切割装置1000。

基底切割装置1000可以用于通过使用切割构件(例如，切割装置)LS沿切割线CL切割单元基底WP。切割构件LS可以包括被构造为发射激光束的光束发生器和沿激光束的传播路径放置的光学***。光束发生器可以被构造为产生固态激光(例如，红宝石激光、玻璃激光、钇铝石榴石(YAG)激光或氟化钇锂(YLF)激光)、气体激光(例如，准分子激光或氦氖(He-Ne)激光)或者脉冲激光。

光学***可以沿由光束发生器产生的激光束的传播路径定位。光学***可以包括被构造为使激光束的光束形状均匀化的均化器或者被构造为调节激光束的焦距的聚光透镜。此外，光学***可以包括沿激光束的传播路径放置并且用于改变激光束的传播角度的镜子。镜子可以包括被构造为当输入电压改变时线性地改变激光束的传播角度的电流镜(Galvano mirror)或反射镜。在一些实施例中，切割构件LS还可以包括控制单元(例如，控制器)，控制单元控制切割构件LS的位置以允许激光束沿切割线CL照射到单元基底WP上。控制单元可以基于操作者先前输入或新输入的强度或尺寸值来控制从光束发生器发射的激光束的尺寸和强度。

在一些实施例中，可以通过使用切割构件LS切割单元基底WP来形成显示模块，该切割构件LS被构造为在第一方向DR1和第二方向DR2上可移动。在设置有多个基底切割装置1000的实施例中，可以形成(例如，可以同时形成)多个显示模块。

单元基底WP可以包括多个像素PX。单元基底WP可以包括通过切割线CL来限定(例如，通过切割线CL分开)的面板区域PA和虚设区域NPA。面板区域PA可以是单元基底WP的在沿切割线CL切割单元基底WP的工艺之后将用作显示器或电子装置的一部分的区域。像素PX可以设置在面板区域PA上，并且切割线CL可以与像素PX间隔开。

单元基底WP的在单元基底WP的虚设区域NPA被去除之后保留的面板区域PA可以被用作显示模块。例如，当在平面图中观看时，显示模块的形状可以由切割线CL限定。

参照图1B，单元基底WP可以包括基体层SUB、电路层CK和显示器件层PL。

基体层SUB可以包括(或者可以是)刚性基底和/或柔性基底。例如，基体层SUB可以包括(或者可以是)玻璃基底、金属基底和/或塑料基底。

电路层CK可以设置在基体层SUB上。电路层CK可以包括薄膜晶体管TFT以及绝缘层IL1、IL2和IL3。

薄膜晶体管TFT的半导体图案AL和第一绝缘层IL1可以设置在基体层SUB上。第一绝缘层IL1可以被设置为覆盖半导体图案AL。

薄膜晶体管TFT的控制电极GE和第二绝缘层IL2可以设置在第一绝缘层IL1上。第二绝缘层IL2可以被设置为覆盖控制电极GE。第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2中的每个可以包括有机层和/或无机层。在一些实施例中，第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2中的每个可以包括多个薄膜。

薄膜晶体管TFT的输入电极SE和输出电极DE以及第三绝缘层IL3可以设置在第二绝缘层IL2上。第三绝缘层IL3可以被设置为覆盖输入电极SE和输出电极DE。

输入电极SE和输出电极DE可以经由第一贯穿开口(例如，第一通孔)CH1和第二贯穿开口(例如，第二通孔)CH2连接到半导体图案AL，第一贯穿开口CH1和第二贯穿开口CH2中的每个被形成为穿透第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2。

有机发光器件OLED和像素限定层PDL可以设置在第三绝缘层IL3上。像素限定层PDL可以形成在第三绝缘层IL3的与有机发光器件OLED叠置的区域上。

显示器件层PL可以包括像素限定层PDL和有机发光器件OLED。

有机发光器件OLED可以包括阳极电极AE、发射图案EML、阴极电极CE、位于阳极电极AE与发光图案EML之间的空穴传输区域ZL1以及位于阴极电极CE与发射图案EML之间的电子传输区域ZL2。

阳极电极AE可以经由形成在第三绝缘层IL3中的第三贯穿开口(例如，第三通孔)CH3连接到输出电极DE。

像素限定层PDL可以设置在第三绝缘层IL3上。开口OP可以被限定在像素限定层PDL中以暴露阳极电极AE的至少一部分。开口OP可以形成在与发光区域相对应的区域处，该发光区域是从有机发光器件OLED发射光的区域。

空穴传输区域ZL1可以设置在阳极电极AE上以覆盖阳极电极AE和像素限定层PDL。空穴传输区域ZL1可以包括空穴注入层、空穴传输层和/或具有空穴注入功能和空穴传输功能两者的单一层。

发射图案EML可以设置在空穴传输区域ZL1上。发射图案EML可以由荧光材料和/或磷光材料形成，或者可以包括荧光材料和/或磷光材料。发射图案EML可以被构造为产生单色光或多色光。

电子传输区域ZL2可以设置在发射图案EML上以覆盖发射图案EML和空穴传输区域ZL1。电子传输区域ZL2可以由电子传输材料和/或电子注入材料形成，或者可以包括电子传输材料和/或电子注入材料。电子传输区域ZL2可以是包括电子传输材料的电子传输层或包括电子传输材料和电子注入材料两者的单一电子注入/传输层。

阴极电极CE可以设置在电子传输区域ZL2上以面对阳极电极AE(例如，与阳极电极AE相对)。阴极电极CE可以由具有低功函数的材料形成(或者可以包括具有低功函数的材料)，并且因此可以提供更容易的电子注入。

阴极电极CE和阳极电极AE的材料可以根据面板区域PA的发光方法适当地改变。例如，在面板区域PA是顶发射型的实施例中，阴极电极CE可以是透明电极，阳极电极AE可以是反射电极。在面板区域PA是底发射型的实施例中，阴极电极CE可以是反射电极，阳极电极AE可以是透明电极。本公开不限制在面板区域PA中有机发光器件的具体结构，有机发光器件的结构可以适当地改变。

薄膜封装层TFE可以设置在阴极电极CE上。薄膜封装层TFE可以被设置为完全覆盖阴极电极CE，从而气密地密封有机发光器件OLED。可以通过沉积方法来形成薄膜封装层TFE。薄膜封装层TFE可以基本上不增大面板区域PA的厚度。

薄膜封装层TFE可以包括多个无机层。每个无机层可以由氮化硅和/或氧化硅形成，或者可以包括氮化硅和/或氧化硅。在一些实施例中，薄膜封装层TFE还可以包括置于无机层之间的功能层(即，一个或更多个功能层)。

在图2A中，为了更好地理解本公开，基底切割装置1000被示出为与单元基底WP间隔开。基底切割装置1000可以包括基体部分100、台200、排气结构300和分隔构件400。基体部分100可以具有第一区域AR1和第二区域AR2。在一些实施例中，当在平面图中观看时，第一区域AR1可以是基体部分100的中心区域，第二区域AR2可以是包围第一区域AR1(例如，在第一区域AR1的***的周围，或围绕第一区域AR1的***)的区域。

台200可以设置在第一区域AR1上。单元基底WP可以设置在台200上(例如，通过台200接收)。台200可以具有顶表面UP和连接表面(例如，侧表面)SP。顶表面UP可以支撑单元基底WP。当在平面图中观看时，顶表面UP可以与单元基底WP的面板区域PA叠置。

连接表面SP可以是垂直于顶表面UP并且沿顶表面UP的边缘设置的表面。连接表面SP的在第三方向DR3上测量的长度可以被定义为台200的高度。

在一些实施例中，基底切割装置1000可以具有第一吸入开口(例如，第一吸入孔)210。第一吸入开口210可以设置在台200的顶表面UP中。气态物质(例如，外部空气)可以通过第一吸入开口210被吸入，从而以真空吸入方式将单元基底WP固定(或紧固或粘附)到台200上。在一些实施例中，可以设置多个第一吸入开口210。在这样的实施例中，可以能够在切割工艺期间更加稳定地将单元基底WP固定到台200。例如，可以能够防止或基本上减少由于例如在切割工艺期间可能发生的振动所引起的切割构件LS变得与切割线CL错位的情况。在一些实施例中，气态物质可以通过第一吸入开口210被排出到外部，以允许单元基底WP在切割工艺之后容易地与台200分离。

在一些实施例中，排气结构300可以设置在台200的连接表面SP上。在一些实施例中，多个排气结构300可以沿连接表面SP设置并且彼此间隔开。排气结构300可以被构造为在从连接表面SP朝向基体部分100的外侧的方向上排出气态物质AIR。例如，排气结构300可以被构造为朝向单元基底WP下方的区域排出气态物质并且在从第一区域AR1朝向第二区域AR2的方向上引导气流。

当在垂直于连接表面SP的方向上观看时，排气结构300可以是圆形开口(或孔)。然而，本公开不限于此，并且排气结构300的形状可以适当地改变，只要排气结构300能够用于将气态物质AIR排出到外部即可。在台200中，排气结构300可以连接到气态物质排出装置(例如，泵)，并且可以用于将气态物质排出到外部。

分隔构件400可以设置在第一区域AR1上。当在平面图中观看时，分隔构件400可以与台200间隔开并且相比于靠近于台200可以更靠近于第二区域AR2。分隔构件400可以设置在台200周围但与台200间隔开。分隔构件400可以被设置为支撑单元基底WP的至少一部分。当在平面图中观看时，分隔构件400可以与单元基底WP的虚设区域NPA叠置。例如，单元基底WP的面板区域PA的一部分可以通过台200来支撑，单元基底WP的虚设区域NPA的一部分可以通过分隔构件400来支撑。在实施例中，台200和分隔构件400可以被设置为在第三方向DR3上具有基本相同的高度。

如图2A中所示，分隔构件400可以具有圆形形状。然而，分隔构件400的形状可以如将参照图4A和图4B描述的那样适当地改变。

在图2A中，通过虚线描绘与单元基底WP叠置的分隔构件400中的一个分隔构件400的形状。如图2A和图2B中所示，基底切割装置1000还可以包括第二吸入开口(例如，第二吸入孔)410。第二吸入开口410可被构造为吸入气态物质(例如，外部空气)，从而以真空吸入方式将单元基底WP固定到分隔构件400上。第二吸入开口410可以穿透(例如，可以完全延伸穿过)分隔构件400。在一些实施例中，可以设置多个第二吸入开口410。因为单元基底WP的位于台200的外部的部分(诸如虚设区域NPA)通过分隔构件400以吸入方式定位并被支撑，所以切割构件LS可以不会变得由于例如在切割工艺期间可能发生的振动所引起的与切割线CL错位。在一些实施例中，气态物质可以在第三方向DR3上通过第二吸入开口410排出，以允许虚设区域NPA在切割工艺之后容易地与分隔构件400分离。

在一些实施例中，当在垂直于连接表面SP的方向上观看时，排气结构300可以与分隔构件400的至少一部分叠置。例如，如图2A和图2B中所示，当在通过第二方向DR2和第三方向DR3所限定的垂直截面中观看时，排气结构300可以与分隔构件400叠置。在这样的实施例中，将通过排气结构300排出的气态物质AIR可以在穿过分隔构件400之间的空间的同时沿第二方向DR2被排出到外部。

在图2A至图2C中所示的实施例中，当在通过第一方向DR1和第三方向DR3所限定的垂直截面中观看时，排气结构300可以不与分隔构件400叠置。在这样的实施例中，气态物质AIR可以在第二方向DR2上以增加的各向异性被排出到外部(例如，排出到基底切割装置1000的外部)。因此，会在切割单元基底WP的工艺期间产生的外来物质可以与气态物质AIR一起更容易地排出到台200的外部。结果，可以增加基底切割装置1000的清洁步骤之间的间隔(例如，可以能够降低基底切割装置1000的清洁频率)，从而提高工艺效率。此外，因为气流沿向外的方向被排出，所以可以能够减少流到单元基底WP上的污染物的量，从而提高制造的显示模块的可靠性。

图3A至图3C中的每个是示出根据本公开的实施例的基底切割装置的一部分的放大图。为了简要描述，前面参照图1A至图2C描述的元件可以通过相同的附图标记来标识，并且可以省略其重复描述。

图3A和图3B是示出分隔构件400相对于设置在台200的连接表面SP中的排气结构300的相对位置的图。

分隔构件400可以具有顶表面B1、底表面B2和侧表面B3。顶表面B1可以是单元基底WP直接设置在其上的表面。底表面B2可以与顶表面B1相对并且可以接触基体部分100(例如，可以放置在基体部分100上)。侧表面B3可以垂直于顶表面B1和底表面B2两者和/或平行于图3A的第三方向DR3，并且可以连接顶表面B1和底表面B2(或在顶表面B1与底表面B2之间延伸)。

分隔构件400的顶表面B1可以与台200的顶表面UP基本上共面。例如，台200的从基体部分100沿第三方向DR3测量的高度可以与分隔构件400的从基体部分100沿第三方向DR3测量的高度基本上相等。因此，单元基底WP可以水平地设置在基底切割装置1000中(例如，单元基底WP可以水平地设置在分隔构件400和台200两者上)。

参照图3B，分隔构件400中的每个可以与排气结构300中的各个相邻的排气结构300部分叠置。通过图3B中的阴影区域DK来描绘这种叠置区域。将通过排气结构300排出的气态物质AIR可以形成穿过分隔构件400之间的空间TW同时扫过分隔构件400的叠置区域(例如，阴影区域DK)的气流。在一些实施例中，因为气流被引导穿过分隔构件400之间的空间TW，所以可以减少在切割工艺期间积聚在空间TW中的外来物质的量，从而可以提高制造的显示模块的可靠性。

参照图3C，根据另一实施例，排气结构300A可以设置在基体部分100中。排气结构300A可以被构造为在第三方向DR3上从基体部分100排出气态物质AIR，并且在此实施例中，台200上的单元基底WP可以改变气态物质AIR通过排气结构300A排出到第二方向DR2(例如，从第三方向DR3到第二方向DR2)的气流方向。因此，即使当在单元基底WP下方的空间中产生外来物质时，外来物质也可以与气流一起容易地排出到基底切割装置1000的外部。在示例性实施例中，当在平面图中观看时，切割线CL可以与多个排气结构300A叠置。

图4A和图4B是示出根据本公开的一些实施例的分隔构件的示例形状的透视图。为了简要描述，前面参照图1A至图2C描述的元件可以通过相同的附图标记来标识，并且可以省略其重复描述。

如图4A中所示，台200和形状像三角柱的分隔构件400A可以设置在基体部分100上。分隔构件400A可具有顶表面B1A、底表面B2A和侧表面B3A。侧表面B3A可以垂直于顶表面B1A和底表面B2A和/或平行于第三方向DR3，并且可以设置成连接顶表面B1A和底表面B2A(或者在顶表面B1A与底表面B2A之间延伸)。

顶表面B1A和底表面B2A中的每个可以具有通过至少三个顶点和连接顶点的边来限定的多边形形状。在图4A中，顶表面B1A和底表面B2A中的每个被示出为具有三角形形状。顶表面B1A、底表面B2A和侧表面B3A可以连接以形成三角柱结构。在一些实施例中，彼此间隔开的多个分隔构件400A可以设置在基体部分100上。然而，本公开不限于此示例，并且分隔构件的形状和数量可以不同地改变，只要分隔构件具有多边形形状即可。

如图4A中所示，在平面图中彼此叠置的顶表面B1A的第一顶点T1和底表面B2A的第二顶点T2可以设置为面向连接表面SP。例如，第一顶点T1和第二顶点T2可以彼此连接以形成面向连接表面SP的边PT。因此，可以减小分隔构件400A的垂直于气态物质AIR气流方向的表面积，其中，所述气态物质AIR将通过排气结构300被排出，因此，气态物质AIR的气流可以在第二方向DR2上更稳定。

在另一实施例中，如图4B中所示，分隔构件400B可以设置成具有面向连接表面SP的边。分隔构件400B的这种边可以具有弯曲的形状。例如，如图4B中所示，分隔构件400B可以以半圆柱的形式设置。侧表面B3B可以包括面向连接表面SP并具有弯曲的形状的面向表面UT。在此实施例中，侧表面B3B的一部分(例如，面向表面UT)可以具有弯曲的形状，并且顶表面B1B和底表面B2B中的每个可以具有半圆形形状。因此，分隔构件400B可以以半圆柱的形式设置。在一些实施例中，多个分隔构件400B可以设置在基体部分100上，并且在这样的实施例中，至少一个分隔构件400B可以具有半圆柱形状。

如上面描述的，根据本公开的实施例的分隔构件可以是柱形状的(例如，图2A中所示的圆柱、图4B中所示的半圆柱以及图4A中所示的多边柱或三角柱)。由于分隔构件的柱形状结构，通过排气结构300从连接表面SP发出的气态物质AIR可以更容易地排出到外部。例如，当气态物质AIR从连接表面SP朝向分隔构件400A排出并接触具有顶点T1和T2的分隔构件400A时，与分隔构件具有简单的平坦的面向表面的实施例相比，通过分隔构件400A或在分隔构件400A周围穿过的气态物质AIR的扰动可以减小，这样的特征可以使得更容易将气态物质AIR排出到外部成为可能。此外，当如图4B中所示分隔构件400B具有面向表面UT时，当与分隔构件具有简单的平坦的面向表面的实施例相比，可以减小将通过分隔构件400B排出到外部的气态物质AIR的扰动。因此，气态物质AIR的气流可以容易地排出到外部而不会在连接表面SP与分隔构件400A或400B之间停顿，因此，可以能够防止或减少会在切割工艺期间产生的外来物质在基体部分100上的沉积或积聚。

图5A是示出根据本公开的实施例的基底切割装置的透视图，图5B是示出图5A中所示的基底切割装置的一部分的放大图。为了简要描述，前面参照图1A至图2C描述的元件可以通过相同的附图标记来标识，并且可以省略其重复描述。

参照图5A和图5B，设置在连接表面SP中的排气结构300A可以具有矩形形状。当在垂直于连接表面SP的方向上观看时，排气结构300A可以与分隔构件400中的多个分隔构件400C和400D叠置。通过排气结构300排出的气态物质AIR的气流会由于分隔构件400C和400D的与排气结构300A叠置的叠置区域BK而被扰动。

此扰动可以导致气态物质AIR的气流穿过分隔构件400C和400D之间以及分隔构件400C和400D与台200之间的空间。因此，可以能够防止或减少会在切割工艺期间产生的外来物质在基体部分100上或在分隔构件400C和400D与连接表面SP之间的沉积或积聚。

图6A是示出根据本公开的实施例的基底切割装置的透视图，图6B是沿图6A中的线III-III'截取的剖视图。为了简要描述，前面参照图1A至图2C描述的元件可以通过相同的附图标记来标识，并且可以省略其重复描述。

基体部分100可以具有第一区域AR1和第二区域AR2。第一区域AR1可以与台200和分隔构件400叠置，第二区域AR2可以被限定为围绕第一区域AR1(例如，在第一区域AR1的***周围或者围绕第一区域AR1的***)。

倾斜图案KM1、KM2、KM3和KM4可以设置在第二区域AR2上以与台200间隔开，并且分隔构件400置于倾斜图案KM1、KM2、KM3和KM4与台200之间，并且倾斜图案KM1、KM2、KM3和KM4中的每个可以具有高度随距台200的距离的增大而增大的倾斜表面FS1。当气态物质AIR通过设置在连接表面SP中的排气结构300排出时，气态物质AIR可以经由位于分隔构件400之间并沿倾斜图案KM1、KM2、KM3和KM4的倾斜表面FS1的空气路径排出到外部。

倾斜图案KM1、KM2、KM3和KM4可以设置为暴露第二区域AR2的至少一部分(例如，拐角)N0。在所示出的实施例中，倾斜图案KM1、KM2、KM3和KM4可被构造为允许外来物质经由穿过单元基底WP上方的区域的排出路径被排出到外部。例如，吸入装置设置在单元基底WP上方以实现外来物质的向上流动，如图6B中所示，气态物质AIR的向上流动可以更有效地将外来物质排出到外部。

图7A是示出根据本公开的实施例的基底切割装置的透视图，图7B是沿图7A中的线IV-IV'截取的剖视图。为了简要描述，前面参照图1A至图2C描述的元件可以通过相同的附图标记来标识，并且可以省略其重复描述。

在此实施例中，分隔构件400-1可以具有顶表面C1、内表面C2和外表面C3。顶表面C1可以支撑单元基底WP。顶表面C1可以与台200的顶表面UP基本上共面。

内表面C2可以连接到顶表面C1以面向连接表面SP。内表面C2可以围绕台200-1(例如，可以在台200-1的***周围或者可以围绕台200-1的***)。外表面C3可以连接到顶表面C1以面向内表面C2(例如，以与内表面C2相对)。外表面C3可以与基体部分100-1的边缘表面EG对齐。

多个穿透开口(例如，穿透孔)FO1可以限定在分隔构件400-1中。穿透开口FO1可以形成为穿透内表面C2和外表面C3。通过排气结构300-1排出的气态物质AIR可以通过穿透开口FO1排出到外部。因此，可以形成通过穿透开口FO1从排气结构300-1流到外部的气流。

在所示的实施例中，穿透开口FO1可以被限定为穿透内表面C2、外表面C3和顶表面C1。因此，分隔构件400-1可包括第一子分隔构件420-1和一个或更多个第二子分隔构件430-1，第一子分隔构件420-1通过穿透开口FO1分开。

在一些实施例中，多个第一子分隔构件420-1可以布置成在第一方向DR1和/或第二方向DR2上彼此间隔开。第一子分隔构件420-1之间的间隙区域可以通过穿透开口FO1来限定。第一子分隔构件420-1(例如，第一子分隔构件420-1中的相邻第一子分隔构件420-1之间的区或区域)可以基本上限定气流穿过的通道。

第二子分隔构件430-1可以具有弯曲的形状(例如，“L”形状)。第二子分隔构件430-1可以包括在第一方向DR1上延伸的部分和在第二方向DR2上延伸的另一部分。第二子分隔构件430-1可以连接在第一方向DR1上布置的第一子分隔构件420-1和在第二方向DR2上布置的第一子分隔构件420-1(或者可以在在第一方向DR1上布置的第一子分隔构件420-1与在第二方向DR2上布置的第一子分隔构件420-1之间延伸)(例如，第二子分隔构件430-1可以设置在基体部分100-1的拐角处)。

图8A是示出根据本公开的实施例的基底切割装置的透视图，图8B是沿图8A中的线V-V'截取的剖视图。为了简要描述，前面参照图1A至图2C描述的元件可以通过相同的附图标记来标识，并且可以省略其重复描述。

在此实施例中，分隔构件400-2可以具有顶表面E1、内表面E2和外表面E3。顶表面E1可以支撑单元基底WP。顶表面E1可以与台200的顶表面UP基本上共面。

内表面E2可以连接到顶表面E1以面向连接表面SP。内表面E2可以围绕台200-2(例如，可以在台200-2的***周围或可以围绕台200-2的***)。外表面E3可以连接到顶表面E1以面向内表面E2(例如，以与内表面E2相对)。外表面E3可以与基体部分100-2的边缘表面EG对齐。

多个穿透开口(例如，穿透孔)FO2可以限定在分隔构件400-2中。穿透开口FO2可以形成为穿透内表面E2和顶表面E1。通过排气结构300-2排出的气态物质AIR可以通过穿透开口FO2排出到外部。与图7A中所示的穿透开口FO1不同，根据此实施例的穿透开口FO2中的每个可以具有倾斜表面FS2。倾斜表面FS2的高度可以随距排气结构300-2的距离增大而增大。如图8B中所示，通过排气结构300-2排出的气态物质AIR可以经由限定在分隔构件400-2之间并沿穿透开口FO2的倾斜表面FS2的空气路径排出到基底切割装置1000-2上方的区域。

在一些实施例中，吸入装置可以设置在单元基底WP上方以实现外来物质的向上流动，并且气态物质AIR的向上流动可以更有效地将外来物质排出到外部。因此，可以减少在切割工艺期间积聚的外来物质量，从而可以实现高度可靠的显示模块。

图9是示出根据本公开的实施例通过排气结构排出的气态物质的流动的剖视图。为了简要描述，前面参照图1A至图2C描述的元件可以通过相同的附图标记来标识，并且可以省略其重复描述。

在此实施例中，设置在连接表面SP中的排气结构300可以被构造为允许气态物质AIR1、AIR2和AIR3以各种排气角度排出。因此，各种气流可以形成在由单元基底WP、台200的连接表面SP和基体部分100所限定的内部空间中。结果，会通过使用切割构件LS在切割工艺期间所产生的外来物质可以有效地被排出到外部，同时防止或减少外来物质在基体部分100上的沉积。然而，本公开不限于此，例如，即使当排气结构300如例如在图3C中所示地设置在基体部分100中时，排气结构300也可以被构造为实现气态物质的各种排气角度。

根据本公开的实施例，可以容易地从基底切割装置的内部空间去除外来物质。因此，可以提高基底切割装置的使用寿命和基底切割工艺的工艺效率。

虽然这里已经示出和描述了本公开的实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的变化。

Claims (20)

1.一种基底切割装置，所述基底切割装置包括：

基体部分；

台，位于所述基体部分上，所述台具有被构造为支撑单元基底的顶表面和垂直于所述顶表面的连接表面；

分隔构件，与所述台间隔开，所述分隔构件面向所述连接表面并被构造为支撑所述单元基底；以及

排气结构，在所述单元基底下方并被构造为排出气态物质。

2.根据权利要求1所述的基底切割装置，其中，所述排气结构位于所述连接表面中，并且被构造为产生朝向所述分隔构件流动的气流。

3.根据权利要求1所述的基底切割装置，其中，所述排气结构位于所述台与所述分隔构件之间，并且被构造为产生朝向所述分隔构件流动的气流。

4.根据权利要求1所述的基底切割装置，其中，所述分隔构件包括彼此间隔开的多个分隔构件。

5.根据权利要求4所述的基底切割装置，其中，当在垂直于所述连接表面的方向上观看时，所述排气结构位于所述分隔构件中的相邻分隔构件之间。

6.根据权利要求4所述的基底切割装置，其中，当在垂直于所述连接表面的方向上观看时，所述排气结构与所述分隔构件中的两个相邻的分隔构件部分叠置。

7.根据权利要求4所述的基底切割装置，其中，当在垂直于所述连接表面的方向上观看时，所述排气结构与多个所述分隔构件叠置。

8.根据权利要求1所述的基底切割装置，其中，所述分隔构件具有被构造为支撑所述单元基底的第一表面、位于基体部分上并面向所述第一表面的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧表面。

9.根据权利要求8所述的基底切割装置，其中，所述第一表面和所述第二表面中的每个具有由至少三个顶点和连接所述至少三个顶点的边所限定的多边形形状。

10.根据权利要求9所述的基底切割装置，其中，当在平面图中观看时，所述第一表面的来自所述第一表面的所述至少三个顶点之中的第一顶点与所述第二表面的来自所述第二表面的所述至少三个顶点之中的第二顶点叠置，并且，

其中，所述第一顶点和所述第二顶点面向所述连接表面。

11.根据权利要求8所述的基底切割装置，其中，所述侧表面的面向所述连接表面的至少一部分具有弯曲的形状。

12.根据权利要求8所述的基底切割装置，其中，所述台的所述顶表面与所述分隔构件的所述第一表面共面。

13.根据权利要求1所述的基底切割装置，其中，所述分隔构件具有：

顶表面，被构造为支撑所述单元基底的外部；

内表面，连接到所述顶表面，面向所述连接表面，并且围绕所述台的***；

外表面，连接到所述顶表面并且面向所述内表面；以及

穿透开口，穿透所述内表面和所述外表面并且被构造为使所述气态物质通过所述穿透开口排出到所述分隔构件的外部。

14.根据权利要求1所述的基底切割装置，所述基底切割装置还包括倾斜图案，所述倾斜图案与所述台间隔开并且具有高度随距所述台的距离增大而增大的倾斜表面，所述分隔构件位于所述倾斜图案与所述台之间，

其中，所述气态物质沿所述倾斜表面将被排出到外部。

15.根据权利要求1所述的基底切割装置，其中，所述分隔构件和所述台中的至少一个具有吸入开口，气态物质通过所述吸入开口将被吸入，并且

其中，所述单元基底通过所述吸入开口以真空吸入方式固定到所述分隔构件和所述台中的所述至少一个。

16.根据权利要求1所述的基底切割装置，所述基底切割装置还包括被构造为沿切割线切割所述单元基底的切割构件，

其中，所述切割线位于所述台与所述分隔构件之间。

17.根据权利要求16所述的基底切割装置，其中，当在平面图中观看时，所述排气结构包括与所述切割线叠置的多个排气结构。

18.一种基底切割装置，所述基底切割装置包括：

基体部分，具有第一区域和围绕所述第一区域的***的第二区域；

台，位于所述第一区域上，所述台具有被构造为支撑单元基底的顶表面和垂直于所述顶表面的连接表面；

切割构件，被构造为沿切割线切割所述单元基底；

分隔构件，位于所述第二区域上并与所述台间隔开，所述分隔构件面向所述连接表面并被构造为支撑所述单元基底；以及

排气结构，位于所述第一区域中并且被构造为朝向所述单元基底下方的区域排出气态物质并产生从所述第一区域朝向所述第二区域流动的气流。

19.根据权利要求18所述的基底切割装置，所述基底切割装置还包括与所述台间隔开并且具有高度随距所述台的距离增大而增大的倾斜表面的倾斜图案，所述分隔构件位于所述倾斜图案与所述台之间，

其中，产生所述气流以沿所述倾斜表面在向外方向上排出所述气态物质。

20.根据权利要求18所述的基底切割装置，其中，当在平面图中观看时，所述排气结构包括与所述切割线叠置的多个排气结构。